JP2019183249A - アノード遮蔽板、電解めっき装置、および金属張積層板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】金属めっき被膜の膜厚有効幅を拡大できるアノード遮蔽板を提供する。【解決手段】ロールツーロールにより搬送される長尺帯状の基材Ｂに対向して配置されたアノード２５を備える電解めっき装置Ａにおいて、基材Ｂの側部ＳＰとアノード２５との間に配置されるアノード遮蔽板３０である。アノード遮蔽板３０は表裏を貫通する複数の孔３１が形成された絶縁性の板である。アノード遮蔽板３０に形成された複数の孔３１により、電流の遮蔽力を弱めることができる。金属めっき被膜１５の側部への電流の集中を抑制しつつ、側部の膜厚を適度に増大できる。その結果、金属めっき被膜１５の幅中央部と側部との膜厚を均一にでき、膜厚有効幅を拡大できる。【選択図】図２

Description

本発明は、アノード遮蔽板、電解めっき装置、および金属張積層板の製造方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、電解めっき装置においてアノードと基材との間の電流を遮蔽するのに用いられるアノード遮蔽板、そのアノード遮蔽板を備える電解めっき装置、およびその電解めっき装置を用いた金属張積層板の製造方法に関する。

液晶パネル、ノートパソコン、デジタルカメラ、携帯電話などには、樹脂フィルムの表面に配線パターンが形成されたフレキシブルプリント配線板が用いられる。フレキシブルプリント配線板は、例えば、銅張積層板から製造される。

銅張積層板の製造方法としてメタライジング法が知られている。メタライジング法による銅張積層板の製造は、例えば、つぎの手順で行なわれる。まず、樹脂フィルムの表面にニッケルクロム合金からなる下地金属層を形成する。つぎに、下地金属層の上に銅薄膜層を形成する。つぎに、銅薄膜層の上に銅めっき被膜を形成する。銅めっきにより、配線パターンを形成するのに適した膜厚となるまで導体層を厚膜化する。長尺帯状の樹脂フィルムを用いる場合、銅めっき被膜を形成する電解めっきはロールツーロールで行なわれる。

フレキシブルプリント配線板の製造に用いられる銅張積層板は、銅めっき被膜の厚さが均一であることが求められる。そこで、銅張積層板の規格値として銅めっき被膜の厚さの最大値、最小値などが定められる。一方、電解めっきではめっき面の端に電流が集中しやすいことから、銅張積層板の銅めっき被膜は幅中央部に比べて側部が厚くなりやすい。そのため、銅めっき被膜の厚さが規格値を満たす幅中央部のみがフレキシブルプリント配線板の製造に用いられる。銅張積層板を無駄なく用いるために、銅めっき被膜の厚さが規格値を満たす膜厚有効幅の拡大が求められる。

特許文献１には、電解めっき装置のアノードとシード層付長尺ポリイミドフィルムとの間に遮蔽板を設けて、アノードの有効幅を銅めっき被膜層幅の８０〜９０％に調整することが開示されている。めっき面の端に集中する電流を遮蔽板で遮蔽することで、銅めっき被膜層の厚さを均一にできる。

特開２０１１−５８０５７号公報

特許文献１の技術を採用した場合、銅めっき被膜のうち電流が遮蔽された側部の厚さは薄くなり、規格値として定められた最小値を下回ることがある。そのため、膜厚有効幅は銅めっき被膜幅の８０〜９０％程度となる。

遮蔽板の幅を狭くすれば、銅めっき被膜の側部を厚くすることが可能である。しかし、遮蔽板の幅を狭くすると、電流の回り込みにより銅めっき被膜の縁に電流が集中し、縁が極端に厚くなる。そうすると、銅張積層板をロール状に巻いたときに、ロールの端部が太くなり、長尺品を巻くことができなくなる。

本発明は上記事情に鑑み、金属めっき被膜の膜厚有効幅を拡大できるアノード遮蔽板、およびそのアノード遮蔽板を備える電解めっき装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、金属めっき被膜の膜厚有効幅が広い金属張積層板の製造方法を提供することを目的とする。

第１発明のアノード遮蔽板は、ロールツーロールにより搬送される長尺帯状の基材に対向して配置されたアノードを備える電解めっき装置において、該基材の側部と該アノードとの間に配置されるアノード遮蔽板であって、表裏を貫通する複数の孔が形成された絶縁性の板であることを特徴とする。
第２発明のアノード遮蔽板は、第１発明において、前記複数の孔はいずれも同一寸法であり、前記アノード遮蔽板の全体に渡って規則的に配置されていることを特徴とする。
第３発明の電解めっき装置は、ロールツーロールにより搬送される長尺帯状の基材に対向して配置された複数のアノードと、前記複数のアノードのうちの一部または全部と前記基材の側部との間に配置された一または複数のアノード遮蔽板と、を備え、前記アノード遮蔽板は表裏を貫通する複数の孔が形成された絶縁性の板であることを特徴とする。
第４発明の電解めっき装置は、第３発明において、前記複数の孔はいずれも同一寸法であり、前記アノード遮蔽板の全体に渡って規則的に配置されていることを特徴とする。
第５発明の電解めっき装置は、第３または第４発明において、前記一または複数のアノード遮蔽板は、前記複数のアノードのうち設定電流密度が２Ａ／ｄｍ²以上のアノードと前記基材の側部との間に配置されていることを特徴とする。
第６発明の電解めっき装置は、第３、第４または第５発明において、前記基材の縁を囲う絶縁性の部材である一または複数のエッジ遮蔽部材を備えることを特徴とする。
第７発明の金属張積層板の製造方法は、第３、第４、第５または第６発明の電解めっき装置を用いて、前記基材の表面に金属めっき被膜を成膜して金属張積層板を得ることを特徴とする。

第１発明によれば、アノード遮蔽板に形成された複数の孔により、電流の遮蔽力を弱めることができる。そのため、金属めっき被膜の側部への電流の集中を抑制しつつ、側部の膜厚を適度に増大できる。その結果、金属めっき被膜の幅中央部と側部との膜厚を均一にでき、膜厚有効幅を拡大できる。
第２発明によれば、アノード遮蔽板の電流の遮蔽力が位置に依存せず均一となるので、金属めっき被膜の側部の膜厚を均一に増大させやすい。
第３発明によれば、アノード遮蔽板に形成された複数の孔により、電流の遮蔽力を弱めることができる。そのため、金属めっき被膜の側部への電流の集中を抑制しつつ、側部の膜厚を適度に増大できる。その結果、金属めっき被膜の幅中央部と側部との膜厚を均一にでき、膜厚有効幅を拡大できる。
第４発明によれば、アノード遮蔽板の電流の遮蔽力が位置に依存せず均一となるので、金属めっき被膜の側部の膜厚を均一に増大させやすい。
第５発明によれば、金属めっき被膜の側部に電流が集中しやすい高電流密度領域にアノード遮蔽板を設けることで、金属めっき被膜の幅中央部と側部とで電流密度を均一にできる。
第６発明によれば、エッジ遮蔽部材により金属めっき被膜の縁近傍の電流を遮蔽することで、金属めっき被膜の縁が極端に厚くなることを抑制できる。
第７発明によれば、金属めっき被膜の膜厚有効幅が広い金属張積層板を得ることができる。

本発明の一実施形態に係る電解めっき装置の概略図である。 図１の電解めっき装置が有する電解めっきセルの斜視図である。 アノード遮蔽板の正面図である。 アノード遮蔽板およびエッジ遮蔽部材の横断面図である。 金属張積層板の断面図である。 実施例における銅厚の測定結果を示すグラフである。

つぎに、本発明の実施形態を図面に基づき説明する。
（金属張積層板）
まず、金属張積層板Ｌの構成を説明する。
図５に示すように、金属張積層板Ｌは、基材Ｂと、基材Ｂの表面に形成された金属めっき被膜１５とからなる。図５に示すように基材Ｂの片面のみに金属めっき被膜１５が形成されてもよいし、基材Ｂの両面に金属めっき被膜１５が形成されてもよい。

金属めっき被膜１５は電解めっきにより成膜される。したがって、基材Ｂは金属めっき被膜１５が成膜される側の表面に導電性を有する素材であればよい。例えば、基材Ｂは絶縁性を有するベースフィルム１１の表面に金属層１２が形成されたものである。ベースフィルム１１としてポリイミドフィルムなどの樹脂フィルムを用いることができる。金属層１２は、例えば、スパッタリング法により形成される。金属層１２は下地金属層１３と金属薄膜層１４とからなる。下地金属層１３と金属薄膜層１４とはベースフィルム１１の表面にこの順に積層されている。金属層１２と金属めっき被膜１５とにより導体層が構成されている。

下地金属層１３の厚さは、特に限定されないが、５〜５０ｎｍが一般的である。金属薄膜層１４の厚さは、特に限定されないが、５０〜１，０００ｎｍが一般的であり、生産性の観点からは５０〜５００ｎｍが好ましい。金属めっき被膜１５の厚さは、特に限定されないが、サブトラクティブ法により配線パターンを形成してフレキシブルプリント配線板を製造する場合には５〜２０μｍが一般的である。

金属張積層板Ｌとして、特に限定されないが、銅張積層板が挙げられる。銅張積層板の金属めっき被膜１５は銅めっき被膜である。金属薄膜層１４は銅薄膜層である。下地金属層１３はニッケル、クロム、またはニッケルクロム合金からなることが一般的である。

（電解めっき装置）
つぎに、本発明の一実施形態に係る電解めっき装置Ａの基本的構成を説明する。
図１に示すように、電解めっき装置Ａは、ロールツーロールにより長尺帯状の基材Ｂを搬送しつつ、基材Ｂに対して電解めっきを行ない、金属張積層板Ｌを製造する装置である。

電解めっき装置Ａは、ロール状に巻回された基材Ｂを繰り出す供給装置２１と、基材Ｂにめっき処理が施された金属張積層板Ｌをロール状に巻き取る巻取装置２２とを有する。基材Ｂの搬送経路にはめっき槽２０が配置されている。基材Ｂはめっき槽２０内を搬送されつつ、電解めっきによりその表面に金属めっき被膜１５が成膜される。これにより、長尺帯状の金属張積層板Ｌが得られる。

めっき槽２０の内部にはめっき液が貯留されている。銅めっきを行なう場合、めっき液として銅めっき液が用いられる。銅めっき液は水溶性銅塩を含む。水溶性銅塩として、無機銅塩、アルカンスルホン酸銅塩、アルカノールスルホン酸銅塩、有機酸銅塩などが挙げられる。銅めっき液は硫酸を含んでもよい。めっき液は添加剤を含んでもよい。添加剤として、レベラー成分、ポリマー成分、ブライトナー成分、塩素成分などが挙げられる。

めっき液の温度は２０〜３５℃が好ましい。また、めっき槽２０内のめっき液を撹拌することが好ましい。めっき液を撹拌する手段は、特に限定されないが、噴流を利用した手段を用いることができる。例えば、ノズルから噴出させためっき液を基材Ｂに吹き付けることで、めっき液を撹拌できる。

めっき槽２０の液面より上方には複数の給電ロール２３が並んで設けられている。また、めっき槽２０内のめっき液中には複数の搬送ロール２４が並んで設けられている。複数の給電ロール２３と複数の搬送ロール２４とはめっき槽２０の長手方向に沿って互い違いに配置されている。基材Ｂは給電ロール２３および搬送ロール２４に交互に巻回され、それらの動作により搬送される。基材Ｂはめっき液中を上下に往復走行し、めっき液への浸漬と、引き上げとが繰り返される。

めっき槽２０内のめっき液中には複数のアノード２５が設けられている。各アノード２５はめっき液中を上下に往復走行する基材Ｂに対向して配置されている。各アノード２５は板状であり、基材Ｂと平行になるように鉛直方向に沿って設けられている。アノード２５は基材Ｂの上向きおよび下向きの各走行区間に配置されている。各走行区間に１つのアノード２５を配置してもよいし、各走行区間を上下に分割して２つのアノード２５を配置してもよい。

アノード２５として不溶性アノードが用いられる。不溶性アノードとして、白金、鉛などの金属アノード、チタン製フレームに酸化イリジウム、酸化ロジウム、酸化ルテニウムなどの導電性を有するセラミックスをコーティングしたセラミックス系アノードが挙げられる。

各給電ロール２３は基材Ｂの金属層１２側の面に接触しており、金属層１２に給電可能となっている。また、各アノード２５は基材Ｂの金属層１２側の面に対向して配置されている。複数のアノード２５はそれぞれ電気的に独立した複数の制御用電源の正極に接続されている。各制御用電源の負極は対応するアノード２５の直近に配置された給電ロール２３に接続されている。一の給電ロール２３と、一のアノード２５と、これらに接続する制御用電源と、基材Ｂとで一の電解めっきセルが構成されている。

各電解めっきセルにおいて、アノード２５と基材Ｂの金属層１２との間に電位差が生じ、金属層１２上に金属めっき被膜１５が成膜される。各アノード２５の電流密度は、特に限定されないが、基材Ｂの搬送方向の上流側から下流側に向かって段階的に上昇するように設定されることが一般的である。各アノード２５の電流密度の設定は、金属めっき被膜１５の膜厚などを考慮して適宜定められる。

電解めっき装置Ａには、基材Ｂの張力制御を行なう張力制御ロールなどの搬送用装置のほか、めっき液の供給装置などの各種装置も必要に応じて設けられる。また、図１の電解めっき装置Ａは給電ロール２３を５つ、アノード２５を８つ備える構成であるが、給電ロール２３およびアノード２５の数は、これより多くてもよいし、少なくてもよい。

（アノード遮蔽板）
図２に示すように、基材Ｂの主面内において基材Ｂの搬送方向ＣＤと直交する方向を幅方向ＷＤと称する。また、基材Ｂの搬送方向ＣＤに沿う縁ＥＧを含み、幅方向ＷＤに所定の幅を有する部分を側部ＳＰと称する。

電解めっき装置Ａはアノード遮蔽板３０を備えている。アノード遮蔽板３０は基材Ｂの両方の側部ＳＰとアノード２５との間に配置されている。アノード遮蔽板３０は絶縁性の板である。アノード遮蔽板３０の素材は、特に限定されないが、絶縁性を有しめっき液に浸食されにくい樹脂、セラミックスなどである。

アノード遮蔽板３０は基材Ｂの搬送方向ＣＤに長い略長方形の板である。なお、アノード遮蔽板３０を電解めっき装置Ａに取り付けるために、または取り付け時の他の部材との干渉を避けるために、略長方形のアノード遮蔽板３０に突起、切り欠きなどを設けてもよい。

図３に示すように、アノード遮蔽板３０にはその表裏を貫通する複数の孔３１が形成されている。孔３１の形状は、円形でもよいし、四角形など他の形状でもよい。一のアノード遮蔽板３０に異なる形状の孔３１が混在してもよい。複数の孔３１はそれぞれ、同一寸法であってもよいし、異なる寸法であってもよい。複数の孔３１はアノード遮蔽板３０の全体に渡って配置されてもよいし、アノード遮蔽板３０の一部に偏って配置されてもよい。複数の孔３１は、格子状、千鳥状など規則的に配置されてもよいし、不規則に配置されてもよい。

図４に示すように、基材Ｂの金属層１２はベースフィルム１１の縁ＥＧ近傍を除く大部分に形成されることが一般的である。基材Ｂの表面のうち金属層１２が形成された領域がめっき面となる。アノード遮蔽板３０は基材Ｂのめっき面の側部と重なるように配置される。

前述のごとく、電解めっきではめっき面の端に電流が集中しやすい。そのため、金属めっき被膜１５は幅方向ＷＤの中央部に比べて側部が厚くなりやすい。これに対して、アノード２５と基材Ｂとの間にアノード遮蔽板３０を配置すると、めっき面のうちアノード遮蔽板３０と重なる部分は電流が遮蔽される。基材Ｂのめっき面のうち電流が集中しやすい側部における電流密度の増加が抑制されることから、めっき面の全体に渡って電流密度を均一にできる。

ここで、アノード遮蔽板３０には複数の孔３１が形成されている。この孔３１から電流が漏洩する。したがって、孔３１を有さない場合に比べてアノード遮蔽板３０の電流の遮蔽力を弱めることができる。すなわち、本実施形態のアノード遮蔽板３０は電流を完全に遮蔽するのではなく、電流を適度に遮蔽する。そのため、金属めっき被膜１５の側部への電流の集中を抑制しつつ、その側部の膜厚を適度に増大できる。これにより、金属めっき被膜１５の幅中央部と側部との膜厚を均一にできる。その結果、金属めっき被膜１５の厚さが規格値を満たす膜厚有効幅を拡大できる。

アノード遮蔽板３０の電流の遮蔽力は開孔率で調整できる。ここで、開孔率とはアノード遮蔽板３０の主面の面積に対する孔３１の総面積の割合を意味する。開孔率を高くするほど電流の遮蔽力を弱めることができる。開孔率を低くするほど電流の遮蔽力を強めることができる。

前述のごとく、孔３１の寸法および配置は特に限定されない。ただし、アノード遮蔽板３０に形成された複数の孔３１を、いずれも同一寸法とし、アノード遮蔽板３０の全体に渡って規則的に配置することが好ましい。そうすれば、アノード遮蔽板３０の電流の遮蔽力が位置に依存せず均一となる。そのため、アノード遮蔽板３０と重なる金属めっき被膜１５の側部の膜厚を均一に増大させやすい。

基材Ｂのめっき面とアノード遮蔽板３０とが重なる領域の幅寸法をかぶり量Ｄ１と称する。かぶり量Ｄ１は設定電流密度、金属めっき被膜１５の厚さなどの条件に基づいて、めっき面の全体に渡って電流密度が均一になるように調整される。また、かぶり量Ｄ１を電解めっきセルごとに、設定電流密度などの条件に基づいて、個別に設定してもよい。例えば、設定電流密度が高い電解めっきセルではかぶり量Ｄ１を大きくし、設定電流密度が低い電解めっきセルではかぶり量Ｄ１を小さくしてもよい。かぶり量Ｄ１は、特に限定されないが、例えば、３０〜７０ｍｍに設定される。

図２に示すように、アノード遮蔽板３０はアノード２５の上端から下端まで全体に渡って設けられてもよいし、アノード２５の上部、中央部、下部など、一部のみに設けられてもよい。アノード２５が上下に２つ配置された構成の場合、両方のアノード２５にアノード遮蔽板３０を設けてもよいし、一方のアノード２５のみにアノード遮蔽板３０を設けてもよい。

ただし、一般に、一のアノード２５においてもめっき液の液面に近い方が、電流密度が高くなる。これは、めっき液の液面より上方に配置された給電ロール２３から基材Ｂのめっき面への給電が行なわれるためである。そのため、アノード遮蔽板３０はアノード２５の上部に設けることが好ましい。また、アノード２５が上下に２つ配置された構成の場合、上側のアノード２５のみにアノード遮蔽板３０を設けることが好ましい。電流密度が高い方が電流の集中が起こりやすい。電流密度が高くなる位置にアノード遮蔽板３０を設けることで、電流の集中を緩和する効果が高くなる。

電解めっき装置Ａが有するアノード遮蔽板３０の数は１つでもよいし、複数でもよい。ただし、通常、電解めっき装置Ａは複数のアノード遮蔽板３０を有する。電解めっき装置Ａが有する複数のアノード２５のうちの一部にアノード遮蔽板３０を配置してもよいし、全部にアノード遮蔽板３０を配置してもよい。

電解めっき装置Ａが有する複数のアノード２５のうち、設定電流密度が比較的高い、例えば設定電流密度が２Ａ／ｄｍ²以上のアノード２５のみに、アノード遮蔽板３０を配置してもよい。金属めっき被膜１５の側部に電流が集中しやすい高電流密度領域にアノード遮蔽板３０を設けることで、電流の集中を緩和し、金属めっき被膜１５の幅中央部と側部とで電流密度を均一にできる。

一の電解めっき装置Ａにおいて、孔３１を有するアノード遮蔽板３０と孔３１を有さないアノード遮蔽板とを組み合わせて用いてもよい。すなわち、ある電解めっきセルには孔３１を有するアノード遮蔽板３０を設け、他の電解めっきセルには孔３１を有さないアノード遮蔽板を設けてもよい。

（エッジ遮蔽部材）
図２に示すように、電解めっき装置Ａは基材Ｂの縁ＥＧを囲うエッジ遮蔽部材４０を備えてもよい。エッジ遮蔽部材４０は絶縁性の部材である。エッジ遮蔽部材４０の素材は、特に限定されないが、絶縁性を有しめっき液に浸食されにくい樹脂、セラミックスなどである。

エッジ遮蔽部材４０は基材Ｂの搬送方向ＣＤに長い長尺の部材である。エッジ遮蔽部材４０は基材Ｂが鉛直方向に走行する区間の全体に渡って設けられてもよいし、その区間の一部のみに設けられてもよい。ただし、電流密度が高くなるめっき液の液面に近い部分にエッジ遮蔽部材４０を設けることが好ましい。

図４に示すように、エッジ遮蔽部材４０は、一対の側板４１、４１とそれら側板４１、４１の一方の端部同士を接続する端板４２とからなる横断面が略Ｕ字形の部材である。一対の側板４１、４１と端板４２とで形成された空間内に基材Ｂの縁ＥＧが挿入されている。エッジ遮蔽部材４０の少なくとも一方の側板４１は基材Ｂのめっき面の縁と重なっている。

エッジ遮蔽部材４０により金属めっき被膜１５の縁近傍に回り込む電流が遮蔽される。金属めっき被膜１５の縁への電流の集中を抑制できることから、金属めっき被膜１５の縁が極端に厚くなることを抑制できる。

基材Ｂのめっき面と側板４１とが重なる領域の幅寸法をかぶり量Ｄ２と称する。かぶり量Ｄ２は電解めっき装置Ａの特性に応じて調整される。かぶり量Ｄ２は、特に限定されないが、例えば、５〜３０ｍｍに設定される。

電流の回り込み抑制するために、側板４１と基材Ｂとの間隔は可能な限り狭い方が好ましい。ただし、搬送される基材Ｂがエッジ遮蔽部材４０に干渉することは避ける必要がある。そこで、側板４１と基材Ｂとの間隔は、例えば、３〜３０ｍｍに設定される。

電解めっき装置Ａが有するエッジ遮蔽部材４０の数は１つでもよいし、複数でもよい。ただし、通常、電解めっき装置Ａは複数のエッジ遮蔽部材４０を有する。電解めっき装置Ａが有する複数のアノード２５のうちの一部にエッジ遮蔽部材４０を配置してもよいし、全部にエッジ遮蔽部材４０を配置してもよい。

一のアノード２５に対してアノード遮蔽板３０およびエッジ遮蔽部材４０の両方を設けてもよいし、一方のみを設けてもよい。一のアノード２５に対してアノード遮蔽板３０およびエッジ遮蔽部材４０の両方を設ける場合、アノード遮蔽板３０のかぶり量Ｄ１をエッジ遮蔽部材４０のかぶり量Ｄ２より大きくすることが好ましい。そうすれば、金属めっき被膜１５の側部の膜厚を増大する効果が得られやすい。

（金属張積層板の製造方法）
つぎに、電解めっき装置Ａを用いた金属張積層板Ｌの製造方法を説明する。
図１に示すように、供給装置２１から繰り出された基材Ｂはめっき槽２０に供給される。めっき槽２０において基材Ｂは給電ロール２３および搬送ロール２４の動作により搬送される。基材Ｂはめっき液中を上下に往復走行し、めっき液への浸漬と、引き上げとが繰り返される。

基材Ｂがめっき液中を搬送される過程において、基材Ｂの金属層１２とアノード２５との間に電流が流れて、電解めっきが行なわれる。電解めっきにより基材Ｂの表面に金属めっき被膜１５が成膜され、金属張積層板Ｌが得られる。金属張積層板Ｌは巻取装置２２によりロール状に巻き取られる

ここで、電解めっき装置Ａが有する複数のアノード２５のうち一部または全部にはアノード遮蔽板３０が設けられている。アノード遮蔽板３０により金属めっき被膜１５の側部への電流の集中を抑制しつつ、その側部の膜厚を適度に増大できる。これにより、金属めっき被膜１５の幅中央部と側部との膜厚を均一にできる。その結果、金属めっき被膜１５の膜厚有効幅が広い金属張積層板Ｌを得ることができる。

つぎに、実施例を説明する。
（実施例１）
電解めっき装置を用いて基材に銅めっきを行ない、銅張積層板を製造した。使用した基材のベースフィルムの幅は５２４ｍｍである。また、ベースフィルムの表面に形成された金属層の幅は５１４ｍｍである。ベースフィルム両縁の金属層が形成されていない非めっき面の幅は、左右それぞれ５ｍｍである。

アノードと基材の側部との間にアノード遮蔽板を配置した。アノード遮蔽板にはその全体に渡って直径３ｍｍの丸孔が６ｍｍ間隔で格子状に配置されている。アノード遮蔽板の開孔率は１９．６％である。アノード遮蔽板のかぶり量を６５ｍｍに設定した。また、エッジ遮蔽部材を設けた。基材の右側に配置されたエッジ遮蔽部材のかぶり量を１２．５ｍｍに設定した。基材の左側に配置されたエッジ遮蔽部材のかぶり量を１０．７ｍｍに設定した。

上記の条件で製造された銅張積層板について、幅方向の位置に対する銅めっき被膜の厚さ（以下、「銅厚」と称する。）を測定した。銅厚は蛍光Ｘ線膜厚計（エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製、形式SFT9250）を用いて測定した。コリメータを直径０．５ｍｍに設定し、測定点ごとの測定時間を３０秒／点とした。銅張積層板の幅方向中心を原点、銅張積層板の右側をマイナス、左側をプラスとし、以下のように測定点を領域ごとの間隔として設定した。
−２６１〜−２３０ｍｍ：１ｍｍ間隔
−２３０〜−２２０ｍｍ：５ｍｍ間隔
−２２０〜−２００ｍｍ：１０ｍｍ間隔
−２００〜 ０ｍｍ：２０ｍｍ間隔
０〜＋２００ｍｍ：２０ｍｍ間隔
＋２００〜＋２２０ｍｍ：１０ｍｍ間隔
＋２２０〜＋２３０ｍｍ：５ｍｍ間隔
＋２３０〜＋２６１ｍｍ：１ｍｍ間隔

銅厚の結果を、図６のグラフに示す。図６のグラフの横軸は銅張積層板の幅方向の位置を示す。横軸は、銅張積層板の幅方向中心を原点とし、銅張積層板の右側をマイナス、左側をプラスとしたものである。図６のグラフの縦軸は銅厚を示す。

（比較例１）
実施例１で用いたアノード遮蔽板の全てを、孔を有さないものに交換した。その余の条件は実施例１と同様である。製造された銅張積層板について、幅方向の位置に対する銅厚を測定した。その結果を、図６のグラフに示す。

図６のグラフより、アノード遮蔽板とめっき面とが重なる領域、すなわち−１９２〜−２５７ｍｍの領域および＋１９２〜＋２５７ｍｍの領域における銅厚は、比較例１に比べて実施例１の方が全体的に厚いことが分かる。これより、アノード遮蔽板に孔を形成することで、銅めっき被膜の側部の膜厚を増大できることが確認された。

また、−２３０〜−２４０ｍｍの領域における銅厚の平均値は、比較例１が８．３２μｍであるのに対して、実施例１が８．４２μｍであり、０．１０μｍ増大されている。＋２３０〜＋２４０ｍｍの領域における銅厚の平均値は、比較例１が８．４９μｍであるのに対して、実施例１が８．７７μｍであり、０．２８μｍ増大されている。

このように、銅めっき被膜の側部の銅厚を増大できることから、膜厚有効幅を拡大できることが確認された。例えば、−２３０〜＋２３０ｍｍであった膜厚有効幅を−２４０〜＋２４０ｍｍに２０ｍｍ拡大できる。

Ａ 電解めっき装置
２０ めっき槽
２１ 供給装置
２２ 巻取装置
２３ 給電ロール
２４ 搬送ロール
２５ アノード
３０ アノード遮蔽板
３１ 孔
４０ エッジ遮蔽部材

Claims (7)

1. ロールツーロールにより搬送される長尺帯状の基材に対向して配置されたアノードを備える電解めっき装置において、該基材の側部と該アノードとの間に配置されるアノード遮蔽板であって、
   表裏を貫通する複数の孔が形成された絶縁性の板である
   ことを特徴とするアノード遮蔽板。
2. 前記複数の孔はいずれも同一寸法であり、前記アノード遮蔽板の全体に渡って規則的に配置されている
   ことを特徴とする請求項１記載のアノード遮蔽板。
3. ロールツーロールにより搬送される長尺帯状の基材に対向して配置された複数のアノードと、
   前記複数のアノードのうちの一部または全部と前記基材の側部との間に配置された一または複数のアノード遮蔽板と、を備え、
   前記アノード遮蔽板は表裏を貫通する複数の孔が形成された絶縁性の板である
   ことを特徴とする電解めっき装置。
4. 前記複数の孔はいずれも同一寸法であり、前記アノード遮蔽板の全体に渡って規則的に配置されている
   ことを特徴とする請求項３記載の電解めっき装置。
5. 前記一または複数のアノード遮蔽板は、前記複数のアノードのうち設定電流密度が２Ａ／ｄｍ²以上のアノードと前記基材の側部との間に配置されている
   ことを特徴とする請求項３または４記載の電解めっき装置。
6. 前記基材の縁を囲う絶縁性の部材である一または複数のエッジ遮蔽部材を備える
   ことを特徴とする請求項３、４または５記載の電解めっき装置。
7. 請求項３、４、５または６記載の電解めっき装置を用いて、前記基材の表面に金属めっき被膜を成膜して金属張積層板を得る
   ことを特徴とする金属張積層板の製造方法。

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