TW202233903A

TW202233903A - 用於基板之化學及/或電解表面處理之製程液體之分散式系統

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Publication number: TW202233903A
Application number: TW110115822A
Authority: TW
Inventors: 赫伯特奧茲林格; 安德魯斯格雷斯尼爾; 奧利佛克諾
Original assignee: 奧地利商勝思科技有限公司
Priority date: 2020-02-28
Filing date: 2021-04-30
Publication date: 2022-09-01
Also published as: PT3872236T; EP3872236B1; CN115244223A; PL3872236T3; EP4107312A1; JP2023505619A; CN115244223B; EP3872236A1; KR20220118558A; US20230075605A1; WO2021170851A1; KR102553009B1

Abstract

本發明係關於一種用於一基板之化學及/或電解表面處理之一製程液體之分散式系統，一種用於一基板之化學及/或電解表面處理之一製程液體之分散式方法，及一種資料處理裝置。用於一基板之化學及/或電解表面處理之一製程液體之該分散式系統包括一分散式本體及一屏蔽元件。該分散式本體包括用於該製程液體之複數個開口。該屏蔽元件經組態以至少部分覆蓋該複數個開口中之至少一者，以限制該製程液體流動通過該分散式本體。

Description

用於基板之化學及/或電解表面處理之製程液體之分散式系統

本發明係關於一種用於一基板之化學及/或電解表面處理之一製程液體及一電流之分散式系統，一種用於一基板之化學及/或電解表面處理之一製程液體之分散式方法及一種對應資料處理裝置。

用於生產印刷電路板(PCB)之面板之基板尺寸正經歷其尺寸之顯著增加，以便提高製造效率以及適應較大實體尺寸技術要求。面板已達到顯著超過1000 mm及在一些情況中甚至超過3000 mm之單側長度。

在用於電子工業之面板之製造期間，一重要處理步驟係產生所謂的互連件，此意謂在一板上之裝置之間製造個別電連接。通常，電化學沈積銅(或其他導電材料)之技術被用於產生此等互連件。與微電子互連件相比，面板上之電連接線之尺寸可為巨觀的，且大多數巨觀上不均勻地分散於整個面板區域上方。其中必須沈積例如銅之區域之巨觀不均勻分散導致以下效應：與其中銅線密度較高之區域相比，在具有一低金屬線密度之區域中觀察到一較高銅沈積速率。此係因為相對於具有待沈積之一較高金屬線密度之區域，在低密度金屬線區域中，更多含銅電解質可用於沈積製程(較少金屬離子擴散限制)。另外，相對於可用金屬線，有效電場線之密度更高。

迄今為止，用以改良互連件之整體沈積均勻性之最佳處理方法係基於所謂的HSP系統(意謂含有高速鍍覆技術之系統)。在此一系統中，將一個或兩個HSP連同一個或兩個基板一起浸入至容納一電解質及一個或數個陽極之一罐中。在填充有電解質之此罐內，電解質(及由此產生之電流分佈)經引導通過(若干) HSP板而朝向(若干)基板表面。HSP通常專門為處理特定面板設計而生產，其中面板特徵部在一定程度上與基板上之待電鍍金屬線特徵部對準。在先前技術中，已藉由產生高密度的電解質噴流及近似對應於在基板上起反應之表面元件之一分佈的電流密度分散式元件(其等界定待顯示之一結構使得例如一出口開口與一表面元件近似對準)來改良基板上之空間不均勻鍍覆的問題。然而，當面板大小達到較大尺寸時，針對不同面板設計且具有變化尺寸之特定HSP分散式本體之製造變得非常耗時且昂貴。

DE 102010033256 A1揭示一種用於在一化學及/或電解表面處理中產生目標流動及電流密度型樣之裝置及方法。該裝置包括一流動分散器本體，該流動分散器本體經安置而使其之一正面平面平行於(plane-parallel to)一待處理基板，且在該正面上具有出口開口，製程溶液透過該等出口開口流動至基板表面上。自基板回流之製程溶液透過連接通路引出至流動分散器本體之背面上。同時，一導電基板表面上之一電場之一目標分佈受該等連接通路之一特定配置影響。

因此，可需要提供一種用於一基板之化學及/或電解表面處理之一製程液體及一電流之經改良分散式系統，該經改良分散式系統容許針對變化面板設計及大小之一更佳沈積均勻性，而不必再製造及更換HSP單元。

藉由本發明之獨立技術方案之標的物來解決此問題，其中進一步實施例併入於附屬技術方案中。應注意，在下文描述之本發明之態樣亦適用於用於一基板之化學及/或電解表面處理之一製程液體之分散式系統，用於一基板之化學及/或電解表面處理之一製程液體之分散式方法及對應資料處理裝置。

根據本發明，提出一種用於一基板之化學及/或電解表面處理之一製程液體及一電流之分散式系統。該分散式系統包括一分散式本體及一屏蔽元件。該分散式本體包括複數個開口。該製程液體及/或一電流可通過該等開口。用於該製程液體之開口及用於該電流之開口可為分離的，此意謂不同開口。換言之，一些開口用於該製程液體且其他開口用於該電流。該屏蔽元件經組態以至少部分覆蓋該複數個開口之至少一者(或至少一些)以限制該製程液體及/或該電流流動通過該分散式本體。此可被理解為該屏蔽元件可獨立地覆蓋製程液體開口及電流開口且藉此獨立地控制及限制該製程液體之流動及該電流之流動。

換言之，該屏蔽元件可覆蓋該分散式本體之部分且藉此影響該基板上之一沈積材料(例如，銅)之一局部沈積速率。術語「局部」指代相同基板上之不同區域或部位。藉由控制一基板上之局部沈積速率，可達成一更佳且更均勻之整體沈積。若基板將具備將習知地導致不同沈積速率及一不良整體沈積均勻性之不同緻密結構，則此尤其適用。因此，根據本發明之該分散式系統容許平衡待沈積於相同基板上之不同緻密結構之習知負面效應。因此，該分散式系統容許以一大沈積均勻性處理一基板上之不同緻密結構。

更詳細地：藉由沈積製程，該基板可具備緻密及非緻密結構以及隔離型及非隔離型結構。緻密及非緻密結構以及隔離型及非隔離型結構可導致不同沈積速率位準。緻密結構可被理解為具有基板上之沈積材料之在70%至90%之範圍內之一覆蓋率，而非緻密結構可被理解為具有在10%至30%之範圍內之一覆蓋率。另外，一100%至0%分佈係可能的。若一個區域具有緻密結構且另一區域具有非緻密結構，則該非緻密結構區域可具有高於該緻密結構區域之一沈積速率。對於隔離型及非隔離型結構，該基板可在該基板之隔離型區域中具有一非均勻沈積速率與一較高沈積速率。另外，靠近該基板之一邊緣之一區域或該邊緣本身可具有比更遠離該基板之一邊緣之一區域更高之一沈積速率。

藉由將屏蔽元件應用於該分散式系統，可調整該基板上之該沈積材料之分散速率以至少平衡上文說明之不規則性。特定言之，藉由藉助於該屏蔽元件改變該分散式本體之該等開口之一覆蓋率，可調整該沈積材料之該分散速率，且可使沈積更均勻。

在一實施例中，該分散式本體可包括用於該製程液體及一電流之複數個開口。在此實施例中，一些開口可為排洩孔且另外一些開口可為噴射孔。該等排洩孔可經組態以引導一電流。該等排洩孔可為在該分散式本體之一正面與一背面之間延伸之通孔。該等排洩孔可充當電流密度分散式元件。該等噴射孔可為用於排出一電解質之電解質噴流。該分散式本體之該正面可經引導朝向該基板，且該分散式本體之該背面可在該正面之一相對側上而未面向該基板(但面向例如至少一個陽極)。該屏蔽元件可經組態以部分覆蓋該複數個開口之至少一者以限制通過該分散式本體之該製程液體之一流動及/或該電流之一流動。藉由覆蓋該分散式本體之至少一些開口，可修改該製程液體之該流動及/或可更改該基板之電流分佈。

透過各自分離的開口引導與製程液體分離的電流可提供基板表面之特定部分之處理中的進一步靈活性及簡潔性。藉由透過不同開口來分離電流及製程液體的分散，可做出一目標選擇，例如，在改變(減小或增加)電流之流動時，製程液體流動可保持不受影響。在減小電流密度時未減小朝向基板之製程液體流動導致(例如)防止在一基板之化學及/或電解表面處理期間氫氣氣泡更強力地附著至基板，或在處理之後仍可自表面洗去顆粒。類似地，可在電流之流動保持恆定時改變(增加或減小)製程液體之流動。亦可切斷電流或製程液體流動之一者(防止其到達基板)，而另一者繼續流動通過該分散式本體。在一實施例中，該屏蔽元件經組態以至少部分覆蓋該複數個開口之至少一者(或至少一些)，以不僅修改通過該分散式本體之該製程液體之一流動，而且更改用於基板之化學及/或電解表面處理之一電流分佈。

在化學及/或電解表面處理系統及方法中，一待處理基板可經附接至一基板固持件，被浸入至一電解質製程液體中，且用作一陰極。一電極可被浸入至一處理腔室中的製程液體中，且用作一陽極。可將一直流電施加至該製程液體，以使帶正電荷之金屬離子在該陽極處解離。接著，該等離子遷移至陰極，在該陰極處，其等鍍覆經附接至該陰極之基板。替代地，該陽極可為惰性的，且在此情況中能夠提供沈積金屬離子(其等係透過電解質組合物提供)所需之電流。

該分散式系統可為具有其中垂直插入基板之一垂直處理腔室之一垂直分散式系統。該分散式系統亦可為具有其中水平插入基板之一水平處理腔室之一水平分散式系統。

該基板可包括一導體板、一半導體基板、一膜基板、一基本上板狀、金屬或金屬化工件，或類似者。

為引導製程液體及/或電流流動至該基板，該分散式本體包括複數個開口。該等開口可經組態以在該處理腔室中射出製程液體及/或接納來自該處理腔室之製程液體之一回流。引導該製程液體之開口可經引導朝向該基板，及/或朝向避開該基板之相反方向。

該屏蔽元件特定言之可在其形狀及大小方面對應於該分散式本體。此意謂其等可具有相同形狀及大小。該屏蔽元件亦可小於該分散式本體。該屏蔽元件亦可大於該分散式本體或大於待處理區域，特定言之在該基板之一邊緣之一區域中。該屏蔽元件可包括製程液體可通過之至少一個孔隙。換言之，該屏蔽元件之一塊體材料可覆蓋該分散式本體之複數個開口中之至少一者，且干擾或阻擋該製程液體及/或該電流之流動。因此，修改通過該分散式本體之製程液體的流動及/或電流的流動，且僅通過該屏蔽元件之(若干)孔隙之製程液體的一部分可到達基板。因此，一基板上方之沈積材料(例如，銅)之一沈積速率可受屏蔽元件影響。

該屏蔽元件可包括至少一個孔隙，而且包括容許製程液體及電流通過之複數個孔隙。該等孔隙可以相同尺寸及形狀形成。然而，孔隙可在尺寸及/或形狀上不同地形成。孔隙可為矩形、三角形、多邊形或圓形形狀。孔隙亦可包括垂直、水平或交叉配置之數個狹槽。

該屏蔽元件可覆蓋該等開口之一特定部分使得一些開口可直接朝向基板或在相反方向上射出製程液體，而其餘開口可藉由該屏蔽元件覆蓋使得從此等開口流出之製程液體可未直接到達基板。該屏蔽元件亦可覆蓋將電流引導朝向基板之該等開口之一特定部分，而其餘開口可藉由該屏蔽元件覆蓋使得從此等開口流出之電流可未直接到達基板。該屏蔽元件之此一覆蓋率可在0%與100%之間。換言之，該屏蔽元件之塊體材料可覆蓋該分散式本體之一些開口，例如，可覆蓋所有開口之30%或更多、所有開口之50%或更多或所有開口之70%或更多。

在一實施例中，用於一基板之化學及/或電解表面處理之一製程液體之該分散式系統包括一處理單元，該處理單元經組態以藉助於該屏蔽元件基於待處理基板之一局部部分之一預定局部沈積速率來控制該等開口之一覆蓋率。該處理單元可僅阻擋或覆蓋用於製程液體之開口或僅用於電流之開口。換言之，該處理單元可根據製程液體之預定局部沈積速率來監測及判定待藉由該屏蔽元件阻擋或覆蓋之該分散式本體之該等開口之一部分。因此，可實施根據開口之所需覆蓋率之屏蔽元件之一自動化改變或移動。

在一實施例中，該處理單元進一步經組態以基於待應用於該基板之局部部分上之結構之一局部密度來判定局部沈積速率。根據一預定要求(例如，結構之一局部密度或一沈積均勻性)，該處理單元可監測及判定製程液體之局部沈積速率。因此，可實施根據開口之所需覆蓋率之屏蔽元件之一自動化改變或移動。

在一實施例中，該屏蔽元件係經塑形以覆蓋一開口陣列之板。該屏蔽元件可經形成使得可阻擋或干擾該分散式本體之該等開口之一特定或預定區域。該屏蔽元件可相對於待處理基板表面平行地配置於該分散式本體與該基板之間抑或該分散式本體與陽極之間。因此，若該屏蔽元件可以一板狀形成，則可減小其中可插入該分散式本體、該基板、該陽極及該製程液體之處理腔室之一大小。此外，待覆蓋之該分散式本體之所有開口可具有至屏蔽元件之相同距離，此可導致開口之一均勻覆蓋效果。然而，該屏蔽元件可為例如殼形或環形。環形不僅包含圓環形狀，而且包含由可完成及支援較高沈積均勻性之目標之方形、矩形或任何其他角形式所表示之環形。

在一實施例中，該屏蔽元件可相對於該分散式本體移動。換言之，該屏蔽元件可小於該分散式本體且可移動至被判定為待覆蓋之一位置。較佳地，此處，該屏蔽元件可在一垂直及一水平方向上移動。額外地或替代地，該屏蔽元件可釋放地固定於該分散式本體處，且如有必要，則該屏蔽元件可用具有一不同覆蓋率之另一屏蔽元件替換。較佳地，此處，該屏蔽元件可在一垂直方向上移動。

在一實施例中，該屏蔽元件包括至少部分插入於該分散式本體之複數個開口之至少一者(或至少一些)中以防止製程液體或電流之流動之複數個模板或銷。根據基於一預定局部沈積速率、一局部結構密度及/或一電流分佈判定之一所需覆蓋率，可將該複數個銷插入至該分散式本體之開口之至少一者(或至少一些)中。

在一實施例中，該屏蔽元件機械地、靜電地及/或磁性地連接至該分散式本體。該屏蔽元件可在一預定義距離處可釋放地附接至該分散式本體或可緊緊地配合至該分散式本體。該屏蔽元件及該分散式本體可同時或分開插入至處理腔室中。該屏蔽元件可沿著該分散式本體及/或沿著待處理基板表面插入。

在一實施例中，該分散式本體可包括一屏蔽元件框架。該屏蔽元件框架可包括其中可插入該屏蔽元件之一凹槽。該屏蔽元件框架可直接配置於該分散式本體處。該屏蔽元件框架可藉由施加一靜電、機械或一磁力或類似者來固持該屏蔽元件。該屏蔽元件框架可容許取決於例如不同待處理基板而(自動)更換屏蔽元件。

在模板之情況中，該等模板可以一形狀配合方式插入於該分散式本體之開口中以避免在電流通過期間模板在製程液體中丟失或被移除。另外，可施加一靜電、機械或磁力或類似者以將模板固定地固持於開口中。可取決於例如不同待處理基板而(自動地)更換模板。可在使用之後清潔該等模板。

在一實施例中，該等模板之至少一者(或至少一些)包括鑽孔。待插入至開口中之該等模板可包括在分散式本體之開口之一方向上延伸之通孔。可透過該等通孔射出或排洩製程液體。因此，鑽孔可藉由改變通孔之一直徑而容許開口之一覆蓋率或一電流分佈之一額外調整。

在一實施例中，該等開口係排洩孔。術語「排洩孔」可被理解為一電流透過其流動通過該分散式本體之開口。

在一實施例中，該等排洩孔係在該分散式本體之經引導朝向基板之一正面與該分散式本體之與該正面相對之一背面之間延伸的通孔。換言之，該分散式本體可包括一第一面及一第二面。為容許通過該分散式本體之電流之液體連通，該分散式本體可包括在第一或正面與第二或背面之間之通孔。例如，一電流可在該分散式本體之正面處提供且回流至該分散式本體以到達背面。因此，該等排洩孔可形成為連接該分散式本體之正面與背面之一通孔或一通路。

在一實施例中，該等開口係經組態以將製程液體引導至基板上之噴射孔。術語「噴射孔」可被理解為製程液體在至基板或至一處理側之方向上透過其流出該分散式本體的開口。換言之，經配置於該分散式本體處或該分散式本體中之噴射孔可面向待處理基板。因此，在此情況中，該等噴射孔可藉由屏蔽元件，根據一預定覆蓋率至少部分覆蓋，以調整處理液體之一射出速率及因此基板上之沈積速率。

在一實施例中，引導電流之開口之大小及/或形狀可不同於引導製程液體之開口。例如，噴射孔之大小及/或形狀可不同於排洩孔。

在一實施例中，用於引導製程液體流動之開口的數量可多於用於引導電流流動之開口的數量。換言之，排洩孔之數量可少於噴射孔之數量。然而，引導製程液體流動之開口亦可等於引導電流之開口之數量；即，排洩孔及噴射孔之數目可相等。

在一實施例中，開口係配置於分散式本體之正面處。該分散式本體之該正面經組態以待引導朝向基板用於基板之表面處理。該分散式本體之該正面可係面向基板配置於其處之處理側，且該分散式本體之背面可面向一陽極配置於其處之一陽極側。該正面及該背面可係相對於該分散式本體彼此相對。

換言之，可在基板之方向上配置待由屏蔽元件覆蓋之開口。因此，可相對於結構之局部密度來調整處理腔室中之製程液體的射出速率抑或排洩速率(或兩者)及電流密度。

在一實施例中，開口係配置於該分散式本體之背面處。該背面與該分散式本體之正面係相對配置，其中該正面經組態以待引導朝向基板用於基板之表面處理。換言之，可在陽極之方向上配置待由屏蔽元件覆蓋之開口。因此，可調整製程液體進入陽極側之排洩速率。較佳地，該屏蔽元件可係直接配置於該分散式本體之背面處的開口上。

在一實施例中，分散式本體之背面亦組態為經引導朝向一額外基板以用於此額外基板之一表面處理。因此，兩個待處理基板相對於該分散式本體對稱地配置，且處理單元可經組態以針對兩個基板控制開口之覆蓋率。因此，可進一步促進及加快一個以上基板之化學及/或電解表面處理。在此實施例中，引導電流之開口亦可為將電流引導至兩個待處理基板之通孔。

根據本發明，亦提出一種用於一基板之化學及/或電解表面處理之一製程液體及一電流之分散式方法。用於一基板之化學及/或電解表面處理之一製程液體及一電流之該分散式方法包括以下步驟： - 提供一分散式本體，其中該分散式本體包括用於該製程液體及該電流之複數個開口， - 提供一屏蔽元件，其中該屏蔽元件經組態以至少部分覆蓋該複數個開口之至少一者(或至少一些)以限制該製程液體及該電流流動通過該分散式本體，及 - 藉助於該屏蔽元件控制通過該分散式本體之製程液體及該電流之流動。

因此，可調整該基板上之一沈積材料之一分散速率。特定言之，藉由改變該屏蔽元件之一覆蓋率且因此藉由改變該分散式本體之用於一製程液體及一電流之開口之一覆蓋率，可控制該沈積材料之該分散速率。因此，該基板可包括一均勻沈積材料層。

在一實施例中，根據該分散式方法提供之該分散式本體可包括用於引導製程液體之開口及用於引導一電流之其他開口。一些開口可為排洩孔且一些其他開口可為噴射孔。排洩孔可經組態以引導一電流，而噴射孔可經組態以將製程液體引導至基板上。該等排洩孔可在該分散式本體之一前表面與一後表面之間延伸，該前表面經引導朝向該基板。在此實施例中，該屏蔽元件可經組態以至少部分覆蓋該等開口以限制通過該分散式本體之製程液體之一流動及/或電流之一流動，以修改製程液體之一流動或更改基板之電流分佈，或修改該製程液體及該電流之流動兩者。

根據本發明，亦提出一種包括用於實行上述方法步驟之構件之資料處理裝置。

應理解，根據獨立技術方案之系統、方法及資料處理裝置具有特定言之如附屬技術方案中所定義之類似及/或相同較佳實施例。進一步應理解，本發明之一較佳實施例亦可為附屬技術方案與各自獨立技術方案之任何組合。

將自下文中描述之實施例明白及參考下文中描述之實施例闡明本發明之此等及其他態樣。

圖1示意性地且例示性地展示根據本發明之用於一基板20之化學及/或電解表面處理之一製程液體及一電流之一分散式系統1的一實施例。

在化學及/或電解表面處理技術中，一待處理基板20附接至一基板固持件21且浸入至一電解質製程液體中且用作一陰極。一電極浸入至該製程液體中且用作一陽極40。將一直流電施加至製程液體且使帶正電荷之金屬離子在陽極40處解離。接著，離子遷移至陰極，在陰極處，其等鍍覆附接至陰極之基板20。

基板20可包括一導體板、一半導體基板、一膜基板、一基本上板狀、金屬或金屬化工件或類似者。

分散式系統1包括一分散式本體10及一屏蔽元件30。為引導製程液體及/或一電流流動至基板20，分散式本體10包括複數個開口11 (亦參見圖3a及圖3b)。開口11可將製程液體射出至基板20及/或接納來自基板20之製程液體之一回流。其他開口11可將電流射出至基板20。屏蔽元件30經組態以覆蓋複數個開口11之一些開口11以限制製程液體及/或電流流動通過分散式本體10。屏蔽元件30包括製程液體及一電流可流動通過之至少一孔隙32 (亦參見圖4a及圖4b)。

待由屏蔽元件30覆蓋之開口11可為排洩孔。排洩孔可形成為在分散式本體10之經引導朝向基板20之一正面與分散式本體10之與正面相對且經引導朝向陽極40之一背面之間延伸的通孔。穿過分散式本體10之排洩孔經組態以朝向基板20提供電流以用於基板20之表面處理。背面與分散式本體10之正面相對配置。

替代地，開口11可為配置於正面上且經組態以引導製程液體朝向基板20之噴射孔。

在另一配置中，開口11可為用以提供一電流之排洩孔及用以將製程液體引導至基板之噴射孔之一組合。

待由屏蔽元件30覆蓋之開口11可配置於分散式本體10之正面處。開口11可為排洩孔或噴射孔或兩者之混合。換言之，屏蔽元件30可配置於基板20與分散式本體10之間。替代地，待由屏蔽元件30覆蓋之開口11可配置於分散式本體10之一背面處。換言之，屏蔽元件30可配置於陽極40與分散式本體10之間。

分散式系統1進一步包括一處理單元(未展示)，該處理單元經組態以藉助於屏蔽元件30基於待處理基板20之一局部部分之一預定局部沈積速率來控制開口11之一覆蓋率。處理單元進一步經組態以基於待應用於基板20之局部部分上之結構之一局部密度來判定局部沈積速率。處理單元亦經組態以藉助於屏蔽元件來控制開口之覆蓋率以限制用於基板之化學及/或電解表面處理之一電流分佈。屏蔽元件可僅阻擋或覆蓋用於製程液體之開口11或用於電流之開口11或兩者之混合。

圖2a及圖2b示意性地且例示性地展示配置於一分散式本體10處之一屏蔽元件30之一實施例。屏蔽元件30係經塑形以覆蓋一開口11陣列之板(參見圖3a及圖3b)。屏蔽元件30可相對於分散式本體10，較佳在一垂直方向上移動。為將屏蔽元件30固定地固持於分散式本體10處，一屏蔽元件框架31配置於分散式本體10處。屏蔽元件框架31包括一凹槽，板狀屏蔽元件可容易在該凹槽中滑動。作為屏蔽元件框架31之替代或補充，可藉由施加一靜電、機械或磁力來將屏蔽元件30連接至分散式本體10。

圖3a、圖3b示意性地且例示性地展示配置於一分散式系統中之一屏蔽元件30之一實施例。特定言之，圖3a展示不具有一屏蔽元件30之一分散式本體10。相比之下，圖3b展示其處至少一開口11陣列藉由板狀屏蔽元件30覆蓋之一分散式本體10。可藉由一處理單元(未展示)基於待處理基板20之一局部部分之一預定局部沈積速率及/或待應用於基板20之局部部分上之結構之一局部密度來判定及控制開口11之覆蓋率。

屏蔽元件30特定言之在其形狀及大小方面對應於分散式本體10。如圖3b中所展示，屏蔽元件30覆蓋開口11之一特定部分使得僅剩餘未覆蓋之開口可將製程液體或電流直接射出至基板20。經覆蓋開口11藉由屏蔽元件30覆蓋，使得流出此等開口11之製程液體可未直接到達基板20及/或電流可未直接到達基板20 (亦參見圖4a及圖4b)。屏蔽元件30之一塊體材料可覆蓋分散式本體10之開口11之例如30%、50%或70%。

圖4a及圖4b展示屏蔽元件30之兩種設計。如圖4a中所展示，屏蔽元件30包括一單一孔隙32。如圖4b中所展示，根據例如一預定電流分佈，屏蔽元件30包括複數個孔隙32。

作為一替代，圖5展示包括至少部分待插入於分散式本體10之複數個開口11之至少一些中之複數個模板33之一屏蔽元件30。此外，模板之至少一者可包括鑽孔(未展示)。鑽孔可容許藉由改變通孔之一直徑而額外地調整一覆蓋率或一電流分佈。

應注意，本發明之實施例係關於不同標的物描述。特定言之，一些實施例係關於方法類型請求項描述，而其他實施例係關於裝置類型請求項描述。然而，熟習此項技術者將從上文及下文描述獲悉，除非另有通知，否則除屬於一種類型之標的物之特徵之任何組合之外，亦考量運用本申請案揭示關於不同標的物之特徵之間的任何組合。然而，可組合所有特徵，從而提供超過特徵之簡單加總之協同效應。

雖然已在圖式及前文描述中詳細繪示及描述本發明，但此繪示及描述應被視為闡釋性的或例示性的而非限制性的。本發明不限於所揭示實施例。自圖式、揭示內容及隨附發明申請專利範圍之研究，熟習此項技術者可在實踐一所主張發明時理解及實現所揭示實施例之其他變動。

在發明申請專利範圍中，字詞「包括」並不排除其他元件或步驟，且不定冠詞「一」或「一個」並不排除複數個。一單一處理器或其他單元可履行發明申請專利範圍中敘述之數項之功能。某些措施在互不相同的附屬請求項中敘述，但僅就此事實，並不指示此等措施之一組合不能用於獲得好處。發明申請專利範圍中之任何元件符號不應被解釋為限制範疇。

1:分散式系統 10:分散式本體 11:開口 20:基板 21:基板固持件 30:屏蔽元件 31:屏蔽元件框架 32:孔隙 33:模板 40:陽極

下文將參考隨附圖式描述本發明之例示性實施例：圖1示意性地且例示性地展示根據本發明之用於一基板之化學及/或電解表面處理之一製程液體及一電流之一分散式系統的一實施例。圖2a、圖2b示意性地且例示性地展示根據本發明之配置於一分散式系統中之一分散式本體處之一屏蔽元件的一實施例。圖3a、圖3b示意性地且例示性地展示根據本發明之配置於一分散式系統中之一屏蔽元件的一實施例。圖4a、圖4b示意性地且例示性地展示根據本發明之一屏蔽元件之一實施例。圖5示意性地且例示性地展示根據本發明之一屏蔽元件之一實施例。

1:分散式系統

10:分散式本體

20:基板

21:基板固持件

30:屏蔽元件

40:陽極

Claims

一種用於一基板(20)之化學及/或電解表面處理之一製程液體及一電流之分散式系統(1)，其包括：一分散式本體(10)，及一屏蔽元件(30)，其中該分散式本體(10)包括用於該製程液體及一電流之複數個開口(11)，及其中該屏蔽元件(30)經組態以至少部分覆蓋該複數個開口(11)中之至少一者，以限制該製程液體及該電流流動通過該分散式本體(10)。
如請求項1之分散式系統(1)，進一步包括一處理單元，該處理單元經組態以藉助於該屏蔽元件(30)基於該待處理基板(20)之一局部部分之一預定局部沈積速率來控制該等開口(11)之一覆蓋率。
如請求項1或2之分散式系統(1)，其中該處理單元進一步經組態以基於待應用於該基板(20)之該局部部分上之結構之一局部密度來判定該局部沈積速率。
如請求項2之分散式系統(1)，其中該處理單元經組態以藉助於該屏蔽元件(30)來控制該等開口(11)之該覆蓋率，以限制用於該基板(20)之化學及/或電解表面處理之一電流分佈。
如請求項1或2之分散式系統(1)，其中該屏蔽元件(30)係經塑形以覆蓋一開口(11)陣列之板。
如請求項1或2之分散式系統(1)，其中該屏蔽元件(30)可相對於該分散式本體(10)移動。
如請求項1或2之分散式系統(1)，其中該屏蔽元件(30)經機械地、靜電地及/或磁性地連接至該分散式本體(10)。
如請求項1或2之分散式系統(1)，其中該屏蔽元件(30)包括至少部分待插入於該分散式本體(10)之該複數個開口(11)之至少一些中的複數個模板(33)。
如請求項8之分散式系統(1)，其中該等模板(33)之至少一者包括鑽孔。
如請求項1或2之分散式系統(1)，其中該等開口(11)係經組態以引導該電流之排洩孔，且其中該等排洩孔係在該分散式本體(10)之經引導朝向該基板(20)之一正面與該分散式本體(10)之與該正面相對之一背面之間延伸的通孔。
如請求項1或2之分散式系統(1)，其中該等開口(11)係經組態以將該製程液體引導至該基板(20)上之噴射孔。
如請求項1或2之分散式系統(1)，其中該等開口(11)係配置於該分散式本體(10)之該正面處，其中該分散式本體(10)之該正面經組態以待引導朝向該基板(20)用於該基板(20)之該表面處理。
如請求項1或2之分散式系統(1)，其中該等開口(11)係配置於該分散式本體(10)之該背面處，其中該背面與該分散式本體(10)之一正面係相對配置，其中該正面經組態以待引導朝向該基板(20)用於該基板(20)之該表面處理。
一種用於一基板(20)之化學及/或電解表面處理之一製程液體及一電流之分散式方法，其包括以下步驟：提供一分散式本體(10)，其中該分散式本體(10)包括用於該製程液體及該電流之複數個開口(11)，提供一屏蔽元件(30)，其中該屏蔽元件(30)經組態以至少部分覆蓋該複數個開口(11)之至少一者，以限制該製程液體及該電流流動通過該分散式本體(10)，及藉助於該屏蔽元件(30)控制通過該分散式本體(10)之製程液體及該電流之該流動。
一種資料處理裝置，其經組態用於實行如請求項14之方法步驟。