CN108564984B - 一种闪存芯片测试方法和系统 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种闪存芯片测试方法和系统,涉及芯片测试技术领域。其中,所述方法包括:将校准装置接口板和PMU测量单元连接;PMU测量单元和PC连接;闪存芯片接口板和校准装置接口板等位替换;使PMU测量单元接收PC发送的第一输出指令;PMU测量单元向校准装置接口板提供稳定的第一初始电源;PMU测量单元同时测试校准装置对应的第一测试电压和第一测试电流;PMU测量单元将第一测试电压和第一测试电流反馈给PC;PC配置第一校准参数;然后校准PMU测量单元;将闪存芯片接口板等位替换校准装置接口板,测试闪存芯片,能够实现自动化校准,同时使校准线路与实际测试线路一致,提高闪存芯片的测量精度。

Description

一种闪存芯片测试方法和系统
技术领域
本发明涉及芯片测试技术领域,尤其涉及一种闪存芯片测试方法和系统。
背景技术
在闪存的芯片调试阶段,对一些内部阈值电压和导通电流的测试中,测试精度需要达到1mv小电压或者1uA小电流精密刻度,对测试仪器的精度要求比较高。
在闪存芯片电压电流测量领域,一般都采用图1的原理进行参数测量,这种结构称为开尔文连接。从左往右是供电线路,负责给后端被测器件提供电源。下方从右往左是测量通道,负责把实施直流参数反馈回控制端。
在图1中,[05]负载端实际电压值通过ADC模数(Analog-to-Digital Converter,模数转换器)转换系统反馈到[01]控制端,电流值根据欧姆定律,由[03]感应电阻两端的压降除以R电阻计算所得。
现有的芯片测试领域,参照图2,通常采用由[11]PMU(Parametric MeasurementUnit,参数测量单元)供电和[12]校准装置以及其功能系统组成的专用ATE(AutomaticTest Equipment,自动测试仪)自动测试设备,这种设备一般体型庞大、价格昂贵。同时我们在使用中发现,对于一些小电压刻度以及弱电流的测试中,其精度很难达到要求。
主要原因在于其校准线路与实际测试线路并不一致。对比图1的原理结构,在校准中[05]Rload(负载)对应的是[14]校准装置,供电是直接到校准装置的,中间没有经过其他通道;而在芯片测试时,[05]对应的是[13]闪存芯片,中间需要经过[12]接口板,以及负责连接两个系统的连接器,也就是图1中[04]环节差异比较大导致的。线长压降、接触电阻、以及环路干扰都会降低测量精度。
发明内容
本发明提供一种闪存芯片测试方法和系统,以解决现有技术中,由于校准线路与实际线路的差异,降低测量精度的问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种闪存芯片测试方法,应用于闪存芯片测试系统,所述系统的包括:PC,PMU测量单元、校准装置接口板、闪存芯片接口板;其中,所述校准装置接口板包括:校准装置和接口板;所述校准装置接口板和所述PMU测量单元连接;所述PMU测量单元和所述PC连接;所述闪存芯片接口板和所述校准装置接口板等位替换;
所述方法,包括:
所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令;其中,所述第一输出指令包括:第一输出电压指令或第一输出电流指令;
所述PMU测量单元根据所述第一输出指令,向所述校准装置接口板提供稳定的第一初始电源;其中,所述第一初始电源包括:第一初始电流或第一初始电压;
所述PMU测量单元在提供稳定的第一初始电源的同时,测试所述校准装置对应的第一测试电压和第一测试电流;
所述PMU测量单元将所述第一测试电压和所述第一测试电流反馈给所述PC;
所述PC根据所述第一输出指令、所述第一测试电压、第一测试电流和所述校准装置,配置第一校准参数;
所述PMU测量单元根据所述第一校准参数校准所述PMU测量单元;
将所述闪存芯片接口板等位替换所述校准装置接口板后,并采用经过第一校准参数校准后的所述PMU测量单元测试所述闪存芯片。
优选地,所述系统还包括:高精度测量仪器;其中,所述高精度测量仪器与所述校准装置接口板连接,且所述高精度测量仪器与所述PC连接;
则所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令的步骤之前,还包括:
所述PMU测量单元接收所述PC发送的第二输出指令;其中,所述第二输出指令包括:第二输出电压指令或第二输出电流指令;
所述PMU测量单元根据所述第二输出指令,向所述校准装置接口板提供稳定的第二初始电源;其中,所述第二初始电源包括:第二初始电流或第二初始电压;
所述高精度测量仪器测试所述校准装置接口板的第二测试电压,并将所述第二测试电压反馈给所述PC;
所述PC根据所述第二测试电压和所述第二输出指令,配置所述第二校准参数;
当所述PC将所述第二校准参数发送给所述PMU测量单元后,所述PMU测量单元根据第二校准参数校准所述PMU测量单元;
则所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令的步骤,包括:
采用经过所述第二校准参数校准后的所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令。
优选地,所述PC根据所述第一输出指令、所述第一测试电压、第一测试电流和所述校准装置,配置第一校准参数的步骤,包括:
所述PC根据所述第一输出指令和所述校准装置,获取对应的第一标准电压和第一标准电流;
所述PC计算所述第一标准电压和所述第一测试电压的电压差值,同时计算所述第一标准电流和所述第一测试电流的电流差值;
所述PC根据所述电压差值和所述电流差值,配置第一校准参数。
优选地,当所述第二输出指令为所述第二输出电压指令时,则所述PC根据所述第二测试电压和所述第二输出指令,配置所述第二校准参数的步骤,包括:
所述PC计算所述第二测试电压和所述第二输出电压指令的第二电压差值;
所述PC根据所述第二电压差值,配置所述第二标准参数。
优选地,当所述第二输出指令为所述第二输出电流指令时,则所述PC根据所述第二测试电压和所述第二输出指令,配置所述第二校准参数的步骤,包括:
所述PC获取所述校准装置接口板的第一电阻;
所述PC根据所述第一电阻和所述第二输出电流指令,计算第一电压;
所述PC计算所述第二测试电压和所述第一电压的第三电压差值;
所述PC根据所述第三电压差值,配置所述第二标准参数。
第二方面,本发明实施例提供了一种闪存芯片测试系统,所述系统的包括:PC,PMU测量单元、校准装置接口板、闪存芯片接口板;其中,所述校准装置接口板包括:校准装置和接口板;所述校准装置接口板和所述PMU测量单元连接;所述PMU测量单元和所述PC连接;所述闪存芯片接口板和所述校准装置接口板等位替换;
所述系统,还包括:
第一接收模块,用于所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令;其中,所述第一输出指令包括:第一输出电压指令或第一输出电流指令;
第一初始电源提供模块,用于所述PMU测量单元根据所述第一输出指令,向所述校准装置接口板提供稳定的第一初始电源;其中,所述第一初始电源包括:第一初始电流或第一初始电压;
第一测试模块,用于所述PMU测量单元在提供稳定的第一初始电源的同时,测试所述校准装置对应的第一测试电压和第一测试电流;
第一反馈模块,用于所述PMU测量单元将所述第一测试电压和所述第一测试电流反馈给所述PC;
第一配置模块,用于所述PC根据所述第一输出指令、所述第一测试电压、第一测试电流和所述校准装置,配置第一校准参数;
第一校准模块,用于所述PMU测量单元根据所述第一校准参数校准所述PMU测量单元;
第二测试模块,用于将所述闪存芯片接口板等位替换所述校准装置接口板后,并采用经过第一校准参数校准后的所述PMU测量单元测试所述闪存芯片。
优选地,所述系统还包括:高精度测量仪器;其中,所述高精度测量仪器与所述校准装置接口板连接,且所述高精度测量仪器与所述PC连接;
则所述系统,还包括:
第二接收模块,用于所述PMU测量单元接收所述PC发送的第二输出指令;其中,所述第二输出指令包括:第二输出电压指令或第二输出电流指令;
第二初始电源提供模块,用于所述PMU测量单元根据所述第二输出指令,向所述校准装置接口板提供稳定的第二初始电源;其中,所述第二初始电源包括:第二初始电流或第二初始电压;
第三测试模块,用于所述高精度测量仪器测试所述校准装置接口板的第二测试电压,并将所述第二测试电压反馈给所述PC;
第二配置模块,用于所述PC根据所述第二测试电压和所述第二输出指令,配置所述第二校准参数;
第二校准模块,用于当所述PC将所述第二校准参数发送给所述PMU测量单元后,所述PMU测量单元根据第二校准参数校准所述PMU测量单元;
则所述第一接收模块,包括:
第一接收单元,用于采用经过所述第二校准参数校准后的所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令。
优选地,所述第一配置模块,包括:
第一获取单元,用于所述PC根据所述第一输出指令和所述校准装置,获取对应的第一标准电压和第一标准电流;
第一计算单元,用于所述PC计算所述第一标准电压和所述第一测试电压的电压差值,同时计算所述第一标准电流和所述第一测试电流的电流差值;
第一配置单元,用于所述PC根据所述电压差值和所述电流差值,配置第一校准参数。
优选地,当所述第二输出指令为所述第二输出电压指令时,所述第二配置模块,包括:
第二计算单元,用于所述PC计算所述第二测试电压和所述第二输出电压指令的第二电压差值;
第二配置单元,用于所述PC根据所述第二电压差值,配置所述第二标准参数。
优选地,当所述第二输出指令为所述第二输出电流指令时,所述第二配置模块,包括:
第二获取单元,用于所述PC获取所述校准装置接口板的第一电阻;
第三计算单元,用于所述PC根据所述第一电阻和所述第二输出电流指令,计算第一电压;
第四计算单元,用于所述PC计算所述第二测试电压和所述第一电压的第三电压差值;
第三配置单元,用于所述PC根据所述第三电压差值,配置所述第二标准参数。
在本发明实施例中,通过将校准装置接口板和PMU测量单元连接;PMU测量单元和PC连接;闪存芯片接口板和校准装置接口板等位替换;使PMU测量单元接收PC发送的第一输出指令;PMU测量单元根据第一输出指令,向校准装置接口板提供稳定的第一初始电源;PMU测量单元在提供稳定的第一初始电源的同时,测试校准装置对应的第一测试电压和第一测试电流;PMU测量单元将第一测试电压和第一测试电流反馈给PC;PC配置第一校准参数;然后校准PMU测量单元;将闪存芯片接口板等位替换校准装置接口板,并采用经过第一校准参数校准后的所述PMU测量单元测试所述闪存芯片,能够实现自动化校准,同时使校准线路与实际测试线路一致,提高闪存芯片的测量精度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了本发明实施例中闪存芯片测试时使用的原理示意图;
图2示出了现有技术在测试闪存芯片时,使用的测试系统示意图;
图3示出了本发明实施例一中的一种闪存芯片测试系统的示意图;
图4示出了本发明实施例一中的一种闪存芯片测试方法的流程图;
图5示出了本发明实施例二中的一种闪存芯片测试系统的示意图
图6示出了本发明实施例二中的一种闪存芯片校准方法的流程图;
图7示出了本发明实施例三中的一种闪存芯片测试系统的结构框图;
图8示出了本发明实施例三中的一种校准闪存芯片测试系统的结构框图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例。虽然附图中显示了本发明的示例性实施例,然而应当理解,可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施例所限制。相反,提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本发明,并且能够将本发明的范围完整的传达给本领域的技术人员。
在本发明实施例中,闪存芯片测试系统包括PC(personal computer,计算机),PMU测量单元(Parametric Measurement Unit,参数测量单元)、校准装置接口板、闪存芯片接口板;其中,参照图3,所述校准装置接口板包括:校准装置和接口板;所述校准装置接口板和所述PMU测量单元连接;所述PMU测量单元和所述PC连接;所述闪存芯片接口板和所述校准装置接口板等位替换;所述闪存芯片接口板包括闪存芯片和接口板。
在本发明实施例中,PMU用于精确的电参数测量,它能驱动电流进入器件而去量测电压或者为器件加上电压而去量测产生的电流。
在本发明实施例中,校准装置对应的接口板和闪存芯片对应的接口板的结构可以完全相同,也可以不同,在结构不同时,需保证电阻差值在预设误差范围之内。
在本发明实施例中,校准装置接口板和闪存芯片接口板是属于等位替换的关系,即PMU测量单元给校准装置接口板和闪存芯片接口板提供电源的方式是相同的,电流从PMU测量单元到校准装置和闪存芯片经历的路径是相同的。
在本发明实施例中,PMU测量单元同时只能选择校准装置接口板和闪存芯片接口板中的一个进行连接。
实施例一
参照图4,示出了本发明实施例一的闪存芯片测试方法的流程图,具体可以包括如下步骤:
步骤101,所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令;其中,所述第一输出指令包括:第一输出电压指令或第一输出电流指令。
在本发明实施例中,PMU测量单元和PC连接,PC用来控制PMU测量单元。用户可以在PC上按照预设的格式输入第一输出指令,其中第一输出指令可以是指示PMU测量单元输出的电压值或输出的电流值。同时输出指令也可以包括:输出的电压值或电流值的变化速度,本发明对此不加以限制。
步骤102,所述PMU测量单元根据所述第一输出指令,向所述校准装置接口板提供稳定的第一初始电源;其中,所述第一初始电源包括:第一初始电流或第一初始电压。
在本发明实施例中,在校准过程中,PMU测量单元用于向校准装置接口板提供稳定的电源。在测试过程中,PMU测量单元用于向闪存芯片接口板提供稳定的电源。例如,向校准装置接口板提供稳定的3V电压,或稳定的1A的电流。
步骤103,所述PMU测量单元在提供稳定的第一初始电源的同时,测试所述校准装置对应的第一测试电压和第一测试电流。
在本发明实施例中,采用校准装置对PMU测量单元进行校准。
在本发明实施例中,参照图1,在校准过程中,PMU测量单元相当于图1中的[01],接口板相当于图1中的[04],校准装置相当于图1中的[05]。即在本发明实施例中,PMU测量单元向整个电路提供稳定的电源,同时测试校准装置的电流和电压。
步骤104,所述PMU测量单元将所述第一测试电压和所述第一测试电流反馈给所述PC。
在本发明实施例中,PMU测量单元需将测试校准装置的第一测试电压和所述第一测试电流反馈给所述PC。
步骤105,所述PC根据所述第一输出指令、所述第一测试电压、第一测试电流和所述校准装置,配置第一校准参数。
优选地,步骤105包括:所述PC根据所述第一输出指令和所述校准装置,获取对应的第一标准电压和第一标准电流;所述PC计算所述第一标准电压和所述第一测试电压的电压差值,同时计算所述第一标准电流和所述第一测试电流的电流差值;所述PC根据所述电压差值和所述电流差值,配置第一校准参数。
在本发明实施例中,事先在PC的数据库中,存储有校准装置在不同第一输出指令下对应的第一标准电压和第一标准电流。如表一:
Figure BDA0001527352640000091
表一
在本发明实施例中,校准装置在不同的第一输出指令下对应有标准电压和标准电流值,即校准装置在不同的电压下具有对应的电流值,或在不同的电流下具有对应的电压值,当在第一输出指令下,PMU测量单元测试的校准装置的第一测试电压和第一标准电压不同,或第一测试电流和第一标准电流不同,则需要对PMU测量单元进行校准。在本发明实施例中,根据电压差值和电流差值,配置第一校准参数。
步骤106,所述PMU测量单元根据所述第一校准参数校准所述PMU测量单元。
PMU测量单元根据PC配置的第一校准参数,对PMU测量单元进行校准。
步骤107,将所述闪存芯片接口板等位替换所述校准装置接口板后,并采用经过第一校准参数校准后的所述PMU测量单元测试所述闪存芯片。
在本发明实施例中,将所述闪存芯片接口板等位替换所述校准装置接口板后。即在闪存芯片测试中,图1中的[04]和[05]等位替换闪存芯片接口板,即[04]依旧是接口板,[05]为闪存芯片。
在本发明实施例中,电源从PMU测量单元到校准装置和闪存芯片的过程是相同的。校准线路与实际测试线路一致,降低测量的误差,提高闪存芯片测量的精度。
在本发明实施例中,采用与测试时相同的线路对PMU测量单元,能够降低由于外部线路连接对测量造成的误差。
在本发明实施例中,通过将校准装置接口板和PMU测量单元连接;PMU测量单元和PC连接;闪存芯片接口板和校准装置接口板等位替换;使PMU测量单元接收PC发送的第一输出指令;PMU测量单元根据第一输出指令,向校准装置接口板提供稳定的第一初始电源;PMU测量单元在提供稳定的第一初始电源的同时,测试校准装置对应的第一测试电压和第一测试电流;PMU测量单元将第一测试电压和第一测试电流反馈给PC;PC配置第一校准参数;然后校准PMU测量单元;将闪存芯片接口板等位替换校准装置接口板,并采用经过第一校准参数校准后的所述PMU测量单元测试所述闪存芯片,能够实现自动化校准,同时使校准线路与实际测试线路一致,提高闪存芯片的测量精度。
实施例二
参照图5,本发明系统还包括高精度测量仪器;其中,所述高精度测量仪器与所述校准装置接口板连接,且所述高精度测量仪器与所述PC连接。
参照图6,示出了本发明实施例二的一种闪存芯片校准方法的流程图,具体可以包括如下步骤:
步骤201,所述PMU测量单元接收所述PC发送的第二输出指令;其中,所述第二输出指令包括:第二输出电压指令或第二输出电流指令。
参照步骤101,在此不再详述。
步骤202,所述PMU测量单元根据所述第二输出指令,向所述校准装置接口板提供稳定的第二初始电源;其中,所述第二初始电源包括:第二初始电流或第二初始电压。
参照步骤102,在此不再详述。
步骤203,所述高精度测量仪器测试所述校准装置接口板的第二测试电压,并将所述第二测试电压反馈给所述PC。
在本发明实施例中,高精度测量仪器测试所述校准装置接口板的电压,即目的是准确测试PMU测量单元输出电压。并将所述输出电压反馈给所述PC。
步骤204,所述PC根据所述第二测试电压和所述第二输出指令,配置所述第二校准参数。
优选的,在本发明实施例中,当所述第二输出指令为所述第二输出电压指令时,步骤204包括:所述PC计算所述第二测试电压和所述第二输出电压指令的第二电压差值;所述PC根据所述第二电压差值,配置所述第二标准参数。
当所述第二输出指令为所述第二输出电流指令时,步骤204包括:所述PC获取所述校准装置接口板的第一电阻;所述PC根据所述第一电阻和所述第二输出电流指令,计算第一电压;所述PC计算所述第二测试电压和所述第一电压的第三电压差值;所述PC根据所述第三电压差值,配置所述第二标准参数。
在本发明实施例中,高精度测量仪器的目的是为了测试PMU测量单元存在的误差。例如,当第二输出指令指示PMU测量单元输出3V电压,而高精度测量仪器测量到PMU测量单元实质输出的是2.7V电压,即PMU测量单元自身即存在误差,需要校准。
在本发明实施例中,PC根据第二输出指令和接收到高精度测量仪器测量的第二测量电压的差值,配置第二校准参数。
步骤205,当所述PC将所述第二校准参数发送给所述PMU测量单元后,所述PMU测量单元根据第二校准参数校准所述PMU测量单元。
在本发明实施例中,PMU测量单元根据第二校准参数对PMU测量单元进行校准。
则实施例1中的步骤101,包括:采用经过所述第二校准参数校准后的所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令。
在本发明实施例中,采用高精度测量仪器对PMU测量单元的仪器误差进行校准后,进入步骤101,使用实施例一,对闪存芯片的测试系统的线路误差进行校准。
在本发明实施例中,通过连接高精度测量仪器对PMU测量单元的仪器误差进行校准。通过在校准装置前连接口板,使校准线路和实际测试线路一致提高闪存芯片的测量精度。
实施例三
参照图7,示出了本发明实施例三的一种闪存芯片测试系统的结构框图,所述系统的包括:PC310,PMU测量单元320、校准装置接口板330、闪存芯片接口板340;其中,所述校准装置接口板330包括:校准装置331和接口板332;所述校准装置接口板330和所述PMU测量单元320连接;所述PMU测量单元320和所述PC310连接;所述闪存芯片接口板340和所述校准装置接口板330等位替换;
所述闪存芯片测试系统还包括:
第一接收模块321,用于所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令;其中,所述第一输出指令包括:第一输出电压指令或第一输出电流指令;
第一初始电源提供模块322,用于所述PMU测量单元根据所述第一输出指令,向所述校准装置接口板提供稳定的第一初始电源;其中,所述第一初始电源包括:第一初始电流或第一初始电压;
第一测试模块323,用于所述PMU测量单元在提供稳定的第一初始电源的同时,测试所述校准装置对应的第一测试电压和第一测试电流;
第一反馈模块324,用于所述PMU测量单元将所述第一测试电压和所述第一测试电流反馈给所述PC;
第一配置模块311,用于所述PC根据所述第一输出指令、所述第一测试电压、第一测试电流和所述校准装置,配置第一校准参数;
第一校准模块325,用于所述PMU测量单元根据所述第一校准参数校准所述PMU测量单元;
第二测试模块326,用于将所述闪存芯片接口板等位替换所述校准装置接口板后,并采用经过第一校准参数校准后的所述PMU测量单元测试所述闪存芯片。
则所述第一接收模块,包括:
第一接收单元,用于采用经过所述第二校准参数校准后的所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令。
所述第一配置模块311,包括:
第一获取单元,用于所述PC根据所述第一输出指令和所述校准装置,获取对应的第一标准电压和第一标准电流;
第一计算单元,用于所述PC计算所述第一标准电压和所述第一测试电压的电压差值,同时计算所述第一标准电流和所述第一测试电流的电流差值;
第一配置单元,用于所述PC根据所述电压差值和所述电流差值,配置第一校准参数。
可选地,在图7的基础上,参照图8,所述系统还包括高精度测量仪器350:
则所述系统,还包括:
第二接收模块327,用于所述PMU测量单元接收所述PC发送的第二输出指令;其中,所述第二输出指令包括:第二输出电压指令或第二输出电流指令;
第二初始电源提供模块328,用于所述PMU测量单元根据所述第二输出指令,向所述校准装置接口板提供稳定的第二初始电源;其中,所述第二初始电源包括:第二初始电流或第二初始电压;
第三测试模块351,用于所述高精度测量仪器测试所述校准装置接口板的第二测试电压,并将所述第二测试电压反馈给所述PC;
第二配置模块312,用于所述PC根据所述第二测试电压和所述第二输出指令,配置所述第二校准参数;
第二校准模块329,用于当所述PC将所述第二校准参数发送给所述PMU测量单元后,所述PMU测量单元根据第二校准参数校准所述PMU测量单元;
当所述第二输出指令为所述第二输出电压指令时;
则第二配置模块312,包括:
第二计算单元,用于所述PC计算所述第二测试电压和所述第二输出电压指令的第二电压差值;
第二配置单元,用于所述PC根据所述第二电压差值,配置所述第二标准参数。
当所述第二输出指令为所述第二输出电流指令时;
则第二配置模块312,包括:
第二获取单元,用于所述PC获取所述校准装置接口板的第一电阻;
第三计算单元,用于所述PC根据所述第一电阻和所述第二输出电流指令,计算第一电压;
第四计算单元,用于所述PC计算所述第二测试电压和所述第一电压的第三电压差值;
第三配置单元,用于所述PC根据所述第三电压差值,配置所述第二标准参数。
本发明实施例提供的移动终端能够实现图1至图8的方法实施例中移动终端实现的各个过程,为避免重复,这里不再赘述。
在本发明实施例中,通过将校准装置接口板和PMU测量单元连接;PMU测量单元和PC连接;闪存芯片接口板和校准装置接口板等位替换;使PMU测量单元接收PC发送的第一输出指令;PMU测量单元根据第一输出指令,向校准装置接口板提供稳定的第一初始电源;PMU测量单元在提供稳定的第一初始电源的同时,测试校准装置对应的第一测试电压和第一测试电流;PMU测量单元将第一测试电压和第一测试电流反馈给PC;PC配置第一校准参数;然后校准PMU测量单元;将闪存芯片接口板等位替换校准装置接口板,并采用经过第一校准参数校准后的所述PMU测量单元测试所述闪存芯片,能够实现自动化校准,同时使校准线路与实际测试线路一致,提高闪存芯片的测量精度。
需要说明的是,在本文中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
通过以上的实施方式的描述,本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现,当然也可以通过硬件,但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解,本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中,包括若干指令用以使得一台终端(可以是手机,计算机,服务器,空调器,或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述,但是本发明并不局限于上述的具体实施方式,上述的具体实施方式仅仅是示意性的,而不是限制性的,本领域的普通技术人员在本发明的启示下,在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下,还可做出很多形式,均属于本发明的保护之内。

Claims (10)

1.一种闪存芯片测试方法,应用于闪存芯片测试系统,其特征在于,所述系统的包括:PC,PMU测量单元、校准装置接口板、闪存芯片接口板;其中,所述校准装置接口板包括:校准装置和接口板;所述校准装置接口板和所述PMU测量单元连接;所述PMU测量单元和所述PC连接;所述闪存芯片接口板和所述校准装置接口板等位替换;
所述方法,包括:
所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令;其中,所述第一输出指令包括:第一输出电压指令或第一输出电流指令;
所述PMU测量单元根据所述第一输出指令,向所述校准装置接口板提供稳定的第一初始电源;其中,所述第一初始电源包括:第一初始电流或第一初始电压;
所述PMU测量单元在提供稳定的第一初始电源的同时,测试所述校准装置对应的第一测试电压和第一测试电流;
所述PMU测量单元将所述第一测试电压和所述第一测试电流反馈给所述PC;
所述PC根据所述第一输出指令、所述第一测试电压、第一测试电流和所述校准装置,配置第一校准参数;
所述PMU测量单元根据所述第一校准参数校准所述PMU测量单元;
将所述闪存芯片接口板等位替换所述校准装置接口板后,并采用经过第一校准参数校准后的所述PMU测量单元测试所述闪存芯片。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述系统还包括:高精度测量仪器;其中,所述高精度测量仪器与所述校准装置接口板连接,且所述高精度测量仪器与所述PC连接;
则所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令的步骤之前,还包括:
所述PMU测量单元接收所述PC发送的第二输出指令;其中,所述第二输出指令包括:第二输出电压指令或第二输出电流指令;
所述PMU测量单元根据所述第二输出指令,向所述校准装置接口板提供稳定的第二初始电源;其中,所述第二初始电源包括:第二初始电流或第二初始电压;
所述高精度测量仪器测试所述校准装置接口板的第二测试电压,并将所述第二测试电压反馈给所述PC;
所述PC根据所述第二测试电压和所述第二输出指令,配置第二校准参数;
当所述PC将所述第二校准参数发送给所述PMU测量单元后,所述PMU测量单元根据第二校准参数校准所述PMU测量单元;
则所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令的步骤,包括:
采用经过所述第二校准参数校准后的所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述PC根据所述第一输出指令、所述第一测试电压、第一测试电流和所述校准装置,配置第一校准参数的步骤,包括:
所述PC根据所述第一输出指令和所述校准装置,获取对应的第一标准电压和第一标准电流;
所述PC计算所述第一标准电压和所述第一测试电压的电压差值,同时计算所述第一标准电流和所述第一测试电流的电流差值;
所述PC根据所述电压差值和所述电流差值,配置第一校准参数。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,当所述第二输出指令为所述第二输出电压指令时,则所述PC根据所述第二测试电压和所述第二输出指令,配置所述第二校准参数的步骤,包括:
所述PC计算所述第二测试电压和所述第二输出电压指令的第二电压差值;
所述PC根据所述第二电压差值,配置所述第二校准参数。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,当所述第二输出指令为所述第二输出电流指令时,则所述PC根据所述第二测试电压和所述第二输出指令,配置所述第二校准参数的步骤,包括:
所述PC获取所述校准装置接口板的第一电阻;
所述PC根据所述第一电阻和所述第二输出电流指令,计算第一电压;
所述PC计算所述第二测试电压和所述第一电压的第三电压差值;
所述PC根据所述第三电压差值,配置所述第二校准参数。
6.一种闪存芯片测试系统,其特征在于,所述系统的包括:PC,PMU测量单元、校准装置接口板、闪存芯片接口板;其中,所述校准装置接口板包括:校准装置和接口板;所述校准装置接口板和所述PMU测量单元连接;所述PMU测量单元和所述PC连接;所述闪存芯片接口板和所述校准装置接口板等位替换;
所述系统,还包括:
第一接收模块,用于所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令;其中,所述第一输出指令包括:第一输出电压指令或第一输出电流指令;
第一初始电源提供模块,用于所述PMU测量单元根据所述第一输出指令,向所述校准装置接口板提供稳定的第一初始电源;其中,所述第一初始电源包括:第一初始电流或第一初始电压;
第一测试模块,用于所述PMU测量单元在提供稳定的第一初始电源的同时,测试所述校准装置对应的第一测试电压和第一测试电流;
第一反馈模块,用于所述PMU测量单元将所述第一测试电压和所述第一测试电流反馈给所述PC;
第一配置模块,用于所述PC根据所述第一输出指令、所述第一测试电压、第一测试电流和所述校准装置,配置第一校准参数;
第一校准模块,用于所述PMU测量单元根据所述第一校准参数校准所述PMU测量单元;
第二测试模块,用于将所述闪存芯片接口板等位替换所述校准装置接口板后,并采用经过第一校准参数校准后的所述PMU测量单元测试所述闪存芯片。
7.根据权利要求6所述的系统,其特征在于,所述系统还包括:高精度测量仪器;其中,所述高精度测量仪器与所述校准装置接口板连接,且所述高精度测量仪器与所述PC连接;
则所述系统,还包括:
第二接收模块,用于所述PMU测量单元接收所述PC发送的第二输出指令;其中,所述第二输出指令包括:第二输出电压指令或第二输出电流指令;
第二初始电源提供模块,用于所述PMU测量单元根据所述第二输出指令,向所述校准装置接口板提供稳定的第二初始电源;其中,所述第二初始电源包括:第二初始电流或第二初始电压;
第三测试模块,用于所述高精度测量仪器测试所述校准装置接口板的第二测试电压,并将所述第二测试电压反馈给所述PC;
第二配置模块,用于所述PC根据所述第二测试电压和所述第二输出指令,配置第二校准参数;
第二校准模块,用于当所述PC将所述第二校准参数发送给所述PMU测量单元后,所述PMU测量单元根据第二校准参数校准所述PMU测量单元;
则所述第一接收模块,包括:
第一接收单元,用于采用经过所述第二校准参数校准后的所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令。
8.根据权利要求6所述的系统,其特征在于,所述第一配置模块,包括:
第一获取单元,用于所述PC根据所述第一输出指令和所述校准装置,获取对应的第一标准电压和第一标准电流;
第一计算单元,用于所述PC计算所述第一标准电压和所述第一测试电压的电压差值,同时计算所述第一标准电流和所述第一测试电流的电流差值;
第一配置单元,用于所述PC根据所述电压差值和所述电流差值,配置第一校准参数。
9.根据权利要求7所述的系统,其特征在于,当所述第二输出指令为所述第二输出电压指令时,所述第二配置模块,包括:
第二计算单元,用于所述PC计算所述第二测试电压和所述第二输出电压指令的第二电压差值;
第二配置单元,用于所述PC根据所述第二电压差值,配置所述第二校准参数。
10.根据权利要求7所述的系统,其特征在于,当所述第二输出指令为所述第二输出电流指令时,所述第二配置模块,包括:
第二获取单元,用于所述PC获取所述校准装置接口板的第一电阻;
第三计算单元,用于所述PC根据所述第一电阻和所述第二输出电流指令,计算第一电压;
第四计算单元,用于所述PC计算所述第二测试电压和所述第一电压的第三电压差值;
第三配置单元,用于所述PC根据所述第三电压差值,配置所述第二校准参数。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111383705A (zh) * 2018-12-30 2020-07-07 中电海康集团有限公司 存储器的测试电路和测试方法
CN110265081B (zh) * 2019-06-26 2021-04-23 建荣半导体(深圳)有限公司 校准芯片电压的方法、装置、烧录器及存储介质
CN111624462A (zh) * 2020-04-23 2020-09-04 上海机电工程研究所 基于大数据的武器系统pcb板检测方法、系统、介质及设备
CN112485499A (zh) * 2020-12-29 2021-03-12 深圳市芯天下技术有限公司 基准电流自动校准的测试方法、装置、存储介质和终端

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1822235A (zh) * 2005-02-18 2006-08-23 台湾积体电路制造股份有限公司 测定方法及测定系统
CN103165191A (zh) * 2011-12-15 2013-06-19 澜起科技(上海)有限公司 参数动态校准电路及能动态校准参数的器件

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7508228B2 (en) * 2004-12-21 2009-03-24 Teradyne, Inc. Method and system for monitoring test signals for semiconductor devices
US7626852B2 (en) * 2007-07-23 2009-12-01 Texas Instruments Incorporated Adaptive voltage control for SRAM

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1822235A (zh) * 2005-02-18 2006-08-23 台湾积体电路制造股份有限公司 测定方法及测定系统
CN103165191A (zh) * 2011-12-15 2013-06-19 澜起科技(上海)有限公司 参数动态校准电路及能动态校准参数的器件

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