KR101385708B1 - 도금 수지 성형체, 도금 수지 성형체의 제조 방법, 및 도금 수지 성형체 및 성형 회로 기판 - Google Patents

Abstract

액정성 수지 조성물을 성형하여 이루어지는 성형체에 대하여, 에칭 처리를 하지 않고 도금을 실시하는 기술로서, 대상이 되는 액정성 수지 조성물이 특정한 것으로 한정되지 않는 기술을 제공한다.
액정성 수지 조성물을 성형하여 이루어지는 성형체의 표면에 도금막을 가지는 도금 수지 성형체로서, 상기 성형체의 스킨층상에 표층이 형성되지 않은 성형체를 이용하고, 상기 도금막은 도금막 재료 입자가 상기 성형체의 표면에 충돌하여 부착됨으로써 형성된다. 도금막 재료 입자를 성형체의 표면에 충돌시켜 도금막을 형성시키는 방법으로는, 예를 들면, 이온 플레이팅법, 스퍼터링법 등을 들 수 있다.

Description

도금 수지 성형체, 도금 수지 성형체의 제조 방법, 및 도금 수지 성형체 및 성형 회로 기판{PLATED RESIN MOLDING, PROCESS FOR PRODUCTION OF PLATED RESIN MOLDING, AND MOLDED CIRCUIT BOARD}

본 발명은, 액정성 수지 조성물을 성형하여 이루어지는 성형체의 표면에 도금막을 가지는 도금 수지 성형체, 상기 도금 수지 성형체를 제조하는 방법, 및 성형 회로 기판에 관한 것이다.

엔지니어링 플라스틱이라 불리는 일군의 플라스틱은 높은 강도를 가져 금속부품에 대체되고 있다. 그 중에서도 액정성 수지라 불리는 일군의 플라스틱은 결정 구조를 유지하면서 용융된다. 이러한 결정 구조에 근거하는 고강도가 액정성 수지 특징의 하나이다. 또한, 액정성 수지는 고화시에 결정 구조가 크게 변화되지 않기 때문에 용융시와 고화시의 체적변화가 작다. 그 결과, 액정성 수지는 성형 수축이 작고 성형체의 치수 정밀도가 우수하다는 이점이 있다.

액정성 수지는, 일반금속의 열선팽창계수에 필적하는 낮은 선팽창계수를 나타내며, 내열적으로는 260℃의 땜납욕에 10초간 침지(浸漬)해도 이상을 나타내지 않는 등의 특징을 가진다. 액정성 수지는, 이러한 특성을 살리고 도금을 부여한 기판 등의 도금 수지 성형체로의 응용이 도모되고 있다.

그러나, 액정성 수지 조성물을 성형하여 이루어지는 성형체의 표면은, 화학적으로는 극히 불활성이며, 또한 강한 배향 때문에 표층이 박리되어 보풀이 일어나기 쉽다. 그 결과, 수지 성형체에 대하여 화학 도금, 전기 도금, 스파터링, 이온 플레이팅 등의 일반적인 도금에 의한 2차 가공을 실시하면 표층과 스킨층의 경계면 혹은 표층과 도금층의 경계면에서 박리가 일어나 도금 수지 성형체가 되기 어렵다.

이러한 문제의 해결을 위해, 특허문헌 1에서는 인산염 등의 특정한 충전제를 배합한 특정한 액정성 수지 조성물을 성형하여 이루어진 성형체를 알칼리 에칭하는 것이 제안되고 있다. 또한, 마찬가지로 특허문헌 2에서는 특정한 액정성 수지 조성물을 성형하여 이루어진 성형체를 산성용액 및 알칼리 용액으로 처리하는 것이 제안되고 있으며, 이러한 수법에 의해 액정성 수지 성형체에의 도금이 가능해졌다.

그러나, 특허문헌 1, 2에 기재된 바와 같은 종래의 수법은, 최근의 액정성 수지의 다종다양한 분야에의 응용에 있어서는, 요구되는 기능의 고성능화에 대해 도금 밀착력이 반드시 충분하다고는 할 수 없다.

상기 도금 밀착력의 문제를 해결하기 위하여, 액정성 수지에 실리카를 배합하고, 그 성형체를 알카리성 수용액으로 처리하고, 계속해서 불화물 수용액으로 처리하는 것이 극히 유효하다고 알려져 있다 (특허문헌 3).

1. 일본 공개특허 평성01-092241호 공보 2. 일본 공개특허 평성04-293786호 공보 3. 일본 공개특허 2006-28207호 공보

특허문헌 1~3에 기재된 바와 같은 에칭 처리를 실시하는 방법의 경우, 다음과 같은 두가지 문제가 있다. 첫번째는, 제조 공정이 복잡해져 도금 수지 성형체의 생산성이 문제가 된다. 두번째는, 에칭 처리 공정은 성형체 표면에 필러가 빠진 구멍을 많이 만들어 도금을 지지하는 앵커부를 많이 형성시키기 위해 실시되나, 필러를 없앰으로써, 성형체의 표면 조도(粗度)가 커져 고주파 특성의 저하, 반사율의 저하나 기계적 물성의 저하가 문제가 된다. 이 때문에, 액정성 수지 조성물을 성형하여 이루어지는 성형체를, 에칭 처리를 하지 않고 도금 수지 성형체를 제조하는 기술이 요구되고 있다.

또한, 특허문헌 1~3에 기재된 방법에서는, 사용 가능한 액정성 수지 조성물이 한정된다. 액정성 수지 조성물은 다양한 용도로 사용 가능하기 때문에 무수히 많은 특징을 가지는 액정성 수지 조성물이 제안되고 있다. 이 때문에, 어떠한 액정성 수지 조성물을 성형하여 이루어진 성형체든 도금 처리할 수 있는 기술이 요구되고 있다.

본 발명은, 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 그 목적은 액정성 수지 조성물을 성형하여 이루어지는 성형체에 대하여, 에칭 처리를 하지 않고 도금을 실시하는 기술로서, 대상이 되는 액정성 수지 조성물이 특정한 것에 한정되지 않는 기술을 제공하는 것에 있다.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 연구를 거듭하였다. 그 결과, 본 발명자들은 먼저, 액정성 수지 조성물을 성형하여 이루어지는 성형체를, 금형 내표면에 단열층이 형성된 금형을 이용하여 특정한 성형 조건에서 사출 성형법으로 제작함으로써, 얻어지는 성형체는 표층과 스킨층 사이의 경계가 없어지는 것을 발견하였다.

이러한 표층과 스킨층 사이의 경계가 없는 성형체를 이용하면, 종래의 액정성 수지를 이용한 도금 수지 성형체를 제작할 때 문제가 된, 표층과 스킨층 사이의 경계면에서의 박리 문제는 발생되지 않는다. 그러나, 이러한 성형체는 대단히 매끄러운 표면을 가지기 때문에 도금막과 성형체 표면의 경계면에서 박리가 일어난다는 새로운 문제를 발생시킨다. 여기서, 본 발명자들은 도금막 재료 입자가 성형체 표면에 충돌하여 부착됨으로써 형성되는 도금막이라면, 성형체 표면에 충분한 밀착력으로 도금막을 형성할 수 있음을 알아내고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 보다 구체적으로 본 발명은 이하의 것을 제공한다.

(1) 액정성 수지 조성물을 성형하여 이루어지는 성형체의 표면에 도금막을 가지는 도금 수지 성형체로서, 상기 성형체의 스킨층상에 표층이 형성되지 않고, 상기 도금막은, 도금막 재료 입자가 상기 성형체의 표면에 충돌하여 부착됨으로써 형성되는 도금막인 도금 수지 성형체.

(2) 액정성 수지 조성물을 성형하여 이루어지는 성형체의 표면에 도금막을 가지는 도금 수지 성형체를 제조하는 방법으로서, 상기 성형체는 금형 내표면에 단열층이 형성된 금형을 이용하여, 단열층의 두께를 t1(㎛), 사출 속도를 S(mm/sec), 성형체의 두께를 t2(mm), 금형 온도를 T(℃)라고 한 경우에, 하기의 식(I)을 만족시키는 성형 조건으로 사출 성형하여 이루어지는 성형체이고, 상기 도금막은, 도금막 재료 입자가 상기 성형체의 표면에 충돌하여 부착됨으로써 형성되는 도금막인 도금 수지 성형체의 제조 방법.

[수학식 1]

(t1×S)/t2+T≥1000---(I)

(3) 상기 성형 조건이 하기의 식(II)을 만족시키는 성형 조건인 (2)에 기재된 도금 수지 성형체의 제조 방법.

[수학식 2]

(t1×S)/t2+T≥2000---(II)

(4) 상기 도금막은, 이온 플레이팅 또는 스파터링법에 의해 형성되는 도금막인 (2) 또는 (3)에 기재된 도금 수지 성형체의 제조 방법.

(5) 상기 단열층은, 열전도율이 5W/m·K 이하인 (2) 내지 (4)의 어느 하나에 기재된 도금 수지 성형체의 제조 방법.

(6) 상기 단열층은, 폴리이미드 수지를 포함하는 (2) 내지 (5)의 어느 하나에 기재된 도금 수지 성형체의 제조 방법.

(7) 금형 온도(T)가 100℃ 이하인 (2) 내지 (6)의 어느 하나에 기재된 도금 수지 성형체의 제조 방법.

(8) (2) 내지 (7)의 어느 하나에 기재된 제조 방법으로 얻은 도금 수지 성형체.

(9) (8)에 기재된 도금 수지 성형체로 이루어진 성형 회로 기판.

본 발명의 도금 수지 성형체는, 성형체의 스킨층상에 표층이 형성되지 않은 성형체를 이용하기 때문에, 스킨층과 표층의 경계면에서 박리되는 문제가 발생되지 않는다.

본 발명의 도금 수지 성형체의 제조 방법에 따르면, 에칭 처리 공정을 하지 않고 액정성 수지를 사용한 도금 수지 성형체를 제조할 수 있다. 에칭 처리 공정을 하지 않음으로써, 용이하면서도 높은 생산성으로 도금 수지 성형체를 제조할 수 있다. 그리고, 에칭 처리 공정에 의해 필러 등을 제거할 필요가 없으므로, 필러를 제거함에 따른 물성의 저하를 억제할 수 있다.

금형 내표면에 단열층이 형성된 금형을 이용하여 특정한 성형 조건으로 사출 성형을 하면, 액정성 수지 조성물의 종류에 관계 없이 얻어지는 성형체에서 표층과 스킨층의 경계면이 거의 없어진다. 이로 인해, 종래 공지의 다양한 액정성 수지, 액정성 수지 조성물을 이용한 도금 수지 성형체를 제조할 수 있다.

도 1의 (a)는, 본 발명에 이용되는 성형체의 단면도를 나타내는 도면이다. (b)는, 본 발명의 도금 수지 성형체의 단면도를 나타내는 도면이다. (c)는, 도 1의 (b)와는 다른 본 발명의 도금 수지 성형체를 나타내는 도면이다.
도 2의 (a)는, 종래 방법으로 제작한 액정성 수지 조성물을 성형하여 이루어진 성형체를 나타내는 도면이다. (b)는, 도 2의 (a)에 나타낸 성형체에 도금막을 형성한 도금 수지 성형체를 나타내는 도면이다. (c)는, 도 2의 (b)에 나타낸 도금 수지 성형체의 표층과 스킨층 사이에 박리가 일어난 상태를 나타내는 도면이다.
도 3의 (a)는, 상기 성형체 제조 공정으로 제작된 성형체를 나타내는 도면이다. (b)는, 도 3의 (a)에 나타낸 성형체에 대하여 직접, 화학 도금에 의해 도금막을 형성한 도금 수지 성형체를 나타내는 도면이다. (c)는, 도금 수지 성형체의 도금막이 박리된 상태를 나타내는 도면이다.

이하, 본 발명의 일 실시형태에 대하여 상세하게 설명하나, 본 발명이 이하의 실시 형태로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 목적하는 범위내에서 적당히 변경을 가하여 실시할 수 있다.

본 발명의 도금 수지 성형체의 제조 방법은, 성형체를 제조하는 성형체 제조 공정과, 성형체 표면에 도금막을 형성하는 도금막 형성 공정을 구비한다.

[성형체 제조 공정]

성형체 제조 공정이란, 액정성 수지 조성물을 특정한 조건으로 성형함으로써 성형체를 얻는 공정이다. 본 공정은, 금형 내표면에 단열층이 형성된 금형을 이용하는 것과, 단열층의 두께를 t1(㎛), 사출 속도를 S(mm/sec), 성형체의 두께를 t2(mm), 금형 온도를 T(℃)라고 한 경우, 하기의 식(I)을 만족시키는 성형 조건으로 사출 성형 하는 것을 특징으로 한다.

[수학식 3]

(t1×S)/t2+T≥1000---(I)

본 발명은 액정성 수지, 액정성 수지 조성물을 한정하지 않고 적용할 수 있다는 점이 특징의 하나이다. 먼저, 액정성 수지에 대하여 설명한다.

액정성 수지란, 광학 이방성 용융상을 형성할 수 있는 성질을 가지는 용융 가공성 폴리머를 가리킨다. 이방성 용융상의 성질은, 직교 편광자를 이용한 관용의 편광검사법에 의해 확인할 수 있다. 보다 구체적으로 이방성 용융상의 확인은, Leitz 편광현미경을 사용하여 Leitz 핫 스테이지에 올린 용융 시료를 질소분위기하에서 40배의 배율로 관찰함으로써 실시할 수 있다. 본 발명에 적용할 수 있는 액정성 수지는 직교 편광자 사이에서 검사했을 때, 가령 용융 정지 상태라 하더라도 편광은 통상 투과하고 광학적으로 이방성을 나타낸다.

상기와 같은 액정성 수지로서는 특별히 한정되지 않으나, 일반적으로는 방향족 폴리에스테르 또는 방향족 폴리에스테르 아미드가 바람직하게 이용된다. 본 발명에는 이들의 액정성 수지도 바람직하게 사용할 수 있다. 방향족 폴리에스테르 또는 방향족 폴리에스테르 아미드를 동일 분자쇄 중에 부분적으로 포함하는 폴리에스테르도 그 범위에 있다. 이들은 60℃에서 펜타플루오로페놀에 농도 0.1중량%로 용해되었을 때, 바람직하게는 적어도 약 2.0dl/g, 보다 바람직하게는 2.0~10.0dl/g의 대수점도(I.V.)를 가지는 것이 사용된다.

일반적으로, 방향족 폴리에스테르 또는 방향족 폴리에스테르 아미드로서 특히 바람직하게는, 방향족 히드록시 카르복실산, 방향족 히드록시 아민, 방향족 디아민의 군에서 선택된 적어도 1종 이상의 화합물을 구성 성분으로 포함하는 방향족 폴리에스테르, 방향족 폴리에스테르 아미드이다.

보다 구체적으로는,

(1) 주로 방향족 히드록시 카르복실산 및 그 유도체의 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 폴리에스테르;

(2) 주로 (a) 방향족 히드록시 카르복실산 및 그 유도체의 1종 또는 2종 이상, (b) 방향족 디카르복실산, 지환족 디카르복실산 및 그 유도체의 1종 또는 2종 이상, 및 (c) 방향족 디올, 지환족 디올, 지방족 디올 및 그 유도체의 적어도 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 폴리에스테르;

(3) 주로 (a) 방향족 히드록시 카르복실산 및 그 유도체의 1종 또는 2종 이상, (b) 방향족 히드록시 아민, 방향족 디아민 및 그 유도체의 1종 또는 2종 이상, 및 (c) 방향족 디카르복실산, 지환족 디카르복실산 및 그 유도체의 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 폴리에스테르 아미드;

(4) 주로 (a) 방향족 히드록시 카르복실산 및 그 유도체의 1종 또는 2종 이상, (b) 방향족 히드록시 아민, 방향족 디아민 및 그 유도체의 1종 또는 2종 이상, (c) 방향족 디카르복실산, 지환족 디카르복실산 및 그 유도체의 1종 또는 2종 이상, 및 (d) 방향족 디올, 지환족 디올, 지방족 디올 및 그 유도체의 적어도 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 폴리에스테르 아미드 등을 들 수 있다. 그리고 상기의 구성 성분에, 필요에 따라서 분자량 조정제를 병용할 수 있다.

본 발명에 적용할 수 있는 상기 액정성 수지를 구성하는 구체적 화합물의 바람직한 예로는, p-히드록시 안식향산, 6-히드록시-2-나프토산 등의 방향족 히드록시 카르복실산, 2,6-디히드록시 나프탈렌, 1,4-디히드록시 나프탈렌, 4,4'-디히드록시 비페닐, 하이드로퀴논, 레조르신, 하기 일반식 (A) 및 하기 일반식 (B)로 표시되는 화합물 등의 방향족 디올; 테레프탈산, 이소프탈산, 4,4'-디페닐 디카르복실산, 2,6-나프탈렌 디카르복실산 및 하기 일반식 (C)로 표시되는 화합물 등의 방향족 디카르복실산; p-아미노 페놀, p-페닐렌 디아민 등의 방향족 아민류를 들 수 있다.

(X:알킬렌(C1~C4), 알킬리덴, -O-, -SO-, -SO₂-, -S-, -CO-에서 선택되는 기이다.)

(Y:- (CH₂)_n- (n=1~4), -O (CH₂)_nO- (n=1~4)에서 선택되는 기이다.)

또한, 본 발명에 이용되는 액정성 수지 조성물에는, 사용 목적에 따라서 각종 섬유상, 분립(粉粒)상, 판상의 무기 충전제를 배합할 수 있다. 특히 섬유상 충전제를 함유하는 액정성 수지 조성물을 이용한 경우에, 표층과 스킨층 사이의 경계면에서 박리가 발생되기 쉽다고 알려져 있다. 그러나, 본 공정으로 제작한 성형체는, 종래 특히 문제가 되고 있었던 섬유상 충전제를 포함하는 수지 조성물을 원료로 사용해도 상기 문제는 발생되지 않는다. 어떠한 액정성 수지 조성물을 재료로 이용하더라도 스킨층과 표층의 경계의 존재를 대폭 감소시킬 수 있기 때문이다.

섬유상 충전제로는 유리섬유, 아스베스토 섬유, 실리카 섬유, 실리카·알루미나 섬유, 알루미나 섬유, 지르코니아 섬유, 질화붕소섬유, 질화규소섬유, 붕소섬유, 티탄산칼륨 섬유, 규회석과 같은 규산염 섬유, 황산마그네슘 섬유, 붕산알루미늄 섬유, 그리고 스테인레스, 알루미늄, 티탄, 구리, 놋쇠 등의 금속 섬유상 물질, 카본파이버, 카본나노튜브 등의 탄소 섬유상 물질을 들 수 있다. 특히 종래 문제로 여겨졌던 강화 섬유는, 유리섬유, 카본파이버이다. 이 중에서도 특히 카본파이버가 문제가 되고 있다.

한편, 본 발명에 이용하는 액정성 수지 조성물에는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 다른 수지, 핵제, 카본 블랙, 무기소성안료 등의 안료, 산화방지제, 안정제, 가소제, 활제, 이형제 및 난연제 등의 첨가제를 첨가하여 원하는 특성을 부여한 조성물도 본 발명에 이용되는 액정성 수지 조성물에 포함된다.

이어서, 금형에 대하여 설명한다.

본 공정에서 성형체를 제조할 때에는 금형의 내표면(금형의 내측 표면)에 단열층이 형성된 금형을 이용한다. 금형의 내측 표면에 형성된 단열층에 의해, 금형내로 흘러 들어간 액정성 수지 조성물은 금형 표면부근에서 쉽게 굳어지지 않는다. 그 결과, 금형 표면에서 고화된 수지 조성물에 접촉하는 고화 전의 수지 조성물에 포함된 분자가, 그 고화 후의 수지 조성물에 끌어 당겨져 성형체 표면에서 분자배향이 커지는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 표층과 스킨층 사이의 경계가 사라져서 도금막 형성 후에 표층과 스킨층 사이의 경계면에서 박리되는 현상이 없어진다.

금형의 내표면에 형성되는 단열층은, 금형 표면에서의 액정성 수지 조성물의 고화를 늦추는 작용을 하는 것이면, 재료 등은 특별히 한정되지 않는다. 또한, 금형 내표면의 일부에 단열층이 형성되는 것도 「금형 내표면에 단열층이 형성된 금형」에 포함된다. 본 공정에서는, 적어도 얻어지는 성형체에서 스킨층과 표층 사이의 경계면을 소실시킬 필요가 있는 부분에 상당하는 원하는 금형 내표면 부분 전체에 단열층을 형성하는 것이 필요하며, 금형 내표면 전체에 단열층을 형성하는 것이 바람직하다.

단열층의 두께(t1)는, 후술하는 바와 같이 상기 식(I)을 만족하도록 조정하면 특별히 한정되지 않는다. 상기 금형 내표면에 형성되는 단열층의 두께는 균일할 수도 있고, 두께가 다른 개소를 포함할 수도 있다. 단열층의 두께가 균일하지 않은 경우에는 평균 두께를 t1으로 한다.

또한, 금형 내표면에 형성되는 단열층의 열전도율은 5W/m·K이하인 것이 특히 바람직하다. 단열층의 열전도율을 상기 범위로 조정함으로써, 100℃ 이하의 금형 온도에서 성형체를 성형해도 표층과 스킨층 사이의 경계면을 쉽게 없앨 수 있다. 금형 온도 조건이 100℃ 이하이면, 성형체를 얻을 때의 금형의 온도 조정을 오일이 아닌 물로 할 수 있다. 그 결과, 우수한 성형체를 용이하게 얻을 수 있다. 한편, 상기 열전도율은 실시예에 기재된 방법으로 측정한 열전도율을 나타낸다.

또한, 성형시에는 금형내에 고온의 액정성 수지 조성물이 흘러 들어가기 때문에, 단열층은 성형시 고온에 견딜 수 있도록 내열성을 구비할 필요가 있다.

본 공정에서 이용하는 금형의 내표면에 형성되는 단열층은, 폴리이미드 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 폴리이미드 수지는 상기 열전도율이 5W/m·K이하이고, 성형시 고온에도 충분히 견디는 내열성을 가지기 때문이다. 사용 가능한 폴리이미드 수지의 구체적인 예로는, 피로멜리트산(PMDA)계 폴리이미드, 비페닐 테트라카르복실산계 폴리이미드, 트리멜리트산을 이용한 폴리아미드이미드, 비스말레이미드계 수지(비스말레이미드/트리아진계 등), 벤조페논 테트라카르복실산계 폴리이미드, 아세틸렌 말단 폴리이미드, 열가소성 폴리이미드 등을 들 수 있다. 여기서, 폴리이미드 수지로 이루어지는 단열층인 것이 특히 바람직하다. 폴리이미드 수지 이외의 바람직한 재료로는, 예를 들면, 데트라플루오로에틸렌 수지, 폴리벤조이미다졸 수지, 지르코니아 등을 들 수 있다.

금형의 내표면에 단열층을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 이하의 방법으로 단열층을 금형의 내표면에 형성하는 것이 바람직하다.

고분자 단열층을 형성할 수 있는 폴리이미드 전구체 등의 폴리머 전구체 용액을 금형 표면에 도포하고, 가열하여 용매를 증발시키고, 더 과열하여 폴리머화 함으로써 폴리이미드막 등의 단열층을 형성하는 방법, 내열성 고분자의 모노머, 예를 들면 피로멜리트산 무수물과 4,4-디아미노 디페닐 에테르를 증착 중합시키는 방법, 또는 평면형상의 금형에 대해서는, 고분자 단열필름을 이용하여 적절한 접착 방법 또는 점착테이프 형상의 고분자 단열필름을 이용하여 금형의 원하는 부분에 점착하여 단열층을 형성하는 방법을 들 수 있다. 또한, 폴리이미드 막을 형성시키고, 그 표면에 금속계 경막(硬膜)으로서 크롬(Cr)막이나 질화티탄(TiN)막을 더 형성시킬 수도 있다.

이어서, 성형체를 얻을 때의 성형 조건에 대하여 설명한다.

본 공정에서는, 단열층의 두께를 t1(㎛), 사출 속도를 S(mm/sec), 성형체의 두께를 t2(mm), 금형 온도를 T(℃)라고 했을 경우, 하기 식 (I)의 관계식을 만족시키는 성형 조건으로 사출 성형을 실시하는 것을 특징으로 한다.

[수학식 4]

(t1×S)/t2+T≥1000---(I)

상기와 같은 조건으로 성형체를 제조함으로써, 후술하는 바와 같이, 얻어지는 성형체에는 표층과 스킨층의 경계가 성형체 표면의 적어도 일부에 존재하지 않게 된다. 종래의 액정성 수지를 이용한 도금 수지 성형체에서 문제가 되는 것은, 스킨층과 표층 사이의 경계면에서 박리가 일어나는 것이었으나, 본 공정에서 얻어지는 성형체는 표층과 스킨층 사이에 경계를 가지지 않기 때문에 상기와 같은 문제는 발생하지 않는다.

본 공정으로 얻는 성형체는, 성형체 표면의 표층과 스킨층 사이의 경계를 적어도 일부에서 없애는 것이 특징이다. 이러한 성형체를 얻은 결과, 스킨층과 표층 사이에서 박리되는 현상이 없어진다. 이와 같이 성형체는, 금형내로 흘러 들어간 액정성 수지 조성물이 금형 표면에서 즉시 굳어지는 것을 방지하고 고화된 수지 조성물에 의해 고화 전의 수지 조성물 부분의 분자가 끌어 당겨져 성형체 표면에서 분자배향이 커지는 것을 억제함으로써 얻어진다고 추측된다.

단열층은, 상술한 바와 같이, 용융상태의 액정성 수지 조성물이 금형으로 흘러 들어갔을 때에, 금형 표면에서 수지 조성물이 즉시 굳어지는 것을 억제하는 작용을 한다.

사출 속도를 향상시킴으로써, 금형내에 수지 조성물이 충전되는 시간이 짧아진다. 즉, 액정성 수지 조성물의 고화가 진행되지 않은 단계에서 금형내에의 액정성 수지 조성물의 충전을 끝낼 수 있다. 그 결과, 고화된 수지 조성물에 의해 고화 전의 부분의 분자가 끌어 당겨져 성형체 표면에서 분자배향이 커지는 것을 억제할 수 있다.

성형체의 두께가, 지나치게 두꺼우면 금형내에 액정성 수지 조성물을 충전하는데 시간이 걸린다. 이 때문에, 성형체의 두께가 지나치게 두꺼우면, 고화된 수지 조성물에 의해 고화전의 부분의 분자가 끌어 당겨져 성형체 표면에서 분자배향이 커지는 현상이 발생되기 쉽다. 본 공정에 따르면, 두께가 있는 성형체의 경우라도 표층과 스킨층의 경계면을 대폭 없앨 수 있다.

금형 온도(T)를 높게 함으로써, 금형의 내측표면 부근에서의 액정성 수지 조성물의 고화를 특히 늦출 수 있다. 그 결과, 고화된 수지 조성물에 의해 고화 전의 부분의 분자가 끌어 당겨져 성형체 표면에서 분자배향이 커지는 현상을 억제할 수 있다.

본 발명의 특징의 하나는, 단열층 두께 t1(㎛), 사출 속도 S(mm/sec), 금형 온도 T(℃), 성형체 두께 t2(mm)가 상기의 식(I)을 만족하도록 조정됨으로써, 성형체 표면의 표층과 스킨층과의 경계가 없어진다는 것을 발견한 점에 있다.

그리고, 본 발명에서는 사출 속도 S(mm/sec), 단열층 두께 t1(㎛), 금형 온도 T(℃)를 조정함으로써, 다양한 형상(특히 t2(mm)가 두꺼운 경우에도)의 우수한 성형체를 제조할 수 있다. 상기 식(I)을 만족하는 것이면, 성형체의 표층과 스킨층 사이의 경계가 적어도 일부에 존재하지 않게 되기 때문이다.

또한, 하기의 식(II)을 만족하는 성형 조건으로 사출 성형 함으로써, 표면 박리가 더욱 발생되기 어려워져 매우 우수한 성형체를 얻을 수 있다. 구체적으로는, 하기 식(II)을 만족하는 조건으로 사출 성형을 함으로써, 표층과 스킨층 사이에 경계가 전혀 없는 성형체를 쉽게 얻을 수 있다. 이하, 본 공정의 성형체의 제조 조건에 대하여 상세하게 설명한다.

[수학식 5]

(t1×S)/t2+T≥2000---(II)

먼저, 단열층 두께 t1(㎛)에 대하여 설명한다. 단열층 두께(t1)는 상기 식(I)을 만족하도록 조정될 수 있으며, 그 두께는 특별히 한정되지 않는다. 이용되는 액정성 수지 조성물의 종류, 성형체의 형상 등에 따라 다르나, 본 공정에서는 단열층 두께(t1)를 1㎛ 내지 1000㎛로 조정하는 것이 바람직하다. 단열층 두께를 1㎛이상으로 조정함으로써, 충분한 단열효과를 얻을 수 있으므로 바람직하고, 1000㎛이하로 조정하는 것은 성형체의 정밀도라는 이유에서 바람직하다. 보다 바람직한 단열층 두께(t1)는 10㎛ 내지 300㎛이다.

이어서, 사출 속도 S(mm/sec)에 대하여 설명한다. 사출 속도 S에 대해서도 상기 단열층 두께(t1)와 마찬가지로, 상기 식 (I)을 만족하도록 조정될 수 있다. 이용되는 액정성 수지 조성물의 종류, 성형체의 형상 등에 따라 다르나, 본 공정에서는 사출 속도(S)를 20mm/sec 내지 1000mm/sec의 범위로 조정하는 것이 바람직하다. 사출 속도를 20mm/sec이상으로 조정함으로써 헤지테이션을 방지할 수 있기 때문에 바람직하고, 사출 속도를 1000mm/sec이하로 조정함으로써, 젯팅을 방지할 수 있기 때문에 바람직하다. 보다 바람직한 사출 속도는 50mm/sec 내지 500mm/sec이다.

이어서, 금형 온도 T(℃)에 대하여 설명한다. 금형 온도(T)에 대해서도 상기 단열층 두께(t1) 등과 마찬가지로 상기 식(I)을 만족하도록 조정될 수 있다. 이용되는 액정성 수지 조성물의 종류, 성형체의 형상 등에 따라 다르나, 본 공정에서는 금형 온도(T)를 100℃ 이하로 조정하는 것이 바람직하다. 금형 온도(T)를 100℃ 이하로 함으로써, 금형의 온도 조정을 물로 할 수 있어 용이하게 고품질의 성형체를 얻을 수 있다. 보다 바람직한 금형 온도의 범위는 50℃ 내지 100℃이다.

상기 단열층 두께(t1), 사출 속도(S), 금형 온도(T)를 조정함으로써, 성형체 두께(t2)를 넓은 범위에서 조정할 수 있다. 구체적으로 상기 식(I)을 만족하는 조건에서는, 성형체 두께(t2)를 0.2mm 내지 10mm로 조정할 수 있다. 상기 식(II)을 만족하는 조건에서는, t2를 0.2mm 내지 5mm로 조정할 수 있다. 특히 성형체 두께(t2)가 0.2mm 내지 3mm의 범위에서는 표층과 스킨층과의 박리가 쉽게 발생되나, 본 공정의 방법으로 성형함으로써 표층과 스킨층 사이의 경계가 없어져 박리 문제가 해소된다.

[도금막 형성 공정]

도금막 형성 공정이란, 도금막 재료 입자가 상기 성형체 표면에 충돌하여 부착됨으로써 성형체 표면에 도금막이 형성되는 공정이다. 상기의 성형체 제조 공정으로 얻어지는 성형체는 표면이 대단히 매끈하기 때문에 도금막 재료 입자를 성형체의 표면에 충돌시키는 것과 같은 방법이 아니면 밀착력이 있는 도금막을 성형체의 표면에 형성할 수 없다.

한편, 성형체의 표면에 상기 도금막을 형성한 후일 경우라면, 다른 일반적인 도금법으로 상기 도금막상에 도금막을 더 중첩시킬 수 있다. 특히, 스파터링, 이온 플레이팅법에 의해 형성되는 도금막은 얇기 때문에, 필요에 따라서 화학 도금, 전기 도금 등의 일반적인 도금법으로 도금막을 두껍게 하는 것이 유용하다.

도금막 재료 입자를 성형체의 표면에 충돌시켜 도금막을 형성시키는 방법으로는, 예를 들면 이온 플레이팅법, 스파터링법 등을 들 수 있다.

또한, 상기와 같은 이온 플레이팅, 스파터링법 등의 수단으로 용이하게 성형체에 대하여 밀착력 있는 도금막을 형성할 수 있기 때문에, 도금막 형성시에 에칭 처리 공정을 구비할 필요가 없다.

이온 플레이팅이란, 증발시킨 도금막 재료 입자를 이온화에 의해 가속시켜서 성형체 표면에 분사시키는 증착법을 말한다. 이온 플레이팅법으로는, 그 이온화법 등에 의해 여러가지 방법이 있으며, 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들면, 직류 방전 여기법, 다음극(多陰極) 열전자 조사법, 고주파 여기법(RF법), 중공 음극(Hollow cathode)법(HCD법), 클러스터 이온빔 법(ICB법), 활성화 반응 증착법(ARE법), 멀티 아크 방식(아크 방전, AIP법), 이온 빔 어시스트 증착, 전자 빔 여기 플라즈마 이온 플레이팅 등을 들 수 있다. 또한, 증착 성분에 따라서는 플라즈마 가스에 반응성 가스나 유기 모노머 가스를 이용한 반응성 이온 플레이팅도 실시할 수 있다.

스파터링법이란, 고에너지 입자를, 도금막을 형성할 모재에 쏘임으로써 모재의 구성 원자가 방출되는 소위 스파터링 현상을 이용하여 증착하는 방법이다. 스파터링법으로는, 예를 들면, 고주파 스파터링법, 마그네트론 스파터링법, 이온 빔 스파터링법(IBS법) 등을 들 수 있다. 또한, 증착 성분에 따라서는 스파터 가스에 반응성 가스를 이용한 반응성 스파터링도 실시할 수 있다.

도금막 재료는 특별히 한정되지 않으며, 원하는 도금막 재료를 이용할 수 있다. 구체적으로는, Al, Ti, Cr, Ag, Au, Fe, Ga, Zr, Nb, Mo, La, Ta, W, Mn, Re, Sr, Co, Rh, Pd, Ir, Pt, PtPd, MgF₂, SiO₂, MgO, HfO₂, Ta₂O₅, CeO₂, TiO₂, TiN, TiC, CrN, Al₂O₃, AlN, GaN, ITO, ZnO, GaAs 등의 도금막 재료를 들 수 있다.

<도금 수지 성형체>

본 발명의 도금 수지 성형체는, 상기와 같은 방법으로 얻을 수 있다. 본 발명의 도금 수지 성형체에 대하여 설명한다.

본 발명의 도금 수지 성형체는, 상기 성형체 제조 공정으로 제작한 성형체를 이용하여 제작한다. 도 1(a)는, 본 발명에 이용되는 성형체의 단면도를 나타낸다. 도 1(b)는, 본 발명의 도금 수지 성형체의 단면도를 나타낸다. 도 1(c)는, 도 1(b)와는 다른 본 발명의 도금 수지 성형체를 나타낸다.

도 1(a)에는 성형체(1)가 나타나 있고, 성형체(1)는, 코어층(11), 스킨층(12)을 포함한다. 상기한 바와 같이, 본 발명에 이용되는 성형체는 스킨층(12)상에 표층을 구비하지 않는 것이 특징이다.

도 1(b)에는, 도 1(a)에 나타난 성형체에 도금막(13)이 형성된 도금 수지 성형체를 나타낸다. 도 1(a)에 나타낸 성형체(1)는 스킨층(12)상에 표층이 형성되지 않기 때문에, 본 발명의 도금 수지 성형체는 표층과 스킨층 사이의 경계면에서 박리되는 문제가 발생되지 않는다. 한편, 스킨층(12)상에 표층이 형성되지 않는다는 것은, 전혀 형성되지 않는 경우 외에, 형성되지 않는 영역이 대부분을 차지하고 일부에 표층이 존재하는 이하의 경우도 포함한다.

상기 성형체 제조 공정으로 얻은 성형체는, 표층과 스킨층(12) 사이의 경계가 극히 일부에 존재하는 경우가 있다. 표층(14)과 스킨층(12) 사이의 경계를 극히 일부에 가지는 성형체에 도금막(13)을 형성한 도면을 도 1(c)에 나타낸다. 도 1(c)에 나타낸 도금 수지 성형체는, 표층(14)과 스킨층(12) 사이의 경계를 가지나, 극히 일부에만 상기 경계가 존재하기 때문에 도금 수지 성형체의 표층(14)과 스킨층(12) 사이에 박리되는 문제는 거의 발생되지 않는다.

도 2(a)는, 종래 방법으로 제작한 액정성 수지 조성물을 성형하여 이루어지는 성형체를 나타낸다. 도 2(b)는, 도 2(a)에 나타낸 성형체에 도금막을 형성한 도금 수지 성형체를 나타낸다. 도 2(c)는, 도 2(b)에 나타낸 도금 수지 성형체의 표층과 스킨층 사이에 박리가 일어난 상태를 나타낸다.

도 2(a)에 나타낸 성형체(2)는, 코어층(21), 스킨층(22), 및 표층(23)을 포함한다. 도 2(b)는, 도 2(a)에 나타낸 성형체에 도금막(24)을 형성한 도금 수지 성형체를 나타낸다. 종래 방법으로 제작한 성형체(2)는, 표층(23)과 스킨층(22)이 명확히 분리되고 있기 때문에, 도 2(c)에 나타낸 표층(23)과 스킨층(22) 사이에 박리되는 문제를 일으킨다. 이러한 문제는, 표층(23)과 스킨층(22) 사이에 경계가 존재하면, 어떤 방법으로 도금막을 형성하더라도 발생된다.

도 3(a)는, 상기 성형체 제조 공정으로 제작한 성형체를 나타낸다. 도 3(b)는, 도 3(a)에 나타낸 성형체에 대하여 직접, 화학 도금에 의해 도금막을 형성한 도금 수지 성형체를 나타낸다. 도 3(c)는, 도금 수지 성형체의 도금막이 박리된 상태를 나타낸다.

도 3(a)에 나타낸 성형체(3)는, 도 1(a)에 나타낸 성형체(1)와 동일하게 표층을 가지지 않고, 코어층(31), 스킨층(32)을 포함한다. 상기 성형체 제조 공정으로 제작된 성형체(3)의 스킨층(32)의 표면은 매우 매끄럽다. 이 때문에, 도 3(b)에 나타낸 바와 같이 성형체(3)에 직접, 화학 도금에 의해 도금막(33)을 형성하더라도, 도 3(c)에 나타낸 바와 같이 도금막(33)이 박리되어 버린다.

<입체회로기판>

본 발명의 사출성형 회로부품은, 상기 본 발명의 도금 수지 성형체로 이루어진다. 액정성 수지는, 온도를 내려도 용융상태에서의 분자 배향이 그대로 고정되고, 이로 인해 예를 들면 박육(薄肉) 유동성 등의 성형 가공성, 강도나 탄성율 등의 역학적 특성, 치수안정성, 내열성 등의 여러 가지 우수한 특성이 발현된다. 또한, 성형 가공성이 우수하다는 점과 더불어, 액정성 수지를 포함하는 조성물을 성형하여 얻어지는 성형체는 사출성형 회로부품 등의 입체회로 기판으로 이용하는 것이 바람직하다고 여겨지고 있다. 그러나 종래에는 표층과 스킨층 사이의 경계에서의 박리 문제로, 도금 형성 가능한 액정성 수지 조성물은 한정되어, 원하는 액정성 수지 조성물을 이용할 수 없었다.

본 발명의 사출성형 회로부품은, 표층과 스킨층 사이의 경계가 존재하지 않는 성형체를 이용하기 때문에, 표층과 스킨층 사이의 경계에서 박리되는 문제가 발생되지 않는다. 이로 인해, 본 발명의 도금 수지 성형체는 사출성형 회로부품 등의 성형 회로 기판으로 이용하는데 특히 적합하다.

도금 수지 성형체상에 회로 패턴을 형성하는 방법은 한정되지 않는다. 예를 들면, 도금막의 밀착성을 저하시키지 않고 회로부 이외의 불필요한 도금막을 효율적으로 제거한다는 관점에서, 레이저 패터닝을 이용하는 것이 바람직하다. 본 발명에 따르면, 도금막 형성에 앞서, 도금막의 밀착성을 개선하기 위한 에칭 처리를 할 필요가 없으므로, 성형체의 거칠게 조면화한 표면에 도금막을 형성함으로써 유래되는 배선 정밀도의 저하 없이 레이저 패터닝에 의해 미세한 회로 패턴을 우수한 정밀도로 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명의 도금 수지 성형체는, 입체회로 기판(MID)에도 적합하다.

실시예

이하에, 실시예에 기초하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하나, 본 발명이 이들의 실시예로 한정되는 것은 아니다.

<재료>

액정성 수지 조성물 1(A230): 카본파이버 30% 함유 액정성 수지 조성물, 「벡트라(등록상표) A230」 (폴리플라스틱사 제품)

액정성 수지 조성물 2(E130i): 유리섬유 30% 함유 액정성 수지 조성물 「벡트라(등록상표) E130i」 (폴리플라스틱사 제품)

액정성 수지 조성물 3(E463i): 미네랄 및 유리섬유 함유 액정성 수지 조성물 「트라(등록상표) E463i」 (폴리플라스틱사 제품)

단열층 형성 재료 1: 폴리이미드 수지 테이프(스미토모쓰리엠사 제품), 열전도율 0.2W/m·K

단열층 형성 재료 2: 폴리이미드 수지 바니쉬(화인케미칼재팬사 제품), 열전도율 0.2W/m·K

단열층 형성 재료 3: 폴리이미드 수지 필름(토레이·듀퐁사 제품), 열전도율 0.2W/m·K

상기 폴리이미드 수지의 열전도율은 레이저 플래시법에 의해 열확산율, 아르키메데스법에 의해 비중, DSC에 의해 비열을 측정하여 산출하였다.

<평가예 1>

성형용 재료로서 액정성 수지 조성물 2를 이용하고, 폭 20mm×길이 50mm× 두께 0.5mm의 평판 성형용 금형의 금형 캐비티면에 단열층 형성 재료 1을 붙이고, 표 1의 사출 속도, 금형 온도 등의 성형 조건으로 성형을 실시하여 사출 성형체를 얻었다. 표에 나타낸 성형 조건 이외의 조건은 다음과 같다.

[성형 조건]

실린더 설정 온도: 350℃

스크루 회전수: 150rpm

<평가예 2>

성형용 재료로서 액정성 수지 조성물 2를 이용하고, 40mm□×두께 1mm의 평판 성형용 금형의 금형 캐비티면에, 단열층 형성 재료 2를 스프레이하고, 250℃에서 1시간 굳힌 후, 폴리이미드면을 연마하고, 표 1의 단열층 두께로 조정한 후, 표 1의 사출 속도, 금형 온도로 성형을 실시하여 사출 성형체를 얻었다. 표 1에 나타낸 이외의 성형 조건은 평가예 1과 동일하다.

<평가예 3>

성형 조건을 표 1에 나타낸 조건으로 변경한 이외는 평가예 2와 동일한 방법으로 사출 성형체를 제조하였다. 표 1에 나타낸 이외의 성형 조건은 평가예 1과 동일하다.

<평가예 4>

성형용 재료로서 액정성 수지 조성물 2를 이용하고, ISO 표준시험편 금형의 금형 캐비티면에, 단열층 형성 재료 3을 양면 테이프로 부착하고, 표 1의 사출 속도, 금형 온도로 성형을 실시하여 사출 성형체를 얻었다. 표 1에 나타낸 이외의 성형 조건은 평가예 1과 동일하다.

<평가예 5>

성형 조건을 표 1에 나타낸 조건으로 변경한 이외는 평가예 4와 동일한 방법으로 사출 성형체를 제조하였다. 표 1에 나타낸 이외의 성형 조건은 평가예 1과 동일하다.

<평가예 6>

성형 조건을 표 1에 나타낸 조건으로 변경한 이외는 평가예 4와 동일한 방법으로 사출 성형체를 제조하였다. 표 1에 나타낸 이외의 성형 조건은 평가예 1과 동일하다.

<평가예 7>

금형내에 단열층을 형성하지 않은 이외는 평가예 1과 동일한 방법으로 사출 성형체를 제조하였다.

<평가예 8>

성형 조건을 표 1에 나타낸 조건으로 변경한 이외는 평가예 7과 동일한 방법으로 사출 성형체를 제조하였다. 표 1에 나타낸 이외의 성형 조건은 평가예 1과 동일하다.

<성형체의 평가>

평가예 1~8의 사출 성형체에 대하여 크로스 컷 박리 시험 평가, 초음파 세정 시험 평가를 실시하였다.

[크로스 컷 박리 시험 평가]

JIS K5400에 준한 방법으로 평가를 실시하여, 1mm□의 100격자 내의 박리된 격자수로 평가를 실시하였다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.

[초음파 세정 시험]

평가예의 사출 성형체를 물에 침지하여 1분간 초음파 세정을 실시하고, 표면의 피브릴 발생 상황을 표면의 백화 현상으로서 측정하여 피브릴 발생의 유무를 평가하였다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.

<실시예 1>

[성형체 제작 공정]

성형용 재료로서 액정성 수지 조성물 1을 이용하고, 폭 20mm×길이 50mm×ㄷ두께 1.0mm의 평판 성형용 금형의 금형 캐비티면에, 단열층 형성 재료 2를 도포하고, 250℃에서 1시간 굳힌 후, 폴리이미드 면을 연마하고, 단열층 두께를 70㎛로 조정한 후, 표 2의 금형 온도 등의 성형 조건으로서 성형을 실시하여 성형체를 얻었다. 표에 나타낸 성형 조건 이외의 조건은 다음과 같다.

(성형 조건)

실린더 설정 온도: 350℃

스크루 회전수: 150rpm

사출 속도: 100mm/sec

[도금막 형성 공정]

스파터링 장치(히타치제작소 제품 E102)를 이용하고, 진공조(眞空槽)내를 0.05Torr까지 고진공화한 후, 전류값이 15mA가 되도록 설정한 뒤 백금 팔라듐 타겟을 이용하여, 타겟으로부터 30mm의 위치가 되도록 기판에 세트시킨 성형체에 스파터링을 실시하여 백금 팔라듐막을 형성시켜 실시예 1의 도금 수지 성형체를 얻었다.

<실시예 2>

액정성 수지 조성물 1을 액정성 수지 조성물 2로 변경한 이외는 실시예 1과 동일한 방법으로 실시예 2의 도금 수지 성형체를 제작하였다.

<실시예 3>

액정성 수지 조성물 1을 액정성 수지 조성물 3으로 변경한 이외는 실시예 1과 동일한 방법으로 실시예 3의 도금 수지 성형체를 제작하였다.

<비교예 1>

[성형체 제작 공정]

액정성 수지 조성물 1을 액정성 수지 조성물 2로 변경한 이외는 실시예 1과 동일한 방법으로 성형체를 제작하였다.

[도금막 형성 공정]

OPC-750(오쿠노제약공업주식회사 제품)에 실온에서 성형체를 20분간 침지시켜 화학 도금법에 의해 구리 도금막을 성형체 표면에 형성하였다.

<비교예 2>

금형내에 단열층을 형성하지 않은 이외는 실시예 1과 동일한 방법으로 비교예 1의 도금 수지 성형체를 제작하였다.

<비교예 3>

금형내에 단열층을 형성하지 않은 이외는 실시예 2와 동일한 방법으로 비교예 2의 도금 수지 성형체를 제작하였다.

<비교예 4>

금형내에 단열층을 형성하지 않은 이외는 실시예 3과 동일한 방법으로 비교예 3의 도금 수지 성형체를 제작하였다.

<크로스 컷 박리 시험>

평가예와 동일한 방법으로 크로스 컷 박리 시험을 하여 평가하였다. 크로스 컷 내에 조금이라도 박리된 부분이 있으면 「박리」라고 평가하고, 크로스 컷 100개중의 박리수를 표 2에 기재하였다.

실시예 1~3의 도금 수지 성형체는, 표층과 스킨층 사이에 경계가 존재하지 않기 때문에, 표층과 스킨층과의 경계에 박리가 발생되지 않는다는 점, 도금막이 충분히 밀착되고 있다는 점이 확인되었다.

실시예 1~3과 비교예 1로부터 분명히 알 수 있듯이, 본 발명에서 이용하는 성형체는 표면이 대단히 매끈하기 때문에 스파터링 등의 도금막 재료 입자를 성형체의 표면에 충돌시킴으로써 도금막을 형성하는 방법이 아니면, 충분히 밀착력이 있는 도금막이 형성되지 않는다는 것이 확인되었다.

비교예 2~4는 모두 박리수가 100이나, 비교예 2는 모든 크로스 컷에서, 크로스 컷내에 박리되지 않은 부분은 거의 없었다. 한편, 비교예 4는 모든 크로스 컷에서, 크로스 컷내에 박리되지 않은 부분이 많이 남았다. 비교예 3의 박리 상황은, 비교예 2와 비교예 4의 중간이었다. 본 발명은, 박리되기 쉬운 액정성 수지 조성물을 이용하더라도 충분한 효과를 나타낸다고 확인되었다.

1 성형체
11 코어층
12 스킨층
13 도금막

Claims (9)

1. 삭제
2. 액정성 수지 조성물을 성형하여 이루어지는 성형체의 표면에 도금막을 가지는 도금 수지 성형체를 제조하는 방법으로서,
   상기 성형체는, 금형 내표면에 단열층이 형성된 금형을 이용하고, 단열층의 두께를 t1(㎛), 사출 속도를 S(mm/sec), 성형체의 두께를 t2(mm), 금형 온도를 T(℃)라고 한 경우, 하기의 식(I)을 만족시키는 성형 조건으로 사출 성형하여 이루어지는 성형체이고,
   상기 도금막은, 도금막 재료 입자가 상기 성형체의 표면에 충돌하여 부착됨으로써 형성되는 도금막인 도금 수지 성형체의 제조 방법.
   [수학식 1]
   (t1×S)/t2+T≥1000---(I)
   
3. 제 2항에 있어서,
   상기 성형 조건이 하기의 식(II)를 만족시키는 성형 조건인 도금 수지 성형체의 제조 방법.
   [수학식 2]
   (t1×S)/t2+T≥2000---(II)
   
4. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
   상기 도금막은, 이온 플레이팅 또는 스파터링법에 의해 형성되는 도금막인 도금 수지 성형체의 제조 방법.
   
5. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
   상기 단열층은, 열전도율이 5W/m·K이하인 도금 수지 성형체의 제조 방법.
   
6. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
   상기 단열층은, 폴리이미드 수지를 포함하는 도금 수지 성형체의 제조 방법.
   
7. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
   금형 온도(T)가, 100℃ 이하인 도금 수지 성형체의 제조 방법.
   
8. 삭제
9. 삭제

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