KR101411221B1

KR101411221B1 - 압전 자기 조성물 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR101411221B1
Application number: KR1020127028012A
Authority: KR
Inventors: 겐지 나가레다; 던주오 동
Original assignee: 혼다덴시 가부시키가이샤
Priority date: 2012-03-02
Filing date: 2012-03-02
Publication date: 2014-06-23
Also published as: KR20130128307A; JP5990760B2; DE112012000207B4; CN103503185B; US20140367605A1; WO2013128651A1; JPWO2013128651A1; US9172026B2; DE112012000207T5; CN103503185A

Abstract

[과제] 양호한 압전 특성을 갖고 또한 특성 편차가 적은 압전 자기 조성물을 제공하는 것.
[해결 수단] 압전 자기 조성물(10)은, 조성식 ABO₃으로 표시되는 페로브스카이트 구조의 결정상을 주상으로서 포함한다. A원소는, K, Na, Li로부터 선택되는 1개 이상의 원소이며, B원소는, Nb, Ta, Sb로부터 선택되는 1개 이상의 원소이다. 압전 자기 조성물(10)에는, A원소 및 B원소와는 다른 원소가 첨가되고 있다. 압전 자기 조성물(10)의 분말 시료의 X선 회절 프로파일에 있어서, 주상과, 조성식 A_sB_tO_u(s＜t＜u)로 표시되는 페로브스카이트 구조에 속하지 않는 결정 구조의 다른 상의 존재를 나타내는 회절 피크가 존재한다. 다른 상의 존재를 나타내는 메인 피크의 회절 강도 I_max(2θ＝29.3°)와, 주상의 존재를 나타내는 메인 피크의 회절 강도 I_max(2θ＝31.8°)와의 강도비 v가 0＜v≤0.088의 범위로 되는 조성으로 압전 자기 조성물(10)이 제조된다.

Description

압전 자기 조성물 및 그 제조방법{PIEZOCERAMIC COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은, 액츄에이터, 초음파 센서, 초음파 진동자 등에 이용되는 니오브산 알칼리계의 압전 자기 조성물 및 그 제조방법에 관한 것이다.

압전 자기 조성물은, 액츄에이터, 초음파 센서, 초음파 진동자 등의 압전 소자로서 이용되고 있다. 현재, 압전 특성이 우수한 압전 자기 조성물로서는, 티탄산 지르콘산 납(PZT) 등과 같이 납 화합물을 포함한 것이 실용화되고 있지만, 납 화합물을 포함하는 압전 자기 조성물은 환경에의 악영향이 염려되고 있다. 이 때문에, 최근, 납 화합물을 포함하지 않는 압전 자기 조성물이 주목받고, 연구 개발이 진행되고 있다. 이 납 화합물을 포함하지 않는 압전 자기 조성물로서, 니오브산 알칼리계의 압전 자기 조성물이 특허문헌 1∼3 등에서 제안되고 있다.

특허문헌 1∼3에 개시되고 있는 압전 자기 조성물은, ABO₃의 조성식으로 표시되는 페로브스카이트(perovskite) 화합물이며, A사이트의 원소로서 칼륨이나 나트륨을 포함하고, B사이트의 원소로서 니오브나 탄탈을 포함하고 있다.

일본 특허공보 제4326374호 일본 특허공보 제4398635호 일본 공개특허공보 제2008-162889호

그런데, 니오브산 알칼리계의 압전 자기 조성물을 제조하는 경우, 출발 원료로서 이용하는 칼륨 재료의 흡습성(吸濕性)에 의한 칭량(稱量) 오차의 문제나, 소성 공정에 있어서의 칼륨 비산(飛散)의 문제 등이 있고, 압전 특성의 안정성이나 재현성(再現性)이 곤란하게 되는 것이 알려져 있다. 이 때문에, 양호한 압전 특성(구체적으로는, 지름 방향의 전기 기계 계수가 0.4 이상의 특성)을 갖고 또한 특성 편차가 적은 균일한 제품을 저비용으로 생산하기 위한 기술이 요구되고 있다.

본 발명은 상기의 과제을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 양호한 압전 특성을 가지며 또한 특성 편차가 적은 압전 자기 조성물을 제공하는 것에 있다. 또, 다른 목적은, 상기 압전 자기 조성물을 저비용으로 제조할 수 있는 압전 자기 조성물의 제조방법을 제공하는 것에 있다.

상기 과제를 해결하기 위해서, 청구항 1에 기재된 발명은, 조성식 ABO₃으로 표시되는 페로브스카이트 구조의 결정상(結晶相)(A원소는, K, Na, Li로부터 선택되는 1개 이상의 원소, B원소는, Nb, Ta, Sb로부터 선택되는 1개 이상의 원소)을 주상(主相)으로서 포함하는 압전 자기 조성물로서, 상기 A원소 및 상기 B원소와는 상이한 다른 원소를 첨가물로서 포함해서 구성되고, 상기 압전 자기 조성물을 입자 지름이 10㎛ 이하로 분쇄한 분말 시료의 X선 회절 프로파일에 있어서, 상기 주상과, 조성식 A_sB_tO_u(s,t,u는 몰비이고, s＜t＜u, 1.5≤t/s＜4.0, 4.25≤u/s＜11.54의 관계를 만족한다)로 표시되는 페로브스카이트 구조에 속하지 않는 결정 구조의 다른 상(異相)(이하, 다른 상 A_sB_tO_u라고 부른다)의 존재를 나타내는 회절 피크가 존재하고, 2θ＝29.3°부근에 있어서 상기 다른 상의 존재를 나타내는 메인 피크의 회절 강도 I_max(2θ＝29.3°)와, 2θ＝31.8°부근에 있어서 상기 주상의 존재를 나타내는 메인 피크의 회절 강도 I_max(2θ＝31.8°)와의 강도비 v＝I_max(2θ＝29.3°)/I_max(2θ＝31.8°)가 0＜v≤0.088의 범위인 것을 특징으로 하는 압전 자기 조성물을 그 요지로 한다.

청구항 1에 기재된 발명에 의하면, 다른 상 A_sB_tO_u를 포함하는 형태로 압전 자기 조성물이 제작되고, 전체 조성으로서는, A/B＝0.95∼0.98 정도의 B사이트 리치(B원소의 과잉) 상태로 된다. 본 발명의 압전 자기 조성물에서는, 주상에 있어서의 A사이트 결함이 2％ 정도의 비율로 존재하고 있고, 그 이상(以上) A사이트 결함을 생성하기 어려운 상태로 되기 때문에, 부산물로서 다른 상 A_sB_tO_u가 생성되고 있다. 또, 압전 자기 조성물에 있어서, K, Na, Li, Nb, Ta, Sb 이외의 금속 원소를 첨가물로서 포함하지 않는 경우, 주상에 있어서의 A사이트 결함의 허용량이 현저하게 적게 된다. 이것에 대해서, 미량의 첨가물의 원소를 더하는 것으로 점(點) 결함이 도입되고, 그것에 수반하여 A사이트 결함의 허용량을 적당히 늘릴 수 있다. 본 발명의 압전 자기 조성물에 있어서, 주상에 있어서의 A사이트 결함량이 많아지면, 소결체의 치밀성이 증가하여 압전 특성을 향상시킬 수 있다. 또, A원소가 너무 결핍되면, A사이트 결함량이 허용량(2％ 정도)으로 그치고 그 이상은 생성되지 않게 되며, 다른 상 A_sB_tO_u가 생성되게 된다.

여기서, 다른 상 A_sB_tO_u가 생성되지 않는 한계점에 상당하는 A사이트 결함량으로 소결되도록 압전 자기 조성물을 제조하면, 양호한 압전 특성을 얻는 것이 가능하게 된다. 그러나, 다른 상 A_sB_tO_u가 생성되지 않는 한계점을 노린 조성비로 압전 자기 조성물을 제조하는 것은 곤란하다. 특히, 압전 자기 조성물을 대량생산하는 경우, 소성노(燒成爐)내의 온도나 분위기의 불균일함에 따라서, 모든 압전 자기 조성물에 있어서 목적으로 하는 A사이트 결함량으로 소결되도록 조정하는 것은 곤란하다. 또, 다른 상 A_sB_tO_u가 생성되지 않는 조성비측에 편차가 생긴 경우, 그 조성비의 변동이 A사이트 결함량의 증감에 직결되기 때문에, 압전 특성의 재현성이나 제조 로트내에서의 불균일이 악화된다.

이것에 대해서, 본 발명의 압전 자기 조성물은, 회절 강도 I_max의 강도비 v가 0＜v≤0.088의 범위로 되도록 다른 상 A_sB_tO_u를 포함하는 조성비로 하고 있다. 이와 같이 하면, 지름 방향의 전기 기계 결합 계수가 0.4 이상의 양호한 특성을 가지며, 공업적으로 안정된 압전 특성의 압전 자기 조성물을 얻을 수 있다. 구체적으로, 압전 자기 조성물에 있어서, 조성비의 편차가 생긴 경우, 특성에의 영향이 작은 다른 상 A_sB_tO_u의 생성 비율이 변동하지만, 주상에 있어서의 A사이트 결함의 변동은 작게 된다. 즉, 소성노내의 온도 분포나 분위기의 불균일에 의한 구움 얼룩이나 조성 편차에 대해서, 특성에의 기여가 작은 다른 상 A_sB_tO_u의 생성 비율이 완충으로 된다. 이 때문에, 소결성이나 특성으로의 영향이 큰 주상(ABO₃의 페로브스카이트 구조의 결정상)의 A/B비(比)의 조성 편차가 억제되어, 주상의 A사이트 결함이 거의 최대로 된 최적 특성이 얻어지는 상태로, 소성노내의 모든 압전 자기 조성물이 구워진다. 이 결과, 압전 자기 조성물의 특성 편차를 낮게 억제할 수 있으며, 높은 우량품율로 압전 자기 조성물을 대량으로 제조하는 것이 가능하게 된다.

청구항 1에 기재된 발명은, 상기 다른 상은, 상기 A원소에 대해서 상기 B원소를 1.5배 이상 4.0배 미만의 비율로 포함해서 조성되는 산화물인 것을 그 특징 중 하나로 한다.

청구항 1에 기재된 발명과 같이, A원소에 대해서 B원소를 1.5배 이상 4.0배 미만의 비율로 포함해서 조성되는 다른 상이 존재하는 경우, 공업적으로 안정된 압전 특성을 갖는 압전 자기 조성물을 제조할 수 있다.

청구항 2에 기재된 발명은, 청구항 1에 있어서, 상기 다른 상은, A₆B_10.8O₃₀로 나타내어지는 산화물이며, 전체 압전 자기 조성물에 대한 다른 상의 중량 비율 w가 0％＜w≤6.0％로 규정되는 비율로 생성되고 있는 것을 그 요지로 한다.

청구항 2에 기재된 발명에 의하면, A₆B_10.8O₃₀의 조성식으로 나타내어지는 다른 상이 적당한 비율로 존재하기 때문에, 공업적으로 안정된 압전 특성을 갖는 압전 자기 조성물을 제조할 수 있다. 또, A₆B_10.8O₃₀의 다른 상은, 상온에서 정방정계(正方晶系)이지만, 압전성이 약하다. 이 때문에, A₆B_10.8O₃₀의 다른 상의 생성 비율이 증가하면, 압전 자기 조성물로서의 압전 특성이 저하되어 버린다. 이것에 대해서, 본 발명에서는, A₆B_10.8O₃₀의 다른 상은 6％ 이하의 중량 비율로 생성되기 때문에, 다른 상의 생성 비율이 증가하는 것에 의한 압전 특성의 저하를 억제할 수 있다.

청구항 3에 기재된 발명은, 청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 첨가물은, Bi와 Fe와의 금속 원소이며, 조성물 전체를 1로 한 경우에, 조성식

(1―z)ABO₃＋z(0.5Bi₂O₃＋0.5Fe₂O₃)

로 규정되는 금속 원소의 구성비 z로서 0＜z≤0.02의 비율로 포함하는 것을 그 요지로 한다.

청구항 3에 기재된 발명과 같이, Bi(비스무트)와 Fe(철)의 금속 원소를 적당히 첨가함으로써, B원소로서 Ta(탄탈)가 존재하지 않아도 압전 특성이 좋은 압전 자기 조성물을 얻을 수 있다. Ta는, Nb(니오브)나 Sb(안티몬)와 비교해서 비교적 고가인 재료이다. 이 때문에, Ta를 사용하지 않고 압전 자기 조성물을 제조함으로써, 그 제조비용을 낮게 억제하는 것이 가능하게 된다.

청구항 4에 기재된 발명은, 가소(假燒) 공정 후에 본소(本燒) 공정을 행하고 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 기재된 압전 자기 조성물을 제조하는 제조방법으로서, 상기 가소 공정 후에 있어서, 조성물을 분쇄해서 얻어진 가소분(假燒粉)에 대해서 X선 회절 프로파일을 취득하는 X선 회절 공정과, 상기 X선 회절 프로파일에 기초하여, 상기 다른 상의 생성 비율을 확인하고, 그 생성 비율에 따라서 조성 조정을 행하는 조정 공정을 포함하며, 상기 조성 조정을 행한 가소분을 이용하여 상기 본소 공정을 행하도록 한 것을 특징으로 하는 압전 자기 조성물의 제조방법을 그 요지로 한다.

청구항 4에 기재된 발명에 의하면, 가소분의 X선 회절 프로파일에 기초하여, 다른 상 A_sB_tO_u의 생성 비율이 확인되고, 그 생성 비율에 따라서 조성 조정이 행해진다. 이 경우, 다른 상 A_sB_tO_u의 생성 비율이 소망하는 범위로부터 벗어나 버린 가소분을 사용하여, 최적인 조성비로 되도록 조성 조정을 행할 수 있다. 특히, 니오브산 알칼리계 재료에서는, 소재 원료로 사용되는 칼륨 재료(K₂CO₃ 분말)의 흡습에 의한 칭량 오차 등에 의해 조합시의 조성 편차가 일어나기 쉽다. 이 문제에 대해서는, 소재 원료를 혼합해서 800∼900℃의 온도에서 가소를 행한 가소분에 대해서 X선 회절을 행하는 것으로, 다른 상 A_sB_tO_u의 생성의 정도를 확인하고, 가소까지의 공정에서의 조성 편차의 정도를 파악할 수 있다. 그리고, 소성 후에 소망하는 다른 상 A_sB_tO_u의 생성량이 되도록 조성 조정해서 혼합하고, 필요에 따라서 재가소(再假燒)하고, 이것에 바인더를 첨가하여 성형해서 소성을 행하는 것으로, 본 재료계에 있어서의 조성 편차의 문제에 대응할 수 있다. 이와 같이 하면, 다른 상의 생성 비율이 소망하는 범위로부터 벗어난 가소분을 버릴 필요가 없고, 그 가소분을 사용해서 압전 자기 조성물을 제조할 수 있다. 이 때문에, 원료의 폐기 손실을 없앨 수 있으며, 압전 자기 조성물의 제조비용을 낮게 억제할 수 있다.

이상 상세히 설명한 바와 같이, 청구항 1∼3에 기재된 발명에 의하면, 양호한 압전 특성을 가지며 또한 특성 편차가 적은 압전 자기 조성물을 제공할 수 있다. 또, 청구항 4에 기재된 발명에 의하면, 양호한 압전 특성을 가지며 또한 특성 편차가 적은 압전 자기 조성물을 저비용으로 제조할 수 있다.

도 1은, 제1의 실시형태의 압전 자기 조성물을 나타내는 사시도이다.
도 2는, 실시예 1, 2, 비교예 1∼7의 압전 자기 조성물의 분말 시료의 X선 회절 프로파일을 나타내는 설명도이다.
도 3은, 실시예 1, 2, 비교예 1∼7의 가소분의 X선 회절 프로파일을 나타내는 설명도이다.
도 4는, 실시예 17, 비교예 2, 5의 압전 자기 조성물의 분말 시료의 X선 회절 프로파일을 나타내는 설명도이다.

［제1의 실시형태］

이하, 본 발명을 니오브산 알칼리계의 압전 자기 조성물로 구체화한 제1의 실시형태를 도면에 기초하여 상세하게 설명한다.

도 1은, 본 실시의 형태의 압전 자기 조성물(10)을 나타내는 사시도이다. 압전 자기 조성물(10)은, 직경이 15㎜, 두께 1㎜의 사이즈를 갖는 원판 형상으로 형성되어 있다. 압전 자기 조성물(10)은, 예를 들면 초음파 유량계를 구성하기 위한 초음파 센서로서 사용된다. 한편, 압전 자기 조성물(10)은, 엔진의 노킹 센서(knocking sensor)나 초음파 세정기의 초음파 진동자 등으로 이용하여도 좋고, 그 용도에 따라서 형상이나 사이즈는 적절히 변경해서 사용된다.

본 실시의 형태의 압전 자기 조성물(10)은, 조성식 ABO₃으로 표시되는 페로브스카이트 구조의 결정상을 주상으로서 포함해서 구성되어 있다. 압전 자기 조성물(10)은, A사이트의 원소(A원소)로서, K(칼륨), Na(나트륨), Li(리튬)를 포함하며, B사이트의 원소(B원소)로서, Nb(니오브), Ta(탄탈), Sb(안티몬) 중 적어도 Nb를 포함해서 구성되어 있다. 또, 압전 자기 조성물(10)은, A원소 및 B원소와는 다른 금속 원소인 Bi(비스무트)와 Fe(철)를 첨가물로서 포함해서 구성되어 있다.

이하, 압전 자기 조성물(10)의 제조방법에 대해서 상세히 설명한다.

먼저, K₂CO₃, Na₂CO₃, Li₂CO₃, Nb₂O₅, Ta₂O₅, Sb₂O₃, Bi₂O₃, Fe₂O₃의 원료 분말(순도 99％ 이상)을 준비한다. 그리고, 표 1에 나타내는 실시예 1∼16 및 비교예 1∼21의 각각의 조성을 만족하도록, 각각의 금속 원소를 함유하는 원료 분말을 칭량하고, 볼 밀에 의해 알코올 중에서 24시간 혼합해서 혼합 슬러리를 얻는다. 한편, 각각의 금속 원소를 함유하는 원료 분말(화합물)의 종류는 특별히 한정되지 않지만, 각 금속 원소의 산화물, 탄산염 등을 적합하게 이용할 수 있다.

이어서, 얻어진 혼합 슬러리를 건조하고, 900℃에서 3시간 가소한 후에, 볼 밀에 의해 24시간 분쇄했다. 다시, 바인더로서 폴리비닐알코올을 첨가하여, 조립(造粒)했다. 그리고, 조립 후의 분체(粉體)를 압력 2kN/㎠로, 직경 18㎜, 두께 2㎜의 원판 형상으로 가압 성형하고, 이 성형체를 1000∼1200℃에서 2.5시간 소성하여, 소성체를 제작했다. 한편, 이때의 소성 온도는, 1000∼1200℃의 사이에서 소성체가 최대 밀도로 되는 온도를 선정했다.

다음에, 소성 후의 각 소성체의 양면을 평행 연마하고, 도 1에 도시하는 직경 약 15㎜, 두께 1㎜의 원판 형상으로 가공한 후, 이 원판 시료의 양면에 은페이스트를 도포하여 700℃에서 베이킹을 행하여 대향 전극을 형성했다. 계속해서, 130℃의 실리콘 오일중에서 3kV/㎜의 직류 전압을 20분간 전극간에 인가하고, 두께 방향으로 분극(分極)을 실시하여 압전 자기 조성물(10)로 했다.

[표 1]

이와 같이 하여, 실시예 1∼16 및 비교예 1∼21에 관한 압전 자기 조성물(10)의 샘플을 각각 제조했다.

본 발명자들은, 실시예 1∼16 및 비교예 1∼21의 압전 자기 조성물(10)에 대해서, 전기 특성, 동일 로트내에서의 특성 편차, 및 공정 능력 지수 C_pk를 측정했다. 그 측정 결과를 표 2에 나타내고 있다. 본 실시형태에서는, 임피던스 애널라이저(애질런트사 제품 4294A)를 이용하여, 지름 방향의 전기 기계 결합 계수 Kp, 비유전률ε_33T/ε₀, 유전손실 tanδ의 전기 특성을 25℃의 온도에서 각각 측정했다. 또, 측정 샘플수는 100개이며, 이들 전기 특성의 평균치를 표 2에 나타내고 있다. 또한, 동일 로트내에서의 전기 기계 결합 계수 Kp의 표준 편차를 특성 편차로서 구하고, 전기 기계 결합 계수 Kp의 평균치 및 표준 편차를 이용하여, Kp≥0.4를 규격으로 한 경우의 공정 능력 지수 C_pk를 구했다.

[표 2]

본 발명자들은, 실시예 1∼16 및 비교예 1∼21의 압전 자기 조성물(10)에 대해서, X선 회절 장치(리가쿠사 제품 SmartLab, X선원(線源)：Cu Kα, 검출기：D-TEX Ultra)를 이용하여 XRD 분석을 행했다. 도 2에는, 얻어진 X선 회절 프로파일의 일례를 나타내고 있다. 한편 여기에서는, 전극 형성전의 압전 자기 조성물(10), 또는 연마에 의해서 전극을 제거한 압전 자기 조성물(10)을 유발(乳鉢)에 의해서 분쇄하고, 입자지름이 10㎛ 이하의 분말형상으로 한 시료 분말을 X선 회절 장치의 측정 홀더에 세트하여 XRD 분석을 행했다. 또, XRD 분석에 있어서의 구체적인 계측은, θ―2θ법, 집중 빔법, 측정 범위：2θ＝5∼100°, 스캔 스피드：4°/분, 측정 간격：2θ＝0.2°의 조건으로 행했다. 한편, XRD 분석의 계측 방법으로서는, 다른 상 A_sB_tO_u의 존재 유무를 바르게 판정할 수 있는 수법인 한, 상술의 방법으로 한정할 필요는 없다.

XRD 분석으로 얻어진 X선 회절 프로파일에 있어서, 실시예 1∼16 및 비교예 1∼21의 모든 시료에서 메인 피크가 2θ＝31.8°부근에 관측되었다(도 2 참조). 이 2θ＝31.8°는 조성식 ABO₃으로 표시되는 주상의 존재를 나타내는 메인 피크이다. 또, 2θ＝29.3°부근에 관측되는 피크는, A₆B_10.8O₃₀, A₄B₆O₁₇등의 다른 상 A_sB_tO_u의 존재를 나타내는 메인 피크이지만, 그 피크를 인식할 수 있는 시료와 인식할 수 없는 시료가 존재했다(표 3 참조).

[표 3]

여기서, 다른 상 A_sB_tO_u의 존재를 나타내는 2θ＝29.3°부근의 피크가 인식된 시료에 대해서, 다른 상 A_sB_tO_u의 존재를 나타내는 2θ＝29.3°부근의 메인 피크와 ABO₃의 주상에 의한 2θ＝31.8°부근의 메인 피크와의 강도비 v＝I_max(2θ＝29.3°)/I_max(2θ＝31.8°)를 계산했다. 그 계산 결과를 표 3에 나타내고 있다. 게다가, 이러한 X선 회절 프로파일에 대해서, 해석 소프트(리가쿠사 제품 PDXL)에 의해 리트벨트(Rietveld) 해석을 행하여, 다른 상 A_sB_tO_u의 종류, 및 존재 비율 w(중량％)를 추정했다. 해석의 결과, 다른 상 A_sB_tO_u의 종류는 A₆B_10.8O₃₀의 정방정(正方晶)으로 추정되고, 그 존재 비율 w(생성 비율)은 표 3에 나타내어지는 바와 같았다. 한편, 본 실시형태에 있어서는, 피크 강도비로 존재 비율을 구했지만, 피크 분리가 적합하게 되는 경우에 있어서는, 적분 강도비를 이용할 수도 있다.

표 2에 나타내어지는 바와 같이, 실시예 1∼16에서는, 임피던스 애널라이저에 의한 전기 기계 결합 계수 Kp의 평가에 있어서, Kp≥0.4를 규격으로 한 경우의 공정 능력 지수 C_pk＞1.33을 충족하고 있으며, 불량율이 적은 상태로 양호한 특성의 압전 자기 조성물(10)이 얻어지고 있다. 따라서, 표 1에서 나타내어지는 실시예 1∼16의 조성비로 압전 자기 조성물(10)을 제조하면, 로트 변동도 작고, 안정되고 양호한 특성을 얻을 수 있다. 즉, 양산(量産)에 있어서, 안정적으로 높은 우량품율로 양호한 특성의 압전 자기 조성물(10)을 얻을 수 있다.

이것에 대해서, 비교예 1∼4, 10∼11, 13∼15, 20∼21은, 다른 상 A_sB_tO_u의 존재를 나타내는 피크(2θ＝29.3°부근의 피크)는 인식할 수 없었다. 이들 비교예에서는, Kp≥0.4를 규격으로 한 경우의 공정 능력 지수 C_pk＞1.33의 조건을 모두 충족하고 있지 않았다. 또, 표 3에 나타내어지는 바와 같이, 비교예 5∼8, 12는, 다른 상 A_sB_tO_u의 존재가 확인되었지만, 그 존재 비율 w가 너무 높아서(w＞6.0％), 메인 피크의 강도비 v가 0.088보다도 크게 되어 있었다. 이와 같이 다른 상 A_sB_tO_u의 존재 비율이 높아지고, 메인 피크의 강도비 v가 0.088보다도 크게 되는 경우, 주상의 A사이트 결함량이 작게 되는 것에 관련하여, 전기 특성이 저하되고 있었다.

비교예 9는, 다른 상 A_sB_tO_u의 존재가 확인되었지만, K, Na, Li, Nb, Ta, Sb의 외에 미량의 첨가물의 금속 원소(Bi, Fe)를 포함하고 있지 않다. 이 때문에, 주상(ABO₃으로 표시되는 페로브스카이트 구조의 결정상)에서의 A사이트 결함의 도입량이 적고, 전기 기계 결합 계수 Kp는 0.4 미만이며, 압전 특성이 나빠진다.

비교예 16∼19는, 다른 상 A_sB_tO_u의 존재가 확인되고, 다른 상의 존재 비율을 나타내는 메인 피크의 강도비 v도 0.088보다 작게 되어 있지만, 전기 기계 결합 계수 Kp는 0.4 미만이며, 전기 특성을 충분히 확보할 수 없었다. 이것들 비교예 16∼19에서는, 첨가물의 금속 원소인 Bi, Fe의 첨가량이 너무 많아서, X선 회절 프로파일에 있어서 2θ＝27.5° 부근에 Fe-Sb산화물로 생각되는 다른 상의 존재를 나타내는 회절선이 확인되는 등, 양호한 압전 자기 조성물(10)을 형성할 수 없었던 것에 기인한다고 생각된다. 따라서, 첨가물로서는, 금속 원소의 구성비 z(표 1 참조)로서, z＝0.2를 넘지 않도록 한 첨가량으로 하는 것이 바람직하다.

상술한 바와 같이, 실시예 1∼16의 압전 자기 조성물(10)은, A₆B_10.8O₃₀의 다른 상 A_sB_tO_u를 포함하는 형태로 제작되고, 전체 조성에 있어서의 A원소와 B원소와의 비율인 A/B비(표 1에서는 a로 나타내어지는 비율)가 0.95∼0.98 정도의 B사이트 리치(B원소의 과잉)의 상태로 되고 있다. 이들 실시예 1∼16의 압전 자기 조성물(10)에서는, 주상에 있어서의 A사이트 결함이 2％ 정도의 비율로 존재하고 있고, 이 이상 A사이트 결함을 생성하기 어려운 상태로 되기 때문에, 부산물로서 다른 상 A_sB_tO_u가 생성되고 있다. 또, 비교예 9∼11의 압전 자기 조성물(10)과 같이, K, Na, Li, Nb, Ta, Sb 이외의 금속 원소인 Bi나 Fe를 첨가물로서 포함하지 않는 경우, 주상에 있어서의 A사이트 결함의 허용량이 현저하게 적게 된다. 이것에 대해서, 실시예 1∼16의 압전 자기 조성물(10)과 같이, 미량의 첨가물의 원소(Bi나 Fe)를 가하는 것으로 점결함이 도입되고, 그것에 따라 A사이트 결함의 허용량을 적당(2％ 정도)하게 늘릴 수 있다. 압전 자기 조성물(10)에 있어서, 주상에 있어서의 A사이트 결함량이 많아지면, 소결체의 치밀성이 증가하고, 전기 기계 결합 계수 Kp를 0.4 이상으로 높일 수 있다. 또, A원소가 너무 결핍되면, A사이트 결함량이 허용량(2％ 정도)에 그치고 그 이상은 생성되지 않게 되며, 다른 상 A_sB_tO_u가 생성되게 된다. A원소가 더욱 결핍해져 다른 상 A_sB_tO_u의 생성 비율이 증대하는 경우(비교예 5∼7의 경우), 평행 밸런스가 어긋나서, 주상의 A사이트 결함량이 저하 경향으로 되어 버린다.

여기서, 다른 상 A_sB_tO_u가 생성되지 않는 한계점에 상당하는 A사이트 결함량으로 소결되도록 압전 자기 조성물(10)을 제조하면, 최적인 압전 특성을 얻는 것이 가능하게 된다. 그러나, 다른 상 A_sB_tO_u가 생성되지 않는 한계점을 노린 조성비로 압전 자기 조성물(10)을 제조하는 것은 곤란하다. 압전 자기 조성물(10)을 제조하는 경우, 칼륨 재료인 K₂CO₃ 분말은 흡습성이 높기 때문에 칭량 오차가 생기기 쉽고, 게다가 소성시의 칼륨 비산이 문제로 된다. 이 때문에, 압전 자기 조성물(10)의 소성 공정 후에 있어서 조성비에 편차가 생겨 버린다. 특히, 압전 자기 조성물(10)을 대량 생산하는 경우, 소성노내의 온도나 분위기의 불균일함에 따라서, 모든 압전 자기 조성물(10)에 있어서 목적으로 하는 A사이트 결함량(2％ 정도의 결함량)으로 소결되도록 조정하는 것은 곤란하다. 또, 다른 상 A_sB_tO_u가 생성되지 않는 조성비측(예를 들면, A/B비로 0.98→0.99)에 차이가 생긴 경우(예를 들면, 비교예 4의 조성비로부터 비교예 3의 조성비로 어긋난 경우), 그 조성비의 변동이 A사이트 결함량의 증감에 직결된다. 이 때문에, 비교예 3이나 비교예 4에서는, 압전 특성의 재현성이나 제조 로트내에서의 편차가 나빠진다. 이것에 대해서, 실시예 1∼16의 압전 자기 조성물(10)에서는, 전체 조성으로서는, A/B＝0.95∼0.98 정도의 B사이트 리치(B원소의 과잉) 상태로 되고 있다. 이 때문에, 압전 특성의 재현성이 있고, 공업적으로 안정된 압전 특성을 얻을 수 있다.

따라서, 본 실시의 형태에 의하면 이하의 효과를 얻을 수 있다.

(1) 본 실시의 형태에 있어서의 실시예 1∼16의 압전 자기 조성물(10)은, 회절 강도 I_max의 강도비 v가 0＜v≤0.088의 범위(표 3 참조)로 되도록 다른 상 A_sB_tO_u를 포함하는 조성비로 하고 있다. 이 경우, 각 실시예 1∼16의 압전 자기 조성물(10)에 있어서, A₆B_10.8O₃₀의 조성식으로 나타내어지는 다른 상이 중량 비율 w(wt％)로 0％＜w≤6.0％로 규정되는 비율로 생성된다. 이와 같이 하면, 지름 방향의 전기 기계 결합 계수 Kp가 0.4 이상인 양호한 특성을 갖고, 공업적으로 안정된 압전 특성의 압전 자기 조성물(10)을 얻을 수 있다. 구체적으로는, 전기 기계 결합 계수 Kp가 0.4 이상이라고 하는 제품 규격에 대해서 공정 능력 지수 C_pk가 1.33 이상인 압전 자기 조성물(10)을 얻을 수 있다. 또, 압전 자기 조성물(10)에 있어서, 조성비의 편차가 생긴 경우, 특성에의 영향이 작은 다른 상 A_sB_tO_u의 생성 비율이 변동하지만, 주상에 있어서의 A사이트 결함의 변동은 작아지게 된다. 즉, 소성노내의 온도 분포나 분위기의 불균일에 따른 구움 얼룩이나 조성 편차에 대해서, 특성에의 기여가 작은 다른 상 A_sB_tO_u의 생성 비율이 완충이 된다. 이 때문에, 소결성이나 특성으로의 영향이 큰 주상(ABO₃으로 표시되는 페로브스카이트 구조의 결정상)의 A/B비의 조성 편차가 억제되고, 주상의 A사이트 결함이 거의 최대로 된 최적 특성이 얻어지는 상태로, 소성노내의 모든 압전 자기 조성물(10)이 구워진다. 이 결과, 압전 자기 조성물(10)의 특성 편차를 낮게 억제할 수 있으며, 높은 우량품율로 압전 자기 조성물(10)을 대량으로 제조하는 것이 가능하게 된다.

(2) 본 실시의 형태에 있어서의 실시예 1∼16의 압전 자기 조성물(10)에서는, 조성물 전체를 1로 한 경우에 구성비 z로서 0＜z≤0.02가 되는 비율로 Bi와 Fe의 금속 원소가 첨가되고 있다. 이와 같이, Bi와 Fe를 첨가함으로써, B원소로서 Ta가 존재하지 않아도 압전 특성이 좋은 압전 자기 조성물(10)을 얻을 수 있다. Ta는, 다른 B원소인 Nb나 Sb와 비교해서 비교적 고가인 재료이다. 따라서, 실시예 6∼실시예 16과 같이, Ta를 사용하지 않고 압전 자기 조성물(10)을 제조함으로써, 그 제조비용을 낮게 억제하는 것이 가능하게 된다. 특히, Ta를 포함하지 않고, 또한 A₆B_10.8O₃₀의 조성식으로 나타내어지는 다른 상이 중량 비율 w로 1.0％≤w≤2.2％의 비율로 존재하도록 조성한 실시예 6, 9, 11, 12의 압전 자기 조성물(10)에서는, 전기 기계 결합 계수 Kp를 0.48 이상으로 할 수 있었다. 게다가, 각 실시예 6, 9, 11, 12의 압전 자기 조성물(10)에서는, 전기 기계 결합 계수 Kp의 표준 편차가 0.0008 이하로 되어 특성 편차를 억제할 수 있으며, 공정 능력 지수 C_pk를 1.33 이상으로 높일 수 있었다.

(3) 본 실시의 형태에 있어서의 실시예 1∼16의 압전 자기 조성물(10)은, A원소로서 Li의 원소를 K, Na의 원소와 비교해서 1/10 이하의 비율로 포함하고 있다. 이 경우, Li는 비교적 고가인 재료이기 때문에, Li를 1/10 이하의 비율로 하는 것에 의해, 압전 자기 조성물(10)의 제조비용을 낮게 억제하는 것이 가능하게 된다.

［제2의 실시형태］

다음에, 본 발명을 구체화한 제2의 실시형태를 설명한다. 본 실시의 형태에서는, 압전 자기 조성물(10)의 제조방법이 제1의 실시형태와 다르다. 본 실시의 형태에서는, 가소 공정 후에 얻어진 가소분을 XRD 분석하고, 그 분석결과에 기초하여 조성 조정을 행하고 있다. 이하, 본 실시의 형태의 제조방법에 대해서 상세히 서술한다.

우선, 상기 제1의 실시형태와 동일하게, 금속 원소를 함유하는 원료 분말을 혼합하여, 얻어진 혼합 슬러리를 건조한 후에 900℃에서 3시간 가소한다(가소 공정). 게다가, 가소 공정에서 얻어진 조성물을 유발에 의해서 분쇄하고, 입자지름이 10㎛ 이하의 가소분을 얻는다. 이 가소분을 XRD 분석해서 X선 회절 프로파일을 취득한다(X선 회절 공정). 한편, XRD 분석의 계측 방법은, 상기 제1의 실시형태와 동일하다. 도 3에는, 실시예 1, 2, 비교예 1∼7의 조성비로 작성한 가소분의 X선 회절 프로파일의 구체적인 예를 나타내고 있다.

그리고, X선 회절 프로파일에 기초하여, 다른 상 A_sB_tO_u의 생성 비율이 목적으로 하는 비율이 되도록 복수의 가소분을 배합하는 조성 조정 공정을 행하고, 그 후, 1000∼1200℃에서의 본소 공정을 행하고 있다.

본 실시의 형태에 있어서의 재료계에서는, B사이트 과잉이 되도록 조합한 조성에 있어서, 800℃ 이상의 온도로 가소를 행하면, 미반응의 소재 원료는 거의 남지 않는다. ABO₃의 결정상으로서는, 복수의 조성이 혼재로 되는 경우가 있지만, 전체의 A/B비의 밸런스에 의해서, A₆B_10.8O₃₀, A₄B₆O₁₇ 등의 다른 상 A_sB_tO_u가 생성된다. 미반응의 소재 원료가 남아 있지 않으면, 가소 공정 이후의 A원소(예를 들면, 칼륨)의 비산에 의한 조성 편차는 작기 때문에, 가소분에 있어서의 다른 상 A_sB_tO_u의 생성 비율과, 본소 공정 후에 얻어지는 소결체에 있어서의 다른 상 A_sB_tO_u의 생성 비율에는 높은 상관성이 보여진다. 따라서, 가소분의 X선 회절 프로파일의 측정 결과를 확인하면, 그 가소분을 이용하여 압전 자기 조성물(10)을 제작한 경우의 압전 특성의 양부(良否)를 예상할 수 있다.

여기서, 가소분의 X선 회절 프로파일을 확인한 결과, 다른 상 A_sB_tO_u의 생성 비율이 적합한 범위로부터 벗어나, 그대로는 압전 특성이 나빠진다고 예상되는 경우에는, 최적인 A/B비가 되도록 조성 조정이 행해진다. 구체적으로는, 예를 들면, 표 1∼3에 나타낸 비교예 2와 비교예 5의 가소분이 생성된 경우를 상정한다. 가소분의 X선 회절에 의하면, 비교예 2의 가소분에서는, 다른 상 A_sB_tO_u가 존재하지 않고, 이대로는 특성이 나쁠 것이 예상된다. 또, 비교예 5의 가소분에서는, 2θ＝29.3°부근의 다른 상 A_sB_tO_u로부터의 피크 강도가 강하고, 다른 상 A_sB_tO_u의 생성 비율이 너무 높아서, 특성이 나빠질 것이 예상된다.

이들 2개의 가소분을 1：1의 중량비로 배합하고, 볼 밀로 6시간 혼합을 행했다. 이것에 바인더로서 폴리비닐알코올을 첨가하고, 조립했다. 조립 이후의 제조 공정은 상기 실시형태(실시예 1∼16)의 제조방법과 동일하게 행한다.

이와 같이 제조한 압전 자기 조성물(10)을 실시예 17로 하고, 그 X선 회절 프로파일을 도 4에 나타낸다. 또, X선 회절 프로파일에 기초하는 다른 상 A_sB_tO_u의 생성 비율의 추정 결과를 표 4에 나타내고, 그 압전 특성을 표 5에 나타낸다.

[표 4]

[표 5]

비교예 2와 비교예 5의 가소분을 이용하여, 그대로 제작한 압전 자기 조성물(10)에서는, 양호한 특성을 얻을 수 없었다. 이것에 대해서, 비교예 2 및 비교예 5의 가소분을 배합해서 제조한 실시예 17에서는, 다른 상 A_sB_tO_u의 생성 비율 w가 1.8 중량％이며 최적 범위로 되어 있다. 또, 실시예 17에서는, 전기 기계 결합 계수 Kp가 0.4 이상이며 압전 특성도 양호하고, 공정 능력 지수 C_pk도 높은 것이 확인되었다.

본 실시의 형태의 제조방법을 이용하는 것에 의해, 가소분의 단계에서, 조성 편차 요인에 의한 불량을 예견해서 조성 조정할 수 있으며, 압전 특성이 양호한 압전 자기 조성물(10)을 보다 확실히 얻을 수 있다. 또, 어떠한 요인으로 조성 편차를 일으켜 버린 가소분의 제조 로트가 생긴 경우에도, 다른 가소분과 적절한 배합 비율로 혼합해서 사용함으로써, 낭비하는 일 없이, 압전 자기 조성물(10)을 제조하기 때문에 유효하게 이용할 수 있다.

한편, 본 발명의 각 실시형태는 이하와 같이 변경해도 좋다.

·상기 각 실시형태의 실시예 1∼17에서는, A원소로서, K(칼륨), Na(나트륨), Li(리튬)를 전부 포함해서 구성되어 있었지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다. A원소로서, K(칼륨), Na(나트륨), Li(리튬)의 1 종류 이상을 포함해서 구성되는 것이면 좋다.

·상기 각 실시형태에서는, 다른 상 A_sB_tO_u로서 A₆B_10.8O₃₀, A₄B₆O₁₇의 결정상을 예시했지만 이것으로 한정되는 것은 아니다. 이 밖에도, (가) A₆B_10.88O₃₀, (나) A_5.75B_10.85O₃₀, (다) A_2.6B_11.6O₃₀, (라) A₃B₈O₂₁, (마) A₂B₈O₂₁등을 다른 상 A_sB_tO_u로서 들 수 있다. 즉, 다른 상 A_sB_tO_u는, A_sB_tO_u의 조성식(s,t,u는 몰비)으로 나타내어지는 산화물로서, A원소에 대해서 B원소를 1.5배 이상 4.0배 미만의 비율(t/s의 값이 1.5∼4.0)로 포함해서 조성되는 것이면 좋다.

·상기 제2의 실시형태에서는, 다른 상 A_sB_tO_u의 생성 비율이 목적으로 하는 비율이 되도록 조성 조정을 행하고 있었지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 다른 상 A_sB_tO_u의 메인 피크의 강도가 목적으로 하는 피크 강도로 되도록 조성 조정을 행해도 좋다.

·상기 제2의 실시형태에서는, 전체 조성의 A/B비가 1.00(비교예 2)과 0.94(비교예 5)의 가소분을 배합하는 경우를 구체적인 예로서 나타냈지만, 조성 조정에 사용하는 소재로서는, 원료 분말로 이용한 K₂CO₃, Na₂CO₃, Li₂CO₃, Nb₂O₅, Ta₂O₅, Sb₂O₃등의 소재여도 좋고, 이것들을 조합하고, 혼합한 후에 가소해서 얻은 A₆B_10.8O₃₀, A₄B₆O₁₇등의 화합물이어도 좋다.

·상기 각 실시형태에 있어서, 첨가물의 금속 원소로서, Bi와 Fe를 1：1의 비율로 포함하고 있었지만, 이들 비율은 적절히 변경해도 좋다. 또, 첨가물의 원소로서는, Bi나 Fe 이외에도, Cr, Mn, Ni, Co, Cu, Zn, Sr, Zr, Mo, Ag, Ba 등, 여러 가지의 금속 원소여도 좋고, 다시 그것들을 조합한 것을 첨가물로서 압전 자기 조성물(10)에 포함시켜도 좋다. 즉, ABO₃의 주상에 있어서의 A사이트 결함의 허용량을 적합하게 제어할 수 있는 금속 원소이면, 압전 자기 조성물(10)에 첨가할 수 있다. 그리고, 이것들 금속 원소를 첨가함으로써, 상기 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다.

다음에, 청구범위에 기재된 기술적 사상 외에, 상술한 각 실시형태에 의해서 파악되는 기술적 사상을 이하에 열거한다.

(1) 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 A원소로서, K, Na, Li의 원소를 전부 포함해서 구성되는 것을 특징으로 하는 압전 자기 조성물.

(2) 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 A원소로서, Li의 원소를 K, Na의 원소와 비교해서 1/10 이하의 비율로 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 자기 조성물.

(3) 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 압전 자기 조성물은, 상기 B원소로서, Nb, Ta, Sb 중 적어도 Nb를 포함해서 구성되는 니오브산 알칼리계의 조성물인 것을 특징으로 하는 압전 자기 조성물.

(4) 청구항 3에 있어서, 상기 첨가물의 금속 원소로서 Bi와 Fe를 1：1의 비율로 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 자기 조성물.

(5) 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서, 조성물 전체의 A원소와 B원소와의 비율인 A/B비가 0.95 이상 0.98 이하인 것을 특징으로 하는 압전 자기 조성물.

(6) 청구항 2에 있어서, 상기 중량 비율 w가 1.0％≤w≤2.2％로 규정되는 비율로 생성되고 있는 것을 특징으로 하는 압전 자기 조성물.

(7) 청구항 3에 있어서, 상기 첨가물의 금속 원소의 구성비 z로서 0.04≤z≤0.16의 비율로 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 자기 조성물.

(8) 청구항 4에 있어서, 상기 조정 공정에서는, 상기 다른 상의 생성 비율이 높은 가소분과 상기 다른 상의 생성 비율이 낮은 가소분을 혼합해서 조성 조정을 행하도록 한 것을 특징으로 하는 압전 자기 조성물의 제조방법.

(9) 청구항 4에 있어서, 상기 조정 공정에서는, 상기 X선 회절 프로파일에 기초하여, 상기 다른 상 A_sB_tO_u의 생성 비율을 판정하고, 그 다른 상의 생성 비율이 목적으로 하는 비율로 되도록 조성 조정을 행하도록 한 것을 특징으로 하는 압전 자기 조성물의 제조방법.

(10) 청구항 4에 있어서, 상기 조정 공정에서는, 2θ＝29.3°부근에 있어서 상기 다른 상의 존재를 나타내는 메인 피크의 회절 강도 I_max(2θ＝29.3°)와, 2θ＝31.8°부근에 있어서 상기 주상의 존재를 나타내는 메인 피크의 회절 강도 I_max(2θ＝31.8°)와의 강도비 v＝I_max(2θ＝29.3°)/I_max(2θ＝31.8°)가 0＜v≤0.088의 범위로 되도록 조성 조정을 행하도록 한 것을 특징으로 하는 압전 자기 조성물의 제조방법.

(11) 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서, 조성식 A_sB_tO_u(s＜t＜u)로 표시되는 페로브스카이트 구조에 속하지 않는 결정 구조의 다른 상이, 텅스텐·브론즈형 결정 구조인 것을 특징으로 하는 압전 자기 조성물.

10 : 압전 자기 조성물

Claims

조성식 ABO₃으로 표시되는 페로브스카이트 구조의 결정상(A원소는, K, Na, Li로부터 선택되는 1개 이상의 원소, B원소는, Nb, Ta, Sb로부터 선택되는 1개 이상의 원소)을 주상(主相)으로서 포함하는 압전 자기 조성물로서,
상기 A원소 및 상기 B원소와는 상이한 다른 원소를 첨가물로서 포함해서 구성되며,
상기 압전 자기 조성물을 입자 지름이 10㎛ 이하로 분쇄한 분말 시료의 X선 회절 프로파일에 있어서, 상기 주상과, 조성식 A_sB_tO_u(s,t,u는 몰비이고, s＜t＜u, 1.5≤t/s＜4.0, 4.25≤u/s＜11.54의 관계를 만족한다)로 표시되는 페로브스카이트 구조에 속하지 않는 결정 구조의 다른 상(異相)과의 존재를 나타내는 회절 피크가 존재하고,
2θ＝29.3°부근에 있어서 상기 다른 상의 존재를 나타내는 메인 피크의 회절 강도 I_max(2θ＝29.3°)와, 2θ＝31.8°부근에 있어서 상기 주상의 존재를 나타내는 메인 피크의 회절 강도 I_max(2θ＝31.8°)의 강도비 v＝I_max(2θ＝29.3°)/I_max(2θ＝31.8°)가 0＜v≤0.088의 범위인 것을 특징으로 하는 압전 자기 조성물.
제 1 항에 있어서,
상기 다른 상은, A₆B_10.8O₃₀로 나타내어지는 산화물이며, 전체 압전 자기 조성물에 대한 다른 상의 중량 비율 w가 0％＜w≤6.0％로 규정되는 비율로 생성되고 있는 것을 특징으로 하는 압전 자기 조성물.
제 1 항에 있어서,
상기 첨가물은, Bi와 Fe의 금속 원소이며, 조성물 전체를 1로 한 경우에, 조성식
(1―z)ABO₃＋z(0.5Bi₂O₃＋0.5Fe₂O₃)
로 규정되는 금속 원소의 구성비 z로서 0＜z≤0.02의 비율로 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 자기 조성물.
가소(假燒) 공정의 후에 본소(本燒) 공정을 행하여 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 압전 자기 조성물을 제조하는 제조방법으로서,
상기 가소 공정의 후에 있어서, 조성물을 분쇄해서 얻어진 가소분(假燒粉)에 대해서 X선 회절 프로파일을 취득하는 X선 회절 공정과,
상기 X선 회절 프로파일에 기초하여, 상기 다른 상의 생성 비율을 확인하고, 그 생성 비율에 따라서 조성 조정을 행하는 조정 공정을 포함하며,
상기 조성 조정을 행한 가소분을 이용하여 상기 본소 공정을 행하도록 한 것을 특징으로 하는 압전 자기 조성물의 제조방법.
삭제