KR101472637B1 - 전해도금 차폐판 및 이를 갖는 전해도금 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전해도금 차폐판 및 이를 갖는 전해도금 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 도금 편차를 개선할 수 있도록 한 전해도금 차폐판 및 이를 갖는 전해도금 장치에 관한 것이다.
본 발명은, 아노드와 캐소드 사이에 배치되어 전류 균일도를 제공하는 전해도금 차폐판에 있어서: 다수의 베이스통공이 형성된 베이스 차폐패널; 그리고 상기 베이스 차폐패널의 양측면 설치되어 상기 베이스통공의 개방 정도를 조절하는 전류량 조절부재; 를 포함할 수 있다.
또한 본 발명의 전해도금 장치는 지그와 기판이 고정된 캐소드; 상기 캐소드에 고정된 기판으로 도금액을 분사하는 노즐파이프; 상기 노즐파이프가 끼워지는 끼움홀이 형성되며, 상기 끼움홀의 양측으로 아노드 삽입부가 형성된 아노드케이스; 상기 아노드케이스의 아노드 삽입부에 끼워지는 아노드; 상기 아노드 삽입부에 밀착설치되어 상기 아노드로부터 발생되는 수소가스를 차단하는 격막; 상기 아노드와 캐소드 사이에 배치되는 다수의 베이스통공이 형성된 베이스 차폐패널; 그리고 상기 베이스 차폐패널의 양측면 설치되어 상기 베이스통공의 개방 정도를 조절하는 전류량 조절부재; 를 포함할 수 있다.
본 발명은, 아노드와 캐소드 사이에 배치되어 전류 균일도를 제공하는 전해도금 차폐판에 있어서: 다수의 베이스통공이 형성된 베이스 차폐패널; 그리고 상기 베이스 차폐패널의 양측면 설치되어 상기 베이스통공의 개방 정도를 조절하는 전류량 조절부재; 를 포함할 수 있다.
또한 본 발명의 전해도금 장치는 지그와 기판이 고정된 캐소드; 상기 캐소드에 고정된 기판으로 도금액을 분사하는 노즐파이프; 상기 노즐파이프가 끼워지는 끼움홀이 형성되며, 상기 끼움홀의 양측으로 아노드 삽입부가 형성된 아노드케이스; 상기 아노드케이스의 아노드 삽입부에 끼워지는 아노드; 상기 아노드 삽입부에 밀착설치되어 상기 아노드로부터 발생되는 수소가스를 차단하는 격막; 상기 아노드와 캐소드 사이에 배치되는 다수의 베이스통공이 형성된 베이스 차폐패널; 그리고 상기 베이스 차폐패널의 양측면 설치되어 상기 베이스통공의 개방 정도를 조절하는 전류량 조절부재; 를 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 전해도금 차폐판 및 이를 갖는 전해도금 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 도금 편차를 개선할 수 있도록 한 전해도금 차폐판 및 이를 갖는 전해도금 장치에 관한 것이다.
일반적으로, TAB(Tape Automated Bonding)나 플립 칩에서는, 배선이 형성된 반도체칩의 표면의 기설정된 부분(전극)에 금, 구리, 땜납, 또는 니켈, 나아가 이들을 다층으로 적층한 돌기형상 접속 전극을 형성하고, 이 전극을 거쳐 패키지의 전극이나 TAB 전극과 전기적으로 접속하는 것이 널리 행하여지고 있다.
이 전극 형성방법으로서는, 전기도금법, 증착법, 인쇄법, 볼 범프법이라는 여러가지 방법이 있으나, 반도체칩의 I/O 수의 증가, 피치의 미세화에 따라 미세화 가능하고 성능이 비교적 안정되어 있는 전기도금법이 많이 사용되고 있다.
전기도금법에 의하면, 고순도의 금속막(도금막)이 용이하게 얻어지고, 또한 금속막의 성막속도가 비교적 빠를 뿐만 아니라, 금속막의 두께의 제어도 비교적 용이하게 행할 수 있다.
또한, 반도체 웨이퍼상에 대한 금속막 형성에서, 고밀도 실장, 고성능화 및 높은 수율을 추구하기 때문에, 막 두께의 면내 균일성도 엄격하게 요구되고 있다.
전기도금에 의하면, 도금액의 금속이온 공급 속도 분포나 전위 분포를 균일하게 함으로써, 막 두께의 면내 균일성이 우수한 금속막을 얻을 수 있다고 기대되고 있다.
이른바 딥 방식을 채용한 도금장치로서, 내부에 도금액을 보유하는 도금조를 가지고, 도금조의 내부에, 기판 홀더에 둘레 가장자리부를 수밀적으로 밀봉하여 유지한 기판(피도금체)과 아노드 홀더에 유지한 아노드를 서로 대향시켜 수직으로 배치하고, 아노드와 기판과의 사이에 위치하도록 중앙에 구멍이 형성된 유전체로 이루어지는 조정판(레귤레이션 플레이트)을 배치하고, 또한 조정판과 기판과의 사이에 도금액을 교반하는 패들이 배치된 것이 알려져 있다
종래 전해도금 장치는 도금조 내에 도금액을 수용하여, 아노드, 기판 및 조정판을 도금액 중에 침지시키고, 동시에 도선을 거쳐 아노드를 도금 전원의 양극에, 기판을 캐소드의 음극에 각각 접속하고, 아노드와 기판과의 사이에 기설정된 도금 전압을 인가함으로써, 기판의 표면에 금속이 석출되어 금속막(도금막)이 형성된다.
그리고, 도금 시 조정판과 기판과의 사이에 배치된 패들에 의하여 도금액을 교반함으로써 충분한 양의 이온을 기판에 균일하게 공급하여 더욱 균일한 막 두께의 금속막을 형성하도록 하고 있다.
그러나, 종래 전해도금 장치는 기판에 도금층을 형성하는 과정에서 도금층의 두께가 차폐판에 의해 크게 영향을 받게 되지만, 차폐판이 기판의 상단 및 하단만 차폐하도록 구성되어 있어 도금층 두께를 균일하게 형성하지 못하는 문제점이 있다.
즉, 종래 차폐판은 기판 양단 부분의 전류가 집중되는 것만을 차폐하도록 구성되어 있어 기판의 상단 및 하단 그리고 중앙부위의 도금두께가 편차를 이루게 됨으로써 도금 품질을 떨어뜨림은 물론 기판에 미세회로 패턴을 구현하는데 어려움이 있는 것이다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 차폐판의 구조를 개선하여 차폐판으로 인한 도금 불량을 최소화시킬 수 있도록 한 전해도금 차폐판 및 이를 갖는 전해도금 장치를 제공하는데 목적이 있다.
이와 같은 목적을 효과적으로 달성하기 위해 본 발명은, 아노드와 캐소드 사이에 배치되어 전류 균일도를 제공하는 전해도금 차폐판에 있어서: 다수의 베이스통공이 형성된 베이스 차폐패널; 그리고 상기 베이스 차폐패널의 양측면 설치되어 상기 베이스통공의 개방 정도를 조절하는 전류량 조절부재; 를 포함할 수 있다.
상기 베이스 차폐패널은 다수의 베이스통공이 종방향으로 군을 이루며, 상기 종렬군이 각각 이격된 상태로 배열될 수 있다.
상기 베이스통공은 5-15mm의 직경을 갖을 수 있으며, 상기 전류량 조절부재는 베이스 차폐패널에 밀착되는 적어도 두 개의 차폐판으로 구성될 수 있다.
이때, 상기 전류량 조절부재는 베이스 차폐패널의 상부와 이동가능하게 밀착되는 상부차폐판과, 상기 베이스 차폐패널의 하부와 이동가능하게 밀착되는 하부차폐판과 상기 상부차폐판과 하부차폐판 사이에 이동가능하게 배치된 중간차폐판으로 구성될 수 있다.
상기 각 차폐판은 각 밀착부위에 경사면이 형성될 수 있으며, 상기 각 차폐판은 다수의 통공이 집결된 종렬군을 형성하도록 천공되며, 상기 베이스통공과 동일 크기 및 배열을 갖도록 구성될 수 있다.
그리고, 상기 상부차폐판과 하부차폐판은 베이스 차폐패널의 일면에 밀착되고, 중간차폐판은 상기 베이스 차폐패널의 반대면에 밀착될 수 있다.
또한 본 발명의 전해도금 장치는 지그와 기판이 고정된 캐소드; 상기 캐소드에 고정된 기판으로 도금액을 분사하는 노즐파이프; 상기 노즐파이프가 끼워지는 끼움홀이 형성되며, 상기 끼움홀의 양측으로 아노드 삽입부가 형성된 아노드케이스; 상기 아노드케이스의 아노드 삽입부에 끼워지는 아노드; 상기 아노드 삽입부에 밀착설치되어 상기 아노드로부터 발생되는 수소가스를 차단하는 격막; 상기 아노드와 캐소드 사이에 배치되는 다수의 베이스통공이 형성된 베이스 차폐패널; 그리고 상기 베이스 차폐패널의 양측면 설치되어 상기 베이스통공의 개방 정도를 조절하는 전류량 조절부재; 를 포함할 수 있다.
상기 아노드 삽입부는 삽입된 아노드의 전면이 노출되도록 개구부가 형성될 수 있으며, 상기 개구부는 아노드 삽입부의 길이방향을 따라 연속적으로 형성된 다수개의 통공일 수 있다.
또한 상기 개구부는 아노드 삽입부의 길이방향을 따라 형성된 통공으로 구성될 수 있으며, 상기 아노드케이스는 상부가 개구되며, 개구된 상부를 통해 아노드에서 발생된 가스가 배출되도록 구성될 수 있다.
상기 격막은 아노드에서 발생되는 전류가 통과하도록 미세통공이 형성될 수 있으며, 상기 격막은 격막 고정블럭을 통해 상기 아노드 삽입부와 밀착되도록 구성될 수 있다.
상기 격막 고정블럭은 중앙부위에 관통홀이 형성될 수 있으며, 상기 격막은 아노드 삽입부에 각각 밀착되도록 분할 구성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 전해도금 차폐판 및 이를 갖는 전해도금 장치는 차폐판의 구조를 개선하여 차폐판으로 인한 도금 불량을 최소화시킬 수 있어 제품성을 증대시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 차폐판이 설치된 상태를 보인 예시도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 차폐판을 보인 정면 예시도.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 차폐판을 분할 도시한 예시도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 차폐판이 결합된 상태를 보인 측면 예시도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 장치의 구성요소 중 아노드와 노즐 파이프의 배치 상태를 보인 분해사시도.
도 6은 도 5가 결합된 상태를 보인 부분 단면도.
도 7은 도 5가 결합된 후 전해도금 장치에 병렬 배치된 상태를 보인 예시도.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 아노드와 캐소드의 극간 거리 축소를 통해 도금된 상태를 보인 시뮬레이션 결과도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 차폐판을 보인 정면 예시도.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 차폐판을 분할 도시한 예시도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 차폐판이 결합된 상태를 보인 측면 예시도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 장치의 구성요소 중 아노드와 노즐 파이프의 배치 상태를 보인 분해사시도.
도 6은 도 5가 결합된 상태를 보인 부분 단면도.
도 7은 도 5가 결합된 후 전해도금 장치에 병렬 배치된 상태를 보인 예시도.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 아노드와 캐소드의 극간 거리 축소를 통해 도금된 상태를 보인 시뮬레이션 결과도.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 차폐판이 설치된 상태를 보인 예시도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 차폐판을 보인 정면 예시도이며, 도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 차폐판을 분할 도시한 예시도이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 차폐판이 결합된 상태를 보인 측면도이며, 도 5는 도 3 및 도 4가 결합된 상태를 보인 측면 예시도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 차폐판(200)은 아노드(50)와 캐소드(10) 사이에 배치되어 전류 균일도를 제공하게 됨에 따라 기판(20) 표면에 균일한 도금층을 얻을 수 있게 된다.
이러한 본 발명의 차폐판(200)은 다수의 베이스통공(112)이 형성된 베이스 차폐패널(110)과 베이스 차폐패널(110)의 양 측면에 밀착 설치되어 베이스통공(112)의 개방 정도에 따라 전류량을 조절하는 전류량 조절부재(130)를 포함한다.
베이스 차폐패널(110)은 다수의 베이스통공(112)이 밀집된 군을 형성하면서 종방향을 따라 천공된다. 상기한 군은 베이스 차폐패널(110)에서 복수개의 군이 형성될 수 있으며, 각각의 군들은 각각 이격된 상태로 형성된다.
베이스 차폐패널(110)의 경우 도금조(80)내에 침수되는 것이므로, 도금액과 반응하지 않는 합성수지가 바람직하게 사용될 수 있다.
또한 베이스통공(112)은 5-15mm의 직경을 갖을 수 있는데, 설정된 범주 내에서 10mm 정도의 직경으로 천공되는 것이 바람직하겠다.
또한 베이스 차폐패널(110)의 상부와 하부는 베이스통공(112)이 형성되지 않는다. 이는 베이스 차폐패널(110)을 전해 도금장치에 설치 및 고정하기 위한 여유공간이다.
이와 같이 구성된 베이스 차폐패널(110)에는 양 측면에 전류량 조절부재(130)가 설치되어 베이스통공(112)의 개방 정도를 조절하게 된다.
전류량 조절부재(130)는 베이스 차폐패널(110)의 일면에 밀착 설치되는 상부차폐판(132)과 하부 차폐판(134) 그리고 반대면에 밀착 설치되는 중간차폐판(136)으로 구성될 수 있다.
상부차폐판(132)은 베이스 차폐패널(110)의 베이스통공(112)과 동일 직경을 갖는 상부통공(132a)이 천공되어 있다. 상부통공(132a)은 베이스통공(112)과 동일한 배열을 가진다.
또한 상부차폐판(132)의 선단에는 소정각도로 경사지게 절단된 경사면(132b)이 형성되어 있다. 경사면(132b)은 상부차폐판(132)의 일단부에서 타단부까지 소정각도로 경사지게 구성될 수 있다.
이러한 상부차폐판(131)은 베이스 차폐패널(110)의 상부에 배치되며, 좌우 이동가능하게 설치된다.
또한 베이스 차폐패널(110)의 하부에는 하부차폐판(134)이 밀착 설치될 수 있다. 하부차폐판(134)은 베이스 차폐패널의 베이스통공(112)과 동일 직경을 갖는 하부통공(136a)이 천공되어 있다. 이때, 하부통공(136a)은 베이스통공(112)과 동일한 배열을 가진다.
이러한 하부차폐판(134)은 베이스 차폐패널(110)과 밀착된 상태에서 좌우 이동가능하게 설치되며, 상면에 소정각도 경사지게 절단된 경사면(134b)이 형성되어 있다.
또한 베이스 차폐패널(110)의 반대면에는 상부차폐판(132)과 하부차폐판(134) 사이에 이동가능하도록 중간차폐판(136)이 설치된다.
중간차폐판(136)은 상부차폐판(132)과 하부차폐판(134)에 형성된 통공들과 동일한 직경 및 배열을 갖는 중간통공(136a)이 형성되어 있다.
또한 중간차폐판(136)의 상단과 하단에는 상부차폐판(132)과 하부차폐판(134)과 동일한 각도로 절단된 형태의 경사면(136b)이 각각 형성되어 있다.
여기서, 본 발명의 전류량 조절부재(130)는 상부와 하부 그리고 중간 차폐판(132)(134)(136)이 구성된 것으로 설명하였으나, 도면에는 도시하지 않았지만 설계자의 의도에 따라 베이스 차폐패널(110)에 적어도 두 개의 차폐판이 밀착되도록 구성할 수도 있다.
즉, 베이스 차폐패널(110)에 상부와 하부로 이루어진 차폐판을 서로 밀착시킨 상태에서 좌우 이동에 따라 베이스통공(112)의 전류량이 조절되도록 구성할 수도 있는 것이다.
이와 같이 구성된 본 발명의 전해도금 차폐판(200)은 기판(20) 표면에 도금층을 형성하는 과정에서 도금두께 편차가 발생하게 되면, 도금두께 편차가 발생된 부위에 해당하는 차폐판을 이동시켜 전류흐름을 일정부분 차단하거나 개방하여 전체적으로 균일한 전류 흐름이 진행될 수 있게 된다.
즉, 도금층의 두께가 예를 들어 상부측이 하부측이나 중간측보다 두터울 경우에는 차폐판에 의해 아노드(50)와 캐소드(10) 사이의 전류 흐름이 잘 차단된 상태가 된다.
이때에는 하부측이나 중간측의 도금두께와 균일한 도금층이 형성되도록 상부 차폐판(132)을 이동시켜 상부통공(132a)과 베이스통공(112)의 연통크기를 확장시키면 된다.
다시 말해, 상부통공(132a)과 베이스통공(112)의 확장된 연통크기로 인해 상부측에서 이뤄지는 전류의 흐름이 보다 원할하게 진행될 수 있어 도금두께를 중간측이나 하부측과 균일하게 맞출 수 있게 된다.
이렇게 차폐판을 조절하게 되면, 기판(20) 상부와 하부의 도금층을 균일하게 맞출 수 있게 된다.
한편, 본 발명의 차폐판(132)(134)(136)의 각 통공 사이에는 전해도금장치의 노즐 파이프(30)가 끼워져 기판(20) 표면과 인접하게 위치된 상태에서 도금을 진행할 수 있게 된다.
본 발명의 전해도금장치(100)는 전술한 차폐판의 구조개선 시 노즐 파이프(30)를 차폐판의 각 군들 사이에 배치시킴으로써 노즐파이프(30)와 기판(20) 사이에 간격이 축소되어 도금 편차를 보다 효과적으로 개선할 수 있게 된다.
도면을 참조하여 설명하면, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 장치의 구성요소 중 아노드와 노즐 파이프의 배치 상태를 보인 분해사시도이고, 도 6은 도 5가 결합된 상태를 보인 부분 단면도이며, 도 7은 도 5가 결합된 후 전해도금 장치에 병렬 배치된 상태를 보인 예시도이고, 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 아노드와 캐소드의 극간 거리 축소를 통해 도금된 상태를 보인 시뮬레이션 결과도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 장치(200)는 도금조 (80)내에 침지된 기판(20)과 지그(미도시)가 고정된 캐소드(10)와 캐소드(10)에 고정된 기판(20) 표면으로 도금액을 분사하는 노즐파이프(30)와 노즐파이프(30)가 끼워지며 아노드 삽입부(44)가 구성된 아노드케이스(40)와 아노드 삽입부(44)에 끼워지는 아노드(50)와 아노드 삽입부(44)에 밀착 설치되는 격막(60)을 포함할 수 있다.
캐소드(10)는 음의 전압을 인가받아 도금반응을 일으키는 것으로, 기판(20)과 지그가 설치되어 있다. 기판(20)과 지그는 캐소드(10)의 양측에 각각 설치될 수 있다. 즉, 기판(20)과 지그는 캐소드(10)를 중심으로 양측에 설치될 수 있으며, 캐소드(10)의 설치 수량에 따라 각각 대응하며 설치될 수 있다.
캐소드(10)와 소정거리 이격된 위치에는 캐소드(10)와 아노드(50)와의 극간거리를 최소화시킬 수 있으면서 기판(20) 표면에 균일한 도금 분포가 이루어질 수 있도록 노즐파이프(30) 및 아노드(50)가 설치될 수 있다.
노즐파이프(30)는 다수의 노즐(32)이 파이프(34)에 소정간격 이격된 상태로 연결된 것으로, 파이프(34)의 선단은 차단되어 있으며 반대편은 도금액이 파이프(34)에 공급될 수 있도록 개구되어 있다.
이러한 노즐파이프(30)는 차폐판의 각 군들 사이에 노즐 선단이 노출되도록 배치되며, 아노드케이스(40)에 끼워진 상태에서 도금액을 기판(20)을 향해 분사하게 된다.
아노드케이스(40)에는 노즐파이프(30)가 결합되는 끼움홀(42)과, 끼움홀(42)의 양측으로 아노드 삽입부(44)가 형성되어 있다.
끼움홀(42)은 노즐(32)만이 끼워지도록 노즐(32)의 외경과 대응하는 크기로 천공되거나 노즐파이프(30) 전체가 끼워질 수 있는 크기로 형성될 수 있다.
끼움홀(42)의 양측에 형성된 아노드 삽입부(44)는 상부가 개구된 박스형으로 구성될 수 있으며, 전면에 개구부(44a)가 형성될 수 있다.
개구부(44a)는 아노드 삽입부(44)의 길이방향을 따라 소정간격 이격된 채 연속적으로 천공된 다수의 통공으로 구성될 수 있다.
또한 개구부(44a)는 아노드 삽입부(44)의 길이방향을 따라 천공된 통공으로 구성될 수 있다.
개구부(44a)의 형상은 아노드 삽입부(44)에 결합되는 아노드(50)의 크기와 모양 또는 아노드 삽입부(44)의 설계 사항에 따라 선택적으로 달라질 수 있다.
또한 아노드 삽입부(44)에는 양의 전압을 인가받아 도금 반응을 일으키는 아노드(50)가 삽입된다. 아노드(50)는 아노드 삽입부(44)의 개구된 상부를 통해 끼워진다.
그리고, 아노드 삽입부(44)의 전면에는 아노드(50)와 캐소드(10) 사이의 화학 반응에 따라 발생되는 수소가스를 차단하도록 격막(60)이 밀착 설치된다.
격막(60)은 수소가스는 차단하면서 아노드(50)로부터 발생되는 전류의 흐름을 차단하지 않는 미세통공(62)이 형성될 수 있다. 격막(60)은 그 두께가 얇은 소재로서 제조될 수 있으며, 각각의 아노드 삽입부(44)에 밀착되도록 각각 분할구성될 수 있다.
이러한 격막(60)은 격막 고정블럭(70)을 통해 아노드 삽입부(44)의 전면에 밀착될 수 있다. 격막 고정블럭(70)은 중앙부위에 관통홀(72)이 형성되어 있어서, 아노드(50)의 전류 흐름을 간섭하지 않게 된다.
이와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 장치의 작용을 설명하면 다음과 같다.
캐소드(10)에 설치된 기판(20) 표면으로 전해도금이 진행될 경우에는 도금액이 노즐파이프의 노즐(32)을 통해 분사되기 시작한다.
이때, 아노드(50)와 캐소드(10)는 전원을 공급받아 도금조(80) 내에서 화학 반응하게 된다. 화학 반응 시 아노드(50)는 전해도금액과의 반응으로 아노드(50)의 표면에서 수소가스를 발생하게 된다.
이렇게 발생된 수소가스는 격막(60)을 통해 기판(20)이 위치된 방향으로 이동하지 못하고 아노드 삽입부(44)의 개구된 상부를 통해 배출된다.
또한 캐소드(10)와 화학 반응하는 아노드(50)의 전류는 미세통공(62)이 형성된 격막을 통과하여 캐소드(10)와 전기적으로 반응하게 된다.
따라서, 본 발명의 전해도금 장치(200)는 도금액을 분사하는 노즐파이프(30)의 위치가 기판(20) 표면과 밀접한 거리를 유지할 수 있으면서도 아노드(50)와 캐소드 (10)사이의 극간 거리는 최소화시킬 수 있게 된다.
이에 따라, 아노드(50)와 캐소드(10)는 원할한 전류의 흐름을 가질 수 있으며, 이를 통해 기판(20) 표면에 균일한 도금층을 형성할수 있게 된다.
이상에서 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 차폐판 및 이를 갖는 전해도금 장치에 대해 설명하였으나 본 발명은 이에 한정하지 아니하며 당업자라면 그 응용과 변형이 가능함은 물론이다.
10: 캐소드 20: 기판
30: 노즐파이프 32: 노즐
34: 파이프 40: 아노드케이스
42: 끼움홀 44: 아노드삽입부
44a: 개구부 50: 아노드
60: 격막 62: 미세통공
70: 격막고정블럭 72: 관통홀
80: 도금조 100: 전해도금 장치
110: 베이스패널 112: 베이스통공
130: 전류량조절부재 132: 상부차폐판
132a: 상부통공 132b: 경사면
134: 하부차폐판 134a: 하부통공
134b: 경사면 136: 중간차폐판
136a: 중간통공 136b: 경사면
200: 차폐판
30: 노즐파이프 32: 노즐
34: 파이프 40: 아노드케이스
42: 끼움홀 44: 아노드삽입부
44a: 개구부 50: 아노드
60: 격막 62: 미세통공
70: 격막고정블럭 72: 관통홀
80: 도금조 100: 전해도금 장치
110: 베이스패널 112: 베이스통공
130: 전류량조절부재 132: 상부차폐판
132a: 상부통공 132b: 경사면
134: 하부차폐판 134a: 하부통공
134b: 경사면 136: 중간차폐판
136a: 중간통공 136b: 경사면
200: 차폐판
Claims (17)
- 아노드와 캐소드 사이에 배치되어 전류 균일도를 제공하는 전해도금 차폐판에 있어서:
다수의 베이스통공이 형성된 베이스 차폐패널; 그리고
상기 베이스 차폐패널의 양측면에 설치된 전류량 조절부재를 포함하며,
상기 전류량 조절부재는 상기 베이스 차폐패널의 상부와 이동가능하게 말착되는 상부차폐판과, 상기 베이스 차폐패널의 하부와 이동가능하게 밀착되는 하부차폐판과 상기 상부차폐판과 하부차폐판 사이에 이동가능하게 배치된 중간차폐판으로 구성되고, 각 차폐판은 각 밀착부위에 경사면이 형성되며, 상기 차폐판의 이동에 따라 상기 베이스 통공의 개방 정도를 조절하도록 복수의 차폐판으로 구성된 전해도금 차폐판.
- 제 1항에 있어서,
상기 베이스 차폐패널은 다수의 베이스통공이 종방향으로 군을 이루며, 상기 종렬군이 각각 이격된 상태로 배열된 전해도금 차폐판.
- 제 1항에 있어서,
상기 베이스통공은 5-15mm의 직경을 갖는 전해도금 차폐판.
- 제 1항에 있어서,
상기 전류량 조절부재는 베이스 차폐패널에 밀착되는 적어도 두 개의 차폐판으로 구성된 전해도금 차폐판.
- 삭제
- 삭제
- 제 1항에 있어서,
상기 상부차폐판과 하부차폐판, 중간차폐판은 다수의 통공이 종렬군을 형성하도록 천공되며, 상기 베이스통공과 동일 크기 및 배열을 갖는 전해도금 차폐판.
- 제 1항에 있어서,
상기 상부차폐판과 하부차폐판은 상기 베이스 차폐패널의 일면에 밀착되고, 상기 중간차폐판은 상기 베이스 차폐패널의 반대면에 밀착된 전해도금 차폐판.
- 지그와 기판이 고정된 캐소드;
상기 캐소드에 고정된 기판으로 도금액을 분사하는 노즐파이프;
상기 노즐파이프가 끼워지는 끼움홀이 형성되며, 길이방향을 따라 전면에 통공으로 형성된 개구부와 상기 끼움홀의 양측으로 아노드 삽입부가 형성된 아노드케이스;
상기 아노드케이스의 아노드 삽입부에 끼워지는 아노드;
상기 아노드 삽입부에 밀착설치되어 상기 아노드로부터 발생되는 수소가스를 차단하는 격막;
상기 아노드와 캐소드 사이에 배치되는 다수의 베이스통공이 형성된 베이스 차폐패널; 그리고
상기 베이스 차폐패널의 양측면 설치되어 상기 베이스통공의 개방 정도를 조절하는 전류량 조절부재; 를 포함하는 전해도금 장치.
- 삭제
- 제 9항에 있어서,
상기 개구부는 아노드 삽입부의 길이방향을 따라 연속적으로 형성된 다수개의 통공인 전해도금 장치.
- 삭제
- 제 9항에 있어서,
상기 아노드케이스는 상부가 개구되며, 개구된 상부를 통해 아노드에서 발생된 가스가 배출되도록 구성된 전해도금 장치.
- 제 9항에 있어서,
상기 격막은 아노드에서 발생되는 전류가 통과하도록 미세통공이 형성된 전해도금 장치.
- 제 9항에 있어서,
상기 격막은 격막 고정블럭을 통해 상기 아노드 삽입부와 밀착되는 전해도금 장치.
- 제 15항에 있어서,
상기 격막 고정블럭은 중앙부위에 관통홀이 형성된 전해도금 장치.
- 제 9항에 있어서,
상기 격막은 아노드 삽입부에 각각 밀착되도록 분할 구성된 전해도금 장치.
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