JP2002501986A - 液晶ポリマーのめっき方法およびそれに関連する組成物 - Google Patents
液晶ポリマーのめっき方法およびそれに関連する組成物Info
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Abstract
(57)【要約】
液晶ポリマー(LCP)をパラジウムでスパッタコーティングまたはイオンめっきすることによりパラジウムコーティングされたLCP部品が得られる。通常または異常な高電流密度を使用してこれらを銅などで電解めっきすると、金属がLCPと良好な密着性を有するめっきLCPが製造できる。電解めっきの前または後で、金属コーティングをパターン化することができる。パターン化された金属表面を含む部品は、回路板またはプリント制御盤として使用できる。
Description
【0001】 本出願は、1998年1月30日出願の、米国仮出願第60/073,194
号の特典の権利を主張する。
号の特典の権利を主張する。
【0002】 (発明の分野) 本発明は、液晶ポリマーに対する金属コーティングの密着性を、パラジウムの
薄層でポリマーをスパッタコーティングまたはイオンめっきすることによって、
改良する新規な方法、およびその組成物に関する。
薄層でポリマーをスパッタコーティングまたはイオンめっきすることによって、
改良する新規な方法、およびその組成物に関する。
【0003】 (発明の背景) 様々なタイプのポリマーが、多くは表面を電導性または光反射性にするため、
あるいは単に装飾的効果などの様々な理由で金属でめっき(コーティング)され
る。このような組成物は、様々な応用分野で使用されるが、特にプリント回路板
およびプリント制御盤で使用される。これらの応用分野の多くでは、当該応用分
野でめっきされたポリマーを機能させるためにはポリマーに対する金属コーティ
ングの密着性の良いことが重要である。
あるいは単に装飾的効果などの様々な理由で金属でめっき(コーティング)され
る。このような組成物は、様々な応用分野で使用されるが、特にプリント回路板
およびプリント制御盤で使用される。これらの応用分野の多くでは、当該応用分
野でめっきされたポリマーを機能させるためにはポリマーに対する金属コーティ
ングの密着性の良いことが重要である。
【0004】 サーモトロピック液晶ポリマー(LCP)は、回路などの物品で使用するのに
魅力的にする多くの特性、中でも低熱膨張係数、良好な耐熱性、低吸水性、良好
な電気特性、さらに多くの場合に良好な耐引火性を有している。しかし、LCP
が通常、金属を含む他の材料に密着し難いことも当技術分野では良く知られてい
る。多くの熱可塑性物質は真空蒸着または無電解めっきおよび電気めっきの組合
せにより満足のいく金属化が可能であるが、同方法で金属化されたLCPの金属
コーティングに対する密着性は極めて不十分であり、多くの用途にとって十分優
れているとはいえない。
魅力的にする多くの特性、中でも低熱膨張係数、良好な耐熱性、低吸水性、良好
な電気特性、さらに多くの場合に良好な耐引火性を有している。しかし、LCP
が通常、金属を含む他の材料に密着し難いことも当技術分野では良く知られてい
る。多くの熱可塑性物質は真空蒸着または無電解めっきおよび電気めっきの組合
せにより満足のいく金属化が可能であるが、同方法で金属化されたLCPの金属
コーティングに対する密着性は極めて不十分であり、多くの用途にとって十分優
れているとはいえない。
【0005】 従来技術では、LCP上へのスパッタリングに通常銅が使用され、続いて銅な
どの金属で電解めっきされる。しかし、得られる金属コーティングのLCPから
の剥離強度は極めて低いことが多く、自然にポリマーから金属が薄片として裂け
ることがある。したがって、金属でLCPをコーティングする改良方法には実用
的興味が持たれ続けている。
どの金属で電解めっきされる。しかし、得られる金属コーティングのLCPから
の剥離強度は極めて低いことが多く、自然にポリマーから金属が薄片として裂け
ることがある。したがって、金属でLCPをコーティングする改良方法には実用
的興味が持たれ続けている。
【0006】 米国特許5,209,819、欧州特許214,827B1および407,1
29B1、欧州特許出願402,028、およびK.Feldmann他、Me
talloberflaeche、51巻、349〜352ページ、1997年
は、スパッタリングおよびイオンめっきを含む様々な方法によるLCPのめっき
について記載している。金属としてパラジウムを使用すること、およびスパッタ
リングされた金属層を比較的高い電流密度で電気めっきすることに関する記述は
ない。
29B1、欧州特許出願402,028、およびK.Feldmann他、Me
talloberflaeche、51巻、349〜352ページ、1997年
は、スパッタリングおよびイオンめっきを含む様々な方法によるLCPのめっき
について記載している。金属としてパラジウムを使用すること、およびスパッタ
リングされた金属層を比較的高い電流密度で電気めっきすることに関する記述は
ない。
【0007】 (発明の概要) 一態様によれば、本発明は、サーモトロピック液晶ポリマーをパラジウムでコ
ーティングする方法であって、前記表面をスパッタリングまたはイオンめっきに
よってパラジウムでコーティングすることを含む方法に関する。
ーティングする方法であって、前記表面をスパッタリングまたはイオンめっきに
よってパラジウムでコーティングすることを含む方法に関する。
【0008】 本発明はまた、パラジウムでコーティングされたサーモトロピック液晶ポリマ
ーを含む組成物であって、前記パラジウムが約3μm未満の厚さを有し、DIN
EN582の方法に従って測定したときに前記液晶ポリマーに対して少なくと
も約2MPaの接着強度を有する組成物を提供する。
ーを含む組成物であって、前記パラジウムが約3μm未満の厚さを有し、DIN
EN582の方法に従って測定したときに前記液晶ポリマーに対して少なくと
も約2MPaの接着強度を有する組成物を提供する。
【0009】 本発明の別の態様は、金属コーティングされた液晶ポリマー組成物の製造法で
あって、厚さ約3μm未満のパラジウム表面層を有する液晶ポリマーを電解めっ
きすることを含む方法で、前記めっきが前記パラジウム層の表面で行われ、前記
めっき中の電流密度が前記パラジウム層の前記表面積1dm2当たり少なくとも 約5Aであるか、前記めっきが少なくとも1μm/minの速度で行われるか、
あるいはその両者である方法である。
あって、厚さ約3μm未満のパラジウム表面層を有する液晶ポリマーを電解めっ
きすることを含む方法で、前記めっきが前記パラジウム層の表面で行われ、前記
めっき中の電流密度が前記パラジウム層の前記表面積1dm2当たり少なくとも 約5Aであるか、前記めっきが少なくとも1μm/minの速度で行われるか、
あるいはその両者である方法である。
【0010】 さらに、パラジウムの金属層および任意選択で1つまたは複数の他の金属でコ
ーティングされたサーモトロピック液晶ポリマーを含む組成物であって、前記金
属層が合計約5μm以上の厚さを有し、前記パラジウムが前記液晶ポリマーと接
触し、DIN Method 53494に従って測定したときに前記液晶ポリ
マーに対する前記金属層の密着剥離強度が、少なくとも約0.1N/mmである
組成物を提供する。
ーティングされたサーモトロピック液晶ポリマーを含む組成物であって、前記金
属層が合計約5μm以上の厚さを有し、前記パラジウムが前記液晶ポリマーと接
触し、DIN Method 53494に従って測定したときに前記液晶ポリ
マーに対する前記金属層の密着剥離強度が、少なくとも約0.1N/mmである
組成物を提供する。
【0011】 (発明の説明) 液晶ポリマー(LCP) サーモトロピック液晶ポリマー(LCP)は、当技術分野では、「液晶」およ
び「異方性融液」を含む様々な用語で知られている。溶融相において偏光顕微鏡
を使用して交差する偏光子間で調べたときに光を透過する場合、ポリマーは光学
的異方性である。「サーモトロピック」は、ポリマーが溶融し次いで再凝固でき
ること、すなわち熱可塑性であることを意味する。本方法では、任意のサーモト
ロピックLCPを使用できる。
び「異方性融液」を含む様々な用語で知られている。溶融相において偏光顕微鏡
を使用して交差する偏光子間で調べたときに光を透過する場合、ポリマーは光学
的異方性である。「サーモトロピック」は、ポリマーが溶融し次いで再凝固でき
ること、すなわち熱可塑性であることを意味する。本方法では、任意のサーモト
ロピックLCPを使用できる。
【0012】 有用なサーモトロピックLCPには、ポリエステル、ポリ(エステル−アミド
)、ポリ(エステル−イミド)、ポリ(エステル−アミド−イミド)、ポリアゾ
メチン、またはその混合物が含まれる。これらの用語は通常の意味を有し、ポリ
マー中の繰り返しユニットがエステルおよび任意選択でアミドおよび/またはイ
ミド連結によって結合していることを単に示している。好ましいサーモトロピッ
クLCPは、ポリエステルまたはポリ(エステル−アミド)であり、ポリエステ
ルまたはポリ(エステル−アミド)は部分的または完全に芳香族であることが特
に好ましい。「芳香族」とは、エステル、アミドまたはイミドなどの官能基に含
まれる炭素原子を除き、ポリマー主鎖中のすべての炭素原子がフェニレン、ナフ
チリレン、ビフェニレンなどの芳香環に存在することを意味する。アルキルなど
の他のタイプの基にある炭素原子は、芳香環上の置換基として、メチルヒドロキ
ノンまたは2−t−ブチル−4−ヒドロキシ安息香酸由来の繰り返しユニットと
して存在し、および/またはn−アルキルアミドなどのポリマー中の他の場所に
存在できる。ハロゲン、エーテル、およびアリールなどの他の置換基もLCP中
に存在できる。
)、ポリ(エステル−イミド)、ポリ(エステル−アミド−イミド)、ポリアゾ
メチン、またはその混合物が含まれる。これらの用語は通常の意味を有し、ポリ
マー中の繰り返しユニットがエステルおよび任意選択でアミドおよび/またはイ
ミド連結によって結合していることを単に示している。好ましいサーモトロピッ
クLCPは、ポリエステルまたはポリ(エステル−アミド)であり、ポリエステ
ルまたはポリ(エステル−アミド)は部分的または完全に芳香族であることが特
に好ましい。「芳香族」とは、エステル、アミドまたはイミドなどの官能基に含
まれる炭素原子を除き、ポリマー主鎖中のすべての炭素原子がフェニレン、ナフ
チリレン、ビフェニレンなどの芳香環に存在することを意味する。アルキルなど
の他のタイプの基にある炭素原子は、芳香環上の置換基として、メチルヒドロキ
ノンまたは2−t−ブチル−4−ヒドロキシ安息香酸由来の繰り返しユニットと
して存在し、および/またはn−アルキルアミドなどのポリマー中の他の場所に
存在できる。ハロゲン、エーテル、およびアリールなどの他の置換基もLCP中
に存在できる。
【0013】 本発明の好ましいLCP組成物で使用されるポリエステルの成分としては、例
えば、i)ヒドロキノン、ii)4,4′−ジヒドロキシビフェニル(4,4′
−ビフェノール)、iii)イソフタル酸、iv)テレフタル酸、v)p−ヒド
ロキシ安息香酸またはその誘導体、vi)4,4′−ジヒドロキシビフェニル(
4,4′−ビ安息香酸)またはその誘導体、vii)2,6−ナフタレンジカル
ボン酸、viii)6−ヒドロキシ−2−ナフトエ酸、またはその組合せが使用
できる。これらの成分は、当技術分野ですべて知られており、市販されているか
、当業者が容易に使用できる技法によって調製できる。
えば、i)ヒドロキノン、ii)4,4′−ジヒドロキシビフェニル(4,4′
−ビフェノール)、iii)イソフタル酸、iv)テレフタル酸、v)p−ヒド
ロキシ安息香酸またはその誘導体、vi)4,4′−ジヒドロキシビフェニル(
4,4′−ビ安息香酸)またはその誘導体、vii)2,6−ナフタレンジカル
ボン酸、viii)6−ヒドロキシ−2−ナフトエ酸、またはその組合せが使用
できる。これらの成分は、当技術分野ですべて知られており、市販されているか
、当業者が容易に使用できる技法によって調製できる。
【0014】 LCPの定義には、このようなポリマーに混合される補強材、増量剤、顔料、
酸化防止剤などの通常タイプの材料を含むLCPが含まれる。このような材料の
例には、ガラス繊維、ミルドグラスファイバ、マイカおよび粘土などの無機物、
二酸化チタン、炭素繊維、アラミド繊維、およびタルクが含まれる。
酸化防止剤などの通常タイプの材料を含むLCPが含まれる。このような材料の
例には、ガラス繊維、ミルドグラスファイバ、マイカおよび粘土などの無機物、
二酸化チタン、炭素繊維、アラミド繊維、およびタルクが含まれる。
【0015】 パラジウムによるLCPのスパッタリングおよびイオンめっき スパッタリングおよびイオンめっきは、基材を金属および他のタイプの材料で
コーティングする良く知られた方法である。いずれの方法においても基本的には
金属を気化し、気化の間または後に部分的または完全にイオンに変換し、金属イ
オンを電界によって基材(金属コーティングすべき品目)に引き込む。金属は、
エネルギーの高い(energetic)イオンによる衝撃(スパッタリング)
により、または蒸発(イオンめっき)により気化させる。単純な真空気化蒸着を
上まわる改良された密着性が得られることが多く、これは金属原子が静電力によ
って基材表面に噴射されるためであると考えられる。
コーティングする良く知られた方法である。いずれの方法においても基本的には
金属を気化し、気化の間または後に部分的または完全にイオンに変換し、金属イ
オンを電界によって基材(金属コーティングすべき品目)に引き込む。金属は、
エネルギーの高い(energetic)イオンによる衝撃(スパッタリング)
により、または蒸発(イオンめっき)により気化させる。単純な真空気化蒸着を
上まわる改良された密着性が得られることが多く、これは金属原子が静電力によ
って基材表面に噴射されるためであると考えられる。
【0016】 パラジウムをLCP上にスパッタリングおよびイオンめっきすると、形成した
パラジウム層がLCPに良く密着し、重要なことに、電気めっきによりさらに金
属でコーティングするための良好な中間層を形成することが分かった。これが重
要なのは、極めて薄いコーティング、通常は<3μm、より多くは≦1μmとい
ったコーティングを作るためにスパッタリングおよびイオンめっき自体がより有
用であるからである。例えば、コーティングの電気抵抗を減らすため、より厚い
コーティングが必要なことが多い。
パラジウム層がLCPに良く密着し、重要なことに、電気めっきによりさらに金
属でコーティングするための良好な中間層を形成することが分かった。これが重
要なのは、極めて薄いコーティング、通常は<3μm、より多くは≦1μmとい
ったコーティングを作るためにスパッタリングおよびイオンめっき自体がより有
用であるからである。例えば、コーティングの電気抵抗を減らすため、より厚い
コーティングが必要なことが多い。
【0017】 スパッタリングおよびイオンめっきに先立ち、または大部分の金属コーティン
グ技法を使用する以前の事柄として、基材表面、この場合はLCPの表面が清浄
であることが好ましい。具体的には、指紋または離型などのいかなる形でもグリ
ースをなくさねばならない。LCPの表面は、通常の方法、例えば、洗浄剤など
の水性清浄剤への暴露、および/またはアセトンまたはエタノールなどの有機溶
媒に浸漬することによって洗浄できる。洗浄剤などの洗浄液からの残留物はすべ
て、水などの適当な溶媒によって洗浄しなければならないのは勿論である。液体
清浄剤に浸漬する時には、超音波エネルギーを使用することによって洗浄プロセ
スを加速することが可能であり、超音波エネルギーによる処理と組み合わせて水
性清浄剤を使用するのが好ましい洗浄方法である。
グ技法を使用する以前の事柄として、基材表面、この場合はLCPの表面が清浄
であることが好ましい。具体的には、指紋または離型などのいかなる形でもグリ
ースをなくさねばならない。LCPの表面は、通常の方法、例えば、洗浄剤など
の水性清浄剤への暴露、および/またはアセトンまたはエタノールなどの有機溶
媒に浸漬することによって洗浄できる。洗浄剤などの洗浄液からの残留物はすべ
て、水などの適当な溶媒によって洗浄しなければならないのは勿論である。液体
清浄剤に浸漬する時には、超音波エネルギーを使用することによって洗浄プロセ
スを加速することが可能であり、超音波エネルギーによる処理と組み合わせて水
性清浄剤を使用するのが好ましい洗浄方法である。
【0018】 スパッタリングおよびイオンめっき室内に入れて真空にする(Pdをコーティ
ングするか最初にプラズマエッチングするため、下記参照)前にLCP基材を高
温で乾燥することが好ましいが、必ずしも必要ではない。この予備乾燥は、LC
Pに溶けている気体を除去するのに必要な室内時間を短縮すると考えられる。乾
燥は、約120℃から約220℃、またはLCPが非晶質の場合には、LCPの
融解点またはLCPのガラス転移点といういずれにしてもより低い温度で約1時
間から約24時間、LCPを加熱することによって行うことが好ましい。より長
い加熱時間を使用できるが、通常は実質的に結果が良くなることはない。
ングするか最初にプラズマエッチングするため、下記参照)前にLCP基材を高
温で乾燥することが好ましいが、必ずしも必要ではない。この予備乾燥は、LC
Pに溶けている気体を除去するのに必要な室内時間を短縮すると考えられる。乾
燥は、約120℃から約220℃、またはLCPが非晶質の場合には、LCPの
融解点またはLCPのガラス転移点といういずれにしてもより低い温度で約1時
間から約24時間、LCPを加熱することによって行うことが好ましい。より長
い加熱時間を使用できるが、通常は実質的に結果が良くなることはない。
【0019】 パラジウム(Pd)のスパッタリングを始める前に、表面を粗くすることおよ
び/または化学修飾することが好ましい。イオンめっきでは、基材の表面がめっ
きと同時にエッチングされると考えられる。粗面化の好ましい方法は、プラズマ
エッチングによるもので、Pdをスパッタリングする前にスパッタリング室内で
行うことができる。プラズマエッチングは、任意の数の気体、例えば、アルゴン
などの不活性気体、または窒素もしくは酸素などの他の気体、またはそれらの任
意の混合物で行うことができる。エッチング用の好ましい気体は、アルゴン、酸
素、アルゴンと酸素または窒素との混合物、および酸素である。具体的には、酸
素とアルゴンの混合物が好ましい。プラズマエッチング時間の長さは、使用する
パワーレベル、基材、およびその他の要素でいくらか異なるが、通常、約2から
60分の範囲である。
び/または化学修飾することが好ましい。イオンめっきでは、基材の表面がめっ
きと同時にエッチングされると考えられる。粗面化の好ましい方法は、プラズマ
エッチングによるもので、Pdをスパッタリングする前にスパッタリング室内で
行うことができる。プラズマエッチングは、任意の数の気体、例えば、アルゴン
などの不活性気体、または窒素もしくは酸素などの他の気体、またはそれらの任
意の混合物で行うことができる。エッチング用の好ましい気体は、アルゴン、酸
素、アルゴンと酸素または窒素との混合物、および酸素である。具体的には、酸
素とアルゴンの混合物が好ましい。プラズマエッチング時間の長さは、使用する
パワーレベル、基材、およびその他の要素でいくらか異なるが、通常、約2から
60分の範囲である。
【0020】 表面の粗面化はまた、他の手段によって行うこともできる。溶液による化学的
エッチングを用いることも可能で、例えば、参照により本明細書に組み込む欧州
特許214,827B1を参照されたい。この方法では、酸、アルコール、また
はアルカリおよび金属層を含む均一組成のエッチング溶液を、スパッタリング、
めっき、または真空蒸着によりエッチングされた表面に塗布する。あるいは、表
面を単純に機械的粗面化することも可能で、例えば、参照により本明細書に組み
込む米国特許5,085,015を参照されたい。この方法では、摩滅、好まし
くは研磨粒子の流れに供することにより表面を粗くする。これらの粒子は適当な
任意の流体により噴射できるが、最も一般的には空気噴射される。LCP部品の
形成中に、例えば、それ自体比較的粗い表面を有する鋳型を使用することにより
、表面を「予備粗面化する(pre−roughened)」こともできる。
エッチングを用いることも可能で、例えば、参照により本明細書に組み込む欧州
特許214,827B1を参照されたい。この方法では、酸、アルコール、また
はアルカリおよび金属層を含む均一組成のエッチング溶液を、スパッタリング、
めっき、または真空蒸着によりエッチングされた表面に塗布する。あるいは、表
面を単純に機械的粗面化することも可能で、例えば、参照により本明細書に組み
込む米国特許5,085,015を参照されたい。この方法では、摩滅、好まし
くは研磨粒子の流れに供することにより表面を粗くする。これらの粒子は適当な
任意の流体により噴射できるが、最も一般的には空気噴射される。LCP部品の
形成中に、例えば、それ自体比較的粗い表面を有する鋳型を使用することにより
、表面を「予備粗面化する(pre−roughened)」こともできる。
【0021】 LCPをコーティングするために使用するスパッタリングおよびイオンめっき
の条件は、これらのプロセス、特に、コーティングされる金属がパラジウムの時
に通常使用される条件である。例えば(詳細については、表1における以下の実
施例を参照のこと)、本明細書中で使用する機器により、シングルPdターゲッ
ト、60ボルトの陽極、500ワットのコーティング出力、および30ワットの
高周波出力を使用し、コーティング時間に応じて様々な厚さを有するPd層が生
成した。
の条件は、これらのプロセス、特に、コーティングされる金属がパラジウムの時
に通常使用される条件である。例えば(詳細については、表1における以下の実
施例を参照のこと)、本明細書中で使用する機器により、シングルPdターゲッ
ト、60ボルトの陽極、500ワットのコーティング出力、および30ワットの
高周波出力を使用し、コーティング時間に応じて様々な厚さを有するPd層が生
成した。
【0022】
【表1】
【0023】 Pdコーティングの最大厚は約3μmが好ましく、約0.05μmから約1μ
mがより好ましい。Pdコーティング厚は、Helmut Fischer G
mbh、Singelfingen、Germany製のFischersco
pe(登録商標)X−Ray System XUVMなどの装置を使用するい
くつかの標準的方法のどれによっても測定することができる。
mがより好ましい。Pdコーティング厚は、Helmut Fischer G
mbh、Singelfingen、Germany製のFischersco
pe(登録商標)X−Ray System XUVMなどの装置を使用するい
くつかの標準的方法のどれによっても測定することができる。
【0024】 プロセス中の基材LCPの最高温度は、LCPが非晶質である場合は、LCP
の融解点またはLCPのガラス転移点を超えてはならず、融解点またはガラス転
移点(非晶質の場合)から少なくとも50℃低いことが好ましい。融解点および
ガラス転移点は、ASTM法D3418に従い、示差走査熱量測定法により測定
する。通常、Pdコーティングプロセス中のLCPの温度は、約60℃から約2
50℃であるが、この温度は、コーティングプロセス中に使用する出力、LCP
基材にかかる冷却量、基材の厚さ、もしあればその他の要素によって異なる。
の融解点またはLCPのガラス転移点を超えてはならず、融解点またはガラス転
移点(非晶質の場合)から少なくとも50℃低いことが好ましい。融解点および
ガラス転移点は、ASTM法D3418に従い、示差走査熱量測定法により測定
する。通常、Pdコーティングプロセス中のLCPの温度は、約60℃から約2
50℃であるが、この温度は、コーティングプロセス中に使用する出力、LCP
基材にかかる冷却量、基材の厚さ、もしあればその他の要素によって異なる。
【0025】 スパッタリングまたはイオンめっきによって生成するPd層は通常、DIN
EN582の方法で測定したときに、LCP基材に対して少なくとも2MPaの
密着性、好ましくは約10MPa以上、最も好ましくは約20MPaの密着性を
有する。
EN582の方法で測定したときに、LCP基材に対して少なくとも2MPaの
密着性、好ましくは約10MPa以上、最も好ましくは約20MPaの密着性を
有する。
【0026】 LCP上にPdが層を形成した後、これをそのまま使用できる。例えば、Pd
コーティングしたLCPは、コンピュータまたは他の電子素子用の電磁遮蔽とし
て使用できる。エッチングしてLCPの表面上に金属Pdパターンを形成するこ
とができる。例えば、フォトレジストなどのレジストを使用してPd表面上にパ
ターンを作成し、コーティングされていないPdを化学的にエッチングし、次い
で残ったレジストを除去してパターン化したPd層を残し、これを回路板として
使用することができる。
コーティングしたLCPは、コンピュータまたは他の電子素子用の電磁遮蔽とし
て使用できる。エッチングしてLCPの表面上に金属Pdパターンを形成するこ
とができる。例えば、フォトレジストなどのレジストを使用してPd表面上にパ
ターンを作成し、コーティングされていないPdを化学的にエッチングし、次い
で残ったレジストを除去してパターン化したPd層を残し、これを回路板として
使用することができる。
【0027】 他の金属による電解めっき しかし、多くの用途に対しては、Pd層があまりに薄いため、パターン化され
ているか否かにかかわらず残ったPd層は有用ではない。この層は摩滅などによ
り機械的に容易に除去されるか、あまりにも電気抵抗が大きく、すなわち十分な
電流を運ぶことができない。この場合、金属層のLCPに対する密着性を容易に
LCPから離れてしまうようなところまで低下させることなく、LCP上の金属
層の厚さを増加させることが望ましい。これは、最終の形で金属層が少なくとも
部分的に1つまたは複数の薄いストリップの形にする場合には特に重要である。
電解めっきするのに具体的に有用な金属の多くは、銅および銀などの比較的低い
電気抵抗を有する金属である。
ているか否かにかかわらず残ったPd層は有用ではない。この層は摩滅などによ
り機械的に容易に除去されるか、あまりにも電気抵抗が大きく、すなわち十分な
電流を運ぶことができない。この場合、金属層のLCPに対する密着性を容易に
LCPから離れてしまうようなところまで低下させることなく、LCP上の金属
層の厚さを増加させることが望ましい。これは、最終の形で金属層が少なくとも
部分的に1つまたは複数の薄いストリップの形にする場合には特に重要である。
電解めっきするのに具体的に有用な金属の多くは、銅および銀などの比較的低い
電気抵抗を有する金属である。
【0028】 驚くべきことに、Pd層を銅などの金属によって電解めっきし、LCPに対す
る金属層の密着性に悪影響を及ぼすことなく金属層全体の厚さを数倍に増加でき
ることが分かった。電解めっきは、教科書に記載されているような当技術分野で
良く知られている標準的材料および電気めっき金属の方法を用いて行うことがで
きる。例えば、B.Gaida他、「Technologie der Gal
vanotechnik」、Eugen G.Leuze Verlag、Sa
ulgau、Germany、1996年、およびN.V.Parthasar
adhy、「Practical Electroplating Handb
ook」、Prentice Hall、Englewood Cliffs、
NJ、1989年を参照されたい。
る金属層の密着性に悪影響を及ぼすことなく金属層全体の厚さを数倍に増加でき
ることが分かった。電解めっきは、教科書に記載されているような当技術分野で
良く知られている標準的材料および電気めっき金属の方法を用いて行うことがで
きる。例えば、B.Gaida他、「Technologie der Gal
vanotechnik」、Eugen G.Leuze Verlag、Sa
ulgau、Germany、1996年、およびN.V.Parthasar
adhy、「Practical Electroplating Handb
ook」、Prentice Hall、Englewood Cliffs、
NJ、1989年を参照されたい。
【0029】 驚くべきことに、Pd層を電解めっきする時に、LCP上の銅などの他の金属
コーティングとは対照的に、例外的に非常に高い電流密度を使用できることが分
かった。LCP上に銅層をスパッタリングするときには、約3A/dm2までの 電流密度で銅によって電解めっきすることができる。5A/dm2などのかなり 高い電流密度は、泡(blister)を有する極めて品質の悪いめっきを生じ
、さらに重要なことには、銅でコーティングされたLCP表面から金属コーティ
ングが自然に薄片として裂ける結果となる。しかし、元の金属層がPdの場合に
は、18A/dm2などの高い電流密度を使用し、銅などの追加の金属コーティ ングを得ることができる。電解めっきにおけるこのより高い電流密度は、めっき
層の金属の厚さが非常に早く増加できることを意味する。例えば、5A/dm2 では、当該銅めっきの堆積は1μm/minである。一方、より高い10A/d
m2では、銅の堆積率は2.5μm/minである。堆積、すなわちめっき速度 (厚さの増加)は、約2.5μm/min以上が好ましく、約4μm/min以
上がより好ましい。LCP上の金属層厚の合計(パラジウムとそれ以外の金属)
は、最終的に約5μmから約100μmが好ましい。
コーティングとは対照的に、例外的に非常に高い電流密度を使用できることが分
かった。LCP上に銅層をスパッタリングするときには、約3A/dm2までの 電流密度で銅によって電解めっきすることができる。5A/dm2などのかなり 高い電流密度は、泡(blister)を有する極めて品質の悪いめっきを生じ
、さらに重要なことには、銅でコーティングされたLCP表面から金属コーティ
ングが自然に薄片として裂ける結果となる。しかし、元の金属層がPdの場合に
は、18A/dm2などの高い電流密度を使用し、銅などの追加の金属コーティ ングを得ることができる。電解めっきにおけるこのより高い電流密度は、めっき
層の金属の厚さが非常に早く増加できることを意味する。例えば、5A/dm2 では、当該銅めっきの堆積は1μm/minである。一方、より高い10A/d
m2では、銅の堆積率は2.5μm/minである。堆積、すなわちめっき速度 (厚さの増加)は、約2.5μm/min以上が好ましく、約4μm/min以
上がより好ましい。LCP上の金属層厚の合計(パラジウムとそれ以外の金属)
は、最終的に約5μmから約100μmが好ましい。
【0030】 Pd層またはLCPそれ自体は、Pd層を電解めっきする前に他の方法で処理
することができる。例えば、Pd層および/またはLCP表面を粗面化し、かつ
/またはPd層および/またはLCP表面を無電解めっき溶液で短時間処理する
ことができる。
することができる。例えば、Pd層および/またはLCP表面を粗面化し、かつ
/またはPd層および/またはLCP表面を無電解めっき溶液で短時間処理する
ことができる。
【0031】 たとえ、どのような電流密度でLCPにコーティングされたPd層に金属を電
解めっきしても、得られる金属コーティング(Pdと他の金属)は通常、LCP
に対して良好な密着性を有する。このタイプの金属層の密着性は、DIN Me
thod53494(International Electronic C
ommission Method326、パート2と同一)によって測定し、
これは剥離タイプの密着性で、N/mmの単位で記録される。この密着性は約0
.1N/mm以上が好ましく、約0.2N/mmがより好ましく、特に約0.3
N/mm以上が好ましい。
解めっきしても、得られる金属コーティング(Pdと他の金属)は通常、LCP
に対して良好な密着性を有する。このタイプの金属層の密着性は、DIN Me
thod53494(International Electronic C
ommission Method326、パート2と同一)によって測定し、
これは剥離タイプの密着性で、N/mmの単位で記録される。この密着性は約0
.1N/mm以上が好ましく、約0.2N/mmがより好ましく、特に約0.3
N/mm以上が好ましい。
【0032】 電解めっきするのに好ましい金属は、銅、銀、パラジウム、金、クロム、ニッ
ケルおよびスズである。銅が特に好ましい。
ケルおよびスズである。銅が特に好ましい。
【0033】 追加の金属で電解めっきされているか否かにかかわらず、前述のPdコーティ
ングされたLCPをパターン化すると、プリント回路板またはプリント制御盤と
しての機能を果たすことができる。
ングされたLCPをパターン化すると、プリント回路板またはプリント制御盤と
しての機能を果たすことができる。
【0034】 (実施例) 実施例では、以下の手順、測定方法、および材料を使用した。
【0035】 金属層厚−これはHelmut Fischer GmbH、Singelf
ingen、Germany製のFischerscope(登録商標)X−R
ay System XUVMを用いて測定した。この測定は、J.M.Gir
ffiths他、「X−Ray Spectrometry(New York
)」、第61巻、5ページ以下参照(1986年)、およびR.Tertian
他、「Principles of Quantitative X−Ray
Fluorescence Analysis」、Heyden、London
(1982年)に記載の良く知られた定量的方法によって行う。
ingen、Germany製のFischerscope(登録商標)X−R
ay System XUVMを用いて測定した。この測定は、J.M.Gir
ffiths他、「X−Ray Spectrometry(New York
)」、第61巻、5ページ以下参照(1986年)、およびR.Tertian
他、「Principles of Quantitative X−Ray
Fluorescence Analysis」、Heyden、London
(1982年)に記載の良く知られた定量的方法によって行う。
【0036】 Pd層の密着性(厚さ<3μm)−これらの層の密着性はDIN EN582
の方法によって測定した。
の方法によって測定した。
【0037】 金属層の密着性(厚さ≧5μm)−このタイプの金属層の密着性はDIN M
ethod53494(International Electronic
Commission Method326、パート2と同一)によって測定し
た。
ethod53494(International Electronic
Commission Method326、パート2と同一)によって測定し
た。
【0038】 使用LCP 使用したLCPの等級はすべて、様々な増量剤および成形条件による同一LC
P(タイプBを除く)を含むものとした。LCPは、タイプBを除き、米国特許
5,110,896、表IおよびIIに記載のものと同様で、「LCP9」と呼
ばれる。タイプ毎のポリマーは、テレフタル酸/2,6−ナフタレンジカルボン
酸(T/2,6−N)の比が87.5/12.5である以外は同一とした。増量
剤の量はすべて、重量パーセントである。
P(タイプBを除く)を含むものとした。LCPは、タイプBを除き、米国特許
5,110,896、表IおよびIIに記載のものと同様で、「LCP9」と呼
ばれる。タイプ毎のポリマーは、テレフタル酸/2,6−ナフタレンジカルボン
酸(T/2,6−N)の比が87.5/12.5である以外は同一とした。増量
剤の量はすべて、重量パーセントである。
【0039】 タイプA−これは、TiO240%およびポリマー60%を含有した。350 ℃の射出成形容器温度および遅い射出速度を使用して成形した。
【0040】 タイプB−これは、タルク40%、TiO25%、およびポリマー55%を含 有した。350℃の射出成形容器温度および通常の射出速度を使用して成形した
。
。
【0041】 タイプC−これは、タルク30%およびポリマー70%を含有した。350℃
の射出成形容器温度および速い射出速度を使用し、100℃の鋳型で成形した。
の射出成形容器温度および速い射出速度を使用し、100℃の鋳型で成形した。
【0042】 タイプD−これは、TiO225%、タルク15%、ガラス繊維10%および ポリマー50%を含有した。350℃の射出成形容器温度および145℃の成形
温度を使用して成形した。
温度を使用して成形した。
【0043】 タイプE−これは、ガラス繊維50%およびポリマー50%を含有した。35
0℃の射出成形容器温度を使用し、145℃の鋳型で成形した。
0℃の射出成形容器温度を使用し、145℃の鋳型で成形した。
【0044】 タイプF−成形温度が95℃である以外はタイプEと同様。
【0045】 粗さ−表面の粗さ、Rzは、ダイアモンド針を使用し、DIN4768に記載 の方法によって測定した。処理前の成形プラークとしての表面粗さを表2に示す
。
。
【0046】
【表2】
【0047】 実施例1〜12 使用する特定のLCPに適当な射出成形機内温度を含む標準的射出成形技法を
使用し、適当なLCPの平らなプラークを射出成形した(上述の原参考文献を参
照のこと)。プラーク成形温度は、LCPのリスト上に記載した。
使用し、適当なLCPの平らなプラークを射出成形した(上述の原参考文献を参
照のこと)。プラーク成形温度は、LCPのリスト上に記載した。
【0048】 Pdのプラズマエッチングおよびスパッタリング−LCP試料はすべて、寸法
約6×7.5×1.6mmのプラークとした。最初に、DELO Gmbh&C
o.、Postfach1231、86882Landsberg、Germa
nyから購入したDelothen(登録商標)NK1の水性洗浄で洗浄した。
蒸留水で残留洗浄剤を洗い流した後、プラークを、60℃で少なくとも2時間、
またはより高温で一定時間(以下の表に記載)、空気オーブン中で乾燥した。
約6×7.5×1.6mmのプラークとした。最初に、DELO Gmbh&C
o.、Postfach1231、86882Landsberg、Germa
nyから購入したDelothen(登録商標)NK1の水性洗浄で洗浄した。
蒸留水で残留洗浄剤を洗い流した後、プラークを、60℃で少なくとも2時間、
またはより高温で一定時間(以下の表に記載)、空気オーブン中で乾燥した。
【0049】 乾燥後、CemeCon GmbH、Talbotstr.21、52068
Aachen、Germany製No.CC800型スパッタリング機器内にプ
ラークを入れた。この機器は、LCP基材を取り付けるターンテーブルを装備し
ている。シングルPdターゲットを使用した。エッチング(行った場合)および
続くスパッタリング条件を、それぞれ表2および3に示す。エッチング中の室内
圧力は約150mPaとした。スパッタリング中の圧力は通常、約700mPa
とした。Ar/O2混合物をエッチングに使用する場合には、Ar:O2モル比を
約1:1とした。スパッタリング終了後、プラークは通常、真空室内で冷却させ
た。Arの流速を時々早めて冷却を早めた。
Aachen、Germany製No.CC800型スパッタリング機器内にプ
ラークを入れた。この機器は、LCP基材を取り付けるターンテーブルを装備し
ている。シングルPdターゲットを使用した。エッチング(行った場合)および
続くスパッタリング条件を、それぞれ表2および3に示す。エッチング中の室内
圧力は約150mPaとした。スパッタリング中の圧力は通常、約700mPa
とした。Ar/O2混合物をエッチングに使用する場合には、Ar:O2モル比を
約1:1とした。スパッタリング終了後、プラークは通常、真空室内で冷却させ
た。Arの流速を時々早めて冷却を早めた。
【0050】 形成したPd層厚およびPd層の密着性などのスパッタリング結果も表3に示
す。記載温度は、エッチング(行った場合)およびスパッタリング中の最高到達
温度である。
す。記載温度は、エッチング(行った場合)およびスパッタリング中の最高到達
温度である。
【0051】
【表3−1】
【0052】
【表3−2】
【0053】
【表3−3】
【0054】 aすべての実施例で、コーティング(スパッタリング)出力は1ターゲットに つき、500W、陽極電圧は60Vとした。 bHF出力は、スパッタリング中の高周波出力である。
【0055】 実施例13〜28 LCP上のパラジウム層への銅の電解蒸着−実施例1〜12で製造したPdコ
ーティングされたプラークのいくつかを、銅で電解コーティングした。
ーティングされたプラークのいくつかを、銅で電解コーティングした。
【0056】 電解めっきは、2個の銅陽極を有する機器で行った。めっきするプラークは、
陽極間に等距離の所にある陰極の一部とした。陰極からそれぞれの陽極までの距
離は約5cmとした。
陽極間に等距離の所にある陰極の一部とした。陰極からそれぞれの陽極までの距
離は約5cmとした。
【0057】 2種類の市販電解液を使用した。これらのうち第1の電解液は、Atotec
h Gmbh、Erasmussstrasse20、D10553Berli
n、Germanyから購入したCupracid(登録商標)828で、電流
密度が10A/dm2の時に使用した。第2の電解液は、MacDermid、 Inc.、Waterbury、CT06702、U.S.A.から購入したM
ACuPlex(登録商標)J−64で、電流密度が18A/dm2の時にはい つでも使用した。
h Gmbh、Erasmussstrasse20、D10553Berli
n、Germanyから購入したCupracid(登録商標)828で、電流
密度が10A/dm2の時に使用した。第2の電解液は、MacDermid、 Inc.、Waterbury、CT06702、U.S.A.から購入したM
ACuPlex(登録商標)J−64で、電流密度が18A/dm2の時にはい つでも使用した。
【0058】 電気分解は、一定の電流に維持するように電圧を制御しながら、定電流操作で
行った。電流密度が10A/dm2である電気分解は約10分行い、電流密度が 18A/dm2の時には約7分間電気分解を行った。
行った。電流密度が10A/dm2である電気分解は約10分行い、電流密度が 18A/dm2の時には約7分間電気分解を行った。
【0059】 試料はすべて、通常いくぶんか艶のあるように見える平らな銅コーティングを
有していた。剥離密着性(peel adhesion)は、DIN53494
の方法を用い、空気中で加熱エージングする前後に測定した。剥離密着性試験の
破断のほとんどすべては、LCPの凝集性破断であった。
有していた。剥離密着性(peel adhesion)は、DIN53494
の方法を用い、空気中で加熱エージングする前後に測定した。剥離密着性試験の
破断のほとんどすべては、LCPの凝集性破断であった。
【0060】
【表4】
【0061】 aすべての場合、Cuの最終厚は、25μmであった。 b電解めっきの直後に測定した。 c電解めっきおよび150℃で96時間の加熱エージングの後で測定した。
【手続補正書】特許協力条約第34条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成12年1月26日(2000.1.26)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/38 H05K 3/38
Claims (10)
- 【請求項1】 サーモトロピック液晶ポリマーをパラジウムでコーティング
する方法であって、前記液晶ポリマーの表面をスパッタリングまたはイオンめっ
きによりパラジウムでコーティングすることを含むことを特徴とする方法。 - 【請求項2】 約3μm以下の厚さを有するパラジウム層が生成することを
特徴とする、請求項1に記載の方法。 - 【請求項3】 前記パラジウム層の前記液晶ポリマーに対する密着性が、D
IN Method EN582によって測定したときに約2MPa以上である
ことを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。 - 【請求項4】 前記液晶ポリマーを、前記コーティングの前に洗浄し、次い
で 前記液晶ポリマーを、前記コーティングの前に加熱によって乾燥し、 前記液晶ポリマーを、プラズマエッチングによりスパッタリング室内で粗面化
し、 前記液晶ポリマーを、パラジウムでコーティングすることを特徴とする、請求
項1に記載の方法。 - 【請求項5】 請求項1に記載の方法による製品。
- 【請求項6】 パラジウムでコーティングされたサーモトロピック液晶ポリ
マーを含む組成物であって、前記パラジウムが、約3μm未満の厚さを有し、D
IN EN582の方法に従って測定したときに前記液晶ポリマーに対して少な
くとも約2MPaの接着強度を有することを特徴とする組成物。 - 【請求項7】 金属コーティングされた液晶ポリマー組成物の製造方法であ
って、厚さ約3μm未満のパラジウム表面層を有する液晶ポリマーを電解めっき
することを含み、ただし 前記めっきが前記パラジウム層の表面で行われ、 前記めっき中の電流密度が前記パラジウム層の前記表面積dm2当たり少なく とも約5Aであるか、前記めっきが少なくとも1μm/minの速度で行われる
か、あるいはその両者であることを特徴とする方法。 - 【請求項8】 銅、銀、金、クロム、ニッケル、スズまたはパラジウムを電
解めっきすることを特徴とする、請求項11に記載の方法。 - 【請求項9】 金属コーティングされた液晶ポリマー組成物の製造方法であ
って、約3μm未満のパラジウム表面層の厚さを有する液晶ポリマーを電解めっ
きすることを含み、ただし前記電解めっきが前記パラジウム層の表面で行われる
ことを特徴とする方法。 - 【請求項10】 パラジウムの金属層および任意選択で1つまたは複数の他
の金属でコーティングされたサーモトロピック液晶ポリマーを含む組成物であっ
て、 前記金属層が合計約5μm以上の厚さを有し、 前記パラジウムが前記液晶ポリマーと接触し、 DIN Method 53494に従って測定したときに、前記液晶ポリマ
ーに対する前記金属層の密着剥離強度が、少なくとも約0.1N/mmであるこ
とを特徴とする組成物。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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US7319498P | 1998-01-30 | 1998-01-30 | |
US60/073,194 | 1998-01-30 | ||
PCT/US1999/001639 WO1999039021A1 (en) | 1998-01-30 | 1999-01-27 | Process for metal plating liquid crystalline polymers and compositions related thereto |
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---|---|
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000529476A Pending JP2002501986A (ja) | 1998-01-30 | 1999-01-27 | 液晶ポリマーのめっき方法およびそれに関連する組成物 |
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CN108267870B (zh) * | 2016-12-30 | 2021-03-30 | 财团法人工业技术研究院 | 铜箔复材 |
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1999
- 1999-01-27 WO PCT/US1999/001639 patent/WO1999039021A1/en not_active Application Discontinuation
- 1999-01-27 CA CA002316868A patent/CA2316868A1/en not_active Abandoned
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- 1999-01-27 EP EP99903414A patent/EP1051534A1/en not_active Withdrawn
- 1999-01-27 JP JP2000529476A patent/JP2002501986A/ja active Pending
- 1999-01-27 CN CN99802510A patent/CN1289376A/zh active Pending
-
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- 2001-11-13 US US10/062,818 patent/US20020130033A1/en not_active Abandoned
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