JP5353318B2 - 銅張積層板の製造方法 - Google Patents
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Description
従来は、予めフィルム状に成形された液晶ポリマーフィルムと銅箔とを接合させるという銅張積層板の製造方法が主として検討されており、例えば、特許文献1では、液晶ポリマーフィルムと銅箔とを150〜300℃の温度条件下で熱圧着させるという製造方法が提案され、この製造方法によれば、液晶ポリマーフィルム―銅箔間の接着強度に優れた銅張積層板が得られることが開示されている。また、本発明者等は、厚さ5μm以下の極薄銅箔上に液晶ポリエステルと溶媒とを含む溶液を塗布し、銅箔上に塗布された塗布膜から前記溶媒を除去することで得られる銅張積層板が、液晶ポリマー(液晶ポリエステル)フィルム―銅箔間の密着性(180°剥離強度)に優れ、銅箔が極薄であることから耐折性に優れた銅箔積層板となることを提案している(特許文献2参照)。
かかる状況下、本発明の目的は、このような高温高湿雰囲気下においても、液晶ポリマーフィルム―銅箔間の密着性が十分維持される銅張積層板の製造方法、該製造方法で得られる該銅張積層板、該銅張積層板を用いてなる両面銅張積層板を提供することにある。
<1>銅箔の表面に、液晶ポリマーを含む樹脂層を接着させる銅張積層板の製造方法において、前記銅箔の表面が、以下のX線光電子分光測定を行って求められる、ニッケル濃度と銅濃度との比(CNi/CCu)が0.40以上であり、以下のX線光電子分光測定により、ケイ素が実質的に検出されないものを用いる銅張積層板の製造方法;
<X線光電子分光測定>
銅箔表面にX線を照射し、光電子取出し角が試料表面から35°の条件で光電子を測定し、サテライトピークを含むNi2p3/2のピーク面積からニッケル濃度CNi(atom%)を求め、Cu2p3/2のピーク面積から銅濃度CCu(atom%)を求めて、Si2pのピーク面積からケイ素濃度CSi(atom%)を求めて、これらの値からニッケル濃度と銅濃度との比(CNi/CCu)を求める。また、Si2pのピークからケイ素濃度CSi(atom%)を求め、銅濃度CCuとの比(CSi/CCu)が0.01未満のとき、ケイ素が実質的に検出されないとする。
<2>前記銅箔の表面が、前記X線光電子分光法の測定において、Ni2p3/2に由来するピーク(結合エネルギー:852eV)が検出されない表面である、<1>の銅張積層板の製造方法;
<3>前記樹脂層が、液晶ポリマーと溶媒とを含有する液晶ポリマー溶液を前記銅箔の表面に塗工して得られる樹脂層である、<1>又は<2>の銅張積層板の製造方法;
<4>前記液晶ポリマーが、以下の式(1)、(2)又は(3)で示される構造単位を含み、全構造単位の合計に対して、式(1)で示される構造単位が30〜80モル%、式(2)で示される構造単位が10〜35モル%、式(3)で示される構造単位が10〜35モル%である、<1>〜<3>のいずれかの銅張積層板の製造方法;
(1)−O−Ar1−CO−
(2)−CO−Ar2−CO−
(3)−X−Ar3−Y−
(式中、Ar1は、フェニレン、ナフチレン又はビフェニレン;Ar2は、フェニレン、
ナフチレン、ビフェニレン又は式(4)で示される2価の基;Ar3は、フェニレン又は式(4)で示される2価の基;X及びYは、同一又は異なりO又はNH;をそれぞれ表わす。なお、Ar1、Ar2及びAr3の芳香環に結合している水素原子は、ハロゲン原子、アルキル基又はアリール基で置換されていてもよい。)
(4)−Ar10−Z−Ar11−
(式中、Ar10及びAr11は、それぞれ独立にフェニレン又はナフチレンを表し、ZはO、CO又はSO2を表す。)
<5>前記式(3)で示される構造単位において、X及び/又はYがNHである、<4>の銅張積層板の製造方法;
<6>前記樹脂層が無機フィラーを含有する、<1>〜<5>のいずれかの銅張積層板の製造方法;
<7><1>〜<6>のいずれかの製造方法により得られる銅張積層板;
<8><7>の銅張積層板において、銅箔と接着していない樹脂層の表面に、さらに銅箔を積層させる両面銅張積層板の製造方法;
<9><8>の製造方法で得られる両面銅張積層板;
<10><7>の銅張積層板を、さらに加熱することにより樹脂層中の液晶ポリマーを配向させる工程を備える、銅張積層板の改質方法;
<11><10>の改質方法で得られた改質された銅張積層板において、銅箔と接着していない樹脂層の表面に、さらに銅箔を張合わせる両面銅張積層板の製造方法;
<12><11>の製造方法で得られる両面銅張積層板;
を提供するものである。
以下、本発明の銅張積層板の製造方法において、前記のような特性を備えた銅箔、樹脂層に含まれる好適な液晶ポリマー、該液晶ポリマーを含む樹脂層、銅張積層板について順次説明する。
まず、本発明に適用する銅箔について説明する。
また、同条件でXPS測定を行ったとき、ケイ素が実質的に検出されないことが必要である。ここで実質的に検出されないとは、ケイ素濃度と銅濃度の比(CSi/CCu)が0.01未満であることをいう。ケイ素が検出されるような銅箔においても、高温高湿雰囲気下で銅張積層板を保持した場合、銅箔−樹脂層間の密着性が低下し易くなる傾向がある。
ニッケル濃度と銅濃度の比(CSi/CCu)や、ケイ素が検出されるか、されないかで、このような密着性の低下が生じ易くなる原因は必ずしも明らかではなく、本発明者等の検討により初めて見出されたものである。
銅電解により陰極に銅を析出して銅箔を形成し、次いで、形成された銅箔を陰極から引き剥がした際における陰極側に対面する銅箔表面に表面処理を行う。通常、電解により製造される銅箔は、陰極を硫酸銅電解液に浸漬して、連続製造法ではドラム状回転陰極を硫酸銅電解液に浸漬して、電解反応によって陰極表面へ銅を析出させ、銅箔を形成して該陰極表面から剥がし取って製造されるものである。このような電解銅箔では、電着初期時、つまり、陰極表面に電着を開始した側の面を光沢面と呼び、その反対となる電解終了面側を粗化面と呼び、互いが区別される。そして、光沢面は陰極表面の転写形状となる平滑な表面であり、粗化面は凹凸を持つ表面となる。本発明のような銅箔では、銅箔粗化面を特定の成分にすることで容易に形成することができる。
次に、ニッケルを含む金属層(ニッケル層)を銅箔の表面に形成する。該ニッケル層の形成方法としては、無電解めっき、電気めっき、置換反応、スプレー噴霧、塗布、スパッタリング、蒸着法がある。ニッケル層形成には硫酸ニッケル水溶液で電気めっきする方法が簡便な方法として挙げられる。表面に所定量のニッケル濃度を有する銅箔を得るには、電気めっきに使用する硫酸ニッケル水溶液の濃度、温度又は硫酸ニッケル溶液に銅箔を浸漬する時間を適宜調整する。好適には、数回の予備実験を行い、予備実験で得られた銅箔の表面を各々XPS測定に供し、ニッケル濃度及び銅濃度を求めて、CNi/CCuが前記の範囲になるような電気めっき条件を選択すればよい。そして、前記電気めっきに使用する硫酸ニッケル水溶液には、ケイ素成分が含有されていないようなものを用いる。
なお、後述する樹脂層の厚みを銅箔の厚みで除した値は0.7〜20の範囲内にあることが好ましい。したがって、樹脂層の厚みを勘案して好適な銅箔の厚さを決定することもできる。
次に、本発明の銅張積層板の樹脂層に用いられる液晶ポリマーについて説明する。該液晶ポリマーは、サーモトロピック液晶ポリマーと呼ばれるものであり、450℃以下の温度で光学的に異方性を示す溶融体を形成するものである。好適には、芳香族基がエステル結合で連結しているような液晶ポリエステルを挙げることができる。なお、この液晶ポリエステルには、分子内のエステル結合の一部がアミド結合に置き換わったような液晶ポリエステル―アミドも含む概念である。
(1)−O−Ar1−CO−
(2)−CO−Ar2−CO−
(3)−X−Ar3−Y−
式中、Ar1は、フェニレン、ナフチレン又はビフェニレンを表し、Ar2は、フェニレン、ナフチレン、ビフェニレン又は式(4)で示される2価の基を表し、Ar3は、フェニレン又は式(4)で示される2価の基を表す。X及びYは、それぞれ独立にO(酸素原子)又はNH(アミノ基)をそれぞれ表わす。なお、Ar1、Ar2及びAr3の芳香環に結合している水素原子は、ハロゲン原子、アルキル基又はアリール基で置換されていてもよい。)
なお、式(4)で示される2価の基は以下のとおりである。
(4)−Ar10−Z−Ar11−
式中、Ar10及びAr11は、それぞれ独立にフェニレン又はナフチレンを表し、ZはO(酸素原子)、CO(カルボニル基)又はSO2(スルホニル基)を表す。
これらの構造単位を含む液晶ポリマーは、寸法安定性に優れるという利点を有し、銅張積層板の樹脂層形成に好適に使用できる。これは本発明者等が見出し、前記特許文献2でも提唱している。
フェノール性水酸基を有する原料モノマーのエステル形成性誘導体としては、例えば、エステル交換反応によりポリエステルを生成するように、フェノール性水酸基がカルボン酸類とエステルを形成しているものなどが挙げられる。
アミノ基を有する原料モノマーのエステル形成性誘導体としては、例えば、エステル交換反応によりポリエステル又はポリアミドを生成するように、アミノ基がカルボン酸類とアミドを形成しているものなどが挙げられる。
全構造単位の合計に対して、構造単位(1)は30〜80モル%であることが好ましく、32〜70モル%であることがより好ましく、35〜50モル%であることがさらに好ましい。全構造単位の合計に対する構造単位(1)の割合がこの範囲であると、液晶ポリマーが十分液晶性を発現するとともに、溶媒に対して十分な溶解性を有するものとなるため、後述するキャスト法による樹脂層形成が容易になるという利点がある。
全構造単位の合計に対して、構造単位(2)は35〜10モル%であることが好ましく、34〜15モル%であることがより好ましく、32.5〜25モル%であることがさらに好ましい。全構造単位の合計に対する構造単位(2)の割合がこの範囲であると、液晶ポリマーが十分液晶性を発現するとともに、溶媒に対して十分な溶解性を有するものとなるため、後述するキャスト法による樹脂層形成が容易になるという利点がある。
全構造単位の合計に対して、構造単位(3)は、35〜10モル%であることが好ましく、34〜15モル%であることがより好ましく、32.5〜25モル%であることがさらに好ましい。全構造単位の合計に対する構造単位(3)の割合がこの範囲であると、液晶ポリマーが十分液晶性を発現するとともに、溶媒に対して十分な溶解性を有するものとなるため、後述するキャスト法による樹脂層形成が容易になるという利点がある。
液晶ポリマーにおいて、構造単位(3)と構造単位(2)とは実質的に等量(等モル量)であることが好ましいが、構造単位(3)が構造単位(2)に対して、90モル%〜110モル%となるようにして、液晶ポリマーの重合度を制御することもできる。
ただし、これらの触媒は、生成する液晶ポリマーから除去されず、液晶ポリマーに残存したままとなることがある。そのため金属を含む触媒を用いた場合、液晶ポリマーに残存した金属が、FPCの樹脂層において電気特性などに悪影響を及ぼす場合がある。したがって、触媒としては有機化合物触媒が好ましく、中でも、N,N−ジメチルアミノピリジン、N−メチルイミダゾールなどの窒素原子を含む複素環化合物が好ましく使用される(特開2002−146003号公報参照)。
触媒は、アシル化反応、エステル交換の一時期に存在していればよく、アシル化反応前に、液晶ポリマー製造用の原料モノマーと同時に仕込む形式でもよく、アシル化反応又はエステル交換の途中に仕込む形式でもよい。
なお、液晶ポリマーの製造は、例えば、回分装置、連続装置などを用いて行うことができる。
次に、前記に示した好適な液晶ポリマーを含む樹脂層について説明する。
この樹脂層には、本発明の目的を損なわない範囲で、公知のフィラー、添加剤などを含んでいてもよいが、使用するフィラーや添加剤において、ニッケル成分やケイ素成分を含むものを使用すると、これらの成分が樹脂層から銅箔に移動して、銅箔の特性を損なうことがある。したがって、使用する銅箔の種類などを考慮して、フィラーや添加剤を選択する必要がある。かかる点から見た場合、樹脂層に添加するには無機材料からなるフィラー(無機フィラー)が好ましい。無機フィラーは化学的安定性が高いので、ニッケル成分やケイ素成分を遊離することがなく、これら成分が銅箔に移動するのを十分防止することができる。
無機フィラーとしては、例えば、シリカ、ガラス、アルミナ、酸化チタン、ジルコニア、カオリン、炭酸カルシウム、燐酸カルシウム、ホウ酸アルミニウム、硫酸マグネシウム、酸化亜鉛、炭化ケイ素、窒化ケイ素などの材質からなる、繊維状、粒子状、板状又はウィスカー状の無機フィラーが挙げられる。これらの中でも、ホウ酸アルミニウム、チタン酸カリウム、硫酸マグネシウム、酸化亜鉛、炭化ケイ素、窒化ケイ素又はアルミナからなる粒子状の無機フィラー、あるいはガラス繊維、アルミナ繊維などの繊維状フィラーが好ましい。なお、無機フィラ−が粒子状フィラーである場合、レーザー回折式粒度分布測定装置を用いて透過率約80%で求められた粒度累積分布において、最小粒子径から10%の相対粒子量に当る粒子径D10(μ)と、90%の相対粒子量に当る粒子径D90(μ)を求めたときに、D10が1.0μ以下で、D90が5.0μ以上であることが寸法安定性を向上させる上で好ましい。
また、前記樹脂層には、ニッケル成分やケイ素成分を遊離しないような有機フィラーは使用可能であり、エポキシ樹脂粉末、メラミン樹脂粉末、尿素樹脂粉末、ベンゾグアナミン樹脂粉末、スチレン樹脂粉末などの有機系フィラーが好適なものとして例示できる。
添加剤としては、チタン系カップリング剤、沈降防止剤、紫外線吸収剤、熱安定剤などが挙げられる。
これらのフィラーや添加剤は、2種以上を用いることもできる。
キャスト法は、液晶ポリマーを、溶媒に溶解して得られる液晶ポリマー溶液を銅箔に塗布又は銅箔上に流延して、加熱処理などにより溶媒を除去するという方法である。
液晶ポリマーの量(重量濃度)が少ないと、樹脂層の生産効率が低下する傾向があり、多いと溶解が困難になる傾向がある。
これらの無機フィラーは、使用する液晶ポリマー100重量部に対して、通常100重量部以下、好ましくは40重量部以下で使用される。
本発明の銅張積層板は、液晶ポリマーを含む前記樹脂層と、当該樹脂層の片面に銅箔とを有している。銅箔積層板の銅箔と接着していない樹脂層に、さらに、銅箔を積層し、両面銅張積層板とすることもできる。このような両面銅張積層板を得る際、新たに樹脂層と接着させる銅箔においても、上述のXPS測定を行って求められる、ニッケル及び銅の濃度比CNi/CCuが0.40以上であり、ケイ素が検出されないものであると好ましい。なお、銅張積層板の樹脂層に、さらに銅箔を接着するには、不活性雰囲気下、熱圧着で樹脂層と銅箔とを貼り合わせればよい。熱圧着に係る加熱温度は150〜370℃、好ましくは250〜350℃である。熱圧着の方法は熱プレス方式、連続ロールラミネート方式、連続ベルトプレス方式などを用いることができる。
SSI(Surface Science Instruments)社製、SSX−100を用いてワイドスキャンスペクトルを測定し、表面組成比分析を行った。
手法:X線光電子分光法
X線:AlKα線(1486.6eV)
X線スポット径:1000μm
中和条件:中和電子銃・Niメッシュ使用
単位:atom%
測定したスペクトルのエネルギー軸は、C1sの主ピークの位置を284.6eVとして較正した。また、Si2p及びNi2p3/2のスペクトルについて、ナロウスキャンスペクトルを測定し、Si2p及びNi2p3/2の852eVピークの有無を判定した。
ここで、Ni2p3/2によるピークが検出された銅箔の全てにおいて、856eV及び861eVにピークが検出され、一部の銅箔では、852eVのピークも認められた。この852eVのピークの有無については、波形解析を行い、852eV、856eV、及び861eVに検出された全ピークの面積値に対して、852eVのピークの面積値が1%未満であることを判定基準とした。
なお、以下の実施例、比較例で使用した電解銅箔1、電解銅箔2、電解銅箔3、電解銅箔4、電解銅箔5、電解銅箔6、電解銅箔7及び電解銅箔8(以下、「電解銅箔1〜8」のように記すことがある。)の測定結果を表1に示す。
作製された銅張積層板を、121℃、2atm、100%RHの雰囲気が可能な炉内に168hr保管し処理を実施した。
密着性測定として90°ピール強度を測定した。
銅張積層板を幅10mmに試験片を切出し、樹脂面を固定し銅箔を50mm/分の剥離速度にて90°剥離強度を測定することで銅張積層板の樹脂層と銅箔のピール強度を測定した。
攪拌装置、トルクメータ、窒素導入管、温度計及び還流冷却器を備えた反応器に、2−ヒドロキシ−6−ナフトエ酸941g(5.0モル)、4−アミノフェノール273g(2.5モル)、イソフタル酸415.3g(2.5モル)及び無水酢酸1123g(11モル)を仕込んだ。反応器内を十分に窒素ガスで置換した後、窒素ガス気流下で15分かけて150℃まで昇温し、温度を保持して3時間還流させた。
その後、留出する副生酢酸及び未反応の無水酢酸を留去しながら170分かけて320℃まで昇温し、トルクの上昇が認められる時点を反応終了とみなし、内容物を取り出した。得られた樹脂は粗粉砕機で粉砕後、液晶ポリエステル粉末の一部を偏光顕微鏡観察において10℃/分で昇温し観察した結果、350℃で液晶相特有のシュリーレン模様を示した。
製造例1で得られた粗粉砕後の液晶ポリマー粉末を窒素雰囲気下250℃で3時間保持し、固相で重合反応を進めた。次いで、得られた液晶ポリマー粉末8gをN−メチル−2−ピロリドン 92gに加え、160℃に加熱し完全に溶解し褐色透明な溶液が得られた。この溶液を攪拌及び脱泡し、液晶ポリマー溶液を得た。
ここで得られた液晶ポリマー溶液に無機フィラーとしてホウ酸アルミニウム(アルボレックスM20C:四国化成社製、D10=0.18μ、D90=5.65μ、比重3.0g/cm3)を、液晶ポリマーに対し19.6重量%となるように加え、分散・脱泡を行った後に、表面粗さ2.1μmの電解銅箔1(厚さ12μm)上にフィルムアプリケーターを用いてキャストし、ホットプレート上で80℃、1時間乾燥した。窒素雰囲気下熱風オーブン中で昇温速度0.5℃/分で30℃からはじめて320℃まで加熱し、その温度で3時間保持する熱処理を行い、室温に戻るまで窒素雰囲気下で静置し銅張積層板を作製した。樹脂層の厚さは25μmであった。得られた銅張積層板の評価結果を表1に示す。
銅箔として、表面粗さ2.1μmの電解銅箔2(厚さ12μm)を使用した以外は、実施例1と同様にして試験を行った。結果を表1に示す。
銅箔として、表面粗さ2.1μmの電解銅箔3〜8(厚さは全て12μm)を使用した以外は、実施例1と同様にして試験を行った。結果を表1に示す。
※1結合エネルギーが852eVのNi2pに由来するピークが検出
された場合を「○」、検出されない場合を「×」として表記した。
※2以下の式で保持率を算出した。
[保持率(%)]={[168hr後のピール強度]/[製造直後のピール強度]}
×100
実施例1で得られた銅張積層板の銅箔が積層されていない樹脂層の面に、実施例1で用いたのと同じ種類の電解銅箔1を、その表面が樹脂層に接するようにして、もう一枚載せる。次いで、これを加熱しながら積層方向にプレスすることで、電解銅箔、樹脂層及び電解銅箔がこの順に積層されて互いに密着する積層体を得ることが可能である。このプレスは、高温真空プレス機(北川精機製 VH1−1765)を用い、熱処理条件として、真空下で340℃まで60分掛けて昇温した後、同温度で20分保持するという条件が採用される。なお、プレス圧力を5MPaとする。かくしてうられる両面銅張積層板は、その両面にある銅箔がCNi/CCu0.40以上であり、ケイ素を検出しないものであるので、液晶ポリマーを含む樹脂層との間の密着性に優れ、この両面銅張積層板を高温高湿雰囲気下で保持したとしても、その密着性が著しく低下することはない。
Claims (12)
- 銅箔の表面に、液晶ポリマーを含む樹脂層を接着させる銅張積層板の製造方法において、前記銅箔の表面が、以下のX線光電子分光測定を行って求められる、ニッケル濃度と銅濃度との比(CNi/CCu)が0.40以上であり、以下のX線光電子分光測定により、ケイ素が実質的に検出されないものを用いることを特徴とする銅張積層板の製造方法。
<X線光電子分光測定>
銅箔表面にX線を照射し、光電子取出し角が試料表面から35°の条件で光電子を測定し、サテライトピークを含むNi2p3/2のピーク面積からニッケル濃度CNi(atom%)を求め、Cu2p3/2のピーク面積から銅濃度CCu(atom%)を求めて、Si2pのピーク面積からケイ素濃度CSi(atom%)を求めて、これらの値からニッケル濃度と銅濃度との比(CNi/CCu)を求める。また、Si2pのピークからケイ素濃度CSi(atom%)を求め、銅濃度CCuとの比(CSi/CCu)が0.01未満のとき、ケイ素が実質的に検出されないとする。 - 前記銅箔の表面が、前記X線光電子分光法の測定において、Ni2p3/2に由来するピーク(結合エネルギー:852eV)が検出されない表面であることを特徴とする請求項1記載の銅張積層板の製造方法。
- 前記樹脂層が、液晶ポリマーと溶媒とを含有する液晶ポリマー溶液を前記銅箔の表面に塗工して得られる樹脂層であることを特徴とする請求項1又は2記載の銅張積層板の製造方法。
- 前記液晶ポリマーが、以下の式(1)、(2)及び(3)で示される構造単位を含み、全構造単位の合計に対して、式(1)で示される構造単位が30〜80モル%、式(2)で示される構造単位が10〜35モル%、式(3)で示される構造単位が10〜35モル%であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の銅張積層板の製造方法。
(1)−O−Ar1−CO−
(2)−CO−Ar2−CO−
(3)−X−Ar3−Y−
(式中、Ar1は、フェニレン、ナフチレン又はビフェニレン;Ar2は、フェニレン、
ナフチレン、ビフェニレン又は式(4)で示される2価の基;Ar3は、フェニレン又は式(4)で示される2価の基;X及びYは、同一又は異なりO又はNH;をそれぞれ表わす。なお、Ar1、Ar2及びAr3の芳香環に結合している水素原子は、ハロゲン原子、アルキル基又はアリール基で置換されていてもよい。)
(4)−Ar10−Z−Ar11−
(式中、Ar10及びAr11は、それぞれ独立にフェニレン又はナフチレンを表し、ZはO、CO又はSO2を表す。) - 前記式(3)で示される構造単位において、X及びYのうち少なくとも一方がNHであることを特徴とする請求項4に記載の銅張積層板の製造方法。
- 前記樹脂層が無機フィラーを含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の銅張積層板の製造方法。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の製造方法により得られることを特徴とする銅張積層板。
- 請求項7に記載の銅張積層板において、銅箔と接着していない樹脂層の表面に、さらに銅箔を積層させることを特徴とする両面銅張積層板の製造方法。
- 請求項8に記載の製造方法で得られることを特徴とする両面銅張積層板。
- 請求項7に記載の銅張積層板を、さらに加熱することにより樹脂層中の液晶ポリマーを配向させる工程を備えることを特徴とする銅張積層板の改質方法。
- 請求項10に記載の改質方法で得られた改質された銅張積層板において、銅箔と接着していない樹脂層の表面に、さらに銅箔を張合わせることを特徴とする両面銅張積層板の製造方法。
- 請求項11に記載の製造方法で得られることを特徴とする両面銅張積層板。
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