JPH10130896A - 電気めっき方法 - Google Patents
電気めっき方法Info
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- JPH10130896A JPH10130896A JP28568296A JP28568296A JPH10130896A JP H10130896 A JPH10130896 A JP H10130896A JP 28568296 A JP28568296 A JP 28568296A JP 28568296 A JP28568296 A JP 28568296A JP H10130896 A JPH10130896 A JP H10130896A
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- density distribution
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/241—Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電流密度の緻密なコントロールが行える電気
めっき方法を提供する。 【解決手段】 基板１を陰極として陽極２と対峙させ、
上記基板１表面にめっきを施す電気めっき方法であっ
て、上記基板１表面の近傍に電流密度センサー４を設置
し、基板１と陽極２の間に遮蔽板３を介在させて、上記
電流密度センサー４により検出された電流密度分布を観
測しながら、上記遮蔽板３による基板１と陽極２の間の
遮蔽面積を変えて電流密度分布を調整する。
めっき方法を提供する。 【解決手段】 基板１を陰極として陽極２と対峙させ、
上記基板１表面にめっきを施す電気めっき方法であっ
て、上記基板１表面の近傍に電流密度センサー４を設置
し、基板１と陽極２の間に遮蔽板３を介在させて、上記
電流密度センサー４により検出された電流密度分布を観
測しながら、上記遮蔽板３による基板１と陽極２の間の
遮蔽面積を変えて電流密度分布を調整する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気めっき方法に
関し、特に、プリント配線板用の基板上にめっき層を形
成するのに有用な電気めっき方法に関するものである。
関し、特に、プリント配線板用の基板上にめっき層を形
成するのに有用な電気めっき方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、電気めっきにおいて、均一な膜
厚を有するめっき層を得るためには、被めっき面上に極
力均一な電流密度分布とした状態でめっきを行う必要が
ある。このために、従来は、電流密度センサーを用いて
電流密度分布を観測しながら、その電流密度分布が所定
のめっき層の厚みとなる範囲を外れた場合に、印可電
圧、電流値、基板と陽極の位置関係、めっき液の循環速
度、めっき促進剤又はめっき抑制剤の添加のうちから少
なくとも一つを調節することで、基板上の電流密度の均
一化を図って電流密度をコントロールしながらめっきす
る方法などが行われている。
厚を有するめっき層を得るためには、被めっき面上に極
力均一な電流密度分布とした状態でめっきを行う必要が
ある。このために、従来は、電流密度センサーを用いて
電流密度分布を観測しながら、その電流密度分布が所定
のめっき層の厚みとなる範囲を外れた場合に、印可電
圧、電流値、基板と陽極の位置関係、めっき液の循環速
度、めっき促進剤又はめっき抑制剤の添加のうちから少
なくとも一つを調節することで、基板上の電流密度の均
一化を図って電流密度をコントロールしながらめっきす
る方法などが行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記従来法で
は、電流密度の大きなうねりを抑制することはできる
が、電流密度の緻密なコントロールが十分とはいえず、
例えば、プリント配線板のパターンめっきのように、
１枚の基板上に導体幅や導体間隔の異なる部分が存在す
る場合には、形成されるめっき層の膜厚に部分的にバラ
ツキを生じたり、あるいは基板の大きさがが電極より
も小さい場合には、基板の端部のめっき厚みが中央部よ
りも厚く付く傾向がある、というようにその効果を十分
に発揮できないものであった。
は、電流密度の大きなうねりを抑制することはできる
が、電流密度の緻密なコントロールが十分とはいえず、
例えば、プリント配線板のパターンめっきのように、
１枚の基板上に導体幅や導体間隔の異なる部分が存在す
る場合には、形成されるめっき層の膜厚に部分的にバラ
ツキを生じたり、あるいは基板の大きさがが電極より
も小さい場合には、基板の端部のめっき厚みが中央部よ
りも厚く付く傾向がある、というようにその効果を十分
に発揮できないものであった。
【０００４】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
ので、電流密度の緻密なコントロールが行える電気めっ
き方法を提供するものである。
ので、電流密度の緻密なコントロールが行える電気めっ
き方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に係る電気めっき方法は、基板を陰極とし
て陽極と対峙させ、上記基板表面にめっきを施す電気め
っき方法であって、上記基板表面の近傍に電流密度セン
サーを設置し、基板と陽極の間に遮蔽板を介在させて、
上記電流密度センサーにより検出された電流密度分布を
観測しながら、上記遮蔽板による基板と陽極の間の遮蔽
面積を変えて電流密度分布を調整することを特徴とする
ものである。
に、請求項１に係る電気めっき方法は、基板を陰極とし
て陽極と対峙させ、上記基板表面にめっきを施す電気め
っき方法であって、上記基板表面の近傍に電流密度セン
サーを設置し、基板と陽極の間に遮蔽板を介在させて、
上記電流密度センサーにより検出された電流密度分布を
観測しながら、上記遮蔽板による基板と陽極の間の遮蔽
面積を変えて電流密度分布を調整することを特徴とする
ものである。
【０００６】この電気めっき方法では、上記基板表面の
近傍に設置した電流密度センサーで電流密度を検出し、
基板表面上の測定箇所における電流密度のバラツキ、及
び、めっきの進行に伴って生じる電流密度分布を観測
し、この電流密度分布に応じて、基板と陽極との間に介
在する遮蔽板による遮蔽面積を変えて電流密度分布を調
整することにより、基板の特定部分へのめっき電流集中
を防止して、基板表面の電流密度が均一となるようにす
ばやく調節することができる。
近傍に設置した電流密度センサーで電流密度を検出し、
基板表面上の測定箇所における電流密度のバラツキ、及
び、めっきの進行に伴って生じる電流密度分布を観測
し、この電流密度分布に応じて、基板と陽極との間に介
在する遮蔽板による遮蔽面積を変えて電流密度分布を調
整することにより、基板の特定部分へのめっき電流集中
を防止して、基板表面の電流密度が均一となるようにす
ばやく調節することができる。
【０００７】請求項２に係る電気めっき方法は、請求項
１に係る電気めっき方法において、上記遮蔽板が開口面
積変更自在な透孔を有し、該透孔の開口面積を変動させ
ることにより基板と陽極の間の遮蔽面積を変えて電流密
度分布を調整することを特徴とするものであって、開口
面積変更自在な透孔を有する上記遮蔽板が基板と陽極の
間の遮蔽面積を変える手段としての役割を果たすもので
ある。
１に係る電気めっき方法において、上記遮蔽板が開口面
積変更自在な透孔を有し、該透孔の開口面積を変動させ
ることにより基板と陽極の間の遮蔽面積を変えて電流密
度分布を調整することを特徴とするものであって、開口
面積変更自在な透孔を有する上記遮蔽板が基板と陽極の
間の遮蔽面積を変える手段としての役割を果たすもので
ある。
【０００８】請求項３に係る電気めっき方法は、請求項
２に係る電気めっき方法において、上記透孔が上記遮蔽
板に複数設けられていることを特徴とするものであっ
て、開口面積変更自在な透孔が上記遮蔽板に複数設けら
れていることから、より緻密な電流密度分布の調整が行
える。
２に係る電気めっき方法において、上記透孔が上記遮蔽
板に複数設けられていることを特徴とするものであっ
て、開口面積変更自在な透孔が上記遮蔽板に複数設けら
れていることから、より緻密な電流密度分布の調整が行
える。
【０００９】請求項４に係る電気めっき方法は、請求項
１に係る電気めっき方法において、上記遮蔽板が複数に
分割されており、これらを移動させることによりに基板
と陽極の間の遮蔽面積を変えて電流密度分布を調整する
ことを特徴とするものであって、上記複数に分割された
遮蔽板が基板と陽極の間の遮蔽面積を変える手段として
の役割を果たすものである。
１に係る電気めっき方法において、上記遮蔽板が複数に
分割されており、これらを移動させることによりに基板
と陽極の間の遮蔽面積を変えて電流密度分布を調整する
ことを特徴とするものであって、上記複数に分割された
遮蔽板が基板と陽極の間の遮蔽面積を変える手段として
の役割を果たすものである。
【００１０】請求項５に係る電気めっき方法は、請求項
１乃至請求項４いずれかに係る電気めっき方法におい
て、上記基板の外周の一部又は全てと対峙する補助電極
を設け、上記電流密度センサーにより検出された電流密
度分布を観測しながら、これに応じて上記補助電極を陽
極または陰極として用いることにより電流密度分布を調
整することを特徴とするものであって、電流密度分布を
調整する手段として上記遮蔽板と上記補助電極とを併用
することにより、より緻密な電流密度分布の調整が行え
る。
１乃至請求項４いずれかに係る電気めっき方法におい
て、上記基板の外周の一部又は全てと対峙する補助電極
を設け、上記電流密度センサーにより検出された電流密
度分布を観測しながら、これに応じて上記補助電極を陽
極または陰極として用いることにより電流密度分布を調
整することを特徴とするものであって、電流密度分布を
調整する手段として上記遮蔽板と上記補助電極とを併用
することにより、より緻密な電流密度分布の調整が行え
る。
【００１１】請求項６に係る電気めっき方法は、請求項
１乃至請求項５いずれかに係る電気めっき方法におい
て、上記陽極が複数に分割されており、上記電流密度セ
ンサーにより検出された電流密度分布を観測しながら、
これに応じて分割された各陽極にかかる電圧に差をもう
けることにより電流密度分布を調整することを特徴とす
るものであって、電流密度分布を調整する他の手段とし
て分割された各陽極にかかる電圧に差をもうける手法を
併用することで、より緻密な電流密度分布の調整が行え
る。
１乃至請求項５いずれかに係る電気めっき方法におい
て、上記陽極が複数に分割されており、上記電流密度セ
ンサーにより検出された電流密度分布を観測しながら、
これに応じて分割された各陽極にかかる電圧に差をもう
けることにより電流密度分布を調整することを特徴とす
るものであって、電流密度分布を調整する他の手段とし
て分割された各陽極にかかる電圧に差をもうける手法を
併用することで、より緻密な電流密度分布の調整が行え
る。
【００１２】請求項７に係る電気めっき方法は、請求項
１乃至請求項６いずれかに係る電気めっき方法におい
て、上記陽極が複数に分割されており、上記電流密度セ
ンサーにより検出された電流密度分布を観測しながら、
これに応じて分割された各陽極を移動させることにより
電流密度分布を調整することを特徴とするものであっ
て、電流密度分布を調整する他の手段として分割された
各陽極を移動させる手法を併用することで、より緻密な
電流密度分布の調整が行える。
１乃至請求項６いずれかに係る電気めっき方法におい
て、上記陽極が複数に分割されており、上記電流密度セ
ンサーにより検出された電流密度分布を観測しながら、
これに応じて分割された各陽極を移動させることにより
電流密度分布を調整することを特徴とするものであっ
て、電流密度分布を調整する他の手段として分割された
各陽極を移動させる手法を併用することで、より緻密な
電流密度分布の調整が行える。
【００１３】請求項８に係る電気めっき方法は、請求項
１乃至請求項７いずれかに係る電気めっき方法におい
て、上記陽極が、上記基板を挟んでその両側に設けられ
ていることを特徴とするものであって、上記基板の両面
に同時にめっきを施すことができる。
１乃至請求項７いずれかに係る電気めっき方法におい
て、上記陽極が、上記基板を挟んでその両側に設けられ
ていることを特徴とするものであって、上記基板の両面
に同時にめっきを施すことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳しく説明
する。
する。
【００１５】本発明に係る電気めっき方法は、めっき液
が満たされためっき槽内において、基板を陰極として陽
極と対峙させ、電圧を印加して上記基板表面にめっきを
施す方法であって、上記基板表面の近傍に電流密度セン
サーを設置し、基板と陽極の間に遮蔽板を介在させて、
上記電流密度センサーにより検出された電流密度分布を
観測しながら、上記遮蔽板による基板と陽極の間の遮蔽
面積を変えて電流密度分布を調整するものである。
が満たされためっき槽内において、基板を陰極として陽
極と対峙させ、電圧を印加して上記基板表面にめっきを
施す方法であって、上記基板表面の近傍に電流密度セン
サーを設置し、基板と陽極の間に遮蔽板を介在させて、
上記電流密度センサーにより検出された電流密度分布を
観測しながら、上記遮蔽板による基板と陽極の間の遮蔽
面積を変えて電流密度分布を調整するものである。
【００１６】上記基板としては、特に限定されないが、
プリント配線板用途の基板にめっきを施す場合には、例
えばアルミナ等のセラミックス系の無機基板やエポキシ
樹脂やフェノール樹脂、イミド樹脂等の樹脂積層板など
の各種絶縁基板が挙げられる。そして、上記基板を陰極
として用いるために、該基板表面には予め導電性が付与
されるものであって、例えば無電解めっき等の手法によ
り導体薄膜を形成するとよい。
プリント配線板用途の基板にめっきを施す場合には、例
えばアルミナ等のセラミックス系の無機基板やエポキシ
樹脂やフェノール樹脂、イミド樹脂等の樹脂積層板など
の各種絶縁基板が挙げられる。そして、上記基板を陰極
として用いるために、該基板表面には予め導電性が付与
されるものであって、例えば無電解めっき等の手法によ
り導体薄膜を形成するとよい。
【００１７】上記陽極としては、めっき材料となる金属
電極が用いられるもので、例えば銅めっきを施す場合に
は、銅ボールなどの銅電極が用いられる。この場合、め
っき液には硫酸銅を含む電解液が用いられる。該陽極
は、上記基板の片側面に対して複数に分割されて対峙し
た状態で設置されていてもよく、この場合、分割された
各陽極電極を移動させたり、あるいはそれぞれに加わる
印加電圧、電流に差をもうける等して、基板表面の電流
密度分布の調整が行える。また、基板の表面両側にめっ
きを施す際は、基板を挟んでその両側に陽極を対峙させ
て設けるとよい。
電極が用いられるもので、例えば銅めっきを施す場合に
は、銅ボールなどの銅電極が用いられる。この場合、め
っき液には硫酸銅を含む電解液が用いられる。該陽極
は、上記基板の片側面に対して複数に分割されて対峙し
た状態で設置されていてもよく、この場合、分割された
各陽極電極を移動させたり、あるいはそれぞれに加わる
印加電圧、電流に差をもうける等して、基板表面の電流
密度分布の調整が行える。また、基板の表面両側にめっ
きを施す際は、基板を挟んでその両側に陽極を対峙させ
て設けるとよい。
【００１８】上記電流密度センサーはめっきが施される
基板表面の近傍に設置されるもので、この電流密度セン
サーにより電流密度の検出が行われる。上記電流密度セ
ンサーとしては、基板表面の電流密度を精度良く検出し
うるものであれば特に限定されず、例えばその一例とし
て直交フラックスゲート型の磁気センサーが挙げられ
る。この場合、電流密度センサーは、貫通孔を有し、こ
の貫通孔を通過するイオン電流を感知するセンサー部を
基板表面近傍に設置し、このセンサー部に接続した導線
で外部に出力信号を送るようにして使用されるものであ
る。このとき上記センサー部の貫通孔は基板に対し垂直
となるよう設置するのがよく、また上記センサー部と基
板との間隔は一定となるよう１〜３ｃｍの間隔に設置す
るのが好ましい。また上記センサー部はめっき液の流れ
を妨げないよう薄い方が好ましく、めっき液で浸食され
ないようにフッ素コーティング剤などの耐食性材料によ
り保護されていることが好ましいものであって、同様に
導線についてもフッ素樹脂などの管に内蔵してめっき液
による浸食が防止されていることが望ましい。
基板表面の近傍に設置されるもので、この電流密度セン
サーにより電流密度の検出が行われる。上記電流密度セ
ンサーとしては、基板表面の電流密度を精度良く検出し
うるものであれば特に限定されず、例えばその一例とし
て直交フラックスゲート型の磁気センサーが挙げられ
る。この場合、電流密度センサーは、貫通孔を有し、こ
の貫通孔を通過するイオン電流を感知するセンサー部を
基板表面近傍に設置し、このセンサー部に接続した導線
で外部に出力信号を送るようにして使用されるものであ
る。このとき上記センサー部の貫通孔は基板に対し垂直
となるよう設置するのがよく、また上記センサー部と基
板との間隔は一定となるよう１〜３ｃｍの間隔に設置す
るのが好ましい。また上記センサー部はめっき液の流れ
を妨げないよう薄い方が好ましく、めっき液で浸食され
ないようにフッ素コーティング剤などの耐食性材料によ
り保護されていることが好ましいものであって、同様に
導線についてもフッ素樹脂などの管に内蔵してめっき液
による浸食が防止されていることが望ましい。
【００１９】また、基板の両側にめっきを施す場合に
は、上記電流密度センサーを基板の両側に設置して使用
される。この電流密度センサーの設置の態様としては、
基板表面近傍に片面あたりに複数個の電流密度センサー
を設置し基板の電流密度を検出するようにしてもよく、
あるいは単一の電流密度センサーを移動させて基板上の
電流密度を検出するようにしてもよい。上記電流密度セ
ンサーで電流密度を検出することにより、基板表面の測
定位置における電流密度の分布が瞬時に検出され、電流
密度のばらつき程度を把握することができる。
は、上記電流密度センサーを基板の両側に設置して使用
される。この電流密度センサーの設置の態様としては、
基板表面近傍に片面あたりに複数個の電流密度センサー
を設置し基板の電流密度を検出するようにしてもよく、
あるいは単一の電流密度センサーを移動させて基板上の
電流密度を検出するようにしてもよい。上記電流密度セ
ンサーで電流密度を検出することにより、基板表面の測
定位置における電流密度の分布が瞬時に検出され、電流
密度のばらつき程度を把握することができる。
【００２０】上記遮蔽板は、上記陽極と基板との間に介
在させて設置されるもので、遮蔽面積を変更する機能を
有するものが使用される。すなわち、本発明において
は、上記電流密度センサーで観測した電流密度分布に応
じて、基板表面に所定のめっき層の厚みとなるような電
流密度分布となるように上記遮蔽板を用いて遮蔽面積を
適宜変更して電流密度を調整しながら、基板に電気めっ
きを行うものである。例えば、基盤表面において電流密
度が他の部分よりも大きい部位が存在する場合にはその
部位に電流が集中しないように、あるいは電流密度が他
の部分がよりも小さい部分が存在する場合にはその部分
に電流が集中しないように、上記遮蔽板による遮蔽面積
を適宜変更して電流密度分布を調整することにより、基
板表面に均一なメッキ層が形成できるものである。な
お、基板表面に意図的に厚みの異なるメッキ部分を形成
することも可能なものである。
在させて設置されるもので、遮蔽面積を変更する機能を
有するものが使用される。すなわち、本発明において
は、上記電流密度センサーで観測した電流密度分布に応
じて、基板表面に所定のめっき層の厚みとなるような電
流密度分布となるように上記遮蔽板を用いて遮蔽面積を
適宜変更して電流密度を調整しながら、基板に電気めっ
きを行うものである。例えば、基盤表面において電流密
度が他の部分よりも大きい部位が存在する場合にはその
部位に電流が集中しないように、あるいは電流密度が他
の部分がよりも小さい部分が存在する場合にはその部分
に電流が集中しないように、上記遮蔽板による遮蔽面積
を適宜変更して電流密度分布を調整することにより、基
板表面に均一なメッキ層が形成できるものである。な
お、基板表面に意図的に厚みの異なるメッキ部分を形成
することも可能なものである。
【００２１】上記遮蔽板と基板との間隔はめっき液の循
環を妨げない程度で極力基板に近づけるのが好ましく、
例えばエアバブリングで攪拌する際には間隔が１０〜２
０ｃｍとなる様に設置するとよい。また基板両面にめっ
きを行うためにその両側に陽極を設ける場合には、それ
ぞれ基板の両側に上記遮蔽板を介在させるとよい。
環を妨げない程度で極力基板に近づけるのが好ましく、
例えばエアバブリングで攪拌する際には間隔が１０〜２
０ｃｍとなる様に設置するとよい。また基板両面にめっ
きを行うためにその両側に陽極を設ける場合には、それ
ぞれ基板の両側に上記遮蔽板を介在させるとよい。
【００２２】上記遮蔽板の形態としては、例えば開口面
積変更自在な透孔を有するものや、複数に分割され且つ
各遮蔽板が移動自在に支持されたものなどが挙げられ
る。前者にあっては、上記透孔の開口面積を変更するこ
とにより上記陽極と基板との間の遮蔽面積を変更するこ
とができるものであって、特に上記透孔が複数設けられ
ているものを用いると、各透孔にてそれぞれ開口面積を
適宜変更することが可能であることから、より緻密な電
流密度の調整が行え有利である。この場合、透孔の口径
は任意で、必要に応じて大きさの異なる口径の透孔を混
在させても良い。また、後者にあっては、分割された各
遮蔽板を平行移動させることにより上記陽極と基板との
間の遮蔽面積を変更することができるものである。
積変更自在な透孔を有するものや、複数に分割され且つ
各遮蔽板が移動自在に支持されたものなどが挙げられ
る。前者にあっては、上記透孔の開口面積を変更するこ
とにより上記陽極と基板との間の遮蔽面積を変更するこ
とができるものであって、特に上記透孔が複数設けられ
ているものを用いると、各透孔にてそれぞれ開口面積を
適宜変更することが可能であることから、より緻密な電
流密度の調整が行え有利である。この場合、透孔の口径
は任意で、必要に応じて大きさの異なる口径の透孔を混
在させても良い。また、後者にあっては、分割された各
遮蔽板を平行移動させることにより上記陽極と基板との
間の遮蔽面積を変更することができるものである。
【００２３】上記遮蔽板の材質としては、非導電性材料
が用いられるもので、例えば塩化ビニル樹脂、テフロン
樹脂、ＡＢＳ樹脂などのように耐めっき液性に優れた材
料が好ましい。
が用いられるもので、例えば塩化ビニル樹脂、テフロン
樹脂、ＡＢＳ樹脂などのように耐めっき液性に優れた材
料が好ましい。
【００２４】本発明では、上述したように電流密度セン
サーにて観測した基板表面の電流密度分布のバラツキに
応じて遮蔽面積を調節しながらめっきを行うこと手法を
採用することにより、従来と比べてより精密な電流密度
のコントロールが行えるものである。なお、本発明にお
いては、上記遮蔽板を用いた電流密度分布の調整に加え
て、印可電圧・電流、基板と陽極の位置、めっき液の循
環速度などの調節や、めっき促進剤、めっき抑制剤など
の添加を行う手法を併用して行うこともできるものであ
り、この場合、さらに緻密な電流密度のコントロールが
行えるようになる。また、基板の外周の一部又は全てと
対峙する補助電極を設けてもよく、この場合、電流密度
センサーにて観測した基板表面の電流密度分布に応じて
上記補助電極を陽極又は陰極として作用させることによ
り、めっき層が比較的厚くなりやすい基板外周縁部の電
流密度の調整がより緻密に行えるようになる。
サーにて観測した基板表面の電流密度分布のバラツキに
応じて遮蔽面積を調節しながらめっきを行うこと手法を
採用することにより、従来と比べてより精密な電流密度
のコントロールが行えるものである。なお、本発明にお
いては、上記遮蔽板を用いた電流密度分布の調整に加え
て、印可電圧・電流、基板と陽極の位置、めっき液の循
環速度などの調節や、めっき促進剤、めっき抑制剤など
の添加を行う手法を併用して行うこともできるものであ
り、この場合、さらに緻密な電流密度のコントロールが
行えるようになる。また、基板の外周の一部又は全てと
対峙する補助電極を設けてもよく、この場合、電流密度
センサーにて観測した基板表面の電流密度分布に応じて
上記補助電極を陽極又は陰極として作用させることによ
り、めっき層が比較的厚くなりやすい基板外周縁部の電
流密度の調整がより緻密に行えるようになる。
【００２５】
【実施例】次に、本発明に係る電気めっき方法を実施例
として具体的に説明する。
として具体的に説明する。
【００２６】＜実施例１＞実施例１においては、図１に
示すめっき装置を用いて基板１に銅めっきを行った。ま
ず該めっき装置について説明すると、該めっき装置は、
内部にめっき液（図示せず）を有するめっき槽５中にお
いて、陽極３と対峙して陰極としての基板１がセットさ
れ、この基板１の表面近傍に電流密度センサー４が設置
され、基板１と陽極３の間に開口面積を変更自在な透孔
３１を有する遮蔽板３が介在した構成となっている。上
記めっき液には、硫酸銅の濃度を７０ｇ／Ｌとなるよう
に調製した銅電解溶液を用い、陽極２としては板状の銅
電極を基板１を挟むようにしてその両側にそれぞれ３本
ずつ左右に並設して用いた。遮蔽板３としては、図２
（Ａ）に示すように、複数の透孔３１を有するものを基
板１の両側にそれぞれ該基板１と陽極２との間に介在す
るように設けており、詳しくは縦１８０ｍｍ，横２２０
ｍｍ，厚み１０ｍｍのポリテトラフルオロエチレン（Ｐ
ＴＦＥ）板に口径１５ｍｍの透孔３１が縦６列、横９列
並ぶように形成されたものを用いた。上記透孔３１に
は、図２（Ａ）に示すように、口径を変更するための絞
り部３２が設けられている。また、めっきを施す基板１
の試験片として、図３（Ａ）に示すものを準備した。こ
の図３（Ａ）に示す試験片１ａは、サイズ１５０ｍｍ×
２００ｍｍのエポキシ樹脂系基板に厚み０．２μｍの導
体線３本１組で構成される導体幅がそれぞれ２００μ
ｍ、１ｍｍ、５ｍｍの３種類の導体パターン１１，１
２，１３を表裏両面に配置したものである。
示すめっき装置を用いて基板１に銅めっきを行った。ま
ず該めっき装置について説明すると、該めっき装置は、
内部にめっき液（図示せず）を有するめっき槽５中にお
いて、陽極３と対峙して陰極としての基板１がセットさ
れ、この基板１の表面近傍に電流密度センサー４が設置
され、基板１と陽極３の間に開口面積を変更自在な透孔
３１を有する遮蔽板３が介在した構成となっている。上
記めっき液には、硫酸銅の濃度を７０ｇ／Ｌとなるよう
に調製した銅電解溶液を用い、陽極２としては板状の銅
電極を基板１を挟むようにしてその両側にそれぞれ３本
ずつ左右に並設して用いた。遮蔽板３としては、図２
（Ａ）に示すように、複数の透孔３１を有するものを基
板１の両側にそれぞれ該基板１と陽極２との間に介在す
るように設けており、詳しくは縦１８０ｍｍ，横２２０
ｍｍ，厚み１０ｍｍのポリテトラフルオロエチレン（Ｐ
ＴＦＥ）板に口径１５ｍｍの透孔３１が縦６列、横９列
並ぶように形成されたものを用いた。上記透孔３１に
は、図２（Ａ）に示すように、口径を変更するための絞
り部３２が設けられている。また、めっきを施す基板１
の試験片として、図３（Ａ）に示すものを準備した。こ
の図３（Ａ）に示す試験片１ａは、サイズ１５０ｍｍ×
２００ｍｍのエポキシ樹脂系基板に厚み０．２μｍの導
体線３本１組で構成される導体幅がそれぞれ２００μ
ｍ、１ｍｍ、５ｍｍの３種類の導体パターン１１，１
２，１３を表裏両面に配置したものである。
【００２７】そして、次のようにして試験片１ａについ
て電気めっきを行った。すなわち、陽極２に電圧を印加
して陰極の電流密度の初期値を２．０Ａ／ｄｍ2とし、
電流密度センサー４により電流密度分布の観測を行い、
これに基づいて透孔３１の開口面積を調節することによ
り電流密度分布を調整しながら２０分間通電してめっき
処理を行った。
て電気めっきを行った。すなわち、陽極２に電圧を印加
して陰極の電流密度の初期値を２．０Ａ／ｄｍ2とし、
電流密度センサー４により電流密度分布の観測を行い、
これに基づいて透孔３１の開口面積を調節することによ
り電流密度分布を調整しながら２０分間通電してめっき
処理を行った。
【００２８】通電後、基板１を取り出し、洗浄、乾燥し
たのち、蛍光Ｘ線膜厚計により基板１表面の導体上に形
成された銅めっき膜の厚み分布を測定した。測定方法と
しては、試験片１ａにおける３つの導体パターン１１、
１２、１３のそれぞれについて３本の導体線上の銅厚み
を測定してその平均値をとりその値をその導体パターン
の膜厚として、その結果を表１に示した。
たのち、蛍光Ｘ線膜厚計により基板１表面の導体上に形
成された銅めっき膜の厚み分布を測定した。測定方法と
しては、試験片１ａにおける３つの導体パターン１１、
１２、１３のそれぞれについて３本の導体線上の銅厚み
を測定してその平均値をとりその値をその導体パターン
の膜厚として、その結果を表１に示した。
【００２９】＜実施例２＞実施例２においては、図４に
示すめっき装置を用いて基板１に銅めっきを行った。該
めっき装置は、図１に示すめっき装置において、陰極で
ある基板１の外周を囲むように対峙する補助電極６を設
けた構成となっているものである。この補助電極６に
は、開口部を有する厚み３０ｍｍの矩形枠体であって、
その外寸が縦２５０ｍｍ、横２８０ｍｍであり、開口部
の内寸が縦２２０ｍｍ、横２５０ｍｍであるものを用
い、基板１は補助電極６に直接触れないように間隔をお
いて上記開口部に収まるように支持した。そして、この
めっき装置を用いて電気めっきを行うにあたっては、電
流密度センサー４により電流密度分布の観測を行い、こ
れに基づいて透孔３１の開口面積を調節するとともに、
補助電極６に正又は負の電流を供給することにより電流
密度分布を調整しながら、それ以外は実施例１と同様に
基板１として試験片１ａを用いてこれらにめっき処理を
行った。その後、基板１を取り出し、洗浄、乾燥したの
ち、蛍光Ｘ線膜厚計により基板１表面の導体上に形成さ
れた銅めっき層の厚みを測定した。実施例１と同様に、
試験片１ａにおける３つの導体パターン１１、１２、１
３のそれぞれについて３本の導体線上の銅厚みを測定し
てその平均値をとりその値をその導体パターンの膜厚と
し、その結果を表１に示した。
示すめっき装置を用いて基板１に銅めっきを行った。該
めっき装置は、図１に示すめっき装置において、陰極で
ある基板１の外周を囲むように対峙する補助電極６を設
けた構成となっているものである。この補助電極６に
は、開口部を有する厚み３０ｍｍの矩形枠体であって、
その外寸が縦２５０ｍｍ、横２８０ｍｍであり、開口部
の内寸が縦２２０ｍｍ、横２５０ｍｍであるものを用
い、基板１は補助電極６に直接触れないように間隔をお
いて上記開口部に収まるように支持した。そして、この
めっき装置を用いて電気めっきを行うにあたっては、電
流密度センサー４により電流密度分布の観測を行い、こ
れに基づいて透孔３１の開口面積を調節するとともに、
補助電極６に正又は負の電流を供給することにより電流
密度分布を調整しながら、それ以外は実施例１と同様に
基板１として試験片１ａを用いてこれらにめっき処理を
行った。その後、基板１を取り出し、洗浄、乾燥したの
ち、蛍光Ｘ線膜厚計により基板１表面の導体上に形成さ
れた銅めっき層の厚みを測定した。実施例１と同様に、
試験片１ａにおける３つの導体パターン１１、１２、１
３のそれぞれについて３本の導体線上の銅厚みを測定し
てその平均値をとりその値をその導体パターンの膜厚と
し、その結果を表１に示した。
【００３０】＜実施例３＞実施例３においては、図５に
示すめっき装置を用いて基板１に銅めっきを行った。該
めっき装置は、図１に示すめっき装置において、複数に
分割された各陽極２に加えられる印加電圧・電流を可変
抵抗器７により調節できるようにした構成となってい
る。そして、このめっき装置を用いて電気めっきを行う
にあたっては、電流密度センサー４により電流密度分布
の観測を行い、これに基づいて透孔３１の開口面積を調
節するとともに、補助電極６に正又は負の電流を供給す
る手法と各陽極２ごとに供給される電流値に差を設ける
手法との一方又は両方を適宜行うことにより電流密度分
布を調整しながら、それ以外は実施例１と同様に基板１
にめっき処理を行った。この場合、基板１としては、試
験片１ａと、図３（Ｂ）に示す試験片１ｂとを用いてこ
れらにそれぞれめっき処理を行った。ここで、試験片１
ｂは、サイズ１２０ｍｍ×１２０ｍｍの両面銅張りエポ
キシ樹脂系基板である。めっき処理後、基板１を取り出
し、洗浄、乾燥したのち、蛍光Ｘ線膜厚計により基板１
表面の導体上に形成された銅めっき層の厚みを測定し
た。試験片１ａについては、実施例１と同様に、３つの
導体パターン１１、１２、１３のそれぞれについて３本
の導体線上の銅厚みを測定してその平均値をとりその値
をその導体パターンの膜厚とした。その結果を標準偏差
とともに表１に示した。また試験片１ｂについては、基
板の上端から１０ｍｍ、６０ｍｍ、１１０ｍｍ、右端か
ら１０ｍｍ、６０ｍｍ、１１０ｍｍの格子点（合計９箇
所）についてそれぞれ膜厚を測定し、それらの測定値の
標準偏差を求めて、その結果を表２に示した。
示すめっき装置を用いて基板１に銅めっきを行った。該
めっき装置は、図１に示すめっき装置において、複数に
分割された各陽極２に加えられる印加電圧・電流を可変
抵抗器７により調節できるようにした構成となってい
る。そして、このめっき装置を用いて電気めっきを行う
にあたっては、電流密度センサー４により電流密度分布
の観測を行い、これに基づいて透孔３１の開口面積を調
節するとともに、補助電極６に正又は負の電流を供給す
る手法と各陽極２ごとに供給される電流値に差を設ける
手法との一方又は両方を適宜行うことにより電流密度分
布を調整しながら、それ以外は実施例１と同様に基板１
にめっき処理を行った。この場合、基板１としては、試
験片１ａと、図３（Ｂ）に示す試験片１ｂとを用いてこ
れらにそれぞれめっき処理を行った。ここで、試験片１
ｂは、サイズ１２０ｍｍ×１２０ｍｍの両面銅張りエポ
キシ樹脂系基板である。めっき処理後、基板１を取り出
し、洗浄、乾燥したのち、蛍光Ｘ線膜厚計により基板１
表面の導体上に形成された銅めっき層の厚みを測定し
た。試験片１ａについては、実施例１と同様に、３つの
導体パターン１１、１２、１３のそれぞれについて３本
の導体線上の銅厚みを測定してその平均値をとりその値
をその導体パターンの膜厚とした。その結果を標準偏差
とともに表１に示した。また試験片１ｂについては、基
板の上端から１０ｍｍ、６０ｍｍ、１１０ｍｍ、右端か
ら１０ｍｍ、６０ｍｍ、１１０ｍｍの格子点（合計９箇
所）についてそれぞれ膜厚を測定し、それらの測定値の
標準偏差を求めて、その結果を表２に示した。
【００３１】＜実施例４＞実施例４においては、図６に
示すめっき装置を用いて基板１に銅めっきを行った。該
めっき装置は、図１に示すめっき装置において、透孔３
１を有する遮蔽板３の代わりに、上下左右に分割された
４枚の矩形の遮蔽板３を用いて、それらの長手方向を用
いて矩形の開口部が中央に形成されるように配置されて
おり、上下に配置された遮蔽板３，３は上下方向に、且
つ左右に配置された遮蔽板３，３は左右方向に移動でき
るように吊り下げ支持された構成となっている。この場
合、遮蔽板３には、サイズ１００ｍｍ×２００ｍｍ、厚
み１０ｍｍのＰＴＦＥ板を用いた。そして、このめっき
装置を用いて電気めっきを行うにあたっては、電流密度
センサー４により電流密度分布の観測を行い、これに基
づいて上下左右に配置された遮蔽板３の位置を移動させ
てこれらの中央部に形成された開口部の面積を変更し電
流密度分布を調整しながら、それ以外は実施例１と同様
にめっき処理を行った。この場合、基板１として試験片
１ｂを用いてこれらにめっき処理を行った。その後、基
板１を取り出し、洗浄、乾燥したのち、蛍光Ｘ線膜厚計
により基板１表面の導体上に形成された銅めっき層の厚
みを測定した。すなわち試験片１ｂについて、上端から
１０ｍｍ、６０ｍｍ、１１０ｍｍ、右端から１０ｍｍ、
６０ｍｍ、１１０ｍｍの格子点（合計９箇所）について
それぞれ膜厚を測定し、それらの測定値の標準偏差を求
めて、その結果を表２に示した。
示すめっき装置を用いて基板１に銅めっきを行った。該
めっき装置は、図１に示すめっき装置において、透孔３
１を有する遮蔽板３の代わりに、上下左右に分割された
４枚の矩形の遮蔽板３を用いて、それらの長手方向を用
いて矩形の開口部が中央に形成されるように配置されて
おり、上下に配置された遮蔽板３，３は上下方向に、且
つ左右に配置された遮蔽板３，３は左右方向に移動でき
るように吊り下げ支持された構成となっている。この場
合、遮蔽板３には、サイズ１００ｍｍ×２００ｍｍ、厚
み１０ｍｍのＰＴＦＥ板を用いた。そして、このめっき
装置を用いて電気めっきを行うにあたっては、電流密度
センサー４により電流密度分布の観測を行い、これに基
づいて上下左右に配置された遮蔽板３の位置を移動させ
てこれらの中央部に形成された開口部の面積を変更し電
流密度分布を調整しながら、それ以外は実施例１と同様
にめっき処理を行った。この場合、基板１として試験片
１ｂを用いてこれらにめっき処理を行った。その後、基
板１を取り出し、洗浄、乾燥したのち、蛍光Ｘ線膜厚計
により基板１表面の導体上に形成された銅めっき層の厚
みを測定した。すなわち試験片１ｂについて、上端から
１０ｍｍ、６０ｍｍ、１１０ｍｍ、右端から１０ｍｍ、
６０ｍｍ、１１０ｍｍの格子点（合計９箇所）について
それぞれ膜厚を測定し、それらの測定値の標準偏差を求
めて、その結果を表２に示した。
【００３２】＜実施例５＞実施例５においては、図７に
示すめっき装置を用いて基板１に銅めっきを行った。該
めっき装置は、図６に示すめっき装置において、陰極で
ある基板１の外周を囲むように対峙する補助電極６を設
けた構成となっている。この補助電極６には、実施例２
と同様のものを用いた。そして、このめっき装置を用い
て電気めっきを行うにあたっては、電流密度センサー４
により電流密度分布の観測を行い、これに基づいて上下
左右に配置された遮蔽板３の位置を移動させてこれらの
中央部に形成された開口部の面積を変更するとともに、
補助電極６に正又は負の電流を供給することにより電流
密度分布を調整しながら、それ以外は実施例１と同様に
めっき処理を行った。この場合、基板１として試験片１
ｂを用いてめっき処理を行った。その後、基板１を取り
出し、洗浄、乾燥したのち、蛍光Ｘ線膜厚計により基板
１表面の導体上に形成された銅めっき層の厚みを測定し
た。すなわち実施例４と同様に、試験片１ｂについて、
基板の上端から１０ｍｍ、６０ｍｍ、１１０ｍｍ、右端
から１０ｍｍ、６０ｍｍ、１１０ｍｍの格子点（合計９
箇所）についてそれぞれ膜厚を測定し、それらの測定値
の標準偏差を求めて、その結果を表２に示した。
示すめっき装置を用いて基板１に銅めっきを行った。該
めっき装置は、図６に示すめっき装置において、陰極で
ある基板１の外周を囲むように対峙する補助電極６を設
けた構成となっている。この補助電極６には、実施例２
と同様のものを用いた。そして、このめっき装置を用い
て電気めっきを行うにあたっては、電流密度センサー４
により電流密度分布の観測を行い、これに基づいて上下
左右に配置された遮蔽板３の位置を移動させてこれらの
中央部に形成された開口部の面積を変更するとともに、
補助電極６に正又は負の電流を供給することにより電流
密度分布を調整しながら、それ以外は実施例１と同様に
めっき処理を行った。この場合、基板１として試験片１
ｂを用いてめっき処理を行った。その後、基板１を取り
出し、洗浄、乾燥したのち、蛍光Ｘ線膜厚計により基板
１表面の導体上に形成された銅めっき層の厚みを測定し
た。すなわち実施例４と同様に、試験片１ｂについて、
基板の上端から１０ｍｍ、６０ｍｍ、１１０ｍｍ、右端
から１０ｍｍ、６０ｍｍ、１１０ｍｍの格子点（合計９
箇所）についてそれぞれ膜厚を測定し、それらの測定値
の標準偏差を求めて、その結果を表２に示した。
【００３３】＜比較例１＞比較例１においては、図８に
示すめっき装置を用いて基板１に銅めっきを行った。該
めっき装置は、図１に示すめっき装置において、遮蔽板
３を除いた構成となっている。そして、このめっき装置
を用いて電気めっきを行うにあたっては、電流密度セン
サー４により電流密度分布の観測を行い、これに基づい
て陽極２に供給される印加電圧・電流を調節するととも
に、陽極２と基板１の距離を調整することにより電流密
度分布を調整しながら、それ以外は実施例１と同様にめ
っき処理を行った。この場合、基板１として試験片１
ａ，１ｂを用いてこれらにめっき処理を行った。その
後、基板１を取り出し、洗浄、乾燥したのち、蛍光Ｘ線
膜厚計により基板１表面の導体上に形成された銅めっき
層の厚みを測定した。実施例１〜３と同様に、試験片１
ａについては、３つの導体パターン１１、１２、１３の
それぞれについて３本の導体線上の銅厚みを測定してそ
の平均値をとりその値をその導体パターンの膜厚とし、
その結果を表１に示した。また試験片１ｂについては、
実施例３〜５と同様に、基板の上端から１０ｍｍ、６０
ｍｍ、１１０ｍｍ、右端から１０ｍｍ、６０ｍｍ、１１
０ｍｍの格子点（合計９箇所）についてそれぞれ膜厚を
測定し、それらの測定値の標準偏差を求めて、その結果
を表２に示した。
示すめっき装置を用いて基板１に銅めっきを行った。該
めっき装置は、図１に示すめっき装置において、遮蔽板
３を除いた構成となっている。そして、このめっき装置
を用いて電気めっきを行うにあたっては、電流密度セン
サー４により電流密度分布の観測を行い、これに基づい
て陽極２に供給される印加電圧・電流を調節するととも
に、陽極２と基板１の距離を調整することにより電流密
度分布を調整しながら、それ以外は実施例１と同様にめ
っき処理を行った。この場合、基板１として試験片１
ａ，１ｂを用いてこれらにめっき処理を行った。その
後、基板１を取り出し、洗浄、乾燥したのち、蛍光Ｘ線
膜厚計により基板１表面の導体上に形成された銅めっき
層の厚みを測定した。実施例１〜３と同様に、試験片１
ａについては、３つの導体パターン１１、１２、１３の
それぞれについて３本の導体線上の銅厚みを測定してそ
の平均値をとりその値をその導体パターンの膜厚とし、
その結果を表１に示した。また試験片１ｂについては、
実施例３〜５と同様に、基板の上端から１０ｍｍ、６０
ｍｍ、１１０ｍｍ、右端から１０ｍｍ、６０ｍｍ、１１
０ｍｍの格子点（合計９箇所）についてそれぞれ膜厚を
測定し、それらの測定値の標準偏差を求めて、その結果
を表２に示した。
【００３４】
【表１】
【００３５】
【表２】
【００３６】表１に示す結果から、実施例１〜３では、
比較例１に比べて、試験片１ａにおいて導体幅が異なる
各導体パターン上に形成されるめっき層の厚みのばらつ
きが小さいことがわかる。また実施例３〜５では、比較
例１に比べて、試験片１ｂにおいて同一面内に形成され
るめっき層の厚みのばらつきも小さいことがわかる。し
たがって、実施例１〜５では、比較例１に比べて基板１
表面に均一なめっき層を形成することができるといえる
比較例１に比べて、試験片１ａにおいて導体幅が異なる
各導体パターン上に形成されるめっき層の厚みのばらつ
きが小さいことがわかる。また実施例３〜５では、比較
例１に比べて、試験片１ｂにおいて同一面内に形成され
るめっき層の厚みのばらつきも小さいことがわかる。し
たがって、実施例１〜５では、比較例１に比べて基板１
表面に均一なめっき層を形成することができるといえる
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１に係る電
気めっき方法によると、基板表面の近傍に設置した電流
密度センサーで電流密度を検出し、基板表面上の測定箇
所における電流密度のバラツキ、及び、めっきの進行に
伴って生じる電流密度分布を観測し、この電流密度分布
に応じて、基板と陽極との間に介在する遮蔽板による遮
蔽面積を変えて電流密度分布を調整することにより、基
板の特定部分へのめっき電流集中を防止して、基板表面
の電流密度が均一となるようにすばやく調節することが
できる。このように、電流密度分布の緻密なコントロー
ルが行えるので、基板表面に均一なめっき層を形成する
ことができる。
気めっき方法によると、基板表面の近傍に設置した電流
密度センサーで電流密度を検出し、基板表面上の測定箇
所における電流密度のバラツキ、及び、めっきの進行に
伴って生じる電流密度分布を観測し、この電流密度分布
に応じて、基板と陽極との間に介在する遮蔽板による遮
蔽面積を変えて電流密度分布を調整することにより、基
板の特定部分へのめっき電流集中を防止して、基板表面
の電流密度が均一となるようにすばやく調節することが
できる。このように、電流密度分布の緻密なコントロー
ルが行えるので、基板表面に均一なめっき層を形成する
ことができる。
【００３８】請求項２に係る電気めっき方法によると、
請求項１に係る電気めっき方法において、開口面積変更
自在な透孔を有する上記遮蔽板が基板と陽極の間の遮蔽
面積を変える手段としての役割を果たすもので、該透孔
の開口面積を変動させることにより基板と陽極の間の遮
蔽面積を変えて電流密度分布を調整しながら基板表面に
めっき処理を行うことにより、上記効果が達成される。
請求項１に係る電気めっき方法において、開口面積変更
自在な透孔を有する上記遮蔽板が基板と陽極の間の遮蔽
面積を変える手段としての役割を果たすもので、該透孔
の開口面積を変動させることにより基板と陽極の間の遮
蔽面積を変えて電流密度分布を調整しながら基板表面に
めっき処理を行うことにより、上記効果が達成される。
【００３９】請求項３に係る電気めっき方法によると、
請求項２に係る電気めっき方法における効果に加えて、
上記遮蔽板に複数設けられた各透孔で開口面積の変更を
行うことにより、より緻密な電流密度分布の調整が行え
る。
請求項２に係る電気めっき方法における効果に加えて、
上記遮蔽板に複数設けられた各透孔で開口面積の変更を
行うことにより、より緻密な電流密度分布の調整が行え
る。
【００４０】請求項４に係る電気めっき方法によると、
請求項１に係る電気めっき方法において、複数に分割さ
れた遮蔽板が基板と陽極の間の遮蔽面積を変える手段と
しての役割を果たすもので、これら遮蔽板を移動させる
ことによりに基板と陽極の間の遮蔽面積を変えて電流密
度分布を調整しながら基板表面にめっき処理を行うこと
により、上記効果が達成される。
請求項１に係る電気めっき方法において、複数に分割さ
れた遮蔽板が基板と陽極の間の遮蔽面積を変える手段と
しての役割を果たすもので、これら遮蔽板を移動させる
ことによりに基板と陽極の間の遮蔽面積を変えて電流密
度分布を調整しながら基板表面にめっき処理を行うこと
により、上記効果が達成される。
【００４１】請求項５に係る電気めっき方法によると、
請求項１乃至請求項４いずれかに係る電気めっき方法に
おける上記効果に加えて、電流密度分布を調整する手段
として上記遮蔽板と上記補助電極とを併用することによ
り、より緻密な電流密度分布の調整が行える。
請求項１乃至請求項４いずれかに係る電気めっき方法に
おける上記効果に加えて、電流密度分布を調整する手段
として上記遮蔽板と上記補助電極とを併用することによ
り、より緻密な電流密度分布の調整が行える。
【００４２】請求項６に係る電気めっき方法は、請求項
１乃至請求項５いずれかに係る電気めっき方法における
上記効果に加えて、上記電流密度センサーにより検出さ
れた電流密度分布を観測しながら、これに応じて分割さ
れた各陽極にかかる電圧に差をもうけることにより電流
密度分布を調整する手法を併用することで、より緻密な
電流密度分布の調整が行える。
１乃至請求項５いずれかに係る電気めっき方法における
上記効果に加えて、上記電流密度センサーにより検出さ
れた電流密度分布を観測しながら、これに応じて分割さ
れた各陽極にかかる電圧に差をもうけることにより電流
密度分布を調整する手法を併用することで、より緻密な
電流密度分布の調整が行える。
【００４３】請求項７に係る電気めっき方法は、請求項
１乃至請求項６いずれかに係る電気めっき方法における
上記効果に加えて、上記電流密度センサーにより検出さ
れた電流密度分布を観測しながら、これに応じて分割さ
れた各陽極を移動させることにより電流密度分布を調整
する手法を併用することで、より緻密な電流密度分布の
調整が行える。
１乃至請求項６いずれかに係る電気めっき方法における
上記効果に加えて、上記電流密度センサーにより検出さ
れた電流密度分布を観測しながら、これに応じて分割さ
れた各陽極を移動させることにより電流密度分布を調整
する手法を併用することで、より緻密な電流密度分布の
調整が行える。
【００４４】請求項８に係る電気めっき方法は、請求項
１乃至請求項７いずれかに係る電気めっき方法における
上記効果に加えて、上記基板の両面に同時に均一なめっ
きを施すことができる。
１乃至請求項７いずれかに係る電気めっき方法における
上記効果に加えて、上記基板の両面に同時に均一なめっ
きを施すことができる。
【図１】本発明の実施例１に示す電気めっき方法にて用
いられるめっき装置の概略斜視図である。
いられるめっき装置の概略斜視図である。
【図２】（Ａ）は同上実施例において用いられる遮蔽板
を示す正面図であり、（Ｂ）は該遮蔽板の透孔を示す拡
大正面図である。
を示す正面図であり、（Ｂ）は該遮蔽板の透孔を示す拡
大正面図である。
【図３】（Ａ）（Ｂ）はそれぞれ、同上実施例において
基板として用いた試験片を示す正面図である。
基板として用いた試験片を示す正面図である。
【図４】本発明の実施例２に示す電気めっき方法にて用
いられるめっき装置の概略斜視図である。
いられるめっき装置の概略斜視図である。
【図５】本発明の実施例３に示す電気めっき方法にて用
いられるめっき装置の概略斜視図である。
いられるめっき装置の概略斜視図である。
【図６】本発明の実施例４に示す電気めっき方法にて用
いられるめっき装置の概略斜視図である。
いられるめっき装置の概略斜視図である。
【図７】本発明の実施例５に示す電気めっき方法にて用
いられるめっき装置の概略斜視図である。
いられるめっき装置の概略斜視図である。
【図８】本発明の比較例１に示す電気めっき方法にて用
いられるめっき装置の概略斜視図である。
いられるめっき装置の概略斜視図である。
１ 基板 ２ 陽極 ３ 遮蔽板 ３１ 透孔 ４ 電流密度センサー ５ めっき槽 ６ 補助電極
Claims (8)
- 【請求項１】 基板を陰極として陽極と対峙させ、上記
基板表面にめっきを施す電気めっき方法であって、上記
基板表面の近傍に電流密度センサーを設置し、基板と陽
極の間に遮蔽板を介在させて、上記電流密度センサーに
より検出された電流密度分布を観測しながら、上記遮蔽
板による基板と陽極の間の遮蔽面積を変えて電流密度分
布を調整することを特徴とする電気めっきする方法。 - 【請求項２】 上記遮蔽板が開口面積変更自在な開口部
を有し、該開口部の開口面積を変動させることにより基
板と陽極の間の遮蔽面積を変えて電流密度分布を調整す
ることを特徴とする請求項１記載の電気めっき方法。 - 【請求項３】 上記開口部が上記遮蔽板に複数設けられ
ていることを特徴とする請求項２記載の電気めっき方
法。 - 【請求項４】 上記遮蔽板が複数に分割されており、こ
れらを移動させることによりに基板と陽極の間の遮蔽面
積を変えて電流密度分布を調整することを特徴とする請
求項１記載の電気めっき方法。 - 【請求項５】 上記基板の外周の一部又は全てと対峙す
る補助電極を設け、上記電流密度センサーにより検出さ
れた電流密度分布を観測しながら、これに応じて上記補
助電極を陽極または陰極として用いることにより電流密
度分布を調整することを特徴とする請求項１乃至請求項
４いずれか記載の電気めっき方法。 - 【請求項６】 上記陽極が複数に分割されており、上記
電流密度センサーにより検出された電流密度分布を観測
しながら、これに応じて分割された各陽極にかかる電圧
に差をもうけることにより電流密度分布を調整すること
を特徴とする請求項１乃至請求項５いずれか記載の電気
めっき方法。 - 【請求項７】 上記陽極が複数に分割されており、上記
電流密度センサーにより検出された電流密度分布を観測
しながら、これに応じて分割された各陽極を移動させる
ことにより電流密度分布を調整することを特徴とする請
求項１乃至請求項６いずれか記載の電気めっき方法。 - 【請求項８】 上記陽極が、上記基板を挟んでその両側
に設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項
７いずれか記載の電気めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28568296A JPH10130896A (ja) | 1996-10-28 | 1996-10-28 | 電気めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28568296A JPH10130896A (ja) | 1996-10-28 | 1996-10-28 | 電気めっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10130896A true JPH10130896A (ja) | 1998-05-19 |
Family
ID=17694690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28568296A Pending JPH10130896A (ja) | 1996-10-28 | 1996-10-28 | 電気めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10130896A (ja) |
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