JP2022105808A

JP2022105808A - 銅張積層板

Info

Publication number: JP2022105808A
Application number: JP2021000374A
Authority: JP
Inventors: 匠下地; Takumi Shimoji; 芳英西山; Yoshihide Nishiyama
Original assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date: 2021-01-05
Filing date: 2021-01-05
Publication date: 2022-07-15

Abstract

【課題】セミアディティブ法により配線パターンを形成する際に、配線の断面形状を矩形にしやすく、かつ、導体層の電流供給異常が生じにくい銅張積層板を提供する。
【解決手段】銅張積層板１はベースフィルム１０の表面に形成された導体層２０を有する。導体層２０は、ＭＤ方向に沿った一方または両方の縁の近傍領域である給電領域Ａ１が、それ以外の全部または一部領域である配線形成領域Ａ２よりも厚い。配線形成領域Ａ２の導体層２０が薄いので、セミアディティブ法により配線パターンを形成する際に、配線の断面形状を矩形にしやすい。また、給電領域Ａ１の導体層２０が厚いので、導体層２０の電流供給異常が生じにくい。
【選択図】図２

Description

本発明は、銅張積層板に関する。さらに詳しくは、本発明は、フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）などの製造に用いられる銅張積層板に関する。

液晶パネル、ノートパソコン、デジタルカメラ、携帯電話などの電子機器には、樹脂フィルムの表面に配線パターンが形成されたフレキシブルプリント配線板が用いられる。

フレキシブルプリント配線板は、セミアディティブ法、サブトラクティブ法などにより、銅張積層板に配線パターンを形成することで得られる。特に、微細配線の形成や、高精度の配線寸法が要求される場合には、セミアディティブ法が用いられる。

セミアディティブ法によるフレキシブルプリント配線板の製造は、つぎの手順で行なわれる。まず、銅張積層板の導体層の表面にレジスト層を形成する。つぎに、レジスト層のうち配線パターンを形成する部分に開口部を形成する。つぎに、レジスト層の開口部から露出した導体層を陰極として電解めっきを行ない、配線部を形成する。つぎに、レジスト層を除去し、フラッシュエッチングなどにより配線部以外の導体層を除去する。これにより、フレキシブルプリント配線板が得られる。

セミアディティブ法では、銅張積層板の導体層のうち不要部分はエッチングにより除去される。導体層が厚すぎるとエッチング時間が長くなり、配線部のエッチングも進行することから、配線の断面形状を矩形にすることが困難になる。そのため、配線の断面形状を矩形にするという観点からは、銅張積層板の導体層は薄い方が好ましい。

しかし、導体層が薄いと電解めっきにより配線部を形成する際に問題が生じることがある。すなわち、電解めっきにより配線部を形成するには、導体層の縁部に電極端子を接続し、導体層に給電する。ここで、導体層が薄いと電気抵抗が高いため、十分な電流を流すことが難しい。また、導体層のうち電極端子と接触する部分が高電圧となり、導体層の溶解や異常析出が生じ、電流供給の障害となることがある。

そこで、電解めっきにおける電流密度を低く設定することで、導体層の溶解などを防止することが行なわれている。例えば、特許文献１には、厚さ１０ｎｍのニッケルクロム合金膜と厚さ１００ｎｍの銅層とを有する基板にセミアディティブ法により配線を形成するにあたり、電流密度を１Ａ／ｄｍ^２とすることが記載されている。しかし、電流密度が低すぎると、安定した電解めっきが困難になる。

特開２０１０－１０８９６４号公報

本発明は上記事情に鑑み、セミアディティブ法により配線パターンを形成する際に、配線の断面形状を矩形にしやすく、かつ、導体層の電流供給異常が生じにくい銅張積層板を提供することを目的とする。

本発明の銅張積層板は、ベースフィルムの表面に形成された導体層を有し、前記導体層は、ＭＤ方向に沿った一方または両方の縁の近傍領域である給電領域が、それ以外の全部または一部領域である配線形成領域よりも厚いことを特徴とする。

本発明によれば、配線形成領域の導体層が薄いので、セミアディティブ法により配線パターンを形成する際に、配線の断面形状を矩形にしやすい。また、給電領域の導体層が厚いので、導体層の電流供給異常が生じにくい。

一実施形態に係る銅張積層板の部分拡大断面図である。図（Ａ）は一実施形態に係る銅張積層板の平面図である。図（Ｂ）は同銅張積層板の断面図である。セミアディティブ法によるフレキシブルプリント配線板の製造手順を示す説明図である。図（Ｂ）は第２実施形態の銅張積層板の断面である。図（Ｂ）は第３実施形態の銅張積層板の断面である。図（Ｂ）は第４実施形態の銅張積層板の断面である。銅張積層板の製造手順を示す説明図である。他の実施形態の製造手順を示す説明図である。

つぎに、本発明の実施形態を図面に基づき説明する。
〔銅張積層板〕
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る銅張積層板１は、ベースフィルム１０と、ベースフィルム１０の表面に形成された導体層２０とからなる。

ベースフィルム１０としてポリイミドフィルム、液晶ポリマー（ＬＣＰ）フィルムなどの樹脂フィルムを用いることができる。特に限定されないが、ベースフィルム１０の厚さは１０～１００μｍが一般的である。

導体層２０は、スパッタリングなどの乾式成膜法により成膜される金属層２１と、電解めっきにより成膜される銅めっき被膜２２とからなる。金属層２１と銅めっき被膜２２とはベースフィルム１０の表面にこの順に積層されている。

金属層２１は下地金属層２１ａと銅薄膜層２１ｂとからなる。下地金属層２１ａと銅薄膜層２１ｂとはベースフィルム１０の表面にこの順に積層されている。一般に、下地金属層２１ａはニッケル、クロム、またはニッケルクロム合金からなる。下地金属層２１ａはなくてもよい。銅薄膜層２１ｂはベースフィルム１０の表面に下地金属層２１ａを介して成膜されてもよいし、下地金属層２１ａを介さずベースフィルム１０の表面に直接成膜されてもよい。下地金属層２１ａの厚さは５～５０ｎｍが一般的であり、銅薄膜層２１ｂの厚さは５０～４００ｎｍが一般的である。

図２（Ａ）および図２（Ｂ）に示すように、銅張積層板１の主面は給電領域Ａ１と配線形成領域Ａ２とを有する。導体層２０は、給電領域Ａ１が配線形成領域Ａ２よりも厚くなっている。後述のごとく、セミアディティブ法により銅張積層板１を加工する際には、給電領域Ａ１に電解めっきの電極端子を接続し、配線形成領域Ａ２に配線パターンを形成する。

給電領域Ａ１は銅張積層板１のＭＤ方向（Machine Direction）に沿った縁の近傍の帯状領域である。本実施形態の銅張積層板１は左右両方の縁に沿った２つの給電領域Ａ１を有する。配線形成領域Ａ２は給電領域Ａ１以外の全部または一部領域である。本実施形態では、配線形成領域Ａ２は２つの給電領域Ａ１の間の帯状領域である。

なお、本実施形態の銅張積層板１は配線形成領域Ａ２と給電領域Ａ１との間に中間領域を有する。この意味において、配線形成領域Ａ２は給電領域Ａ１以外の一部領域である。導体層２０は、中間領域において、給電領域Ａ１側から配線形成領域Ａ２側に向かって徐々に薄くなっている。中間領域は実質的に存在しなくてもよい。すなわち、配線形成領域Ａ２と給電領域Ａ１との間で、導体層２０の厚さが階段状に変化してもよい。この場合、配線形成領域Ａ２は給電領域Ａ１以外の全部領域である。

セミアディティブ法により銅張積層板１を加工すればフレキシブルプリント配線板を製造できる。なお、長尺帯状の銅張積層板１を用いれば、ロールツーロール方式で銅張積層板１を加工できる。図３にセミアディティブ法によるフレキシブルプリント配線板の製造手順を示す。具体的には、銅張積層板１はつぎの手順で加工される。

（１）まず、銅張積層板１の導体層２０の表面にレジスト層３１を形成する。ここで、レジスト層３１は配線形成領域Ａ２に形成する。給電領域Ａ１の導体層２０は露出させた状態にする。

（２）つぎに、レジスト層３１のうち配線パターンを形成する部分に開口部を形成する。

（３）つぎに、レジスト層３１の開口部から露出した導体層２０を陰極として電解めっきを行ない、めっき層３２を積層する。ここで、導体層２０の給電領域Ａ１に電解めっきの電極端子を接続し、導体層２０に給電する。

（４）つぎに、レジスト層３１を除去し、フラッシュエッチングなどにより配線部以外の導体層２０を除去する。これにより、配線形成領域Ａ２に配線パターンが形成される。なお、その後、給電領域Ａ１（および中間領域）などの不要部分を切除して、フレキシブルプリント配線板の個片を得てもよい。

工程（３）の電解めっきでは、導体層２０の給電領域Ａ１に電極端子を接続する。給電領域Ａ１の導体層２０は厚いので、電気抵抗が高くなく、十分な電流を流すことができる。また、導体層２０のうち電極端子と接触する部分が高電圧となりにくく、導体層２０の溶解や異常析出といった電流供給異常が生じにくい。

導体層２０の電流供給異常を抑制するという観点からは、給電領域Ａ１の導体層２０は厚いほど好ましい。具体的には、給電領域Ａ１の導体層２０の厚さは０．５μｍ以上が好ましく、０．６μｍ以上がより好ましく、１．０μｍ以上がさらに好ましい。なお、導体層２０の電流供給異常を抑制するという観点からは、導体層２０の厚さに上限はない。ただし、セミアディティブ法により加工される銅張積層板１の導体層２０の厚さは、一般に、５μｍ以下である。

工程（４）において、導体層２０の不要部分はエッチングにより除去される。配線形成領域Ａ２の導体層２０は薄いので、エッチング時間を短くでき、配線部のエッチングの進行を小さくできる。そのため、配線の断面形状を矩形にしやすい。

配線の断面形状を矩形にするという観点からは、配線形成領域Ａ２の導体層２０は薄いほど好ましい。具体的には、配線形成領域Ａ２の導体層２０の厚さは０．５μｍ以下（または０．５μｍ未満）が好ましく、０．２μｍ以下がより好ましく、０．１μｍ以下がさらに好ましい。

（その他の実施形態）
導体層２０は、図２（Ｂ）に示すようにベースフィルム１０の片面のみに形成されてもよいし、図４（Ａ）に示すようにベースフィルム１０の両面に形成されてもよい。ベースフィルム１０の両面に導体層２０が形成された銅張積層板２を加工すれば、両面に配線パターンが形成されたフレキシブルプリント配線板が得られる。

図２（Ｂ）に示すように、銅張積層板１の両方の縁に導体層２０が厚い給電領域Ａ１を設ければ、両方の給電領域Ａ１に電解めっきの電極端子を接続できる。そのため、配線形成領域Ａ２の電流密度を均一にしやすい。一方、図４（Ｂ）に示すように、銅張積層板３の一方の縁のみに導体層２０が厚い給電領域Ａ１を設けてもよい。そうすれば、配線形成領域Ａ２が広くなる。

図４（Ｃ）に示す銅張積層板４のように、一方の縁のみに給電領域Ａ１を有する導体層２０をベースフィルム１０の両面に形成してもよい。

〔銅張積層板の製造方法〕
つぎに、図５に基づき、銅張積層板１の製造方法を説明する。
本実施形態の製造方法は電解めっき工程と切断工程とを有する。電解めっき工程において銅張積層板中間品１ｉを得た後に、切断工程において銅張積層板最終品１ｆを得る。なお、本明細書において銅張積層板最終品１ｆは銅張積層板１と同義である。

ロールツーロール方式のスパッタリング装置を用いれば、長尺帯状のベースフィルム１０の表面に金属層２１を成膜できる。以下、ベースフィルム１０の表面に金属層２１を成膜したものを基材１１と称する。

（１）電解めっき工程
ロールツーロール方式のめっき装置を用いれば、長尺帯状の基材１１の表面に銅めっき被膜２２を成膜できる。これにより、長尺帯状の銅張積層板中間品１ｉが得られる。

めっき装置は、ロールツーロールにより長尺帯状の基材１１を搬送しつつ、基材１１に対して電解めっきを行なう装置である。めっき装置はロール状に巻回された基材１１を繰り出す供給装置と、めっき後の基材１１（銅張積層板中間品１ｉ）をロール状に巻き取る巻取装置とを有する。供給装置と巻取装置との間の搬送経路には、前処理槽、めっき槽、後処理槽が配置されている。基材１１はめっき槽内を搬送されつつ、電解めっきよりその表面に銅めっき被膜２２が成膜される。

めっき槽には銅めっき液が貯留されている。銅めっき液は水溶性銅塩を含む。銅めっき液に一般的に用いられる水溶性銅塩であれば特に限定されず用いられる。銅めっき液は硫酸を含んでもよい。硫酸の添加量を調整することで、銅めっき液のｐＨおよび硫酸イオン濃度を調整できる。銅めっき液は一般的にめっき液に添加される添加剤を含んでもよい。添加剤として、ブライトナー成分、レベラー成分、ポリマー成分、塩素成分などから選択された１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

めっき槽内を搬送される基材１１は銅めっき液に浸漬されている。また、めっき槽の内部には基材１１の主面に対向するようにアノード４１が配置されている。基材１１をカソードとし、アノード４１との間に電流を流すことで、基材１１の表面に銅めっき被膜２２を成膜できる。

基材１１とアノード４１との間には遮蔽板４２が配置されている。遮蔽板４２は絶縁性の板である。遮蔽板４２の素材は、特に限定されないが、絶縁性を有し銅めっき液に浸食されにくい樹脂、セラミックスなどが好適である。遮蔽板４２として表裏を貫通する複数の孔を有するパンチングボードを用いることができる。遮蔽板４２の孔から電流が漏洩するため、遮蔽板４２は電流を完全に遮蔽することなく、電流を適度に遮蔽する。そのため、基材１１のうち遮蔽板４２と対向する領域においても、銅めっき被膜２２を成膜できる。

本実施形態の遮蔽板４２は、基材１１よりも幅狭であり、ＴＤ方向（図５における左右方向）の中央に配置されている。遮蔽板４２により中央領域の電流が遮蔽されるため、基材１１の中央領域における電流密度は左右の端領域における電流密度よりも低くなる。そのため、銅めっき被膜２２は中央領域が薄くなり、端領域が厚くなる。

銅めっき被膜２２が厚く成膜された領域は、金属層２１と合わせた導体層２０も厚くなる。銅めっき被膜２２が薄く成膜された領域は、金属層２１と合わせた導体層２０も薄くなる。以下、導体層２０が厚い領域を厚膜領域Ａ３といい、導体層２０が薄い領域を薄膜領域Ａ４という。

厚膜領域Ａ３および薄膜領域Ａ４は、いずれも、銅張積層板中間品１ｉのＭＤ方向に沿った帯状の領域である。本実施形態の銅張積層板中間品１ｉは左右両方の端に２つの厚膜領域Ａ３を有する。２つの厚膜領域Ａ３の間に薄膜領域Ａ４が配置されている。

後述のごとく、切断工程において銅張積層板中間品１ｉを切断した後は、厚膜領域Ａ３は給電領域Ａ１となり、薄膜領域Ａ４は配線形成領域Ａ２となる。そのため、厚膜領域Ａ３の導体層２０の厚さは給電領域Ａ１に合わせて設定される。また、薄膜領域Ａ４の導体層２０の厚さは配線形成領域Ａ２に合わせて設定される。すなわち、厚膜領域Ａ３の導体層２０の厚さは０．５μｍ以上が好ましく、０．６μｍ以上がより好ましく、１．０μｍ以上がさらに好ましい。薄膜領域Ａ４の導体層２０の厚さは０．５μｍ以下（または０．５μｍ未満）が好ましく、０．２μｍ以下がより好ましく、０．１μｍ以下がさらに好ましい。

銅めっき被膜２２の厚さは電解めっきにおける電流密度とめっき時間とにより調整できる。また、薄膜領域Ａ４と厚膜領域Ａ３とにおける銅めっき被膜２２の厚さの差異は、遮蔽板４２の電流の遮蔽力に依存する。遮蔽板４２の電流の遮蔽力は、例えば、開孔率で調整できる。ここで、開孔率とは遮蔽板４２の主面の面積に対する孔の総面積の割合を意味する。開孔率を高くするほど電流の遮蔽力を弱めることができる。開孔率を低くするほど電流の遮蔽力を強めることができる。

薄膜領域Ａ４および厚膜領域Ａ３の幅寸法および位置は遮蔽板４２の幅寸法および位置に依存する。遮蔽板４２の幅寸法を大きくすれば薄膜領域Ａ４の幅寸法を大きくでき、遮蔽板４２の幅寸法を小さくすれば薄膜領域Ａ４の幅寸法を小さくできる。遮蔽板４２の位置により薄膜領域Ａ４の位置を調整できる。

（２）切断工程
つぎに、銅張積層板中間品１ｉをスリッターで長手方向に切断する。本実施形態では銅張積層板中間品１ｉを厚膜領域Ａ３における特定の位置（図５における一点鎖線の位置）で切断する。これにより、銅張積層板中間品１ｉの端部を除去する。

（３）銅張積層板最終品
銅張積層板中間品１ｉを切断すると銅張積層板最終品１ｆが得られる。銅張積層板最終品１ｆは、導体層２０が厚い給電領域Ａ１と、導体層２０が薄い配線形成領域Ａ２とを有する。銅張積層板中間品１ｉの厚膜領域Ａ３の残部が銅張積層板最終品１ｆの給電領域Ａ１となる。銅張積層板中間品１ｉの薄膜領域Ａ４が銅張積層板最終品１ｆの配線形成領域Ａ２となる。本実施形態では、銅張積層板中間品１ｉの端部が除去され、給電領域Ａ１の幅寸法が所定幅に整えられた銅張積層板最終品１ｆが得られる。

なお、電解めっき工程において、基材１１の表裏両側にアノード４１を配置すれば、基材１１の両面に銅めっき被膜２２を成膜できる。この場合、遮蔽板４２も基材１１の表裏両側に配置される。そうすれば、図４（Ａ）に示す銅張積層板２が得られる。

また、銅張積層板中間品１ｉの一方の厚膜領域Ａ３をその中間位置で切断し、他方の厚膜領域Ａ３（および中間領域）の全部を切除してもよい。そうすれば、図４（Ｂ）または図４（Ｃ）に示す銅張積層板３、４が得られる。

（その他の実施形態）
図６に示すように、電解めっき工程において、基材１１とアノード４１との間に複数の遮蔽板４２をＴＤ方向に並べて配置してもよい。隣り合う遮蔽板４２の間には隙間があけられる。この隙間に対向する領域も厚膜領域Ａ３となる。そのため、３つ以上の厚膜領域Ａ３を有する導体層２０を形成できる。図示の例では、２枚の遮蔽板４２がＴＤ方向に並べられている。両端および中央に３つの厚膜領域Ａ３を有し、それらの間に２つの薄膜領域Ａ４を有する導体層２０を形成できる。

この銅張積層板中間品１ｉは各厚膜領域Ａ３における特定の位置で切断される。これにより、複数の（図示の例では２つの）銅張積層板最終品１ｆが得られる。

なお、中央の厚膜領域Ａ３の幅寸法が大きい場合には、中央の厚膜領域Ａ３を２箇所で切断し、間の部分を除去すればよい。そうすれば、銅張積層板最終品１ｆの給電領域Ａ１の幅寸法を所定幅に整えられる。

（共通の条件）
ベースフィルムとして、幅５７０ｍｍ、厚さ３４μｍの長尺帯状のポリイミドフィルム（宇部興産社製Ｕｐｉｌｅｘ）を用意した。ベースフィルムをマグネトロンスパッタリング装置にセットした。マグネトロンスパッタリング装置内にはニッケルクロム合金ターゲットと銅ターゲットとが設置されている。ニッケルクロム合金ターゲットの組成はＣｒが２０質量％、Ｎｉが８０質量％である。真空雰囲気下で、ベースフィルムの両面に、厚さ２５ｎｍのニッケルクロム合金からなる下地金属層を形成し、その上に厚さ１００ｎｍの銅薄膜層を形成した。

ロールツーロール方式のめっき装置を用いて基材の両面に銅めっき被膜を成膜して銅張積層板中間品を得た。めっき槽に貯留される銅めっき液は硫酸銅を１２０ｇ／Ｌ、硫酸を７０ｇ／Ｌ、ブライトナー成分を１６ｍｇ／Ｌ、レベラー成分を２０ｍｇ／Ｌ、ポリマー成分を１，１００ｍｇ／Ｌ、塩素成分を５０ｍｇ／Ｌ含有する。ブライトナー成分としてビス（３－スルホプロピル）ジスルフィド（ＲＡＳＣＨＩＧＧｍｂＨ社製の試薬）を用いた。レベラー成分としてジアリルジメチルアンモニウムクロライド－二酸化硫黄共重合体（ニットーボーメディカル株式会社製ＰＡＳ－Ａ―５）を用いた。ポリマー成分としてポリエチレングリコール－ポリプロピレングリコール共重合体（日油株式会社製ユニルーブ５０ＭＢ－１１）を用いた。塩素成分として塩酸（和光純薬工業株式会社製の３５％塩酸）を用いた。

（実施例１～３）
電解めっきにおいて基材の中央部とアノードとの間に遮蔽板を配置し、基材のＴＤ方向の中央部の幅約４８０ｍｍの領域における銅めっき被膜が、両方の端領域における銅めっき被膜よりも薄くなるようにした。電解めっきにおける電流密度、めっき時間、および遮蔽板の開孔率を変化させ、中央領域および端領域における導体層の厚さが異なる銅張積層板中間品を３種類製造した。導体層の厚さは表１に示すとおりである。

（比較例１）
電解めっきにおいて基材とアノードとの間に遮蔽板を配置せず、厚さが均一な銅めっき被膜を成膜し、銅張積層板中間品を得た。導体層の厚さは表１に示すとおりである。

（比較例２）
電解めっきにおいて基材の両端部とアノードとの間に遮蔽板を配置し、基材のＴＤ方向の中央部の幅約４８０ｍｍの領域における銅めっき被膜が、両方の端領域における銅めっき被膜よりも厚くなるようにした。導体層の厚さは表１に示すとおりである。

実施例１～３および比較例１、２で得られた銅張積層板中間品の両端をスリッターで切除し、幅５００ｍｍの銅張積層板最終品を得た。

５種類の銅張積層板最終品をつぎの手順で加工した。銅張積層板最終品の両面にレジスト層を形成した。ここで、レジスト層は銅張積層板最終品の中央領域（幅約４８０ｍｍの領域）に形成し、両方の端領域（幅約１０ｍｍの領域）の導体層を露出させた状態とした。レジスト層のうち配線パターンを形成する部分に開口部を形成した。銅張積層板最終品の両方の端領域にクリップ式めっき電極端子を取り付け、硫酸銅めっき浴中にて３０分通電して配線パターンを形成した。ここで、電流密度１Ａ／ｄｍ^２および３Ａ／ｄｍ^２の２つの条件で配線パターンを形成した。

配線パターンを形成した銅張積層板の電極端子付近を観察し、導体層の電流供給異常の有無を評価した。その結果を表１に示す。

表１より、電解めっきの電極端子が接続される端領域の導体層が厚いほど、導体層の電流供給異常が生じにくいことが分かる。端領域の導体層の厚さが１．０μｍまたは０．６μｍの場合は（実施例１、２）、電解めっきにおける電流密度を３Ａ／ｄｍ^２としても導体層の溶解および異常析出は確認されない。端領域の導体層の厚さが０．５μｍの場合は（実施例３）、電解めっきにおける電流密度を３Ａ／ｄｍ^２とすると導体層が僅かに溶解するが、電流密度を１Ａ／ｄｍ^２とすれば導体層の溶解および異常析出は確認されない。端領域の導体層の厚さが０．２μｍの場合は（比較例１、２）、電流密度を１Ａ／ｄｍ^２としても導体層の溶解または異常析出が生じる。

これより、導体層の電流供給異常を抑制するためには、銅張積層板の端領域の厚さを、０．５μｍ以上とすることが好ましく、０．６μｍ以上とすることがより好ましく、１．０μｍ以上とすることがさらに好ましいことが確認された。

１銅張積層板
１０ベースフィルム
２０導体層
２１金属層
２１ａ下地金属層
２１ｂ銅薄膜層
２２銅めっき被膜
Ａ１給電領域
Ａ２配線形成領域

Claims

ベースフィルムの表面に形成された導体層を有し、
前記導体層は、ＭＤ方向に沿った一方または両方の縁の近傍領域である給電領域が、それ以外の全部または一部領域である配線形成領域よりも厚い
ことを特徴とする銅張積層板。
前記導体層は、前記給電領域の厚さが０．５μｍ以上である
ことを特徴とする請求項１記載の銅張積層板。
前記導体層は、前記給電領域の厚さが０．６μｍ以上である
ことを特徴とする請求項２記載の銅張積層板。