JP2016091059A - 情報処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 不揮発性一次メモリを備えた情報処理装置のコントローラにおいて、電源断などの意図しないシャットダウンが起きてしまった場合、不揮発性一次メモリに保持しているデータを消去できないことがある。【解決手段】 不揮発性一次メモリへの供給電源の電圧低下を検知するとメモリコントローラが不揮発性一次メモリのデータを上書き消去する。【選択図】 図1
Description
不揮発性一次メモリを有する情報処理装置に関する。
情報処理装置の一次記憶装置として、揮発性メモリであるDRAMに代わって、磁気抵抗メモリ(MRAM)などの不揮発性一次メモリの使用が期待されている。DRAMはDynamic Random Access Memoryの略であり、MRAMはMagnetoresistive Random Access Memoryの略である。不揮発性一次メモリを使用すれば、電源をオフしている状況下であっても記憶している情報が保持されるため、省電力動作時の消費電力削減や起動時間の短縮を見込むことができる。
一方で、不揮発性であるが故に、適切な消去処理を行わなければ情報を削除できないという問題がある。特に、MRAMはCPUの一次記憶装置として使用することができるため、復号化された暗号データなど、セキュリティの高い情報も保持される可能性があり、適切な消去手法が要求されている。
先行技術文献1では、不揮発性一次メモリを使用した情報処理装置の使用終了時において、ログオフシーケンスにCPUによる消去シーケンスを加える手法が提案されている。
不揮発性一次メモリに保持されている情報を、CPUによるソフトウェア消去シーケンスによって消去する場合、CPUが暴走したり、意図しないシャットダウン状態に陥ると、ソフトウェア消去シーケンスに移行することができない場合がある。その結果、セキュリティの高い情報を消去できない状態に陥ってしまうという問題がある。本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、CPUによる消去シーケンスに移行できない場合であっても、不揮発性一次メモリに保持されている情報を確実に消去することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、情報処理装置であって、不揮発性一次メモリと、前記不揮発性一次メモリへの情報の書き込みを行うメモリコントローラと、前記メモリコントローラへ電力を供給する電力供給手段と、前記電力供給手段から前記メモリコントローラへの電力供給状態を監視する監視手段と、を有し、前記監視手段により監視する電力供給状態に基づいて、前記メモリコントローラが前記不揮発性一次メモリに記憶されている情報を消去することを特徴とする。
本発明によれば、CPUによる消去シーケンスに移行できない場合であっても、不揮発性一次メモリに保持されている情報を消去することができる。
(第1の実施形態)
図1は、情報処理装置のコントローラ100内の構成を示す図である。
図1は、情報処理装置のコントローラ100内の構成を示す図である。
情報処理装置のコントローラ100は、CPU103、メモリコントローラ102、不揮発性一次メモリ101、サウスブリッジ104、HDD105、BOOTROM106、および電源111と電圧監視部121からなる。
CPU103は、情報処理装置全体を統括し、ソフトウェアの処理を行う。メモリコントローラ102は、不揮発性一次メモリ101とCPU103に接続し、CPU103からの指示に従って不揮発性一次メモリ101への情報の書き込み及び読み出し等を行う。また、メモリコントローラ102は、内部にアドレスを保持するためのレジスタを備えている。不揮発性一次メモリ101であっても、メモリコントローラ102とのアクセス手法は一般的な一次メモリの手法と変わらないため、具体的な信号の制御に関する記載は割愛する。
サウスブリッジ104はCPU103とHDD105、BOOTROM106と接続しており、CPU103の指示に従ってHDD105、BOOTROM106とのデータ授受を制御する。HDD105は、ユーザ用データを保存している。BOOTROM106は、不揮発性一次メモリ101に展開するためのOSデータを保存している。
電源111はDC/DCコンバータであり、情報処理装置のコントローラ100内の各デバイスに電力を供給する。各デバイスは、要求する電圧がそれぞれ異なっている。よって電源111と各デバイスは、メモリコントローラ102と不揮発性一次メモリ101への電力経路112、CPU103への電力経路113、HDD105とBOOTROM106及びサウスブリッジ104への電力経路114に分かれて接続される。
電圧監視部121は、メモリコントローラ102と不揮発性一次メモリ101への電力経路112における電圧を監視している。電圧監視部121の外部回路により監視電圧がハードウェアで規定されている。電圧監視部121は、メモリコントローラ102と不揮発性一次メモリ101への電力経路112における電圧が規定値以下になった場合、通知信号122を介してメモリコントローラ102へ通知することができる。
図2は、不揮発性一次メモリ101内のデータ保存状態を示す図である。不揮発性一次メモリ101は、BOOTROM106から展開されたOSが格納されるOS領域201と、OSが稼働するために使用するOS使用領域202、および、ワークエリアであり、ユーザデータが格納されるユーザデータ領域203に分かれて配置される。また、それらの領域は、説明上、アドレス0、アドレスA、アドレスB、アドレスCで分離されているものとする。
図3は、実施の形態1にかかるコントローラ100の処理を説明するフローチャートである。図3を参照して、不揮発性一次メモリ101内に保持されている情報の消去処理について説明する。
まず、情報処理装置は、不揮発性一次メモリ101のユーザデータ領域203にデータを保持させながら稼働する。CPU103は、メモリコントローラ102へ、あらかじめアドレス0とアドレスCの値を指定し、メモリコントローラ102は指定されたアドレス値をレジスタに記憶する(S301)。
情報処理装置が稼働している間、電圧監視部121はメモリコントローラ102と不揮発性一次メモリ101への電力経路112を監視し(S302)、規定の電圧を下回らければ(S303のNo)、監視を継続する。メモリコントローラ102と不揮発性一次メモリ101への電力経路112が規定の電圧を下回った場合(S303でYes)、電圧監視部121は通知信号122を介してメモリコントローラ102に通知する(S304)。
通知を受けたメモリコントローラ102は、不揮発性一次メモリ101へアクセスをしているかどうかを確認する(S305)。アクセス中であれば(S305でYes)、メモリコントローラ102はアクセスを中止する(S306)。そして、メモリコントローラ102はレジスタに予め記憶されたアドレスを用いて不揮発性一次メモリ101のアドレス0からアドレスCの値を上書き消去する(S307)。また不揮発性一次メモリ101へアクセスしていなければ(S305でNo)、メモリコントローラ102は不揮発性一次メモリ101のアドレス0からアドレスCの値を上書き消去する(S307)。なお、電圧低下が検知されてから上書き消去が完了するまでにおける、不揮発性一次メモリ101とメモリコントローラ102の動作用電力は、電源111が内部に保持している図示しない電荷保持手段によって担保されているものとする。
情報処理装置においては、ACインレットが抜かれる、CPU103が暴走してリセットをかけるなどの、ソフトウェアによる正規のシャットダウン処理を経ずに終了イベントが発生する場合がある。本実施の形態によれば、メモリコントローラ102への電力供給状態を監視することで、終了イベントが発生していることをハードウェアによって認識し、メモリコントローラ102に通知する。メモリコントローラ102には、不揮発性一次メモリ101の消去すべきアドレスを予め記憶させておくので、メモリコントローラ102は当該通知に応じて、既存のアクセスより優先して上書き消去処理を実施する。その結果、CPU103の介在なしに不揮発性一次メモリ101に保持されている情報を消去することができる。
(第2の実施形態)
第1の実施形態では、メモリコントローラ102が不揮発性一次メモリ101全体を上書き消去処理する場合について説明した。ここで、不揮発性一次メモリ101に保持されている情報のうち、最も機密性の高い情報はユーザデータ領域203に保持されている。そこで、本実施形態では、正規のシャットダウン処理を経ていない終了イベントが発生した場合に、OS領域201は保持したまま、ユーザデータ領域203を消去する場合について説明する。
第1の実施形態では、メモリコントローラ102が不揮発性一次メモリ101全体を上書き消去処理する場合について説明した。ここで、不揮発性一次メモリ101に保持されている情報のうち、最も機密性の高い情報はユーザデータ領域203に保持されている。そこで、本実施形態では、正規のシャットダウン処理を経ていない終了イベントが発生した場合に、OS領域201は保持したまま、ユーザデータ領域203を消去する場合について説明する。
図4は、第2の実施形態におけるコントローラ100の処理を説明するフローチャートである。
情報処理装置がユーザデータ領域203にデータを保持させながら稼働しているとき、メモリコントローラ102はCPU103より消去するためのアドレスを指定されている。CPU103は、メモリコントローラ102へアドレスBとアドレスCを指定し、当該アドレス値をメモリコントローラ102のレジスタに記憶させる(S401)。その後のS402からS406までは、図3におけるS302からS306の処理と同様である。
その後、メモリコントローラ102はアドレスBとアドレスC間のデータを上書き消去する(S407)。なお、電圧低下が検知されてから上書き消去が完了するまでにおける、不揮発性一次メモリ101とメモリコントローラ102の動作用電力は、電源111が内部に保持している図示しない電荷保持手段によって担保されているものとする。
本実施の形態によれば、ソフトウェアによる正規のシャットダウン処理を経ていない終了イベントが発生した場合であっても、メモリコントローラ102が不揮発性一次メモリ101のユーザデータ領域203のみの上書き消去処理を実施する。よって、セキュリティの高い一部の情報を確実に消去すると共に、不揮発性一次メモリ101全体を上書き消去する場合に比べ書き込み時間を短縮することができる。また、OS領域201には情報が残ったままとなるため、次回起動時などにその情報を使用することができる。
以上、本発明を実施の形態をもとに説明した。実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や処理プロセスの組み合わせにはいろいろな変形例が可能なこと、例示されていない画像形成装置に一般的な構成要素を付加しても本発明の範囲にあることは、当業者には理解されるところである。
100 コントローラ
101 不揮発性一次メモリ
102 メモリコントローラ
112 メモリコントローラと不揮発性一次メモリへの電力経路
121 電圧監視部
122 メモリコントローラへの通知信号
101 不揮発性一次メモリ
102 メモリコントローラ
112 メモリコントローラと不揮発性一次メモリへの電力経路
121 電圧監視部
122 メモリコントローラへの通知信号
Claims (7)
- 情報処理装置であって、
不揮発性一次メモリと、
前記不揮発性一次メモリへの情報の書き込みを行うメモリコントローラと、
前記メモリコントローラへ電力を供給する電力供給手段と、
前記電力供給手段から前記メモリコントローラへの電力供給状態を監視する監視手段と、を有し、
前記監視手段により監視する電力供給状態に基づいて、前記メモリコントローラが前記不揮発性一次メモリに記憶されている情報を消去することを特徴とする情報処理装置。 - 前記メモリコントローラは、前記不揮発性一次メモリに情報を上書きすることにより、前記不揮発性一次メモリに記憶されている情報を消去することを特徴とする請求項1記載の情報処理装置。
- 前記メモリコントローラは、前記不揮発性一次メモリに記憶されている情報のうち、一部の情報を消去することを特徴とする請求項1又は2記載の情報処理装置。
- 前記不揮発性一次メモリは、OSに関する情報を記憶するOS領域と、OSが稼働するために使用されるOS使用領域と、ユーザデータを記憶するユーザデータ領域と、を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の情報処理装置。
- 前記メモリコントローラは、前記不揮発性一次メモリに記憶されている情報のうち、OS領域、OS使用領域、及びユーザデータ領域に記憶されている情報を消去することを特徴とする請求項4記載の情報処理装置。
- 前記メモリコントローラは、前記不揮発性一次メモリに記憶されている情報のうち、OS領域及びOS使用領域に記憶されている情報を消去せずに、ユーザデータ領域に記憶されている情報を消去することを特徴とする請求項4記載の情報処理装置。
- 前記メモリコントローラはアドレスを保持するためのレジスタを備え、前記不揮発性一次メモリに記憶されている情報のうち、消去すべき情報が格納されているアドレスを前記レジスタに予め記憶させておき、
前記メモリコントローラは、前記レジスタに記憶されているアドレスに基づいて、前記不揮発性一次メモリに記憶されている情報を消去することを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の情報処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014220725A JP2016091059A (ja) | 2014-10-29 | 2014-10-29 | 情報処理装置 |
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Family Applications (1)
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JP2014220725A Pending JP2016091059A (ja) | 2014-10-29 | 2014-10-29 | 情報処理装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021520021A (ja) * | 2018-04-23 | 2021-08-12 | マイクロン テクノロジー,インク. | 不揮発性メモリデバイス及び不揮発性メモリ機構を有するシステム並びにそれらを動作するための方法 |
US11769561B2 (en) | 2018-04-23 | 2023-09-26 | Micron Technology, Inc. | Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same |
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2014
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US11495299B2 (en) | 2018-04-23 | 2022-11-08 | Micron Technology, Inc. | Non-volatile memory devices and systems with volatile memory features and methods for operating the same |
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