KR101463123B1 - 비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 기기 및 방법 - Google Patents

비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 기기 및 방법 Download PDF

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비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 기기는 테스트 대상에 해당하는 적어도 하나 이상의 비휘발성 메모리 장치를 삽입하기 위한 적어도 하나 이상의 소켓을 구비하는 테스트보드부, 비휘발성 메모리 장치 내부의 소비 전류 정보 또는 동작 상태 정보에 기초하여 비휘발성 메모리 장치의 동작에 필요한 전원의 공급과 차단을 결정하는 마이크로컨트롤러부, 및 전원의 공급과 차단에 기초하여 비휘발성 메모리 장치에 대한 파워 로스 테스트를 수행하는 테스터부를 포함한다.

Description

비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 기기 및 방법 {APPARATUS FOR PERFORMING A POWER LOSS TEST FOR A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF PERFORMING A POWER LOSS TEST FOR A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE}
본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 비휘발성 메모리 장치(예를 들어, 플래시 메모리 장치, 임베디드 멀티미디어 카드 등)의 파워 로스 테스트 기기 및 방법에 관한 것이다.
반도체 메모리 장치는 전원이 공급되지 않는 상태에서 데이터를 보존할 수 있는지에 따라 휘발성 메모리 장치와 비휘발성 메모리 장치로 구분될 수 있다. 최근에는, 반도체 메모리 장치의 소형화 및 대용량 추세에 따라, 비휘발성 메모리 장치 중에서 낸드 플래시 메모리 장치(NAND flash memory device)가 소형화 및 대용량에 적합하여 널리 사용되고 있고, 낸드 플래시 메모리 장치 형태의 스토리지 장치(예를 들어, 임베디드 멀티미디어 카드(embedded Multi Media Card; eMMC), 솔리드 스테이트 드라이브(solid state drive; SSD) 등)가 하드 디스크 드라이브(hard disk drive; HDD)를 대체하고 있는 추세이다. 일반적으로, 비휘발성 메모리 장치는 내부에 적어도 하나 이상의 낸드 플래시 메모리 및 이를 제어하기 위한 메모리 컨트롤러를 포함한다. 구체적으로, 메모리 컨트롤러는 파일 시스템(file system)을 지원하기 위한 플래시 변환 레이어(flash translation layer)를 이용하여 어드레스 맵핑(address mapping) 동작을 수행하고, 낸드 플래시 메모리에 대한 읽기(read) 동작, 쓰기(write) 동작, 소거(erase) 동작, 병합(merge) 동작, 카피백(copyback) 동작, 컴팩션(compaction) 동작, 가비지 콜렉션(garbage collection) 동작, 웨어 레벨링(wear leveling) 동작 등을 제어한다.
이와 같이, 비휘발성 메모리 장치에서는 호스트 장치 측에서 보는 것과는 달리 내부적으로 많은 동작이 이루어지고 있는데, 비휘발성 메모리 장치가 쓰기 동작이나 가비지 콜렉션 동작을 수행하던 중에 갑작스럽게 전원이 끊기는 서든 파워 오프(sudden power off)가 발생하면, 데이터(data) 및/또는 그와 관련된 메타 데이터(meta data)가 유실되어 그에 따른 에러가 발생할 수 있다. 따라서, 비휘발성 메모리 장치는 사용자에게 사용상 안정성을 제공하기 위하여, 이러한 서든 파워 오프가 발생하더라도, 데이터 복구 등을 통해 에러가 발생하는 것을 방지해야만 한다. 일반적으로, 비휘발성 메모리 장치에 대하여 제품 출하 이전에 서든 파워 오프에 따른 사용상 안정성 테스트(이하, 파워 로스 테스트(power loss test)로 명명됨)가 수행된다. 이를 위하여, 종래에는 비휘발성 메모리 장치의 쓰기 동작 중에 무작위로 전원을 차단시킨 후, 데이터 및/또는 메타 데이터 유실에 따른 에러가 발생하는지 여부를 확인하였으나, 이러한 방식은 비휘발성 메모리 장치의 쓰기 동작 중에 무작위로 전원을 차단시키기 때문에, 파워 로스 테스트를 수행함에 있어 비휘발성 메모리 장치의 내부 동작 상태가 전혀 고려되지 않아 파워 로스 테스트가 효율적으로 이루어지지 않는다는 문제점이 있었다.
본 발명의 일 목적은 비휘발성 메모리 장치의 내부 동작 상태를 고려하여 중요 동작 중에 비휘발성 메모리 장치에 공급되는 전원을 차단시킴으로써 파워 로스 테스트를 효율적으로 수행할 수 있는 비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 기기를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 비휘발성 메모리 장치의 내부 동작 상태를 고려하여 중요 동작 중에 비휘발성 메모리 장치에 공급되는 전원을 차단시킴으로써 파워 로스 테스트를 효율적으로 수행할 수 있는 비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적은 상기 목적들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 기기는 테스트 대상에 해당하는 적어도 하나 이상의 비휘발성 메모리 장치를 삽입하기 위한 적어도 하나 이상의 소켓을 구비하는 테스트보드부, 상기 비휘발성 메모리 장치 내부의 소비 전류 정보 또는 동작 상태 정보에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치의 동작에 필요한 전원(power)의 공급과 차단을 결정하는 마이크로컨트롤러부, 및 상기 전원의 공급과 차단에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치에 대한 파워 로스 테스트(power loss test)를 수행하는 테스터부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 비휘발성 메모리 장치는 임베디드 멀티미디어 카드(embedded Multi Media Card; eMMC)일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 마이크로컨트롤러부는 상기 테스트보드부 내부에 위치하거나 또는 상기 테스터부 내부에 위치할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 테스트보드부는 상기 비휘발성 메모리 장치에서 소모되는 소비 전류를 모니터링하여 상기 소비 전류 정보를 생성하는 전류 모니터링 모듈, 및 상기 소켓을 통하여 상기 전원의 공급과 차단을 수행하는 전원 제어 모듈을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 마이크로컨트롤러부는 상기 소비 전류 정보에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치의 소비 전류 패턴을 분석하고, 상기 소비 전류 패턴이 기 설정된 전원 차단 수행 구간임을 나타내면, 상기 소켓을 통하여 상기 전원의 차단을 수행할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 테스트보드부는 상기 비휘발성 메모리 장치에 가비지 콜렉션(garbage collection) 동작이 필요한지 여부를 알려주는 적어도 하나 이상의 상태 레지스터를 모니터링하여 상기 동작 상태 정보를 생성하는 상태 모니터링 모듈, 및 상기 소켓을 통해 상기 전원의 공급과 차단을 수행하는 전원 제어 모듈을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 마이크로컨트롤러부는 상기 동작 상태 정보에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치에 상기 가비지 콜렉션 동작이 수행될 예상 시점을 판단하고, 상기 예상 시점에 상기 소켓을 통하여 상기 전원의 차단을 수행할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 테스트보드부는 상기 비휘발성 메모리 장치에서 소모되는 소비 전류를 모니터링하여 상기 소비 전류 정보를 생성하는 전류 모니터링 모듈, 상기 비휘발성 메모리 장치에 가비지 콜렉션 동작이 필요한지 여부를 알려주는 적어도 하나 이상의 상태 레지스터를 모니터링하여 상기 동작 상태 정보를 생성하는 상태 모니터링 모듈, 및 상기 소켓을 통하여 상기 전원의 공급과 차단을 수행하는 전원 제어 모듈을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 테스트보드부는 상기 소비 전류 정보 및 상기 동작 상태 정보를 저장하는 메모리 모듈을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 마이크로컨트롤러부는 상기 동작 상태 정보에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치에 상기 가비지 콜렉션 동작이 수행될 예상 시점을 판단하고, 상기 소비 전류 정보에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치의 소비 전류 패턴을 분석하며, 상기 예상 시점에서 상기 소비 전류 패턴이 기 설정된 전원 차단 수행 구간임을 나타내면, 상기 소켓을 통하여 상기 전원의 차단을 수행할 수 있다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 방법은 테스트 대상에 해당하는 적어도 하나 이상의 비휘발성 메모리 장치에 연결된 테스트보드부가 상기 비휘발성 메모리 장치 내부의 소비 전류 정보 또는 동작 상태 정보를 생성하고, 마이크로컨트롤러부가 상기 소비 전류 정보 또는 상기 동작 상태 정보에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치의 동작에 필요한 전원(power)의 공급과 차단을 결정하며, 테스터부가 상기 전원의 공급과 차단에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치에 대한 파워 로스 테스트(power loss test)를 수행할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 비휘발성 메모리 장치는 임베디드 멀티미디어 카드(embedded Multi Media Card; eMMC)일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 소비 전류 정보는 상기 비휘발성 메모리 장치에서 소모되는 소비 전류가 모니터링됨으로써 생성되고, 상기 소비 전류 정보에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치의 소비 전류 패턴이 분석되며, 상기 소비 전류 패턴이 기 설정된 전원 차단 수행 구간임을 나타내면, 상기 전원의 차단이 수행될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 동작 상태 정보는 상기 비휘발성 메모리 장치에 가비지 콜렉션(garbage collection) 동작이 필요한지 여부를 알려주는 적어도 하나 이상의 상태 레지스터가 모니터링됨으로써 생성되고, 상기 동작 상태 정보에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치에 상기 가비지 콜렉션 동작이 수행될 예상 시점이 판단되며, 상기 예상 시점에 상기 전원의 차단이 수행될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 소비 전류 정보는 상기 비휘발성 메모리 장치에서 소모되는 소비 전류가 모니터링됨으로써 생성되고, 상기 동작 상태 정보는 상기 비휘발성 메모리 장치에 가비지 콜렉션 동작이 필요한지 여부를 알려주는 적어도 하나 이상의 상태 레지스터가 모니터링됨으로써 생성되며, 상기 동작 상태 정보에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치에 상기 가비지 콜렉션 동작이 수행될 예상 시점이 판단되고, 상기 소비 전류 정보에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치의 소비 전류 패턴이 분석되며, 상기 예상 시점에서 상기 소비 전류 패턴이 기 설정된 전원 차단 수행 구간임을 나타내면, 상기 전원의 차단이 수행될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 기기 및 방법은 비휘발성 메모리 장치 내부의 소비 전류 정보 및/또는 동작 상태 정보에 기초하여 비휘발성 메모리 장치의 중요 동작(예를 들어, 가비지 콜렉션 동작 등) 중에 비휘발성 메모리 장치에 공급되는 전원을 차단시킴으로써 파워 로스 테스트를 효율적으로 수행할 수 있다. 그 결과, 파워 로스 테스트의 소요 시간 및 테스트 커버리지가 넓어지기 때문에, 제조사의 생산성이 개선될 수 있고, 최종 생산품의 안정성이 향상될 수 있다. 다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 기기를 나타내는 블록도이다.
도 2는 도 1의 파워 로스 테스트 기기에서 테스트보드부, 마이크로컨트롤러부 및 테스터부가 동작하는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 1의 파워 로스 테스트 기기에 구비된 테스트보드부의 일 예를 나타내는 블록도이다.
도 4는 도 1의 파워 로스 테스트 기기에서 도 3의 테스트보드부와 연동한 마이크로컨트롤러부의 동작을 나타내는 순서도이다.
도 5는 도 1의 파워 로스 테스트 기기에 구비된 테스트보드부의 다른 예를 나타내는 블록도이다.
도 6은 도 1의 파워 로스 테스트 기기에서 도 5의 테스트보드부와 연동한 마이크로컨트롤러부의 동작을 나타내는 순서도이다.
도 7은 도 1의 파워 로스 테스트 기기에 구비된 테스트보드부의 또 다른 예를 나타내는 블록도이다.
도 8은 도 1의 파워 로스 테스트 기기에서 도 7의 테스트보드부와 연동한 마이크로컨트롤러부의 동작을 나타내는 순서도이다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 방법을 나타내는 순서도이다.
도 10은 도 9의 파워 로스 테스트 방법에 의한 전원의 공급 또는 차단을 나타내는 도면이다.
본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시예들에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 된다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제 1 구성요소는 제 2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제 2 구성요소도 제 1 구성요소로 명명될 수 있다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 기기를 나타내는 블록도이고, 도 2는 도 1의 파워 로스 테스트 기기에서 테스트보드부, 마이크로컨트롤러부 및 테스터부가 동작하는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 도 1의 파워 로스 테스트 기기(100)는 테스트보드부(120), 마이크로컨트롤러부(140) 및 테스터부(160)를 포함할 수 있다. 이 때, 비휘발성 메모리 장치는 임베디드 멀티미디어 카드(embedded Multi Media Card; eMMC)일 수 있으나, 비휘발성 메모리 장치가 그에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 비휘발성 메모리 장치는 SD 카드(secure digital card), CF 카드(compact flash card), 메모리 스틱(memory stick), XD 픽쳐 카드(XD picture card) 등일 수도 있다.
테스트보드부(120)는 테스트 대상에 해당하는 적어도 하나 이상의 비휘발성 메모리 장치를 삽입하기 위한 적어도 하나 이상의 소켓(122_1, ..., 122_n)을 구비할 수 있다. 일반적으로, 비휘발성 메모리 장치가 쓰기 동작이나 가비지 콜렉션 동작을 수행하던 중에 갑작스럽게 전원이 끊기는 서든 파워 오프가 발생하면, 데이터 및/또는 그와 관련된 메타 데이터가 유실되어 그에 따른 에러가 발생할 수 있다. 따라서, 도 1의 파워 로스 테스트 기기(100)는 비휘발성 메모리 장치에 대하여 서든 파워 오프(sudden power off)가 발생하더라도, 데이터 복구 등을 통해 에러가 발생하는 것을 방지할 수 있는지 여부를 확인하기 위한 파워 로스 테스트(power loss test)를 수행할 수 있다. 이 때, 테스트보드부(120)가 복수의 소켓들(122_1, ..., 122_n)을 구비하는 경우, 상기 소켓들(122_1, ..., 122_n)에 테스트 대상에 해당하는 비휘발성 메모리 장치들이 각각 삽입되고, 비휘발성 메모리 장치들에 대한 파워 로스 테스트가 동시에 수행되므로, 상기 파워 로스 테스트가 빠르고 효율적으로 진행될 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 테스트보드부(120)에 구비된 소켓(122_1, ..., 122_n)에 삽입된 비휘발성 메모리 장치에 대한 파워 로스 테스트는 테스터부(160)가 마이크로컨트롤러부(140)로부터 테스트 시작을 지시하는 제 2 제어 신호(CTL2(ON))를 입력받은 시점부터 테스트 종료를 지시하는 제 2 제어 신호(CTL2(OFF))를 입력받은 시점까지 수행될 수 있다.
마이크로컨트롤러부(140)는 비휘발성 메모리 장치 내부의 소비 전류 정보 또는 동작 상태 정보에 기초하여 비휘발성 메모리 장치의 동작에 필요한 전원의 공급과 차단을 결정할 수 있다. 즉, 종래에는 비휘발성 메모리 장치의 쓰기 동작 중에 무작위로 전원을 차단시킨 후, 데이터 및/또는 메타 데이터 유실에 따른 에러가 발생하는지 여부를 확인하였으나, 도 1의 파워 로스 테스트 기기(100)는 파워 로스 테스트를 수행함에 있어 비휘발성 메모리 장치의 내부 동작 상태를 고려(즉, 비휘발성 메모리 장치 내부의 소비 전류 정보 또는 동작 상태 정보를 이용)하는 것이다. 이에, 도 1의 파워 로스 테스트 기기(100)는 비휘발성 메모리 장치의 중요 동작(예를 들어, 가비지 콜렉션 동작 등) 중에 비휘발성 메모리 장치에 공급되는 전원을 차단시킴으로써 파워 로스 테스트를 효율적으로 수행할 수 있다. 한편, 테스터부(160)는 마이크로컨트롤러부(140)에 의해 결정되는 전원의 공급과 차단에 기초하여 비휘발성 메모리 장치에 대한 파워 로스 테스트를 수행할 수 있다. 이를 위하여, 테스터부(160)는 테스트 알고리즘에 의한 쓰기 동작을 지속적으로 수행할 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 테스터부(160)는 마이크로컨트롤러부(140)로부터 테스트 시작을 지시하는 제 2 제어 신호(CTL2(ON))를 입력받은 시점부터 테스트 종료를 지시하는 제 2 제어 신호(CTL2(OFF))를 입력받은 시점까지 테스트 알고리즘에 의한 쓰기 동작을 지속적으로 수행할 수 있다.
일 실시예에서, 도 1의 파워 로스 테스트 기기(100)는 비휘발성 메모리 장치에서 소모되는 소비 전류를 고려할 수 있다. 이 경우, 테스트보드부(120)는 전류 모니터링 모듈 및 전원 제어 모듈을 포함할 수 있다. 전류 모니터링 모듈은 소켓(122_1, ..., 122_n)에 삽입된 비휘발성 메모리 장치에서 소모되는 소비 전류를 모니터링하여 소비 전류 정보(INF)를 생성할 수 있고, 전원 제어 모듈은 마이크로컨트롤러부(140)의 결정에 따라 상기 소켓(122_1, ..., 122_n)을 통하여 전원의 공급과 차단을 수행할 수 있다. 즉, 마이크로컨트롤러부(140)가 테스트보드부(120)에 전원의 공급을 지시하는 제 1 제어 신호(CTL1(ON))를 제공하는 도중에, 테스트보드부(120)(즉, 전류 모니터링 모듈)가 마이크로컨트롤러부(140)에 소비 전류 정보(INF)를 제공하면, 마이크로컨트롤러부(140)는 상기 소비 전류 정보(INF)에 기초하여 비휘발성 메모리 장치의 소비 전류 패턴을 분석할 수 있다. 이 때, 비휘발성 메모리 장치의 소비 전류 패턴이 기 설정된 전원 차단 수행 구간임을 나타내면, 마이크로컨트롤러부(140)는 테스트보드부(120)에 전원의 차단을 지시하는 제 1 제어 신호(CTL1(OFF))를 제공하고, 테스트보드부(120)(즉, 전원 제어 모듈)는 상기 소켓(122_1, ..., 122_n)을 통하여 전원의 차단을 수행할 수 있다. 이러한 전원의 차단과 공급에 기초하여 테스트 구간(TEST) 동안 파워 로스 테스트가 반복적으로 수행될 수 있다. 실시예에 따라, 상기 전원 차단 수행 구간은 비휘발성 메모리 장치의 가비지 콜렉션 동작이 수행되는 구간일 수 있다. 그러나, 상기 전원 차단 수행 구간은 그에 한정되지 않고 다양하게 설정(예를 들어, 메타 데이터에 대한 쓰기 동작이 수행되는 구간 등)될 수 있다.
다른 실시예에서, 도 1의 파워 로스 테스트 기기(100)는 비휘발성 메모리 장치가 제공하는 소위 백그라운드 어전트 플래그(background urgent flag)를 고려할 수 있다. 이 경우, 테스트보드부(120)는 상태 모니터링 모듈 및 전원 제어 모듈을 포함할 수 있다. 상태 모니터링 모듈은 비휘발성 메모리 장치에 가비지 콜렉션 동작이 필요한지 여부를 알려주는 적어도 하나 이상의 상태 레지스터를 모니터링하여 동작 상태 정보(INF)를 생성할 수 있다. 예를 들어, 상태 모니터링 모듈은 비휘발성 메모리 장치의 상태 레지스터에 표출되는 백그라운드 어전트 플래그를 이용하여 동작 상태 정보(INF)를 생성할 수 있다. 실시예에 따라, 상기 적어도 하나 이상의 상태 레지스터는 비휘발성 메모리 장치에 구비될 수도 있고, 도 1의 파워 로스 테스트 기기(100)에 구비될 수도 있다. 또한, 전원 제어 모듈은 마이크로컨트롤러부(140)의 결정에 따라 상기 소켓(122_1, ..., 122_n)을 통하여 전원의 공급과 차단을 수행할 수 있다. 즉, 마이크로컨트롤러부(140)가 테스트보드부(120)에 전원의 공급을 지시하는 제 1 제어 신호(CTL1(ON))를 제공하는 도중에, 테스트보드부(120)(즉, 상태 모니터링 모듈)가 마이크로컨트롤러부(140)에 동작 상태 정보(INF)를 제공하면, 마이크로컨트롤러부(140)는 상기 동작 상태 정보(INF)에 기초하여 비휘발성 메모리 장치에 가비지 콜렉션 동작이 수행될 예상 시점을 판단할 수 있고, 마이크로컨트롤러부(140)가 상기 예상 시점에 테스트보드부(120)에 전원의 차단을 지시하는 제 1 제어 신호(CTL1(OFF))를 제공하면, 테스트보드부(120)(즉, 전원 제어 모듈)는 상기 소켓(122_1, ..., 122_n)을 통하여 전원의 차단을 수행할 수 있다. 상술한 바와 같이, 이러한 전원의 차단과 공급에 기초하여 테스트 구간(TEST) 동안 파워 로스 테스트가 반복적으로 수행될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 도 1의 파워 로스 테스트 기기(100)는 비휘발성 메모리 장치가 제공하는 백그라운드 어전트 플래그 뿐만 아니라, 비휘발성 메모리 장치에서 소모되는 소비 전류까지 고려할 수 있다. 이 경우, 테스트보드부(120)는 전류 모니터링 모듈, 상태 모니터링 모듈 및 전원 제어 모듈을 포함할 수 있다. 전류 모니터링 모듈은 소켓(122_1, ..., 122_n)에 삽입된 비휘발성 메모리 장치에서 소모되는 소비 전류를 모니터링하여 소비 전류 정보(INF)를 생성할 수 있고, 상태 모니터링 모듈은 비휘발성 메모리 장치에 가비지 콜렉션 동작이 필요한지 여부를 알려주는 적어도 하나 이상의 상태 레지스터를 모니터링하여 동작 상태 정보(INF)를 생성할 수 있으며, 전원 제어 모듈은 마이크로컨트롤러부(140)의 결정에 따라 상기 소켓(122_1, ..., 122_n)을 통하여 전원의 공급과 차단을 수행할 수 있다. 즉, 마이크로컨트롤러부(140)가 테스트보드부(120)에 전원의 공급을 지시하는 제 1 제어 신호(CTL1(ON))를 제공하는 도중에, 테스트보드부(120)(즉, 상태 모니터링 모듈)가 마이크로컨트롤러부(140)에 동작 상태 정보(INF)를 제공하면, 마이크로컨트롤러부(140)는 상기 동작 상태 정보(INF)에 기초하여 비휘발성 메모리 장치에 가비지 콜렉션 동작이 수행될 예상 시점을 판단할 수 있고, 테스트보드부(120)(즉, 전류 모니터링 모듈)가 마이크로컨트롤러부(140)에 소비 전류 정보(INF)를 제공하면, 마이크로컨트롤러부(140)는 상기 소비 전류 정보(INF)에 기초하여 비휘발성 메모리 장치의 소비 전류 패턴을 분석할 수 있다. 이 때, 비휘발성 메모리 장치에 가비지 콜렉션 동작이 수행될 예상 시점에서 비휘발성 메모리 장치의 소비 전류 패턴이 기 설정된 전원 차단 수행 구간임을 나타내면, 마이크로컨트롤러부(140)는 테스트보드부(120)에 전원의 차단을 지시하는 제 1 제어 신호(CTL1(OFF))를 제공하고, 테스트보드부(120)(즉, 전원 제어 모듈)는 상기 소켓(122_1, ..., 122_n)을 통하여 전원의 차단을 수행할 수 있다. 상술한 바와 같이, 이러한 전원의 차단과 공급에 기초하여 테스트 구간(TEST) 동안 파워 로스 테스트가 반복적으로 수행될 수 있다.
이와 같이, 도 1의 파워 로스 테스트 기기(100)는 비휘발성 메모리 장치 내부의 소비 전류 정보 및/또는 동작 상태 정보에 기초하여 비휘발성 메모리 장치의 중요 동작(예를 들어, 가비지 콜렉션 동작 등) 중에 비휘발성 메모리 장치에 공급되는 전원을 차단시킴으로써 파워 로스 테스트를 효율적으로 수행할 수 있다. 다시 말하면, 도 1의 파워 로스 테스트 기기(100)는 테스터부(160)로 하여금 테스트 알고리즘에 의한 쓰기 동작을 지속적으로 수행하게 함과 동시에, 테스트보드부(120)와 마이크로컨트롤러부(140)로 하여금 비휘발성 메모리 장치 내부의 소비 전류 정보 및/또는 동작 상태 정보에 기초하여 비휘발성 메모리 장치의 동작에 필요한 전원의 공급과 차단을 수행하게 할 수 있다. 이 때, 테스트보드부(120)의 복수의 소켓들(122_1, ..., 122_n)에 복수의 비휘발성 메모리 장치들이 삽입되어 있는 경우, 복수의 비휘발성 메모리 장치들 각각에 대하여 상기 파워 로스 테스트가 동시에 개별적으로 수행되는 것이다. 그 결과, 종래에 비하여 파워 로스 테스트의 소요 시간 및 테스트 커버리지가 넓어지기 때문에, 제조사의 생산성이 개선될 수 있고, 최종 생산품의 안정성이 향상될 수 있다. 실시예에 따라, 도 1에 도시된 바와 같이, 테스트보드부(120)는 메모리부(123)을 더 포함할 수 있다. 메모리부(123)는 테스트보드부(120)에서 비휘발성 메모리 장치 내부의 소비 전류 정보 및/또는 동작 상태 정보가 생성되면, 비휘발성 메모리 장치 내부의 소비 전류 정보 및/또는 동작 상태 정보를 저장하였다가, 필요한 시점에 마이크로컨트롤러부(140)에 제공할 수 있다. 한편, 도 1에서는 마이크로컨트롤러부(140)가 테스트보드부(120) 및 테스터부(160)의 외부에 위치하는 것으로 도시되어 있으나, 마이크로컨트롤러부(140)는 테스트보드부(120) 내부에 위치하거나 또는 테스터부(160) 내부에 위치할 수도 있다.
도 3은 도 1의 파워 로스 테스트 기기에 구비된 테스트보드부의 일 예를 나타내는 블록도이고, 도 4는 도 1의 파워 로스 테스트 기기에서 도 3의 테스트보드부와 연동한 마이크로컨트롤러부의 동작을 나타내는 순서도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 도 1의 파워 로스 테스트 기기(100)가 비휘발성 메모리 장치에서 소모되는 소비 전류를 고려하는 것이 도시되어 있다. 이 경우, 도 3에 도시된 바와 같이, 테스트보드부(120)는 전류 모니터링 모듈(124) 및 전원 제어 모듈(128)을 포함할 수 있다. 상술한 바와 같이, 전류 모니터링 모듈(124)은 소켓(122_1, ..., 122_n)에 삽입된 비휘발성 메모리 장치에서 소모되는 소비 전류(CC)를 모니터링하여 소비 전류 정보(CCI)를 생성할 수 있다. 예를 들어, 전류 모니터링 모듈(124)은 소켓(122_1, ..., 122_n)의 전류를 모니터링하고, 소켓(122_1, ..., 122_n)의 전류를 비휘발성 메모리 장치에서 소모되는 소비 전류(CC)로 판단할 수 있다. 이후, 전원 제어 모듈(128)은 마이크로컨트롤러부(140)의 결정에 따라 상기 소켓(122_1, ..., 122_n)을 통하여 전원의 공급과 차단을 수행할 수 있다. 즉, 전원 제어 모듈(128)은 마이크로컨트롤러부(140)의 결정에 따라 상기 소켓(122_1, ..., 122_n)에 전원을 공급하거나 또는 공급하지 않을 수 있다. 이를 위하여, 도 4에 도시된 바와 같이, 마이크로컨트롤러부(140)는 비휘발성 메모리 장치 내부의 소비 전류 정보(CCI)에 기초하여 소비 전류 패턴을 분석(Step S120)하고, 상기 소비 전류 패턴이 전원 차단 수행 구간임을 나타내는지 여부를 확인(Step S140)할 수 있다. 이 때, 상기 소비 전류 패턴이 전원 차단 수행 구간임을 나타내면, 마이크로컨트롤러부(140)는 비휘발성 메모리 장치의 동작에 필요한 전원을 차단하는 것으로 결정(Step S160)할 수 있다. 이 경우, 마이크로컨트롤러부(140)는 테스트보드부(120)에 전원의 차단을 지시하는 제 1 제어 신호(CTL1(OFF))를 제공할 수 있다. 반면에, 상기 소비 전류 패턴이 전원 차단 수행 구간이 아님을 나타내면, 마이크로컨트롤러부(140)는 상기 단계들(Step S120, Step S140, Step S160)을 반복할 수 있다.
일반적으로, 비휘발성 메모리 장치의 소비 전류는 비휘발성 메모리 장치 내부에서 동시에 쓰기 명령이 진행되는 낸드 플래시 메모리의 개수에 따라 차이가 날 수 있고, 쓰기 모드가 멀티 레벨 셀(multi level cell; MLC) 모드인지 싱글 레벨 셀(single level cell; SLC) 모드인지에 따라 차이가 날 수 있다. 나아가, 소비 전류 패턴을 분석하면, 낸드 플래시 메모리가 데이터에 대한 쓰기 동작을 수행하는지, 메타 데이터에 대한 쓰기 동작을 수행하는지, 가비지 콜렉션 동작을 수행하는지 등이 판단될 수 있다. 따라서, 마이크로컨트롤러부(140)는 테스트보드부(120)(즉, 전류 모니터링 모듈(124))로부터 소비 전류 정보(CCI)를 입력받고, 상기 소비 전류 정보(CCI)에 기초하여 비휘발성 메모리 장치의 소비 전류 패턴을 분석하며, 비휘발성 메모리 장치의 소비 전류 패턴이 기 설정된 전원 차단 수행 구간임을 나타내면, 테스트보드부(120)에 전원의 차단을 지시하는 제 1 제어 신호(CTL1(OFF))를 제공할 수 있다. 이에, 테스트보드부(120)(즉, 전원 제어 모듈(128))는 상기 소켓(122_1, ..., 122_n)을 통하여 전원의 차단을 수행할 수 있다. 일 실시예에서, 마이크로컨트롤러부(140)는 비휘발성 메모리 장치의 소비 전류가 기 설정된 레벨 이상인 경우에 비휘발성 메모리 장치의 동작에 필요한 전원의 차단을 결정할 수 있다. 다른 실시예에서, 마이크로컨트롤러부(140)는 비휘발성 메모리 장치의 소비 전류가 기 설정된 레벨 구간 내에 있는 경우에 비휘발성 메모리 장치의 동작에 필요한 전원의 차단을 결정할 수 있다. 실시예에 따라, 상기 전원 차단 수행 구간은 비휘발성 메모리 장치의 가비지 콜렉션 동작이 수행되는 구간일 수 있다. 그러나, 상기 전원 차단 수행 구간은 그에 한정되지 않고 다양하게 설정(예를 들어, 메타 데이터에 대한 쓰기 동작이 수행되는 구간 등)될 수 있다.
도 5는 도 1의 파워 로스 테스트 기기에 구비된 테스트보드부의 다른 예를 나타내는 블록도이고, 도 6은 도 1의 파워 로스 테스트 기기에서 도 5의 테스트보드부와 연동한 마이크로컨트롤러부의 동작을 나타내는 순서도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 도 1의 파워 로스 테스트 기기(100)는 비휘발성 메모리 장치로부터 제공되는 백그라운드 어전트 플래그(BUF)를 고려하는 것이 도시되어 있다. 이 경우, 도 5에 도시된 바와 같이, 테스트보드부(120)는 상태 모니터링 모듈(126) 및 전원 제어 모듈(128)을 포함할 수 있다. 상술한 바와 같이, 상태 모니터링 모듈(124)은 비휘발성 메모리 장치에 가비지 콜렉션 동작이 필요한지 여부를 알려주는 적어도 하나 이상의 상태 레지스터를 모니터링하여 동작 상태 정보(OSI)를 생성할 수 있다. 예를 들어, 상태 모니터링 모듈(124)은 비휘발성 메모리 장치의 상태 레지스터에 표출되는 백그라운드 어전트 플래그(BUF)를 이용하여 동작 상태 정보(OSI)를 생성할 수 있다. 이후, 전원 제어 모듈(128)은 마이크로컨트롤러부(140)의 결정에 따라 상기 소켓(122_1, ..., 122_n)을 통하여 전원의 공급과 차단을 수행할 수 있다. 즉, 전원 제어 모듈(128)은 마이크로컨트롤러부(140)의 결정에 따라 상기 소켓(122_1, ..., 122_n)에 전원을 공급하거나 또는 공급하지 않을 수 있다. 이를 위하여, 도 6에 도시된 바와 같이, 마이크로컨트롤러부(140)는 비휘발성 메모리 장치 내부의 동작 상태 정보(OSI)를 수신(Step S220)하고, 상기 동작 상태 정보(OSI)가 가비지 콜렉션 동작이 필요함을 나타내는지 여부를 확인(Step S240)할 수 있다. 이 때, 상기 동작 상태 정보(OSI)가 가비지 콜렉션 동작이 필요함을 나타내면, 마이크로컨트롤러부(140)는 비휘발성 메모리 장치의 동작에 필요한 전원을 차단하는 것으로 결정(Step S260)할 수 있다. 이 경우, 마이크로컨트롤러부(140)는 테스트보드부(120)에 전원의 차단을 지시하는 제 1 제어 신호(CTL1(OFF))를 제공할 수 있다. 반면에, 상기 동작 상태 정보(OSI)가 아직 가비지 콜렉션 동작이 필요 없음을 나타내면, 마이크로컨트롤러부(140)는 상기 단계들(Step S220, Step S240, Step S260)을 반복할 수 있다.
최근, 비휘발성 메모리 장치는 내부의 상태 레지스터를 통하여 외부(예를 들어, 호스트 장치 등)에 가비지 콜렉션 동작이 필요한지 여부를 나타내는 백그라운드 어전트 플래그(BUF)를 제공하고 있다. 예를 들어, 백그라운드 어전트 플래그(BUF)가 2로 세팅이 되면, 가비지 콜렉션 동작이 긴급하게 필요로 되고, 백그라운드 어전트 플래그(BUF)가 1로 세팅이 되면, 가비지 콜렉션 동작이 조만간 필요로 되며, 백그라운드 어전트 플래그(BUF)가 0으로 세팅이 되면, 가비지 콜렉션 동작이 당장은 필요하지 않음을 나타낼 수 있다. 이러한 경우, 마이크로컨트롤러부(140)는 백그라운드 어전트 플래그(BUF)가 0이 아닌 값으로 세팅이 된 경우, 가비지 콜렉션 동작이 수행될 예상 시점을 판단할 수 있고, 상기 예상 시점(예를 들어, 다음 쓰기 동작)에 테스트보드부(120)에 전원의 차단을 지시하는 제 1 제어 신호(CTL1(OFF))를 제공할 수 있다. 이에, 테스트보드부(120)(즉, 전원 제어 모듈(128))는 상기 소켓(122_1, ..., 122_n)을 통하여 전원의 차단을 수행할 수 있다. 실시예에 따라, 마이크로컨트롤러부(140)는 가비지 콜렉션 동작의 필요 정도에 따라(즉, 백그라운드 어전트 플래그(BUF)에 세팅된 값에 따라) 가비지 콜렉션 동작이 수행될 예상 시점을 단계적으로 결정할 수 있다. 예를 들어, 백그라운드 어전트 플래그(BUF)가 2로 세팅이 되면, 마이크로컨트롤러부(140)는 다음 쓰기 동작에 테스트보드부(120)에 전원의 차단을 지시하는 제 1 제어 신호(CTL1(OFF))를 제공할 수 있고, 백그라운드 어전트 플래그(BUF)가 1로 세팅이 되면, 마이크로컨트롤러부(140)는 쓰기 동작이 기 설정된 횟수가 더 수행된 이후 테스트보드부(120)에 전원의 차단을 지시하는 제 1 제어 신호(CTL1(OFF))를 제공할 수 있다. 다만, 이것은 예시적인 것에 불과한 것으로서, 가비지 콜렉션 동작이 수행될 예상 시점은 다양한 방식으로 결정될 수 있다.
도 7은 도 1의 파워 로스 테스트 기기에 구비된 테스트보드부의 또 다른 예를 나타내는 블록도이고, 도 8은 도 1의 파워 로스 테스트 기기에서 도 7의 테스트보드부와 연동한 마이크로컨트롤러부의 동작을 나타내는 순서도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 도 1의 파워 로스 테스트 기기(100)가 비휘발성 메모리 장치가 제공하는 백그라운드 어전트 플래그(BUF) 뿐만 아니라, 비휘발성 메모리 장치에서 소모되는 소비 전류(CC)까지 고려하는 것이 도시되어 있다. 이 경우, 도 7에 도시된 바와 같이, 테스트보드부(120)는 전류 모니터링 모듈(124), 상태 모니터링 모듈(126) 및 전원 제어 모듈(128)을 포함할 수 있다. 상술한 바와 같이, 전류 모니터링 모듈(124)은 소켓(122_1, ..., 122_n)에 삽입된 비휘발성 메모리 장치에서 소모되는 소비 전류(CC)를 모니터링하여 소비 전류 정보(CCI)를 생성할 수 있고, 상태 모니터링 모듈은 비휘발성 메모리 장치에 가비지 콜렉션 동작이 필요한지 여부를 알려주는 적어도 하나 이상의 상태 레지스터를 모니터링하여 동작 상태 정보(OSI)를 생성할 수 있다. 이후, 전원 제어 모듈(128)은 마이크로컨트롤러부(140)의 결정에 따라 상기 소켓(122_1, ..., 122_n)을 통하여 전원의 공급과 차단을 수행할 수 있다. 즉, 전원 제어 모듈(128)은 마이크로컨트롤러부(140)의 결정에 따라 상기 소켓(122_1, ..., 122_n)에 전원을 공급하거나 또는 공급하지 않을 수 있다. 이를 위하여, 도 8에 도시된 바와 같이, 마이크로컨트롤러부(140)는 비휘발성 메모리 장치 내부의 동작 상태 정보(OSI)를 수신(Step S310)하고, 상기 동작 상태 정보(OSI)가 가비지 콜렉션 동작이 필요함을 나타내는지 여부를 확인(Step S320)할 수 있다. 이 때, 상기 동작 상태 정보(OSI)가 가비지 콜렉션 동작이 필요함을 나타내면, 마이크로컨트롤러부(140)는 전원 차단 대기 모드로 동작할 수 있다. 반면에, 상기 동작 상태 정보(OSI)가 아직 가비지 콜렉션 동작이 필요 없음을 나타내면, 마이크로컨트롤러부(140)는 상기 단계들(Step S310, Step S320)을 반복할 수 있다. 이후, 마이크로컨트롤러부(140)가 전원 차단 대기 모드로 동작하는 동안에, 마이크로컨트롤러부(140)는 비휘발성 메모리 장치 내부의 소비 전류 정보(CCI)에 기초하여 소비 전류 패턴을 분석(Step S330)하고, 상기 소비 전류 패턴이 전원 차단 수행 구간임을 나타내는지 여부를 확인(Step S340)할 수 있다. 이 때, 상기 소비 전류 패턴이 전원 차단 수행 구간임을 나타내면, 마이크로컨트롤러부(140)는 비휘발성 메모리 장치의 동작에 필요한 전원을 차단하는 것으로 결정(Step S350)할 수 있다. 이 경우, 마이크로컨트롤러부(140)는 테스트보드부(120)에 전원의 차단을 지시하는 제 1 제어 신호(CTL1(OFF))를 제공할 수 있다. 반면에, 상기 소비 전류 패턴이 전원 차단 수행 구간이 아님을 나타내면, 마이크로컨트롤러부(140)는 상기 단계들(Step S330, Step S340, Step S350)을 반복할 수 있다.
이와 같이, 도 1의 파워 로스 테스트 기기(100)는 비휘발성 메모리 장치 내부의 소비 전류 정보(CCI)와 동작 상태 정보(OSI)를 동시에 고려하여 비휘발성 메모리 장치의 중요 동작(예를 들어, 가비지 콜렉션 동작 등) 중에 비휘발성 메모리 장치에 공급되는 전원을 차단시킴으로써 파워 로스 테스트를 효율적으로 수행할 수 있다. 다만, 상기에서는 비휘발성 메모리 장치 내부의 동작 상태 정보(OSI)에 기초하여 가비지 콜렉션 동작이 필요하다고 판단되면, 비휘발성 메모리 장치 내부의 소비 전류 정보(CCI)에 기초하여 소비 전류 패턴이 전원 차단 수행 구간임을 나타내는 경우에, 비휘발성 메모리 장치에 공급되는 전원이 차단되는 것으로 설명되어 있으나, 비휘발성 메모리 장치 내부의 소비 전류 정보(CCI)와 동작 상태 정보(OSI)를 동시에 고려되는 방식은 다양하게 선택될 수 있다. 예를 들어, 비휘발성 메모리 장치에서 가비지 콜렉션 동작이 필요한 정도에 따라, 소비 전류 패턴이 전원 차단 수행 구간임을 판단하는 기준이 변경되는 방식, 비휘발성 메모리 장치에서 가비지 콜렉션 동작이 필요한 정도에 따라, 가비지 콜렉션 동작이 수행될 예상 시점과 연동되어 소비 전류 패턴이 전원 차단 수행 구간임을 판단하는 기준이 변경되는 방식 등이 가능하다. 그러므로, 본 발명이 속하는 해당 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자는 상기 내용으로부터 비휘발성 메모리 장치 내부의 소비 전류 정보(CCI)와 동작 상태 정보(OSI)를 동시에 고려하여 비휘발성 메모리 장치의 중요 동작(예를 들어, 가비지 콜렉션 동작 등) 중에 비휘발성 메모리 장치에 공급되는 전원을 차단시켜 파워 로스 테스트를 수행하는 다양한 방식들을 용이하게 도출할 수 있으며, 그러한 방식들은 모두 본 발명과 동일 내지는 균등 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 방법을 나타내는 순서도이고, 도 10은 도 9의 파워 로스 테스트 방법에 의한 전원의 공급 또는 차단을 나타내는 도면이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 도 9의 파워 로스 테스트 방법은 테스트 대상에 해당하는 적어도 하나 이상의 비휘발성 메모리 장치에 연결된 테스트보드부가 비휘발성 메모리 장치 내부의 소비 전류 정보 또는 동작 상태 정보를 생성(Step S520)하게 하고, 마이크로컨트롤러부가 비휘발성 메모리 장치 내부의 소비 전류 정보 또는 동작 상태 정보에 기초하여 비휘발성 메모리 장치의 동작에 필요한 전원의 공급과 차단을 결정(Step S540)하게 하며, 테스터부가 비휘발성 메모리 장치의 동작에 필요한 전원의 공급과 차단에 기초하여 비휘발성 메모리 장치에 대한 파워 로스 테스트를 수행(Step S560)하게 할 수 있다. 이 때, 비휘발성 메모리 장치는 임베디드 멀티미디어 카드(eMMC)일 수 있으나, 비휘발성 메모리 장치가 그에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 비휘발성 메모리 장치는 SD 카드(secure digital card), CF 카드(compact flash card), 메모리 스틱(memory stick), XD 픽쳐 카드(XD picture card) 등일 수도 있다.
구체적으로, 도 9의 파워 로스 테스트 방법은 비휘발성 메모리 장치의 중요 동작 중에 비휘발성 메모리 장치에 공급되는 전원을 차단시킴으로써 파워 로스 테스트를 효율적으로 수행할 수 있다. 도 10에 도시된 바와 같이, 도 9의 파워 로스 테스트 방법은 비휘발성 메모리 장치에서 중요 동작이 수행되는지 여부에 따라, 테스트보드부로 하여금 비휘발성 메모리 장치에 전원을 공급하는 상태(220)와 비휘발성 메모리 장치에 전원을 공급하지 않는 상태(240) 사이에서 스위칭하도록 할 수 있다. 일 실시예에서, 도 9의 파워 로스 테스트 방법은 비휘발성 메모리 장치에서 소모되는 소비 전류를 모니터링함으로써 비휘발성 메모리 장치의 소비 전류 정보를 생성하고, 상기 소비 전류 정보에 기초하여 비휘발성 메모리 장치의 소비 전류 패턴을 분석하며, 상기 소비 전류 패턴이 기 설정된 전원 차단 수행 구간임을 나타내면, 비휘발성 메모리 장치의 동작에 필요한 전원을 차단할 수 있다. 다른 실시예에서, 도 9의 파워 로스 테스트 방법은 비휘발성 메모리 장치에 가비지 콜렉션 동작이 필요한지 여부를 알려주는 적어도 하나 이상의 상태 레지스터를 모니터링함으로써 비휘발성 메모리 장치의 동작 상태 정보를 생성하고, 상기 동작 상태 정보에 기초하여 비휘발성 메모리 장치에 가비지 콜렉션 동작이 수행될 예상 시점을 판단하며, 상기 예상 시점에 비휘발성 메모리 장치의 동작에 필요한 전원을 차단할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 도 9의 파워 로스 테스트 방법은 비휘발성 메모리 장치에서 소모되는 소비 전류를 모니터링함으로써 비휘발성 메모리 장치의 소비 전류 정보를 생성하고, 비휘발성 메모리 장치에 가비지 콜렉션 동작이 필요한지 여부를 알려주는 적어도 하나 이상의 상태 레지스터를 모니터링함으로써 비휘발성 메모리 장치의 동작 상태 정보를 생성하며, 상기 동작 상태 정보에 기초하여 비휘발성 메모리 장치에 가비지 콜렉션 동작이 수행될 예상 시점을 판단하고, 상기 소비 전류 정보에 기초하여 비휘발성 메모리 장치의 소비 전류 패턴을 분석하며, 상기 예상 시점에서 상기 소비 전류 패턴이 기 설정된 전원 차단 수행 구간임을 나타내면, 비휘발성 메모리 장치의 동작에 필요한 전원을 차단할 수 있다. 다만, 이에 대해서는 상술한 바 있으므로, 그에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이상, 본 발명의 실시예들에 따른 비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 기기 및 파워 로스 테스트 방법에 대해 도면을 참조하여 설명하였지만, 상기 설명은 예시적인 것으로서 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
본 발명은 비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트에 적용될 수 있다. 따라서, 본 발명은 멀티미디어 카드(multi media card), 임베디드 멀티미디어 카드(embedded multi media card), SD 카드(secure digital card), CF 카드(compact flash card), 메모리 스틱(memory stick), XD 픽쳐 카드(XD picture card) 등의 파워 로스 테스트에 적용될 수 있을 것이다.
이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 파워 로스 테스트 기기 120: 테스트보드부
122: 소켓 123: 메모리 모듈
124: 전류 모니터링 모듈 126: 상태 모니터링 모듈
128: 전원 제어 모듈 140: 마이크로컨트롤러부
160: 테스터부

Claims (15)

  1. 테스트 대상에 해당하는 적어도 하나 이상의 비휘발성 메모리 장치를 삽입하기 위한 적어도 하나 이상의 소켓을 구비하는 테스트보드부;
    상기 비휘발성 메모리 장치 내부의 소비 전류 정보에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치의 동작에 필요한 전원(power)의 공급과 차단을 결정하는 마이크로컨트롤러부; 및
    상기 전원의 공급과 차단에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치에 대한 파워 로스 테스트(power loss test)를 수행하는 테스터부를 포함하고,
    상기 마이크로컨트롤러부는 상기 소비 전류 정보에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치의 소비 전류 패턴을 분석하고, 상기 소비 전류 패턴이 기 설정된 전원 차단 수행 구간임을 나타내면, 상기 소켓을 통하여 상기 전원의 차단을 수행하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 기기.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리 장치는 임베디드 멀티미디어 카드(embedded Multi Media Card; eMMC)인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 기기.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 마이크로컨트롤러부는 상기 테스트보드부 내부에 위치하거나 또는 상기 테스터부 내부에 위치하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 기기.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 테스트보드부는
    상기 비휘발성 메모리 장치에서 소모되는 소비 전류를 모니터링하여 상기 소비 전류 정보를 생성하는 전류 모니터링 모듈; 및
    상기 소켓을 통하여 상기 전원의 공급과 차단을 수행하는 전원 제어 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 기기.
  5. 테스트 대상에 해당하는 적어도 하나 이상의 비휘발성 메모리 장치를 삽입하기 위한 적어도 하나 이상의 소켓을 구비하는 테스트보드부;
    상기 비휘발성 메모리 장치 내부의 동작 상태 정보에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치의 동작에 필요한 전원(power)의 공급과 차단을 결정하는 마이크로컨트롤러부; 및
    상기 전원의 공급과 차단에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치에 대한 파워 로스 테스트(power loss test)를 수행하는 테스터부를 포함하고,
    상기 마이크로컨트롤러부는 상기 동작 상태 정보에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치에 가비지 콜렉션(garbage collection) 동작이 수행될 예상 시점을 판단하고, 상기 예상 시점에 상기 소켓을 통하여 상기 전원의 차단을 수행하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 기기.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 테스트보드부는
    상기 비휘발성 메모리 장치에 상기 가비지 콜렉션 동작이 필요한지 여부를 알려주는 적어도 하나 이상의 상태 레지스터를 모니터링하여 상기 동작 상태 정보를 생성하는 상태 모니터링 모듈; 및
    상기 소켓을 통해 상기 전원의 공급과 차단을 수행하는 전원 제어 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 기기.
  7. 테스트 대상에 해당하는 적어도 하나 이상의 비휘발성 메모리 장치를 삽입하기 위한 적어도 하나 이상의 소켓을 구비하는 테스트보드부;
    상기 비휘발성 메모리 장치 내부의 소비 전류 정보 또는 동작 상태 정보에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치의 동작에 필요한 전원(power)의 공급과 차단을 결정하는 마이크로컨트롤러부; 및
    상기 전원의 공급과 차단에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치에 대한 파워 로스 테스트(power loss test)를 수행하는 테스터부를 포함하고,
    상기 마이크로컨트롤러부는 상기 동작 상태 정보에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치에 가비지 콜렉션(garbage collection) 동작이 수행될 예상 시점을 판단하고, 상기 소비 전류 정보에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치의 소비 전류 패턴을 분석하며, 상기 예상 시점에서 상기 소비 전류 패턴이 기 설정된 전원 차단 수행 구간임을 나타내면, 상기 소켓을 통하여 상기 전원의 차단을 수행하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 기기.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 테스트보드부는
    상기 비휘발성 메모리 장치에서 소모되는 소비 전류를 모니터링하여 상기 소비 전류 정보를 생성하는 전류 모니터링 모듈;
    상기 비휘발성 메모리 장치에 상기 가비지 콜렉션 동작이 필요한지 여부를 알려주는 적어도 하나 이상의 상태 레지스터를 모니터링하여 상기 동작 상태 정보를 생성하는 상태 모니터링 모듈; 및
    상기 소켓을 통하여 상기 전원의 공급과 차단을 수행하는 전원 제어 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 기기.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 테스트보드부는
    상기 소비 전류 정보 및 상기 동작 상태 정보를 저장하는 메모리 모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 기기.
  10. 삭제
  11. 테스트 대상에 해당하는 적어도 하나 이상의 비휘발성 메모리 장치에 연결된 테스트보드부가 상기 비휘발성 메모리 장치 내부의 소비 전류 정보를 생성하는 단계;
    마이크로컨트롤러부가 상기 소비 전류 정보에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치의 동작에 필요한 전원(power)의 공급과 차단을 결정하는 단계; 및
    테스터부가 상기 전원의 공급과 차단에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치에 대한 파워 로스 테스트(power loss test)를 수행하는 단계를 포함하고,
    상기 소비 전류 정보는 상기 비휘발성 메모리 장치에서 소모되는 소비 전류가 모니터링됨으로써 생성되고, 상기 소비 전류 정보에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치의 소비 전류 패턴이 분석되며, 상기 소비 전류 패턴이 기 설정된 전원 차단 수행 구간임을 나타내면, 상기 전원의 차단이 수행되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리 장치는 임베디드 멀티미디어 카드(embedded Multi Media Card; eMMC)인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 방법.
  13. 삭제
  14. 테스트 대상에 해당하는 적어도 하나 이상의 비휘발성 메모리 장치에 연결된 테스트보드부가 상기 비휘발성 메모리 장치 내부의 동작 상태 정보를 생성하는 단계;
    마이크로컨트롤러부가 상기 동작 상태 정보에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치의 동작에 필요한 전원(power)의 공급과 차단을 결정하는 단계; 및
    테스터부가 상기 전원의 공급과 차단에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치에 대한 파워 로스 테스트(power loss test)를 수행하는 단계를 포함하고,
    상기 동작 상태 정보는 상기 비휘발성 메모리 장치에 가비지 콜렉션(garbage collection) 동작이 필요한지 여부를 알려주는 적어도 하나 이상의 상태 레지스터가 모니터링됨으로써 생성되고, 상기 동작 상태 정보에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치에 상기 가비지 콜렉션 동작이 수행될 예상 시점이 판단되며, 상기 예상 시점에 상기 전원의 차단이 수행되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 방법.
  15. 테스트 대상에 해당하는 적어도 하나 이상의 비휘발성 메모리 장치에 연결된 테스트보드부가 상기 비휘발성 메모리 장치 내부의 소비 전류 정보 또는 동작 상태 정보를 생성하는 단계;
    마이크로컨트롤러부가 상기 소비 전류 정보 또는 상기 동작 상태 정보에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치의 동작에 필요한 전원(power)의 공급과 차단을 결정하는 단계; 및
    테스터부가 상기 전원의 공급과 차단에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치에 대한 파워 로스 테스트(power loss test)를 수행하는 단계를 포함하고,
    상기 소비 전류 정보는 상기 비휘발성 메모리 장치에서 소모되는 소비 전류가 모니터링됨으로써 생성되고, 상기 동작 상태 정보는 상기 비휘발성 메모리 장치에 가비지 콜렉션 동작이 필요한지 여부를 알려주는 적어도 하나 이상의 상태 레지스터가 모니터링됨으로써 생성되며,
    상기 동작 상태 정보에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치에 상기 가비지 콜렉션 동작이 수행될 예상 시점이 판단되고, 상기 소비 전류 정보에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 장치의 소비 전류 패턴이 분석되며,
    상기 예상 시점에서 상기 소비 전류 패턴이 기 설정된 전원 차단 수행 구간임을 나타내면, 상기 전원의 차단이 수행되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 파워 로스 테스트 방법.
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