KR101522089B1 - 반도체 장치 - Google Patents

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유리 오토베
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가부시키가이샤 도요다 지도숏키
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Abstract

반도체 장치는 제 1 배선층, 상기 제 1 배선층으로부터 전기적으로 절연된 제 2 배선층, 상기 제 1 배선층에 탑재된 제 1 반도체 소자, 상기 제 2 배선층에 탑재된 제 2 반도체 소자, 상기 제 2 반도체 소자를 상기 제 1 배선층에 전기적으로 접속시키기 위한 제 1 버스 바, 및 상기 제 1 반도체 소자를 전지의 정극 단자 및 부극 단자 중 하나에 전기적으로 접속시키기 위한 제 2 버스 바를 포함한다. 상기 제 1 버스 바는 상기 제 2 버스 바에 대해 오버랩되어, 상기 제 1 버스 바와 상기 제 2 버스 바 사이에 몰드 수지가 충전되도록 배치된다.

Description

반도체 장치 {SEMICONDUCTOR UNIT}
본 발명은, 전원에 버스 바를 통해 전기적으로 접속된 반도체 소자를 갖는 반도체 장치에 관한 것이다.
일본 미심사 특허 출원 공보 제2006-202885호는, 예를 들어, 전력 컨버터로서 사용될 수 있는 반도체 장치를 개시한다. 반도체 장치는 반도체 소자로서 IGBT (insulated gate bipolar transistor) 및 다이오드를 갖는다. IGBT의 콜렉터 및 다이오드의 저부 전극은, IGBT에 의해 발생된 열을 방출하고 또한 IGBT의 저면을 다이오드의 저면에 접속시키는 역할을 하는 블록에 땜납된다. IGBT의 이미터 및 다이오드의 상부 전극은 리드에 의해 접속된다.
그런데, 반도체 장치의 구동 동안 발생되는 열량을 저감하기 위하여, 낮은 인덕턴스의 반도체 장치가 요망되고 있다. 또, 반도체 장치가 자동차 등의 환경에 사용될 때, 더 작은 크기의 반도체 장치가 요망되고 있다.
본 발명은, 인덕턴스 및 크기를 저감할 수 있는 구조의 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 반도체 장치는, 제 1 배선층 (conductive layer), 제 1 배선층으로부터 전기적으로 절연된 제 2 배선층, 제 1 배선층에 탑재된 제 1 반도체 소자, 제 2 배선층에 탑재된 제 2 반도체 소자, 제 2 반도체 소자를 제 1 반도체 소자에 전기적으로 접속시키기 위한 제 1 버스 바, 및 제 1 반도체 소자를 전지의 정극 단자 및 부극 단자 중 하나에 전기적으로 접속시키기 위한 제 2 버스 바를 포함한다. 제 1 버스 바는 제 2 버스 바에 대해 오버랩 (overlap) 되어, 제 1 버스 바와 제 2 버스 바 사이에 몰드 수지 (mold resin) 가 충전되도록 배치된다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 반도체 장치는, 제 1 배선층, 제 1 배선층으로부터 전기적으로 절연된 제 2 배선층, 제 1 배선층에 탑재된 제 1 반도체 소자, 제 2 배선층에 탑재된 제 2 반도체 소자, 및 2개의 버스 바들을 포함하고, 2개의 버스 바들 중 하나는 제 1 반도체 소자를 전지의 정극 단자 및 부극 단자 중 하나에 전기적으로 접속시키기 위해 제공되고, 2개의 버스 바들 중 다른 하나는 제 2 배선층을 전지의 정극 단자 및 부극 단자 중 다른 하나에 전기적으로 접속시키기 위해 제공된다. 2개의 버스 바들은 서로에 대해 오버랩되어, 버스 바들 사이에 몰드 수지가 충전되도록 배치된다.
본 발명의 다른 양태들 및 이점들은, 본 발명의 원리들을 예로서 예시하는, 첨부 도면들과 함께 취해질 때, 이하의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은, 본 발명에 따른 반도체 장치의 실시형태로서 삼상 인버터의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 삼상 인버터의 평면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 취해진 단면도이다.
도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ 선을 따라 취해진 단면도이다.
도 5는 도 1의 삼상 인버터의 전기 회로도이다.
이하, 본 발명에 따른 반도체 장치의 일 실시형태로서 삼상 인버터 장치를 도 1 ~ 도 5를 참조하여 설명한다. 도 1을 참조하면, 일반적으로 10으로 표시된 삼상 인버터는 회로 기판 (20), 회로 기판 (20) 에 탑재된 6개의 반도체 소자 (41, 42, 43, 44, 45 및 46), 및 회로 기판 (20) 에 열적으로 커플링된 냉각기 (11) 또는 방열 부재 (heat radiation member) 를 포함한다. 도 1에 보여진 상부 및 하부 측면들은 각각 인버터 (10) 의 상부 및 하부 측면들이라는 점에 유의한다.
회로 기판 (20) 은 직사각형 세라믹 기판 (21) 또는 절연 층, 및 세라믹 기판 (21) 의 상면에 각각 라미네이트된 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 금속판들 (22, 23, 24 및 25) 을 포함한다. 금속판들 (22 내지 25) 은 서로 전기적으로 절연되어 있고 각각은 알루미늄 등의 도전 재료로 형성되어 있다.
제 1, 제 2 및 제 3 금속판들 (22, 23 및 24) 은 세라믹 기판 (21) 의 길이 방향으로 배열된다. 제 4 금속판 (25) 과 제 1, 제 2 및 제 3 금속판 (22, 23 및 24) 의 각각은 세라믹 기판 (21) 의 횡 방향으로 배열된다. 본 실시형태에서, 제 1, 제 2 및 제 3 금속판들 (22, 23 및 24) 은 본 발명의 제 1 배선층에 대응하고, 제 4 금속판 (25) 은 본 발명의 제 2 배선층에 대응한다.
6개의 반도체 소자들 (41 내지 46) 중에서, 3개의 반도체 소자들 (42, 44, 46) (이하, 제 1 반도체 소자들) 이 제 1, 제 2 및 제 3 금속판들 (22, 23, 24) 각각에 탑재되고, 3개의 반도체 소자들 중 나머지 (41, 43, 45) (이하, 제 2 반도체 소자들) 는 제 4 금속판 (25) 에 탑재된다.
도 2를 참조하면, 인버터 (10) 는, 평면시 직사각형 프로파일을 갖고 각각의 금속판들 (22, 23, 24) 에 접합된 제 1 버스 바들 (26, 27, 28) 을 포함한다. 제 1 버스 바 (26) 는 그의 일 길이 방향 단부가 제 1 금속판 (22) 의 상면에 접합되고, 그의 반대 길이 방향 단부는 제 2 반도체 소자 (41) 의 상면에 접합된다. 제 1 버스 바 (27) 는 그의 일 길이방향 단부가 제 1 금속판 (23) 의 상면에 접합되고 그의 반대 길이방향 단부가 제 2 반도체 소자 (43) 의 상면에 접합된다. 제 1 버스 바 (28) 는 그의 일 길이방향 단부가 제 1 금속판 (24) 의 상면에 접합되고 그의 반대 길이방향 단부가 제 2 반도체 소자 (45) 의 상면에 접합된다. 제 1 버스 바들 (26, 27, 28) 은 금속판들 (22, 23, 24) 을 제 2 반도체 소자들 (41, 43, 45) 에 각각 전기적으로 접속시킨다.
인버터 (10) 는 전원 (미도시) 의 부극 단자에의 전기적으로 접속을 위한 제 1 반도체 소자들 (42, 44, 46) 각각의 상면에 접합된 제 2 버스 바 (29) 를 포함한다. 제 2 버스 바 (29) 는 평면시 직사각형 프로파일을 갖는 베이스 (30), 및 평면시 직사각형 프로파일을 갖고 베이스 (30) 로부터 연장된 접속부들 (31, 32, 33) 을 갖는다. 접속부들 (31, 32, 33) 은 베이스 (30) 의 길이 방향으로 서로 이격되고 베이스 (30) 의 횡방향으로 연장된다. 접속부들 (31, 32, 33) 은 제 1 반도체 소자들 (42, 44, 46) 의 상면에 각각 접합된다. 제 2 버스 바 (29) 는 제 1 반도체 소자들 (42, 44, 46) 을 전원의 부극 단자에 전기적으로 접속시킨다.
인버터 (10) 는 또한 전원의 정극 단자에의 전기적 접속을 위한 제 4 금속판 (25) 에 접합된 제 3 버스 바 (34) 를 포함한다. 제 3 버스 바 (34) 는 제 4 금속판 (25) 을 전원의 정극 단자에 전기적으로 접속시킨다. 제 2 및 제 3 버스 바들 (29, 34) 은 상이한 극성의 전원 단자들에 전기적으로 접속된다.
도 2 및 도 3에 도시된 바처럼, 제 2 버스 바 (29) 의 베이스 (30) 는 제 3 버스 바 (34) 에 대해 그들의 두께 방향으로 봤을 때 오버랩되게 배치된다. 도 2의 평면도에 나타낸 바처럼, 제 2 버스 바 (29) 의 베이스 (30) 및 제 3 버스 바 (34) 는, 그들의 가상 길이 방향 중심선들이 서로 평행하지만 베이스 (30) 의 횡 방향으로 서로 오프셋되게 위치된다. 따라서, 제 2 버스 바 (29) 의 베이스 (30) 는 일부가 제 3 버스 바 (34) 에, 그 두께 방향, 즉 세라믹 기판 (21) 및 각각의 금속판들 (22 내지 25) 이 라미네이트되는 방향으로 봤을 때, 오버랩된다.
도 2 및 도 4에 도시된 바처럼, 제 1 버스 바들 (26, 27, 28) 은, 제 2 버스 바 (29) 의 베이스 (30) 및 각각의 접속부들 (31, 32, 33) 에 대해 두께 방향에서 봤을 때 오버랩되게 배치된다. 도 2의 평면도에 나타낸 바처럼, 제 2 버스 바 (29) 의 접속부들 (31, 32, 33) 및 제 1 버스 바들 (26, 27, 28) 은 그들의 가상 길이 방향 중심선이 서로 평행하지만, 접속부들 (31, 32, 33) 의 횡 방향으로 서로 오프셋되게 위치된다. 따라서, 제 2 버스 바 (29) 는 일부가 제 1 버스 바들 (26, 27, 28) 에, 그 두께 방향, 즉 세라믹 기판 (21) 및 각각의 금속판들 (22 내지 25) 이 라미네이트되는 방향으로 오버랩된다.
도 2에 도시된 바처럼, 제 3 버스 바 (34), 제 2 버스 바 (29) 및 제 1 버스 바들 (26 내지 28) 은 표면이 금속판들 (22 내지 25) 과 오버랩되고 금속판들 (22 내지 25) 에 평행하게 배향된다. 다른 말로, 제 3 버스 바 (34), 제 2 버스 바 (29) 및 제 1 버스 바들 (26 내지 28) 은 금속판들 (22 내지 25) 에 평행 연장되게 배치된다.
도 3에 도시된 바처럼, 세라믹 기판 (21) 의 저면 상에 응력 완화 부재 (35) 가 제공된다. 응력 완화 부재 (35) 는 알루미늄판 등의 금속판이고, 두께 방향으로 관통하는 복수의 관통공들 (35A) 을 갖는다.
응력 완화 부재 (35) 는 세라믹 기판 (21) 및 냉각기 (11) 사이에 개재되어 접합된다. 냉각기 (11) 는 내부에, 냉매가 흐르는 복수의 직선형 채널들 (11A) 을 갖는다. 도면에는 도시되지 않았지만, 냉각기 (11) 는 채널들 (11A) 로 냉매가 유입하는 유입구 및 채널들 (11A) 로부터 냉매가 유출하는 유출구를 갖는다.
본 실시형태의 삼상 인버터 (10) 에서, 냉각기 (11) 및 그에 탑재된 컴포넌트들은 절연 몰드 수지 (12) 에 의해 몰드된다. 구체적으로, 몰드 수지 (12) 는 냉각기 (11) 의 상면의 부분을 커버하고 또한 제 1 반도체 소자들 (42, 44, 46), 제 2 반도체 소자들 (41, 43, 45), 금속판들 (22 내지 25), 세라믹 기판 (21), 응력 완화 부재 (35), 제 1 버스 바들 (26 내지 28), 제 2 버스 바 (29) 및 제 3 버스 바 (34) 를 커버한다. 몰드 수지 (12) 는 그러한 컴포넌트들 사이에, 특히, 제 2 버스 바 (29) 와 제 3 버스 바 (34) 사이 그리고 또한 제 2 버스 바 (29) 와 제 1 버스 바들 (26 내지 28) 사이에 충전된다. 제 3 버스 바 (34) 의 일부와 제 2 버스 바 (29) 의 베이스 (30) 의 일부가 몰드 수지 (12) 로부터 돌출되고, 이에 전원이, 예를 들면, 외부 전극을 통해 전기적으로 접속된다.
도 5는 본 실시형태의 인버터 (10) 의 전기 회로도를 나타낸다. 반도체 소자들 (41, 42, 43, 44, 45, 46) 의 각각은, (Q1, Q2, Q3, Q4, Q5, Q6) 등의 하나의 스위칭 소자와 하나의 다이오드 (D) 를 포함하는 하나의 디바이스를 갖는다. 각각의 제 2 반도체 소자들 (41, 43, 45) 에서 스위칭 소자들 (Q1, Q3, Q5) 은 인버터 (10) 의 상부 아암으로서 기능한다. 각각의 제 1 반도체 소자들 (42, 44, 46) 에서의 스위칭 소자들 (Q2, Q4, Q6) 는 인버터 (10) 의 하부 아암으로서 기능한다. 스위칭 소자들 (Q1 내지 Q6) 는 IGBT (insulated gate bipolar transistor) 또는 전력 MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) 등의 전력 반도체 소자에 의해 제공될 수도 있다. 각각의 스위칭 소자들 (Q1 내지 Q6) 의 게이트 및 이미터들은 각각의 반도체 소자들 (41 내지 46) 의 상면에 제공되고, 각각의 스위칭 소자들 (Q1 내지 Q6) 의 콜렉터들은 각각의 반도체 소자들 (41 내지 46) 의 저면에 제공된다. 각각의 다이오드들 (D) 의 애노드들은 각각의 반도체 소자들 (41 내지 46) 의 상면에 제공되고, 각각의 다이오드들 (D) 의 캐소드들은 각각의 반도체 소자들 (41 내지 46) 의 저면에 제공된다.
스위칭 소자들 (Q1, Q2) 은 직렬로 접속되고, 스위칭 소자들 (Q3, Q4) 은 직렬로 접속되고, 스위칭 소자들 (Q5, Q6) 은 직렬로 접속된다.
스위칭 소자들 (Q1, Q3, Q5) 의 콜렉터들은 제 4 금속판 (25) 및 제 3 버스 바 (34) 를 통해 전원 또는 전지 (B) 의 정극 단자에 접속된다. 스위칭 소자들 (Q2, Q4, Q6) 의 이미터들은 제 2 버스 바 (29) 를 통해 전지 (B) 의 부극 단자에 접속된다.
스위칭 소자들 (Q1 내지 Q6) 의 각각에 대한 다이오드 (D) 는 이미터와 콜렉터 사이에 역병렬 접속되고, 특히 다이오드 (D) 는 그의 캐소드가 이미터에 그리고 그의 애노드가 콜렉터에 접속된다.
스위칭 소자들 (Q1, Q2) 사이, 스위칭 소자들 (Q3, Q4) 사이, 그리고 또한 스위칭 소자들 (Q5, Q6) 사이의 접속부들은 삼상 모터 등의 부하 (51) 에 접속된다. 인버터 (10) 는 전지 (B) 의 DC 전력을 AC 전력으로 변환해 부하 (51) 에 공급한다.
전술된 인버터 (10) 에서, 제 1 버스 바들 (26, 27, 28) 의 각각은, 일부가 제 2 버스 바 (29) 에 그 두께 방향으로 오버랩되고, 제 2 버스 바 (29) 는 일부가 제 3 버스 바 (34) 에 그 두께 방향으로 오버랩된다. 제 1 버스 바들 (26, 27, 28) 을 통해 그리고 제 3 버스 바 (34) 를 통해 흐르는 전류의 방향은 제 2 버스 바 (29) 를 통해 흐르는 전류의 방향과 반대이다.
따라서, 제 1 버스 바들 (26, 27, 28) 및 제 3 버스 바 (34) 를 통해 흐르는 전류에 의해 발생된 자속은, 제 2 버스 바 (29) 를 통해 흐르는 전류에 의해 발생된 자속에 의해 상호 유도에 기인하여 소거된다.
몰드 수지 (12) 는 제 2 버스 바 (29) 와 각각의 제 1 버스 바들 (26, 27, 28) 사이에 그리고 또한 제 2 버스 바 (29) 와 제 3 버스 바 (34) 사이에 충전된다. 제 1 버스 바들 (26, 27, 28), 제 2 버스 바 (29) 및 제 3 버스 바 (34) 를 통해 전류가 흐를 때 인버터 (10) 의 동작 동안, 몰드 수지 (12) 는, 제 1 버스 바들 (26, 27, 28) 을 제 2 버스 바 (29) 로부터 그리고 또한 제 2 버스 바 (29) 를 제 3 버스 바 (34) 로부터 절연시키는 절연 층으로서 기능한다.
본 실시형태의 인버터 (10) 는 이하의 이득들을 제공한다.
(1) 제 1 버스 바들 (26, 27, 28) 의 각각은, 일부가 제 2 버스 바 (29) 에 그 두께 방향으로 오버랩된다. 제 2 버스 바 (29) 와 각각의 제 1 버스 바들 (26, 27, 28) 사이에 일어나는 상호 유도는 인버터 (10) 의 인덕턴스를 저감시킨다. 제 1 버스 바들 (26, 27, 28) 과 제 2 버스 바 (29) 사이에 존재하는 몰드 수지 (12) 는 그 사이에 절연을 위한 층으로서 기능하고 따라서 그 사이의 절연을 위하여 제 1 버스 바들 (26, 27, 28) 과 제 2 버스 바 (29) 사이의 더 작은 거리를 허용한다. 이것은 그 사이의 절연을 위해 제 1 버스 바들 (26, 27, 28) 과 제 2 버스 바 (29) 사이의 거리의 증가를 방지하여, 인버터 (10) 의 크기를 감소시킨다.
(2) 제 2 버스 바 (29) 는 일부가 제 3 버스 바 (34) 에 두께 방향으로 오버랩된다. 제 2 버스 바 (29) 와 제 3 버스 바 (34) 사이에 일어나는 상호 유도는 인버터 (10) 의 인덕턴스를 더 저감시킨다. 제 2 버스 바 (29) 와 제 3 버스 바 (34) 사이에 존재하는 몰드 수지 (12) 는 그 사이의 절연을 위한 절연층으로서 기능하고, 이는 제 2 버스 바 (29) 와 제 3 버스 바 (34) 사이의 거리의 증가를 방지하여, 인버터 (10) 의 크기를 더 감소시킨다.
(3) 세라믹 기판 (21) 상의 금속판들 (22 내지 25) 의 제공은 금속판들 (22 내지 25) 의 양호한 절연을 제공한다.
(4) 냉각기 (11) 는 세라믹 기판 (21) 의 저면에 접합된다. 반도체 소자들 (41 내지 46) 에 의해 발생된 열은 세라믹 기판 (21) 을 통해 냉각기 (11) 에 전달되고 그로부터 방열된다.
(5) 세라믹 기판 (21) 과 냉각기 (11) 사이에 개재된 응력 완화 부재 (35) 는, 냉각기 (11) 와 세라믹 기판 (21) 사이의 선팽창 계수의 차이에 의해 야기된 열 응력을 감소시키는 역할을 한다. 이것은 세라믹 기판 (21) 과 응력 완화 부재 (35) 사이 그리고 응력 완화 부재 (35) 와 냉각기 (11) 사이의 접속부들에서 일어나는 크랙을 방지하여, 냉각기 (11) 가 응력 완화 부재 (35) 로부터 박리하는 것을 방지한다.
(6) 스위칭 소자들 (Q1 내지 Q6) 은 각각의 반도체 소자들 (41 내지 46) 로서 사용되어, 스위칭 소자들 (Q1, Q2) 이 직렬 접속되고, 스위칭 소자들 (Q3, Q4) 이 직렬 접속되고 스위칭 소자들 (Q5, Q6) 이 직렬 접속된다. 그러한 직렬 접속된 스위칭 소자들 (Q1, Q2), 스위칭 소자들 (Q3, Q4), 및 스위칭 소자들 (Q5, Q6) 의 각 쌍들은 삼상 인버터 (10) 의 하나의 상을 구성한다.
(7) 복수의 채널들 (11A) 을 갖는 방열 부재로서 냉각기 (11) 의 사용은 반도체 소자들 (41 내지 46) 에 의해 발생된 열을, 냉각기 (11) 의 채널들 (11A) 을 통해 흐르는 냉매에 의해, 효과적으로 방출할 수 있다.
(8) 제 1 버스 바들 (26, 27, 28) 및 제 3 버스 바 (34) 에 대한 제 2 버스 바 (29) 의 오프셋 배열은, 수지 몰딩의 과정 동안 제 2 버스 바 (29) 와 제 1 버스 바들 (26, 27, 28) 사이, 그리고 제 2 버스 바 (29) 와 제 3 버스 바 (34) 사이에 수지를 충전하는데 도움이 된다.
(9) 제 2 버스 바 (29) 의 그러한 오프셋 배열은 또한, 제 2 버스 바 (29), 제 1 버스 바들 (26, 27, 28) 및 제 3 버스 바 (34) 가 솔더링 등의 수단에 의해 접합된 부분을 체크하는 것을 쉽게 만든다.
(10) 제 2 버스 바 (29) 의 오프셋 배열은 또한 제 2 버스 바 (29), 제 1 버스 바들 (26, 27, 28) 및 제 3 버스 바 (34) 의 솔더링 등의 수단에 의한 접합을 용이하게 한다.
위의 실시형태들은 아래에 예시된 바처럼 다양한 방식으로 변경될 수도 있다.
본 발명에 따르면, 제 2 버스 바 (29) 가 오직 제 1 버스 바들 (26, 27, 28) 또는 제 3 버스 바 (34) 에 오버랩되게 배치되고 또한 서로 오버랩되게 배치된 그러한 버스 바들 사이에 몰드 수지 (12) 가 충전되도록 변경될 수도 있다. 다르게는, 제 2 버스 바 (29) 가 제 1 버스 바들 (26, 27, 28) 중 적어도 하나에 오버랩되게 배치될 수도 있다.
제 3 버스 바 (34) 및 제 2 버스 바 (29) 는 금속판들 (22 내지 25) 에 평행할 뿐만 아니라 금속판들 (22 내지 25) 에 수직하게 배향될 수도 있다. 이 경우에, 제 3 버스 바 (34) 및 제 2 버스 바 (29) 는, 세라믹 기판 (21) 과 금속판들 (22 내지 25) 이 라미네이트되는 방향으로 연장되게 배치된다. 이것은 금속판들 (22 내지 25) 을 따라 측정된 인버터 (10) 의 크기를 감소시키는 것을 돕는다.
냉각기 (11) 가 절연 재료로 형성되고, 냉각기 (11) 의 상면이 절연 재료로 코팅되는 경우에, 인버터 (10) 는 세라믹 기판 (21) 이 없을 수도 있고 금속판들 (22 내지 25) 은 냉각기 (11) 에 직접 접합될 수도 있다. 다르게는, 금속판들 (22 내지 25) 은 냉각기 (11) 외의 임의의 절연 부재에 제공될 수도 있다.
인버터 (10) 의 동작 동안 발생된 열이 냉각기 (11) 외의 수단에 의해 충분히 방출될 수 있는 한 인버터 (10) 는 냉각기 (11) 가 없을 수도 있다.
인버터 (10) 의 동작 동안 일어나는 열 응력이 충분히 낮은 한 인버터 (10) 는 응력 완화 부재 (35) 가 없을 수도 있다. 이 경우에, 냉각기 (11) 는 세라믹 기판 (21) 의 저면에 땜질된다.
냉각기 (11) 는 임의의 적합한 판상의 방열 부재에 의해 의해 교체될 수도 있다.
본 발명은, (10) 등의 삼상 인버터 뿐만 아니라, 단상 인버터 또는 DC-DC 컨버터에도 응용가능하다.

Claims (8)

  1. 제 1 배선층;
    상기 제 1 배선층으로부터 전기적으로 절연된 제 2 배선층;
    상기 제 1 배선층에 탑재된 제 1 반도체 소자;
    상기 제 2 배선층에 탑재된 제 2 반도체 소자;
    상기 제 2 반도체 소자를 상기 제 1 배선층에 전기적으로 접속시키기 위한 제 1 버스 바; 및
    상기 제 1 반도체 소자를 전지의 정극 단자 및 부극 단자 중 하나에 전기적으로 접속시키기 위한 제 2 버스 바를 포함하고,
    상기 제 1 버스 바는 상기 제 2 버스 바에 대해 오버랩되어, 상기 제 1 버스 바와 상기 제 2 버스 바 사이에 몰드 수지가 충전되도록 배치된, 반도체 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 배선층을 상기 전지의 정극 단자 및 부극 단자 중 다른 하나에 전기적으로 접속시키기 위한 제 3 버스 바를 더 포함하고,
    상기 제 2 버스 바는 상기 제 3 버스 바에 대해 오버랩되어, 상기 제 2 버스 바와 상기 제 3 버스 바 사이에 몰드 수지가 충전되도록 배치된, 반도체 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 배선층과 상기 제 2 배선층이 접합된 절연 층을 더 포함하는, 반도체 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 절연 층에 접합된 방열 부재를 더 포함하는, 반도체 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 절연 층과 상기 방열 부재 사이에 제공된 응력 완화 부재를 더 포함하는, 반도체 장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 반도체 소자는 각각 콜렉터 및 이미터를 갖는 3개 하부 아암 스위칭 소자들을 포함하고, 상기 제 2 반도체 소자는 각각 콜렉터 및 이미터를 갖는 3개 상부 아암 스위칭 소자들을 포함하고, 상기 제 1 배선층들의 수는 3개이고, 상기 하부 아암 스위칭 소자들의 콜렉터들은 상기 제 1 배선층들 각각에 전기적으로 접속되고, 상기 상부 아암 스위칭 소자들의 콜렉터들은 상기 제 2 배선층에 전기적으로 접속되고, 상기 상부 아암 스위칭 소자들의 이미터들은 상기 제 1 버스 바를 통해 상기 제 1 배선층들 각각에 전기적으로 접속되고, 상기 하부 아암 스위칭 소자들의 이미터들은 상기 제 2 버스 바를 통해 상기 전지의 부극 단자에 전기적으로 접속되고, 상기 제 3 버스 바는 상기 제 2 배선층에 접속된, 반도체 장치.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 방열 부재는, 내부에 복수의 냉매 채널들을 갖는 냉각기인, 반도체 장치.
  8. 제 1 배선층;
    상기 제 1 배선층으로부터 전기적으로 절연된 제 2 배선층;
    상기 제 1 배선층에 탑재된 제 1 반도체 소자;
    상기 제 2 배선층에 탑재된 제 2 반도체 소자; 및
    2개의 버스 바들을 포함하고,
    상기 2개의 버스 바들 중 하나는 상기 제 1 반도체 소자를 전지의 정극 단자 및 부극 단자 중 하나에 전기적으로 접속시키기 위해 제공되고, 상기 2개의 버스 바들 중 다른 하나는 상기 제 2 배선층을 상기 전지의 정극 단자 및 부극 단자 중 다른 하나에 전기적으로 접속시키기 위해 제공되고,
    상기 2개의 버스 바들은 서로 오버랩되어, 상기 버스 바들 사이에 몰드 수지가 충전되도록 배치되고,
    상기 2개의 버스 바들 중 하나를 통해 흐르는 전류의 방향은 상기 다른 버스 바를 통해 흐르는 전류의 방향과 반대인, 반도체 장치.

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