TWI647261B - 液晶聚合物薄膜及具有液晶聚合物薄膜之軟性銅箔基板的製造方法 - Google Patents

液晶聚合物薄膜及具有液晶聚合物薄膜之軟性銅箔基板的製造方法 Download PDF

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Abstract

一種液晶聚合物薄膜的製造方法包含以下操作。提供一液晶聚合物粉體。將液晶聚合物粉體均勻分散於溶劑中，以形成混和物溶液。將混和物溶液塗佈於承載板上，以形成塗層。加熱至第一溫度，以蒸乾塗層中的溶劑。溶劑蒸乾後，加熱至第二溫度，使液晶聚合物粉體熔融成液晶聚合物薄膜。

Description

液晶聚合物薄膜及具有液晶聚合物 薄膜之軟性銅箔基板的製造方法
本發明是有關於一種液晶聚合物薄膜的製造方法以及一種具有液晶聚合物薄膜之軟性銅箔基板的製造方法。
現今的行動裝置(mobile device)，例如智慧手機(smart phone)、平板電腦(tablet computer)以及筆記型電腦(laptop)，所使用的中央處理器(Central Processing Unit，CPU)的時脈(clock rate)大多在千兆赫茲(gigahertz，GHz)以上，以至於目前的行動裝置須要採用高頻電路來配合上述千兆赫茲時脈的中央處理器，而為了滿足高頻電路的需求，現有行動裝置需要減少阻容延遲(RC delay)所產生的不良影響。
由於作為介電材料的液晶聚合物(Liquid Crystal Polymer,LCP)薄膜所具有的介電係數或介電損 耗正切的物性在高頻區域中係非常穩定，又，吸水率較低，故可應用於高頻電路基板或高速傳輸線用電路中。然而，目前市售的液晶聚合物(liquid-crystalline polymers)除了昂貴的氟化試劑(fluorinated reagents)外，不能溶解在常見的有機溶劑中。因此，業界製造液晶聚合物薄膜係先將之熔融後，再以例如射出模製、擠壓模製、膨脹模製(inflation molding)或吹氣模製的方法來製造。但是，由於LCP的分子在排列上具有特定的方向性，因此，上述製造方法所形成的液晶聚合物薄膜內的分子排列係具有高度的同向性，因此薄膜容易因外應力而剝離(peeling)或碎裂(crack)。
本發明提供一種液晶聚合物薄膜的製造方法。此方法包含以下操作：首先，提供一液晶聚合物粉體；將液晶聚合物粉體均勻分散於溶劑中，以形成混和物溶液；將混和物溶液塗佈於承載板上，以形成塗層；加熱至第一溫度，以蒸乾塗層中的溶劑；以及在蒸乾溶劑後，加熱至第二溫度，使液晶聚合物粉體熔融成液晶聚合物薄膜。
根據本發明一實施方式，在將液晶聚合物粉體均勻分散於溶劑的操作中，更包含添加一分散劑和/或一添加劑。
根據本發明一實施方式，第二溫度至少高於液晶聚合物粉體的液晶態過渡(LC Transition)溫度。
根據本發明一實施方式，第二溫度高於第一溫 度。
根據本發明一實施方式，液晶聚合物粉體的平均粒徑介於1奈米至1000微米之間。
根據本發明一實施方式，液晶聚合物薄膜的厚度介於1微米至2000微米之間。
本發明的另一態樣是提供一種具有液晶聚合物薄膜之軟性銅箔基板的製造方法。此方法包含以下操作：首先，提供一液晶聚合物粉體；將液晶聚合物粉體均勻分散於溶劑中，以形成混和物溶液；將混和物溶液塗佈於第一銅箔上，以形成塗層；加熱至第一溫度，以蒸乾塗層中的溶劑；以及在蒸乾溶劑後，加熱至第二溫度，使液晶聚合物粉體熔融成液晶聚合物薄膜在第一銅箔上。
根據本發明一實施方式，第二溫度至少高於液晶聚合物粉體的液晶態過渡(LC Transition)溫度。
根據本發明一實施方式，第二溫度高於第一溫度。
根據本發明一實施方式，在使液晶聚合物粉體熔融成液晶聚合物薄膜的操作後，更包含加熱至第三溫度，接合第二銅箔於液晶聚合物薄膜上，使得液晶聚合物薄膜夾置於第一銅箔與第二銅箔之間。
根據本發明一實施方式，第三溫度介於液晶聚合物粉體的玻璃轉移溫度(Tg)與熔點(Tm)之間。
根據本發明一實施方式，液晶聚合物粉體的平均粒徑介於1奈米至1000微米之間。
根據本發明一實施方式，液晶聚合物薄膜的厚度介於1微米至2000微米之間。
10、20‧‧‧方法
S11~S15‧‧‧操作
S21~S25‧‧‧操作
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施方式能更明顯易懂，所附圖式之詳細說明如下：第1圖繪示本發明一實施方式之液晶聚合物薄膜的製造方法的流程圖。
第2圖繪示本發明一實施方式之具有液晶聚合物薄膜之軟性銅箔基板的製造方法的流程圖。
除非內容中有其他清楚的指稱，本文所使用的單數詞包含複數的指稱對象。透過參考「一實施方式」這樣特定的指稱，在至少其中之一的本案發明的實施方式中，表示一種特定的特徵、結構或特色，因此在各處的「在一實施方式」，這樣的片語透過特別的指稱出現時，並不需要參考相同的實施方式，更進一步，在一或多實施方式中，這些特別的特徵、結構、或特色可以依合適的情況相互組合。
在以下描述中，將詳細敘述許多特定細節以使讀者能夠充分理解以下的實施例。然而，可在無此等特定細節之情況下實踐本發明之實施例。
本發明之一態樣是提供一種液晶聚合物薄膜的製造方法，相較於傳統的介電層，藉由此製造方法所得到的 液晶聚合物薄膜具有較低的吸水率、介電常數、損失係數、熱膨脹係數(CTE)以及較優異的尺寸安定性、電氣性、阻氣性、熱傳導率等優勢。第1圖繪示本發明一實施方式之液晶聚合物薄膜的製造方法10的流程圖。如第1圖所示，方法10包含步驟S11至步驟S15。
首先，在步驟S11中，提供液晶聚合物粉體(powder)。在某些實施例中，例如可使用研磨方式將液晶聚合物研磨成粉體(powder)，但不以為限。在某些實施方式中，粉體的平均粒徑範圍可介於1nm(奈米)至1000um(微米)之間，例如可為5nm、10nm、15nm、20nm、30nm、50nm、70nm、90nm、100nm、1um、5um、10um、15um、20um、50um、100um、200um、300um、400um、500um、600um、700um、800um或900um。需說明的是，本發明所使用的液晶聚合物為熱致型(Thermotropic)液晶聚合物樹脂，且熱致型液晶聚合物樹脂可依據分子量大小區分為液晶高分子(Polymer)樹脂和液晶寡聚物(Oligomer)樹脂。在一些實施方式中，可以使用液晶高分子樹脂和/或液晶寡聚物樹脂進行研磨以形成液晶聚合物粉體。在某些實施方式中，市售液晶聚合物包含以下三種類型：1.第一型液晶聚合物樹脂為高耐熱型，其液晶態過渡(LC Transition)溫度大於約330℃。第一型的液晶聚合物樹脂具有很高的拉伸强度和彈性模量，耐化學腐蝕性能好，適用於要求高溫性能的場合，但其加工性能略差。2.第二型液晶聚合物樹脂為中耐熱型，其液晶態過渡溫度介於約280℃至約320℃。第二型的 液晶聚合物樹脂具有耐化學腐蝕性和水解穩定性，其電氣性及阻燃性都很優異，並具有很强的防滲性，综合性能較佳。3.第三型液晶聚合物樹脂為低耐熱型，其液晶態過渡溫度小於約240℃。第三型的液晶聚合物樹脂耐熱性能略差，但加工性好，價格低。值得注意的是，液晶態過渡(LC Transition)溫度為熱致型液晶聚合物樹脂於加熱狀態下由固態轉變為液晶態的某一特定溫度。可以理解的是，不同類型的熱致型液晶聚合物樹脂依據其單體結構的不同而具有不同的液晶態過渡溫度。
在一實施例中，高耐熱型的液晶聚合物樹脂包含由對羥基苯甲酸(p-Hydroxybenzoic Acid，又稱HBA)、對苯二甲酸(Terephthalic Acid，又稱TA)以及4,4’二氧基聯苯酚(4,4'-dioxydiphenol，又稱DODP)所組成的液晶聚合物樹脂。舉例來說，市售名稱Xydar®的液晶聚合物樹脂具有重複單元結構如下：
在另一實施例中，中耐熱型的液晶聚合物樹脂包含由對羥基苯甲酸(p-Hydroxybenzoic Acid，又稱HBA)以及6-羥基-2-萘甲酸(6-Hydroxy-2-naphthoic Acid，又稱HNA)所組成的液晶聚合物樹脂。舉例來說，市售名稱Vectra®的液晶聚合物樹脂具有重複單元結構如下：
在又一實施例中，低耐熱型的液晶聚合物樹脂包含由聚對苯二甲酸(Polyethylene Terephthalate，又稱PET)以及對羥基苯甲酸(p-Hydroxybenzoic Acid，又稱HBA)所組成的液晶聚合物樹脂。舉例來說，市售名稱X7G®的液晶聚合物樹脂具有重複單元結構如下：
接著，在步驟S12中，將上述研磨後的液晶聚合物粉體均勻分散於溶劑中以形成混和物溶液。在些實施方式中，液晶聚合物粉體與溶劑的比值(液晶聚合物粉體/溶劑)可介於1/100至90/100之間，例如10/100至80/100之間、20/100至70/100之間、30/100至60/100之間或40/100至50/100之間。值得注意的是，研磨後的液晶聚合物粉體係不溶或微溶在溶劑中。由於液晶聚合物本身的特性，其在溶劑中具有極佳的分散性。更具體的說，液晶聚合物粉體係懸浮分散於溶劑中而不沉澱。在某些實施方式中，溶劑可包含極性溶劑或非極性溶劑。舉例來說，溶劑可以為醯胺(Amide)類溶劑、酸(Acid)類溶劑、醇(Alcohol)類溶劑、酮類溶劑、芳香族(Aromatic)溶劑或水。
在一實施例中，醯胺類溶劑包含N,N-二甲基乙 醯胺(N,N-dimethylacetamide，又稱DMAC)、六甲基磷醯三胺(Hexamethylphosphoramide，又稱HMPA)、N-甲基吡咯烷酮(N-methylpyrrolidone，又稱NMP)、N,N,N',N'-四甲基脲(N,N,N’,N’-tetramethylurea)、甲基己內醯胺(N-methylcaprolactam)、N-乙醯基吡咯烷酮(N-acetylpyrrolidone)、N,N-二甲基丙醯胺(N,N-dimethylpropionamide)、N-甲基哌啶酮(N-methylpiperidone)、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮(1,3-Dimethylimidazolidinone)、N,N,N',N'-四甲基丙二醯胺(N,N,N’,N’-tetramethylmalonamide)、二甲基甲醯胺(Dimethylformamide，又稱DMF)，但不以為限。
在另一實施例中，酸類溶劑包含硫酸(Sulphuric Acid)、氫氟酸(Hydrofluoric Acid)、三氟甲烷磺酸(Trifluoromethanesulphonic acid)、三氟乙酸(Trifluoroacetic acid，又稱TFA)、三氟乙酸/二氯甲烷的混合溶液(TFA/methylene chloride)、三氟乙酸/二氯甲烷/四氯乙烯的混合溶液(TFA/DCTFAH/methylene chloride/perchloroethylene)及氯磺酸(Chlorosulphonic Acid)，但不以為限。
在又一實施例中，酮類溶劑包含環己酮(Cyclohexanone)及丁酮(Methyl Ethyl Ketone，又稱MEK)，但不以為限。
在又一實施例中，芳香族溶劑包含甲苯(Methylbenzene)、二甲苯(Dimethylbenzene)、對氯苯 酚(p-Chlorophenol)、對氯苯酚/四氯乙烷的混合溶液(p-Chlorophenol/tetrachloroethane)、鄰二氯苯/對氯苯酚的混合溶液(o-Dichlorobenzene/p-chlorophenol)、苯酚/四氯乙烷/對氯苯酚的混合溶液(Phenol/tetrachloroethane/p-chlorophenol)、苯酚/四氯乙烷的混合溶液(Phenol/tetrachloroethane)、苯酚/三氯甲烷的混合溶液(Phenol/chloroform)、甲酚(m-Cresol)、鄰氯苯酚(o-Chlorophenol)、五氟苯酚(Pentafluorophenol)以及對氟苯酚(p-Fluorophenol)，但不以為限。
在又一實施例中，醇類溶劑包含六氟異丙醇(Hexafluoroisopropanol)，但不以為限。
在其他實施例中，溶劑還包含1,3-二氯-1,1,3,3-四氟丙酮水合物(1,3-Dichloro-1,1,3,3-tetrafluoroacetone hydrate，又稱DCTFAH)、DCTFAH/四氯乙烯的混合溶液(DCTFAH/perchloroethylene)、四氯乙烷(Tetrachloroethane)以及二噁烷(Dioxane)，但不以為限。
在其他某些實施方式中，可在混和物溶液中選擇性地加入不同的添加劑，以對後續生成的液晶聚合物薄膜進行改質，而使之具有某些特性，進而符合所適用的產品之需求。在一些實施例中，添加劑可為安定劑、潤滑劑、填充劑、著色劑、硬化劑、塑化劑和/或抗氧化劑，但不以為限。在一實施例中，可以添加經過表面處理的聚四氟乙烯 (Polytetrafluoroethylene，又稱PTFE)作為添加劑，以提高後續生成之液晶聚合物薄膜的電性，也可以使其介電常數(Dielectric constant，又稱Dk)和介質損耗(Dissipation Factor，又稱Df)降得更低。
在傳統LCP薄膜製造方法中，在固定融溶溫度下，液晶聚合物即使都成熔融狀態，具有不同分子量的液晶聚合物的流變性並不一致，這會導致獲取具有均勻厚度的液晶聚合物薄膜變得非常困難。因此，若還要在傳統直接對液晶聚合物熔融加工的製造方法中，額外加入添加劑，如聚四氟乙烯，熔融狀態之液晶聚合物的流變性會更難控制，進而使成膜之後的液晶聚合物薄膜的品質降低。所以，業界均知在傳統製造方法中是不可能加入添加劑來達成LCP薄膜改質的目的。
在其他某些實施方式中，還可以在混和物溶液中選擇性地加入分散劑，以利液晶聚合物粉體更均勻且穩定地分散於溶劑中避免液晶聚合物粉體聚集(aggregate)。在一實施例中，分散劑可為甲基丙烯酸磷酸酯(MMP)、三硬脂酸甘油酯或羥丙基甲基纖維素，但不以為限。
在步驟S13中，將上述混和物溶液塗佈於承載板上形成一塗層。在一些實施方式中，塗層的厚度可介於10um(微米)至20000um之間，例如可為100um、500um、1000um、3000um、5000um、7000um、9000um、10000um、13000um或15000um。更具體的說，將混和物溶液可經由一狹縫均勻地塗佈，例如噴塗，在承載板上。在 某些實施方式中，承載板可例如為鋼板、陶瓷基板、銅箔和/或金屬板，但不以為限。
然後，在步驟S14中，加熱至第一溫度，將塗層中的溶劑蒸乾。可以理解的是，根據選用的溶劑類型，適當地調整第一溫度(即參考溶劑的沸點進行調整和選擇)，以蒸乾塗層中的溶劑。在此需說明的是，所選用之液晶聚合物粉體的液晶態過渡溫度必須高於其搭配之溶劑的沸點溫度，以在蒸乾溶劑的操作之後，使得承載板上殘留均勻分散的液晶聚合物粉體。
在步驟S15中，在蒸乾溶劑之後，繼續加熱至第二溫度，使液晶聚合物粉體熔融成液晶聚合物薄膜。在此需說明的是，當固態的液晶聚合物加熱至玻璃轉移溫度(Tg)時，液晶聚合物的內部分子鏈開始做局部運動。當溫度由玻璃轉移溫度繼續升溫至液晶態過渡(LC Transition)溫度時，液晶聚合物開始轉變成為既有雙折射性又有流動性的液晶態，處於液晶態之液晶聚合物的內部分子排列仍具有如晶體結構的方向性。當溫度由液晶態過渡溫度繼續升溫至熔點(Tm)，液晶態之液晶聚合物又轉變成為各向同性的液態，此時的液晶聚合物的內部分子如同液體一樣隨機排列且雜亂無章的。在某些實施方式中，此第二溫度至少需高於液晶聚合物的液晶態過渡(LC Transition)溫度；可以介於液晶態過渡(LC Transition)溫度與熔點(Tm)之間；亦可以高於熔點(Tm)。
在一些實施方式中，將液晶聚合物薄膜緩慢降 溫以冷卻成型此液晶聚合物薄膜。在某些實施方式中，冷卻成型後之液晶聚合物薄膜的厚度可介於1um(微米)至2000um之間，例如可為10um、50um、100um、300um、500um、700um、900um、1000um、1300um或1500um。在其他實施方式中，使成型後的液晶聚合物薄膜從承載板上移除，並收集成卷。
本發明之另一態樣是提供一種具有液晶聚合物薄膜之軟性銅箔基板的製造方法。第2圖繪示本發明一實施方式之具有液晶聚合物薄膜之軟性銅箔基板的製造方法20的流程圖。如第2圖所示，方法20包含步驟S21至步驟S25。
首先，在步驟S21中，提供液晶聚合物粉體(powder)。在某些實施例中，例如可使用研磨方式將液晶聚合物研磨成粉體(powder)，但不以為限。在某些實施方式中，粉體的粒徑範圍可介於1nm(奈米)至1000um(微米)之間，例如可為5nm、10nm、15nm、20nm、30nm、50nm、70nm、90nm、100nm、1um、5um、10um、15um、20um、50um、100um、200um、300um、400um、500um、600um、700um、800um或900um。需說明的是，本發明所使用的液晶聚合物為熱致型(Thermotropic)液晶聚合物樹脂，且熱致型液晶聚合物樹脂可依據分子量區分為液晶高分子(Polymer)樹脂和液晶寡聚物(Oligomer)樹脂。在一些實施方式中，可以使用液晶高分子樹脂和/或液晶寡聚物樹脂進行研磨以形成液晶聚合物粉體。在某些實施方式中，市售液晶聚合物包含以下三種類型：1.第一型液晶聚合物樹脂為 高耐熱型，其液晶態過渡(LC Transition)溫度大於約330℃。第一型的液晶聚合物樹脂具有很高的拉伸强度和彈性模量，耐化學腐蝕性能好，適用於要求高溫性能的場合，但其加工性能略差。2.第二型液晶聚合物樹脂為中耐熱型，其液晶態過渡溫度介於約280℃至約320℃。第二型的液晶聚合物樹脂具有耐化學腐蝕性和水解穩定性，其電氣性及阻燃性都很優異，並具有很强的防滲性，综合性能較好。3.第三型液晶聚合物樹脂為低耐熱型，其液晶態過渡溫度小於約240℃。第三型的液晶聚合物樹脂耐熱性能略差，但加工性好，價格低。值得注意的是，液晶態過渡(LC Transition)溫度為液晶聚合物樹脂於加熱狀態下由固態轉變為液晶態的某一特定溫度。可以理解的是，不同類型的液晶聚合物樹脂依據其單體結構的不同而具有不同的液晶態過渡溫度。以上三種類型之液晶聚合物樹脂的實施例已詳述於上文，故於此不再贅述。
接著，在步驟S22中，將上述研磨後的液晶聚合物粉體均勻分散於溶劑中以形成混和物溶液。在些實施方式中，液晶聚合物粉體與溶劑的比值(液晶聚合物粉體/溶劑)可介於1/100至90/100之間，例如10/100至80/100之間、20/100至70/100之間、30/100至60/100之間或40/100至50/100之間。值得注意的是，研磨後的液晶聚合物粉體係不溶或微溶在溶劑中。由於液晶聚合物本身的特性，其在溶劑中具有極佳的分散性。更具體的說，液晶聚合物粉體係懸浮分散於溶劑中而不沉澱。在某些實施方式中，溶劑可包 含極性溶劑或非極性溶劑。舉例來說，溶劑可以為醯胺(Amide)類溶劑、酸(Acid)類溶劑、醇(Alcohol)類溶劑、酮類溶劑、芳香族(Aromatic)溶劑或水。以上各種溶劑的實施例已詳述於上文，故於此不再贅述。
在其他某些實施方式中，可在混和物溶液中選擇性地加入不同的添加劑，以對後續生成的液晶聚合物薄膜進行改質，而使之具有某些特性，進而符合所適用的產品之需求。在一些實施例中，添加劑可為安定劑、潤滑劑、填充劑、著色劑、硬化劑、塑化劑和/或抗氧化劑，但不以為限。在一實施例中，可以添加經過表面處理的聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，又稱PTFE)作為添加劑，以提高後續生成之液晶聚合物薄膜的電性，也可以使其介電常數(Dielectric constant，又稱Dk)和介質損耗(Dissipation Factor，又稱Df)降得更低。
在傳統LCP薄膜製造方法中，在固定融溶溫度下，液晶聚合物即使都成融溶狀態，具有不同分子量的液晶聚合物的流變性並不一致，這會導致獲取具有均勻厚度的液晶聚合物薄膜變得非常困難。因此，若還要在傳統直接對液晶聚合物粉體熔融加工的製造方法中，額外加入添加劑，如聚四氟乙烯，熔融狀態之液晶聚合物的流變性會更難控制，進而使成膜之後的液晶聚合物薄膜的品質降低。所以，業界均知在傳統製造方法中是不可能加入添加劑來達成LCP薄膜改質的目的。
在其他某些實施方式中，還可以在混和物溶液 中選擇性地加入分散劑，以利液晶聚合物粉體更均勻且穩定地分散於溶劑中避免液晶聚合物粉體聚集(aggregate)。在一實施例中，分散劑可為甲基丙烯酸磷酸酯(MMP)、三硬脂酸甘油酯或羥丙基甲基纖維素，但不以為限。
在步驟S23中，將上述混和物溶液塗佈於第一銅箔上形成一塗層。在一些實施方式中，塗層的厚度可介於10微米至20000微米之間，例如可為100um、500um、1000um、3000um、5000um、7000um、9000um、10000um、13000um或15000um。更具體的說，將混和物溶液可經由一狹縫均勻地塗佈，例如噴塗，在第一銅箔上。
然後，在步驟S24中，加熱至第一溫度，將塗層中的溶劑蒸乾。可以理解的是，根據選用的溶劑類型，適當地調整第一溫度(即參考溶劑的沸點進行調整和選擇)，以蒸乾塗層中的溶劑。在此需說明的是，所選用之液晶聚合物粉體的液晶態過渡溫度必須高於其搭配之溶劑的沸點溫度，以在蒸乾溶劑的操作之後，使得承載板上殘留均勻分散的液晶聚合物粉體。
在步驟S25中，在蒸乾溶劑之後，繼續加熱至第二溫度，使液晶聚合物粉體熔融成液晶聚合物薄膜。在此需說明的是，當固態的液晶聚合物加熱至玻璃轉移溫度(Tg)時，液晶聚合物的內部分子鏈開始做局部運動。當溫度由玻璃轉移溫度繼續升溫至液晶態過渡(LC Transition)溫度時，液晶聚合物開始轉變成為既有雙折射性又有流動性的液晶態，處於液晶態之液晶聚合物的內部分子排列仍具有 如晶體結構的方向性。當溫度由液晶態過渡溫度繼續升溫至熔點(Tm)，液晶態之液晶聚合物又轉變成為各向同性的液態，此時的液晶聚合物的內部分子如同液體一樣隨機排列且雜亂無章的。在某些實施方式中，此第二溫度至少須高於係介於液晶聚合物的液晶態過渡(LC Transition)溫度；可以介於液晶態過渡(LC Transition)溫度與熔點(Tm)之間；亦可以高於熔點(Tm)。
在某些實施方式中，將液晶聚合物薄膜緩慢降溫以冷卻成型此液晶聚合物薄膜。在某些實施方式中，冷卻成型後之液晶聚合物薄膜的厚度可介於1um(微米)至2000之間，例如可為10um、50um、100um、300um、500um、700um、900um、1000um、1300um或1500um。於此，即可形成單面的軟性銅箔基板(Single-side Flexible Copper Clad Laminate)。
在另一變化實施方式中，將上述單面軟性銅箔基板加熱至第三溫度，並接合一第二銅箔於單面軟性銅箔基板之液晶聚合物薄膜上，使得液晶聚合物薄膜夾置於第一銅箔與第二銅箔之間。更詳細的說，此第三溫度至少需高於液晶聚合物的玻璃轉化溫度(Tg)；可以介於玻璃轉化溫度(Tg)至熔點(Tm)之間；亦可以介於液晶態過渡(LC Transition)溫度與熔點(Tm)之間。在某些實施例中，加熱至液晶聚合物的玻璃轉化溫度以上，可以使液晶聚合物薄膜的表面軟化，而更容易與第二銅箔接合。於此，即可形成雙面的軟性銅箔基板(Double-sides Flexible Copper Clad Laminate)。
在又一變化實施方式中，在液晶聚合物薄膜尚未降溫成型之前，溫度仍維持在第二溫度(至少高於液晶聚合物的液晶態過渡溫度)時，直接貼合第二銅箔於液晶聚合物薄膜上，使得液晶聚合物薄膜夾置於第一銅箔與第二銅箔之間。於此，亦可形成雙面的軟性銅箔基板(Double-sides Flexible Copper Clad Laminate)。
相較於傳統的聚醯亞胺(PI)薄膜，藉由本發明揭露之液晶聚合物薄膜的製造方法所形成的液晶聚合物薄膜，其具有更低的吸水率、介電常數、損失係數、熱膨脹係數(CTE)以及較優異的尺寸安定性、電氣性、阻氣性、熱傳導率，另外還具有耐酸、耐鹼及耐化學藥品性。因此，液晶聚合物薄膜極適合加工應用於高頻通信等構裝產品。具有液晶聚合物薄膜的軟性銅箔基板可較佳地應用於電腦及週邊設備、通訊產品、數位相機、消費性電子產品、汽車、軍事等領域。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，以上所述僅為本發明之較佳實施方式，並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (13)

  1. 一種液晶聚合物薄膜的製造方法，包含以下操作：提供一液晶聚合物粉體；將該液晶聚合物粉體均勻分散於一溶劑中，以形成一混和物溶液，其中該液晶聚合物粉體不溶於該溶劑；將該混和物溶液塗佈於一承載板上，以形成一塗層；加熱至一第一溫度，以蒸乾該塗層中的該溶劑；以及蒸乾該溶劑後，加熱至一第二溫度，使該液晶聚合物粉體熔融成一液晶聚合物薄膜。
  2. 如請求項1所述之製造方法，其中在將該液晶聚合物粉體均勻分散於該溶劑的操作中，更包含添加一分散劑和/或一添加劑。
  3. 如請求項1所述之製造方法，其中該第二溫度至少高於該液晶聚合物粉體的液晶態過渡(LC Transition)溫度。
  4. 如請求項1所述之製造方法，其中該第二溫度高於該第一溫度。
  5. 如請求項1所述之製造方法，其中該液晶聚合物粉體的平均粒徑介於1奈米至1000微米之間。
  6. 如請求項1所述之製造方法，其中該液晶聚合物薄膜的厚度介於1微米至2000微米之間。
  7. 一種具有液晶聚合物薄膜之軟性銅箔基板的製造方法，包含以下操作：提供一液晶聚合物粉體；將該液晶聚合物粉體均勻分散於一溶劑中，以形成一混和物溶液，其中該液晶聚合物粉體不溶於該溶劑；將該混和物溶液塗佈於一第一銅箔上，以形成一塗層；加熱至一第一溫度，以蒸乾該塗層中的該溶劑；以及在蒸乾該溶劑後，加熱至一第二溫度，使該液晶聚合物粉體熔融成一液晶聚合物薄膜在該第一銅箔上。
  8. 如請求項7所述之製造方法，其中該第二溫度至少高於該液晶聚合物粉體的液晶態過渡(LC Transition)溫度。
  9. 如請求項8所述之製造方法，其中該第二溫度高於該第一溫度。
  10. 如請求項7所述之製造方法，其中在使該液晶聚合物粉體熔融成該液晶聚合物薄膜的操作後，更包含加熱至一第三溫度，接合一第二銅箔於該液晶聚合物薄膜上，使得該液晶聚合物薄膜夾置於該第一銅箔與該第二銅箔之間。
  11. 如請求項10所述之製造方法，其中該第三溫度介於該液晶聚合物粉體的玻璃轉移溫度(Tg)與熔點(Tm)之間。
  12. 如請求項7所述之製造方法，其中該液晶聚合物粉體的平均粒徑介於1奈米至1000微米之間。
  13. 如請求項7所述之製造方法，其中該液晶聚合物薄膜的厚度介於1微米至2000微米之間。
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