KR101458990B1 - 정전척 및 기판 온도조절-고정장치 - Google Patents

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Abstract

정전전극이 내장되어 있고, 상기 정전전극에 전압을 인가함으로써 흡착 대상과 상기 정전전극 사이에 쿨롱력(coulombic force)을 발생시켜 상기 흡착 대상을 흡착 상태로 고정하는 베이스바디로서, 상기 베이스바디는 상기 흡착 대상과 대향되는 상기 베이스바디의 상부면과 상기 베이스바디의 상부면에 설치되어 상기 흡착 대상과 접촉하는 돌기부를 포함하고, 상기 돌기부는 상기 베이스바디의 상부면의 외측 모서리 부분을 제외한 영역에 설치되어 있고, 상기 외측 모서리 부분은 상기 베이스바디의 상부면과 실질적으로 동일한 평면에 형성된 베이스바디 상에 상기 흡착 대상을 놓는 정전척을 제공한다.
정전척, 베이스바디(base body), 정전전극(electrostatic electrode)

Description

정전척 및 기판 온도조절-고정장치{ELECTROSTATIC CHUCK AND SUBSTRATE TEMPERATURE ADJUSTING-FIXING DEVICE}
본 발명은 정전척 및 기판 온도조절-고정장치에 관한 것이고, 더욱 상세하게는, 베이스바디에 놓인 흡착 대상을 흡착하는 정전척 및 기판 온도조절-고정장치에 관한 것이다.
과거, IC나 LSI와 같은 반도체 장치를 제조하기 위해 사용되는 코팅 장치(예를 들면, CVD 장치, PVD 장치 등) 또는 플라즈마 에칭 장치는 진공처리챔버 내부에서 기판을 고정밀도로 고정하는 스테이지를 구비한다. 스테이지로서는, 예를 들면, 정전척을 갖는 기판 온도조절-고정장치가 제안되어 있다.
기판 온도조절-고정장치는 정전척을 사용하여 흡착 상태로 기판을 고정하고, 흡착 상태로 고정된 기판의 온도가 소정 온도가 되도록 제어한다. 정전척의 일례로서는 쿨롱력 정전척(coulombic-force electrostatic chuck) 및 존슨-라벡력 정전척(Johnsen-Rahbek-force electrostatic chuck)을 포함한다. 쿨롱력 정전척에서는 전압인가에 대한 흡착력 응답이 우수하다. 그러나, 정전척과 기판 사이의 접촉 면적이 크지 않은 경우에는, 높은 전압의 인가가 필요하고 충분한 흡착력을 얻을 수 없다. 존슨-라벡력 정전척에서는 기판에 전류가 흐르게 하는 것이 필요하지만, 정전척과 기판 사이의 접촉 면적이 작은 경우에도 충분한 흡착력을 얻을 수 있다.
도 1은 종래에 따른 기판 온도조절-고정장치(100)를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 2는 도 1에 나타낸 A-A 선에 따라서, 종래에 따른 기판 온도조절-고정장치(100)를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 기판 온도조절-고정장치(100)는 정전척(101), 접착층(105), 및 베이스플레이트(106)를 포함한다. 정전척(101)은 베이스바디(102)와 정전전극(103)을 구비한 쿨롱력 정전척이다. 베이스바디(102)는 접착층(105)을 통해 베이스플레이트(106)에 고정되어 있다. 베이스바디(102)는 세라믹으로 형성된다.
베이스바디(102)의 상부면(102a)의 외측 모서리 부분에는 평면도에서의 환상(環狀) 돌기 부분에 대응하는 외측 밀봉링(102b)이 설치되어 있다. 평면도에서의 외측 밀봉링(102b)의 안쪽에는 복수의 원통형상의 돌기부(102c)가 평면도에서의 물방울 무늬 패턴(polkadot pattern)으로 도팅(dotting)되어 있다. 외측 밀봉링(102b)과 복수의 돌기부(102c)의 상부면의 높이(h1)는 서로 같고, 높이(h1)는, 예를 들면, 20㎛ ~ 40㎛의 범위 내 일 수 있다. 각 돌기부(102c)의 상부면의 직경(φ1)은, 예를 들면, 1.0㎜ ~ 2.0㎜의 범위 내 일 수 있다.
정전전극(103)은 박막의 정전전극으로서 베이스바디(102)에 내장되어 있다. 정전전극(103)은 기판 온도조절-고정장치(100)의 외부에 설치된 DC 전원(미도시)에 접속되어 있고, 소정 전압이 인가된 흡착 상태에서는 외측 밀봉링(102b)과 복수의 돌기부(102c)의 상부면에 기판(미도시)과 같은 흡착 대상을 고정한다. 정전전극(103)에 인가되는 전압이 커질수록 흡착-고정력은 더 강해진다.
베이스플레이트(106)는 정전척(101)을 지지하기 위해 사용된다. 베이스플레이트(106)에는 히터(heater)(미도시)와 수로(water path)(104)가 설치되어 있고, 이에 따라 베이스바디(102)의 온도를 조절한다. 전압이 인가된 때에는 히터(미도시)가 가열되어서 접착층(105)을 통해 베이스바디(102)를 가열한다.
수로(104)는 베이스플레이트(106)의 하부면(106b)에 형성된 냉각수 유입부(104a)와 냉각수 배출부(104b)를 포함한다. 냉각수 유입부(104a)와 냉각수 배출부(104b)는, 기판 온도조절-고정장치(100)의 외부에 설치된 냉각수 제어장치(미도시)와 접속되어 있다. 냉각수 제어장치(미도시)는 냉각수 유입부(104a)로부터 수로(104)로 냉각수를 주입하고, 냉각수 배출부(104b)로부터 냉각수를 배출한다. 냉각수가 순환함에 따라 베이스플레이트(106)가 냉각되고, 베이스바디(102)는 접착층(105)을 통해 냉각된다.
가스로(gas path)(108)는 베이스바디(102), 접착층(105), 및 베이스플레이트(106)를 관통하여 형성되어 있다. 가스로(108)는 베이스플레이트(106)의 하부면(106b)에 형성된 복수의 가스 유입부(108a)와 베이스바디(102)의 상부면(102a)에 형성된 복수의 가스 배출부(108b)를 포함한다. 복수의 가스 유입부(108a)는 기판 온도조절-고정장치(100)의 외부에 설치된 압력 제어장치(미도시)와 접속되어 있다. 가스 압력 제어장치(미도시)는 불활성 가스의 압력을, 예를 들면, 0 ~ 50 Torr 범위 내에서 변하게 할 수 있고, 가스 유입부(108a)로부터 가스로(108)로 불활성 가 스를 주입할 수 있다.
도 3은 종래에 따른 기판 온도조절-고정장치(100)가 흡착 상태에서 기판(107)을 고정한 상태를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 본 도면에서, 도 1 및 도 2의 구성요소와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이고, 그 설명을 생략하도록 한다. 도 3에서 참조 부호 107은 기판을 나타내고, 참조 부호 109는 불활성 가스가 충진되는 가스 충진부를 나타낸다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 베이스바디(102)의 복수 돌기부(102c)와 외측 밀봉링(102b)의 상부면에는 기판(107)이 고정된다. 기판(107)의 온도는 베이스플레이트(106)에 내장된 히터(미도시) 또는 수로(water path)(104)에 의해 조절된다.
가스 압력 제어장치(미도시)는 복수의 가스 유입부(108a)로부터 가스로(108)로 불활성 가스를 주입한다. 주입된 불활성 가스가 가스 배출부(108b)로부터 배출되어서 기판(107)과 베이스바디(102)의 상부면(102a) 사이에 형성된 공간인 가스 충진부(109)에 충진된 경우에는, 베이스바디(102)와 기판(107) 사이의 열전도도가 향상된다. 외측 밀봉링(102b)은 가스 충진부(109)에 충진된 불활성 가스가 가스 충진부(109)의 외부로 누설되는 것을 방지하기 위해 설치되어 있다.
전술한 바와 같이, 종래에 따른 기판 온도조절-고정장치(100)는 정전척(101)의 베이스바디(102)의 복수 돌기부(102c)와 외측 밀봉링(102b)의 상부면에 흡착 상태로 기판(107)을 고정한다. 또한, 베이스바디(102)와 기판(107) 사이의 열전도도를 향상시키기 위해, 종래에 따른 기판 온도조절-고정장치(100)의 베이스바디(102)의 상부면(102a)의 외측 모서리 부분에 설치된, 평면도에서의 환상(環狀) 돌기 부 분인 외측 밀봉링(102b)은 가스 충진부(109)에 충진된 불활성 가스가 가스 충진부(109)의 외부로 누설되는 것을 방지한다. 또한, 종래에 따른 기판 온도조절-고정장치(100)의 베이스플레이트(106)에 내장된 히터(미도시) 또는 수로(104)는 기판(107)의 온도를 조절한다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
종래에 따른 기판 온도조절-고정장치의 다른 예로서는, 평면도에서의 환상(環狀) 돌기 부분인 외측 밀봉링(102b)이 베이스바디(102)의 상부면(102a) 외측 모서리 부분에 설치되고, 도 1에 나타낸 기판 온도조절-고정장치(100)와 동일한 방식으로 평면도에서의 외측 밀봉링(102b)의 내측에 복수의 원통형상의 돌기부(102c)가 평면도에서의 물방울 무늬 패턴(polkadot pattern)으로 도팅되고 복수 돌기부(102c)의 상부면 직경(φ1)을 가능한한 작게 설정함으로써 기판(107)과 복수 돌기부(102c)의 상부면 사이의 접촉 면적을 작게 만든, 존슨-라벡력 정전척을 갖는 기판 온도조절-고정장치가 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).
[특허문헌 1] 일본 공개특허공보 제2000-317761호
[특허문헌 2] 일본 공개특허공보 제2005-033125호
그러나, 종래에 따른 기판 온도조절-고정장치(100)에서는, 기판(107)과 복수 돌기부(102c) 및 외측 밀봉링(102b)의 상부면 사이의 접촉 면적이 크기때문에, 복수 돌기부(102c) 및 외측 밀봉링(102b)의 상부면과 접촉하는 기판(107)의 대향면에 파티클이 쉽게 부착되는 문제점이 발생하였다.
특허문헌 2에 개시된 바와 같이, 베이스바디(102)의 상부면(102a)에 설치된 복수 돌기부(102c)의 상부면 직경(φ1)을 가능한한 작게 설정하여 기판(107)과 복수 돌기부(102c)의 상부면 사이의 접촉 면적을 감소시키는 방식으로, 복수 돌기부(102c)의 상부면과 접촉하는 부분에서의 기판(107)의 대향면에 부착된 파티클을 감소시키는 것이 가능하지만, 대부분의 파티클들이 외측 밀봉링(102b)의 상부면과 접촉하는 부분에서의 기판(107)의 대향면에 부착되는 것이 관측된다. 따라서, 단지 복수 돌기부(102c)의 상부면 직경(φ1)을 가능한한 작게 만드는 것만으로는, 파티클들이 기판(107)의 대향면에 쉽게 부착되는 문제점을 해결할 수 없다.
본 발명은 전술한 문제점들을 고려하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 흡착 상태로 정전척에 고정된 흡착 대상의 대향면에 부착되는 파티클을 감소시킬 수 있는 정전척 및 그 정전척을 구비한 기판 온도조절-고정장치를 제공하는 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제 1 관점에 따르면,
베이스바디(base body)와,
상기 베이스바디에 내장된 정전전극(electrostatic electrode)을 포함하고,
상기 베이스바디에는 흡착 대상이 놓이고,
상기 정전전극에 전압을 인가함으로써 상기 흡착 대상과 상기 정전전극 사이에 쿨롱력(coulombic force)을 발생시켜 상기 흡착 대상을 흡착 상태로 고정하고,
상기 베이스바디는 상기 흡착 대상과 대향되는 상기 베이스바디의 상부면과 상기 베이스바디의 상기 상부면에 설치되어 상기 흡착 대상과 접촉하는 돌기부를 포함하고,
상기 돌기부는 상기 베이스바디의 상기 상부면의 외측 모서리 부분을 제외한 영역에 설치되고,
상기 외측 모서리 부분은 상기 베이스바디의 상기 상부면과 실질적으로 동일한 평면에 형성된 것을 특징으로 하는 정전척을 제공한다.
본 발명의 제 2 관점에 따르면, 상기 제 1 관점에 따른 정전척에서,
상기 돌기부는 평면도에서의 물방울 무늬 패턴(polka-dot pattern)으로 도팅(dotting)되도록 설치된 정전척을 제공한다.
본 발명의 제 3 관점에 따르면, 상기 제 1 관점 또는 제 2 관점에 따른 정전척에서,
상기 흡착 대상이 흡착 상태로 고정된 때에는, 상기 쿨롱력에 의해 상기 흡착 대상의 하부면의 외측 모서리 부분이 상기 베이스바디의 상기 상부면의 외측 모 서리 부분에 밀착하는 정전척을 제공한다.
본 발명의 제 4 관점에 따르면, 상기 제 1 관점 내지 제 3 관점 중의 어느 하나의 관점에 따른 정전척에서,
흡착 상태로 고정된 상기 흡착 대상의 하부면과 상기 베이스바디의 상기 상부면 사이에 형성된 공간에는, 압력이 조정된 불활성 가스가 충진되는 정전척을 제공한다.
본 발명의 제 5 관점에 따르면, 상기 제 1 관점 내지 제 4 관점 중의 어느 하나의 관점에 따른 정전척과, 상기 정전척을 지지하는 베이스플레이트(base plate)를 포함하는 기판 온도조절-고정장치를 제공한다.
본 발명의 제 6 관점에 따르면, 상기 제 5 관점에 따른 기판 온도조절-고정장치에서,
상기 베이스플레이트는,
상기 정전척으로 상기 불활성 가스를 주입하기 위해 상기 베이스플레이트의 내부에 설치된 가스로(gas path),
상기 정전척을 가열하기 위해 상기 베이스플레이트의 내부에 설치된 히터, 및
상기 정전척을 냉각시키기 위해 상기 베이스플레이트의 내부에 설치된 수로(water path)를 포함하는 기판 온도조절-고정장치를 제공한다.
본 발명에 따르면, 흡착 상태로 정전척에 고정된 흡착 대상의 대향면에 부착 되는 파티클을 감소시킬 수 있는 정전척 및 그 정전척을 구비한 기판 온도조절-고정장치를 제공할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하도록 한다.
도 4는 본 발명에 따른 기판 온도 조절-고정장치(10)를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 5는 도 4의 B-B 선에 따라서, 본 발명에 따른 기판 온도조절-고정장치(10)를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 기판 온도조절-고정장치(10)는 정전척(11), 접착층(15), 및 베이스플레이트(16)를 포함한다.
정전척(11)은 베이스바디(12)와 정전전극(13)을 구비한 쿨롱력 정전척이다. 베이스바디(12)는 절연체이고, 접착층(15)을 통해 베이스플레이트(16)에 고정되어 있다. 베이스바디(12)로서는, 예를 들면, 세라믹 등이 사용될 수 있지만, 하술 하는 바와 같이 절연체가 복수의 돌기부(12c)를 갖는 것이라면 어떠한 재료를 사용하여도 무방하다. 베이스바디(12)의 두께(t1)는, 예를 들면, 200㎛ ~ 400㎛의 범위 내 일 수 있고, 베이스바디(12)의 특정 유전율(1KHz)은, 예를 들면, 9 ~ 10 범위 내 일 수 있으며, 베이스바디(12)의 체적저항율은, 예를 들면, 1012Ωm ~ 1016Ωm 범위 내 일 수 있다.
참조 부호 12a는 베이스바디(12)의 상부면을 나타내고, 참조 부호 12b는 베이스바디(12)의 상부면(12a)의 외측 모서리 부분을 나타낸다. 종래에 따른 기판 온 도조절-고정장치(100)에서는 외측 밀봉링(102b)이 외측 모서리 부분(12b)에 설치되지만, 본 발명에 따른 기판 온도조절-고정장치(10)에서는 외측 모서리 부분(12b)에 외측 밀봉링(102b)을 설치하지 않는다.
도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 베이스바디(12)는 흡착 대상(미도시)과 대향하는 상부면(12a)과 상부면(12a)에 설치되어 흡착 대상(미도시)과 접촉하는 돌기부(12c)를 포함하며, 여기서 돌기부(12c)는 베이스바디(12)의 상부면(12a)의 외측 모서리 부분(12b)을 제외한 영역에 형성되어 있고, 외측 모서리 부분(12b)은 베이스바디(12)의 상부면(12a)과 실질적으로 동일한 평면에 형성되어 있다. 각각의 돌기부(12c)는 원통 형상으로 형성되어 있고, 복수의 돌기부(12c)는 베이스바디(12)의 상부면(12a)의 외측 모서리 부분(12b)을 제외한 영역 내에 형성되어서 평면도에서 물방울 무늬 패턴(polka-dot pattern)으로 도팅되어 있다.
복수의 돌기부(12c)의 상부면의 높이(h2)는 실질적으로 같고, 높이(h2)는, 예를 들면, 3㎛ ~ 5㎛의 범위 내 일 수 있다. 돌기부(12c)의 상부면의 직경(φ2)은, 예를 들면, 0.1㎜ ~ 0.2㎜의 범위 내 일 수 있다. 돌기부(12c)는 평면도에서의 타원 형상(oval shape), 평면도에서의 육각형 형상(hexagonal shape)과 같은 다각형 형상, 상이한 직경을 갖는 복수의 원통들이 조합된 형상, 또는 원통 형상(평면도에서의 원형 형상)을 대체하는 상기 형상들의 조합일 수 있다. 또한, 본 명세서에서 돌기부(12c)는 "평면도에서 물방울 무늬 패턴"을 갖고, 돌기부(12c)는 원통 형상(평면도에서 원형 형상)을 대체하는 다른 형상들을 포함한다.
돌기부(12c)는 예를 들면, 샌드블라스팅(sandblasting)에 의해 형성된다. 구체적으로, 돌기부(12c)가 형성될 필요가 있는 베이스바디(12)의 상부면(12a)의 부분은 마스킹 처리되고, 가스 압력에 의하여 베이스바디(12)의 상부면(12a)에 미세 파티클을 주입한 후에, 마스킹 처리되지 않은 부분을 절삭한다. 복수의 돌기부(12c)의 상부면 총 면적과 베이스바디(12)의 상부면(12a)의 전체 면적(복수의 돌기부(12c)가 형성된 영역을 포함) 사이의 비율(이하, "접촉 면적비"라 칭함)은 예를 들면, 0.005% ~ 0.03% 범위 내 일 수 있다. 또한, 베이스바디(12)의 상부면(12a)에 돌기부(12c)가 실질적으로 균일하게 설치된 것이라면, 돌기부(12c)는 임의의 규칙성에 따라 배치될 수 있다.
정전전극(13)은 박막의 전극으로서 베이스바디(12)에 내장되어 있다. 정전전극(13)은 기판 온도조절-고정장치(10)의 외부에 설치된 DC 전원(미도시)에 접속되어 있고, 소정 전압이 인가되는 경우 기판과 같은 흡착 대상(미도시)과 정전전극 사이의 쿨롱력 발생에 의해, 복수의 돌기부(12c)의 상부면에 흡착 대상(미도시)을 흡착 고정한다. 정전전극(13)에 인가되는 전압이 커질수록 흡착-고정력은 더 강해진다. 정전전극(13)은 단극형태(unipolar shape) 또는 양극형태(bipolar shape)로 형성될 수 있다. 정전전극(13)의 재료로서는, 예를 들면, 텅스텐 등을 사용할 수 있다.
접착층(15)은 베이스바디(12)를 베이스플레이트(16)에 고정하기 위해 설치되어 있다. 접착층(15)으로서는, 예를 들면, 양호한 열전도도를 갖는 실리콘 접착제 등을 사용할 수 있다.
베이스플레이트(16)는 정전척(11)을 지지하기 위해 사용된다. 베이스플레이트(16)는 히터(heater)(미도시)와 수로(water path)(14)를 포함하고, 이에 따라 베이스바디(12)의 온도를 조절한다. 베이스플레이트(16)의 재료로서는, 예를 들면, Al을 사용할 수 있다. 전압이 인가된 때에는 히터(미도시)가 가열되어서 접착층(15)을 통해 베이스바디(12)를 가열한다.
수로(14)는 베이스플레이트(16)의 하부면(16b)에 형성된 냉각수 유입부(14a)와 냉각수 배출부(14b)를 포함한다. 냉각수 유입부(14a)와 냉각수 배출부(14b)는, 기판 온도조절-고정장치(10)의 외부에 설치된 냉각수 제어장치(미도시)와 접속되어 있다. 냉각수 제어장치(미도시)는 냉각수 유입부(14a)로부터 수로(14)로 냉각수를 주입하고, 냉각수 배출부(14b)로부터 냉각수를 배출한다. 냉각수가 순환함에 따라 베이스플레이트(16)가 냉각되고, 베이스바디(12)는 접착층(15)을 통해 냉각된다.
가스로(gas path)(18)는 베이스바디(12), 접착층(15), 및 베이스플레이트(16)를 관통하여 형성되어 있다. 가스로(18)는 베이스플레이트(16)의 하부면(16b)에 형성된 복수의 가스 유입부(18a)와 베이스바디(12)의 상부면(12a)에 형성된 복수의 가스 배출부(18b)를 포함한다. 복수의 가스 유입부(18a)는 기판 온도조절-고정장치(10)의 외부에 설치된 압력 제어장치(미도시)와 접속되어 있다. 가스 압력 제어장치(미도시)는 불활성 가스의 압력을, 예를 들면, 0 ~ 50 Torr 범위 내에서 변하게 할 수 있고, 가스 유입부(18a)로부터 가스로(18)로 불활성 가스를 주입할 수 있다.
도 6은 본 발명에 따른 기판 온도조절-고정장치(10)가 흡착 상태에서 기 판(17)을 고정한 상태를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 본 도면에서, 도 4 및 도 5의 구성요소와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이고, 그 설명을 생략하도록 한다. 도 6에서 참조 부호 17은 기판을 나타내고, 참조 부호 19는 불활성 가스가 충진되는 가스 충진부를 나타낸다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 복수 돌기부(12c)의 상부면에는 기판(17)이 흡착상태로 고정된다. 기판(17)의 온도는 베이스플레이트(16)에 설치된 히터(미도시) 또는 수로(14)에 의해 조절된다. 기판(17)은, 예를 들면, 실리콘 웨이퍼 등이다. 기판(17)의 두께는, 예를 들면, 700㎛ ~ 1,000㎛이다. 돌기부(12c)의 형상 및 치수에 따라, 본 발명은 상이한 두께를 갖는 기판에 적용될 수 있다.
가스 압력 제어장치(미도시)는 복수의 가스 유입부(18a)로부터 가스로(18)로 불활성 가스를 주입한다. 주입된 불활성 가스가 가스 배출부(18b)로부터 배출되어서 기판(17)의 하부면과 베이스바디(12)의 상부면(12a) 사이에 형성된 공간인 가스 충진부(19)에 충진된 경우에는, 베이스바디(12)와 기판(17) 사이의 열전도도가 향상된다. 불활성 가스로서는, 예를 들면, He 또는 Ar을 사용할 수 있다.
종래에 따른 기판 온도조절-고정장치(100)에서는 외측 밀봉링(102b)이 외측 모서리 부분(12b)에 설치되고, 외측 밀봉링(102b)은 불활성 가스가 가스 충진부(19)의 외부로 누설되는 것을 방지한다. 본 발명에 따른 기판 온도조절-고정장치(10)에서는, 외측 모서리 부분(12b)에 외측 밀봉링(102b)이 설치되어 있지 않지만, 불활성 가스가 가스 충진부(19)로부터 누설되지 않는다.
이것은 다음과 같은 이유들 때문이다. 본 발명에 따른 기판 온도조절-고정장 치(10)에서는, 복수의 돌기부(12c)의 상부면에 기판(17)을 고정하지만, 복수의 돌기부(12c)의 높이(h2)는, 예를 들면, 3㎛ ~ 5㎛로 낮고, 복수의 돌기부(12c)의 상부면으로부터 정전전극(13)까지의 거리는 종래에 따른 기판 온도조절-고정장치(100)에서의 거리보다 더 짧아서, 이에 따라 흡착력(쿨롱력)이 더 강해진다. 복수의 돌기부(12c)의 상부면에 기판(17)을 흡착 상태로 고정한 때에는, 기판(17)의 외측 모서리 부분이 굽어져서, 기판(17)의 하부면의 외측 모서리 부분은 베이스바디(12)의 상부면(12a)의 외측 모서리 부분(12b)과 밀착 접촉한다. 또한, 도 6에서는, 기판(17)의 외측 모서리 부분의 굽어짐을 과장하여 묘사하였지만, 실제의 굽어짐은 3㎛ ~ 5㎛의 범위 내로 매우 작아서, 실제 사용에 아무런 문제도 발생하지 않는다.
표 1은 기판 온도조절-고정장치(10, 100)의 외부에 설치된 가스 압력 제어장치가 불활성 가스인 He을, 종래에 따른 기판 온도조절-고정장치(100)의 가스 충진부(109)와 본 발명에 따른 기판 온도조절-고정장치(10)의 가스 충진부(19)에 충진하고, He의 압력을 20 Torr, 30 Torr, 40 Torr 및 50 Torr로 변화시키고 또한 정전전극(103, 13)에 인가되는 DC 전압값을 변화시킨 때의 He의 누설량을 나타낸다.
돌기부(102c)의 상부면의 직경(φ1)이 1.0㎜이고, 높이(h1)가 10㎛이며, 접촉 면적비가 6.4%인 종래에 따른 기판 온도조절-고정장치(100)에서와, 돌기부(12c)의 상부면의 직경(φ2)이 0.1㎜이고, 높이(h2)가 5㎛이며, 접촉 면적비가 0.007%인 본 발명에 따른 기판 온도조절-고정장치(10)에서의 He의 누설량을 측정하였다. He의 누설은 5 sccm 이하로 밖에 발생하지 않는다는 것이 증명되었다. 한편, 60 sccm은 정전척(101, 11)으로부터 기판(107, 17)이 분리된 상태를 나타낸다.
[표 1]


DC 전압		 He 압력

종래의 기판 온도조절-고정장치(100)
본 발명의 기판 온도조절-고정장치(10)

20 Torr
30 Torr
40 Torr
50 Torr
20 Torr
30 Torr
40 Torr
50 Torr

1500 V
60.0
sccm

2000 V
60.0
sccm
30.3
sccm

2500 V
3.3
sccm
60.0
sccm
0.0
sccm
60.0
sccm

3000 V
2.8
sccm
5.6
sccm
0.1
sccm
0.1
sccm
60.0
sccm

3500 V
2.6
sccm
3.1
sccm
60.0
sccm
0.0
sccm
0.0
sccm
0.1
sccm
60.0
sccm

4000 V
2.6
sccm
2.9
sccm
5.0
sccm
60.0
sccm
0.0
sccm
0.0
sccm
0.0
sccm
0.2
sccm
표 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 온도조절-고정장치(10)에서는 외측 모서리 부분(12b)에 외측 밀봉링(102b)이 설치되어 있지 않지만, He의 누설량은 종래에 따른 기판 온도조절-고정장치(100)의 He 누설량보다 작거나 동일하다. 즉, 본 발명에 따른 기판 온도조절-고정장치(10)에는 외측 모서리 부분(12b)에 외측 밀봉링(102b)이 설치되어 있지 않지만, 그 흡착력이 종래에 따른 기판 온도조절-고정장치(100)의 흡착력과 실질적으로 동일하다는 것이 증명되었다.
이것은, 전술한 바와 같이 복수의 돌기부(12c)의 상부면에 기판(17)을 흡착 상태로 고정한 때에는, 기판(17)의 외측 모서리 부분이 굽어져서, 기판(17)의 하부 면의 외측 모서리 부분이 베이스바디(12)의 상부면(12a)의 외측 모서리 부분(12b)과 밀착 접촉하기 때문이다. 환언하면, 본 발명에 따른 기판 온도조절-고정장치(10)에서는, 기판(17)의 하부면의 외측 모서리 부분이 외측 밀봉링(102b)과 동일한 기능을 나타낸다.
이와 같이, 본 발명에 따른 기판 온도조절-고정장치(10)는, 복수의 돌기부(12c)의 높이(h2)가 예를 들면, 3㎛ ~ 5㎛의 범위로 매우 낮고, 복수의 돌기부(12c)의 상부면으로부터 정전전극(13)까지의 거리는 종래에 따른 기판 온도조절-고정장치(100)에서의 거리보다 더 짧아서, 흡착력(쿨롱력)을 더 강하게 할 수 있고, 이에 따라 기판(17)과 복수의 돌기부(12c) 사이의 밀착도를 향상시킬 수 있다.
또한, 복수의 돌기부(12c)의 상부면에 기판(17)을 흡착 상태로 고정한 때에는, 기판(17)의 외측 모서리 부분이 굽어져서, 기판(17)의 하부면의 외측 모서리 부분이 베이스바디(12)의 상부면(12a)의 외측 모서리 부분(12b)과 밀착 접촉하기 때문에, 불활성 가스가 가스 충진부(19)의 외부로 누출됨으로써 발생하는 진공 처리 챔버 내에서의 진공도(vacuum degree)의 열화를 방지할 수 있다.
표 1에 나타낸 바와 같이, 종래에 따른 기판 온도조절-고정장치(100)에서는, 정전전극(103)에 4,000V의 DC 전압이 인가된 경우, 가스 충진부(109)에 충진되는 He의 압력이 예를 들면, 40 Torr일 때, He의 누설은 허용가능한 범위(5 sccm 이하) 내 일 수 없다. 그러나, 본 발명에 따른 기판 온도조절-고정장치(10)에서는, 정전전극(13)에 3,500V의 DC 전압이 인가된 경우, 가스 충진부(19)에 충진되는 He의 압 력이 예를 들면, 40 Torr일 때, He의 누설은 허용가능한 범위(5 sccm 이하) 내 일 수 있다.
이것은, 본 발명에 따른 기판 온도조절-고정장치(10)는 복수의 돌기부(12c)의 높이(h2)가 예를 들면, 3㎛ ~ 5㎛의 범위로 매우 낮고, 복수의 돌기부(12c)의 상부면으로부터 정전전극(13)까지의 거리가 종래에 따른 기판 온도조절-고정장치(100)에서의 거리보다 더 짧아서, 정전전극(13)에 인가되는 전압이 종래보다 더 낮은 때에도 큰 흡착력(쿨롱력)을 획득할 수 있고, 그 밀착도를 향상시킬 수 있기 때문이다.
이와 같이, 본 발명에 따른 기판 온도조절-고정장치(10)는 정전전극(13)에 인가되는 전압이 종래보다 더 낮은 때에도 큰 흡착력(쿨롱력)을 획득하게 되므로, 말착도를 향상시키는 것이 가능하다. 따라서, 정전전극(13)에 인가되는 전압을 큰 값으로 설정할 필요가 없으므로, 기판의 아킹 또는 차지업(charge up) 발생을 회피함으로써 기판(17)의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 종래에 따른 기판 온도조절-고정장치(100)는 기판(107)과 외측 밀봉링(102b) 및 복수 돌기부(102c)의 상부면 사이의 접촉 면적이 큰 형태를 갖기 때문에, 복수 돌기부(102c) 및 외측 밀봉링(102b)의 상부면과 접촉하는 기판(107)의 대향면에 파티클이 쉽게 부착될 수 있다. 그러나, 본 발명에 따른 기판 온도조절-고정장치(10)는 외측 밀봉링(102b)이 설치되지 않고, 복수 돌기부(12c)의 상부면의 직경(φ2)이 예를 들면, 0.1㎜ ~ 0.2㎜의 범위로 매우 작으며, 복수 돌기부(12c)의 상부면과 기판(17) 사이의 접촉 면적이 작은 형태를 갖기 때문에, 기판(17)의 대향면에 부착되는 파티클을 현저하게 감소시킬 수 있다.
도 7 및 도 8을 참조하여, 파티클의 감소를 더욱 상세하게 설명하도록 한다. 설명의 편의를 위해, 도 1 및 도 4는 돌기부의 상부면의 직경을 확대하고 돌기부의 밀집 상태를 감소시켜서 기판 온도조절-고정장치를 개략적으로 나타내었지만, 도 7은 실제의 기판 온도조절-고정장치를 나타낸다.
도 7(a) 및 도 7(b)는 기판 온도조절-고정장치(100, 10)를 나타낸 평면도이다. 도 7(a)는 종래에 따른 기판 온도조절-고정장치(100)를 나타낸 평면도이고, 도 7(b)는 본 발명에 따른 기판 온도조절-고정장치(10)를 나타낸 평면도이다. 본 도면에서, 도 1 및 도 4와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고, 그 설명을 생략하도록 한다. 또한, 도 7(a) 및 도 7(b)는 돌기부를 설명하기 위해 사용되는 것이므로, 가스 배출부(108b, 18b)가 생략되어 있다.
도 7(a) 및 도 7(b)에 나타낸 바와 같이, 베이스바디(102, 12)의 상부면(102a, 12a)에는 복수의 원통형상의 돌기부(102c, 12c)가 설치되어 평면도에서의 물방울 무늬 패턴(polka-dot pattern)으로 도팅(dotting)되어 있다. 또한, 도 7(a)에 나타낸 바와 같이, 종래에 따른 기판 온도조절-고정장치(100)에는, 전술한 바와 같이, 베이스바디(102)의 상부면(102a)의 외측 모서리 부분에 평면도에서의 환상(環狀) 돌기 부분인 외측 밀봉링(102b)이 설치되어 있다. 도 7(b)에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 온도조절-고정장치(10)에는, 전술한 바와 같이, 베이스바디(12)의 상부면(12a)의 외측 모서리 부분(12b)에 외측 밀봉링(102b)이 설치되어 있지 않다. 또한, 본 발명에 따른 기판 온도조절-고정장치(10)의 돌기부(12c)의 상부면 직경(φ2)은 종래에 따른 기판 온도조절-고정장치(100)의 돌기부(102c)의 상부면 직경(φ1)보다 더 작다.
도 8(a) 및 도 8(b)는 도 7(a) 및 도 7(b)에 나타낸 기판 온도조절-고정장치(100, 10)에 기판(107, 17)이 놓인 경우에, 기판(107, 17)의 대향면에 부착된 파티클(200, 20)을 나타낸 개략도이다. 도 8(a)는 종래에 따른 기판 온도조절-고정장치(100)에 기판(107)이 놓인 경우에, 기판(107)의 대향면에 부착된 파티클(200)을 나타낸 개략도이다. 도 8(b)는 본 발명에 따른 기판 온도조절-고정장치(10)에 기판(17)이 놓인 경우에, 기판(17)의 대향면에 부착된 파티클(20)을 나타낸 개략도이다.
도 8(a)에 나타낸 바와 같이, 종래에 따른 기판 온도조절-고정장치(100)에 기판(107)이 놓인 때에는, 외측 밀봉링(102b) 및 복수 돌기부(102c)와 접촉하는 부분의 기판(107) 대향면에 파티클(200)이 부착된다. 특히, 파티클(200)은 외측 밀봉링(102b)과 접촉하는 부분에 집중적으로 부착된다.
반면, 도 8(b)에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 온도조절-고정장치(10)에 기판(17)이 놓인 때에는, 기판 온도조절-고정장치(10)에 외측 밀봉링(102b)이 설치되어 있지 않으므로, 기판(17) 대향면의 외측 모서리 부분에는 파티클(20)이 집중적으로 부착되지 않는다. 또한, 본 발명에 따른 기판 온도조절-고정장치(10)의 돌기부(12c)의 상부면 직경(φ2)은 기판 온도조절-고정장치(100)의 돌 기부(102c)의 상부면 직경(φ1)보다 더 작으므로, 기판(17)의 대향면에 부착되는 파티클(20)을 현저하게 감소시킬 수 있다.
본 발명에 따른 기판 온도조절-고정장치(10)는 베이스바디(12)의 상부면(12a)의 외측 모서리 부분(12b)에 외측 밀봉링(102b)이 설치되어 있지 않고, 돌기부(12c)의 상부면 직경(φ2)이 종래보다 현저히 더 작기 때문에, 기판(17)과 돌기부(12c)의 상부면 사이의 접촉 면적을 현저하게 감소시킬 수 있으며, 이에 따라 외측 모서리 부분을 포함한 기판(17)의 전체 대향면에 부착되는 파티클(20)을 현저하게 감소시킬 수 있다.
본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하였지만, 본 발명은 상술한 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위를 일탈하지 않는다면 상술한 실시예들에 대한 다양한 수정 및 대체가 가능하다.
도 1은 종래에 따른 기판 온도조절-고정장치(100)를 개략적으로 나타낸 평면도.
도 2는 도 1에 나타낸 A-A 선에 따라서, 종래에 따른 기판 온도조절-고정장치(100)를 개략적으로 나타낸 단면도.
도 3은 종래에 따른 기판 온도조절-고정장치(100)가 흡착 상태에서 기판(107)을 고정한 상태를 개략적으로 나타낸 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 기판 온도조절-고정장치(10)를 개략적으로 나타낸 평면도.
도 5는 도 4에 나타낸 B-B 선에 따라서, 본 발명에 따른 기판 온도조절-고정장치(10)를 개략적으로 나타낸 단면도.
도 6은 기판 온도조절-고정장치(10)가 흡착 상태에서 기판(17)을 고정한 상태를 개략적으로 나타낸 단면도.
도 7(a) 및 도 7(b)는 기판 온도조절-고정장치(100, 10)를 나타낸 평면도.
도 8(a) 및 도 8(b)는 도 7(a) 및 도 7(b)에 나타낸 기판 온도조절-고정장치(100, 10)에 기판(107, 17)이 놓인 경우에, 기판(107, 17)의 대향면에 부착된 파티클(200, 20)을 나타낸 개략도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10: 기판 온도조절-고정장치 11: 정전척
12a: 상부면 12b: 외측 모서리 부분
12c: 돌기부 13: 정전전극
14: 수로(water path) 14a: 냉각수 유입부
14b: 냉각수 배출부 15: 접착층
16: 베이스플레이트 17: 기판
18: 가스로(gas path) 18a: 가스 유입부
18b: 가스 배출부

Claims (8)

  1. 정전전극(electrostatic electrode)이 내장된 베이스바디(base body)에 흡착 대상을 놓고, 상기 정전전극에 전압을 인가함으로써 상기 흡착 대상과의 사이에 쿨롱력(coulombic force)을 발생시켜 상기 흡착 대상을 흡착 고정하는 정전척으로서,
    상기 베이스바디는 상기 흡착 대상과 대향되는 상부면을 갖고,
    상기 베이스바디의 상부면의 외측 모서리 부분을 제외한 영역에는, 상기 외측 모서리 부분보다 상기 흡착 대상 측으로 돌기되는 돌기부가 형성되어 있고,
    상기 외측 모서리 부분과 상기 돌기부의 상부면이 상기 흡착 대상과 접촉 가능해지게 되어 있는 것을 특징으로 하는 정전척.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 돌기부는 상기 베이스바디의 상부면에 복수 형성되어 있고, 상기 베이스바디의 상부면과 상기 외측 모서리 부분은 동일한 평면인 것을 특징으로 하는 정전척.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 돌기부가 형성되어 있는 부분도 포함시킨 상기 베이스바디의 상부면의 전체 면적 대비 상기 돌기부의 상부면 총 면적의 비율은, 0.005% ~ 0.03%인 것을 특징으로 하는 정전척.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 돌기부는 평면도에서 물방울 무늬 패턴(polka-dot pattern)으로 도팅(dotting)되도록 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 정전척.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 흡착 대상이 흡착 고정되면, 상기 흡착 대상의 하부면의 외측 모서리 부분이 상기 쿨롱력에 의해, 상기 베이스바디의 상부면의 외측 모서리 부분에 밀착되는 것을 특징으로 하는 정전척.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    흡착 고정되어 있는 상기 흡착 대상의 하부면과, 상기 베이스바디의 상부면이 형성하는 공간에는, 압력을 조정한 불활성 가스를 충진하는 것을 특징으로 하는 정전척.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 정전척과,
    상기 정전척을 지지하는 베이스플레이트(base plate)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 온도조절-고정장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 베이스플레이트는,
    상기 정전척에 불활성 가스를 주입하는 가스로(gas path),
    상기 정전척을 가열하는 히터, 및
    상기 정전척을 냉각하는 수로를 내부에 설치한 것을 특징으로 하는 기판 온도조절-고정장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7940511B2 (en) * 2007-09-21 2011-05-10 Asml Netherlands B.V. Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp
KR101331372B1 (ko) * 2009-02-18 2013-11-20 가부시키가이샤 알박 웨이퍼 반송용 트레이 및 이 트레이 상에 웨이퍼를 고정시키는 방법
JP5218865B2 (ja) * 2010-03-26 2013-06-26 Ｔｏｔｏ株式会社 静電チャック
WO2012057987A2 (en) * 2010-10-29 2012-05-03 Applied Materials, Inc. Deposition ring and electrostatic chuck for physical vapor deposition chamber
NL2007452A (en) 2010-12-08 2012-06-11 Asml Holding Nv Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp.
KR20150008124A (ko) 2012-04-23 2015-01-21 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 정전기 클램프, 리소그래피 장치 및 방법
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
CN103794527B (zh) * 2012-10-30 2016-08-24 中微半导体设备(上海)有限公司 静电卡盘加热方法
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
CN104008957B (zh) * 2013-02-22 2016-10-05 中微半导体设备(上海)有限公司 基片补偿刻蚀的方法
US9101038B2 (en) 2013-12-20 2015-08-04 Lam Research Corporation Electrostatic chuck including declamping electrode and method of declamping
JP6215104B2 (ja) * 2014-03-20 2017-10-18 新光電気工業株式会社 温度調整装置
CN106971964A (zh) 2014-07-23 2017-07-21 应用材料公司 可调谐温度受控的基板支撑组件
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US10002782B2 (en) 2014-10-17 2018-06-19 Lam Research Corporation ESC assembly including an electrically conductive gasket for uniform RF power delivery therethrough
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US9728437B2 (en) * 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
KR101902806B1 (ko) * 2015-04-02 2018-10-01 울박, 인크 흡착방법 및 진공처리방법
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
CN106024610B (zh) * 2016-07-28 2019-06-07 京东方科技集团股份有限公司 一种下部电极、干法刻蚀设备
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
TWI768849B (zh) * 2017-10-27 2022-06-21 美商應用材料股份有限公司 具有空間分離的單個晶圓處理環境
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
CN108364845B (zh) * 2018-03-20 2020-05-05 武汉华星光电技术有限公司 一种干法刻蚀设备
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
JP7209515B2 (ja) * 2018-11-27 2023-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板保持機構および成膜装置
TWI780384B (zh) * 2018-12-21 2022-10-11 日商Ｔｏｔｏ股份有限公司 靜電吸盤
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
CN110149071A (zh) * 2019-05-22 2019-08-20 夏义捷 一种库仑力电机及直线加速装置
CN110289241B (zh) * 2019-07-04 2022-03-22 北京北方华创微电子装备有限公司 静电卡盘及其制作方法、工艺腔室和半导体处理设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002076105A (ja) 2000-06-14 2002-03-15 Anelva Corp 静電吸着機構及び表面処理装置
JP2002299426A (ja) 2001-03-29 2002-10-11 Toto Ltd 静電チャックユニット
JP2006049357A (ja) 2004-07-30 2006-02-16 Toto Ltd 静電チャックおよび静電チャックを搭載した装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3271352B2 (ja) * 1993-01-13 2002-04-02 ソニー株式会社 静電チャック及びその作製方法並びに基板処理装置及び基板搬送装置
US5625526A (en) * 1993-06-01 1997-04-29 Tokyo Electron Limited Electrostatic chuck
JPH09172055A (ja) * 1995-12-19 1997-06-30 Fujitsu Ltd 静電チャック及びウエハの吸着方法
JP2000317761A (ja) 1999-03-01 2000-11-21 Toto Ltd 静電チャックおよび吸着方法
TW473792B (en) * 2000-01-20 2002-01-21 Ngk Insulators Ltd Electrostatic chuck
JP4094262B2 (ja) * 2001-09-13 2008-06-04 住友大阪セメント株式会社 吸着固定装置及びその製造方法
JP4407793B2 (ja) 2003-07-11 2010-02-03 Ｔｏｔｏ株式会社 静電チャックおよび静電チャックを搭載した装置
US7072165B2 (en) * 2003-08-18 2006-07-04 Axcelis Technologies, Inc. MEMS based multi-polar electrostatic chuck
US7248457B2 (en) * 2005-11-15 2007-07-24 Toto Ltd. Electrostatic chuck
TW200735254A (en) * 2006-03-03 2007-09-16 Ngk Insulators Ltd Electrostatic chuck and producing method thereof
JP2009302518A (ja) * 2008-05-13 2009-12-24 Toto Ltd 静電チャック

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002076105A (ja) 2000-06-14 2002-03-15 Anelva Corp 静電吸着機構及び表面処理装置
JP2002299426A (ja) 2001-03-29 2002-10-11 Toto Ltd 静電チャックユニット
JP2006049357A (ja) 2004-07-30 2006-02-16 Toto Ltd 静電チャックおよび静電チャックを搭載した装置

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Publication number Publication date
US20090168291A1 (en) 2009-07-02
CN101471278A (zh) 2009-07-01
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