CN113406473B - 一种芯片测试方法、装置、终端设备及存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请适用于集成电路测试领域，提供了一种芯片测试方法、装置、终端设备及存储介质。本申请实施例中获取控制指令，根据上述控制指令以第一预设温度和第二预设温度分别获取芯片的第一最大基准电压和第一最小基准电压；根据上述第一最大基准电压和上述第一最小基准电压计算上述芯片的温度校准值，其中，上述温度校准值用于对上述芯片基准电压的温度特性进行校准；将上述温度校准值写入上述芯片的存储器中，对上述芯片进行测试，从而提高芯片的测试结果的准确性。

Description

一种芯片测试方法、装置、终端设备及存储介质

技术领域

本申请属于集成电路测试领域，尤其涉及一种芯片测试方法、装置、终端设备及存储介质。

背景技术

随着社会的发展，芯片在人们的生活中越来越常见，手机、电脑、智能音箱等利用芯片支持相应功能的终端设备层出不穷，芯片以其具备较小体积、大规模集成性、高速处理性能等优点，越来越受到人们的重视。

在芯片生产之后，需对芯片进行测试，从而验证芯片是否符合相应的规格，但因芯片制造工艺的限制而导致芯片参数的实际值与设计标准值之间容易存在一定偏差，而导致芯片的测试结果的准确性较低。

发明内容

本申请实施例提供了一种芯片测试方法、装置、终端设备及存储介质，可以解决芯片的测试结果的准确性较低的问题。

第一方面，本申请实施例提供了一种芯片测试方法，包括：

获取控制指令，根据上述控制指令以第一预设温度和第二预设温度分别获取芯片的第一最大基准电压和第一最小基准电压；

根据上述第一最大基准电压和上述第一最小基准电压计算上述芯片的温度校准值，其中，上述温度校准值用于对上述芯片基准电压的温度特性进行校准；

将上述温度校准值写入上述芯片的存储器中，对上述芯片进行测试。

第二方面，本申请实施例提供了一种芯片测试装置，包括：

获取模块，用于获取控制指令，根据上述控制指令以第一预设温度和第二预设温度分别获取芯片的第一最大基准电压和第一最小基准电压；

计算模块，用于根据上述第一最大基准电压和上述第一最小基准电压计算上述芯片的温度校准值，其中，上述温度校准值用于对上述芯片基准电压的温度特性进行校准；

测试模块，用于将上述温度校准值写入上述芯片的存储器中，对上述芯片进行测试。

第三方面，本申请实施例提供了一种终端设备，包括存储器、处理器以及存储在上述存储器中并可在上述处理器上运行的计算机程序，上述处理器执行上述计算机程序时实现上述任一种芯片测试方法的步骤。

第四方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，上述计算机可读存储介质存储有计算机程序，上述的计算机程序被处理器执行时实现上述任一种芯片测试方法的步骤。

第五方面，本申请实施例提供了一种计算机程序产品，当计算机程序产品在终端设备上运行时，使得终端设备执行上述第一方面中任一种芯片测试方法。

本申请实施例中获取控制指令，根据上述控制指令以第一预设温度和第二预设温度分别获取芯片的第一最大基准电压和第一最小基准电压，通过设计不同温度获取芯片的基准电压，来提高后续校准值确定的准确性。再根据第一预设公式对上述第一最大基准电压和上述第一最小基准电压进行计算，确定上述芯片的温度校准值，该温度校准值用于对上述芯片基准电压的温度特性进行校准，也就是对温度特性最初设计的标准值进行校准，从而使芯片基准电压的温度特性接近于芯片参数实际值，减少了制造工艺带来的参数偏差，最后将上述温度校准值写入上述芯片的存储器中，再对上述芯片进行测试，来提高芯片的测试结果的准确性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的芯片测试方法的第一种流程示意图；

图2是本申请实施例提供的芯片测试系统的结构示意图；

图3是本申请实施例提供的芯片工作状态的流程示意图；

图4是本申请实施例提供的场效应管工作的结构示意图；

图5是本申请实施例提供的芯片数据异常示意图；

图6是本申请实施例提供的芯片数据正常示意图；

图7是本申请实施例提供的芯片测试装置的结构示意图；

图8是本申请实施例提供的终端设备的结构示意图。

具体实施方式

以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。

应当理解，当在本申请说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。

还应当理解，在本申请说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。

如在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的那样，术语“如果”可以依据上下文被解释为“当...时”或“一旦”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，短语“如果确定”或“如果检测到[所描述条件或事件]”可以依据上下文被解释为意指“一旦确定”或“响应于确定”或“一旦检测到[所描述条件或事件]”或“响应于检测到[所描述条件或事件]”。

另外，在本申请说明书和所附权利要求书的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

图1所示为本申请实施例中一种芯片测试方法的流程示意图，该方法的执行主体可以是终端设备，该终端设备可以是TRI测试仪，例如TR6836测试仪，本实施例以TR6836测试仪为例进行说明。如图1所示，上述芯片测试方法可以包括如下步骤：

步骤S101、获取控制指令，根据控制指令以第一预设温度和第二预设温度分别获取芯片的第一最大基准电压和第一最小基准电压。

在本实施例中，如图2所示，图2为芯片测试系统的结构示意图，为使芯片内的基准电压随温度变化的幅度最小，TR6836测试仪获取用户通过PC端下达的控制指令，从而在温度差满足预设条件的第一预设温度和第二预设温度下，分别从测试模块中获取芯片对应的最大基准电压和最小基准电压，来对芯片基准电压的温度特性进行校准，该基准电压的获取可以通过设置不同的寄存器值进行获取。其中，上述第一预设温度和上述第二预设温度之间的温度差越大，后续的校准结果就越准确，而为了使后续校准结果更为准确，可进一步设定上述第一预设温度和上述第二预设温度之间的温度差大于或等于预设阈值。上述芯片可采用数模转换芯片。

具体示例而非限定地，若上述第一预设温度为30摄氏度，上述第二预设温度为120摄氏度，分别在对应温度设置下获取芯片基准电压输出值，得到30摄氏度下的第一最小基准电压V0和第一最大基准电压V1，120摄氏度下的第一最小基准电压V2和第一最大基准电压V3。

进一步地，如图3所示，图3为芯片工作状态的流程示意图，在检测到芯片启动工作后，TR6836测试仪若在预设时间内检测到用户在PC端通过单线接口发送控制指令，并将该控制指令发送给芯片，以促使芯片进入输入命令状态，该输入命令状态可以使芯片停止正常测量状态，也就是停止测量传感器，从而芯片将停止信号的采集、数字信号处理、转换及建立稳定时间的信号输出，并且芯片相应的管脚将采用单线接口串行通信协议与外部进行串行通信。而用户可以在芯片处于输入命令状态下时，利用PC端将修改芯片寄存器或存储器的设置，以及校准算法的参数通过单线接口进行下发操作，以对芯片进行相关值的更改，在完成芯片所有寄存器或存储器的设置后，用户可以在PC端下发更换芯片工作状态的控制指令，以使芯片根据该控制指令进入正常测量状态，该正常测量状态可以使芯片连续测量传感器，并将测量结果通过单线接口输出至TR6836测试仪。而倘若芯片在预设时间内没有检测到PC端下发的控制指令，则芯片可将OTP中的值读出，并将读出值复制到相应的寄存器中，再自动进入正常测量状态，在该状态下芯片可根据寄存器中的设置连续进行传感器信号的采集、转换、校准以及模拟或数字信号的输出。上述芯片还可根据控制指令进入测试状态，以输出相应的测试信号，芯片掉电时会停止工作。其中，当芯片从输入命令状态进入正常测量状态后，芯片将不再复制存储器中的值到寄存器中，上述存储器为OTP存储器，本实施例以OTP存储器为例进行说明。上述预设时间可以为6ms。

可以理解的，通过上述芯片工作状态的设计为后期校准提供方便，在进行校准时，可预设在工作状态下设置寄存器，并定义模拟电路的工作方式，同时关闭数字电路，使芯片在进入正常测量状态后输出未经过校准的原始电桥读数和温度读数。该原始的电桥读数和温度读数经过TR6836测试仪在PC端上的校准计算后，可得出校准算法后的各参数的值，进而可在芯片输入命令状态时将这些值写入至OTP中。

在一个实施例中，如图2所示，上述步骤S101可以包括：TR6836测试仪根据上述控制指令将第一寄存器值和第二寄存器值写入上述芯片的寄存器中，从而可以利用寄存器值准确获取预期基准电压，具体TR6836测试仪利用场效应管和其所配置PEB板卡以第一预设温度分别获取上述芯片输出的上述第一寄存器值和上述第二寄存器值对应的基准电压，再利用场效应管以第二预设温度分别获取上述芯片输出的上述第一寄存器值和上述第二寄存器值对应的基准电压，其中，上述第一寄存器值用于确定上述最大基准电压，上述第二寄存器值用于确定最小基准电压。

具体地，如图4所示，图4为场效应管工作的结构示意图，在芯片外围通过继电器切换连接一个场效应管，该场效应管可以采用J107场效应管，其型号为BSS169，从而与芯片内部的VDD电压调节器相连形成PNP稳压电路，以达到开关和VDD输出稳压的作用。当继电器未工作时，图中芯片的引脚VDD、VDD_OTP，以及外部直流电源VSUPPULY均为0V，此时J107场效应管与芯片连接处仅有VGATE引脚和J107场效应管第一引脚相连，但由于此时J107场效应管第二引脚和第三引脚悬空，故当前场效应管未进行工作，芯片也未进行不同温度下的基准电压输出。

而当图4中的继电器开始工作时，芯片引脚VDD与VDD_OTP短接，并与J107场效应管第二引脚相连，外部电源VSUPPLY为6.0V，其与J107场效应管第三引脚相连。此时场效应管工作，第二引脚，也就是VDD将会输出基准电压。当芯片中进行温度特性校准的寄存器设定为00000时，芯片通过VDD引脚输出最小基准电压，也就是第一预设温度为30摄氏度时对应的V0，第二预设温度为120摄氏度时对应的V2；当芯片中进行温度特性校准的寄存器设定为11111时，芯片通过VDD引脚输出最大基准电压，也就是第一预设温度为30摄氏度时对应的V1，第二预设温度为120摄氏度时对应的V3。其中，图4中的UR为继电器的输入信号端，通过输入信号控制继电器的闭合。

在一个实施例中，因工厂IC测试时，一个CP流程只能采用同一温度条件，而如何需要获取不同温度条件下的基准电压，只能通过跨流程才能处理，而此时跨流程保存及提取调用测试数据成为测试关键。目前已有对数据存储和提取的方法大多数是将测试数据上传至特定服务器，再通过服务器进行提取，此方法不仅需要花费大量的人力和物力，增大了成本，同时在一定程度上增加了一定的操作难度，例如，如何从多组数据中准确查找到需求数据，从而对于数据的妥善保存成为能否正常继续下一流程测试的关键。本实施例中TR6836测试仪通过获取存在多个芯片的晶圆的晶圆信息，根据上述晶圆信息利用相应程序生成一个预设格式的文件，再通过探针台与测试仪进行通讯时的接口总线获取晶圆上的各个芯片的坐标，从而在第一预设温度下将晶圆中的各个芯片所对应的第一最大基准电压和第一最小基准电压以预设格式存储进该文件中。

相应地，为了便于本实施例中的温度校准值的计算，在第二预设温度下时，可预先获取当前存在的所有的批号和片号信息，也就是已进行测量同一批次和片号下的各个晶圆对应的文件，再从各个晶圆对应的文件中根据晶圆信息中的晶圆型号选取出当前晶圆信息对应的文件，再根据所选取出的文件中各个芯片不同的坐标提取出对应的第一预设温度下的第一最大基准电压和第一最小基准电压，以及得到同一坐标芯片在第二预设温度下所对应的第一最大基准电压和第一最小基准电压，将当前同一芯片不同温度下的最大基准电压和最小基准电压进行处理，通过上述跨流程数据获取手段，来提高数据处理的速度。其中，上述晶圆信息包括晶圆型号、批号(Wafer_ID)、片号(Lot_ID)等，上述晶圆型号为程序根据晶圆进行固定设置，上述批号和片号为探针台及测试仪通讯时用的接口总线自动获取得到的。

进一步地，可同一时间对晶圆上的多颗芯片进行并行测试，当多颗芯片同时测试时，以特定标记对不同芯片进行辨别，以区分芯片。

在一个实施例中，为防止晶圆上各个芯片的数据丢失或发生侧漏，如图5所示，图5为芯片数据异常示意图，以致使后期查找不到数据，而需重新调试环境，再进行测试，TR6836测试仪在根据上述晶圆信息将上述第一预设温度对应的晶圆上各个芯片的第一最大基准电压和第一最小基准电压以预设格式进行存储之前，可以将上述晶圆上各个不同位置芯片的最大基准电压和最小基准电压转换成数据图形；当上述数据图形上存在缺失时，根据缺失位置确定上述晶圆上存在数据异常的芯片，针对存在数据异常的芯片的数据重新进行采集即可。而倘若上述数据图形上符合预设形状时，则认为当前数据未发生丢失，如图6所示，图6为芯片数据正常示意图。

具体地，在获取到晶圆上各个不同位置芯片的最大基准电压和最小基准电压，也就是待转换的数据时，获取需转换成图形的位置以及相应规则，例如开始数英文逗号结束字符英文#，再获取转换指令，根据转换指令将待转换的数据进行数据映射处理，从而得到上述数据图形。

步骤S102、根据上述第一最大基准电压和上述第一最小基准电压计算上述芯片的温度校准值，其中，上述温度校准值用于对上述芯片基准电压的温度特性进行校准。

在本实施例中，在芯片出厂测试时应将芯片OTP中的温度校准值设定为一个合适的值，以使芯片内的基准电压随温度变化的幅度最小，TR6836测试仪根据所得到的不同温度下的基准电压值以第一预设公式计算得到优化后的温度校准值。上述第一预设公式为：

其中，上述R为温度校准值，上述round表示四舍五入取整。

步骤S103、将上述温度校准值写入上述芯片的存储器中，对上述芯片进行测试。

在本实施例中，TR6836测试仪通过将温度校准值写入芯片的OTP中，使芯片基准电压的温度特性接近于芯片参数实际值，再对芯片进行后续出厂测试，以提高芯片后续测试结果的准确性，当芯片各个出厂测试均通过时，认为芯片符合相应规格。

在一个实施例中，因OTP不仅可以写入数据，还可以通过特定时序读取数据。故在将上述温度校准值写入上述芯片的存储器中之后，TR6836测试仪可获取上述芯片的存储器预设位置的参数值，该预设位置为存储温度校准值的位置，再对存储温度校准值位置的参数值与温度校准值进行比对，当该参数值与上述温度校准值一致时，以确定上述温度校准值成功写入。

在一个实施例中，在步骤S103中对上述芯片进行测试之前，可通过在芯片的存储器中设置合适的值，以使芯片内的基准电压的绝对值接近于1V，而该合适的值为绝对精度校准值，具体绝对精度校准值的确定可以包括：因环境测试温度是不可能一直保持一个固定值的，都是会存在变化的，而芯片只有在温度特性校准后，其受温度变化的影响才会最小，这样测试出来的基准电压值也就更为准确，故TR6836测试仪在将其计算得到的温度校准值预先写入上述芯片的寄存器中之后，再以第三预设温度获取上述芯片的第二最大基准电压和第二最小基准电压，利用预设方式根据上述第二最大基准电压和上述第二最小基准电压计算上述芯片的绝对精度校准值，在计算得到绝对精度校准值后，将上述绝对精度校准值写入上述芯片的存储器中。其中，其中，上述绝对精度校准值用于对上述芯片基准电压的绝对精度进行校准。上述第三预设温度可以采用23摄氏度。

具体的，上述预设方式具体可以包括：判断上述第二最大基准电压和第二最小基准电压来确定绝对精度校准值。若上述第二最小基准电压大于1V，则绝对精度校准值为得到第二最小基准电压所对应的寄存器值，例如，通过将芯片对应位置的寄存器设为00000，得到第二最小基准电压，则当前的绝对精度校准值为00000；若上述第二最大基准电压小于1V，则绝对精度校准值为得到第二最大基准电压所对应的寄存器值，例如，通过将芯片对应位置的寄存器设为11111，得到第二最大基准电压，则当前的绝对精度校准值为11111；若上述第二最小基准电压不大于1V，且上述第二最大基准电压不小于1V，则绝对精度校准值为利用第二预设公式对第二最大基准电压和第二最小基准电压来得到，而该第二预设公式为：

其中，上述S为绝对精度校准值，上述V3为第二最小基准电压，上述V4为第二最大基准电压。

具体的，上述第二预设方式具体可以包括：根据上述第二最大基准电压和第二最小基准电压以第三预设公式计算出目标参数，根据该目标参数来确定绝对精度校准值。若上述目标参数小于或等于0V，则绝对精度校准值为得到第二最小基准电压所对应的寄存器值，例如，通过将芯片对应位置的寄存器设为00000，得到第二最小基准电压，则当前的绝对精度校准值为00000；若上述目标参数大于或等于31V，则绝对精度校准值为得到第二最大基准电压所对应的寄存器值，例如，通过将芯片对应位置的寄存器设为11111，得到第二最大基准电压，则当前的绝对精度校准值为11111；若上述目标参数大于0V，且小于31V，则绝对精度校准值为该目标参数四舍五入取整来得到，上述第三预设公式为：

其中，上述T为目标参数。

进一步地，因OTP不仅可以写入数据，还可以通过特定时序读取数据。故在将绝对精度校准值写入上述芯片的存储器中之后，TR6836测试仪可获取上述芯片的存储器相应位置的参数值，该相应位置为存储绝对精度校准值的位置，再对存储绝对精度校准值位置的参数值与绝对精度校准值进行比对，当该参数值与上述绝对精度校准值一致时，确定绝对精度校准值成功写入。

在一个实施例中，在步骤S103中对上述芯片进行测试之前，TR6836测试仪可对时钟振荡器频率进行校准，以提高进行出厂测试项时，所得到的测试结果的准确性，具体TR6836测试仪可以根据上述控制命令在芯片处于输入命令状态时，将预设值写入上述芯片的寄存器中，再对上述芯片相应管脚上输出的时钟频率信号进行测量，从预先设定好的表格中确定上述时钟频率信号所处范围对应的频率校准值，再将上述频率校准值写入上述芯片的存储器中，其中，上述频率校准值用于对上述芯片的时钟振荡器频率进行校准。上述预先设定好的表格如下所示：

进一步地，因OTP不仅可以写入数据，还可以通过特定时序读取数据。故在将频率校准值写入上述芯片的存储器中之后，TR6836测试仪可获取上述芯片的存储器对应位置的参数值，该对应位置为存储频率校准值的位置，再对存储频率校准值位置的参数值与频率校准值进行比对，当该参数值与上述频率校准值一致时，确定频率校准值成功写入。

进一步地，校准时需将不同校准值写入对应寄存器后，测量值满足条件时保存当前校准值，以待后续写入OTP。因寄存器里面的值在芯片复位时，里面的值就会清空，而校准值写入OTP后，不会因芯片的复位而清空，故TR6836测试仪可在温度校准值、绝对精度校准值、频率校准值均得到后，再将上述各个校准值一次写入芯片的OTP对应位置处，再进行验证是否成功写入，以提高芯片的测试效率。

在一个实施例中，如图2所示，上述在测试模块中对芯片进行测试具体可以包括：DC参数测试、数据保持能力测试以及功能测试。上述DC参数测试中包括开短路测试、不同温度条件下基准电压测试等，其主要由TR6836测试仪中配置的PEB、DPS板卡常规测试方法编写测试程序，以根据测试程序完成的测试。上述数据保持能力测试由芯片经常温测试(CP1)流程烧录部分数据到OTP，经CP1测试及高温老化250摄氏度24H后再进行一遍测试，从而确定出芯片的数据保持能力，利用TR6836测试仪PEB板卡的记忆功能，完成OTP数据写入及读取。上述功能测试通过跨CP流程进行测试，该测试包括上述的利用场效应管实现芯片基准电压温度特性、绝对精度及时钟振荡器频率校准。

进一步地，倘若存在某一项测试项不通过，则将该芯片定为异常芯片，并记录包括测试结果、芯片信息在内的异常信息，以对异常芯片进行区分和准确查找，从而便于后期重新对芯片不通过的测试项进行测试、进行异常切割、报废处理等处理手段的快速进行。在测试时需进行针卡布板，在进行针卡布板时，需对相关器件进行贴片封装，而上述相关测试器件需贴近针元。

本申请实施例中获取控制指令，根据上述控制指令以第一预设温度和第二预设温度分别获取芯片的第一最大基准电压和第一最小基准电压，通过设计不同温度获取芯片的基准电压，来提高后续校准值确定的准确性。再根据第一预设公式对上述第一最大基准电压和上述第一最小基准电压进行计算，确定上述芯片的温度校准值，该温度校准值用于对上述芯片基准电压的温度特性进行校准，也就是对温度特性最初设计的标准值进行校准，从而使芯片基准电压的温度特性接近于芯片参数实际值，减少了制造工艺带来的参数偏差，最后将上述温度校准值写入上述芯片的存储器中，再对上述芯片进行测试，来提高芯片的测试结果的准确性。

应理解，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。

对应于上文所述的一种芯片测试方法，图7所示为本申请实施例中一种芯片测试装置的结构示意图，如图7所示，上述芯片测试装置可以包括：

获取模块701，用于获取控制指令，根据上述控制指令以第一预设温度和第二预设温度分别获取芯片的第一最大基准电压和第一最小基准电压。

计算模块702，用于根据上述第一最大基准电压和上述第一最小基准电压计算上述芯片的温度校准值，其中，上述温度校准值用于对上述芯片基准电压的温度特性进行校准。

测试模块703，用于将上述温度校准值写入上述芯片的存储器中，对上述芯片进行测试。

在一个实施例中，上述获取模块701可以包括：

写入单元，用于根据上述控制指令将第一寄存器值和第二寄存器值写入上述芯片的寄存器中。

第一获取单元，用于利用场效应管以第一预设温度分别获取上述芯片输出的上述第一寄存器值和上述第二寄存器值对应的基准电压，其中，上述第一寄存器值用于确定上述最大基准电压，上述第二寄存器值用于确定最小基准电压。

第二获取单元，用于利用场效应管以第二预设温度分别获取上述芯片输出的上述第一寄存器值和上述第二寄存器值对应的基准电压。

在一个实施例中，上述芯片测试装置还可以包括：

存储模块，用于获取晶圆的晶圆信息，根据上述晶圆信息将上述第一预设温度对应的晶圆上各个芯片的第一最大基准电压和第一最小基准电压以预设格式进行存储。

在一个实施例中，上述芯片测试装置还可以包括：

转换模块，用于将上述晶圆上各个不同位置芯片的最大基准电压和最小基准电压转换成数据图形。

异常确定模块，用于当上述数据图形上存在缺失时，根据缺失位置确定上述晶圆上存在数据异常的芯片。

在一个实施例中，上述芯片测试装置还可以包括：

写入模块，用于将上述温度校准值写入上述芯片的寄存器中，以第三预设温度获取上述芯片的第二最大基准电压和第二最小基准电压。

校准值计算模块，用于根据上述第二最大基准电压和上述第二最小基准电压计算上述芯片的绝对精度校准值，其中，上述绝对精度校准值用于对上述芯片基准电压的绝对精度进行校准。

第一校准值写入模块，用于将上述绝对精度校准值写入上述芯片的存储器中。

在一个实施例中，上述芯片测试装置还可以包括：

测量模块，用于根据上述控制命令将预设值写入上述芯片的寄存器中，对上述芯片的时钟频率信号进行测量。

校准值确定模块，用于确定上述时钟频率信号所处范围对应的频率校准值，其中，上述频率校准值用于对上述芯片的时钟振荡器频率进行校准。

第二校准值写入模块，用于将上述频率校准值写入上述芯片的存储器中。

在一个实施例中，上述芯片测试装置还可以包括：

参数值获取模块，用于获取上述芯片的存储器预设位置的参数值。

写入确定模块，用于当上述参数值与上述温度校准值一致时，确定上述温度校准值成功写入。

本申请实施例中获取控制指令，根据上述控制指令以第一预设温度和第二预设温度分别获取芯片的第一最大基准电压和第一最小基准电压，通过设计不同温度获取芯片的基准电压，来提高后续校准值确定的准确性。再根据第一预设公式对上述第一最大基准电压和上述第一最小基准电压进行计算，确定上述芯片的温度校准值，该温度校准值用于对上述芯片基准电压的温度特性进行校准，也就是对温度特性最初设计的标准值进行校准，从而使芯片基准电压的温度特性接近于芯片参数实际值，减少了制造工艺带来的参数偏差，最后将上述温度校准值写入上述芯片的存储器中，再对上述芯片进行测试，来提高芯片的测试结果的准确性。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的装置和模块的具体工作过程，可以参考前述系统实施例以及方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

图8为本申请实施例提供的终端设备的结构示意图。为了便于说明，仅示出了与本申请实施例相关的部分。

如图8所示，该实施例的终端设备8包括：至少一个处理器800(图8中仅示出一个)，与上述处理器800连接的存储器801，以及存储在上述存储器801中并可在上述至少一个处理器800上运行的计算机程序802，例如芯片测试程序。上述处理器800执行上述计算机程序802时实现上述各个芯片测试方法实施例中的步骤，例如图1所示的步骤S101至S103。或者，上述处理器800执行上述计算机程序802时实现上述各装置实施例中各模块的功能，例如图7所示模块701至703的功能。

示例性的，上述计算机程序802可以被分割成一个或多个模块，上述一个或者多个模块被存储在上述存储器801中，并由上述处理器800执行，以完成本申请。上述一个或多个模块可以是能够完成特定功能的一系列计算机程序指令段，该指令段用于描述上述计算机程序802在上述终端设备8中的执行过程。例如，上述计算机程序802可以被分割成获取模块701、计算模块702、测试模块703，各模块具体功能如下：

获取模块701，用于获取控制指令，根据上述控制指令以第一预设温度和第二预设温度分别获取芯片的第一最大基准电压和第一最小基准电压；

计算模块702，用于根据上述第一最大基准电压和上述第一最小基准电压计算上述芯片的温度校准值，其中，上述温度校准值用于对上述芯片基准电压的温度特性进行校准；

测试模块703，用于将上述温度校准值写入上述芯片的存储器中，对上述芯片进行测试。

上述终端设备8可包括，但不仅限于，处理器800、存储器801。本领域技术人员可以理解，图8仅仅是终端设备8的举例，并不构成对终端设备8的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件，例如还可以包括输入输出设备、网络接入设备、总线等。

所称处理器800可以是中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)，该处理器800还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。

上述存储器801在一些实施例中可以是上述终端设备8的内部存储单元，例如终端设备8的硬盘或内存。上述存储器801在另一些实施例中也可以是上述终端设备8的外部存储设备，例如上述终端设备8上配备的插接式硬盘，智能存储卡(Smart Media Card,SMC)，安全数字(Secure Digital,SD)卡，闪存卡(Flash Card)等。进一步地，上述存储器801还可以既包括上述终端设备8的内部存储单元也包括外部存储设备。上述存储器801用于存储操作系统、应用程序、引导装载程序(Boot Loader)、数据以及其他程序等，例如上述计算机程序的程序代码等。上述存储器801还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，仅以上述各功能单元、模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元、模块完成，即将上述装置的内部结构划分成不同的功能单元或模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。实施例中的各功能单元、模块可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中，上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。另外，各功能单元、模块的具体名称也只是为了便于相互区分，并不用于限制本申请的保护范围。上述系统中单元、模块的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。

本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。

在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置/终端设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置/终端设备实施例仅仅是示意性的，例如，上述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通讯连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通讯连接，可以是电性，机械或其它的形式。

上述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

上述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请实现上述实施例方法中的全部或部分流程，可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，上述的计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中，该计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。其中，上述计算机程序包括计算机程序代码，上述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。上述计算机可读介质至少可以包括：能够将计算机程序代码携带到拍照装置/终端设备的任何实体或装置、记录介质、计算机存储器、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，RandomAccess Memory)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质。例如U盘、移动硬盘、磁碟或者光盘等。在某些司法管辖区，根据立法和专利实践，计算机可读介质不可以是电载波信号和电信信号。

以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种芯片测试方法，其特征在于，包括：

获取控制指令，根据所述控制指令以第一预设温度获取芯片的第一最大基准电压和第一最小基准电压，以第二预设温度获取芯片的第一最大基准电压和第一最小基准电压；

根据所述第一最大基准电压和所述第一最小基准电压以第一预设公式计算所述芯片的温度校准值，所述第一预设公式如下：

其中，R为所述温度校准值，所述温度校准值用于对所述芯片基准电压的温度特性进行校准；V0为第一预设温度下的芯片的第一最大基准电压；V1为第一预设温度下的芯片的第一最小基准电压；V2为第二预设温度下的芯片的第一最大基准电压；V3为第二预设温度下的芯片的第一最小基准电压；

将所述温度校准值写入所述芯片的存储器中，对所述芯片进行测试；

所述根据所述控制指令以第一预设温度获取芯片的第一最大基准电压和第一最小基准电压，以第二预设温度获取芯片的第一最大基准电压和第一最小基准电压，包括：

根据所述控制指令将第一寄存器值和第二寄存器值写入所述芯片的寄存器中；

利用场效应管以第一预设温度分别获取所述芯片输出的所述第一寄存器值和所述第二寄存器值对应的基准电压，其中，所述第一寄存器值用于确定所述最大基准电压，所述第二寄存器值用于确定最小基准电压；

利用场效应管以第二预设温度分别获取所述芯片输出的所述第一寄存器值和所述第二寄存器值对应的基准电压。

2.如权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，在根据所述第一最大基准电压和所述第一最小基准电压以第一预设公式计算所述芯片的温度校准值之前，包括：

获取晶圆的晶圆信息，根据所述晶圆信息将所述第一预设温度对应的晶圆上各个芯片的第一最大基准电压和第一最小基准电压以预设格式进行存储。

3.如权利要求2所述的芯片测试方法，其特征在于，在根据所述晶圆信息将所述第一预设温度对应的晶圆上各个芯片的第一最大基准电压和第一最小基准电压以预设格式进行存储之前，包括：

将所述晶圆上各个不同位置芯片的最大基准电压和最小基准电压转换成数据图形；

当所述数据图形上存在缺失时，根据缺失位置确定所述晶圆上存在数据异常的芯片。

4.如权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，在对所述芯片进行测试之前，包括：

将所述温度校准值写入所述芯片的寄存器中，以第三预设温度获取所述芯片的第二最大基准电压和第二最小基准电压；

根据所述第二最大基准电压和所述第二最小基准电压计算所述芯片的绝对精度校准值，其中，所述绝对精度校准值用于对所述芯片基准电压的绝对精度进行校准；

将所述绝对精度校准值写入所述芯片的存储器中。

5.如权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，在对所述芯片进行测试之前，包括：

根据所述控制指令将预设值写入所述芯片的寄存器中，对所述芯片的时钟频率信号进行测量；

确定所述时钟频率信号所处范围对应的频率校准值，其中，所述频率校准值用于对所述芯片的时钟振荡器频率进行校准；

将所述频率校准值写入所述芯片的存储器中。

6.如权利要求1至5任一项所述的芯片测试方法，其特征在于，在将所述温度校准值写入所述芯片的存储器中之后，包括：

获取所述芯片的存储器预设位置的参数值；

当所述参数值与所述温度校准值一致时，确定所述温度校准值成功写入。

7.一种芯片测试装置，其特征在于，包括：

获取模块，用于获取控制指令，根据所述控制指令以第一预设温度获取芯片的第一最大基准电压和第一最小基准电压，以第二预设温度获取芯片的第一最大基准电压和第一最小基准电压；

计算模块，用于根据所述第一最大基准电压和所述第一最小基准电压以第一预设公式计算所述芯片的温度校准值，所述第一预设公式如下：

其中，R为所述温度校准值，所述温度校准值用于对所述芯片基准电压的温度特性进行校准；V0为第一预设温度下的芯片的第一最大基准电压；V1为第一预设温度下的芯片的第一最小基准电压；V2为第二预设温度下的芯片的第一最大基准电压；V3为第二预设温度下的芯片的第一最小基准电压；

测试模块，用于将所述温度校准值写入所述芯片的存储器中，对所述芯片进行测试；

所述获取模块包括：

写入单元，用于根据所述控制指令将第一寄存器值和第二寄存器值写入所述芯片的寄存器中；

第一获取单元，用于利用场效应管以第一预设温度分别获取所述芯片输出的所述第一寄存器值和所述第二寄存器值对应的基准电压，其中，所述第一寄存器值用于确定所述最大基准电压，所述第二寄存器值用于确定最小基准电压；

第二获取单元，用于利用场效应管以第二预设温度分别获取所述芯片输出的所述第一寄存器值和所述第二寄存器值对应的基准电压。

8.一种终端设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至6任一项所述的一种芯片测试方法的步骤。

9.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至6任一项所述的一种芯片测试方法的步骤。

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