JP2010236037A - 銅箔のめっき方法及びそのめっき装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】めっき液3を入れためっき槽4内に設置された陽極板6に対向して長尺の銅箔2を平行に走行させることにより銅箔2の片面を連続的にめっきする方法において、陽極板6の位置に対応する銅箔2の反対側の面(非めっき面)の全面もしくは両端付近の面に所定の間隔をおいて絶縁性の遮蔽板8を設けた状態で銅箔2の片面を連続的にめっきする。
【選択図】図2
Description
図1及び図2の銅箔のめっき装置を用いて、厚さ15μmの銅箔2の片面に電流密度2A/dm2で5秒間電解処理することによりニッケルを電気めっきした。ニッケルめっき液としては、硫酸ニッケル六水和物300g/dm3、塩化ニッケル45g/dm3、硼酸50g/dm3を含む水溶液を用いた。めっき液温は50℃とした。また、遮蔽板8としては、塩化ビニル製の板を用いた。遮蔽板8と銅箔2との間の間隔Dは3mmとし、銅箔2走行方向の遮蔽板8の長さは同方向の陽極板6の長さよりも10mm長くした。なお、電流密度や電解処理時間(めっき時間)、めっき液中のニッケル濃度、めっき液温、めっき液PH等のめっき諸条件は、めっきの要求機能に基づいて技術的に許容可能な範囲で適宜定めることができる。
遮蔽板8と銅箔2との間の間隔Dを5mmとすると共に、図4に見られるように遮蔽板8を陽極板6の銅箔対向面側に固定した以外は、実施例1と同じ方法で銅箔2の片面にニッケルを電気めっきした。
遮蔽板8と銅箔2との間の間隔Dを15mmとした以外は、実施例1と同じ方法で銅箔2の片面にニッケルを電気めっきした。
遮蔽板8と銅箔2との間の間隔Dを1mmとすると共に、銅箔2走行方向の遮蔽板8の長さを同方向の陽極板6の長さと同じにした以外は、実施例1と同じ方法で銅箔2の片面にニッケルを電気めっきした。
遮蔽板8と銅箔2との間の間隔Dを17mmとすると共に、銅箔2走行方向の遮蔽板8の長さを同方向の陽極板6の長さよりも10mm短くした以外は、実施例1と同じ方法で銅箔2の片面にニッケルを電気めっきした。
遮蔽板8を用いない以外は、実施例1と同じ方法で銅箔2の片面にニッケルを電気めっきした。
銅箔幅方向におけるニッケルめっきの膜厚ばらつきについては、Inductively Coupled Plasma(ICP)分析によりニッケルの付着量から求めた。また、膜厚ばらつきの数値は、銅箔幅方向における中央部のニッケル付着量に対する両端部のニッケル付着量を平均した値の割合(%)で示した。
銅箔の非めっき面の変色発生位置については、目視により観察し、変色が見られる部位の長さを銅箔の端部からの距離(mm)で評価した。
銅濃度:1〜200g/L、
めっき液温度:15〜60℃、PH:1.0〜3.0、
電流密度:15〜50A/dm2、めっき時間:1〜30秒
(ニッケルめっき)
ニッケル濃度:1〜30g/L、
めっき液温度:15〜60℃、PH:1.0〜4.0、
電流密度:0.5〜5A/dm2、めっき時間:1〜30秒
(コバルトめっき)
コバルト濃度:1〜30g/L、
めっき液温度:15〜60℃、PH:1.0〜4.0、
電流密度:0.5〜5A/dm2、めっき時間:1〜30秒
(錫めっき)
錫濃度:5〜100g/L、
めっき液温度:15〜40℃、PH:1.0〜4.0、
電流密度:1.0〜5A/dm2、めっき時間:1〜30秒
(インジウムめっき)
インジウム濃度:10〜50g/L、
めっき液温度:15〜40℃、PH:1.0〜4.0、
電流密度:1.0〜20A/dm2、めっき時間:1〜30秒
(亜鉛−コバルトめっき)
亜鉛濃度:1〜20g/L、コバルト濃度:1〜30g/L
めっき液温度:15〜50℃、PH:1.5〜4.0、
電流密度:0.5〜5A/dm2、めっき時間:1〜30秒
(銅−ニッケルめっき)
Cu濃度:1〜30g/L、Ni濃度:1〜30g/L、
めっき液温度:15〜50℃、PH:1.0〜4.0、
電流密度:10〜45A/dm2、めっき時間:1〜30秒
(銅−コバルトめっき)
Cu濃度:5〜20g/L、Co濃度:5〜20g/L、
めっき液温度:25〜50℃、PH:1.0〜4.0、
電流密度:10〜45A/dm2、めっき時間:1〜30秒
(亜鉛−ニッケルめっき)
亜鉛濃度:1〜10g/L、Ni濃度:10〜30g/L、
めっき液温度:40〜50℃、PH:3.0〜4.0、
電流密度:0.5〜5A/dm2、めっき時間:1〜30秒
(コバルト−ニッケルめっき)
Co濃度:5〜20g/L、Ni濃度:5〜20g/L、
めっき液温度:20〜50℃、PH:1.0〜4.0、
電流密度:0.5〜10A/dm2、めっき時間:1〜180秒
(銅−コバルト−ニッケルめっき)
Co濃度:1〜15g/L、Ni濃度:1〜15g/L、
Cu濃度:5〜25g/L、
めっき液温度:20〜50℃、PH:1.0〜4.0、
電流密度:0.5〜10A/dm2、めっき時間:1〜180秒
2 銅箔
3 めっき液
4 めっき槽
5 搬送用ロール
6 陽極板
7 電流線
8、80、800 遮蔽板
D 間隔
Claims (10)
- めっき液を入れためっき槽内に設置された陽極板に対向して長尺の銅箔を平行に走行させることにより前記銅箔の片面を連続的にめっきする方法において、前記陽極板の位置に対応する前記銅箔の反対側の面(非めっき面)の全面もしくは両端付近の面に所定の間隔をおいて絶縁性の遮蔽板を設けた状態で前記銅箔の片面を連続的にめっきすることを特徴とする銅箔のめっき方法。
- 前記遮蔽板が、前記銅箔の両端に対応するその側面の位置が前記銅箔の両端よりも外側にはみ出ていることを特徴とする請求項1に記載の銅箔のめっき方法。
- 前記間隔が、前記遮蔽板と前記銅箔との間の垂直距離で3〜15mmであることを特徴とする請求項1又は2に記載の銅箔のめっき方法。
- 前記銅箔走行方向の前記遮蔽板の長さが、同方向の前記陽極板の長さよりも長いことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の銅箔のめっき方法。
- 前記遮蔽板が、前記陽極板に固定されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の銅箔のめっき方法。
- めっき液を入れためっき槽内に設置された陽極板に対向して長尺の銅箔を平行に走行させることにより前記銅箔の片面を連続的にめっきする装置において、前記陽極板の位置に対応する前記銅箔の反対側の面(非めっき面)の全面もしくは両端付近の面に所定の間隔をおいて絶縁性の遮蔽板を設けたことを特徴とする銅箔のめっき装置。
- 前記遮蔽板が、前記銅箔の両端に対応するその側面の位置が前記銅箔の両端よりも外側にはみ出ていることを特徴とする請求項6に記載の銅箔のめっき装置。
- 前記間隔が、前記遮蔽板と前記銅箔との間の垂直距離で3〜15mmであることを特徴とする請求項6又は7に記載の銅箔のめっき装置。
- 前記銅箔走行方向の前記遮蔽板の長さが、同方向の前記陽極板の長さよりも長いことを特徴とする請求項6〜8のいずれかに記載の銅箔のめっき装置。
- 前記遮蔽板が、前記陽極板に固定されていることを特徴とする請求項6〜9のいずれかに記載の銅箔のめっき装置。
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