KR101479506B1 - 임베디드 배선 기판, 이를 포함하는 반도체 패키지 및 그제조 방법 - Google Patents

임베디드 배선 기판, 이를 포함하는 반도체 패키지 및 그제조 방법 Download PDF

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Abstract

임베디드 배선 기판이 제공된다. 이 배선 기판은 요부를 갖는 제 1 면, 및 제 1 면에 대향하는 제 2 면을 포함하는 인쇄 회로 기판, 인쇄 회로 기판을 관통하는 관통 전극들, 인쇄 회로 기판의 요부에 임베디드되되, 제 1 면 방향으로 노출되는 본딩 패드들을 포함하는 반도체 칩을 포함하는 반도체 칩군, 제 1 면 방향으로 노출된 관통 전극들 및 본딩 패드들 상에 제공된 범프들, 및 범프들과 전기적으로 연결되는 접속 전극 패턴들이 형성된 제 1 면, 및 제 1 면에 대향하는 제 2 면을 포함하고, 관통된 개구부들을 갖는 필름 기판을 포함한다.
Figure R1020080062708
임베디드, 인쇄 회로 기판, 플립 칩, 범프, 패키지

Description

임베디드 배선 기판, 이를 포함하는 반도체 패키지 및 그 제조 방법{Embedded Wiring Board, Semiconductor Package Including Embedded Wiring Board, and Method of Fabricating the Same}
본 발명은 반도체 패키지에 관한 것으로, 더 구체적으로 임베디드 배선 기판을 포함하는 반도체 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 산업에서 집적 회로에 대한 패키징(packaging) 기술은 소형화에 대한 요구를 만족시키기 위해 지속적으로 발전하고 있다. 또한, 복수의 반도체 칩들을 하나의 패키지 내에 실장하는 멀티칩(multi-chip) 패키지가 연구되고 있다. 멀티칩 패키지 중에서, 각각 다른 기능을 수행하는 복수의 반도체 칩들을 하나의 패키지에 실장하여 시스템을 실현하는 시스템 인 패키지(System In Package : SIP)가 주목받고 있다.
또한, 시스템 인 패키지의 고속 동작을 실현하기 위하여, 비메모리 소자인 로직 소자와 메모리 소자가 직접 연결되는 것이 요구되고 있다. 그러나, 비메모리 소자와 메모리 소자가 서로 다른 패드 위치를 가지거나, 이러한 소자들의 설계가 변경되면 서로 직접 연결을 하는 것이 불가능해진다. 이에 따라, 반도체 소자들의 종류나 설계에 관계없이, 상호 연결이 가능한 반도체 패키지가 요구되고 있다. 이에 따라, 임베디드(embedded) 기술의 활용이 높아지고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 제조 공정에서 용이한 정렬, 저렴한 비용, 양면의 사용 및 반도체 칩의 적층을 추구할 수 있는 임베디드 배선 기판을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 제조 공정에서 용이한 정렬, 저렴한 비용, 양면의 사용 및 반도체 칩의 적층을 추구할 수 있는 임베디드 배선 기판을 포함하는 반도체 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상기한 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 임베디드 배선 기판을 제공한다. 이 배선 기판은 요부를 갖는 제 1 면, 및 제 1 면에 대향하는 제 2 면을 포함하는 인쇄 회로 기판, 인쇄 회로 기판을 관통하는 관통 전극들, 인쇄 회로 기판의 요부에 임베디드되되, 제 1 면 방향으로 노출되는 본딩 패드들을 포함하는 반도체 칩을 포함하는 반도체 칩군, 제 1 면 방향으로 노출된 관통 전극들 및 본딩 패드들 상에 제공된 범프들, 및 범프들과 전기적으로 연결되는 접속 전극 패턴들이 제공된 제 1 면, 및 제 1 면에 대향하는 제 2 면을 포함하고, 관통된 개구부들을 갖는 필름 기판을 포함할 수 있다.
필름 기판은 광감성 드라이 필름 또는 레이저 천공 폴리이미드 필름을 포함 할 수 있다.
반도체 칩군은 적어도 하나의 메모리 칩을 포함할 수 있다.
반도체 칩군을 포함하는 인쇄 회로 기판과 필름 기판 사이에 제공된 몰딩층을 더 포함할 수 있다.
상기한 다른 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 반도체 패키지를 제공한다. 이 반도체 패키지는 위에서 설명한 것과 같은 구조를 갖는 임베디드 배선 기판 및 필름 기판의 개구부들을 통해 접속 전극 패턴들과 전기적으로 연결되는 다른 반도체 칩을 포함할 수 있다.
다른 반도체 칩은 로직 소자일 수 있다.
인쇄 회로 기판의 제 2 면에 제공된 접속 전극들 및 접속 전극들 상에 제공된 접속 단자들을 더 포함할 수 있다.
다른 반도체 칩 및 필름 기판의 제 2 면을 덮도록 제공된 몰딩부를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 반도체 패키지의 제조 방법을 제공한다. 이 방법은 필름 기판의 제 1 면 상에 접속 전극 패턴들을 형성하는 것, 접속 전극 패턴들에 전기적으로 연결되도록 플립 칩 방식으로 반도체 칩군을 실장하는 것, 반도체 칩군을 임베디드하되, 접속 전극 패턴들에 전기적으로 연결되도록 인쇄 회로 기판을 실장하는 것, 및 필름 기판의 제 2 면으로부터 접속 전극 패턴들을 노출하는 개구부들을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 인쇄 회로 기판은 반도체 칩군을 임베디드하기 위한 요부를 갖는 제 1 면, 제 1 면에 대향하는 제 2 면을 포함하고, 관통 전극들은 인 쇄 회로 기판을 관통하고, 인쇄 회로 기판의 제 1 면 방향으로 노출된 관통 전극들이 접속 전극 패턴들과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 할 수 있다.
반도체 칩군 및 인쇄 회로 기판은 범프들을 매개로 접속 전극 패턴들에 전기적으로 연결되도록 실장될 수 있다.
필름 기판은 광감성 드라이 필름 또는 레이저 천공 폴리이미드 필름을 포함할 수 있다.
접속 전극 패턴들을 형성하기 전에 필름 기판의 제 2 면을 지지 기판에 접착하는 것을 더 포함할 수 있다. 인쇄 회로 기판을 실장한 후에 지지 기판을 제거하는 것을 더 포함할 수 있다.
접속 전극 패턴들을 형성하는 것은 필름 기판의 제 1 면 상에 도전막을 형성하는 것 및 도전막을 패터닝하는 것을 포함할 수 있다. 도전막을 형성하는 것은 무전해 도금 방식을 사용할 수 있다.
반도체 칩군은 적어도 하나의 메모리 칩을 포함할 수 있다.
반도체 칩군을 포함하는 인쇄 회로 기판과 필름 기판 사이에 몰딩층을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.
개구부들을 형성하는 것은 사진 식각 방식 또는 레이저 천공 방식을 사용할 수 있다.
필름 기판의 개구부들을 통해 접속 전극 패턴들과 전기적으로 연결되도록 다른 반도체 칩을 실장하는 것을 더 포함할 수 있다.
다른 반도체 칩은 로직 소자일 수 있다.
인쇄 회로 기판은 제 2 면에 제공된 접속 전극들을 더 포함하고, 접속 전극들 상에 접속 단자들을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.
다른 반도체 칩 및 필름 기판의 제 2 면을 덮는 몰딩부를 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 과제 해결 수단에 따르면 반도체 칩군과 인쇄 회로 기판이 미리 형성된 필름 기판 상의 접속 전극 패턴들에 플립 칩(Flip Chip : F/C) 방식으로 실장되기 때문에, 제조 공정에서 정렬(alignment)이 용이할 수 있고, 반도체 칩의 본딩 패드들 사이의 피치(pitch)에 대한 제한이 매우 적고, 추가적인 재배선을 형성하는 공정이 없어 공차에 대한 부담이 없으며 그리고 반도체 칩의 적층이 추구될 수 있는 임베디드 배선 기판 및 그 제조 방법이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 과제 해결 수단에 따르면 반도체 칩군과 인쇄 회로 기판이 미리 형성된 필름 기판 상의 접속 전극 패턴들에 플립 칩 방식으로 실장되기 때문에, 제조 공정에서 정렬이 용이할 수 있고, 반도체 칩의 본딩 패드들 사이의 피치에 대한 제한이 매우 적고, 추가적인 재배선을 형성하는 공정이 없어 공차에 대한 부담이 없으며 그리고 반도체 칩의 적층이 추구될 수 있는 임베디드 배선 기판이 제공될 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자들의 종류나 설계에 관계없이, 상호 연결이 가능한 반도체 패키지 및 그 제조 방법이 제공될 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명 하기로 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 또한, 바람직한 실시예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 막이 다른 막 또는 기판 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 막이 개재될 수도 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 임베디드 배선 기판을 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 임베디드 배선 기판(100)은 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board : PCB, 210), 반도체 칩군(semiconductor chip group, 110s), 반도체 칩용 범프들(semiconductor chip bump, 112), 인쇄 회로 기판용 범프들(PCB bump, 222), 필름 기판(film substrate, 310) 및 몰딩층(molding layer, 350)을 포함할 수 있다.
인쇄 회로 기판(210)은 요부(216)를 갖는 제 1 면 및 제 1 면에 대향하는 제 2 면을 포함할 수 있다. 인쇄 회로 기판(210)은 내부 배선(미도시)을 포함하는 코어부(core part, 212)를 몸체로 하여 요부(216)를 제외한 제 1 면 상의 제 1 면 절연막 패턴(214f) 및 제 2 면 상의 접속 전극들(220)을 포함하는 제 2 면 절연막 패 턴(214s)을 가질 수 있다. 관통 전극들(218)은 인쇄 회로 기판(210)을 관통하여, 인쇄 회로 기판(210)의 제 1 면 및 제 2 면을 서로 전기적으로 연결할 수 있다. 관통 전극들(218)은 인쇄 회로 기판(210)의 제 1 면 및 제 2 면을 서로 전기적으로 연결하는 동시에 제 1 면 및 제 2 면 방향들로 노출된 표면들을 가질 수 있다. 제 1 면 방향이란 제 1 면에 수직이면서 인쇄 회로 기판(210)의 바깥으로 향하는 방향일 수 있다. 제 2 면 방향이란 제 2 면에 수직이면서 인쇄 회로 기판(210)의 바깥으로 향하는 방향일 수 있다. 제 1 면 방향과 제 2 면 방향은 서로 반대 방향일 수 있다.
인쇄 회로 기판(210)의 제 1 면에 형성된 요부(216)는 반도체 칩군(110s)을 임베디드하기 위한 것일 수 있다. 인쇄 회로 기판(210)의 제 1 면 방향으로 노출된 관통 전극들(218)의 표면들은 인쇄 회로 기판용 범프들(222)을 매개로 필름 기판(310)의 제 1 면 상에 형성된 접속 전극 패턴들(312)과 전기적으로 연결될 수 있다. 인쇄 회로 기판(210)의 제 2 면에 포함된 접속 전극들(220)은 솔더 볼들과 같은 접속 단자들(도 2의 220 참조)을 매개로 인쇄 회로 기판(210)과 시스템 기판(system board) 등과 같은 외부 회로 사이의 전기적인 연결을 제공할 수 있다.
반도체 칩군(110s)은 인쇄 회로 기판(210)의 제 1 면에 형성된 요부(216)에 임베디드될 수 있다. 인쇄 회로 기판(210)의 제 1 면에 형성된 요부(216)와 반도체 칩군(110s)의 형태가 서로 동일하다면, 반도체 칩군(110s)은 접착 물질막(미도시)을 매개로 인쇄 회로 기판(210)의 제 1 면에 형성된 요부(216)에 임베디드될 수 있다. 반도체 칩군(110s)은 인쇄 회로 기판(210)의 제 1 면 방향으로 노출되는 본딩 패드들(미도시)을 포함하는 반도체 칩을 포함할 수 있다. 반도체 칩군(110s)은 적어도 하나의 메모리 칩(memory chip)을 포함할 수 있다. 인쇄 회로 기판(210)의 제 1 면 방향으로 노출된 반도체 칩의 본딩 패드들은 반도체 칩용 범프들(112)을 매개로 필름 기판(310)의 제 1 면 상에 형성된 접속 전극 패턴들(312)과 전기적으로 연결될 수 있다.
반도체 칩군(110s)이 복수개의 메모리 칩들을 포함하는 경우, 복수개의 메모리 칩들은 복수개의 메모리 칩들을 관통하는 관통 전극들에 의해 서로 전기적으로 연결되어 필름 기판(310)의 제 1 면 상에 형성된 접속 전극 패턴들(312)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또는 반도체 칩군(110s)의 복수개의 메모리 칩들 중 최하부의 메모리 칩을 제외한 상부의 메모리 칩들은 와이어 본딩(wire bonding) 방식을 사용하여 필름 기판(310)의 제 1 면 상에 형성된 접속 전극 패턴들(312)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 더하여, 반도체 칩군(110s)의 복수개의 메모리 칩들 중 하부 쪽에 배치되는 메모리 칩들은 관통 전극에 의해 서로 전기적으로 연결되어, 상부 쪽에 배치되는 메모리 칩들은 와이어 본딩 방식을 사용하여 각각 필름 기판(310)의 제 1 면 상에 형성된 접속 전극 패턴들(312)과 전기적으로 연결될 수 있다.
반도체 칩용 범프들(112) 및 인쇄 회로 기판용 범프들(222)은 각각 인쇄 회로 기판(210)의 제 1 면 방향으로 노출된 본딩 패드들 및 관통 전극들(218) 상에 제공될 수 있다. 이에 따라, 반도체 칩군(110s)은 반도체 칩용 범프들(112)을 매개로 필름 기판(310)의 제 1 면에 대해 플립 칩 형태로 접속될 수 있다. 또한, 인쇄 회로 기판(210)의 관통 전극들(218)은 인쇄 회로 기판용 범프들(222)을 매개로 필름 기판(310)의 제 1 면에 제공된 접속 전극 패턴들(312)과 전기적으로 연결될 수 있다.
필름 기판(310)은 반도체 칩용 범프들(112) 및 인쇄 회로 기판용 범프들(222)과 전기적으로 연결되는 접속 전극 패턴들(312)이 제공된 제 1 면 및 제 1 면에 대향하는 제 2 면을 포함할 수 있다. 필름 기판(310)은 다른 반도체 칩이 접속 전극 패턴들(312)과 전기적으로 연결되기 위해 관통된 개구부들을 가질 수 있다. 필름 기판(310)은 광감성 드라이 필름(photo-sensitive dry film) 또는 레이저 천공 폴리이미드 필름(laser-punched polyimide film)일 수 있다.
몰딩층(350)은 반도체 칩군(110s)을 포함하는 인쇄 회로 기판(210)과 필름 기판(310) 사이에 제공될 수 있다. 몰딩층(350)은 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound : EMC)로 형성될 수 있다. 인쇄 회로 기판(210)의 제 1 면에 형성된 요부(216)에 비해 반도체 칩군(110s)이 작은 형태를 가진다면, 몰딩층(350)은 반도체 칩군(110s)과 인쇄 회로 기판(210)의 요부(216) 사이의 공간을 채워, 인쇄 회로 기판(210)이 반도체 칩군(210)을 임베디드하도록 할 수 있다. 이에 따라, 몰딩층(350)은 반도체 칩군(110s)을 화학적/물리적인 외부 환경으로부터 보호할 수 있으며, 그리고 임베디드 배선 기판(100)의 전기적/물리적 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상기와 같은 임베디드 배선 기판은 반도체 칩군과 인쇄 회로 기판을 미리 형성된 필름 기판 상의 접속 전극 패턴들에 플립 칩 방식으로 실장하기 때문에, 제조 공정에서 정렬이 용이할 수 있고, 반도체 칩의 본딩 패드들 사이의 피치에 대한 제한이 매우 적고, 추가적인 재배선을 형성하는 공정이 없어 공차에 대한 부담이 없으며 그리고 반도체 칩의 적층이 추구될 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 단면도이다. 설명의 간편성을 위해, 도 2에 대한 설명은 도 1의 설명과 동일한 부분을 일부 생략하고 기재된다.
도 2를 참조하면, 반도체 패키지(200)는 도 1에서 설명된 임베디드 배선 기판(도 1의 100 참조), 다른 반도체 칩(410), 몰딩부(450) 및 접속 단자들(230)을 포함할 수 있다.
다른 반도체 칩(410)은 비메모리 소자인 로직 소자(logic device)일 수 있다. 다른 반도체 칩(410)은 본딩 패드들(미도시) 상에 형성된 범프들(412) 및 범프들(412) 상에 제공된 본딩 전극들(414)을 매개로 필름 기판(310)의 제 2 면에 대해 플립 칩 형태로 접속될 수 있다.
다른 반도체 칩(410)의 본딩 패드들 상에 솔더 볼들과 같은 범프들(412)이 형성될 경우에는 본딩 전극들(414)이 생략될 수도 있다. 이는 다른 반도체 칩(410)을 필름 기판(310)의 제 2 면으로 실장하기 위한 리플로우(reflow) 공정에서 솔더 볼 형태의 범프들(412)이 필름 기판(310)의 개구부를 채우면서 필름 기판(310)의 제 1 면 상에 제공된 접속 전극 패턴들(312)과 전기적으로 접속될 수 있기 때문이다.
몰딩부(450)는 다른 반도체 칩(410) 및 필름 기판(310)의 제 2 면을 덮도록 제공될 수 있다. 몰딩부(450)는 몰딩층(350)과 동일한 물질인 에폭시 몰딩 컴파운드로 형성될 수 있다. 이에 따라, 몰딩부(450)는 다른 반도체 칩군(410)을 화학적/물리적인 외부 환경으로부터 보호할 수 있으며, 그리고 반도체 패키지(200)의 전기적/물리적 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
접속 단자들(230)은 인쇄 회로 기판(210)의 제 2 면에 포함된 접속 전극들(220) 상에 제공될 수 있다. 접속 단자들(230)은 시스템 기판(미도시) 등과 같은 외부 회로와 반도체 패키지(200) 사이의 전기적 연결을 제공할 수 있다.
상기와 같은 반도체 패키지는 반도체 칩군과 인쇄 회로 기판을 미리 형성된 필름 기판 상의 접속 전극 패턴들에 플립 칩 방식으로 실장하는 임베디드 배선 기판을 포함하기 때문에, 제조 공정에서 정렬이 용이할 수 있고, 반도체 칩의 본딩 패드들 사이의 피치에 대한 제한이 매우 적고, 추가적인 재배선을 형성하는 공정이 없어 공차에 대한 부담이 없으며 그리고 반도체 칩의 적층이 추구될 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자들의 종류나 설계에 관계없이, 상호 연결이 가능한 반도체 패키지가 제공될 수 있다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 실시예에 따른 임베디드 배선 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 지지 기판(300) 상에 필름 기판(310)을 형성한다. 지지 기판(300)으로 유리 기판 또는 실리콘 기판이 사용될 수 있다. 지지 기판(300)은 임베디드 배선 기판을 제조하는 공정에서 필름 기판(310)에 가해지는 기계적인 응력(stress)을 완화하기 위해 사용될 수 있다. 필름 기판(310)은 광감성 드라이 필름 또는 레이저 천공 폴리이미드 필름을 포함할 수 있다. 이는 추후 공정에서 다른 반도체 칩(도 4a의 410 참조)을 실장하기 위해 필름 기판(310)에 형성되는 개구부를 용이하게 형성하기 위한 것일 수 있다.
지지 기판(300) 상에 필름 기판(310)을 형성하는 것은 필름 기판(310)의 제 2 면을 접착 물질막(미도시)을 매개로 지지 기판(300)에 부착하는 것일 수 있다. 접착 물질막은 부착 후에 분리가 용이한 재가공 접착제(reworkable adhesive)가 사용될 수 있다. 이는 지지 기판(310)은 임베디드 배선 기판을 제조한 다음, 제거되기 때문이다. 접착 물질막은 자외선 경화 수지(UltraViolet curable resin : UV resin)나 열가소성(thermoplastic) 수지를 포함하는 접착제가 사용될 수 있다.
필름 기판(310)의 제 1 면 상에 접속 전극 패턴들(312)을 형성한다. 접속 전극 패턴을 형성하는 것은 필름 기판의 제 1 면 상에 도전막을 한 후, 도전막을 패터닝(patterning)하는 것을 포함할 수 있다. 도전막은 금속 박막일 수 있다. 바람직하게는, 도전막은 구리(Cu) 박막일 수 있다. 도전막을 형성하는 것은 무전해 도금 방식을 사용할 수 있다.
도 3c를 참조하면, 필름 기판(310)의 제 1 면 상에 형성된 접속 전극 패턴들(312)과 전기적으로 연결되도록 플립 칩 방식으로 반도체 칩군(110s)을 실장한다. 반도체 칩군(110s)은 필름 기판(310)의 제 1 면 방향으로 노출되는 본딩 패드들(미도시)을 포함하는 반도체 칩을 포함할 수 있다. 반도체 칩군(110s)은 적어도 하나의 메모리 칩을 포함할 수 있다. 필름 기판(310)의 제 1 면 방향으로 노출된 반도체 칩의 본딩 패드들은 반도체 칩용 범프들(112)을 매개로 필름 기판(310)의 제 1 면 상에 형성된 접속 전극 패턴들(312)과 전기적으로 연결될 수 있다.
반도체 칩군(110s)이 복수개의 메모리 칩들을 포함하는 경우, 복수개의 메모리 칩들은 복수개의 메모리 칩들을 관통하는 관통 전극들에 의해 서로 전기적으로 연결되어 필름 기판(310)의 제 1 면 상에 형성된 접속 전극 패턴들(312)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또는 반도체 칩군(110s)의 복수개의 메모리 칩들 중 최하부의 메모리 칩을 제외한 상부의 메모리 칩들은 와이어 본딩 방식을 사용하여 필름 기판(310)의 제 1 면 상에 형성된 접속 전극 패턴들(312)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 더하여, 반도체 칩군(110s)의 복수개의 메모리 칩들 중 하부 쪽에 배치되는 메모리 칩들은 관통 전극에 의해 서로 전기적으로 연결되어, 상부 쪽에 배치되는 메모리 칩들은 와이어 본딩 방식을 사용하여 각각 필름 기판(310)의 제 1 면 상에 형성된 접속 전극 패턴들(312)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 3d를 참조하면, 필름 기판(310)의 제 1 면 상에 형성된 접속 전극 패턴들(312)과 전기적으로 연결되도록 인쇄 회로 기판(210)을 실장한다. 인쇄 회로 기판(210)은 요부(216)를 갖는 제 1 면 및 제 1 면에 대향하는 제 2 면을 포함할 수 있다. 관통 전극들(218)은 인쇄 회로 기판(210)을 관통하여, 인쇄 회로 기판(210)의 제 1 면 및 제 2 면을 서로 전기적으로 연결할 수 있다. 인쇄 회로 기판(210)의 제 1 면 방향으로 노출된 관통 전극들(218)의 표면들은 인쇄 회로 기판용 범프들(222)을 매개로 필름 기판(310)의 제 1 면 상에 형성된 접속 전극 패턴들(312)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 반도체 칩군(110s)은 인쇄 회로 기판(210)의 제 1 면에 제공된 요부(216)에 의해 인쇄 회로 기판(210)에 임베디드될 수 있으 며, 인쇄 회로 기판(210)은 필름 기판(310)의 제 1 면 상에 형성된 접속 전극 패턴들(312)과 전기적으로 연결될 수 있다. 인쇄 회로 기판(210)의 제 1 면에 형성된 요부(216)와 반도체 칩군(110s)의 형태가 서로 동일하다면, 반도체 칩군(110s)은 접착 물질막(미도시)을 매개로 인쇄 회로 기판(210)의 제 1 면에 형성된 요부(216)에 임베디드될 수 있다.
인쇄 회로 기판(210)은 내부 배선(미도시)을 포함하는 코어부(212)를 몸체로 하여 요부(216)를 제외한 제 1 면 상의 제 1 면 절연막 패턴(214f) 및 제 2 면 상의 접속 전극들(220)을 포함하는 제 2 면 절연막 패턴(214s)을 가질 수 있다. 관통 전극들(218)은 인쇄 회로 기판(210)의 제 1 면 및 제 2 면을 서로 전기적으로 연결하는 동시에 제 1 면 방향으로 노출된 표면들에 의해 필름 기판(310)의 제 1 면 상에 형성된 접속 전극 패턴들(312)과 전기적으로 연결될 수 있다. 인쇄 회로 기판(210)의 제 2 면에 포함된 접속 전극들(220)은 솔더 볼들과 같은 접속 단자들(도 4b의 220 참조)을 매개로 인쇄 회로 기판(210)과 외부 회로 사이의 전기적인 연결을 제공할 수 있다.
도 3e를 참조하면, 반도체 칩군(110s)을 포함하는 인쇄 회로 기판(210)과 필름 기판(310) 사이에 몰딩층(350)을 형성한다. 몰딩층(350)은 에폭시 몰딩 컴파운드로 형성될 수 있다. 인쇄 회로 기판(210)의 제 1 면에 형성된 요부(216)에 비해 반도체 칩군(110s)이 작은 형태를 가진다면, 몰딩층(350)은 반도체 칩군(110s)과 인쇄 회로 기판(210)의 요부(216) 사이의 공간을 채워, 인쇄 회로 기판(210)이 반도체 칩군(210)을 임베디드하도록 할 수 있다. 이에 따라, 몰딩층(350)은 반도체 칩군(110s)을 화학적/물리적인 외부 환경으로부터 보호할 수 있으며, 그리고 임베디드 배선 기판의 전기적/물리적 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 3f를 참조하면, 지지 기판(300)을 제거한 후, 필름 기판(310)의 제 2 면으로부터 접속 전극 패턴들(312)을 노출하는 개구부들을 형성한다. 개구부들은 반도체 패키지를 제조하는 공정에서 다른 반도체 칩(도 4a의 410 참조)을 실장하기 위한 것일 수 있다.
필름 기판(310)의 제 2 면으로부터 접속 전극 패턴들(312)을 노출하는 개구부들을 형성하는 것은 사진 식각 방식 또는 레이저 천공 방식을 사용할 수 있다. 필름 기판(310)이 감광성 드라이 필름일 경우에는 지지 기판(300)을 제거한 후, 사진 식각 공정에 의해 개구부들이 형성될 수 있다. 이와는 다르게, 필름 기판(310)이 레이저 천공 폴리이미드 필름일 경우에는 지지 기판(300)을 제거하기 전 또는 후, 레이저 천공 공정에 의해 개구부들이 형성될 수 있다.
상기와 같은 방법에 따라 제조된 임베디드 배선 기판은 반도체 칩군과 인쇄 회로 기판을 미리 형성된 필름 기판 상의 접속 전극 패턴들에 플립 칩 방식으로 실장하기 때문에, 임베디드 배선 기판의 제조 공정에서 정렬이 용이할 수 있고, 반도체 칩의 본딩 패드들 사이의 피치에 대한 제한이 매우 적고, 추가적인 재배선을 형성하는 공정이 없어 공차에 대한 부담이 없으며 그리고 반도체 칩의 적층이 추구될 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 설명의 간편성을 위해, 도 4a 및 도 4b에 대한 설명은 도 3a 내지 도 3f의 설명과 동일한 부분을 일부 생략하고 기재된다.
도 4a를 참조하면, 임베디드 배선 기판을 준비한다. 필름 기판(310)의 개구부들을 통해 필름 기판(310)의 제 1 면 상에 형성된 접속 전극 패턴들(312)과 전기적으로 연결되도록 다른 반도체 칩(410)을 실장한다. 다른 반도체 칩(410)은 비메모리 소자인 로직 소자일 수 있다. 다른 반도체 칩(410)은 본딩 패드들(미도시) 상에 형성된 범프들(412) 및 범프들(412) 상에 제공된 본딩 전극들(414)을 매개로 필름 기판(310)의 제 2 면에 대해 플립 칩 형태로 접속될 수 있다.
다른 반도체 칩(410)의 본딩 패드들 상에 솔더 볼들과 같은 범프들(412)이 형성될 경우에는 본딩 전극들(414)이 생략될 수도 있다. 이는 다른 반도체 칩(410)을 필름 기판(310)의 제 2 면으로 실장하기 위한 리플로우 공정에서 솔더 볼 형태의 범프들(412)이 필름 기판(310)의 개구부를 채우면서 필름 기판(310)의 제 1 면 상에 제공된 접속 전극 패턴들(312)과 전기적으로 접속될 수 있기 때문이다.
도 4b를 참조하면, 다른 반도체 칩(410) 및 필름 기판(310)의 제 2 면을 덮는 몰딩부(450)를 형성한다. 몰딩부(450)는 몰딩층(350)과 동일한 물질인 에폭시 몰딩 컴파운드로 형성될 수 있다. 이에 따라, 몰딩부(450)는 다른 반도체 칩군(410)을 화학적/물리적인 외부 환경으로부터 보호할 수 있으며, 그리고 반도체 패키지의 전기적/물리적 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
인쇄 회로 기판(210)의 제 2 면에 포함된 접속 전극들(220) 상에 접속 단자들(230)을 형성한다. 접속 단자들(230)은 시스템 기판(미도시) 등과 같은 외부 회로와 반도체 패키지 사이의 전기적 연결을 제공할 수 있다.
상기와 같은 방법에 따라 제조된 반도체 패키지는 반도체 칩군과 인쇄 회로 기판을 미리 형성된 필름 기판 상의 접속 전극 패턴들에 플립 칩 방식으로 실장하기 때문에, 반도체 패키지의 제조 공정에서 정렬이 용이할 수 있고, 반도체 칩의 본딩 패드들 사이의 피치에 대한 제한이 매우 적고, 추가적인 재배선을 형성하는 공정이 없어 공차에 대한 부담이 없으며 그리고 반도체 칩의 적층이 추구될 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자들의 종류나 설계에 관계없이, 상호 연결이 가능한 반도체 패키지의 제조 방법이 제공될 수 있다.
상기한 본 발명의 실시예들에 따른 임베디드 배선 기판 및 이를 포함하는 반도체 패키지는 반도체 칩군과 인쇄 회로 기판이 미리 형성된 필름 기판 상의 접속 전극 패턴들에 플립 칩 방식으로 실장되기 때문에, 제조 공정에서 정렬이 용이할 수 있고, 반도체 칩의 본딩 패드들 사이의 피치에 대한 제한이 매우 적고, 추가적인 재배선을 형성하는 공정이 없어 공차에 대한 부담이 없으며 그리고 반도체 칩의 적층이 추구될 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자들의 종류나 설계에 관계없이, 상호 연결이 가능한 임베디드 배선 기판 및 반도체 패키지가 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 임베디드 배선 기판을 설명하기 위한 단면도;
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 단면도;
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 실시예에 따른 임베디드 배선 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들;
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100 : 임베디드 배선 기판 110s : 반도체 칩군
112 : 반도체 칩용 범프 200 : 반도체 패키지
210 : 인쇄 회로 기판 212 : 코어부
214f, 214s : 절연막 패턴 216 : 요부
218 : 관통 전극 220 : 접속 전극
222 : 인쇄 회로 기판용 범프 230 : 접속 단자
300 : 지지 기판 310 : 필름 기판
312 : 접속 전극 패턴 350 : 몰딩층
410 : 다른 반도체 칩 412 : 범프
414 : 본딩 전극 450 : 몰딩부

Claims (18)

  1. 요부를 갖는 제 1 면, 및 상기 제 1 면에 대향하는 제 2 면을 포함하는 인쇄 회로 기판;
    상기 인쇄 회로 기판을 관통하는 관통 전극들;
    상기 인쇄 회로 기판의 상기 요부에 임베디드되되, 상기 인쇄 회로 기판의 상기 제 1 면 방향으로 노출되는 본딩 패드들을 포함하는 반도체 칩을 포함하는 반도체 칩군;
    상기 인쇄 회로 기판의 상기 제 1 면과 마주하는 제 1 면, 및 상기 제 1 면에 대향하는 제 2 면을 포함하고, 관통된 개구부들을 갖는 필름기판;
    상기 필름 기판의 상기 제 1 면 상에 제공되되, 상기 반도체 칩군과 전기적으로 연결되는 제 1 접속 전극 패턴들;
    상기 필름 기판의 상기 제 1 면 상에 제공되되, 상기 관통 전극들과 전기적으로 연결되는 제 2 접속 전극 패턴들;
    상기 필름 기판의 상기 제 1 면 상에 상기 개구부들을 덮도록 제공되는 제 3 접속 전극 패턴들;
    상기 필름 기판의 상기 제 2 면 상에 제공되되, 상기 필름 기판의 상기 개구부들을 관통하는 도전체를 통해 상기 제 3 접속 전극 패턴들과 전기적으로 연결되는 다른 반도체 칩; 및
    상기 다른 반도체 칩 및 상기 필름 기판의 상기 제 2 면을 덮는 몰딩부를 포함하는 반도체 패키지.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 인쇄 회로 기판의 상기 제 2 면 상에 배치되는 접속 전극들; 및
    상기 접속 전극들 상에 배치되는 접속 단자들을 더 포함하는 반도체 패키지.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 반도체 칩군을 포함하는 상기 인쇄 회로 기판과 상기 필름 기판 사이에 제공된 몰딩층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 필름 기판은 광감성 드라이 필름 또는 레이저 천공 폴리이미드 필름 중 적어도 어느 하나를 포함하는 반도체 패키지.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 다른 반도체 칩은 로직 소자인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 필름 기판의 제 1 면 상에 제 1 접속 전극 패턴들, 제 2 접속 전극 패턴들, 및 제 3 접속 전극 패턴들을 형성하는 것;
    상기 필름 기판의 제 1 면 상에 상기 제 1 접속 전극 패턴들과 전기적으로 연결되도록 플립 칩 방식으로 반도체 칩군을 실장하는 것;
    상기 반도체 칩군을 임베디드하되, 상기 제 2 접속 전극 패턴들과 전기적으로 연결되도록 인쇄 회로 기판을 실장하는 것;
    상기 필름 기판의 상기 제 1 면에 대향하는 제 2 면으로부터 상기 제 3 접속 전극 패턴들을 노출하는 개구부들을 형성하는 것;
    상기 필름 기판의 상기 개구부들을 관통하는 도전체를 통해 상기 제 3 접속전극 패턴들과 전기적으로 연결되는 다른 반도체 칩을 상기 필름 기판의 상기 제 2 면 상에 실장하는 것; 및
    상기 다른 반도체 칩 및 상기 필름 기판의 상기 제 2 면을 덮는 몰딩부를 형성하는 것을 포함하되,
    상기 인쇄 회로 기판은 상기 반도체 칩군이 임베디드 되는 요부를 갖는 제 1 면, 상기 제 1 면에 대향하는 제 2 면을 포함하고, 관통 전극들은 상기 인쇄 회로 기판을 관통하고, 상기 인쇄 회로 기판의 상기 제 1 면 방향으로 노출된 상기 관통 전극들이 상기 제 2 접속 전극 패턴들과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 반도체 칩군은 제 1 범프들을 매개로 상기 제 1 접속 전극 패턴들에 전기적으로 연결되고, 상기 인쇄 회로 기판은 제 2 범프들을 매개로 상기 제 2 접속 전극 패턴들에 전기적으로 연결되도록 실장되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법.
  10. 삭제
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 제 1 접속 전극 패턴들, 상기 제 2 접속 전극 패턴들, 및 상기 제 3 접속 전극 패턴들을 형성하는 것은:
    상기 필름 기판의 제 1 면 상에 도전막을 형성하는 것; 및
    상기 도전막을 패터닝하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법.
  12. 삭제
  13. 제 8항에 있어서,
    상기 반도체 칩군을 포함하는 상기 인쇄 회로 기판과 상기 필름 기판 사이에 몰딩층을 형성하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 제 8항에 있어서,
    상기 다른 반도체 칩은 로직 소자인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법.
  17. 삭제
  18. 삭제
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