KR101546248B1 - 공진기, 필터 및 분파기 - Google Patents

공진기, 필터 및 분파기 Download PDF

Info

Publication number
KR101546248B1
KR101546248B1 KR1020140067366A KR20140067366A KR101546248B1 KR 101546248 B1 KR101546248 B1 KR 101546248B1 KR 1020140067366 A KR1020140067366 A KR 1020140067366A KR 20140067366 A KR20140067366 A KR 20140067366A KR 101546248 B1 KR101546248 B1 KR 101546248B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode fingers
filter
gaps
electrode
region
Prior art date
Application number
KR1020140067366A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140144139A (ko
Inventor
쇼고 이노우에
겐타로 나카무라
히데타로 나카자와
준 즈츠미
Original Assignee
다이요 유덴 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다이요 유덴 가부시키가이샤 filed Critical 다이요 유덴 가부시키가이샤
Publication of KR20140144139A publication Critical patent/KR20140144139A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101546248B1 publication Critical patent/KR101546248B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14517—Means for weighting
    • H03H9/1452—Means for weighting by finger overlap length, apodisation
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6436—Coupled resonator filters having one acoustic track only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6483—Ladder SAW filters

Abstract

<과제> Q값을 향상시키는 것.
<해결 수단> 제1 버스 바(12)와, 연신 방향으로 연신되고 제1 버스 바에 접속된 복수의 제1 전극 핑거(14)와, 제1 버스 바에 접속된 복수의 제1 더미 전극 핑거(16)를 가진 제1 빗살형 전극(10)과, 제2 버스 바(22)와, 연신 방향으로 연신되고 제2 버스 바에 접속되어 복수의 제1 더미 전극 핑거에 각각 제1 갭(18)을 개재하여 연신 방향으로 대향하는 복수의 제2 전극 핑거(24)와, 제2 버스 바에 접속되어 복수의 제2 전극 핑거에 각각 제2 갭(28)을 개재하여 연신 방향으로 대향하는 제2 더미 전극 핑거(26)를 가진 제2 빗살형 전극(20)을 구비하고, 인접하는 적어도 2개 상기 제1 갭과, 인접하는 적어도 2개의 제2 갭과의 적어도 일방인 적어도 2개의 갭의 연신 방향의 거리는 거리를 ΔD, 제1 전극 핑거 및 상기 제2 전극 핑거의 주기를 λ로 할 때, 0.5λ≤ΔD인 공진기.

Description

공진기, 필터 및 분파기{Resonator, Filter, and Duplexer}
본 발명은 공진기, 필터 및 분파기에 관한 것으로서, 예를 들면 빗살형(comb-shaped) 전극을 갖는 공진기, 필터 및 분파기에 관한 것이다.
휴대 전화 등에 이용되는 필터나 분파기는 낮은 삽입 손실로 높은 억압 특성을 가지는 것이 바람직하다. 낮은 삽입 손실이 요구되는 이유는 다음과 같다. 송신용 필터의 경우, 낮은 삽입 손실일수록 휴대 전화의 소비전력이 작게 억제되어, 배터리의 지속 시간을 길게 할 수가 있기 때문이다. 또, 수신용 필터의 경우, 낮은 삽입 손실일수록 수신 신호의 S/N(신호/잡음)비가 향상되어, 휴대 전화의 수신 감도 및 통신 품질을 향상시킬 수 있기 때문이다. 따라서 필터의 삽입 손실은 작을수록 좋다. 휴대 전화에 사용되는 필터로서는 탄성파 공진기를 이용한 사다리(ladder)형 필터나 더블 모드(double-mode)형 필터가 이용된다.
탄성파 공진기로서는 IDT(Interdigital Transducer)를 가진 탄성 표면파 공진기, 탄성 경계파 공진기 또는 러브파(Love wave) 공진기가 이용된다. IDT는 압전 기판 상에 2개의 대향하는 빗살형 전극을 구비한다. 특허문헌 1 및 2에는 IDT 내의 전극 핑거(electrode finger)와 더미 전극 핑거(dummy electrode finger) 사이의 갭(gap) 위치를 변조하는 것이 기재되어 있다. 비특허문헌 1에는 탄성 표면파 공진기에 있어서의 레일리파 산란(Rayleigh wave scattering)에 대해 기재되어 있다.
[특허문헌 1]
일본 특허공표 제2004-537235호 공보
[특허문헌 2]
일본 특허공개 제2013-12883호 공보
[비특허문헌 1]
IEEE Trans. Ultrason. Ferroelect., Freq. Contr., Vol. 48, no. 6, pp. 1517-1526, 2001.
IDT를 가지는 공진기를 이용한 필터에 있어서는, 통과 대역 내의 손실과 통과 대역 외의 억압도가 트레이드 오프(trade-off)의 관계에 있다. 즉, 통과 대역 내의 손실을 작게 설계하면, 통과 대역 외의 억압이 나빠져 버린다. 이와 같이, 통과 대역 외의 억압도를 악화시키지 않으면서 통과 대역 내의 손실을 낮추는 것은 어렵다. 필터 내 공진기의 Q값을 향상시킴으로써, 필터의 통과 대역 내의 손실을 억제할 수가 있다.
본 발명은 상기한 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, Q값을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 제1 버스 바(bus bar)와, 상기 제1 버스 바에 접속되고 연신(延伸) 방향으로 연신되는 복수의 제1 전극 핑거와, 상기 제1 버스 바에 접속된 복수의 제1 더미 전극 핑거를 가지며, 압전 기판 상에 형성된 제1 빗살형 전극과, 제2 버스 바와, 상기 제2 버스 바에 접속되고 상기 연신 방향으로 연신되고 상기 복수의 제1 더미 전극 핑거에 각각 제1 갭을 개재하여 대향하는 복수의 제2 전극 핑거와, 상기 제2 버스 바에 접속되고 상기 복수의 제1 전극 핑거에 각각 제2 갭을 개재하여 대향하는 복수의 제2 더미 전극 핑거를 가지며, 상기 압전 기판 상에 형성된 제2 빗살형 전극을 구비하고, 인접하는 적어도 2개의 상기 제1 갭과, 인접하는 적어도 2개의 상기 제2 갭과의 적어도 일방인 적어도 2개의 갭의 상기 연신 방향의 거리는, 상기 거리를 ΔD, 상기 제1 전극 핑거 및 상기 제2 전극 핑거의 주기를 λ로 할 때, 0.5λ≤ΔD인 것을 특징으로 하는 공진기이다.
상기 구성에 있어서, 상기 적어도 2개의 갭의 사이의 상기 연신 방향의 제1 영역에 있어서의, 대응하는 상기 복수의 제1 전극 핑거와 상기 복수의 제2 전극 핑거의 적어도 일방의 전극 핑거, 및 대응하는 상기 복수의 제1 더미 전극 핑거와 상기 복수의 제2 더미 전극 핑거의 적어도 일방의 더미 전극의 듀티비(duty ratio)는, 상기 복수의 제1 전극 핑거와 상기 복수의 제2 전극 핑거가 겹쳐지는 상기 연신 방향의 제2 영역에 있어서의 복수의 제1 전극 핑거 및 상기 복수의 제2 전극 핑거의 듀티비와 다른 구성으로 할 수가 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 적어도 일방의 전극 핑거 및 상기 적어도 일방의 더미 전극 핑거의 듀티비는 상기 제2 영역에 있어서의 상기 복수의 제1 전극 핑거 및 상기 복수의 제2 전극 핑거의 듀티비보다 큰 구성으로 할 수가 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 적어도 2개의 갭에 대응하는 상기 연신 방향의 제3 영역에 있어서의 상기 적어도 일방의 전극 핑거 및 상기 적어도 일방의 더미 전극 핑거의 듀티비는, 상기 제2 영역에 있어서의 상기 복수의 제1 전극 핑거 및 상기 복수의 제2 전극 핑거의 듀티비와 다른 구성으로 할 수가 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 적어도 2개의 갭 내에 설치된 절연막을 구비하는 구성으로 할 수가 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 적어도 2개의 갭은 인접하는 적어도 2개의 상기 제1 갭과, 인접하는 적어도 2개의 상기 제2 갭과의 양쪽인 구성으로 할 수가 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 제1 갭 및 상기 제2 갭의 적어도 일방은 번갈아서 거리 ΔD 변조되어 있는 구성으로 할 수가 있다.
상기 구성에 있어서, ΔD≤3.5λ인 구성으로 할 수가 있다.
상기 구성에 있어서, 1.5λ≤ΔD≤3.0λ인 구성으로 할 수가 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 압전 기판은 탄탈산리튬(lithium tantalate) 기판 또는 니오브산리튬(lithium niobate) 기판인 구성으로 할 수가 있다.
본 발명은 상기 공진기를 포함하는 것을 특징으로 하는 필터이다.
본 발명은 공통 단자와 제1 단자의 사이에 접속된 제1 필터와, 상기 공통 단자와 제2 단자의 사이에 접속된 제2 필터를 구비하고, 상기 제1 필터 및 상기 제2 필터의 적어도 일방은 상기 필터인 것을 특징으로 하는 분파기이다.
본 발명에 의하면 Q값을 향상시킬 수가 있다.
도 1은 사다리형 필터의 예를 나타내는 회로도이다.
도 2는 다중 모드 필터의 예를 나타내는 회로도이다.
도 3은 사다리형 필터와 다중 모드 필터가 조합된 필터의 예를 나타내는 회로도이다.
도 4는 다중 모드 필터와 공진기를 조합한 필터의 예를 나타내는 회로도이다.
도 5(a)는 탄성 표면파 공진기를 나타내는 평면도이고, 도 5(b)는 도 5(a)의 A-A 단면도이다.
도 6(a)는 러브파 공진기의 단면도이고, 도 6(b)은 탄성 경계파 공진기의 단면도이다.
도 7은 다중 모드 필터를 나타내는 도이다.
도 8은 비교예 1에 관련된 공진기의 평면도이다.
도 9는 실시예 1에 관련된 공진기의 평면도이다.
도 10(a) 및 도 10(b)는 비교예 1 및 실시예 1에 있어서의 주파수에 대한 Q값을 나타내는 도이다.
도 11은 실시예 1에 있어서의 ΔD에 대한 Q값을 나타내는 도이다.
도 12는 비교예 1의 갭에 있어서의 탄성파 산란을 나타내는 도이다.
도 13은 실시예 1의 갭에 있어서의 탄성파 산란을 나타내는 도이다.
도 14(a)는 실시예 1에 있어서의 갭 주변의 확대도이고, 도 14(b)는 실시예 2에 있어서의 갭 주변의 확대도이고, 도 14(c)는 비교예 1, 실시예 1 및 2에 있어서의 주파수에 대한 Q값을 나타내는 도이다.
도 15(a)는 실시예 3에 있어서의 갭 주변의 확대도이고, 도 15(b)는 비교예 1, 실시예 1 및 3에 있어서의 주파수에 대한 Q값을 나타내는 도이다.
도 16(a)는 실시예 4에 있어서의 갭 주변의 확대도이고, 도 16(b)는 비교예 1, 실시예 3 및 4에 있어서의 주파수에 대한 Q값을 나타내는 도이다.
도 17(a) 및 도 17(b)는 실시예 4의 변형예에 관련된 공진기를 나타내는 평면도이다.
도 18(a)은 실시예 5에 관련된 필터의 회로도이고, 도 18(b)는 실시예 5에 관련된 필터의 평면도이다.
도 19(a)는 비교예 2 및 실시예 5에 있어서의 통과 특성이고, 도 19(b)는 통과 대역 부근의 통과 특성의 확대도이다.
도 20은 실시예 6에 관련된 분파기의 회로도이다.
먼저, 이하에 설명하는 실시예에 관련된 공진기가 이용되는 필터의 예에 대해서 설명한다. 도 1은 사다리형 필터의 예를 나타내는 회로도이다. 도 1을 참조하여, 사다리형 필터(32)는 하나 또는 복수의 직렬 공진기 S1~S3과 하나 또는 복수의 병렬 공진기 P1~P2를 구비하고 있다. 직렬 공진기 S1~S3은 입력 단자 Tin과 출력 단자 Tout의 사이에 직렬로 접속되어 있다. 병렬 공진기 P1~P2는 입력 단자 Tin와 출력 단자 Tout의 사이에 병렬로 접속되어 있다.
도 2는 다중 모드 필터의 예를 나타내는 회로도이다. 도 2를 참조해 보면, 다중 모드 필터(34)는 공진기 R1~R3을 구비하고 있다. 공진기 R1~R3은 탄성파의 전파 방향으로 배열되어 있다. 공진기 R2의 일단은 입력 단자 Tin에 접속되어 있고, 타단은 접지에 접속되어 있다. 공진기 R1 및 R3의 각각 일단이 출력 단자 Tout에 접속되어 있고, 각각 타단이 접지에 접속되어 있다.
도 3은 사다리형 필터와 다중 모드 필터가 조합된 필터의 예를 나타내는 회로도이다. 도 3을 참조해 보면, 입력 단자 Tin과 출력 단자 Tout의 사이에 사다리형 필터(32)와 다중 모드 필터(34)가 접속되어 있다. 사다리형 필터(32)는 직렬 공진기 S1~S2와 병렬 공진기 P1~P2를 구비하고 있다. 다중 모드 필터(34)는 공진기 R1~R3을 구비하고 있다.
도 4는 다중 모드 필터와 공진기를 조합한 필터의 예를 나타내는 회로도이다. 도 4를 참조해 보면, 입력 단자 Tin과 출력 단자 Tout의 사이에 직렬 공진기 S1과 다중 모드 필터(34)가 직렬로 접속되고, 병렬 공진기 P1이 병렬로 접속되어 있다.
다음으로, 필터에 이용되는 공진기의 예에 대해서 설명한다. 도 5(a)는 탄성 표면파 공진기를 나타내는 평면도이고, 도 5(b)는 도 5(a)의 A-A의 단면도이다. 도 5(a) 및 도 5(b)를 참조해 보면, 탄탈산리튬(LiTaO3) 또는 니오브산리튬(LiNbO3) 등의 압전 기판(50) 상에 알루미늄 또는 구리 등의 금속막(52)이 형성되어 있다. 금속막(52)에 의해, 반사기 R0, IDT(Interdigital Transducer) IDT0, 입력 단자 Tin 및 출력 단자 Tout이 형성되어 있다. IDT0은 2개의 빗살형 전극(54)을 구비하고 있다. 2개의 빗살형 전극(54)에는 각각 입력 단자 Tin 및 출력 단자 Tout이 접속되어 있다. 입력 단자 Tin 및 출력 단자 Tout은 예를 들면 패드(pad)이다. 탄성파의 전파 방향에 있어서의 IDT0의 양측에 반사기 R0가 배치되어 있다. 빗살형 전극(54) 및 반사기 R0는 탄성파의 파장 λ에 대응하는 간격으로 배치된 전극 핑거를 구비하고 있다. IDT0에 의해 여진된 탄성파는 반사기 R0에 의해 반사된다. 이에 의해 탄성 표면파 공진기는 탄성파의 파장에 대응하는 주파수에 있어서 공진한다.
도 6(a)는 러브파 공진기의 단면도이고, 도 6(b)는 탄성 경계파 공진기의 단면도이다. 러브파 공진기 및 탄성 경계파 공진기의 평면도는 도 5(a)와 동일하여 설명을 생략한다. 도 6(a)를 참조해 보면, 러브파 공진기에 있어서는 금속막(52)을 덮도록 유전체막(56)이 형성되어 있다. 유전체막(56)으로서는 예를 들면 산화 실리콘막을 이용할 수가 있다. 도 6(b)을 참조해 보면, 탄성 경계파 공진기에 있어서는 금속막(52)을 덮도록 유전체막(56)이 형성되어 있다. 또한, 유전체막(56) 상에 유전체막(58)이 형성되어 있다. 유전체막(58)은 예를 들면 산화 알루미늄막이다. 탄성파를 유전체막(56) 내에 가두어 넣기 위해 유전체막(58)의 음속(acoustic velocity)은 유전체막(56)보다 빠른 것이 바람직하다.
다음으로, 다중 모드 필터의 예를 설명한다. 도 7은 다중 모드 필터를 나타내는 도이고, 탄성 표면파, 러브파 및 탄성 경계파를 이용한 다중 모드 필터의 평면도이다. 도 7을 참조해 보면, 반사기 R0 사이에 복수의 IDT1~3이 탄성파의 전파 방향으로 배열되어 있다. IDT2의 일방의 빗살형 전극이 입력 단자 Tin에 접속되고, 다른 쪽의 빗살형 전극이 접지에 접속되어 있다. IDT1 및 IDT3의 각각의 일방의 빗살형 전극이 출력 단자 Tout에 접속되고, 각각의 다른 쪽의 빗살형 전극이 접지에 접속되어 있다. 도 7의 예에서는 출력이 불평형 출력이나, 평형 출력으로 할 수도 있다.
<실시예 1>
도 8은 비교예 1에 관련된 공진기의 평면도이다. 탄성파의 전파 방향을 X 방향으로 하고, 전극 핑거의 연신 방향을 Y 방향으로 하고 있다. 도 8을 참조해 보면, 비교예 1에 관련된 공진기(110)는 압전 기판(50), 반사기 R0 및 IDT0을 구비하고 있다. 탄탈산리튬 또는 니오브산리튬 등의 압전 기판(50) 상에 알루미늄 또는 구리 등의 금속막(52)이 형성되어 있다. 금속막(52)에 의해, 반사기 R0, IDT0이 형성되어 있다. IDT0은 제1 빗살형 전극(10) 및 제2 빗살형 전극(20)을 구비하고 있다. 제1 빗살형 전극(10)은 제1 버스 바(12), 복수의 제1 전극 핑거(14) 및 복수의 제1 더미 전극 핑거(16)를 가지고 있다. 제1 전극 핑거(14)는 Y 방향으로 연신되고, +Y 방향에서 제1 버스 바(12)와 접속한다. 제1 더미 전극 핑거(16)는 Y 방향으로 연신되고, +Y 방향에서 제1 버스 바(12)와 접속한다. 제1 전극 핑거(14)와 제1 더미 전극 핑거(16)는 번갈아서 제1 버스 바(12)와 접속한다. 제1 전극 핑거(14)와 제1 더미 전극 핑거(16)는 번갈아서 설치되지 않아도 좋다.
제2 빗살형 전극(20)은 제2 버스 바(22), 복수의 제2 전극 핑거(24) 및 복수의 제2 더미 전극 핑거(26)를 가지고 있다. 제2 전극 핑거(24)는 Y 방향으로 연신되고, -Y 방향에서 제2 버스 바(22)와 접속한다. 제2 더미 전극 핑거(26)는 Y 방향으로 연신되고, -Y 방향에서 제2 버스 바(22)와 접속한다. 제1 전극 핑거(14)는 제2 더미 전극 핑거(26)에 제2 갭(28)을 개재하여 Y 방향으로 대향한다. 제2 전극 핑거(24)는 제1 더미 전극 핑거(16)에 제1 갭(18)을 개재하여 Y 방향으로 대향한다. 복수의 제1 갭(18)의 Y 방향의 위치는 동일하다. 복수의 제2 갭(28)의 Y 방향의 위치는 동일하다. 제1 전극 핑거(14)와 제2 전극 핑거(24)가 겹치는 Y 방향의 길이가 교차폭 AP이다. 전극 핑거 주기 λ에 대한 전극 핑거 폭의 비(比)가 듀티비이다.
도 9는 실시예 1에 관련된 공진기의 평면도이다. 도 9를 참조해 보면, 실시예 1에 관련된 공진기(100)에 있어서는 제2 전극 핑거(24a 및 24b)의 길이가 1쌍마다 다르다. 이에 따라, 제1 더미 전극 핑거(16a 및 16b)의 길이가 1쌍마다 다르고, 제1 갭(18a 및 18b)의 Y 방향의 위치가 1쌍마다 다르다. 제1 갭(18a 및 18b)의 Y 좌표는, Y 좌표 Y1에 대해 각각 +ΔD/2 및 -ΔD/2 다르다. 제1 갭(18a 및 18b)과 Y 방향의 거리가 변조폭 ΔD이다. 제1 전극 핑거(14a 및 14b)의 길이가 1쌍마다 다르고, 제2 더미 전극 핑거(26a 및 26b)의 길이가 1쌍마다 다르고, 제2 갭(28a 및 28b)의 Y 방향의 위치가 1쌍마다 다르다. 제2 갭(28a 및 28b)의 Y 좌표는 Y 좌표 Y2에 대해 각각 +ΔD/2 및 -ΔD/2 다르다. 제2 갭(28a 및 28b)의 Y 방향의 거리가 변조폭 ΔD이다. Y 좌표 Y1과 Y2의 Y 방향의 거리가 교차폭 AP이다. 실시예 1의 교차폭 AP와 비교예 1의 교차폭 AP를 동일하게 함으로써, 실시예 1과 비교예 1의 정전 용량은 거의 동일하게 된다.
비교예 1 및 실시예 1에 관련된 탄성 표면파 공진기를 제작했다. 제작한 공진기의 구조는 이하이다.
압전 기판(50) : 42°Y-cut 탄탈산리튬 기판
금속막(52) : 알루미늄, 막두께 193㎚
IDT 전극 핑거 주기 λ : 2.0㎛
IDT 전극 핑거 쌍의 수 : 116쌍
IDT 듀티비 : 50%
반사기 전극 핑거 주기 : 1.0㎛
반사기 전극 핑거 개수 : 40개
반사기 듀티비 : 50%
교차폭 AP : 20λ(40㎛)
더미 전극 핑거 길이 : 2λ(4㎛)
ΔD를 0으로부터 3.5λ까지 변화시켰다.
도 10(a) 및 도 10(b)는 비교예 1 및 실시예 1에 있어서의 주파수에 대한 Q값을 나타내는 도이다. 도 10(a)를 참조해 보면, ΔD=0.0λ가 비교예 1, ΔD=0.8λ, 1.9λ 및 2.8λ가 실시예 1이다. 실시예 1에 있어서 공진점과 반공진점의 사이의 Q값이 비교예 1보다 향상된다. ΔD=2.8λ의 공진기는 Q값이 최대인 주파수에 있어서 다른 공진기보다 Q값이 높아진다. ΔD=1.9λ의 공진기는 1950MHz에 있어서 다른 공진기보다 Q값이 높아진다. 도 10(b)를 참조해 보면, ΔD=1.9λ의 공진기는 공진점의 약간 고주파수 측의 영역(70)에 있어서 Q값이 저하되고 있다. 영역(70) 이외의 공진점과 반공진점 사이의 주파수에 있어서, ΔD=1.9λ의 공진기는 비교예 1에 비해 Q값이 높다.
도 11은 실시예 1에 있어서의 ΔD에 대한 Q값을 나타내는 도이다. 도 11을 참조해 보면, 검은 삼각형 및 파선은 주파수에 대한 최대 Q값을 나타낸다. 검은 삼각형은 측정점이고, 파선은 근사선이다. 검은 원은 주파수가 1950MHz에 있어서의 Q값의 측정점, 실선은 근사선이다. 1950MHz는 최대의 Q값으로 되는 주파수와 공진점의 중간 부근이다. 이것은 사다리형 필터의 직렬 공진기를 상정한 경우의 통과 대역의 중심 부근에 상당한다. 최대 Q값은 ΔD가 2.8λ에 있어서 최대로 된다. 1950MHz의 Q값은 ΔD가 1.9λ에 있어서 최대로 된다. 비교예 1(ΔD=0.0λ)에 대해, ΔD가 0.5λ 이상에 있어서 Q값이 높아진다. ΔD가 1.0λ 이상, 1.5λ 이상에 있어서 Q값은 더 높아진다. 최대 Q값은 ΔD가 3.5λ 이하에 있어서 비교예 1보다 높아진다. ΔD가 3.0λ 이하에 있어서 Q값은 더욱 높아진다.
도 12는 비교예 1의 갭에 있어서의 탄성파 산란을 나타내는 도이다. 도 12를 참조해 보면, 비교예 1에 관련된 공진기(110)에 있어서의 Y 방향의 탄성파 진폭을 좌측에 나타내고 있다. 교차폭 AP 내에서는 탄성파 진폭이 크고, 탄성파가 X 방향으로 전파되고 있다. 교차폭 AP의 외측(갭 및 더미 전극의 영역)에도 탄성파가 일부 존재한다. 이 때문에, X 방향으로 전파되는 탄성파가 갭(18)에 있어서 레일리파 산란하고 레일리파(72)로서 방사된다. 레일리파(72)가 전파되면, 공진기의 손실로 되고 Q값이 저하된다. 갭에 있어서의 레일리파 산란에 대해서는 비특허문헌 1에 기재되어 있다.
하나의 제1 갭(18)에 있어서, 레일리파(72)는 360°방향으로 산란된다. 동일한 Y 좌표를 가진 제1 갭(18)이 X 방향으로 배열되어 있는 경우, 복수의 제1 갭(18)에 있어서 산란한 레일리파(72)가 겹쳐진다. 이에 의해, 레일리파(72)의 진폭이 커지게 되는 방향과 작아지게 되는 방향이 생긴다. 일례로서, 제1 갭(18)에 있어서 교차폭 AP 밖으로 산란하는 레일리파(72)의 진폭이 커지는 방향은 +Y 방향과, +X 방향으로부터 +Y 방향으로 40°와, -X 방향으로부터 +Y 방향으로 40°의 3개이다. 제2 갭(28)에 있어서 교차폭 AP 밖으로 산란하는 레일리파(72)의 진폭이 커지는 방향은 -Y 방향과, +X 방향으로부터 -Y 방향으로 40°와, -X 방향으로부터 -Y 방향으로 40°의 3개이다. 이와 같이, 레일리파(72)는 ±Y 방향 이외에 경사 방향(oblique direction)으로 전파된다.
도 13은 실시예 1의 갭에 있어서의 탄성파 산란을 나타내는 도이다. 도 13을 참조해 보면, 제2 갭(28c)에 있어서 탄성파가 산란하고, 레일리파(72a)가 경사 방향으로 전파된다. 제2 갭(28d)에 있어서 탄성파가 산란하고, 레일리파(72b)가 경사 방향으로 전파된다. 레일리파(72a 및 72b)의 위상이 상쇄되는 관계라면, 레일리파(72a)의 교차폭 AP 밖으로의 누설을 억제할 수가 있다. ΔD의 최적값은 레일리파(72a 및 72b)의 속도에 의존한다. Y-cut 탄탈산리튬 기판 및 Y-cut 니오브산리튬 기판 상의 레일리파의 속도는 컷 각(cut angle)에 의한 변화가 매우 작다. 컷 각을 변화시켜도 레일리파의 속도 변화량은 수% 이하이다. 이와 같이, ΔD의 적용 범위는 탄탈산리튬 기판 및 니오브산리튬 기판에 일반적으로 적용할 수가 있다. 또, 압전 기판(50)이 지지 기판 상에 첩부(貼付)되어 있어도 ΔD의 범위로서 상기 범위를 적용할 수가 있다. 갭(18, 28)의 Y 방향의 크기는 0.25λ 이하로 제작하는 것이 많다.
제1 갭(18)과 제2 갭(28)의 적어도 일방에 있어서, 갭이 0.5λ 이상 변조되어 있으면 좋다. 갭은 번갈아서 변조되지 않아도 좋다. 예를 들면, X 방향으로 제1 갭(18a)이 복수 연속하여도 좋고, 제1 갭(18b)이 복수 연속하여도 좋다. 연속하는 제1 갭(18a)의 끝의 제1 갭(18a)과 인접하는 제1 갭(18b)과의 거리가 0.5λ 이상이면 좋다. 또, ΔD는 일정하지 않아도 좋다. 예를 들면, X 방향에 대해 제1 갭(18)은 다른 거리 ΔD로 변조되어 있어도 좋다. 복수의 제1 갭(18) 중 적어도 2개의 인접하는 제1 갭(18a 및 18b)에 있어서 ΔD가 0.5λ 이상이면 좋다. 제2 갭(28a 및 28b)에 대해서도 마찬가지이다.
이와 같이, 인접하는 적어도 2개의 제1 갭(18a 및 18b)과, 인접하는 적어도 2개의 제2 갭(28a 및 28b)의 적어도 일방의 적어도 2개의 갭의 Y 방향의 거리를 ΔD, 제1 전극 핑거 및 제2 전극 핑거의 주기를 λ로 할 때, 0.5λ≤ΔD인 것이 좋다. 이에 의해, 공진기의 Q값을 향상시킬 수 있다. 또, ΔD≤3.0λ이 바람직하고, 1.5λ≤ΔD≤3.0λ가 더욱 바람직하다.
또, ΔD>0.066×AP로 함으로써, 공진기의 Q값을 향상시킬 수 있다. ΔD>0.075×AP라도 좋다.
<실시예 2>
실시예 2는 도 10(b)의 영역(70)에 있어서의 Q값을 향상시키는 예이다. 도 14(a)는 실시예 1에 있어서의 갭 주변의 확대도이고, 도 14(b)는 실시예 2에 있어서의 갭 주변의 확대도이다. 도 14(a)를 참조해 보면, 제2 갭(28a 및 28b) 사이의 Y 방향의 영역을 제1 영역(62)으로 한다. 도 9에 있어서는, 제1 영역(62)이 제1 갭(18a 및 18b) 사이의 영역, 및 제2 갭(28a 및 28b) 사이의 영역이다. 도 14(a)를 참조해 보면, 제1 전극 핑거(14)와 제2 전극 핑거(24)가 겹쳐지는 Y 방향의 영역을 제2 영역(60)으로 한다. 도 9에 있어서는, 제2 영역(60)이 제1 갭(18b)과 제2 갭(28b) 사이의 영역이다. 도 14(a)를 참조해 보면, 제1 갭(18a 및 18b), 제2 갭(28a 및 28b)에 대응하는 Y 방향의 영역을 제3 영역(64)으로 한다. 제1 갭(18a)과 제1 버스 바(12) 사이, 제2 갭(28a)과 제2 버스 바(22) 사이의 영역을 제4 영역(66)으로 한다.
실시예 1에 있어서는, 제1 영역(62), 제2 영역(60), 제3 영역(64) 및 제4 영역(66)에 있어서의 전극 핑거(14a, 14b), 더미 전극 핑거(26a 및 26b)의 듀티비가 동일하다.
도 14(b)를 참조해 보면, 실시예 2에 있어서는 제1 영역(62)에 있어서의 전극 핑거(14a, 24) 및 더미 전극 핑거(26b)의 듀티비가 제2 영역(60), 제3 영역(64) 및 제4 영역(66)의 듀티비보다 크다. 그 외의 구성은 실시예 1과 동일하여 설명을 생략한다.
이하의 듀티비의 비교예 1, 실시예 1 및 2에 관련된 공진기를 제작했다. 실시예 1 및 2에 있어서의 ΔD는 1.9λ이다. 그 외의 구성은 도 8 및 도 9에 있어서 설명한 구성이다.
비교예 1, 실시예 1 실시예 2
제1 영역(62) : 50% 55%
제2 영역(60) : 50% 50%
제3 영역(64) : 50% 50%
제4 영역(66) : 50% 50%
도 14(c)는 제작한 비교예 1, 실시예 1 및 2의 주파수에 대한 Q값을 나타내는 도이다. 영역(70)에 있어서 실시예 2의 Q값이 실시예 1 및 비교예 1보다 높아져 있다.
<실시예 3>
도 15(a)는 실시예 3에 있어서의 갭 주변의 확대도이다. 도 15(a)를 참조해 보면, 실시예 3에서는 제1 영역(62) 및 제3 영역(64)에 있어서의 전극 핑거(14a, 14b, 24) 및 더미 전극 핑거(26b)의 듀티비가 제2 영역(60) 및 제4 영역(66)의 듀티비보다 크다. 그 외의 구성은 실시예 2와 동일하여 설명을 생략한다.
이하의 듀티비의 비교예 1, 실시예 1 및 3에 관련된 공진기를 제작했다. 실시예 1 및 2에 있어서의 ΔD는 1.9λ이다. 그 외의 구성은 도 8 및 도 9에 있어서 설명한 구성이다.
비교예 1, 실시예 1 실시예 3
제1 영역(62) : 50% 55%
제2 영역(60) : 50% 50%
제3 영역(64) : 50% 55%
제4 영역(66) : 50% 50%
도 15(b)는 제작한 비교예 1, 실시예 1 및 3의 주파수에 대한 Q값을 나타내는 도이다. 도 14(b)과 비교하면, 영역(70)에 있어서 실시예 3의 Q값은 실시예 2의 Q값보다 더 높아져 있다.
듀티비를 변경하면 레일리파의 속도가 변화한다. 예를 들면 듀티비를 크게 하면 레일리파의 속도가 작아진다. 이와 같이 실시예 2 및 3에 있어서는 제1 영역(62)의 듀티비를 제2 영역(60)과 다르게 함으로써, 도 13에 있어서의 레일리파(72a 및 72b)의 위상 관계를 조정하고 Q값을 향상시킬 수가 있다. 제1 영역(62)의 듀티비는 제2 영역(60)보다 작아도 좋다. 실시예 3에 있어서는 제1 영역(62) 및 제3 영역(64)의 듀티비를 제2 영역(60)과 다르게 함으로써, 레일리파(72a 및 72b)의 위상 관계를 조정하고 Q값을 향상시킬 수 있다.
제4 영역(66)의 듀티비가 제2 영역(60)과 다르게 되어 있어도 좋다. 제1 영역(62), 제3 영역(64) 및 제4 영역(66)의 듀티비는 각각 다르게 되어 있어도 좋다. 제1 영역(62), 제3 영역(64) 및 제4 영역(66)의 듀티비는 동일하지 않아도 좋다. 예를 들면, 듀티비가 Y 방향으로 변조되어 있어도 좋다. 제1 영역(62) 및 제3 영역(64)의 듀티비는, 예를 들면 제2 영역(60)의 듀티비의 ±2%로부터 ±20%까지 다르게 할 수가 있다.
실시예 2 및 3에 의하면, 적어도 2개의 갭(28a 및 28b) 사이의 제1 영역(62)에 있어서의, 제2 전극 핑거(24)(대응하는 제1 전극 핑거와 및 제2 전극 핑거의 적어도 일방의 전극 핑거), 및 제2 더미 전극 핑거(26)(대응하는 제1 더미 전극 핑거 및 제2 더미 전극 핑거의 적어도 일방의 더미 전극)의 듀티비는, 제2 영역(60)에 있어서의 복수의 제1 전극 핑거(14) 및 복수의 제2 전극 핑거(24)의 듀티비와 다르다. 이에 의해, 영역(70)에 있어서의 Q값을 향상시킬 수가 있다.
제1 영역(62)에 있어서의 제2 전극 핑거(24) 및 더미 전극 핑거(26)의 듀티비는, 제2 영역(60)에 있어서의 복수의 제1 전극 핑거(14) 및 복수의 제2 전극 핑거(24)의 듀티비보다 큰 것이 바람직하다.
실시예 3과 같이, 적어도 2개의 갭(28a 및 28b)에 대응하는 제3 영역(64)에 있어서의 제2 전극 핑거(24) 및 제2 더미 전극 핑거(26)의 듀티비는 제2 영역(60)에 있어서의 복수의 제1 전극 핑거 및 복수의 제2 전극 핑거의 듀티비와 다르다. 이에 의해, 실시예 3과 같이, 영역(70)에 있어서의 Q값을 더욱 향상시킬 수가 있다.
<실시예 4>
실시예 4는 제1 갭 및 제2 갭의 적어도 일방을 매립하도록 절연막이 형성된 예이다. 도 16(a)는 실시예 4에 있어서의 갭 주변의 확대도이다. 도 16(a)를 참조해 보면, 제2 갭(28a 및 28b)을 매립하도록 절연막(29)이 형성되어 있다. 제1 갭(18)에 있어서도 마찬가지이다. 그 외의 구성은 실시예 1과 동일하여 설명을 생략한다. 실시예 4로서, 막 두께가 금속막(52)의 알루미늄과 동일한 산화알루미늄(Al2O3)막을 제1 갭(18) 및 제2 갭(28)에 매입한 공진기를 제작했다. 그 외의 구성은 실시예 1과 동일하다.
도 16(b)는 제작한 비교예 1, 실시예 3 및 4의 주파수에 대한 Q값을 나타내는 도이다. 영역(70)에 있어서 실시예 4의 Q값은 실시예 3의 Q값보다 더 높아져 있다.
실시예 4에 있어서 Q값이 개선된 것은 제1 갭(18) 및 제2 갭(28)에 있어서의 기계적 불연속이 저감하고, 탄성파가 산란하기 어려워졌기 때문이다.
도 17(a) 및 도 17(b)는 실시예 4의 변형예에 관련된 공진기를 나타내는 평면도이다. 도 17(a)를 참조해 보면, 절연막(29)은 복수의 제2 갭(28a)을 포함하는 것과 같은 띠형상(band shape), 및 복수의 제2 갭(28b)을 포함하는 것과 같은 띠형상이라도 좋다. 즉, 제3 영역(64)을 각각 포함하는 띠형상이라도 좋다. 이에 의해, 실시예 4와 마찬가지로, 탄성파가 갭에 있어서 산란하기 어려워진다.
도 17(b)를 참조해 보면, 절연막(29)은 복수의 제2 갭(28a 및 28b)을 포함하는 띠형상이라도 좋다. 즉, 제1 영역(62) 및 제3 영역(64)을 포함하는 띠형상이라도 좋다. 이에 의해, 실시예 4와 마찬가지로, 탄성파가 갭에 있어서 산란하기 어려워진다. 또한, 도 13에 있어서의 갭(28c 및 28d) 사이에 절연막(29)이 형성되기 때문에 레일리파(72a)의 속도가 변화한다. 따라서 레일리파(72a)의 위상 변화를 제어할 수가 있다. 이에 의해, 레일리파(72a 및 72b)를 더욱 상쇄시키도록 위상 제어할 수가 있다.
실시예 4 및 그 변형예에 의하면, 인접된 적어도 2개의 갭(28a 및 28b) 내에 절연막(29)이 설치됨으로써 Q값을 향상할 수가 있다. 갭(28a 및 28b)에 있어서의 산란을 억제하기 위해 절연막(29)은 산화알루미늄, 산화실리콘 또는 산화탄탈 등을 주로 포함하는 것이 바람직하다. 실시예 2 및 3의 공진기에 실시예 4 및 그 변형예를 적용할 수도 있다.
실시예 1 내지 4에 있어서, 공진기로서 탄성 표면파 공진기를 예로 설명했지만, 도 6(a) 및 도 6(b)와 같은 탄성 경계파 공진기 또는 러브파 공진기라도 좋다.
<실시예 5>
실시예 5는 실시예 1을 이용한 필터의 예이다. 도 18(a)는 실시예 5에 관련된 필터의 회로도이고, 도 18(b)는 실시예 5에 관련된 필터의 평면도이다. 도 18(a)를 참조해 보면, 실시예 4의 필터(106)는 직렬 공진기 S1 내지 S4 및 병렬 공진기 P1 및 P2를 가지고 있다. 직렬 공진기 S1 내지 S4는 입력 단자 Tin와 출력 단자 Tout의 사이에 직렬로 접속되어 있다. 병렬 공진기 P1 및 P2는 입력 단자 Tin과 출력 단자 Tout의 사이에 병렬로 접속되어 있다.
도 18(b)를 참조해 보면, 압전 기판(50) 상에 금속막(52)이 형성되어 있다. 금속막(52)에 의해, 배선(55), 직렬 공진기 S1 내지 S4 및 병렬 공진기 P1 및 P2가 형성되어 있다. 배선(55)의 일부가 입력 단자 Tin, 출력 단자 Tout 및 접지 단자 Gnd이다.
비교예 2 및 실시예 5에 관련된 필터를 제작했다. 제작한 공진기의 구조는 이하이다.
압전 기판(50) : 42°Y-cut 탄탈산리튬 기판
금속막(52) : 알루미늄, 막두께 193㎚
직렬 공진기 S1 내지 S4
IDT 전극 핑거 주기 λ : 2.0㎛
IDT 전극 핑거 쌍의 수 : 116쌍
IDT 듀티비 : 50%
반사기 전극 핑거 주기 : 1.0㎛
반사기 전극 핑거 개수 : 40개
반사기 듀티비 : 50%
교차폭 AP : 20λ(40㎛)
더미 전극 핑거 길이 : 2λ(4㎛)
병렬 공진기 P1 및 P2
IDT 전극 핑거 주기 λ : 2.07㎛
IDT 전극 핑거 쌍의 수 : 80쌍
IDT 듀티비 : 50%
반사기 전극 핑거 주기 : 1.035㎛
반사기 전극 핑거 개수 : 40개
반사기 듀티비 : 50%
교차폭 AP : 20λ(41.4㎛)
더미 전극 핑거 길이 : 2λ(4.14㎛)
비교예 2에 있어서는, 직렬 공진기 및 병렬 공진기와 아울러, IDT의 제1 영역(62), 제2 영역(60), 제3 영역(64) 및 제4 영역(66)의 듀티비는 50%이다. 실시예 5에 있어서는, 직렬 공진기 S1 내지 S4에 있어서 IDT의 제1 영역(62)의 듀티비는 55%, IDT의 제2 영역(60), 제3 영역(64) 및 제4 영역(66)의 듀티비는 50%이다. 병렬 공진기 P1 및 P2에 있어서 IDT의 제1 영역(62), 제2 영역(60), 제3 영역(64) 및 제4 영역(66)의 듀티비는 50%이다. 이와 같이, 실시예 5의 직렬 공진기 S1 내지 S4의 제1 영역(62)의 듀티비를 다른 것과 다르게 하였다.
도 19(a)는 비교예 2 및 실시예 5에 있어서의 통과 특성, 도 19(b)는 통과 대역 부근의 통과 특성의 확대도이다. 도 19(a)를 참조해 보면, 비교예 2와 실시예 5에서 통과 대역 근방의 억압 특성은 차이가 없다. 도 19(b)를 참조해 보면, 실시예 5는 비교예 2에 비해 통과 대역의 손실이 약 0.1dB 작다.
실시예 5와 같이, 필터는 실시예 1 내지 4의 적어도 하나의 공진기를 포함할 수가 있다. 이에 의해, 통과 대역 외의 억압도가 크고, 통과 대역 내의 손실을 작게 할 수가 있다. 필터는 도 18, 도 1과 같은 사다리형 필터라도 좋고, 도 2, 도 7과 같이 다중 모드 필터라도 좋다. 도 3과 같이, 필터는 사다리형 필터와 다중 모드 필터를 포함해도 좋다. 사다리형 필터에 있어서는 직렬 공진기의 Q값이 통과 대역의 손실에 영향을 준다. 따라서 직렬 공진기를 실시예 1 내지 4의 적어도 하나의 공진기로 하는 것이 바람직하다.
<실시예 6>
도 20은 실시예 6에 관련된 분파기의 회로도이다. 도 20을 참조해 보면, 분파기(108)는 제1 필터(40) 및 제2 필터(42)를 가지고 있다. 제1 필터(40)는 공통 단자 T3과 제1 단자 T1의 사이에 접속되어 있다. 제2 필터(42)는 공통 단자 T3과 제2 단자 T2의 사이에 접속되어 있다. 제1 필터(40)는 예를 들면 송신 필터, 제2 필터(42)는 예를 들면 수신 필터이다. 제1 단자 T1은 예를 들면 송신 단자, 제2 단자 T2는 예를 들면 수신 단자, 공통 단자 T3은 예를 들면 안테나 단자이다.
제1 필터(40) 및 제2 필터(42)의 적어도 일방을 실시예 4의 필터로 하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 통과 대역 외의 억압도가 크고, 또한 통과 대역 내의 손실을 작게 할 수가 있다.
실시예 5에 관련된 필터 또는 실시예 6에 관련된 분파기를 통신 모듈에 이용해도 좋다.
이상, 본 발명의 실시예에 대해 상술했지만, 본 발명은 관련된 특정의 실시예에 한정되는 것이 아니라, 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에 있어서 여러 가지 변형·변경이 가능하다.
10 제1 빗살형 전극(comb-shaped electrode)
12 제1 버스 바(bus bar)
14 제1 전극 핑거(electrode finger)
16 제1 더미 전극 핑거(dummy electrode finger)
18 제1 갭(gap) 20 제2 빗살형 전극
22 제2 버스 바 24 제2 전극 핑거
26 제2 더미 전극 핑거 28 제2 갭
40 제1 필터(filter) 42 제2 필터
60 제2 영역 62 제1 영역
64 제3 영역 66 제4 영역

Claims (12)

  1. 제1 버스 바와, 상기 제1 버스 바에 접속되고 연신 방향으로 연신되는 복수의 제1 전극 핑거와, 상기 제1 버스 바에 접속된 복수의 제1 더미 전극 핑거를 가지고, 압전 기판 상에 형성된 제1 빗살형 전극과,
    제2 버스 바와, 상기 제2 버스 바에 접속되고 상기 연신 방향으로 연신되고 상기 복수의 제1 더미 전극 핑거에 각각 제1 갭을 개재하여 대향하는 복수의 제2 전극 핑거와, 상기 제2 버스 바에 접속되고 상기 복수의 제1 전극 핑거에 각각 제2 갭을 개재하여 대향하는 복수의 제2 더미 전극 핑거를 가지고, 상기 압전 기판 상에 형성된 제2 빗살형 전극을 구비하고,
    인접하는 적어도 2개의 상기 제1 갭과, 인접하는 적어도 2개의 상기 제2 갭과의 적어도 일방인 적어도 2개의 갭의 상기 연신 방향의 거리는, 상기 거리를 ΔD, 상기 제1 전극 핑거 및 상기 제2 전극 핑거의 주기를 λ로 할 때, 0.5λ≤ΔD인 것을 특징으로 하는 공진기.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 적어도 2개의 갭의 사이의 상기 연신 방향의 제1 영역에 있어서의, 대응하는 상기 복수의 제1 전극 핑거와 상기 복수의 제2 전극 핑거의 적어도 일방의 전극 핑거, 및 대응하는 상기 복수의 제1 더미 전극 핑거와 상기 복수의 제2 더미 전극 핑거의 적어도 일방의 더미 전극의 듀티비는, 상기 복수의 제1 전극 핑거와 상기 복수의 제2 전극 핑거가 겹쳐지는 상기 연신 방향의 제2 영역에 있어서의 복수의 제1 전극 핑거 및 상기 복수의 제2 전극 핑거의 듀티비와 다른 것을 특징으로 하는 공진기.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 적어도 일방의 전극 핑거 및 상기 적어도 일방의 더미 전극 핑거의 듀티비는 상기 제2 영역에 있어서의 상기 복수의 제1 전극 핑거 및 상기 복수의 제2 전극 핑거의 듀티비보다 큰 것을 특징으로 하는 공진기.
  4. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
    상기 적어도 2개의 갭에 대응하는 상기 연신 방향의 제3 영역에 있어서의 상기 적어도 일방의 전극 핑거 및 상기 적어도 일방의 더미 전극 핑거의 듀티비는 상기 제2 영역에 있어서의 상기 복수의 제1 전극 핑거 및 상기 복수의 제2 전극 핑거의 듀티비와 다른 것을 특징으로 하는 공진기.
  5. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 2개의 갭 내에 설치된 절연막을 구비하는 것을 특징으로 하는 공진기
  6. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 2개의 갭은 인접하는 적어도 2개의 상기 제1 갭과, 인접하는 적어도 2개의 상기 제2 갭과의 양쪽인 것을 특징으로 하는 공진기.
  7. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 갭 및 상기 제2 갭의 적어도 일방은 번갈아서 거리 ΔD 변조되어 있는 것을 특징으로 하는 공진기.
  8. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    ΔD≤3.5λ인 것을 특징으로 하는 공진기.
  9. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    1.5λ≤ΔD≤3.0λ인 것을 특징으로 하는 공진기.
  10. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 압전 기판은 탄탈산리튬 기판 또는 니오브산리튬 기판인 것을 특징으로 하는 공진기.
  11. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항 기재의 공진기를 포함하는 것을 특징으로 하는 필터.
  12. 공통 단자와 제1 단자의 사이에 접속된 제1 필터와,
    상기 공통 단자와 제2 단자의 사이에 접속된 제2 필터를 구비하고,
    상기 제1 필터 및 상기 제2 필터의 적어도 일방은 청구항 11 기재의 필터인 것을 특징으로 하는 분파기.
KR1020140067366A 2013-06-10 2014-06-03 공진기, 필터 및 분파기 KR101546248B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2013-121946 2013-06-10
JP2013121946A JP6504551B2 (ja) 2013-06-10 2013-06-10 共振器、フィルタおよび分波器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140144139A KR20140144139A (ko) 2014-12-18
KR101546248B1 true KR101546248B1 (ko) 2015-08-20

Family

ID=52004983

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140067366A KR101546248B1 (ko) 2013-06-10 2014-06-03 공진기, 필터 및 분파기

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9306539B2 (ko)
JP (1) JP6504551B2 (ko)
KR (1) KR101546248B1 (ko)
CN (1) CN104242869B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180129463A (ko) * 2017-05-26 2018-12-05 (주)와이솔 횡모드 억제를 위한 표면 탄성파 디바이스

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6441590B2 (ja) * 2014-05-23 2018-12-19 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
DE102014118897B4 (de) * 2014-12-17 2019-02-21 Snaptrack, Inc. Wandler für SAW mit unterdrückter Modenkonversion
DE102015120654A1 (de) * 2015-11-27 2017-06-01 Snaptrack, Inc. Elektroakustischer Wandler mit verringerten Nichtlinearitäten zweiter Ordnung
US10361678B2 (en) 2015-12-14 2019-07-23 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave resonator, filter, and duplexer
JP6822299B2 (ja) * 2016-07-15 2021-01-27 株式会社村田製作所 高周波フロントエンド回路および通信装置
CN109643982B (zh) * 2016-08-30 2020-03-24 株式会社村田制作所 弹性波装置及其制造方法
JP6949552B2 (ja) * 2017-05-18 2021-10-13 太陽誘電株式会社 弾性波フィルタおよびマルチプレクサ
CN107069159A (zh) * 2017-06-14 2017-08-18 成都威频通讯技术有限公司 一种新型腔体滤波器
JP6835222B2 (ja) * 2017-06-26 2021-02-24 株式会社村田製作所 弾性波装置及び複合フィルタ装置
JP6806265B2 (ja) * 2017-09-19 2021-01-06 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置及びマルチプレクサ
KR20190138096A (ko) * 2018-06-04 2019-12-12 (주)와이솔 표면 탄성파 소자
DE102018130141A1 (de) * 2018-11-28 2020-05-28 RF360 Europe GmbH Elektroakustischer Resonator und HF-Filter

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009027689A (ja) 2007-06-19 2009-02-05 Panasonic Corp 弾性表面波フィルタと、それを用いたアンテナ共用器

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2982864B2 (ja) * 1996-10-14 1999-11-29 日本電気株式会社 弾性表面波装置
JP2000244275A (ja) * 1999-02-19 2000-09-08 Murata Mfg Co Ltd Ｓａｗ共振子フィルタ
DE10135871B4 (de) 2001-07-24 2012-10-25 Epcos Ag Wandler für Oberflächenwellen mit verbesserter Unterdrückung störender Anregung
JP3622758B2 (ja) * 2003-03-28 2005-02-23 松下電器産業株式会社 弾性表面波共振器、弾性表面波フィルタ、及びアンテナ共用器
JP4569699B2 (ja) * 2006-12-27 2010-10-27 パナソニック株式会社 弾性表面波共振器並びにそれを用いた弾性表面波フィルタ及びアンテナ共用器
JP2009021895A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Panasonic Corp アンテナ共用器とそれを用いた通信機器
JP4553047B2 (ja) * 2008-03-12 2010-09-29 セイコーエプソン株式会社 ラム波型共振子及び発振器
JP5156448B2 (ja) * 2008-03-24 2013-03-06 太陽誘電株式会社 弾性波素子、フィルタ、通信モジュール、および通信装置
JP5156478B2 (ja) * 2008-05-15 2013-03-06 太陽誘電株式会社 弾性表面波デバイス
JP5263390B2 (ja) * 2009-04-23 2013-08-14 パナソニック株式会社 アンテナ共用器とこれを搭載した電子機器
IN2012DN05057A (ko) 2009-12-28 2015-10-09 Semiconductor Energy Lab
DE102010005596B4 (de) * 2010-01-25 2015-11-05 Epcos Ag Elektroakustischer Wandler mit verringerten Verlusten durch transversale Emission und verbesserter Performance durch Unterdrückung transversaler Moden
US9136458B2 (en) * 2011-03-22 2015-09-15 Skyworks Panasonic Filter Solutions Japan Co., Ltd. Elastic wave element
WO2012132238A1 (en) * 2011-03-25 2012-10-04 Panasonic Corporation Acoustic wave device with reduced higher order transverse modes
JP2012244616A (ja) * 2011-05-24 2012-12-10 Taiyo Yuden Co Ltd 圧電薄膜共振子、フィルタおよびモジュール
JP5872196B2 (ja) * 2011-06-29 2016-03-01 京セラ株式会社 弾性波素子およびそれを用いた弾性波装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009027689A (ja) 2007-06-19 2009-02-05 Panasonic Corp 弾性表面波フィルタと、それを用いたアンテナ共用器

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180129463A (ko) * 2017-05-26 2018-12-05 (주)와이솔 횡모드 억제를 위한 표면 탄성파 디바이스
KR102431710B1 (ko) * 2017-05-26 2022-08-11 (주)와이솔 횡모드 억제를 위한 표면 탄성파 디바이스

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140144139A (ko) 2014-12-18
CN104242869B (zh) 2017-11-28
US9306539B2 (en) 2016-04-05
JP2014239385A (ja) 2014-12-18
JP6504551B2 (ja) 2019-04-24
US20140361850A1 (en) 2014-12-11
CN104242869A (zh) 2014-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101546248B1 (ko) 공진기, 필터 및 분파기
JP6595659B2 (ja) 弾性波素子、分波器および通信装置
JP6247377B2 (ja) 弾性波素子、フィルタ素子および通信装置
US9124240B2 (en) Acoustic wave device and antenna duplexer employing the same
CN105720941A (zh) 声波器件
JP6509151B2 (ja) 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ
CN107528564B (zh) 声波谐振器、滤波器和多工器
JP3419339B2 (ja) 弾性表面波フィルタ、デュプレクサ、通信機装置
JP4100249B2 (ja) 弾性表面波装置、通信機
JP4571200B2 (ja) 弾性波フィルタ
JP5695191B2 (ja) 弾性波デバイスおよびモジュール
JP4303178B2 (ja) 弾性表面波装置
KR101711756B1 (ko) 탄성파 디바이스, 필터 및 분파기
JP2014160888A (ja) 弾性波共振器とこれを用いた弾性波フィルタおよびアンテナ共用器
JP2019125856A (ja) 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ
JP6178972B2 (ja) ローパス特性を有する電子音響フィルタ
JP6465441B2 (ja) マルチプレクサ
KR101035173B1 (ko) 탄성 경계파 디바이스, 및 그것을 이용한 통신기
JP4548305B2 (ja) 二重モード弾性表面波フィルタ
JP2007124440A (ja) 弾性表面波素子片および弾性表面波デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180719

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190722

Year of fee payment: 5