CN111208349A - 基于FPGA开发板的Nor Flash芯片功耗测试装置及方法 - Google Patents

基于FPGA开发板的Nor Flash芯片功耗测试装置及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111208349A
CN111208349A CN201911409072.0A CN201911409072A CN111208349A CN 111208349 A CN111208349 A CN 111208349A CN 201911409072 A CN201911409072 A CN 201911409072A CN 111208349 A CN111208349 A CN 111208349A
Authority
CN
China
Prior art keywords
flash chip
development board
fpga development
power consumption
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201911409072.0A
Other languages
English (en)
Inventor
张玉
黎永健
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
XTX Technology Shenzhen Ltd
Original Assignee
XTX Technology Shenzhen Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by XTX Technology Shenzhen Ltd filed Critical XTX Technology Shenzhen Ltd
Priority to CN201911409072.0A priority Critical patent/CN111208349A/zh
Publication of CN111208349A publication Critical patent/CN111208349A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R22/00Arrangements for measuring time integral of electric power or current, e.g. electricity meters
    • G01R22/06Arrangements for measuring time integral of electric power or current, e.g. electricity meters by electronic methods

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

本发明公开一种基于FPGA开发板的Nor Flash芯片功耗测试装置及方法,该装置包括FPGA开发板、直流稳压电源及电流表;其中,FPGA开发板,用于提供Nor Flash芯片的测试工位,设置有控制单元,所述控制单元用于发送指令时序对Nor Flash芯片进行测试以及提供时钟信号;直流稳压电源,用于Nor Flash芯片供电;电流表,用于读取Nor Flash芯片的电流;Nor Flash芯片及直流稳压电源通过FPGA开发板的走线连接于FPGA开发板上,电流表在直流稳压电源与Nor Flash芯片断路时与Nor Flash芯片串联进行测试。使用FPGA开发板,线路简单,可以避免外挂电阻以及负载电容对功耗带来的影响,测试所得的功耗值更接近芯片实际的功耗值,测试装置构造简单,测试方法简单。

Description

基于FPGA开发板的Nor Flash芯片功耗测试装置及方法
技术领域
本发明属于Nor Flash芯片测试技术领域,尤其涉及一种基于FPGA开发板的NorFlash芯片功耗测试装置及方法。
背景技术
Nor Flash作为一种存储Nor Flash芯片,通常作为一种程序运行和存储的工具,应用在平板电脑,车载设备,监控和机顶盒等终端设备上。随着行业的发展,Nor Flash的性能指标也越来越严苛,其中一项重要的指标就是Nor Flash的功耗。
目前测量功耗的方法有很多,大多使用的方法(以Nor Flash Nor Flash芯片读数据为例)是在Nor Flash芯片电源端外挂电阻R,记录Nor Flash芯片待机时的工作电压(即Nor Flash芯片电源电压)V1,Nor Flash芯片在读数据时的稳定电压V2,根据计算公式ICC=(V1-V2)/R。虽然这种测试方法可以测出Nor Flash芯片在某种工作状态下的功耗。但是会带来两个问题,第一个问题是由于Nor Flash Nor Flash芯片的读功耗只有几毫安~几十毫安之间,外挂电阻R过大或者过小都将对测试值产生较大的影响。第二个问题是在记录电压V1和V2时,一般使用示波器采样,示波器探头的负载电容也会对测试结果产生较大的影响。
同时,为了更好地评估Nor Flash芯片的性能,一般需要得到Nor Flash NorFlash芯片在不同频率,不同电压,不同指令下功耗的最大值,最小值和典型值。多个影响因素使得测试难度加大,测试结果的不确定性加大。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种基于FPGA开发板的Nor Flash芯片功耗测试装置及方法,旨在避免使用传统测试需外挂电阻、测电压差方法测试功耗所带来的误差。
为实现上述目的,本发明提供了一种基于FPGA开发板的Nor Flash芯片功耗测试装置,包括FPGA开发板、直流稳压电源及电流表;其中
FPGA开发板,用于提供Nor Flash芯片的测试工位,设置有控制单元,所述控制单元用于发送指令时序对Nor Flash芯片进行测试以及提供时钟信号;
直流稳压电源,用于Nor Flash芯片供电;
电流表,用于读取Nor Flash芯片的电流;
Nor Flash芯片及直流稳压电源通过FPGA开发板的走线连接于FPGA开发板上,电流表在直流稳压电源与Nor Flash芯片断路时与Nor Flash芯片串联进行测试。
进一步地,所述控制单元由FPGA开发板上的主控芯片模块、晶振模块、电源分配供给模块、复位模块及JTAG接口模块组成,其中,主控芯片模块用于向Nor Flash发送指令;JTAG接口模块用于编译下载含有指令时序信息的比特率文件;电源分配供给模块用于FPGA开发板上的供电分配;晶振模块提供FPGA开发板各模块工作所需的频率;复位模块用于物理复位。
进一步地,所述电流表的精度为10-5mA。
进一步地,所述主控芯片模块为XC3S500E。
为实现上述目的,作为本发明的另一方面,本发明还提供了一种基于FPGA开发板的Nor Flash芯片功耗测试方法,包括步骤:
基于FPGA开发板编写Verilog测试代码,所述测试代码为Nor Flash芯片待测工作模式的指令时序;
创建含有PLL分频的ISE工程,配置Nor Flash芯片的频率;
通过烧录器将指令时序写入Nor Flash芯片,以使Nor Flash芯片获得指令时序;
接入直流稳压电源,设定Nor Flash芯片的电压;
串联电流表至Nor Flash芯片的通路上,对FPGA开发板进行复位操作,稳定后获得Nor Flash芯片的功耗。
相较于现有技术,本发明所述基于FPGA开发板的Nor Flash芯片功耗测试方法及装置采用上述技术方案,可以简单的测试出Nor Flash芯片在不同的工作模式和不同的变量下的功耗。使用FPGA开发板,线路简单,可以避免外挂电阻以及负载电容对功耗带来的影响,测试所得的功耗值更接近芯片实际的功耗值,测试装置构造简单,测试方法简单。
附图说明
图1是本发明基于FPGA开发板的Nor Flash芯片功耗测试装置示意图;
图2是本发明基于FPGA开发板的Nor Flash芯片功耗测试方法流程图。
本发明目的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成上述目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例,对本发明的具体实施方式、结构、特征及其功效进行详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
参照图1所示,图1是本发明基于FPGA开发板的Nor Flash芯片功耗测试装置图,所述基于FPGA开发板的Nor Flash芯片功耗测试装置包括:FPGA开发板、直流稳压电源及电流表;其中FPGA开发板,用于提供Nor Flash芯片的测试工位,设置有控制单元,所述控制单元用于发送指令时序对Nor Flash芯片进行测试以及提供时钟信号;直流稳压电源,用于NorFlash芯片供电;电流表,用于读取Nor Flash芯片的电流;Nor Flash芯片及直流稳压电源通过FPGA开发板的走线连接于FPGA开发板上,电流表在直流稳压电源与Nor Flash芯片断路时与Nor Flash芯片串联进行测试。
对于本申请,具体的,待测的Nor Flash芯片通过SPI测试位设置于FPGA开发板上;Nor Flash芯片由Nor Flash专用的底座构成,底座的八个引脚分别和控制单元,直流稳压电源相连。
控制单元用于发送指令对Nor Flash芯片进行测试及提供时钟信号,所述指令为Nor Flash芯片的测试工作模式的选择。
具体的,控制单元由FPGA开发板上的主控芯片模块、晶振模块、电源分配供给模块、复位模块及JTAG接口模块组成,其中,主控芯片模块负责向Nor Flash发送指令,在本实施例中采用的主控芯片为XC3S500E;JTAG接口模块负责编译下载含有相关指令信息的比特率文件;电源分配供给模块负责FPGA开发板上的供电分配;晶振模块提供FPGA开发板各模块工作所需的频率;复位模块为物理复位。
直流稳压电源用于给待测试的NOR Flash芯片提供相应的测试电压。
电流表用于读取Nor Flash芯片的电流;本发明中采用的电流表为高精度电流表,其精度可达10-5mA。在功耗测试时将直流稳压电源与Nor Flash芯片相连的线断开,将高精度的电流表串联进去,Nor Flash芯片芯片在要求的测试条件下稳定工作时,电流表的示数便为此种测试条件下的功耗。Nor Flash的功耗一般为几个毫安到几十个毫安,在进行测试时,可直接读取相应的电流值即为相应条件下的Nor Flash芯片功耗。
本发明还提供了基于FPGA开发板的Nor Flash芯片功耗测试方法,结合图2,图2是本发明基于FPGA开发板的Nor Flash芯片功耗测试方法流程图;其功耗测试包括步骤:
S10、基于FPGA开发板编写Verilog测试代码,所述测试代码为Nor Flash芯片待测工作模式的指令时序。
由于使用FPGA开发板,测试代码用Verilog语言进行编写,使得芯片测试的工作模式可调。
对于Nor Flash芯片来说,其读操作分为SPI Read和QPI Read,其中SPI Read又分为单I/O、双I/O、四I/O读、QPI Read为四I/O读。在本实施例中以SPI Read中单I/O读操作03H为例,在此步骤中,编写的Verilog测试代码通过编译下载,向待测的Nor Flash芯片提供单I/O的读指令时序。
S20、创建含有PLL分频的ISE工程,配置Nor Flash芯片的频率。
此步骤中,在ISE工程中使用PLL分频,使得测试变量中的频率可调至任意频率,以此设置Nor Flash芯片的不同待测频率。
在此实施例中,设定单I/O读操作的频率为f。
S30、通过烧录器将指令时序写入Nor Flash芯片,以使Nor Flash芯片获得指令时序。
加载指令时序的在Nor Flash芯片指定的待测工作模式及设定的频率下工作,所述Nor Flash芯片通过Nor Flash专用的底座设置于FPGA开发板上。
对于SPI Read中单I/O读操作,测试单I/O读操作最大功耗全片数据为55H,最小功耗为00H/FFH,典型值为66H,在此实施例设定以功耗的最大值55H为例。
S40、接入直流稳压电源,设定Nor Flash芯片的电压。
本实施例FPGA的开发板是为了对Nor Flash芯片测试布局布线,直流稳压电源直接与所需要测试的Nor Flash芯片耦接,其提供的电压是直接对Nor Flash供电,Nor Flash芯片的工作电压不会受到FPGA开发板上其他线路的影响,接入的直流稳压电源设定电压即为Nor Flash芯片的待测电压V;
S50、串联电流表至Nor Flash芯片的通路上,对FPGA开发板进行复位操作,稳定后获得Nor Flash芯片的功耗。
测试时将直流稳压电源与Nor Flash芯片相连的线断开,将高精度的电流表串联进去,调节电流表至合适量程,按下FPGA开发板上的复位键,Nor Flash芯片在要求的测试条件下稳定工作时,电流表的示数即为测试条件功耗。
本实施中,由于此时Nor Flash芯片全片数据是55H,稳定后从电流表中读取功耗值ICC即为Nor Flash芯片在频率f,电压V下的单I/O读操作下最大功耗值ICC。
本发明使用FPGA开发板,线路简单,没有额外的电阻和负载电容,将外界的影响降到最低,故而测试所得的功耗值更接近Nor Flash芯片实际的功耗值。同时,由于使用FPGA开发板,测试代码用Verilog语言进行编写,使得Nor Flash芯片测试的工作模式可调;ISE工程中使用PLL分频,使得测试变量中的频率可调至任意频率;直流稳压电源的电压可调,使得测试变量中的电压可调至精准的电压。每个变量之间的调整互相不受影响,使得NorFlash芯片在特定的工作模式,特定的电压和特定的频率下,功耗的测试值更加准确。
以上仅为本发明的优选实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效功能变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (5)

1.一种基于FPGA开发板的Nor Flash芯片功耗测试装置,其特征在于,包括FPGA开发板、直流稳压电源及电流表;其中
FPGA开发板,用于提供Nor Flash芯片的测试工位,设置有控制单元,所述控制单元用于发送指令时序对Nor Flash芯片进行测试以及提供时钟信号;
直流稳压电源,用于Nor Flash芯片供电;
电流表,用于读取Nor Flash芯片的电流;
Nor Flash芯片及直流稳压电源通过FPGA开发板的走线连接于FPGA开发板上,电流表在直流稳压电源与Nor Flash芯片断路时与Nor Flash芯片串联进行测试。
2.根据权利要求1所述的基于FPGA开发板的Nor Flash芯片功耗测试装置,其特征在于,所述控制单元由FPGA开发板上的主控芯片模块、晶振模块、电源分配供给模块、复位模块及JTAG接口模块组成,其中,主控芯片模块用于向Nor Flash发送指令;JTAG接口模块用于编译下载含有指令时序信息的比特率文件;电源分配供给模块用于FPGA开发板上的供电分配;晶振模块提供FPGA开发板各模块工作所需的频率;复位模块用于物理复位。
3.根据权利要求2所述的基于FPGA开发板的Nor Flash芯片功耗测试装置,其特征在于,所述电流表的精度为10-5mA。
4.根据权利要求3所述的基于FPGA开发板的Nor Flash芯片功耗测试装置,其特征在于,所述主控芯片模块为XC3S500E。
5.一种基于FPGA开发板的Nor Flash芯片功耗测试方法,其特征在于,包括步骤:
基于FPGA开发板编写Verilog测试代码,所述测试代码为Nor Flash芯片待测工作模式的指令时序;
创建含有PLL分频的ISE工程,配置Nor Flash芯片的频率;
通过烧录器将指令时序写入Nor Flash芯片,以使Nor Flash芯片获得指令时序;
接入直流稳压电源,设定Nor Flash芯片的电压;
串联电流表至Nor Flash芯片的通路上,对FPGA开发板进行复位操作,稳定后获得NorFlash芯片的功耗。
CN201911409072.0A 2019-12-31 2019-12-31 基于FPGA开发板的Nor Flash芯片功耗测试装置及方法 Pending CN111208349A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911409072.0A CN111208349A (zh) 2019-12-31 2019-12-31 基于FPGA开发板的Nor Flash芯片功耗测试装置及方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911409072.0A CN111208349A (zh) 2019-12-31 2019-12-31 基于FPGA开发板的Nor Flash芯片功耗测试装置及方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111208349A true CN111208349A (zh) 2020-05-29

Family

ID=70788353

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911409072.0A Pending CN111208349A (zh) 2019-12-31 2019-12-31 基于FPGA开发板的Nor Flash芯片功耗测试装置及方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111208349A (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103744467A (zh) * 2013-12-16 2014-04-23 浙江大学 用于微小卫星电源系统的太阳能电池最大功率追踪装置及其控制方法
CN104820787A (zh) * 2015-05-13 2015-08-05 西安电子科技大学 基于fpga芯片的电路系统功耗预测方法
CN108732483A (zh) * 2017-04-20 2018-11-02 致茂电子(苏州)有限公司 具突波保护的测试装置以及测试方法
CN108731827A (zh) * 2017-04-19 2018-11-02 深圳市中兴微电子技术有限公司 一种芯片表面温度测量系统及方法
CN109243993A (zh) * 2018-09-06 2019-01-18 长鑫存储技术有限公司 半导体芯片、半导体芯片电性测试电路及方法
CN110297171A (zh) * 2019-06-14 2019-10-01 合肥格易集成电路有限公司 一种芯片的功耗测试系统和设备

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103744467A (zh) * 2013-12-16 2014-04-23 浙江大学 用于微小卫星电源系统的太阳能电池最大功率追踪装置及其控制方法
CN104820787A (zh) * 2015-05-13 2015-08-05 西安电子科技大学 基于fpga芯片的电路系统功耗预测方法
CN108731827A (zh) * 2017-04-19 2018-11-02 深圳市中兴微电子技术有限公司 一种芯片表面温度测量系统及方法
CN108732483A (zh) * 2017-04-20 2018-11-02 致茂电子(苏州)有限公司 具突波保护的测试装置以及测试方法
CN109243993A (zh) * 2018-09-06 2019-01-18 长鑫存储技术有限公司 半导体芯片、半导体芯片电性测试电路及方法
CN110297171A (zh) * 2019-06-14 2019-10-01 合肥格易集成电路有限公司 一种芯片的功耗测试系统和设备

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
刘睿强: "《FPGA应用技术及实践》", 30 June 2016, 北京理工大学出版社 *
周立功: "《SOPC嵌入式系统实验教程》", 30 November 2006, 北京航空航天大学出版社 *
李卫平: "《运动控制系统原理与应用》", 30 June 2013, 华中科技大学出版社 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6549000B2 (en) Semiconductor device testing apparatus having timing hold function
US9140752B2 (en) Tester hardware
US20150066417A1 (en) Test system
US7852099B1 (en) Frequency trimming for internal oscillator for test-time reduction
US3621387A (en) Computer-controlled tester for integrated circuit devices
CN102565676B (zh) 晶体振荡器参数自动化测量仪
US20150051863A1 (en) Test system
CN103792498A (zh) 一种电源自动测试方法
US20120124441A1 (en) Embedded testing module and testing method thereof
CN112649719B (zh) 一种芯片中线性稳压器的测试方法、装置以及设备
CN108564984B (zh) 一种闪存芯片测试方法和系统
CN115291085A (zh) 射频封装芯片的测试系统及方法
CN115184759A (zh) 一种识别晶振激发性跳变的频率/温度特性测试方法及系统
CN114115427A (zh) 一种SoC中基于EFLASH加载的LDO校准方法
US6826103B2 (en) Auto-tuneable reference circuit for flash EEPROM products
CN111208349A (zh) 基于FPGA开发板的Nor Flash芯片功耗测试装置及方法
CN103901382A (zh) 一种时间电流表的校准检测装置
CN108508378B (zh) 一种电源启动特性的测试方法及系统
CN113406473B (zh) 一种芯片测试方法、装置、终端设备及存储介质
CN115587000A (zh) 一种高速接口板级应用验证方法及其装置
US9645195B2 (en) System for testing integrated circuit
US20020049942A1 (en) Analog/digital characteristics testing device and IC testing apparatus
EP3112885B1 (en) Devices and methods for testing integrated circuits
CN103185847A (zh) 辅助测试装置
Ana-Maria et al. Stand for the functional testing automation of the electronic modules

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200529