TWI785257B - 覆銅積層板 - Google Patents

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Abstract

提供一種能夠抑制化學研磨後的針孔的產生的覆銅積層板。

該覆銅積層板1具備：基膜11、形成在基膜11的表面的金屬層12、以及形成在金屬層12的表面且含有作為雜質的氯的鍍銅被膜20。鍍銅被膜20的厚度方向的氯濃度分布包含複數個山形的局部分布。較佳為局部分布之峰的氯濃度為2×1019原子/cm3以上。較佳為局部分布的半峰全寬比與相鄰的局部分布之峰間隔的一半還窄。

Description

覆銅積層板
本發明涉及一種覆銅積層板。更詳細而言，本發明涉及一種用於撓性印刷電路板(FPC)等之製造的覆銅積層板。
於液晶面板、筆記型電腦、數碼相機、行動電話等中，係使用有佈線圖案形成在樹脂膜的表面的撓性印刷電路板。撓性印刷電路板係例如由覆銅積層板來製造。
作為覆銅積層板的製造方法，已知有金屬噴鍍法。利用金屬噴鍍法之覆銅積層板的製造，例如按照如下的步驟進行。首先，在樹脂膜的表面形成包含鎳鉻合金的基底金屬層。接著，在基底金屬層之上形成銅薄膜層。接下來，在銅薄膜層之上形成鍍銅被膜。藉由鍍銅，而將導體層厚膜化，直到成為適用於形成佈線圖案的膜厚。藉由金屬噴鍍法，而得到導體層直接被形成在樹脂膜上的所謂被稱為2層基板之類型的覆銅積層板。
作為這種使用覆銅積層板來製造撓性印刷電路板的方法，已知有半加成法(Semi-additive Process)。藉由半加成法進行的撓性印刷電路板的製造，係按照如下的步驟進行(參照專利文獻1)。首先，在覆銅積層板的鍍銅被膜的表面形成抗蝕劑層。接著，在抗蝕劑層中形成佈線圖案的部分形成開口部。接下來，將從抗蝕劑層的開口部露出的鍍銅被膜作為陰極來進行電解電鍍，形成佈線部。然後，去除抗蝕劑層，藉由閃蝕(Flash etching)等來去除佈線部以外的導體層。藉此而獲得撓性印刷電路板。
在半加成法中，在鍍銅被膜的表面形成抗蝕劑層時，有時候會使用乾膜抗蝕劑。在這種情況下，將鍍銅被膜的表面進行化學研磨後，黏附乾膜抗蝕劑。藉由化學研磨而在鍍銅被膜的表面形成微細的凹凸，從而提高了因錨固效應所致乾膜抗蝕劑的密合性。但是，若鍍銅被膜的表面的凹凸過多，則反而有時候乾膜抗蝕劑的密合性會惡化。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2006-278950號公報
[發明之概要]
於藉由化學研磨而將鍍銅被膜減膜之際，有時候在導體層會產生針孔。若在導體層存在針孔，就會成為被稱為在其上所形成之佈線的厚度部分變薄的“凹陷”、佈線的寬度部分變窄的“欠缺”之外觀不良的原因。並且，在嚴重的情況下，佈線會斷線。
本發明係鑒於上述情事，而以提供一種能夠抑制化學研磨後的針孔的產生的覆銅積層板為目的。
第一發明之覆銅積層板，係特徵為：具備基膜、形成在前述基膜的表面的金屬層、以及形成在前述金屬層的表面且含有作為雜質的氯的鍍銅被膜，而前述鍍銅被膜的厚度方向的氯濃度分布包含複數個山形的局部分布。
第二發明之覆銅積層板，係特徵為：在第一發明中，複數個前述局部分布的全部或一部分中，峰之藉由二次離子質譜法測定的氯濃度為2×1019原子/cm3以上。
第三發明之覆銅積層板，係特徵為：在第一或第二發明中，複數個前述局部分布的全部或一部分中，半峰全寬比與相鄰的前述局部分布之峰間隔的一半還窄。
利用化學研磨之鍍銅被膜的蝕刻的進行，會被高氯濃度層抑制。由於蝕刻容易進行的路徑被高氯濃度層切斷，因此會抑制蝕刻局部地在厚度方向上進行。其結果，能夠抑制針孔的產生。
1‧‧‧覆銅積層板
10‧‧‧基材
11‧‧‧基膜
12‧‧‧金屬層
13‧‧‧基底金屬層
14‧‧‧銅薄膜層
20‧‧‧鍍銅被膜
21‧‧‧高氯濃度層
22‧‧‧低氯濃度層
圖1是本發明之一實施形態的覆銅積層板的截面圖。
圖2是電鍍裝置的斜視圖。
圖3是電鍍槽的平面圖。
圖4中圖(A)係呈示實施例1中之鍍銅被膜的氯濃度分布之圖表。圖(B)係呈示實施例2中之鍍銅被膜的氯濃度分布之圖表。圖(C)係呈示比較例1中之鍍銅被膜的氯濃度分布之圖表。
圖5中圖(A)係呈示實施例1中之化學研磨後的鍍銅被膜的表面之SEM圖像。圖(B)係呈示實施例2中之化學研磨後的鍍銅被膜的表面之SEM圖像。圖(C)係呈示比較例1中之化學研磨後的鍍銅被膜的表面之SEM圖像。
[用以實施發明的形態]
以下，基於圖式來說明本發明的實施形態。
如圖1所示，本發明之一實施形態的覆銅積層板1包含基材10和形成在基材10的表面的鍍銅被膜20。如圖1所示，可僅於基材10的單面形成鍍銅被膜20，也可於基材10的兩面形成鍍銅被膜20。
基材10是在具有絕緣性的基膜11的表面形成有金屬層12的基材。作為基膜11，可以使用聚醯亞胺膜等樹脂膜。金屬層12係例如藉由濺射法而形成。金屬層12包含基底金屬層13和銅薄膜層14。基底金屬層13和銅薄膜層14係依此順序被積層在基膜11的表面。通常，基底金屬層13包含鎳、鉻、或鎳鉻合金。雖然沒有特別的限定，但基底金屬層13的厚度一般為5~50nm，銅薄膜層14的厚度一般為50~400nm。
鍍銅被膜20被形成在金屬層12的表面。雖然沒有特別的限定，但鍍銅被膜20的厚度一般為1~3μm。再者，將金屬層12和鍍銅被膜20統稱為“導體層”。
鍍銅被膜20係藉由電解電鍍而成膜。鍍銅被膜20沒有特別的限定，但藉由如圖2所示的電鍍裝置3而成膜。
電鍍裝置3係一面利用輥對輥(Roll-to-Roll)來搬送長條帶狀的基材10，並對基材10進行電解電鍍的裝置。電鍍裝置3具有：將被捲繞成輥狀的基材10送出之供給裝置31；以及將電鍍後的基材10(覆銅積層板1)捲繞成輥狀之卷取裝置32。
另外，電鍍裝置3具有搬送基材10之上下一對的環形帶33(未圖示下側的環形帶33)。各環形帶33中設置有夾持基材10的複數個夾具34。從供給裝置31被送出的基材10， 係成為其寬度方向沿著鉛垂方向的懸垂姿勢，兩邊緣被上下的夾具34夾持。基材10藉由環形帶33的驅動而在電鍍裝置3內迴圈之後，被夾具34放開並被卷取裝置32卷取。
基材10的搬送路徑中配置有前處理槽35、電鍍槽40、以及後處理槽36。基材10一面被搬送至電鍍槽40內的同時，並藉由電解電鍍而將鍍銅被膜20在其表面上成膜。藉此而得到長條帶狀的覆銅積層板1。
如圖3所示，電鍍槽40是沿著基材10的搬送方向的橫向長形之單一的槽。基材10被沿著電鍍槽40的中心搬送。電鍍槽40中儲存有鍍銅液。在電鍍槽40內被搬送的基材10，其整體浸漬於鍍銅液中。
鍍銅液含有水溶性銅鹽。若為通常用於鍍銅液中的水溶性銅鹽即可，則沒有特別的限定。作為水溶性銅鹽，可舉出無機銅鹽、烷烴磺酸銅鹽、烷醇磺酸銅鹽、有機酸銅鹽等。作為無機銅鹽，可舉出硫酸銅、氧化銅、氯化銅、碳酸銅等。作為烷烴磺酸銅鹽，可舉出甲磺酸銅、丙磺酸銅等。作為烷醇磺酸銅鹽，可舉出羥乙磺酸銅(Copper isethionate)、丙醇磺酸銅等。作為有機酸銅鹽，可舉出醋酸銅、檸檬酸銅、酒石酸銅等。
作為用於鍍銅液中的水溶性銅鹽，可以單獨使用選自無機銅鹽、烷烴磺酸銅鹽、烷醇磺酸銅鹽、有機酸銅鹽等中的一種，也可以組合使用兩種以上。例如，可如組合硫酸銅和氯化銅的情況，將選自無機銅鹽、烷烴磺酸銅鹽、烷醇磺酸銅鹽、有機酸銅鹽等中的相同類別內的兩種以上不同種類組合使用。但是，從易管理鍍銅液的觀點，較佳為單獨使用一種水溶性銅鹽。
鍍銅液可以含有硫酸。藉由調整硫酸的添加量，而能夠調整鍍銅液的pH和硫酸離子濃度。
鍍銅液含有通常會被添加在電鍍液中的添加劑。作為添加劑，可舉出調平劑成分、聚合物成分、光亮劑成分、氯成分等。作為添加劑，可以單獨使用選自調平劑成分、聚合物成分、光亮劑成分、氯成分等中的一種，也可以組合使用兩種以上。
調平劑成分係由含氮的胺等構成。作為調平劑成分，可舉出二烯丙基二甲基氯化銨、耶奴斯綠B(Janus Green B)等。作為聚合物成分，沒有特別的限定，但較佳為可以單獨使用選自聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙二醇-聚丙二醇共聚物中的一種，或者組合使用兩種以上。作為光亮劑成分，沒有特別的限定，但較佳為單獨使用選自雙(3-磺丙基)二硫化物(簡稱為SPS)、3-巰基丙烷-1-磺酸(簡稱為MPS)等中的一種，或者組合使用兩種以上。作為氯成分，沒有特別的限定，但較佳為單獨使用選自鹽酸、氯化鈉等中的一種，或者組合使用兩種以上。
鍍銅液的各成分的含量可以任意選擇。但是，鍍銅液較佳為含有60~280g/L的硫酸銅、20~250g/L的硫酸。若為如此，則能夠以充分的速度來將鍍銅被膜20成膜。鍍銅液較佳為含有0.5~50mg/L的調平劑成分。若為如此，則會抑制突起，能夠形成平坦的鍍銅被膜20。鍍銅液較佳為含有10~1500mg/L的聚合物成分。若為如此，則會緩和對基材10端部的電流集中，能夠形成均勻的鍍銅被膜20。鍍銅液較佳為含有0.2~16mg/L的光亮劑成分。若為如此，則會使析出結晶微細化，能夠使鍍銅被膜20的表面平滑。鍍銅液較佳為含有20~80mg/L的氯成分。若為如此，則能夠抑制異常析出。此外，由於鍍銅液含有氯成分，因此所形成的鍍銅被膜20中含有作為雜質的氯。
鍍銅液的溫度較佳為20~35℃。另外，較佳為攪拌電鍍槽40內的鍍銅液。攪拌鍍銅液的手段沒有特別的限定，但可以使用利用噴流的手段。例如，藉由將從噴嘴噴出的鍍銅液噴射在基材10上，而能夠攪拌鍍銅液。
電鍍槽40的內部中，沿著基材10的搬送方向配置有複數個陽極41。此外，夾持基材10的夾具34也具有作為陰極的功能。藉由在陽極41和夾具34(陰極)之間流過電流，而能夠將鍍銅被膜20在基材10的表面成膜。
再者，圖3所示的電鍍槽40中，在基材10的表裡兩側配置有陽極41。因此，若使用在基膜11的兩面形成有金屬層12的基材10，則能夠將鍍銅被膜20在基材10的兩面成膜。
被配置在電鍍槽40的內部的複數個陽極41，係分別有整流器連接。因此，能夠設定使每個陽極41成為不同的電流密度。本實施形態中，電鍍槽40的內部沿著基材10的搬送方向而被劃分成複數個區域。各區域對應於配置有一個或複數個連續的陽極41的領域。
各區域為低電流密度區域LZ或高電流密度區域HZ。低電流密度區域LZ中，電流密度被設定為零或比較低的“低電流密度”，對基材10進行低電流密度下的電解電鍍。高電流密度區域HZ中，電流密度被設定為比低電流密度還高的“高電流密度”，對基材10進行高電流密度下的電解電鍍。
在此，較佳為將低電流密度區域LZ中的電流密度(低電流密度)設定為0~0.29A/dm2。另一方面，較佳為將高電流密度區域HZ中的電流密度(高電流密度)設定為0.3~ 10A/dm2。
低電流密度區域LZ和高電流密度區域HZ係沿著基材10的搬送方向被交替設置。低電流密度區域LZ設置有複數個。高電流密度區域HZ設置有複數個。將基材10的搬送方向作為基準，最上游的區域可以是低電流密度區域LZ，也可以是高電流密度區域HZ。另外，最下游的區域可以是低電流密度區域LZ，也可以是高電流密度區域HZ。
複數個低電流密度區域LZ中的電流密度可以相同，也可以不同。另外，複數個高電流密度區域HZ中的電流密度可以相同，也可以不同。但是，高電流密度區域HZ中的電流密度，較佳為設定成朝向基材10的搬送方向的下游側而階段性地上升。
基材10係一邊交替通過低電流密度區域LZ和高電流密度區域HZ，一邊被電解電鍍。即，在電鍍槽40，係對基材10交替反復地進行低電流密度下的電解電鍍和高電流密度下的電解電鍍。藉此而將鍍銅被膜20成膜。
藉由這種方法所形成之鍍銅被膜20，係如圖1所示，成為積層有藉由不同的電流密度下的電解電鍍所形成之複數個層的結構。具體而言，鍍銅被膜20具有高氯濃度層21和低氯濃度層22被交替地積層在厚度方向的結構。在此，高氯濃度層21係藉由低電流密度下的電解電鍍而形成，相對的氯濃度高。另一方面，低氯濃度層22係藉由高電流密度下的電解電鍍而形成，相對的氯濃度低。這被推測是電解電鍍中的電流密度越低，鍍銅液的添加劑就越容易被電鍍被膜吸入的緣故。
高氯濃度層21和低氯濃度層22的配置，係取決 於電鍍槽40中之低電流密度區域LZ和高電流密度區域HZ的配置。高氯濃度層21存在複數個。低氯濃度層22存在複數個。被直接積層在基材10的表面(金屬層12的表面)上的層可以是高氯濃度層21，也可以是低氯濃度層22。另外，出現在鍍銅被膜20的表面(與基材10相反側的表面)的層可以是高氯濃度層21，也可以是低氯濃度層22。
鍍銅被膜20中所含的雜質的濃度，可以藉由二次離子質譜法(SIMS：Secondary Ion Mass Spectrometry)來測定。由於鍍銅被膜20是高氯濃度層21和低氯濃度層22交替地層疊的結構，因此在其厚度方向的氯濃度分布中包含複數個山形的局部分布(參照圖4)。更具體而言，鍍銅被膜20的厚度方向的氯濃度分布，係成為複數個山形的局部分布周期性地連續的分布。各局部分布的峰附近相當於高氯濃度層21，除此以外的部分相當於低氯濃度層22。
例如，當藉由半加成法而使用覆銅積層板1來製造撓性印刷電路板時，有時候會利用化學研磨將鍍銅被膜20減膜。例如，將厚度1~3μm的鍍銅被膜20減膜至0.4~0.8μm。有時候會因此化學研磨而在導體層產生針孔。
相對於此，若是本實施形態的覆銅積層板1，就能夠抑制針孔的產生。雖然其理由尚有不明確的地方，但大致認為如下所述。作為雜質而含有大量氯的高氯濃度層21中，藉由化學研磨液之蝕刻的進行會被抑制。蝕刻容易進行的路徑在高氯濃度層21被切斷。因此，蝕刻容易進行的路徑在厚度方向上不相連，且會抑制蝕刻局部地在厚度方向進行。其結果，能夠抑制針孔的產生。
氯濃度分布所含的局部分布之峰的氯濃度(藉由二次離子質譜法測定的值)較佳為在1×1019原子/cm3以上，更較佳為在2×1019原子/cm3以上。可以是氯濃度分布所含的全部的局部分布滿足該條件，也可以是一部分的局部分布滿足該條件。若氯濃度分布如上前述，則能夠充分抑制針孔的產生。
較佳為氯濃度分布所含的局部分布的半峰全寬比與相鄰的局部分布之峰間隔的一半還窄。這樣意味著高氯濃度層21的厚度比低氯濃度層22的厚度還薄。由於蝕刻的進行被抑制的高氯濃度層21較薄，因此，能夠防止化學研磨速度變緩至超過需要的程度，防止化學研磨需要長時間進行。再者，可以是氯濃度分布所含的全部的局部分布滿足上述條件，也可以是一部分的局部分布滿足上述條件。
此外，由於在鍍銅被膜20中存在高氯濃度層21，因而也會發揮所謂能夠使化學研磨後的鍍銅被膜20的表面光滑的效果。雖然其理由尚有不明確的地方，但大致認為如下所述。藉由化學研磨液之蝕刻的進行在高氯濃度層21中相對地變慢，在低氯濃度層22中相對地變快。由於在鍍銅被膜20的厚度方向上蝕刻的進行為慢的部分和為快的部分交替出現，因此蝕刻並不局部地進行，而會在整個面上均勻地進行。其結果，化學研磨後的鍍銅被膜20的表面變光滑。
此外，鍍銅被膜20可以含有氯以外的雜質，例如，來自鍍銅液的添加劑之碳、氧、硫等。
[實施例]
以下，說明實施例。
(實施例1)
按照以下的步驟準備了基材。作為基膜，準備了厚度35μm的聚醯亞胺膜(宇部興產公司製，Upilex-35SGAV1)。將基膜裝在磁控濺射裝置。在磁控濺射裝置內設置了鎳鉻合金靶和銅靶。鎳鉻合金靶的組成為20質量%的Cr和80質量%的Ni。在真空環境下，在基膜的單面形成厚度為25nm的包含鎳鉻合金的基底金屬層，並在其上形成了厚度為100nm的銅薄膜層。
接下來，製備了鍍銅液。鍍銅液含有120g/L的硫酸銅、70g/L的硫酸、20mg/L的調平劑成分、1,100mg/L的聚合物成分、16mg/L的光亮劑成分、50mg/L的氯成分。作為調平劑成分，而使用了二烯丙基二甲基氯化銨-二氧化硫共聚物(Nittobo Medical Co.,Ltd.製，PAS-A-5)。作為聚合物成分，而使用了聚乙二醇-聚丙二醇共聚物(日油股份有限公司製，Unilube 50MB-11)。作為光亮劑成分，而使用了雙(3-磺丙基)二硫化物(RASHIG GmbH公司製的試劑)。作為氯成分，而使用了鹽酸(和光純藥工業股份有限公司製的35%鹽酸)。
將基材供給至儲存有前述鍍銅液的電鍍槽。藉由電解電鍍來將厚度為2.0μm的鍍銅被膜成膜在基材的單面，而得到了覆銅積層板。在此，使鍍銅液的溫度為31℃。另外，在電解電鍍期間，將從噴嘴噴出的鍍銅液對於基材的表面大致垂直地噴射，藉以攪拌了鍍銅液。
在電解電鍍中，以包含11次空送期間的方式使電流密度變化。在此，所謂空送期間意指在低電流密度下，具體而言為以0.0A/dm2進行電解電鍍的期間。空送期間以外的電流密度(高電流密度)為1.2A/dm2。
(實施例2)
以與實施例1同樣的步驟得到了覆銅積層板。但是在電解電鍍中，以包含7次空送期間的方式使電流密度變化。其他的條件與實施例1相同。
(比較例1)
以與實施例1同樣的步驟得到了覆銅積層板。但是在電解電鍍中，使電流密度為3.2A/dm2，且未設置空送期間。其他的條件與實施例1相同。
(氯濃度測定)
對於在實施例1、2及比較例1得到的覆銅積層板，測定了鍍銅被膜的氯濃度。測定係利用二次離子質譜法來進行。作為測定裝置，而使用了愛發科公司(ULVAC-PHI Inc.)的四極型二次離子質譜儀(PHI ADEPT-1010)。測定條件係使一次離子種類為Cs+，使一次加速電壓為5.0kV，使檢測領域為96×96μm。再者，本說明書中之氯濃度的值，係以前述條件下所測定的值為基準。
於圖4(A)呈示在實施例1得到的覆銅積層板的測定結果。於圖4(B)呈示在實施例2得到的覆銅積層板的測定結果。於圖4(C)呈示在比較例1得到的覆銅積層板的測定結果。圖4的各圖表之橫軸為鍍銅被膜的厚度方向的位置。0.0μm是銅薄膜層側的面，2.0μm是表面。縱軸為氯濃度。
從圖4(A)的圖表可知，在實施例1中，鍍銅被膜的厚度方向的氯濃度分布包含週期性的10個山形的局部分布。 0.2μm附近的峰對應最初2次的空送期間。剩餘的9個峰對應隨後的9次空送期間。因此，可以說此鍍銅被膜為高氯濃度層和低氯濃度層交替地積層之構成。此外，可以說此鍍銅被膜含有10層高氯濃度層。
於表1呈示在實施例1得到的氯濃度分布的詳細情況。在此，將氯濃度分布所含的10個峰從表面側(2.0μm)向銅薄膜層側(0.0μm)分別稱為第一~第十峰。關於各個峰，分別呈示峰值(峰的氯濃度)、包含該峰之局部分布的半峰全寬、與相鄰的局部分布之峰間隔的一半。再者，作為峰間隔而採用了對象之峰與於銅薄膜層側鄰接之峰的間隔。例如第一峰之峰間隔係第一峰與第二峰的間隔。
[表1]
Figure 108124867-A0202-12-0013-1
從表1可知，全部10個峰的氯濃度均為1×1019原子/cm3以上。另外，可知全部的10個峰之中，5個峰的氯濃度為2×1019原子/cm3以上。此外，可知各峰的半峰全寬與峰間 隔的一半相同，或比峰間隔的一半還寬。這意味著高氯濃度層的厚度與低氯濃度層的厚度是同等程度。
從圖4(B)的圖表可知，在實施例2中，鍍銅被膜的厚度方向的氯濃度分布包含週期性的6個山形的局部分布。0.2μm附近的峰對應最初的2次空送期間。餘下的5個峰對應隨後的5次空送期間。可以說該鍍銅被膜為高氯濃度層和低氯濃度層交替地積層之構成。此外，可以說該鍍銅被膜含有6層高氯濃度層。
於表2呈示在實施例2得到的氯濃度分布的詳細情況。在此，將氯濃度分布所含的6個峰從表面側(2.0μm)向銅薄膜層側(0.0μm)分別稱為第一~第六峰。關於各個峰，分別呈示峰值、半峰全寬、峰間隔的一半。
[表2]
Figure 108124867-A0202-12-0014-2
從表2可知，全部6個峰的氯濃度為1×1019原子/cm3以上。另外，全部6個峰之中，5個峰的氯濃度為2×1019原子/cm3以上。此外，可知各峰的半峰全寬比峰間隔的一半還窄。這意味著高氯濃度層的厚度比低氯濃度層的厚度還薄。
從圖4(C)的圖表可知，在比較例1中，在鍍銅被 膜的整個厚度方向上氯濃度低。具體而言，氯濃度在整體上小於1×1019原子/cm3。因此，此鍍銅被膜不具有高氯濃度層和低氯濃度層交替地積層之構成。
(化學研磨)
對於在實施例1、2及比較例1得到的覆銅積層板進行了化學研磨。作為化學研磨液，而使用了以硫酸和過氧化氫為主成分的液體(將Mitsubishi Gas Chemical Co.,Ltd製CPE-750稀釋了10倍的液體)。將厚度為2μm的鍍銅被膜減膜至0.5μm。
將各覆銅積層板的化學研磨速度示於表3。可知若以比較例1為基準，則實施例1的化學研磨速度係變緩14.9%，實施例2的化學研磨速度係變緩13.7%。其理由雖然尚有不明確的地方，但可推斷是蝕刻的進行被抑制的高氯濃度層21薄的話，化學研磨速度就變快的緣故。由此確認到，從化學研磨速度的觀點，較佳為氯濃度分布所含的局部分布的半峰全寬比與相鄰的局部分布之峰間隔的一半還窄(實施例2)。
[表3]
Figure 108124867-A0202-12-0015-4
(針孔)
接下來，測定了化學研磨之後的針孔的數量。
化學研磨之後，測定了針孔的數量。從基膜一側照射鹵素燈， 利用金屬顯微鏡計數存在於視野內的透射光的數量，藉此而進行了測定。在此，金屬顯微鏡的視野為1.81mm×2.27mm。以3個視野的透射光的數量的總數為針孔數。
將該結果示於表4。確認到實施例1、2相較於比較例1而針孔少。由此確認到若為高氯濃度層和低氯濃度層交替地積層的鍍銅被膜，則能夠抑制針孔的產生。另外，確認到鍍銅被膜中所含的高氯濃度層的數量越多就越能夠抑制針孔的產生。若鍍銅被膜中所含的高氯濃度層的數量為6層以上，則能夠充分抑制針孔的產生。
[表4]
Figure 108124867-A0202-12-0016-6
(表面粗糙度)
對於在實施例1、2及比較例1得到的覆銅積層板，測定了化學研磨前的鍍銅被膜的表面粗糙度。將該結果示於表5。在此，於表面積比的測定係使用了基恩士公司(Keyence Corporation)製鐳射顯微鏡VK-9510。由70×93μm的測定區域的測定表面積求得了表面積比。化學研磨前的表面粗糙度，在實施例1、2及比較例1幾乎相同。
接下來，對各覆銅積層板進行了化學研磨。其條件與前述的化學研磨的條件相同。化學研磨之後，測定了鍍銅被膜的表面粗糙度。將該結果示於表5。
可知在實施例1、2中，化學研磨的前後的表面粗糙度幾乎沒有變化。另一方面，可知在比較例1中，化學研磨後的鍍銅被膜的表面變粗糙。可以確認實施例1、2相較於比較例1而化學研磨後的鍍銅被膜的表面光滑。
[表5]
Figure 108124867-A0202-12-0017-7
於圖5呈示化學研磨後的鍍銅被膜的表面的SEM圖像。圖5(A)是實施例1的SEM圖像。圖5(B)是實施例2的SEM圖像。圖5(C)是比較例1的SEM圖像。從這些SEM圖像也可知，實施例1、2相較於比較例1而化學研磨後的鍍銅被膜的表面光滑。
由以上所述，確認到若是高氯濃度層和低氯濃度層交替地積層的鍍銅被膜，則能夠使化學研磨後的鍍銅被膜的表面光滑。
1:覆銅積層板
10:基材
11:基膜
12:金屬層
13:基底金屬層
14:銅薄膜層
20:鍍銅被膜
21:高氯濃度層
22:低氯濃度層

Claims (2)

  1. 一種覆銅積層板，其特徵為：具備基膜、形成在該基膜的表面的金屬層、以及形成在該金屬層的表面且含有作為雜質的氯的鍍銅被膜，而該鍍銅被膜的厚度方向的氯濃度分布包含複數個山形的局部分布，複數個該局部分布的全部或一部分中，峰之藉由二次離子質譜法測定的氯濃度為2×1019原子/cm3以上。
  2. 如請求項1之覆銅積層板，其中，複數個該局部分布的全部或一部分，係半峰全寬比與相鄰的該局部分布之峰間隔的一半還窄。
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