JPH04343410A - Ｘ線マスクの製作方法、及びこの製作方法で製作されるｘ線マスクを用いたｘ線露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線マスクの製作方法
、及びこの製作方法で製作されるＸ線マスクを用いたＸ
線露光装置に関し、特に、半導体デバイスや半導体集積
回路の製造プロセス中のリソグラフィ工程で利用される
Ｘ線露光装置であり、このＸ線露光装置で用いられるＸ
線マスクの製作方法の改良に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】Ｘ線露光装置によるＸ線リソグラフィは
、■０．２〜０．３μｍよりも微細なサブミクロンレベ
ルの解像度、■大きなフォーカス深度、■高透過率に基
づく単層レジストプロセスが容易であること、■ダスト
付着に影響されにくいこと、■マスク転写による高生産
性を有すること等の特徴を有し、ＩＣ用超微細パターン
転写技術として期待されている。Ｘ線リソグラフィでこ
のような優れた特徴を生じさせるには、前提として高精
度のＸ線マスクが必要である。Ｘ線リソグラフィでは、
従来、波長１０オングストローム前後の軟Ｘ線を利用す
ることが多い。従ってＸ線リソグラフィで使用されるＸ
線マスクは、軟Ｘ線をよく通す軽元素からなる薄膜基板
の上に、当該軟Ｘ線を遮断・吸収するＸ線吸収体パター
ンが形成された構造となっている。Ｘ線吸収体パターン
は、重金属層によって形成される。かかる構造で製作さ
れるＸ線マスクにおいて、実寸パターンを有する当該Ｘ
線マスクと、転写が行われる半導体ウェハーを近接させ
、１対１の転写が行われる。図面を参照して、従来のＸ
線マスクの構成例を説明する。図７に示された模式断面
図は、月刊セミコンダクタ　　ワールド（Ｓｅｍｉｃｏ
ｎｄｕｃｔｏｒ　Ｗｏｒｌｄ　）第６巻　　第５号（１
９８７年５月号）　　１１０−１１６頁、鈴木克己、岡
田浩一「Ｘ線リソグラフィの最新技術動向」に記載され
たＸ線マスクの例である。このＸ線マスクは、外径５０
ｍｍφ、内径が２０〜３０ｍｍ角の形状を有するシリコ
ンフレーム７１を備え、このシリコンフレーム７１上に
、プラズマＣＶＤ法で形成した１μｍの厚みを有する窒
化シリコン膜（Ｓｉ　Ｎｘ）７２を展張し、この窒化シ
リコン膜を薄膜基板として形成している。このＸ線マス
クにおいてＸ線吸収体パターン７３は、次のように形成
される。まず、多量の水素を含む窒化シリコン膜（Ｓｉ
　Ｈｙ　Ｎｚ）　を下層に用い、且つ通常の電子ビーム
レジストを上層に用いたものに対し、電子ビームリソグ
ラフィを適用して、レジストパターンを形成する。次に
、このレジストパターンに反応性イオンエッチングを適
用して、当該レジストパターンをＳｉ　Ｈｙ　Ｎｚパタ
ーンに変換する。最後に、Ｓｉ　Ｈｙ　Ｎｚパターンを
マスクとし、その開口部に金を選択的にメッキすると、
金によるＸ線吸収体パターン７３を得ることができる。 なお、シリコンフレーム７１の窒化シリコン膜（Ｓｉ３
　　Ｎ４　）７４はシリコンフレーム７１の窓開けのマ
スクとして使用され、更に、酸化シリコン層（Ｓｉ　Ｏ
２　）７５，７６は、Ｘ線マスクにおける薄膜基板とし
ての平面度を向上させるために形成されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】前述した、メッキによ
り重金属のＸ線吸収体パターン７３を形成するという従
来のＸ線マスク製作方法では、通常のフォトマスクの製
作方法に比較し、プロセスが複雑となり、また最小線幅
がサブミクロンオーダの超微細高密度パターンを形成す
るには、欠陥発生確率の低減が困難であるという問題を
有している。一方重金属を直接エッチングしてＸ線吸収
体パターンを形成することができれば、メッキを用いる
場合よりも、製作プロセスが簡単となり、欠陥低減も容
易となる。しかし、重金属を直接エッチングするにあた
って、電子ビームリソグラフィを使用すると、重金属基
板からの後方散乱電子により解像度が劣化するという問
題が生じる。電子ビームリソグラフィを用いて超微細高
密度パターンを形成する場合には、更に、近接効果によ
るパターン歪みの発生、電子ビーム照射位置の再現性や
安定性が不十分である等の問題が生じる。また、電子ビ
ームの代わりに、集束イオンビームを利用する集束イオ
ンビームリソグラフィを用いることができる。このリソ
グラフィでも、サブミクロンクラスの超微細パターンの
形成が可能である。しかしながら、集束イオンビームリ
ソグラフィをサブミクロンパターンに利用する場合には
、安定性等の面で不十分であるという問題が存在する。 更に、電子ビームリソグラフィ及び集束イオンビームリ
ソグラフィは、共に、サブミクロンパターンに用いる場
合に生産性が低過ぎるという大きな難点を有している。 生産性が低い場合には、Ｘ線マスクのコストが上昇する
。従って、マスク検査装置によって欠陥が見出されたＸ
線マスクも、欠陥修正技術により、当該欠陥を取り除く
ことが要求され、取り除く技術が必須となる。しかしな
がら、サブミクロンパターンのＸ線マスクの欠陥修正技
術は、未だ確立されておらず、工業的に利用できる技術
が実現できる見通しは、現在のところ、立っていない。 更に、従来のＸ線露光装置は、１０オングストローム前
後あるいはそれ以下の波長のＸ線を用いており、その結
果、Ｘ線マスクのＸ線吸収体パターンの厚みとして、１
μｍ程度の厚みが要求される。このことは、微細パター
ンを得る上で大きな障害になっていた。

【０００４】本発明の目的は、上記の各問題に鑑み、超
微細高密度のＸ線吸収体パターンを備えたＸ線マスクを
安定して且つ高い生産性で製作することのできるＸ線マ
スクの製作方法と、この製作方法で得られたＸ線マスク
を利用することにより、超高集積密度半導体デバイス製
造におけるリソグラフィ工程の安定性と生産性を向上し
たＸ線露光装置とを提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明に係るＸ線マスク
の製作方法は、電子ビームリソグラフィを用いて任意の
パターンを有するフォトマスクを作製し、狭帯域、例え
ば１００〜３００ｎｍの波長領域に含まれる波長を有す
る短波長光による縮小投影露光法を利用して、且つ前記
フォトマスクを用いて、例えば０．３〜０．５μｍの厚
みを有するＸ線吸収体パターンを備えたＸ線マスク（ワ
ーキングマスク）を作製することを特徴とする。

【０００６】本発明に係るＸ線露光装置は、半導体ウェ
ハーと、前記のＸ線マスクの製作方法で製作されたＸ線
マスクとを、半導体ウェハーへの転写を可能とする所定
の位置関係にて、真空又は減圧ガス雰囲気の中に配置し
、Ｘ線マスクにシンクロトロン放射光を照射することに
より半導体ウェハーに所定パターンを転写するように構
成される。

【０００７】

【作用】本発明によるＸ線マスクの製作方法では、Ｘ線
マスクを作るにあたってフォトマスク、すなわちマザー
マスクを利用する。このマザーマスクは、実際の回路パ
ターンの寸法を数倍以上に拡大した比較的に大きな寸法
のパターン、すなわち前記の任意のパターンを描いたフ
ォトマスク（いわゆるレクチル）でよいので、従来技術
の電子ビームリソグラフィ法によって比較的に容易に製
作することができる。また、波長領域１００〜３００ｎ
ｍ程度の強力な短波長光を得るために、通常、光源とし
てはエキシマレーザを使用する。この光源で得られた短
波長光をマザーマスクに照射し、その後、合成溶融石英
（限界波長１６０ｎｍ）などで作った縮小投影レンズを
通してＸ線マスクの重金属層上のレジスト表面に、前記
マザーマスクの任意のパターンすなわち回路像を結像さ
せて、レジストパターンを形成する。そして実際上は、
更に重金属層を直接にエッチングしてＸ線吸収体パター
ンを形成する。

【０００８】また、本発明によるＸ線露光装置では、上
記の如き製作方法で作られたＸ線マスクを用いて半導体
ウェハーにパターンの転写を行う。Ｘ線マスクと半導体
ウェハーは、真空の中又は減圧されたガス雰囲気の中に
おいて前記転写を可能とする所定の位置関係にて配置さ
れ、且つシンクロトロン放射光を、転写のための手段と
して利用する。シンクロトロン放射光の波長成分におい
て、１０ングストロームから２０〜５０オングストロー
ム程度間での光を利用する。

【０００９】

【実施例】以下に、本発明の実施例を図１〜図６に基づ
いて説明する。図１は電子ビームリソグラフィシステム
の構成を示す。この電子ビームリソグラフィシステムを
用いて、Ｘ線マスクを製作するためのマザーマスクを作
製する。このマザーマスクは、前述の通り、フォトマス
クである。電子ビームリソグラフィシステムに関しては
、例えばブロイ　　マレイ著「ザ　　フィジックス　　
オブマイクロファブリケーション」プレナム　　プレス
発行、第２８頁〜第３０頁（Ｉｖｏｒ　Ｂｒｏｄｉｅ　
ａｎｄ　Ｊｕｌｉｕｓ　Ｊ．Ｍｕｒａｙ“Ｔｈｅ　Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ　ｏｆ　Ｍｉｃｒｏｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ
　”　　ＰＬＥＮＵＭＰＲＥＳＳ，ＰＰ２８〜３０　　
（１９８３））に概説されている。電子ビームリソグラ
フィシステムによれば、コンピュータプログラムによっ
て電子ビームの走査を制御し、基板の上に被覆した電子
ビームレジストに回路パターンを描く。電子ビームリソ
グラフィは電子線描画装置を利用した微細パターン形成
装置であり、この装置は、多量の設計データを回路パタ
ーンに変換する作業を高速、高精度で処理できる特徴を
有している。

【００１０】図１に示す如く、電子ビームリソグラフィ
システムにおける電子線描画装置の電子光学系は、電子
顕微鏡のそれに類似している。図１において、電子源１
から出射される電子ビーム２は、電界によって加速され
、電磁集束コイル３の磁界により集束される。この電子
ビーム２は、静電偏向板４と有孔板５によるオン・オフ
制御及び電磁偏向コイル６による偏向制御を受けて、Ｘ
Ｙテーブル７の上に配置された対象物８の表面に所望の
パターン形状を描く。９は電子検出器で、当該検出器は
、対象物８の表面から反射電子放出状態等の変化を検出
して、電子ビーム２の照射位置基準を、対象物８の上の
位置合わせマークに合わせるために使用される。Ｘモー
タ１０とＹモータ１１は、ＸＹテーブル７の駆動源であ
り、テーブル位置検出器１２は、レーザ干渉計形式のテ
ーブル位置検出装置である。１３はコンピュータであり
、このコンピュータ１３は、インタフェース１４を介し
て電子ビームリソグラフィシステムの全体の動作を制御
している。かかる構成を有する電子ビームリソグラフィ
システムで、Ｘ線マスクのマザーマスク素材に所定のパ
ターンを描く。従って、前記対象物８はＸ線マスクのマ
ザーマスク素材である。このようにして図１に示される
電子ビームリソグラフィシステムを用いて、半導体集積
回路の製造において使用されるフォトマスクを製作する
場合と同様にＸ線マスクのマザーマスクを製作する。 そして、次の段階で、作製した上記マザーマスクを用い
てＸ線マスクを製作する。

【００１１】次に、図２は、上記マザーマスク上の所定
パターンを、縮小投影露光法を用いて、Ｘ線マスク素材
に転写するための投影露光システムを示す。図２におい
て、２１はマザーマスク、２２はＸ線マスク素材である
。また、２３は、波長領域１００〜３００ｎｍの範囲に
含まれる短波長の光を出射する狭帯域光源であり、２４
は投影レンズである。従来の半導体製造用光リソグラフ
ィの縮小投影露光装置では、主に、波長領域が３３０〜
４００ｎｍの輝線スペクトルを有する光源が使用されて
いた。３３０ｎｍより短い波長では、光源−投影レンズ
−光レジストの組み合わせで良いものがなかったからで
ある。しかし、エキシマレーザでは、波長が３００ｎｍ
以下でも強力な短波長光を出射できるものがあり、また
、その波長帯域幅を圧縮して狭くすることが可能である
。そこで、本発明による実施例では、前記光源２３に、
エキシマレーザの如き狭帯域光源を使用することにする
。このようにして、前記の投影露光システムにおいて、
波長帯域が充分に狭い光を用いるように光源２３を構成
すれば、投影レンズ２４が、合成溶融石英などの単一材
料からなるレンズであっても、色収差による解像力の劣
化は生じない。

【００１２】次に、上記の投影露光システムを用いてＸ
線マスクを作製する工程を、図３及び図４を参照して説
明する。図３は上記Ｘ線マスク素材２２の断面図を示す
。Ｘ線マスク素材２２は、ｍｍオーダの厚さのシリコン
ウェハー３１を備え、その上面に、μｍオーダの厚さの
窒化シリコン基板層３２と、０．５μｍ程度以下、好ま
しくは０．３〜０．５μｍの厚さのタングステン等から
なる重金属層３３を堆積させ、更にフォトレジスト３４
による被覆を行っている。この構造を有するＸ線マスク
素材２２に対して、図２で示した投影露光システムを利
用して露光を行う。露光の後に現像を行い、フォトレジ
スト３４にてレジストパターンを作製する。このように
して形成されたレジストパターンをマスクとして利用し
、更に反応性イオンエッチング法を適用して、重金属層
３３を選択的にエッチングすることにより、図４に示す
如きＸ線吸収体パターン３５が作製される。そして、そ
の後に、窒化シリコン基板層３２の所要部分３２ａのシ
リコンウェハー３１の側を選択的にバックエッチングし
、当該部分３２ａを露出させる。このようにして、図４
に示される断面形態を有するシリコンフレーム３６で支
持されるＸ線マスク３７、すなわちワーキングマスクが
作製される。

【００１３】現在、半導体集積回路技術は、その集積度
を更に高めていく傾向にあり、そのため、回路パターン
の最小線幅を微細化することが求められている。また半
導体集積回路の製造工程では、何種類ものパターンを重
ね合わせるので、各パターン相互間の位置精度を高精度
にする必要がある。半導体集積回路技術におけるリソグ
ラフィ工程用のＸ線露光装置では、最小線幅がサブミク
ロンレベルに対応することが期待され、従って、Ｘ線マ
スクのパターン位置精度に対する要求は非常に高いもの
である。本発明による前記実施例では、マザーマスク２
１に関し、Ｘ線マスク３７の数倍のパターン寸法である
ので、一般的に線幅はミクロンレベル以上となる。従っ
て、電子ビームリソグラフィを用いることにより、充分
なパターン位置精度を有するマザーマスク２１を得るこ
とができる。また、図２に示した投影露光システムは、
マザーマスク２１のパターンを縮小してＸ線マスク３７
のパターンに転写するものであるので、露光波長（λ）
とその帯域幅を充分に小さくし、且つ投影レンズ２４に
レンズ開口数（ＮＡ）が充分に大きいものを用いれば、
所要の解像力を得ることができる。加えて、生産性の面
でも有利である。なお、レンズの解像力とフォーカス深
度について数学的に定義を与えると、

【００１４】

【数１】解像力＝Ｋ１　・λ／ＮＡ

【００１５】

【数２】フォーカス深度＝Ｋ２　・λ／（ＮＡ）２　（
レンズフィールド中心として） となる。ここで、Ｋ１　，Ｋ２　は、経験的に決められ
る比例係数である。

【００１６】本実施例の場合、Ｘ線マスクの露光は１回
だけで済むので、重ね合わせ精度を考える必要がない点
、エキシマレーザを利用したリソグラフィにとって極め
て好都合である。また、Ｘ線マスクのレジスト表面の平
面度を充分に良くすることができ、例えば０．３μｍ以
下にすることもできるので、フォーカス深度を小さくし
て、その分、解像力を向上させることができる。Ｘ線マ
スク素材２２への転写において、光を用いるようにした
ため、重金属基板からの後方散乱による解像度劣化（電
子ビームを用いた場合）という問題も生じない。

【００１７】また、特定の半導体デバイス用に重ね合わ
される複数種類のパターンを形成するための複数のマス
クについては、同一の投影露光システムで、且つ同一の
レンズを用いて同じ位置関係にて転写させれば、レンズ
の癖等によるばらつきの発生もなく、重ね合わせる各マ
スクパターン間の相互の位置精度も高い精度とすること
が可能である。多数のプロセスを通過するＩＣウェハー
とは異なり、Ｘ線マスク素材は、前記の如く、表面平坦
度が充分に良好なものを用意することができ、それゆえ
に、前述の投影露光システムは、フォーカス深度を犠牲
にして解像力を高めた構成にすることができる。

【００１８】マスク製作用リソグラフィ工程で使用され
るレジスト層は、比較的に薄いもので済む。このため、
マスク製作用リソグラフィ工程では、エキシマレーザ光
の吸収率が大きく、表面層の奥に当該レーザ光が届きに
くい種類のレジストであっても、使用できる可能性が高
く、それゆえに、高解像度のレジストを得やすい。

【００１９】また、多層レジスト技術を駆使することに
より、実効的な解像力を高めるようにすることもできる
。加えて、Ｘ線マスクの製作においては、２種類以上の
パターンを重ね合わせて転写することがないので、アラ
イメント（重ね合わせ）工程が不要となる利点も有して
いる。換言すれば、ウェハーへの転写においては考慮し
なければならないフォーカス深度やアライメント方式が
、Ｘ線マスクの製作の場合には、大きな障害とならない
ので、ウェハーへ適用する場合に比較して、より良い解
像力で縮小転写することができる。なおＸ線露光装置を
用いて、Ｘ線マスクのパターンをウェハーに転写する場
合には、フォーカス深度は充分大きく、あまり問題とな
らない。更に、Ｘ線露光は、マスクとウェハーを近接し
て転写する方式であるので、アライメント精度は出しや
すい方式である。

【００２０】次に、図５に基づいて、前記Ｘ線マスク３
７を用いたＸ線露光装置について説明する。このＸ線露
光装置では、シンクロトロン放射光を用いてＸ線マスク
３７のパターンをウェハーのレジスト上に転写する。図
５において、４１は電子蓄積リングの一部を示し、４２
は電子蓄積リング４１に配設された、電子の進路を曲げ
るための偏向電磁石である。偏向電磁石４２では、磁極
間でシンクロトロン放射光が発生する。一方、４３はマ
スク保持移動機構、４４はウェハー保持移動機構であり
、これらは、Ｘ線マスクとウェハーとの相対的位置を決
定する。マスク保持移動機構４３とウェハー保持移動機
構４４は、所定の位置関係に設定され、共に、真空チャ
ンバ４５内の真空雰囲気中に収容される。真空チャンバ
４５と、前記偏向電磁石４２との間はビームライン４６
で接続され、このビームライン４６には振動ミラー４７
と薄膜４８が配設される。なお、真空雰囲気の代わりに
、減圧されたガス雰囲気であってもよい。

【００２１】上記の構成において、偏向電磁石４２の磁
極間で発生するシンクロトロン放射光の一部は、ビーム
ライン４６により真空チャンバ４５の方向に案内される
。シンクロトロン放射光は、ビームライン４６に設けた
振動ミラー４７で長波長成分を反射されながら光走査さ
れ、マスク保持移動機構４３内のＸ線マスクの所要域に
入射される。真空チャンバ４５内に、マスク保持移動機
構４３とウェハー保持移動機構４４を配置することによ
り、振動ミラー４７で反射されて到来するシンクロトロ
ン放射光の長波長成分の減衰を、最小限にとどめること
ができる。また不必要な長波長成分については、適当な
材質で作った薄膜４８で吸収させることもできる。かか
る構成により、例えば、１０〜３０オングストロームの
波長領域のシンクロトロン放射光をＸ線マスクに照射す
る。

【００２２】図６は、Ｘ線マスクの平面構造の一例を詳
細に示す図である。図６のＸ線マスクは、前述した図４
のＸ線マスクと、構造的に少し異なっている。すなわち
、図６に示したＸ線マスクは、補強枠を備えている。 図６において、図２で説明した要素と実質的に同一のも
のには、同一の符号を付している。図６において、Ｘ線
マスク５１では、シリコンフレーム３６の中央部に、シ
リコンカーバイドからなる薄膜基板３２が張られている
。薄膜基板３２は、図４で説明した窒化シリコン基板層
と同様に、Ｘ線吸収体パターンを支持するための膜であ
る。この実施例による薄膜基板３２は、具体的に、厚さ
０．３μｍのタングステン層からなるＸ線吸収体の微細
パターンを支持すると共に、メッキ技術により、数μｍ
の厚みで且つ数μｍ幅の金を付着させた格子状補強枠５
２が形成されている。この補強枠５２は、Ｘ線マスク５
１の強度を高め、洗浄により異物ごみ等を除去する処理
を容易化し、更に、シンクロトロン放射光受光時に発生
する熱をシリコンフレーム３６に逃がし易くし、薄板基
板３２の温度上昇を抑える働きを有している。かかる補
強枠５２を設けるようにしたため、Ｘ線マスク５１を真
空雰囲気中で用いる場合でも、発熱に起因するマスクの
歪みの発生を、比較的に小さくすることができる。実際
の転写工程では、Ｘ線マスクの背後にウェハーを位置せ
しめるまでに所定の時間がかかる。そこで、その時間を
利用して転写前に赤外線をＸ線マスク５１に照射して一
種の温度平衡状態にしておくとか、あるいは、転写のた
めのシンクロトロン放射光による照射を一定時間で終わ
らせるように電子蓄積リング４１を制御してＸ線マスク
への入射光パワーを一定にする等の手段を講じておくと
、照射ごとのマスク熱歪みのばらつきに起因する転写重
ね合わせ精度への悪影響を、更に小さくすることができ
る。

【００２３】図６に示される如き格子形状をした補強枠
５２で隔てられた各パターン５３を半導体ウェハーの上
で接続するには、所定工程で用いる補強枠なしのＸ線マ
スクで、前記補強枠対応部分に相互接続回路用のパター
ンを設けておけばよい。この工程において、マスク歪み
が比較的に大きくなることが予想される場合には、上記
の相互接続回路パターンの微細度を適度に緩和、調節し
て、重ね合わせ精度の劣化に対処することもできる。な
お、格子状補強枠５２の部分は、重ね合わせ用アライメ
ントマークや、回路チェック用テストポイントとしても
利用しやすいという副次的な利点を有している。

【００２４】なお、Ｘ線マスクや半導体ウェハー等を真
空雰囲気中でなく、ヘリウム等の減圧ガス雰囲気中に置
けば、Ｘ線マスクが雰囲気中ガスで冷却され、熱による
マスク歪みをより小さくすることできることは、勿論で
ある。

【００２５】また、Ｘ線マスク５１における格子状補強
枠部分のウェハー対向側の部分を、凸形状に仕上げれば
、Ｘ線マスクとウェハーとを密着、あるいはそれに近い
状態にしても、パターンの部分はウェハーに対し非接触
状態に保ちやすい。そのためＸ線マスクとウェハーとの
間隔を小さくすることができ、比較的に長波長のＸ線を
用いても、フレネル回折によるぼけ発生を防止すること
ができる。

【００２６】

【発明の効果】本発明によれば、半導体デバイス製造プ
ロセスにおけるＸ線露光装置として、超微細パターンを
有するＸ線マスクを安定して且つ効率よく製作すること
ができる。本発明の製作方法で得られるＸ線マスクは、
安価に作ることができ、欠陥発生率も低く、そのため、
欠陥修正工程を必要とせず、万が一、欠陥修正が必要に
なったとしても、わずかな修正で済ませることができる
。このような効果により更に、超高集積密度半導体デバ
イス製造におけるリソグラフィ工程の安定化と生産性向
上に、大きく寄与することができる。特に本発明にかか
るＸ線マスクを利用したＸ線露光装置に基づくリソグラ
フィ技術で半導体デバイスを生産すれば、電子ビームリ
ソグラフィの技術、短波長光による縮小投影露光法の技
術、シンクロトロン放射光によるＸ線リソグラフィの技
術のそれぞれの長所が発揮されることになり、最小線幅
が０．２〜０．３μｍ程度以下の超高集積密度の半導体
デバイスの生産において、大きな効果を発揮する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る電子ビームリソグラフィシステム
の概要斜視図である。

【図２】本発明に係る投影露光システムの概要図である
。

【図３】本発明に係るＸ線マスクを作成するための工程
を説明するための模式縦断面図である。

【図４】本発明に係る製作方法で作製されたＸ線マスク
の模式縦断面図である。

【図５】本発明に係るＸ線露光装置の要部構成図である
。

【図６】本発明に係るＸ線マスクの平面略図である。

【図７】従来のＸ線マスクの製作方法を説明するための
模式縦断面図である。

【符号の説明】

１　　　　　　　　　　電子源 ２　　　　　　　　　　電子ビーム ７　　　　　　　　　　ＸＹテーブル ８　　　　　　　　　　対象物 ２１　　　　　　　　　　マザーマスク（フォトマスク
）２２　　　　　　　　　　Ｘ線マスク素材２３　　　
　　　　　　　光源 ２４　　　　　　　　　　投影レンズ ３１　　　　　　　　　　シリコンウェハー３２　　　
　　　　　　　窒化シリコン基板３３　　　　　　　　
　　重金属層 ３４　　　　　　　　　　フォトレジスト３５　　　　
　　　　　　Ｘ線吸収体パターン３６　　　　　　　　
　　シリコンフレーム３７　　　　　　　　　　Ｘ線マ
スク ４１　　　　　　　　　　電子蓄積マスク４２　　　　
　　　　　　偏向電磁石

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　電子ビームリソグラフィを用いて任意
   のパターンを有するフォトマスクを作製し、次に前記フ
   ォトマスクを用いて、且つ１００〜３００ｎｍの波長領
   域の短波長光による縮小投影露光法を用いて、０．３〜
   ０．５μｍの厚みを有するＸ線吸収体パターンを備えた
   Ｘ線マスクを作製することを特徴とするＸ線マスクの製
   作方法。
2. 【請求項２】　　半導体ウェハーと、請求項１に記載さ
   れた方法で製作されたＸ線マスクとを、所定の位置関係
   にて、真空又は減圧ガス雰囲気の中に配置し、前記Ｘ線
   マスクにシンクロトロン放射光を照射することにより前
   記半導体ウェハーに所定パターンを転写することを特徴
   とするＸ線露光装置。