JP2021195604A - 銅張積層板および銅張積層板の製造方法 - Google Patents
銅張積層板および銅張積層板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021195604A JP2021195604A JP2020104193A JP2020104193A JP2021195604A JP 2021195604 A JP2021195604 A JP 2021195604A JP 2020104193 A JP2020104193 A JP 2020104193A JP 2020104193 A JP2020104193 A JP 2020104193A JP 2021195604 A JP2021195604 A JP 2021195604A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- current density
- film
- copper plating
- clad laminate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 152
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 152
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 152
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 121
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 137
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- -1 alkane sulfonic acid copper salt Chemical class 0.000 description 14
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 5
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- LMPMFQXUJXPWSL-UHFFFAOYSA-N 3-(3-sulfopropyldisulfanyl)propane-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CCCSSCCCS(O)(=O)=O LMPMFQXUJXPWSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- SUMDYPCJJOFFON-UHFFFAOYSA-N isethionic acid Chemical compound OCCS(O)(=O)=O SUMDYPCJJOFFON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- OBDVFOBWBHMJDG-UHFFFAOYSA-N 3-mercapto-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CCCS OBDVFOBWBHMJDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- XXACTDWGHQXLGW-UHFFFAOYSA-M Janus Green B chloride Chemical compound [Cl-].C12=CC(N(CC)CC)=CC=C2N=C2C=CC(\N=N\C=3C=CC(=CC=3)N(C)C)=CC2=[N+]1C1=CC=CC=C1 XXACTDWGHQXLGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NJSSICCENMLTKO-HRCBOCMUSA-N [(1r,2s,4r,5r)-3-hydroxy-4-(4-methylphenyl)sulfonyloxy-6,8-dioxabicyclo[3.2.1]octan-2-yl] 4-methylbenzenesulfonate Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)O[C@H]1C(O)[C@@H](OS(=O)(=O)C=2C=CC(C)=CC=2)[C@@H]2OC[C@H]1O2 NJSSICCENMLTKO-HRCBOCMUSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229940116318 copper carbonate Drugs 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RSJOBNMOMQFPKQ-UHFFFAOYSA-L copper;2,3-dihydroxybutanedioate Chemical compound [Cu+2].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O RSJOBNMOMQFPKQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GEZOTWYUIKXWOA-UHFFFAOYSA-L copper;carbonate Chemical compound [Cu+2].[O-]C([O-])=O GEZOTWYUIKXWOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SDFNZYMSEOUVIF-UHFFFAOYSA-N copper;methanesulfonic acid Chemical compound [Cu].CS(O)(=O)=O SDFNZYMSEOUVIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SEGDGYCSRNUBHG-UHFFFAOYSA-N copper;propan-1-ol Chemical compound [Cu].CCCO SEGDGYCSRNUBHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGQHONKCYQCCHO-UHFFFAOYSA-N copper;propane-1-sulfonic acid Chemical compound [Cu].CCCS(O)(=O)=O VGQHONKCYQCCHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- FWBOFUGDKHMVPI-UHFFFAOYSA-K dicopper;2-oxidopropane-1,2,3-tricarboxylate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]C(=O)CC([O-])(C([O-])=O)CC([O-])=O FWBOFUGDKHMVPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- YIOJGTBNHQAVBO-UHFFFAOYSA-N dimethyl-bis(prop-2-enyl)azanium Chemical compound C=CC[N+](C)(C)CC=C YIOJGTBNHQAVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 229940045996 isethionic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
【課題】銅めっき被膜のピンホールが少ない銅張積層板を提供する。【解決手段】銅張積層板は、ベースフィルムと、ベースフィルムの表面に直接または下地金属層を介して成膜された銅薄膜層と、銅薄膜層の表面に成膜された銅めっき被膜とを備える。銅めっき被膜は、電解めっき初期の電流密度上昇期間における電流密度が、式（１）で求められる最低電流密度以上に設定された電解めっきにより成膜されたものである。Ｊmin(ｄ)＝−３ｄ2＋７ｄ−０．２ ・・・（１）ここで、ｄは電解めっき中における銅薄膜層と銅めっき被膜とを合わせた厚さ［μｍ］、Ｊmin(ｄ)は厚さｄのときの最低電流密度［Ａ／ｄｍ2］である。【選択図】図４
Description
本発明は、銅張積層板および銅張積層板の製造方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）などの製造に用いられる銅張積層板、およびその銅張積層板の製造方法に関する。
液晶パネル、ノートパソコン、デジタルカメラ、携帯電話などの電子機器には、樹脂フィルムの表面に配線パターンが形成されたフレキシブルプリント配線板が用いられる。フレキシブルプリント配線板は、例えば、銅張積層板から製造される。
銅張積層板の製造方法としてメタライジング法が知られている。メタライジング法による銅張積層板の製造は、例えば、つぎの手順で行なわれる。まず、樹脂フィルムの表面にニッケルクロム合金からなる下地金属層を形成する。つぎに、下地金属層の上に銅薄膜層を形成する。つぎに、銅薄膜層の上に銅めっき被膜を形成する。銅めっきにより、配線パターンを形成するのに適した膜厚となるまで導体層を厚膜化する。メタライジング法により、樹脂フィルム上に直接導体層が形成された、いわゆる２層基板と称されるタイプの銅張積層板が得られる。
この種の銅張積層板を用いてフレキシブルプリント配線板を製造する方法としてセミアディティブ法が知られている。セミアディティブ法によるフレキシブルプリント配線板の製造は、つぎの手順で行なわれる（特許文献１参照）。まず、銅張積層板の銅めっき被膜の表面にレジスト層を形成する。つぎに、レジスト層のうち配線パターンを形成する部分に開口部を形成する。つぎに、レジスト層の開口部から露出した銅めっき被膜を陰極として電解めっきを行ない、配線部を形成する。つぎに、レジスト層を除去し、フラッシュエッチングなどにより配線部以外の導体層を除去する。これにより、フレキシブルプリント配線板が得られる。
セミアディティブ法において、銅めっき被膜の表面にレジスト層を形成するにあたり、ドライフィルムレジストを用いることがある。この場合、銅めっき被膜の表面を化学研磨した後に、ドライフィルムレジストを貼り付ける。化学研磨により銅めっき被膜の表面に微細な凹凸をつけることで、アンカー効果によるドライフィルムレジストの密着性を高めている。
樹脂フィルムの表面に形成された下地金属層および銅薄膜層は、銅めっき被膜を形成するまでの工程において搬送ローラとの接触によりピンホールが生じることがある。下地金属層および銅薄膜層にピンホールがあると、銅めっき被膜を形成してもピンホールが被覆されずに残ることがある。また、銅めっき被膜によりピンホールが被覆されたとしても、銅めっき被膜の内部に空間が形成され、化学研磨によりピンホールが露出することがある。銅めっき被膜にピンホールがあると、配線部が適切に形成されず、断線不良を引き起こすことがある。
本発明は上記事情に鑑み、銅めっき被膜のピンホールが少ない銅張積層板、およびその銅張積層板の製造方法を提供することを目的とする。
第１発明の銅張積層板は、ベースフィルムと、前記ベースフィルムの表面に直接または下地金属層を介して成膜された銅薄膜層と、前記銅薄膜層の表面に成膜された銅めっき被膜と、を備え、前記銅めっき被膜は、電解めっき初期の電流密度上昇期間における電流密度が、式（１）で求められる最低電流密度以上に設定された電解めっきにより成膜されたものであることを特徴とする。
Ｊmin(ｄ)＝−３ｄ2＋７ｄ−０．２ ・・・（１）
ここで、ｄは電解めっき中における前記銅薄膜層と前記銅めっき被膜とを合わせた厚さ［μｍ］、Ｊmin(ｄ)は厚さｄのときの最低電流密度［Ａ／ｄｍ2］である。
第２発明の銅張積層板は、第１発明において、前記最低電流密度は、式（２）で求められることを特徴とする。
Ｊmin(ｄ)＝−３．５ｄ2＋８ｄ−０．２ ・・・（２）
第３発明の銅張積層板は、第１または第２発明において、前記銅めっき被膜は、前記電流密度上昇期間における電流密度が、式（３）で求められる最高電流密度以下に設定された電解めっきにより成膜されたものであることを特徴とする。
Ｊmax(ｄ)＝−５．５ｄ2＋１１ｄ ・・・（３）
ここで、Ｊmax(ｄ)は厚さｄのときの最高電流密度［Ａ／ｄｍ2］である。
第４発明の銅張積層板の製造方法は、ベースフィルムと、前記ベースフィルムの表面に直接または下地金属層を介して成膜された銅薄膜層とを有する基材を用い、前記銅薄膜層の表面に銅めっき被膜を成膜して銅張積層板を得るにあたり、電解めっき初期の電流密度上昇期間における電流密度を、式（１）で求められる最低電流密度以上に設定することを特徴とする。
Ｊmin(ｄ)＝−３ｄ2＋７ｄ−０．２ ・・・（１）
ここで、ｄは電解めっき中における前記銅薄膜層と前記銅めっき被膜とを合わせた厚さ［μｍ］、Ｊmin(ｄ)は厚さｄのときの最低電流密度［Ａ／ｄｍ2］である。
第５発明の銅張積層板の製造方法は、第４発明において、前記最低電流密度は、式（２）で求められることを特徴とする。
Ｊmin(ｄ)＝−３．５ｄ2＋８ｄ−０．２ ・・・（２）
第６発明の銅張積層板の製造方法は、第４または第５発明において、前記電流密度上昇期間における電流密度を、式（３）で求められる最高電流密度以下に設定することを特徴とする。
Ｊmax(ｄ)＝−５．５ｄ2＋１１ｄ ・・・（３）
ここで、Ｊmax(ｄ)は厚さｄのときの最高電流密度［Ａ／ｄｍ2］である。
Ｊmin(ｄ)＝−３ｄ2＋７ｄ−０．２ ・・・（１）
ここで、ｄは電解めっき中における前記銅薄膜層と前記銅めっき被膜とを合わせた厚さ［μｍ］、Ｊmin(ｄ)は厚さｄのときの最低電流密度［Ａ／ｄｍ2］である。
第２発明の銅張積層板は、第１発明において、前記最低電流密度は、式（２）で求められることを特徴とする。
Ｊmin(ｄ)＝−３．５ｄ2＋８ｄ−０．２ ・・・（２）
第３発明の銅張積層板は、第１または第２発明において、前記銅めっき被膜は、前記電流密度上昇期間における電流密度が、式（３）で求められる最高電流密度以下に設定された電解めっきにより成膜されたものであることを特徴とする。
Ｊmax(ｄ)＝−５．５ｄ2＋１１ｄ ・・・（３）
ここで、Ｊmax(ｄ)は厚さｄのときの最高電流密度［Ａ／ｄｍ2］である。
第４発明の銅張積層板の製造方法は、ベースフィルムと、前記ベースフィルムの表面に直接または下地金属層を介して成膜された銅薄膜層とを有する基材を用い、前記銅薄膜層の表面に銅めっき被膜を成膜して銅張積層板を得るにあたり、電解めっき初期の電流密度上昇期間における電流密度を、式（１）で求められる最低電流密度以上に設定することを特徴とする。
Ｊmin(ｄ)＝−３ｄ2＋７ｄ−０．２ ・・・（１）
ここで、ｄは電解めっき中における前記銅薄膜層と前記銅めっき被膜とを合わせた厚さ［μｍ］、Ｊmin(ｄ)は厚さｄのときの最低電流密度［Ａ／ｄｍ2］である。
第５発明の銅張積層板の製造方法は、第４発明において、前記最低電流密度は、式（２）で求められることを特徴とする。
Ｊmin(ｄ)＝−３．５ｄ2＋８ｄ−０．２ ・・・（２）
第６発明の銅張積層板の製造方法は、第４または第５発明において、前記電流密度上昇期間における電流密度を、式（３）で求められる最高電流密度以下に設定することを特徴とする。
Ｊmax(ｄ)＝−５．５ｄ2＋１１ｄ ・・・（３）
ここで、Ｊmax(ｄ)は厚さｄのときの最高電流密度［Ａ／ｄｍ2］である。
本発明によれば、電解めっき初期の電流密度を比較的高く設定することにより、銅薄膜層に存在するピンホールが被覆されやすくなる。また、銅めっき被膜の内部に形成される空間の高さを低くできるので、化学研磨によりピンホールが露出することを抑制できる。これにより、銅めっき被膜のピンホールを少なくできる。
つぎに、本発明の実施形態を図面に基づき説明する。
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る銅張積層板１は、基材１０と、基材１０の表面に成膜された銅めっき被膜２０とからなる。図１に示すように基材１０の片面のみに銅めっき被膜２０が成膜されてもよいし、基材１０の両面に銅めっき被膜２０が成膜されてもよい。
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る銅張積層板１は、基材１０と、基材１０の表面に成膜された銅めっき被膜２０とからなる。図１に示すように基材１０の片面のみに銅めっき被膜２０が成膜されてもよいし、基材１０の両面に銅めっき被膜２０が成膜されてもよい。
基材１０は絶縁性を有するベースフィルム１１の表面に金属層１２が成膜されたものである。ベースフィルム１１としてポリイミドフィルム、液晶ポリマー（ＬＣＰ）フィルムなどの樹脂フィルムを用いることができる。金属層１２は、例えば、スパッタリング法により成膜される。金属層１２は下地金属層１３と銅薄膜層１４とからなる。下地金属層１３と銅薄膜層１４とはベースフィルム１１の表面にこの順に積層されている。一般に、下地金属層１３はニッケル、クロム、またはニッケルクロム合金からなる。特に限定されないが、下地金属層１３の厚さは５〜５０ｎｍが一般的であり、銅薄膜層１４の厚さは５０〜４００ｎｍが一般的である。
なお、下地金属層１３はなくてもよい。銅薄膜層１４はベースフィルム１１の表面に下地金属層１３を介して成膜されてもよいし、下地金属層１３を介さずベースフィルム１１の表面に直接成膜されてもよい。
銅めっき被膜２０は銅薄膜層１４の表面に成膜されている。特に限定されないが、銅めっき被膜２０の厚さは、サブトラクティブ法により加工される銅張積層板１の場合８〜１２μｍが一般的であり、セミアディティブ法により加工される銅張積層板１の場合０．１〜５μｍが一般的である。なお、金属層１２と銅めっき被膜２０とを合わせて「導体層」と称する。
銅めっき被膜２０は、特に限定されないが、ロールツーロール方式のめっき装置により成膜される。めっき装置は、ロールツーロールにより長尺帯状の基材１０を搬送しつつ、基材１０に対して電解めっきを行なう装置である。めっき装置はロール状に巻回された基材１０を繰り出す供給装置と、めっき後の基材１０（銅張積層板１）をロール状に巻き取る巻取装置とを有する。
めっき装置には基材１０を搬送するための複数のクランプが設けられている。複数のクランプが基材１０の両縁を把持し、基材１０を搬送する。基材１０の搬送経路には、前処理槽、めっき槽３０、および後処理槽が配置されている。基材１０はめっき槽３０内を搬送されつつ、電解めっきによりその表面に銅めっき被膜２０が成膜される。これにより、長尺帯状の銅張積層板１が得られる。
図２に示すように、めっき槽３０は基材１０の搬送方向に沿った横長の単一の槽である。基材１０はめっき槽３０の中心に沿って搬送される。めっき槽３０には銅めっき液が貯留されている。めっき槽３０内を搬送される基材１０は、その全体が銅めっき液に浸漬されている。
銅めっき液は水溶性銅塩を含む。銅めっき液に一般的に用いられる水溶性銅塩であれば、特に限定されず用いられる。水溶性銅塩として、無機銅塩、アルカンスルホン酸銅塩、アルカノールスルホン酸銅塩、有機酸銅塩などが挙げられる。無機銅塩として、硫酸銅、酸化銅、塩化銅、炭酸銅などが挙げられる。アルカンスルホン酸銅塩として、メタンスルホン酸銅、プロパンスルホン酸銅などが挙げられる。アルカノールスルホン酸銅塩として、イセチオン酸銅、プロパノールスルホン酸銅などが挙げられる。有機酸銅塩として、酢酸銅、クエン酸銅、酒石酸銅などが挙げられる。
銅めっき液に用いる水溶性銅塩として、無機銅塩、アルカンスルホン酸銅塩、アルカノールスルホン酸銅塩、有機酸銅塩などから選択された１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。例えば、硫酸銅と塩化銅とを組み合わせる場合のように、無機銅塩、アルカンスルホン酸銅塩、アルカノールスルホン酸銅塩、有機酸銅塩などから選択された１つのカテゴリー内の異なる２種類以上を組み合わせて用いてもよい。ただし、銅めっき液の管理の観点からは、１種類の水溶性銅塩を単独で用いることが好ましい。
銅めっき液は硫酸を含んでもよい。硫酸の添加量を調整することで、銅めっき液のｐＨおよび硫酸イオン濃度を調整できる。
銅めっき液は一般的にめっき液に添加される添加剤を含んでもよい。添加剤として、ブライトナー成分、レベラー成分、ポリマー成分、塩素成分などが挙げられる。添加剤として、ブライトナー成分、レベラー成分、ポリマー成分、塩素成分などから選択された１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
ブライトナー成分として、特に限定されないが、ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド（略称ＳＰＳ）、３−メルカプトプロパン−１−スルホン酸（略称ＭＰＳ）などから選択された１種類を単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることが好ましい。レベラー成分は窒素を含有するアミンなどで構成される。レベラー成分として、ジアリルジメチルアンモニウムクロライド、ヤヌス・グリーンＢなどが挙げられる。ポリマー成分として、特に限定されないが、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコール共重合体から選択された１種類を単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることが好ましい。塩素成分として、特に限定されないが、塩酸、塩化ナトリウムなどから選択された１種類を単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることが好ましい。
銅めっき液の各成分の含有量は任意に選択できる。ただし、銅めっき液は銅を１５〜７０ｇ／Ｌ、硫酸を２０〜２５０ｇ／Ｌ含有することが好ましい。そうすれば、銅めっき被膜２０を十分な速度で成膜できる。銅めっき液はブライトナー成分を１〜５０ｍｇ／Ｌ含有することが好ましい。そうすれば、析出結晶を微細化し銅めっき被膜２０の表面を平滑にできる。銅めっき液はレベラー成分を１〜３００ｍｇ／Ｌ含有することが好ましい。そうすれば、突起を抑制し平坦な銅めっき被膜２０を成膜できる。銅めっき液はポリマー成分を１０〜１，５００ｍｇ／Ｌ含有することが好ましい。そうすれば、基材１０端部への電流集中を緩和し均一な銅めっき被膜２０を成膜できる。銅めっき液は塩素成分を２０〜８０ｍｇ／Ｌ含有することが好ましい。そうすれば、異常析出を抑制できる。
銅めっき液の温度は２０〜３５℃が好ましい。また、めっき槽３０内の銅めっき液を撹拌することが好ましい。銅めっき液を撹拌する手段は、特に限定されないが、噴流を利用した手段を用いることができる。例えば、ノズルから噴出させた銅めっき液を基材１０に吹き付けることで、銅めっき液を撹拌できる。
めっき槽３０の内部には、基材１０の搬送方向に沿って複数のアノード３１が配置されている。また、基材１０を把持するクランプはカソードとしての機能も有する。アノード３１とクランプ（カソード）との間に電流を流すことで、基材１０の表面に銅めっき被膜２０を成膜できる。
なお、図２に示すめっき槽３０には、基材１０の表裏両側にアノード３１が配置されている。したがって、ベースフィルム１１の両面に金属層１２が成膜された基材１０を用いれば、基材１０の両面に銅めっき被膜２０を成膜できる。
めっき槽３０の内部に配置された複数のアノード３１は、それぞれに整流器が接続されている。したがって、アノード３１ごとに異なる電流密度となるように設定できる。
ベースフィルム１１に成膜された金属層１２は比較的薄いため、電解めっきの初期に電流密度を高くすると、金属層１２のうち給電部（クランプ）と接触する部分が溶解する恐れがある。一方で、生産性を上げるには電流密度をできるだけ高くすることが好ましい。そこで、電解めっきの初期において、電流密度を徐々に上昇させることが行なわれる。溶解の恐れがない程度の厚さ（例えば、１．０μｍ）まで銅めっき被膜２０が厚くなった後は、比較的高い一定の電流密度で電解めっきが行なわれる。本明細書では、電解めっき初期の電流密度を徐々に上昇させる期間を「電流密度上昇期間」と称する。
図２に示すめっき槽３０の構成の場合、めっき槽３０に配置された複数のアノード３１のうち、上流側の一部のアノード３１について、上流から下流に向かって電流密度が高くなるように設定する。これにより、電流密度上昇期間において、電流密度を段階的に上昇させることができる。
ところで、ベースフィルム１１の表面に成膜された金属層１２は、銅めっき被膜２０を形成するまでの工程において搬送ローラとの接触により一部が剥離し、ピンホールが生じることがある。図３（Ａ）に示すように、金属層１２にピンホールがあると、銅めっき被膜２０を成膜してもピンホールが被覆されずに残ることがある。
図３（Ｂ）に示すように、金属層１２のピンホールは銅めっき被膜２０により被覆されることもある。この場合、銅めっき被膜２０の内部にはドーム形の空間が形成されていると推測される。銅めっき被膜２０を化学研磨しない場合には、この状態でも問題ないといえる。しかし、図３（Ｂ）において一点鎖線で示す位置まで銅めっき被膜２０を化学研磨すると、ピンホールが露出することになる。
図３（Ｃ）に示すように、銅めっき被膜２０の内部にドーム形の空間が形成されたとしても、その高さが十分に低ければ、銅めっき被膜２０を化学研磨してもピンホールが露出することはない。
このように、銅めっき被膜２０の内部に形成されるドーム形の空間の高さを低くするほど、銅めっき被膜２０のピンホールを少なくできるといえる。本願発明者の経験則によれば、電解めっきにおける電流密度が低いほど、めっき面に対して縦方向にめっきが成長しやすい。すなわち、図３（Ａ）に示すように、金属層１２のピンホールを反映して、銅めっき被膜２０にもピンホールが形成される。これに対して、電解めっきにおける電流密度が高いほど、めっきは縦方向に成長するとともに、横方向にも成長する。すなわち、図３（Ｃ）に示すように、ドーム形の空間の高さを低くできる。
そこで、本願発明者は、電流密度上昇期間における電流密度を比較的高く設定することで、銅めっき被膜２０の内部に形成されるドーム形の空間の高さを低くし、銅めっき被膜２０のピンホールを少なくすることの着想を得た。
電流密度上昇期間における電流密度Ｊは、段階的に、または無段階で、徐々に上昇させる。その理由は、薄い金属層１２および銅めっき被膜２０の溶解を防止しつつ、生産性を上げるためである。そこで、電流密度Ｊは電解めっき中における銅薄膜層１４と銅めっき被膜２０とを合わせた厚さｄ［μｍ］を指標として増加させる。
具体的には、電流密度上昇期間における電流密度Ｊは、常に、式（１）で求められる最低電流密度Ｊmin(ｄ)以上になるよう設定することが好ましい。
Ｊmin(ｄ)＝−３ｄ2＋７ｄ−０．２ ・・・（１）
ここで、Ｊmin(ｄ)は厚さｄのときの最低電流密度［Ａ／ｄｍ2］である。
Ｊmin(ｄ)＝−３ｄ2＋７ｄ−０．２ ・・・（１）
ここで、Ｊmin(ｄ)は厚さｄのときの最低電流密度［Ａ／ｄｍ2］である。
電流密度Ｊが高いほど、銅めっき被膜２０のピンホールを少なくする効果が高い。そこで、最低電流密度Ｊmin(ｄ)は、式（１）に代えて、式（２）で求める方がより好ましい。
Ｊmin(ｄ)＝−３．５ｄ2＋８ｄ−０．２ ・・・（２）
Ｊmin(ｄ)＝−３．５ｄ2＋８ｄ−０．２ ・・・（２）
電解めっき初期の電流密度Ｊを比較的高く設定すれば、銅薄膜層１４に存在するピンホールが被覆されやすくなる。また、銅めっき被膜２０の内部に形成されるドーム形の空間の高さを低くできる。そのため、化学研磨によりピンホールが露出することを抑制できる。これにより、銅めっき被膜２０のピンホールを少なくできる。
電解めっき初期の電流密度Ｊを高く設定すると、金属層１２および銅めっき被膜２０が溶解する恐れがある。そこで、電流密度上昇期間における電流密度Ｊは、式（３）で求められる最高電流密度Ｊmax(ｄ)以下に設定することが好ましい。
Ｊmax(ｄ)＝−５．５ｄ2＋１１ｄ ・・・（３）
ここで、Ｊmax(ｄ)は厚さｄのときの最高電流密度［Ａ／ｄｍ2］である。
Ｊmax(ｄ)＝−５．５ｄ2＋１１ｄ ・・・（３）
ここで、Ｊmax(ｄ)は厚さｄのときの最高電流密度［Ａ／ｄｍ2］である。
金属層１２および銅めっき被膜２０の溶解は、それらが薄い場合には電気抵抗が高く、高電流を流すと発熱することに起因する。そのため、金属層１２および銅めっき被膜２０の溶解は、給電部との接触部分の放熱効率を上げるか、電気抵抗を下げることで、抑制できる。放熱効率を上げるには銅めっき液の噴流を給電部に吹き付ければよい。また、電気抵抗を下げるには給電部との接触面積を大きくすればよい。これらの対応をすることにより、金属層１２および銅めっき被膜２０の溶解を抑制できる。
なお、式（１）、（２）、（３）における厚さｄは、電解めっき中における銅薄膜層１４の厚さと銅めっき被膜２０の厚さとを合わせたものである。このうち銅めっき被膜２０の厚さは電解めっきの進行にともない増加する。電解めっき中の銅めっき被膜２０の厚さＤは電流密度とめっき時間とから求められる。具体的には、式（４）に示すように、電流密度Ｊ［Ａ／ｄｍ2］、めっき時間Ｔ［分］、および係数ｋを乗じて厚さＤ［μｍ］が求められる。ここで、係数ｋは銅めっき液などの条件に依存する値であり、試験により定められる。
Ｄ＝ｋ×Ｊ×Ｔ ・・・（４）
Ｄ＝ｋ×Ｊ×Ｔ ・・・（４）
つぎに、実施例を説明する。
（共通の条件）
つぎの手順で、基材を準備した。ベースフィルムとして、厚さ３５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産社製 Ｕｐｉｌｅｘ−３５ＳＧＡＶ１）を用意した。ベースフィルムをマグネトロンスパッタリング装置にセットした。マグネトロンスパッタリング装置内にはニッケルクロム合金ターゲットと銅ターゲットとが設置されている。ニッケルクロム合金ターゲットの組成はＣｒが２０質量％、Ｎｉが８０質量％である。真空雰囲気下で、ベースフィルムの片面に、厚さ２５ｎｍのニッケルクロム合金からなる下地金属層を形成し、その上に厚さ１００ｎｍの銅薄膜層を形成した。
（共通の条件）
つぎの手順で、基材を準備した。ベースフィルムとして、厚さ３５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産社製 Ｕｐｉｌｅｘ−３５ＳＧＡＶ１）を用意した。ベースフィルムをマグネトロンスパッタリング装置にセットした。マグネトロンスパッタリング装置内にはニッケルクロム合金ターゲットと銅ターゲットとが設置されている。ニッケルクロム合金ターゲットの組成はＣｒが２０質量％、Ｎｉが８０質量％である。真空雰囲気下で、ベースフィルムの片面に、厚さ２５ｎｍのニッケルクロム合金からなる下地金属層を形成し、その上に厚さ１００ｎｍの銅薄膜層を形成した。
つぎに、銅めっき液を調整した。銅めっき液は硫酸銅を１２０ｇ／Ｌ、硫酸を７０ｇ／Ｌ、ブライトナー成分を１６ｍｇ／Ｌ、レベラー成分を２０ｍｇ／Ｌ、ポリマー成分を１，１００ｍｇ／Ｌ、塩素成分を５０ｍｇ／Ｌ含有する。ブライトナー成分としてビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド（ＲＡＳＣＨＩＧ ＧｍｂＨ社製の試薬）を用いた。レベラー成分としてジアリルジメチルアンモニウムクロライド−二酸化硫黄共重合体（ニットーボーメディカル株式会社製 ＰＡＳ−Ａ―５）を用いた。ポリマー成分としてポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコール共重合体（日油株式会社製 ユニルーブ５０ＭＢ−１１）を用いた。塩素成分として塩酸（和光純薬工業株式会社製の３５％塩酸）を用いた。
前記銅めっき液が貯留されためっき槽に基材を供給した。電解めっきにより基材の片面に厚さ銅めっき被膜を成膜した。ここで、銅めっき液の温度を３１℃とした。また、電解めっきの間、ノズルから噴出させた銅めっき液を基材の表面に対して略垂直に吹き付けることで、銅めっき液を撹拌した。
（実施例１）
電解めっきの条件が表１の通りとなるように、基材の搬送速度および各アノードの電流密度を調整した。銅薄膜層と銅めっき被膜とを合わせた厚さｄが０．８μｍに達するまでを電流密度上昇期間とし、電流密度を段階的に上昇させた。厚さｄが０．８μｍ以上の期間は、電流密度を４．０Ａ／ｄｍ2で一定とした。厚さｄが２．５μｍとなるまで電解めっきを行なった。
電解めっきの条件が表１の通りとなるように、基材の搬送速度および各アノードの電流密度を調整した。銅薄膜層と銅めっき被膜とを合わせた厚さｄが０．８μｍに達するまでを電流密度上昇期間とし、電流密度を段階的に上昇させた。厚さｄが０．８μｍ以上の期間は、電流密度を４．０Ａ／ｄｍ2で一定とした。厚さｄが２．５μｍとなるまで電解めっきを行なった。
図４のグラフに示すように、実施例１において、電流密度上昇期間の電流密度Ｊは、前記式（２）で求められる最低電流密度Ｊmin(ｄ)よりも常に高くなるよう設定されている。また、電流密度上昇期間の電流密度Ｊは、前記式（３）で求められる最高電流密度Ｊmax(ｄ)よりも、常に低くなるよう設定されている。
得られた銅めっき被膜に対して硫酸過水系エッチング液により化学研磨処理を行ない、銅めっき被膜の厚さが０．７μｍとなるまで減膜した。化学研磨後の銅めっき被膜を光学顕微鏡（倍率５００倍）による透過光で３視野（合計１０ｍｍ2）を観察し、ピンホール数を計数した。その結果、５μｍ未満のピンホールが６個／１０ｍｍ2、５μｍ以上１０μｍ未満のピンホールが０個／１０ｍｍ2、１０μｍ以上のピンホールが０個／１０ｍｍ2であった。
（実施例２）
電解めっきの条件が表２の通りとなるように、基材の搬送速度および各アノードの電流密度を調整した。銅薄膜層と銅めっき被膜とを合わせた厚さｄが０．８μｍに達するまでを電流密度上昇期間とし、電流密度を段階的に上昇させた。厚さｄが０．８μｍ以上の期間は、電流密度を４．０Ａ／ｄｍ2で一定とした。厚さｄが２．５μｍとなるまで電解めっきを行なった。
電解めっきの条件が表２の通りとなるように、基材の搬送速度および各アノードの電流密度を調整した。銅薄膜層と銅めっき被膜とを合わせた厚さｄが０．８μｍに達するまでを電流密度上昇期間とし、電流密度を段階的に上昇させた。厚さｄが０．８μｍ以上の期間は、電流密度を４．０Ａ／ｄｍ2で一定とした。厚さｄが２．５μｍとなるまで電解めっきを行なった。
図４のグラフに示すように、実施例２における電流密度上昇期間の電流密度Ｊは、実施例１における電流密度上昇期間の電流密度Ｊに比べて低い。しかし、実施例２において、電流密度上昇期間の電流密度Ｊは、前記式（１）で求められる最低電流密度Ｊmin(ｄ)よりも、常に高くなるよう設定されている。また、電流密度上昇期間の電流密度Ｊは、前記式（３）で求められる最高電流密度Ｊmax(ｄ)よりも、常に低くなるよう設定されている。
実施例１と同様の手順で銅めっき被膜の化学研磨を行ない、ピンホール数を計数した。その結果、５μｍ未満のピンホールが９個／１０ｍｍ2、５μｍ以上１０μｍ未満のピンホールが０個／１０ｍｍ2、１０μｍ以上のピンホールが０個／１０ｍｍ2であった。
（比較例１）
電解めっきの条件が表３の通りとなるように、基材の搬送速度および各アノードの電流密度を調整した。銅薄膜層と銅めっき被膜とを合わせた厚さｄが０．８μｍに達するまでを電流密度上昇期間とし、電流密度を段階的に上昇させた。厚さｄが０．８μｍ以上の期間は、電流密度を４．０Ａ／ｄｍ2で一定とした。厚さｄが２．５μｍとなるまで電解めっきを行なった。
電解めっきの条件が表３の通りとなるように、基材の搬送速度および各アノードの電流密度を調整した。銅薄膜層と銅めっき被膜とを合わせた厚さｄが０．８μｍに達するまでを電流密度上昇期間とし、電流密度を段階的に上昇させた。厚さｄが０．８μｍ以上の期間は、電流密度を４．０Ａ／ｄｍ2で一定とした。厚さｄが２．５μｍとなるまで電解めっきを行なった。
図４のグラフに示すように、比較例１における電流密度上昇期間の電流密度Ｊは、実施例２における電流密度上昇期間の電流密度Ｊに比べて低い。比較例１において、電流密度上昇期間の電流密度Ｊは、前記式（１）で求められる最低電流密度Ｊmin(ｄ)よりも低くなることがある。
実施例１と同様の手順で銅めっき被膜の化学研磨を行ない、ピンホール数を計数した。その結果、５μｍ未満のピンホールが１３個／１０ｍｍ2、５μｍ以上１０μｍ未満のピンホールが１個／１０ｍｍ2、１０μｍ以上のピンホールが０個／１０ｍｍ2であった。
（比較例２）
電解めっきの条件が表４の通りとなるように、基材の搬送速度および各アノードの電流密度を調整した。銅薄膜層と銅めっき被膜とを合わせた厚さｄが０．８μｍに達するまでを電流密度上昇期間とし、電流密度を段階的に上昇させた。厚さｄが０．８μｍ以上の期間は、電流密度を４．０Ａ／ｄｍ2で一定とした。厚さｄが２．５μｍとなるまで電解めっきを行なった。
電解めっきの条件が表４の通りとなるように、基材の搬送速度および各アノードの電流密度を調整した。銅薄膜層と銅めっき被膜とを合わせた厚さｄが０．８μｍに達するまでを電流密度上昇期間とし、電流密度を段階的に上昇させた。厚さｄが０．８μｍ以上の期間は、電流密度を４．０Ａ／ｄｍ2で一定とした。厚さｄが２．５μｍとなるまで電解めっきを行なった。
図４のグラフに示すように、比較例２における電流密度上昇期間の電流密度Ｊは、比較例１における電流密度上昇期間の電流密度Ｊに比べて低い。比較例２において、電流密度上昇期間の電流密度Ｊは、前記式（１）で求められる最低電流密度Ｊmin(ｄ)よりも低くなることがある。
実施例１と同様の手順で銅めっき被膜の化学研磨を行ない、ピンホールの数を計数した。その結果、５μｍ未満のピンホールが１５個／１０ｍｍ2、５μｍ以上１０μｍ未満のピンホールが２個／１０ｍｍ2、１０μｍ以上のピンホールが１個／１０ｍｍ2であった。
以上の結果を表５にまとめる。
電流密度上昇期間における電流密度Ｊを比較的高く設定した実施例１、２は、化学研磨後においても５μｍ未満のピンホールが１０個／１０ｍｍ2以下と少ない。また、５μｍ以上のピンホールは確認されない。特に、電流密度Ｊが高い実施例１は実施例２よりもピンホールの数が少ない。これより、電流密度上昇期間における電流密度Ｊを高く設定すれば、銅めっき被膜のピンホールを少なくできることが確認された。具体的には、電流密度上昇期間における電流密度Ｊを、式（１）で求められる最低電流密度Ｊmin(ｄ)よりも高くすることが好ましく、式（２）で求められる最低電流密度Ｊmin(ｄ)よりも高くすることがより好ましいことが確認された。
なお、実施例１、２、比較例１、２のいずれの条件においても、電解めっきの際の金属層および銅めっき被膜の溶解は確認されなかった。これより、電流密度上昇期間における電流密度Ｊを、式（３）で求められる最高電流密度Ｊmax(ｄ)よりも低くすることにより、金属層および銅めっき被膜の溶解を抑制できることが確認された。
１ 銅張積層板
１０ 基材
１１ ベースフィルム
１２ 金属層
１３ 下地金属層
１４ 銅薄膜層
２０ 銅めっき被膜
１０ 基材
１１ ベースフィルム
１２ 金属層
１３ 下地金属層
１４ 銅薄膜層
２０ 銅めっき被膜
Claims (6)
- ベースフィルムと、
前記ベースフィルムの表面に直接または下地金属層を介して成膜された銅薄膜層と、
前記銅薄膜層の表面に成膜された銅めっき被膜と、を備え、
前記銅めっき被膜は、電解めっき初期の電流密度上昇期間における電流密度が、式（１）で求められる最低電流密度以上に設定された電解めっきにより成膜されたものである
ことを特徴とする銅張積層板。
Ｊmin(ｄ)＝−３ｄ2＋７ｄ−０．２ ・・・（１）
ここで、ｄは電解めっき中における前記銅薄膜層と前記銅めっき被膜とを合わせた厚さ［μｍ］、Ｊmin(ｄ)は厚さｄのときの最低電流密度［Ａ／ｄｍ2］である。 - 前記最低電流密度は、式（２）で求められる
ことを特徴とする請求項１記載の銅張積層板。
Ｊmin(ｄ)＝−３．５ｄ2＋８ｄ−０．２ ・・・（２） - 前記銅めっき被膜は、前記電流密度上昇期間における電流密度が、式（３）で求められる最高電流密度以下に設定された電解めっきにより成膜されたものである
ことを特徴とする請求項１または２記載の銅張積層板。
Ｊmax(ｄ)＝−５．５ｄ2＋１１ｄ ・・・（３）
ここで、Ｊmax(ｄ)は厚さｄのときの最高電流密度［Ａ／ｄｍ2］である。 - ベースフィルムと、前記ベースフィルムの表面に直接または下地金属層を介して成膜された銅薄膜層とを有する基材を用い、前記銅薄膜層の表面に銅めっき被膜を成膜して銅張積層板を得るにあたり、
電解めっき初期の電流密度上昇期間における電流密度を、式（１）で求められる最低電流密度以上に設定する
ことを特徴とする銅張積層板の製造方法。
Ｊmin(ｄ)＝−３ｄ2＋７ｄ−０．２ ・・・（１）
ここで、ｄは電解めっき中における前記銅薄膜層と前記銅めっき被膜とを合わせた厚さ［μｍ］、Ｊmin(ｄ)は厚さｄのときの最低電流密度［Ａ／ｄｍ2］である。 - 前記最低電流密度は、式（２）で求められる
ことを特徴とする請求項４記載の銅張積層板の製造方法。
Ｊmin(ｄ)＝−３．５ｄ2＋８ｄ−０．２ ・・・（２） - 前記電流密度上昇期間における電流密度を、式（３）で求められる最高電流密度以下に設定する
ことを特徴とする請求項４または５記載の銅張積層板の製造方法。
Ｊmax(ｄ)＝−５．５ｄ2＋１１ｄ ・・・（３）
ここで、Ｊmax(ｄ)は厚さｄのときの最高電流密度［Ａ／ｄｍ2］である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020104193A JP7415813B2 (ja) | 2020-06-17 | 2020-06-17 | 銅張積層板および銅張積層板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020104193A JP7415813B2 (ja) | 2020-06-17 | 2020-06-17 | 銅張積層板および銅張積層板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021195604A true JP2021195604A (ja) | 2021-12-27 |
| JP7415813B2 JP7415813B2 (ja) | 2024-01-17 |
Family
ID=79197411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020104193A Active JP7415813B2 (ja) | 2020-06-17 | 2020-06-17 | 銅張積層板および銅張積層板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7415813B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023081865A (ja) * | 2021-12-01 | 2023-06-13 | トーレ・アドバンスド・マテリアルズ・コリア・インコーポレーテッド | 軟性銅箔積層フィルム、その製造方法、及びそれを含む電気素子 |
| CN117328113A (zh) * | 2023-10-16 | 2024-01-02 | 广东省广新离子束科技有限公司 | 一种金属化膜酸性镀铜工艺及应用 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1058594A (ja) * | 1996-06-17 | 1998-03-03 | Bayer Ag | 金属被覆フイルムをウエブの形態で製造する方法 |
| JP2013019037A (ja) * | 2011-07-13 | 2013-01-31 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 銅電気めっき方法及びその銅電気めっき方法を用いて成膜された銅めっき被膜を有する金属化樹脂フィルム |
| JP2013095968A (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | めっき皮膜の製造方法 |
| JP2013143490A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 長尺導電性基板の電解めっき方法および銅張積層板の製造方法 |
-
2020
- 2020-06-17 JP JP2020104193A patent/JP7415813B2/ja active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1058594A (ja) * | 1996-06-17 | 1998-03-03 | Bayer Ag | 金属被覆フイルムをウエブの形態で製造する方法 |
| JP2013019037A (ja) * | 2011-07-13 | 2013-01-31 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 銅電気めっき方法及びその銅電気めっき方法を用いて成膜された銅めっき被膜を有する金属化樹脂フィルム |
| JP2013095968A (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | めっき皮膜の製造方法 |
| JP2013143490A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 長尺導電性基板の電解めっき方法および銅張積層板の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023081865A (ja) * | 2021-12-01 | 2023-06-13 | トーレ・アドバンスド・マテリアルズ・コリア・インコーポレーテッド | 軟性銅箔積層フィルム、その製造方法、及びそれを含む電気素子 |
| CN117328113A (zh) * | 2023-10-16 | 2024-01-02 | 广东省广新离子束科技有限公司 | 一种金属化膜酸性镀铜工艺及应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7415813B2 (ja) | 2024-01-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6993613B2 (ja) | 銅張積層板の製造方法 | |
| TWI793350B (zh) | 覆銅積層板 | |
| JP7415813B2 (ja) | 銅張積層板および銅張積層板の製造方法 | |
| JP7107189B2 (ja) | 銅張積層板および銅張積層板の製造方法 | |
| TWI778281B (zh) | 覆銅積層板 | |
| JP7276025B2 (ja) | 銅張積層板および銅張積層板の製造方法 | |
| JP7211184B2 (ja) | 銅張積層板および銅張積層板の製造方法 | |
| JP7230564B2 (ja) | 銅張積層板の製造方法 | |
| JP7215211B2 (ja) | 銅張積層板の製造方法 | |
| JP2021019019A (ja) | 銅張積層板の密着強度評価サンプル作製方法 | |
| JP7497657B2 (ja) | 銅張積層板の製造方法 | |
| TWI785257B (zh) | 覆銅積層板 | |
| TWI778280B (zh) | 覆銅積層板 | |
| JP7409150B2 (ja) | 銅張積層板の製造方法 | |
| JP7409151B2 (ja) | 銅張積層板の製造方法 | |
| JP7322678B2 (ja) | 銅張積層板の製造方法 | |
| JP7273361B2 (ja) | フレキシブル基板の製造方法 | |
| JP2022050112A (ja) | 銅張積層板の製造方法 | |
| JP2021008650A (ja) | 銅張積層板 | |
| JP2020132920A (ja) | 銅張積層板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221220 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231025 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231031 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231205 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231218 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7415813 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |