KR101512844B1 - 항산화막용 조성물, 이를 이용한 항산화막 형성방법 및이로부터 제조된 전자부품용 기재 - Google Patents

항산화막용 조성물, 이를 이용한 항산화막 형성방법 및이로부터 제조된 전자부품용 기재 Download PDF

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Abstract

본 발명은 불소계 고분자를 포함하거나 퍼플루오로폴리이써(Perfluoropolyether:PFPE) 유도체와 PFPE-혼화성 고분자를 포함하는 항산화막용 조성물, 이를 이용한 항산화막 형성방법 및 이로부터 제조된 전자부품용 기재에 관한 것이다. 본 발명의 조성물을 이용하면 용액 공정에 의해 항산화막을 형성할 수 있고, 전도성이 우수하고 제조 단가가 낮은 금속을 사용한 전자부품용 기재를 제공할 수 있다.
불소계 고분자, 항산화막, 퍼플루오로폴리이써, 광경화제, 전자부품용 기재

Description

항산화막용 조성물, 이를 이용한 항산화막 형성방법 및 이로부터 제조된 전자부품용 기재 {Composition for forming anti-oxide film, Method for forming anti-oxide film using it and Electronic components manufactured by the same}
본 발명은 항산화막용 조성물, 이를 이용한 항산화막 형성방법 및 이로부터 제조된 전자부품용 기재에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 불소계 고분자를 포함하거나 퍼플루오로폴리이써(Perfluoropolyether:PFPE) 유도체와 PFPE-혼화성 고분자를 포함하는 항산화막용 조성물, 이를 이용한 항산화막 형성방법 및 이로부터 제조된 전자부품용 기재에 관한 것이다.
현재 메모리 및 프로세스용 마이크로 소자에서 이용되는 배선 패드의 재료는 알루미늄으로서 재료의 특성상 다른 금속에 비해 전도성 및 가공 단가가 떨어진다. 한편 구리는 전기적인 특성이 금속 재료 중 가장 우수하고 비용 또한 저렴하지만 산화도가 높아 박막 형성시 일정한 산화막을 형성하여 기존 공정에 적용되기 어려운 실정이다. 따라서 구리의 산화막 형성을 막는 항산화막에 대한 연구가 활발 히 진행되고 있다. 기존의 구리 항산화막은 유기물을 이용한 자기 조립 단일층(self-assembled monolayer) (SAM) 항산화막으로서, 사용되는 유기물의 대표적인 예로 (3-머켑토프로필)-트리메톡시실란((3-mercaptopropyl)-trimethoxysilane)을 들 수 있다. 이와 같이 SAM에 의하여 항산화막을 형성하면 비교적 높은 항산화 효과를 기대할 수 있으나 장시간 침지하는 것이 필요하고 처리 공정 조건이 복잡하며 불량률이 높다.
따라서 공정성 및 경제성이 뛰어난 용액처리방식을 이용할 수 있고 항산화 효과가 높으며 후속 공정에 적합한 새로운 항산화막 재료에 대한 필요성이 대두되었다. 본 발명은 이같은 필요성에 대한 연구 결과로서 고분자 재료의 박막을 통한 금속 표면의 산화 방지 및 산화 지연과 관련된다.
본 발명이 이루고자 하는 하나의 기술적 과제는 금속 표면의 산화를 방지하거나 지연시킬 수 있는 항산화막용 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 항산화막용 조성물을 사용함으로써 용액처리공정을 이용할 수 있는 항산화막 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는 상기 항산화막용 조성물을 이용하여 형성한 항산화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 각종 전자부품 기재를 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 하나의 양상은 불소계 고분자를 포함하거나 하기 화학식 1 또는 화학식 2의 퍼플루오로폴리이써(Perfluoropolyether:PFPE) 유도체와 PFPE-혼화성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 항산화막용 조성물에 관한 것이다.
[화학식 1]
A-CF2O(CF2CF2O)m(CF2O)nCF2-A
[화학식 2]
CF3O(CF2CF2O)m(CF2O)nCF2-A
상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
A는 A'또는 RA' 이고 상기 A'는 COF, SiX1X2X3(여기서 X1, X2 및 X3은 각각 독립적으로 탄소수 1~10개의 알킬기로서, 이들 중 하나 이상은 C1~C10의 알콕시기이다), 실라놀, 클로로실란, 카르복실산, 알코올, 아민, 인산 및 이들의 유도체들로 구성되는 군에서 선택되는 작용기이고, 상기 R은 C1-C30의 치환 또는 비치환 알킬렌기로서, 여기서 치환기는 히드록시기, C1-C10의 알킬기, 히드록시알킬기, 아마이드기, 니트로기, C2-C30의 알케닐기, C1-C30의 알콕시기, C2-C30의 알콕시알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이며,
m은 1 내지 50 이고, n은 1 내지 50 이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 양상은 본 발명의 항산화막용 조성물을 금속 표면에 코팅하는 것을 특징으로 하는 항산화막 형성 방법에 관한 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 양상은 본 발명의 항산화막용 조성물을 금속 표면에 코팅함으로써 형성된 항산화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품용 기재에 관한 것이다.
이하에서 첨부 도면을 참고하여 본 발명에 관하여 더욱 상세하게 설명한다.
하나의 양상에서, 본 발명은 불소계 고분자를 포함하거나 하기 화학식 1 또는 화학식 2의 퍼플루오로폴리이써(Perfluoropolyether:PFPE) 유도체와 PFPE-혼화성 고분자를 포함하는 항산화막용 조성물을 특징으로 한다.
[화학식 1]
A-CF2O(CF2CF2O)m(CF2O)nCF2-A
[화학식 2]
CF3O(CF2CF2O)m(CF2O)nCF2-A
상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
A는 A'또는 RA' 이고 상기 A'는 COF, SiX1X2X3(여기서 X1, X2 및 X3은 각각 독립적으로 탄소수 1~10개의 알킬기로서, 이들 중 하나 이상은 C1~C10의 알콕시기이다), 실라놀, 클로로실란, 카르복실산, 알코올, 아민, 인산 및 이들의 유도체들로 구성되는 군에서 선택되는 작용기이고, 상기 R은 C1-C30의 치환 또는 비치환 알킬렌기로서, 여기서 치환기는 히드록시기, C1-C10의 알킬기, 히드록시알킬기, 아마이드기, 니트로기, C2-C30의 알케닐기, C1-C30의 알콕시기, C2-C30의 알콕시알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이며,
m은 1 내지 50 이고, n은 1 내지 50 이다.
본 발명의 조성물은 그 자체가 불소계인 고분자를 포함하거나 고분자와 혼합되어 불소계 특성을 나타낼 수 있는 소수성 불소재료인 퍼플루오로폴리이써를 포함함으로써 우수한 발수 효과 및 확산 장벽을 통한 항산화 효과를 극대화시킬 수 있다.
본 발명의 조성물에서 상기 불소계 고분자는 실리콘 고무, 폴리불소화비닐리덴, 플루오로올레핀, 비닐에테르계 공중합체, 3불소화에틸렌, 불소화비닐리덴 공중합체, 폴리테트라플루오로에틸렌, 퍼-플루오로에틸렌프로필렌수지, 퍼-플루오로알콕시수지, Teflon®, Nafion®, Cytop®로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 퍼플루오로폴리이써의 중량평균분자량은 1,000-20,000 범위 내일 수 있다. 상기 화학식 1의 퍼플루오로폴리이써의 바람직한 예로는 하기 화학식 3의 화합물을 들 수 있다.
Figure 112008008616979-pat00001
본 발명에서 상기 퍼플루오로폴리이써와 PFPE-혼화성 고분자는 혼합된 형태일 수 있고 공중합체를 형성할 수도 있다. PFPE-혼화성 고분자는 퍼플루오로폴리이 써와 섞일 수 있는 모든 고분자를 의미하며 바람직하게는 -OH, -COOH, -NH2, -CONH2 등과 같은 작용기를 가질 수 있다.
본 발명에서 상기 PFPE-혼화성 고분자는 주쇄 또는 측쇄 중 적어도 한 곳에 1종 이상의 감광성 작용기를 포함하는 감광성 고분자일 수 있다.
본 발명에서 “감광성 고분자 (photosensitive polymers)”라는 용어는 빛에 의하여 분해하거나 가교반응하는 감광성 작용기를 포함하는 고분자나 광가교제를 혼합함으로써 감광 재료로 되는 고분자를 의미한다.
상기 감광성 작용기는 특별히 제한되지 않고, 기존에 알려진 모든 감광성 작용기가 될 수 있지만 아크릴레이트, 실록산, 이미드, 아마이드, 비닐, 우레탄, 에스터, 에폭시, 알코올로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 작용기를 포함할 수 있다.
상기 감광성 고분자는 수용성 감광성 고분자일 수 있다. 이러한 수용성 감광성 고분자의 구체적인 예들은 폴리비닐알코올, 폴리비닐클로라이드, 폴리아크릴 아마이드, 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리메틸비닐에테르, 폴리에틸렌이민, 폴리페닐렌비닐렌, 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole) 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하나, 반드시 이들로 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서 PFPE-혼화성 고분자는 중량 평균 분자량이 5×102 내지 1×106 이고, 바람직하게는 20,000 내지 100,000 이다.
본 발명의 조성물에서 상기 퍼플루오로폴리이써와 PFPE-혼화성 고분자의 부피비는 15:85 내지 1:99 일 수 있다. 퍼플루오로폴리이써의 양이 상대적으로 많아지면 가교성이 감소할 수 있고, 이와 반대로 퍼플루오로폴리이써의 양이 감소하면 생성된 박막의 소수성과 확산 방지 기능이 감소될 우려가 있다.
본 발명의 항산화막용 조성물은 광경화제를 더 포함할 수 있다. 상기 광경화제는 UV 조사에 의한 경화를 촉진시키는 기능을 하는 것으로, 본 발명에서 사용가능한 광경화제의 종류는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어, 암모니움 디크로메이트(ammonium dichromate), 펜타에리쓰리톨 트리아크릴레이트(pentaerythritol triacrylate), 우레탄 아크릴레이트(urethane acrylate) 등의 물질을 단독으로 사용하거나 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.
본 발명의 조성물에서 광경화제는 탈이온수에 용해되어 있는 PFPE-혼화성 고분자에 고체함량 기준으로 질량비 0.005:1 내지 0.05:1의 비율로 첨가될 수 있고, 바람직하게는 0.01:1 내지 0.04:1의 비율로 첨가될 수 있다.
본 발명의 항산화막용 조성물에는 상기 필수 구성 성분 이외에, 필요에 따라서 상용성이 있는 중합체나 각종 첨가제, 예컨대 착색제, 가소제, 계면활성제, 커플링제 등을 적당하게 첨가, 배합시킬 수가 있다. 이러한 기타 첨가제들은 단독으로 사용하여도 좋고, 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.
본 발명의 항산화막용 조성물은 구리, 알루미늄, 철, 몰리브덴으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 표면에 적용될 수 있으며, 용액 공정을 통한 패턴 형성이 가능한 조성물로서 항산화 효과가 높고 Au 와이어링과 같은 후속 공정에 적합하다.
다른 양상에서 본 발명은 항산화막 형성방법에 관계한다. 본 발명에 의해 항산화막을 형성하기 위하여 금속 표면에 본 발명의 불소계 고분자를 포함하는 조성물을 코팅하거나 퍼플루오로폴리이써와 PFPE-혼화성 고분자를 포함하는 조성물을 코팅한다. 상기 PFPE-혼화성 고분자가 감광성 고분자인 경우에는 코팅후, UV를 조사하여 노광시키고 현상하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이하에서 본 발명의 방법에 대해서 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 항산화막 형성방법의 공정개략도이다. 도 1을 참고하면, 구체적으로 본 발명의 방법은 본 발명의 항산화막용 조성물을 금속 표면에 코팅하여 코팅막을 형성하는 단계, 상기 항산화막용 조성물의 코팅막을 마스크를 통해서 선택적으로 노광시키는 단계 및 현상액으로 현상하여 항산화막을 형성하는 단계를 거쳐 진행될 수 있다. 필요에 따라서 선택적으로 베이킹 단계를 거칠 수 있다
본 발명의 항산화막용 조성물을 이용하여 코팅막을 형성하는 방법으로서는 스핀 코팅, 딥코팅, 캐스팅, 마이크로 그라비아 코팅, 그라비아 코팅, 바코팅, 롤 코팅, 와이어 바 코팅, 침지 코팅, 분무 코팅, 스크린 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 인쇄법 등의 코팅 방법을 이용할 수 있다. 항산화막용 조성물로부터 막을 형성하는 데 사용하는 용매로서는 물, 알코올, 톨루엔, 크실렌, 클로로포름, 테트라히드로푸란 등을 예로 들 수 있다.
코팅 후에는 건조(drying) 단계를 거쳐 UV조사 및 현상할 수 있는데, 상기 건조는 통상의 방법에 의하여 수행한다. 노광은 마스크를 통해 수행될 수 있고, 노광을 위한 광원은 본 발명의 감광성 고분자의 감광성 작용기를 감광시킬 수 있는 것이라면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 자외선(UV), X-선, 전자선, 엑시머(eximer) 레이저(F2, ArF, 또는 KrF 레이저), 및 고압 수은 등이 광원으로 사용될 수 있다. 노광 에너지는 감광성 작용기의 구조와 사용된 광원의 에너지에 관하여 적절하게 정해질 수 있는데, 예를 들어, 340 내지 400 nm의 파장에서 300 내지 500W의 파워를 가진 자외선 램프로 10초 내지 180초 동안 조사하여 수행할 수 있다.
현상을 위한 현상액은, 그것이 미노광 영역과 노광 영역 간에 용해도에 충분한 차이를 준다면 한정되지 않는다. 물 또는 물과 상용하는 유기 용매와 물의 혼합 용액이 감광성 고분자의 미노광 영역을 용해시킬 수 있는 용매로서 사용될 수 있다. 물과 상용하는 유기 용매의 비한정적인 예는 아세톤, 메탄올과 같은 저당 알코올, 아세토나이트릴 및 테트라하이드로퓨란과 같은 케톤들이다. 현상액으로는 혼합 용액을 사용할 수 있다.
수용성 감광성 고분자를 사용한 항산화막용 조성물을 사용하는 경우에는, UV조사 후 현상 단계에서 탈이온수를 이용할 수 있다. 예를 들어, 실온에서 1 내지 5분간 탈이온수를 이용하여 현상할 수 있다.
현상 후에는 필요에 따라서 베이킹(baking)을 실시할 수 있다. 베이킹 조건은 특별히 제한되지 않는데, 예를 들어 핫플레이트(hot plate)에서 50 내지 150℃의 온도로 0.5 내지 2시간 동안 수행될 수 있다.
또 다른 양상에서, 본 발명은 본 발명의 항산화막용 조성물에 의해 형성된 항산화막을 포함하는 전자부품용 기재를 제공한다. 상기 전자부품용 기재는 메모리 및 프로세스용 마이크로 소자의 배선 패드, 광센서, 디스플레이용 방열판, 유기박막 트랜지스터의 배선 및 전극, 디스플레이 표시소자의 전극, 전지소자의 배선 및 전극 등을 포함할 수 있으나 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
이하에서 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명을 제한하기 위한 것은 아니다.
실시예 1: 항산화막용 조성물의 합성
폴리비닐알코올(0.5 wt% in Di-water, Kanto Chemical Co.)에 암모니움 디크로메이트(ammonium dichromate, Sigma Aldrich)를 고체 함량 기준으로 1:0.03의 질량비로 혼합하였다. 상기 혼합물과 퍼를루오로폴리이써-포스페이트(Perfluoropolyether-phosphate) 유도체 (PT5045, Solvay solexis)의 부피비가 99:1이 되도록 혼합한 후 교반시켜 항산화막용 조성물을 준비하였다.
실시예 2: 항산화막용 조성물의 합성
상기 실시예 1의 폴리비닐알코올(0.5 wt% in Di-water, Kanto Chemical Co.) 및 암모니움 디크로메이트(ammonium dichromate, Sigma Aldrich) 혼합물과 퍼를루오로폴리이써-포스페이트(Perfluoropolyether-phosphate) 유도체(PT5045, Solvay solexis)의 부피비가 97:3 인 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 항산화막용 조성물을 준비하였다.
실시예 3: 구리 항산화막의 제조
실시예 1에서 합성한 항산화막용 조성물을 물로 1/10 희석시켜 구리금속 상에 스핀 코팅법을 이용하여 2000rpm에서 코팅한 후 상온에서 15분간 건조시켰다. 건조된 표면에 마스크를 얹어 340-400 nm의 파장에서 400W/cm3 의 파워를 가진 UV 램프로 20초 동안 조사하고, 실온에서 탈이온수(deionized water)로 3분간 현상하였다. 이때 UV가 조사된 부분만 남고 조사되지 않은 부분은 용해되어 원하는 위치에 패턴이 형성되었다. 이후 핫플레이트에서 110℃ 의 온도로 30분간 베이킹하여 2000Å 두께의 항산화막을 형성하였다.
실시예 4: 구리 항산화막의 제조
실시예 1에서 합성한 항산화막용 조성물을 물로 1/5 희석시켜 구리금속 상에 스핀 코팅법을 이용하여 2000rpm에서 코팅한 후 상온에서 15분간 건조시켰다. 건조된 표면에 마스크를 얹어 340-400 nm의 파장에서 400W/cm3 의 파워를 가진 UV 램프로 20초 동안 조사하고, 실온에서 탈이온수(deionized water)로 3분간 현상하 였다. 이때 UV가 조사된 부분만 남고 조사되지 않은 부분은 용해되어 원하는 위치에 패턴이 형성되었다. 이후 핫플레이트에서 110℃ 의 온도로 30분간 베이킹하여 2000Å 두께의 항산화막을 형성하였다.
실험예 1
실시예 3에서 제조한 구리 항산화막이 형성된 기판 패드에 마찰에 의해 발생된 열로 Au와이어를 용융하여 접합시키는 Au 와이어링을 하였다.
실험예 2
실시예 4에서 제조한 구리 항산화막이 형성된 기판 패드에 실험예 1과 동일한 방법으로 Au 와이어링을 하였다.
비교실험예
항산화막이 형성되지 않은 기판 패드에 실험예 1과 동일한 방법으로 Au를 와이어링하였다. 상기 실험예 및 비교실험예에 의한 Au 와이어링의 시간에 따른 접합완성도에 대한 불량률을 육안 및 전도도에 의해 측정하였다.
도 2는 본 발명의 실험예에 의한 구리 항산화막이 형성된 기판 패드에 Au가 와이어링된 SEM 사진으로 구리 항산화막이 형성된 기판 패드를 사용한 경우 와이어링의 성공률이 높음을 알 수 있다. 도 3은 상기 실험예 및 비교실험예에 의한 Au 와이어링 공정의 불량률을 비교한 그래프로 항산화막이 형성되지 않은 기판 패드의 경우 시간에 따른 Au 와이어링의 실패율이 급격히 높아지는 반면 본 발명에 의한 항산화막이 형성된 기판 패드를 사용한 경우 시간에 따른 Au 와이어링의 실패율이 현저히 감소함을 알 수 있다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 방법에 의한 항산화막이 형성된 기판 패드는 Au 와이어링과 같은 후속 공정에 적합함을 알 수 있다.
이상에서 구체적인 실시예를 들어 본 발명을 상세하게 설명하였으나, 이들은 단지 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 많은 변형이 가능함은 자명할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 항산화막 형성 방법의 공정개략도,
도 2는 본 발명의 실험예 1에 의한 구리 항산화막이 형성된 배선 기판에 Au가 와이어링된 SEM 사진,
도 3은 본 발명의 실험예 및 비교실험예에 의한 Au 와이어링 공정의 불량률을 비교한 그래프이다.

Claims (18)

  1. 불소계 고분자를 포함하거나 하기 화학식 1 또는 화학식 2의 퍼플루오로폴리이써(Perfluoropolyether:PFPE) 유도체와 PFPE-혼화성 고분자를 포함하는 항산화막용 조성물로서, 상기 불소계 고분자는 실리콘 고무, 폴리불소화비닐리덴, 플루오로올레핀, 비닐에테르계 공중합체, 3불소화에틸렌, 불소화비닐리덴 공중합체, 폴리테트라플루오로에틸렌, 퍼-플루오로에틸렌프로필렌수지,퍼-플루오로알콕시수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항산화막용 조성물.
    [화학식 1]
    A-CF2O(CF2CF2O)m(CF2O)nCF2-A
    [화학식 2]
    CF3O(CF2CF2O)m(CF2O)nCF2-A
    　　　　 상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
    A는 A'또는 RA' 이고 상기 A'는 COF, SiX1X2X3(여기서 X1, X2 및 X3은 각각 독립적으로 탄소수 1~10개의 알킬기로서, 이들 중 하나 이상은 C1~C10의 알콕시기이다), 실라놀, 클로로실란, 카르복실산, 알코올, 아민, 인산 및 이들의 유도체들로 구성되는 군에서 선택되는 작용기이고, 상기 R은 C1-C30의 치환 또는 비치환 알킬렌기로서, 여기서 치환기는 히드록시기, C1-C10의 알킬기, 히드록시알킬기, 아마이드기, 니트로기, C2-C30의 알케닐기, C1-C30의 알콕시기, C2-C30의 알콕시알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이며,
    m은 1 내지 50 이고, n은 1 내지 50 이다.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서 상기 퍼플루오로폴리이써 유도체와 PFPE-혼화성 고분자는 공중합체를 형성하는 것을 특징으로 하는 항산화막용 조성물.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 PFPE-혼화성 고분자는 감광성 고분자인 것을 특징으로 하는 항산화막용 조성물.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 감광성 고분자가 주쇄 또는 측쇄 중 적어도 한 곳에 아크릴레이트, 실록산, 이미드, 아마이드, 비닐, 우레탄, 에스터, 에폭시, 알코올로 이루어진 군으로부터 선택되는 감광성 작용기를 1종 이상 포함하는 고분자임 을 특징으로 하는 항산화막용 조성물.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 감광성 고분자가 수용성 감광성 고분자임을 특징으로 하는 항산화막용 조성물.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 수용성 감광성 고분자가 폴리비닐알코올, 폴리비닐클로라이드, 폴리아크릴 아마이드, 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리메틸비닐에테르, 폴리에틸렌이민, 폴리페닐렌비닐렌, 폴리아닐린, 폴리피롤 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항산화막용 조성물.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 항산화막용 조성물에서 상기 퍼플루오로폴리이써 유도체와 상기 PFPE-혼화성 고분자의 부피비는 15:85 내지 1:99인 것을 특징으로 하는 항산화막용 조성물.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 조성물은 광경화제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 항산화막용 조성물.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 항산화막용 조성물이 상기 PFPE-혼화성 고분자에 대해서 상기 광경화제를 고체함량 기준으로 질량비 0.005:1 내지 0.05:1의 비율로 포함하는 것을 특징으로 하는 항산화막용 조성물.
  11. 제 9항에 있어서, 상기 광경화제는 암모니움 디크로메이트, 펜타에리쓰리톨 트리아크릴레이트 및 우레탄 아크릴레이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항산화막용 조성물.
  12. 제 1항, 3항 내지 제 11항 중 어느 하나의 항에 따른 항산화막용 조성물을 금속 표면에 코팅하여 항산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 항산화막 제조방법.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 금속은 구리, 알루미늄, 철, 몰리브덴으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항산화막 제조방법.
  14. 제 12항에 있어서, 상기 코팅은 스핀 코팅, 딥코팅, 캐스팅, 마이크로 그라비아 코팅, 그라비아 코팅, 바코팅, 롤 코팅, 와이어 바 코팅, 침지 코팅, 분무 코팅, 스크린 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 인쇄법에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 항산화막 제조방법.
  15. 제 12항에 있어서 상기 제조방법은 상기 코팅 후 마스크를 통해서 선택적으로 노광시킨 후 현상하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 항산화막 제조방법.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 현상 단계는 실온에서 1 내지 5 분간 탈이온수로 현상하는 것을 특징으로 하는 항산화막 제조방법.
  17. 제 1항, 3항 내지 제 11항 중 어느 하나의 항에 따른 항산화막용 조성물을 코팅하여 형성된 항산화막을 포함하는 전자부품용 기재.
  18. 제 17항에 있어서 상기 전자부품용 기재는 메모리 및 프로세스용 마이크로 소자의 배선 패드, 광센서, 디스플레이용 방열판, 유기 박막 트랜지스터의 배선 및 전극, 디스플레이 표시소자의 전극, 전지소자의 배선 및 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품용 기재.
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