KR20000049745A

KR20000049745A - 반도체 메모리 테스트 장치

Info

Publication number: KR20000049745A
Application number: KR1020000022344A
Authority: KR
Inventors: 이일영; 이상식; 김종현; 박덕춘; 함병수; 함병구
Original assignee: 우상엽; 주식회사 실리콘 테크
Priority date: 2000-04-27
Filing date: 2000-04-27
Publication date: 2000-08-05
Also published as: TW471086B; US6301167B1

Abstract

본 발명은 PC의 주기판을 이용한 반도체 메모리의 테스트시에 PC의 파워 서플라이로부터 공급되는 소정의 전압을 가변하여 공급함으로써 실제 반도체 메모리의 실장환경에서의 동작여부를 정확하게 판단할 수 있도록 한 반도체 메모리 테스트 장치를 제공함에 있다.

본 발명은 PC의 주기판에 설치된 소켓에 반도체 메모리를 장착한 후, PC의 파워 서플라이로부터 공급되는 소정의 전압을 상기 반도체 메모리에 공급하여 반도체 메모리의 정상 또는 불량여부를 테스트하도록 된 반도체 메모리 테스트 장치에 있어서, 상기 PC 주기판의 CPU로부터 제공되는 전원제어신호에 따라 상기 파워 서플라이로부터 공급되는 소정의 전압을 가변하여 상기 반도체 메모리로 출력하는 전원제어모듈과; 상기 전원제어모듈에 상기 PC 주기판의 CPU로부터 출력되는 전원제어신호를 공급하기 위한 인터페이스수단을 구비함을 특징으로 한다.

이러한 본 발명은 PC의 주기판을 이용한 메모리 소자의 테스트시 파워 서플라이에서 공급되는 전압을 다양한 실장환경에서의 전압으로 가변하여 메모리 소자에 공급함으로써 메모리 소자의 테스트 성능을 향상시킬 수 있게 된다.

Description

반도체 메모리 테스트 장치{TEST APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR MEMORY}

본 발명은 반도체 메모리 테스트 장치에 관한 것으로서, 특히 PC의 주기판(Main Board)을 이용한 반도체 메모리 소자(메모리 모듈)의 테스트시에 테스트할 메모리 소자에 인가되는 전압을 가변할 수 있도록 하여 메모리 소자의 실제 실장환경에서의 동작여부를 정확하게 판단할 수 있도록 한 반도체 메모리 테스트 장치에 관한 것이다.

일반적으로 싱크로너스 다이나믹 랜덤 억세스 메모리(SDRAM)나 램버스 디램(RAMBUS DRAM) 또는 스태틱 랜덤 억세스 메모리(SRAM) 등과 같은 반도체 메모리를 이용한 장치에 있어서는, 소자의 조립 공정 후에 내부회로의 특성이나 신뢰성을 검사하기 위해, 조립된 반도체 소자를 소켓에 장착한 후, 고가의 반도체 메모리 테스트를 위한 전문장비를 사용하여 테스트를 실시하고 있다.

그러나 전문 반도체 메모리 테스트 장치는 가격이 고가이기 때문에 하나 하나의 메모리 소자의 테스트에 소요되는 비용이 상승하게 되므로 기업의 가격 경쟁력을 낮출 뿐만 아니라, 메모리 소자가 실제로 설치되어 사용되는 환경이 아닌 별도의 장치에서 테스트되어지기 때문에 메모리 소자가 실제 사용되는 환경인 PC 주기판 등에서는 그 사용 환경 특성을 제대로 구현하지 못하기 때문에 테스트의 정확도가 떨어지고 품질문제를 발생시키는 단점이 있었다.

이와 같은 문제점을 해결하기 위해 최근 반도체 소자 생산업체에서는 반도체 소자를 실제 사용하는 PC의 주기판 자체를 이용한 테스트 방법을 많이 사용하고 있는데, PC의 주기판을 이용한 방법은 주기판에 메모리 모듈이나 반도체 단위 소자를 착탈 가능하게 설치할 수 있게 하기 위해 소켓을 설치한 후, 이 소켓에 테스트할 메모리 모듈이나 단위 메모리 소자를 삽입하고 PC를 가동시킴으로써 반도체 소자가 정상인지 불량인지를 판단한다.

그러나 이러한 방법 역시 PC의 파워 서플라이에서 공급되는 소정의 전압(예 : 3V)만을 테스트할 반도체 메모리 소자(모듈)에 직접 공급하여 테스트함으로써 테스트에 이용되는 PC 이외의 실제로 제품이 사용되는 환경, 즉 실제의 실장환경에서는 테스트의 정확성(공급되는 전압이 변할 경우 테스트 결과가 달라질 수 있음)이 떨어지는 문제점이 있었다.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 PC 주기판에 착탈 가능한 형태의 전원제어모듈을 추가로 설치하여, 정상 또는 불량 여부를 테스트하기 위해 PC 주기판의 소켓에 착탈 가능하게 설치되는 반도체 메모리 소자에 PC의 파워 서플라이로부터 공급되는 소정의 전압을 가변하여 공급함으로써, 실제 반도체 메모리 소자의 실장환경에서의 동작여부를 보다 정확하게 판단할 수 있도록 한 반도체 메모리 테스트 장치를 제공함에 있다.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 메모리 테스트 장치의 개략 구성도.

도 2는 본 발명의 상세 블록 구성도.

도 3는 본 발명의 동작 흐름도 이다.

＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞

10 : 파워 서플라이 20 : 반도체 메모리

30 : 전원제어모듈 31 : 전원 제어부

32 : 과전류 클램프부 40 : 인터페이스부

이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 메모리 소자 테스트 장치는, PC의 주기판에 설치된 소켓에 반도체 메모리를 장착한 후, PC의 파워 서플라이로부터 공급되는 소정의 전압을 상기 반도체 메모리에 공급하여 반도체 메모리의 정상 또는 불량여부를 테스트하도록 된 반도체 메모리 테스트 장치에 있어서, 상기 PC 주기판의 CPU로부터 제공되는 전원제어신호에 따라 상기 파워 서플라이로부터 공급되는 소정의 전압을 가변하여 상기 반도체 메모리로 출력하는 전원제어모듈과; 상기 전원제어모듈에 상기 PC 주기판의 CPU로부터 출력되는 전원제어신호를 공급하기 위한 인터페이스수단을 더 구비함을 특징으로 한다.

상기 전원제어모듈은 상기 인터페이스수단을 통해, PC 주기판의 메모리 테스트를 위한 전압을 인가하기 위한 소켓에, 착탈 가능하도록 카드 형태로 구성되는 것을 특징으로 한다.

이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참조로 하여 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 메모리 테스트 장치의 개략 구성도를 도시한 것으로, PC 주기판(1)의 CPU로부터 제공되는 전원제어신호에 따라 PC의 파워 서플라이로부터 공급되는 소정의 전압을 가변하여 PC 주기판(1)의 메모리 테스트를 위한 특정 소켓에 장착된 반도체 메모리(도시하지 않음)로 출력하는 전원제어모듈(30) 및 상기 PC 주기판(1)의 CPU로부터 제공되는 전원제어신호를 상기 전원제어모듈(30)에 인가해주기 위한 인터페이스부(40)를 나타내고 있으며, 상기 전원제어모듈(30)은 상기 인터페이스부(40)를 통해 상기 PC 주기판(1)의 메모리 테스트를 위한 전압을 인가하기 위한 소켓(2)에 착탈 가능하도록 구성된다.

그리고 상기 전원제어모듈(30)은 본 발명의 보다 상세한 구성 블록을 도시한 도 2에 나타낸 바와 같이, 상기 인터페이스부(40)를 통해 CPU로부터 입력되는 전원제어신호에 따라 파워 서플라이(10)로부터 인가되는 소정의 전압을 가변하여 상기 주기판에 설치되는 반도체 메모리(20)에 공급하는 전원 제어부(31)와, 상기 전원 제어부(31)의 출력단에 연결되어 쇼트 상태나 디바이스의 역삽 등에 의한 과전류로부터 회로를 보호하기 위한 과전류 클램프부(32)로 구성된다.

상기 전원 제어부(31)는 A/D컨버터를 구비하여 상기 인터페이스부(40)를 통해 PC 주기판(1)의 CPU로부터 공급되는 전원제어신호에 따라 파워 서플라이(10)에서 공급되는 소정의 전압을 조정하여 출력하며, 상기 A/D컨버터는 회로소자의 구성상태에 따라 8비트 분해능 또는 12비트 분해능의 A/D컨버터가 사용 가능하다.

상기 인터페이스부(40)는 ISA 슬롯일 수 있으며, 접속되는 구분에 따라 RS232 커넥터 또는 패러럴 포트로 구성될 수 있다.

상기와 같이 구성된 본 발명을 도 3의 흐름도와 함께 설명한다.

먼저, 테스트할 반도체 메모리(20)를 PC 주기판(1)의 테스트를 위한 소켓에 장착한 후(S10), 도시하지 않은 키 입력수단 등을 통하여 테스트 모드를 설정하여(S20) 반도체 메모리(20)의 테스트를 시작하면 PC 주기판(1)의 CPU는 해당 전원제어신호를 출력하게 된다(S30). 이 전원제어신호는 ISA 슬롯 또는 RS232 커넥터 또는 패러럴 포트 등의 인터페이스부(40)를 통해 전원 제어부(31)에 입력된다.

이에 따라 상기 전원 제어부(31)는 파워 서플라이(10)에서 입력되는 소정의 전압을 전원 제어부(31)내에 구비하는 소정의 분해능을 갖는 A/D컨버터를 이용하여 조정하여 반도체 메모리(20)에 입력하게 된다(S40,S50). 물론, 이때 쇼트 상태 또는 디바이스의 역삽 등에 의해 과전류가 발생될 경우 과전류 클램프부(32)에 의해 과전류가 클램프 되어 회로의 보호가 이루어지게 된다.

여기서, 상기 전원 제어부(31)의 동작을 일 예를 들어 설명한다.

작업자의 테스트 모드 설정에 따라 PC 주기판(1)의 CPU가 상기 전원 제어부(31)에서 조정될 전압의 범위가 2.9V∼3.7V에 해당되도록 하는 전원제어신호를 출력하면 전원 제어부(31)에서는 파워 서플라이(10)에서 입력되는 소정의 전압이 2.9V∼3.7V(미설정시에는 노말 유저 모드(Normal User Mode)로 3.3V를 지원할 수 있음)로 출력되도록 하는데, 이때 전원 제어부(31)내의 A/D컨버터(8비트 분해능의 A/D컨버터일 경우)에 의해 상기 2.9V∼3.7V 범위를 2⁸= 256 레벨로 출력하여 다양한 전압이 반도체 메모리(20)에 인가될 수 있도록 한다. 따라서 다양한 전압에 의한 반도체 메모리(20)의 테스트가 가능하게 된다.

그리고 본 발명은 상기 반도체 메모리(20)의 테스트 상태가 도시하지 않은 PC의 모니터를 통하여 디스플레이 되도록 함으로서 테스트 작업자가 테스트 상태를 관찰할 수 있게 된다(S60).

이상의 본 발명은 PC 주기판(1)의 메모리 테스트를 위한 소켓에 장착되는 반도체 메모리(20)의 테스트시에 PC 주기판(1)의 CPU로부터의 전원제어신호에 따라 PC의 시스템 파워를 가변하면서 테스트할 수 있도록 한 것이다.

본 발명은 상기에 기술된 실시 예에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명은, PC의 주기판을 이용한 메모리 소자의 테스트시 PC의 파워 서플라이에서 공급되는 전압을 다양한 실장환경에서의 전압으로 가변하여 메모리 소자에 공급함으로써 반도체 메모리의 테스트 성능을 향상시킬 수 있게 되며, 과전류 발생시 이를 클램프함으로써 회로를 보호할 수 있게 된다.

Claims

PC의 주기판에 설치된 소켓에 반도체 메모리를 장착한 후, PC의 파워 서플라이로부터 공급되는 소정의 전압을 상기 반도체 메모리에 공급하여 반도체 메모리의 정상 또는 불량여부를 테스트하도록 된 반도체 메모리 테스트 장치에 있어서,

상기 PC 주기판의 CPU로부터 제공되는 전원제어신호에 따라 상기 파워 서플라이로부터 공급되는 소정의 전압을 가변하여 상기 반도체 메모리에 공급하는 전원제어모듈과;

상기 전원제어모듈에 상기 PC 주기판의 CPU로부터 출력되는 전원제어신호를 공급하기 위한 인터페이스수단을 더 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 테스트 장치.
제 1 항에 있어서, 상기 전원제어모듈은

상기 인터페이스수단을 통해, PC 주기판의 메모리 테스트를 위한 전압을 인가하기 위한 소켓에, 착탈 가능하도록 카드 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 테스트 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 전원제어모듈은

상기 PC 주기판의 CPU로부터 제공되는 전원제어신호에 따라 상기 파워 서플라이로부터 공급되는 소정의 전압을 소정의 레인지로 조정하여 상기 반도체 메모리로 공급하는 전원 제어수단과;

상기 전원 제어수단과 반도체 메모리 사이에 연결되어 과전류 발생시 과전류를 클램프 하는 과전류 클램프수단을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 테스트 장치.
제 1 항에 있어서, 상기 인터페이스수단은

ISA 슬롯 또는 RS232 커넥터 또는 패러럴 포트인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 테스트 장치.