KR101306217B1 - 파워 ｌｅｄ 방열 기판과 파워 ｌｅｄ 제품을 제조하는 방법 및 그 방법에 의한 제품 - Google Patents

파워 ｌｅｄ 방열 기판과 파워 ｌｅｄ 제품을 제조하는 방법 및 그 방법에 의한 제품 Download PDF

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Abstract

본 발명은 카운터 보어(2)와 히트 싱크(4)의 구조를 가진 파워 LED 방열 기판과 파워 LED 제품을 제조하는 방법 및 그 방법에 의한 제품을 제공한다.
본 발명에 따른 상기 파워 LED 방열 기판의 제조 방법은 (a) 기판 재료를 선택 및 가공하는 단계; (b) 히트 싱크를 제조하는 단계; (c) 기판과 히트 싱크를 장착하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 상기 파워 LED 제품의 제조 방법은, 상기 방열 기판의 제조 방법에서 칩 다이 본딩(solidification), 금선 본딩, 패키징 겔 몰드의 패키징 성형, 2차 경화, 장치 분리, 테스팅 및 테이핑의 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 방법은 제조 공정이 간단하고 생산 비용이 적으며 생산 효율이 높다. 본 발명에 따른 방법에 의해 제조된 파워 LED 제품은 안정성이 높고, 제품 품질이 우수하며, 출광 효과가 좋고 원가가 낮으며, 또한 테스트와 마운트 응용에 용이하여, 특히 규모화 생산과 응용에 적용된다.

Description

파워 ＬＥＤ 방열 기판과 파워 ＬＥＤ 제품을 제조하는 방법 및 그 방법에 의한 제품 {METHOD OF MANUFACTURING POWER LED RADIATION SUBSTRATE AND POWER LED PRODUCTION AND PRODUCTIONS THEROF}
본 발명은 파워 LED 방열 기판과 그 파워 LED 제품의 제조 방법, 그리고 그 방법으로 제조한 제품에 관한 것으로, 상세하게는 카운터 보어와 히트 싱크 구조를 구비한 파워 LED 방열 기판과 그 파워 LED 제품의 제조 방법 및 그 방법으로 제조한 제품에 관한 것이다.
파워 LED는 부피가 작고, 수명이 길고, 구동 전압이 낮고, 전기 소모량이 낮고, 반응속도가 빠르고 내진성이 우수한 장점이 있어, 전통적인 조명 광원을 곧 대체할 것이다. 파워 LED의 패키징은 주로 광, 열, 전기, 구조 및 공정 등과 관련이 있으며, 특히, 하이 파워 LED에 있어서, 방열 문제는 파워 LED의 발광 효율과 수명에 영향주는 중요한 요소이다. 현재, 하이 파워 LED의 전광 전환 효율은 약 15% 이고, 나머지 85%는 열 에너지로 전화된다. 또한, 백색광 LED의 스팩트럼에는 적외선 부분을 포함하지 않으므로, 그 열량은 복사에 의해 방출되지 않는다. 만약 LED의 칩 열량이 효과적으로 방출되지 않을 경우, 칩의 온도가 상승하게 되고, 열응력이 불균일하게 분포하게 되므로, 칩의 발광 효율과 형광분의 여기 효율이 저하하게 된다. 온도가 일정한 수치를 초과할 경우, LED 장치의 실효성(inefficiency)은 지수법칙에 따라 상승하며, 소자 온도가 2oC씩 상승할 때마다, 신뢰도는 10%씩 낮아진다. 실온에 가까울 때, 온도가 1oC씩 상승할 때마다, LED의 발광 강도는 상응하게 약 1%씩 감소한다. 장치가 환경 온도로부터 20oC까지 상승할 경우, 광도는 35% 낮아진다. 그러므로, 방열 문제를 해결하는 것이 파워 LED 패키징 방법을 연구함에 있어서 우선 과제이다. 하지만, 현재 통상의 파워 LED 제조 방법에는 보편적으로 공정이 복잡하고 원가가 높은 문제들이 존재하고 있다. 통상적인 파워 LED를 제조할 때 리드 프레임, 세라믹 기판 등이 사용된다.
리드 프레임을 사용한 파워 LED의 제조 방법은 구체적으로 1) 금속 리드 프레임을 형성하고, 2）금속 리드 프레임에 히트 싱크를 추가하고, 3）금속 리드 프레임에 백색 또는 흑색의 콜로이드를 플라스틱 패캐징하여 캐비티를 형성하여, 전극 리드와 히트 싱크를 고정하고, 4）히트 싱크에 다이 본딩(die bonding)하고, 5)금선을 본딩하고, 6）프레임에 광학 렌즈를 장착하고, 7）콜로이드를 주입하고, 8）경화시키고, 9）분리하는 단계를 포함한다. 하지만, 이러한 제조 방법은 공정이 복잡하고, 생산 효율이 낮으며, 생산원가 비교적 높다. 또한, 이런 패키징 구조는 자동화 테스트와 테이핑을 사용할수 없을 뿐만 아니라, 생산 효율이 높은 표면 마운트 기술을 사용하여 회로판에 장착하기 어려우므로 특히 대규모 생산에 적합하지 않다.
세라믹 기판을 기초로 한 파워 LED의 제조 방법은, 구체적으로 1）방열 작용을 하는 세라믹 기판에 저온 소결 과정을 거쳐 도전 작용을 하는 금속 선로를 형성하고, 2）세라믹 기판에 금속반사 캐비티를 장착하고, 3）세라믹 기판의 금속 반사 캐비티 내에 칩을 장착하고, 4）금선을 본딩하며, 5）금속 반사 캐비티에 광학 구조를 구비한 렌즈 장착하는 단계를 포함한다. 하지만, 세라믹 기판은, 가공 공정이 복잡하고, 가공하기 어렵고, 생산 원가가 높다. 또한, 비록 세라믹 기판은 양호한 절연성을 가지고 있으나, 질화 알루미늄 등과 같은 통상의 세라믹 기판의 열전도 성능은 비교적 낮다. 열전도 계수가 약 24W/m·k으로, 금속 동 열전도 계수의 1/16밖에 안 된다. 그리고 파워가 비교적 큰 LED 장치에 있어서 장치 파워가 5W 이상에 도달할 경우, 기대하는 방열 효과를 얻을 수 없다.
생산 원가를 줄이기 위해, 현재 선로판에 히트 싱크를 조립하는 방식으로 파워 LED 기판을 제작하는 방법이 공개되었다. 예를 들면 국제 공개 특허 제WO2006104325호는 1）다층 선로판을 형성하고, 2）각층의 선로판에 스루 홀을 형성하고, 3）스루 홀 구조를 갖는 다층 선로판을 적층시켜, 각층 선로판의 스루 홀이 서로 중첩되어 하나의 캐비티를 형성하도록 하고, 4）다층 선로판의 캐비티 내에 히트 싱크를 장착하는 단계를 포함한다. 하지만, 이러한 방식은 다층 선로판을 적층으로 조립해야 함과 동시에 용접해야 하고, 제조 공정 중 포지션에 대한 요구도 아주 높다. 또한, 적층 선로판을 용접할 때 냉납 결합(cold solder joint)과 평평하지 않는 문제가 쉽게 발생하여 제작 원가와 공정 난이도가 대폭 증가하고, 생산 효율이 낮고, 제품의 품질을 보장하기 어렵다.
LED 장치의 방열 문제를 해결하기 위하여, 방열 기판에 홀을 형성하고 방열 시트를 그 홀에 장착하는 기술수단이 공개되었다. 예를 들면, 중국 공개 특허 제CN1977399A호는, 선로판에 방열 시트를 장착하는 방식으로 LED 기판을 제작하는 솔루션을 제공하였는데, 주요한 제조 방법은 1）선로판에 추면(conical surface) 구조를 갖는 스루 홀을 형성하고, 2）추면 구조를 갖는 방열 시트를 제조하며, 3）방열 시트를 선로판의 스루 홀 내에 장착하는 단계를 포함한다. 이런 제조 방법에 사용되는 방열 시트는 비교적 얇게 설계되어, 방열량이 비교적 작아 하이 파워 LED 장치에 사용하기 적합하지 않다. 또한 실제 생산과정에서, 이러한 제조 방법 중, 방열 시트를 스루 홀에 장착하는 방식은 결합력이 나빠, 방열 시트가 쉽게 이탈하고, 포지션하기 어려워서 신뢰도가 낮을 뿐만 아니라 방열 효과도 좋지 않다. 또한, 선로판의 추면 가공 공정이 복잡하여, 일치하게 제어하기 어려우므로 제품 품질도 보장하기 어렵다.
상기 종래 방법은, 파워 LED 제품을 대량 생산할 때, 특히 하이 파워 LED 제품을 생산할 때, 구조가 상대적으로 복잡하고, 제품 품질이 일정하지 않고 원가가 높은 문제가 존재한다. 또한 상기 방법에 의해 제조된 파워 LED 제품에서, 그 제조공정은 그 제품 구조가 제품 테스트시 자동화 테스트와 테이핑에 적합하지 않고, 제품 응용시 용접에 의해 장착해야 하므로 파워 LED 제품의 테스트와 사용상의 불편을 초래하여 대규모의 공업화 생산의 요구를 만족시키기 어렵다.
따라서, 상기 제조 방법 및 그 제조 방법에 의한 파워 LED 제품의 문제점에 대해, 공정이 간단하고, 생산 원가가 낮으며, 제품 품질이 우수하고, 특히 규모화 생산과 응용에 적용할 수 있는 신형의 파워 LED 방열 기판과 그 파워 LED 제품의 제조 방법 및 그 방법을 제조한 제품을 개발하여, 날로 증가하는 시장 수요를 만족시켜야 한다.
본 발명은 상기 종래의 파워 LED 방열 기판과 그 파워 LED의 제조 방법 및 그 제품의 문제점, 특히 하이(high) 파워 LED의 제조 방법과 제품의 문제점, 즉 파워 LED 방열 기판의 제조 방법에 존재하고 있는 공정 요구가 높고, 프로세스가 복잡하여, 생산 효율이 낮고, 원가가 높으며, 방열 효과가 좋지 않는 문제점, 그리고 그 파워 LED 제품에 존재하는 제품 원가가 높고, 일치성이 낮고, 신뢰도가 낮으며, 제품 테스트와 사용하기 불편하는 문제점을 극복하기 위하여, 선로 기판(1)에 히트 싱크를 장착한 방열 기판의 제조 방법과 이런 방열 기판에 의한 파워 LED 제조 방법 및 본 발명의 방법을 이용하여 제조한 제품을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1 기술수단으로, 파워 LED용 방열 기판의 제조 방법은,
a）몰딩 클램핑 압력과 사출 압력에 견딜 수 있고, 몰딩 과정에서의 지속적인 고온에도 견딜 수 있고, 높은 유리 전이 온도(glass transition temperature)와 전단(剪斷) 강도를 갖는 재료로 구성된 일체 구조의 선로 기판(1)에, 축 방향이 동일하고 연통된 홀 직경이 작은 스루 홀(통공)과 홀 직경이 큰 블라인드 홀(blind hole)(맹공)로 구성된 대소(大小) 홀의 조합을 포함하는 카운터 보어(counter bore)를 제작하고, 선로 기판(1)에 금속 선로를 형성하는 단계;
b）열전도성 재료를 사용하여 상부 계단과 하부 계단으로 구성되고 사다리 실린더형의 일체 구조를 갖는 히트 싱크(Heat Sink)를 제작하여, 상기 선로 기판(1)의 카운터 보어 형상, 크기와 대응 매칭되게 하는 단계; 및
c）히트 싱크를 카운터 보어에 장착시켜 견고한 결합을 형성하는 단계를 포함하며
그 중 단계 a)와 단계 b)는 순차적으로 진행할 수도 있고 동시에 진행할 수도 있다.
본 발명의 제2 기술수단에 있어서, 제1 기술수단의 상기 방열 기판의 제조 방법을 포함하는 선로 기판(1)을 이용하여 파워 LED를 제조하는 방법은, 단계 c)가 진행한 후, LED 칩을 저온 다이 본딩 방법으로 선로 기판(1)의 히트 싱크에 부착하는 단계; 및
상기 LED 칩의 전극과 선로 기판(1)상의 금속 선로를 리드 방식으로 연결하는 단계를 포함한다.
본 발명의 제3 기술수단에 따른 상기 방열 기판의 제조 방법을 포함하는, 선로 기판(1)을 이용하여 파워 LED를 제조하는 방법에 있어서,
단계 b)는 LED 칩을 고온 다이 본딩 방법으로 히트 싱크에 부착하는 단계를 포함하고,
단계 c)는 상기 LED 칩의 전극과 선로 기판(1)상의 금속 선로를 리드 방식으로 연결하는 단계를 포함하다.
본 발명의 제4 기술수단은 상기 제1 기술수단의 방법으로 제조된 방열 기판을 제공한다.
본 발명의 제5 기술수단은 상기 제2 기술수단 또는 제3 기술수단의 방법으로 제조된 파워 LED 제품을 제공한다.
본 발명의 제6 기술수단은, 상기 제5 기술수단의 파워 LED를 포함하는 광원을 제공한다.
본 발명에 따른 방열 기판의 제조 방법은, 간편하고, 종래기술의 생산 공정에 대한 요구를 낮추고, 파워 LED 장치의 방열 문제, 특히 하이 파워 LED 제품의 방열 문제를 효과적으로 해결할 수 있다.
본 발명에 따른 방열 기판의 파워 LED 제품의 제조 방법은, 종래의 파워 LED 제품의 생산 공정을 간소화하고, 본 발명의 방법을 통해 생산된 파워 LED 제품은 일치성이 우수하고, 신뢰도가 높고, 방열 효과가 좋고, 출광 효과가 좋고, 원가가 낮으며, 또한 자동화 테스트, 테이핑이 가능하고, 생산 효율이 높은 표면 마운트 기술을 사용하여 회로판에 장착할 수 있으므로, 특히 규모화 생산에 적용할 수 있고, 날로 증가하는 파워 LED 제품의 시장 수요를 만족시킬 수 있다.
따라서 본 발명에 따른 방법은 파워 LED 방열 기판과 파워 LED 제품의 생산 공정을 대폭 간소화하여, 효율이 높고, 원가가 낮으며, 낮은 원가로 파워 LED 제품을 대량 생산하는 수요를 만족시킬 수 있다. 또한, 이런 방법에 의해 생산된 파워 LED 방열 기판은 그 방열 효과가 좋아, 파워 LED 제품의 품질을 대폭 개선시킨다. 또한, 상기 방법에 의해 생산된 파워 LED 제품은 원가가 낮고, 품질이 좋고, 테스트와 마운트 응용이 용이하고, 제품의 규모화 생산과 광범위 응용에 양호한 조건을 마련한다.
도 1은 본 발명의 파워 LED용 방열 기판의 제조 방법의 제1 실시예의 흐름도다.
도 2는 도 1의 방열 기판의 구조를 나타낸 도개략도이다.
도 3은 도 1의 히트 싱크와 카운터 보어의 구조를 나타낸 개략도이다.
도 4는 본 발명의 파워 LED용 방열 기판의 제조 방법의 제2 실시예의 흐름도이다.
도 5는 도 4의 방열 기판의 구조를 나타낸 개략도이다.
도 6은 본 발명의 상기 방열 기판에 의한 파워 LED 제품 제조 방법의 제1 실시예의 흐름도이다.
도 7은 도 6의 하이 파워 LED 제품의 구조를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 상기 방열 기판에 의한 파워 LED 제품 제조 방법의 제2 실시예의 흐름도이다.
도 9는 본 발명의 상기 방열 기판에 의해 가공된 파워 스트립형 광원 제품의 구조를 나타낸 개략도이다.
도 10은 본 발명의 상기 방열 기판에 의해 가공된 파워 스트립형 광원 제품의 구조를 나타낸 개략도이다.
도 11은 본 발명의 상기 방열 기판에 의해 가공된 파워 스트립형 광원 제품의 구조를 나타낸 개략도이다.
도 12는 본 발명의 상기 방열 기판에 의해 가공된 파워 면 광원 제품의 구조를 나타낸 개략도이다.
도 13은 본 발명의 상기 방열 기판에 의해 가공된 파워 면 광원 제품의 구조를 나타낸 개략도이다.
도 1, 도 2, 도 3, 및 도 9, 도 10, 도 11, 도 12, 도 13을 결합하여 본 발명의 파워 LED 방열 기판의 제조 방법의 제1 실시예에 대해 상세하게 설명한다.
[실시예 1]
본 실시예에서, 파워 LED 방열 기판의 제조 방법(S1)은, 기판 재료를 선택하고 가공하는 단계; 히트 싱크를 제조하는 단계(S12); 기판과 히트 싱크를 장착하는 단계(S13)를 포함한다. 그 중, 기판 재료를 선택하고 가공하는 공정 단계(S11)와 히트 싱크를 제조하는 공정 단계(S12)는 선후 관계없이 또는 동시에 진행할 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 기판 재료를 선택하고 가공하는 단계(S11)는 기판 재료를 선택하는 단계(S111); 카운터 보어를 형성하는 단계(S112) 및 금속 선로를 형성하는 단계(S113)를 포함한다.
기판 재료를 선택하는 단계(S111): 선택된 선로 기판(1)의 구조는 일체 구조이고, 단면, 양면 또는 다층 복합 선로판을 선택할 수 있으며, 양면 선로판을 선택하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 중, 선로 기판(1)은 본 발명의 방법에서 제품을 패키징할 때 몰딩 클램핑 압력과 사출 압력에 견딜 수 있고, 몰딩 과정의 지속적인 고온에 견딜 수 있어야 한다. 제품 패키징 과정에 선로 기판(1)이 고온 하에서 변형되지 않게 하기 위하여 선로 기판(1)은 몰딩 온도보다 높은 유리 전이 온도를 가지고, 또한 상응한 전단 강도를 가져야 한다. 통상적으로, 본 발명의 방법에서 제품 패키징을 진행할 때, 선로 기판(1) 전체가 감당해야 하는 몰딩 클램핑 압력은 0 ~ 6MPa이고, 사출 압력은 5MPa ~ 50MPa이고, 몰딩 과정의 고온 범위는 60℃ ~ 220℃이고, 지속 시간은 30분 을 초과하지 않으며, 유리 전이 온도는 적어도 120℃ 이다. 제품을 절단할 때, 방열 기판은 또한 절단 후의 PCB판의 가장자리가 평활하고 면적이 작은 PCB 유닛으로 절단할 수 있도록 상응한 전단 강도를 가져야 한다. 기판 재료(PCB판 재료)는 상기 조건을 만족하는 페이퍼 기판, 수지 파이버 글라스 기판, 복합 기재 기판이 가능하다. 기판 재료는 성능상 고내열의 물리적 특성과, 180℃ ~ 320℃에 달하는 높은 유리 전이 온도를 구비한 특수성 수지 파이버 글라스 기판이 바람직하다. 또한 낮은 유전 상수(통상적으로 5.0 이하)와 낮은 흡수성(통상적으로 0.4％ 이하), 그리고 낮은 유전 손각 tan(통상적으로 0.005 ~ 0.03)을 구비한다. 폴리이미드 수지(PI), 시안네이트 수지(CE), 비스마레 이미드 도리아진 수지(BT), 열경화성 폴리페닐렌 옥사이드 수지(PPE 또는 PPO) 등 재료가 바람직하며 유전 상수가 2.0 ~ 3.3이고, 유리 전이 온도가 180℃ ~ 260℃인 기판 재료가 바람직하다. 예를 들면, 비스마레 이미드 도리아진 수지(BT) 재료의 유리 전이 온도는 210℃ 안팎이 대표적이다. 이러한 재료를 기판으로 사용함으로써, 생산 가공 공정의 요구와 파워 LED 제품의 전기성능 요구를 만족시킬 수 있을 뿐만 아니라, 종래의 파워 LED 방열 기판의 생산 원가를 대폭 낮출 수 있다.
선로 기판(1)의 형상은 파워 LED 제품의 제조 요구에 의해 결정되며, 장방형, 정방형, 삼각형, 다변형, 원형, 환형, 타원형, S형, U형, 스트립형, 릉(菱)형, 하트형 또는 이들 모양의 조합과 같은 서로 다른 모양이 가능하며, 예를 들면, 도 9 내지 도 13에 도시한 서로 상이한 모양이다. 이러한 서로 상이한 형상의 기판을 사용함으로써, 면 광원, 스트립형 광원, 단독 장치와 같은 서로 상이한 파워 LED 제품을 생산 가공하는 공정 요구를 만족시킬 수 있어, 가공 생산 효율을 향상시키고, 생산 원가를 저하시킨다.
카운터 보어를 형성하는 단계(S112) : 파워 LED 제품의 제조 요구에 따라, 선로 기판(1)의 서로 다른 위치에 카운터 보어(2)를 설치할 수 있다.
도 2a, 도 2b에 도시된 바와 같이 단계 S112에서 상기 카운터 보어(2)는 사이즈가 서로 다른 두개의 홀이 조합 연통된 구조이다. 작은 홀(2a)은 드릴링(drilling) 또는 펀칭(punching) 방식으로 선로 기판(1)에 형성된 스루 홀(通孔)이고, 큰 홀(2b)은 밀링(milling) 가공 또는 드릴링 방식으로 선로 기판(1)에 형성된 블라인드 홀(blind hole)인 것이 바람직하다. 상기 카운터 보어(2)의 제조 방법은 먼저 스루 홀(2a)을 형성한 다음 블라인드 홀(2b)을 형성할 수 있고, 먼저 블라인드 홀(2b)을 형성한 후 다시 스루 홀(2a)을 형성할 수 있으며, 스루 홀(2a)과 블라인드 홀(2b)은 동일한 축 방향을 가진다. 상기 스루 홀(2a)과 블라인드 홀(2b)은 도 2f에 표시된 바와 같이 동일한 축일 수도 있고 도 3a에 표시된 바와 같이 동일한 축이 아닐 수도 있다. 상기 스루 홀과 상기 블라인드 홀의 횡단면은 임의의 다변형일 수 있으며, 상기 스루 홀(2a)의 횡단면이 원형 또는 정방형이고, 블라인드 홀(2b)의 횡단면이 원형인 것이 바람직하다.
이러한 카운터 보어의 가공 공정이 간단하고, 형성된 카운터 보어의 일치성이 우수하며, 선로 기판(1)의 재료 선택으로 인하여, 파워 LED 제품의 요구에 따라 서로 다른 형상의 선로 기판(1) 상에 서로 다른 위치와 수량의 카운터 보어를 가공할 수 있어, 파워 LED의 방열 기판의 제조, 특히 하이 파워 LED의 방열 기판의 제조 공정이 매우 간단해지고, 서로 상이한 파워 LED 광원에 사용되는 방열 기판의 제조가 간편해진다.
금속 선로를 형성하는 단계(S113) : 상기 선로 기판(1)에 카운터 보어를 형성한 후, 카운터 보어(2)와 대응하는 위치에 금속 선로(3)를 형성하여, 파워 LED 제품의 전기적 연결을 실현한다. 금속 선로(3)는 내부 리드 연결부(3a)와 외부 리드 연결부(3b)로 구성되며, 내부 리드 연결부(3a)는 제품을 패키징한 후 패키징 콜로이드에 의해 피복되는 금속 선로 부분이고, 외부 리드 연결부(3b)는 제품을 패키징한 후 패키징 콜로이드의 외면에 노출된 금속 선로 부분이며, 일반적으로 제품의 전극으로 사용한다. 본 발명의 바람직한 기술수단은, 에칭 공정, 기계 가공, 레이저 가공 또는 프린팅 공정에 의해, 선로 기판(1)의 상부 표면에서 카운터 보어(2)의 주위와 대응하는 위치에 내부 리드 연결부(3a)의 금속 층을 형성하고, 카운터 보어(2)의 주위로부터 비교적 멀리 떨어진 위치에 필요에 따라 외부 리드 연결부(3b)의 금속층을 형성하여, 상기 내부 리드 연결부(3a)의 금속층과 외부 리드 연결부(3b)의 금속층으로 하여금 일체로 구성되고 파워 LED의 전기적 연결을 구현할 수 있는 금속 선로(3)를 형성하게 한다. 본 발명의 다른 일 바람직한 기술수단은, 에칭 공정, 기계 가공, 레이저 가공 또는 프린팅 공정에 의해, 선로 기판(1)의 상부 표면과 카운터 보어(2)의 주위에 대응하는 위치에 금속층 형성하여 내부 리드 연결부(3a) 를 구성하고, 카운터 보어(2) 주위에서 비교적 멀리 떨어진 선로 기판(1)의 상부 표면, 하부 표면에 외부 리드 연결부(3b)를 구성한 부분 금속층을 형성하여, 금속화 처리를 통해 상기 금속층 사이의 선로 기판(1)의 측면에 상기 금속층과 연결된 금속층을 형성하고, 상기 금속층은 공동으로 외부 리드 연결부(3b)를 구성한다. 상기 내부 리드 연결부(3a)와 외부 리드 연결부(3b)는 도 2a와 도 2b에 도시된 바와 같이 일체로 구성되고 제품의 전기적 연결을 실현한 금속 선로(3)를 구성한다. 상기 금속 선로(3)의 배치에 의해 제품의 전극이 그 선로 기판(1)의 저부(하부 표면)까지 연장되므로 그 제품은 특히 대량 생산하는 표면 마운트형 장착에 사용하기 적합하다. 바람직하게는 금속 선로(3)의 배치 방식은 생산하려는 파워 LED 제품의 전기적 성능의 요구에 따라 유연하게 배치할 수 있어 제품의 전기적 연결을 실현할 수 있다. 도 9와 도 12a에 도시된 바와 같이, 직렬, 병렬 또는 직력-병렬등 전기적 연결 관계를 포함한다.
히트 싱크를 제조하는 단계(S12): 히트 싱크를 성형하는 단계(S121); 애싱 및 세척하는 단계(S122); 금속 도금 단계(S123)를 포함한다.
히트 싱크를 성형하는 단계(S121)는 열전도성 재료를 사용하여 히트 싱크(4)를 제작한다. 자동, 황동, 알루미늄, 알루미늄합금 등 우수한 열전도성과 연성을 구비한 금속 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
그리고, 재료의 특성에 따라 가압 성형, 금속 주조, 터닝-밀링(turning-milling)의 방식으로 히트 싱크의 가공 성형을 진행하는 것이 바람직하다. 상기 히트 싱크(4)는 상부 계단(4a)과 하부 계단(4b)으로 구성된 사다리 실린더형의 일체 구조로 가공성형된다. 그 모양과 크기는 상기 선로 기판(1)의 카운터 보어(2)의 구조와 대응 매칭되어, 히트 싱크(4)를 카운터 보어(2) 내에 장착시켜 견고한 결합을 형성한다. 바람직하게는 도 2f에 도시한 바와 같이, 상기 히트 싱크의 상부 계단(4a)의 직경은 상기 스루 홀(2a)의 직경과 근접하고, 하부 계단(4b)의 직경은 상기 블라인드 홀(2b)의 직경과 근접하고 상기 상부 계단(4a)과 상부 계단(4b)의 축 방향은 동일하며, 동일한 축일 수도 있고(도 2f) 동일한 축이 아닐 수도 있고(도 3a), 도 2f에 표시된 바와 같이, 선로 기판(1)의 상부 및 하부 표면에 수직되며, 하부 계단(4b)의 높이가 블라인드 홀(2b)의 깊이보다 크거나 또는 이와 동일하다. 도 2f 및 도 3b에 표시된 바와 같이, 상기 히트 싱크(4)의 상부 계단(4a)의 높이가 스루 홀(2a)의 깊이보다 크거나 또는 이와 동일하다. 도 3b와 도 3c에 표시된 바와 같이, 상기 히트 싱크(4)의 상부 계단(4a)의 탑 부분은 하나의 평면 또는 아래로 오목한 반사컵인 것이 바람직하다. 도 3d에 표시된 바와 같이, 상기 히트 싱크(4)의 상부 계단(4a)의 탑 부분의 횡단면은 그 저부(底部)의 횡단면보다 실질적으로 작아 상부 계단(4a)이 추모양을 이루도록 하고, 상기 히트 싱크(4)의 하부 계단(4b)의 탑 부분 횡단면은 그 저부 횡단면보다 실질적으로 작아 하부 계단(4b)이 추모양을 이루도록 하여 히트 싱크(4)와 카운터 보어(2)가 견고하게 결합되도록 하는 것이 바람직하다. 상기 히트 싱크를 제작하므로 방열 기판의 히트 싱크의 하부 계단이 외부와 양호하게 접촉하게 되어 열량 방출이 쉬워진다. 히트 싱크의 상부 계단을 선로 기판(1) 및 그 탑 부분과 동일한 평면 또는 그보다 높게 디자인하여, 그 위에 장착된 LED의 출광 효과를 향상시키고 보장한다. 또한 히트 싱크의 계단식 구조가 선로 기판(1)의 카운터 보어와 결합 시 보다 용이하게 포지션되고 견고하게 결합할 수 있다.
본 공정은 필요에 따라 히트 싱크를 서로 다른 사다리 계단 모양으로 용이하게 가공할 수 있고, 공정이 간단하고, 가공된 히트 싱크의 정밀도가 높으며, 일치성이 좋다. 또한 히트 싱크(4)와 선로 기판(1)의 카운터 보어(2)의 견고한 결합을 쉽게 형성할 수 있어 방열 기판이 높은 신뢰도를 갖게 한다.
애싱 및 세척하는 단계(S122): 애싱 공정을 통해 상기 가공 성형된 히트 싱크(4)를 애싱하고 세척한다. 애싱의 목적은 히트 싱크(4)의 표면을 매끄럽게 하고 후속의 금속 도금 효과를 향상시키기 위해서 이다. 애싱후의 히트 싱크(4)는 광반사면을 갖고 있어, 후속의 금속 도금 공정과 결합하여, 금속 도금 효과를 한층 향상시킨다.
금속 도금 단계(S123)：세척된 히트 싱크(4)에 금속 도금을 진행한다. 금속 도금의 목적 중 하나는 칩이 히트 싱크(4) 상에서의 용접성을 증가시키는 것이고, 다른 한 목적은 히트 싱크(4)의 표면에 거울면을 형성하여, 광반사 효과를 증가시킴으로써, LED 제품의 출광 효과를 증가시키는 것이다.
히트 싱크와 선로 기판(1)을 조립하는 단계(S13)：히트 싱크(4)를 카운터 보어(2)에 장착하여 견고하게 결합하여 파워 LED 방열 기판을 제조한다. 상기 히트 싱크(4)와 카운터 보어(2)는 과영 배합 방식(interference fitting) 또는 겔 부착 방식(bonding)으로 견고하게 결합하는 것이 바람직하다.
본 발명의 카운터 보어(2)와 히트 싱크(4)의 구조적 설계로 인하여, 히트 싱크(4)의 조립이 용이하고, 히트 싱크(4)와 카운터 보어(2)의 결합이 아주 쉽고 견고할 뿐만 아니라 느슨하거나 또는 이탈되지 않아 종래기술의 파워 LED 방열 기판에 존재하고 있는 공정이 복잡하고, 원가가 높고, 제품의 신뢰도가 낮고, 방열 효과가 좋지 않고, 제품의 출광성이 좋지않은 문제를 해결하였다.
본 발명에 따른 상기 공정은 종래의 파워 LED 방열 기판의 생산 공정을 간소화하였으며, 특히 종래의 하이 파워 LED 방열 기판의 제조 공정을 크게 간소화하여 파워 LED 방열 기판의 가공 원가를 낮추고, 제품의 방열 효과와 출광성을 향상시켜 가공 제품의 고품질, 높은 신뢰도 및 수율을 보장하였다.
상기 파워 LED 방열 기판의 제조 방법을 통해 서로 다른 형상의 파워 LED 방열 기판을 생산할 수 있고, 필요에 따라 카운터 보어(2), 금속 선로(3)를 파워 LED 기판 위에 배치하여, 파워 LED 면 광원으로 사용하기 적합하다. 예를 들면, 장방형, 정방형, 삼각형, 다변형, 원형, 환형, 타원형, S형, U형, 스트립형, 릉형, Z형, 하트형의 형상 등이거나 또는 도 12a에 도시한 바와 같이 상기 모양을 조합한 면 광원의 방열 기판이다. 또한 도 9에 도시된 바와 같이 스트립 광원 및 단독 제품의 방열 기판으로 사용하기 적합하다. 이러한 방열 기판은 그 응용범위가 넓어, 파워 LED 면 광원, 파워 LED 스트립 광원 및 단독 파워 LED 제품의 생산에 사용하기 적합하다.
따라서, 본 발명의 방법에 따른 선로 기판(1)이 사용하는 재료는 아주 가공하기 쉬운 재료이고, 또한 본 발명의 방법에 의해 제조된 방열 기판은 파워 LED의 방열과 전기 성능면의 요구를 잘 만족시킬 수 있다. 본 발명의 방법에서는 파워 LED 제품의 형상과 특성의 요구에 따라 선로 기판(1)의 형상을 쉽게 결정할 수 있고, 필요에 따라 선로 기판(1)에 카운터 보어(2)의 위치와 개수를 용이하게 배치할 수 있다. 또한 필요에 따라 선로 기판(1)에 금속 선로(3)를 설치하여, 직렬, 병렬 또는 직렬-병렬 등의 전기적 연결관계를 포함하는 파워 LED 제품에 필요하는 전기적 연결을 실현한다. 이렇게 함으로써 사용자 요구에 부합하는 파워 LED 면 광원, 스트립형 광원 또는 단독 장치의 파워 LED 방열 기판을 제조한다. 이러한 방법에 의해 제조된 방열 기판은 파워 LED 면 광원, 스트립형 광원, 단독 장치의 방열 기판의 구조가 복잡하고, 가공 난이도가 크고, 생산 원가가 높고, 방열 효과와 출광효과가 좋지 않은 문제점을 해결하였다.
[실시예 2]
아래, 도 4와 도 5, 및 도 9, 도 10을 결합하여 본 발명의 파워 LED용 방열 기판의 제조 방법의 제2 실시예를 상세히 설명한다.
본 실시예에 있어서, 단계(S4)는 실시예 1에 따른 방열 기판이 구비한 카운터 보어(2)와 히트 싱크(4)의 구조를 기본 단위 구조로 구성된 다수 개의 카운터 보어(2), 히트 싱크(4)로 구성된 방열 기판의 제조 방법으로서, 선로 기판 재료를 선택하고 가공하는 단계(S41); 히트 싱크를 제조하는 단계(S42); 선로 기판과 히트 싱크를 장착하는 단계를 포함하는데, 그 중, 선로 기판 재료의 선택과 가공, 히트 싱크의 제조 단계는 선후 순서에 관계없이 또는 동시에 진행할 수 있다.
단계(S41)의 선로 기판 재료의 선택과 가공 단계에는 선로 기판 재료를 선택하는 단계(S411); 카운터 보어를 가공 성형하는 단계(S412); 분할 홈 또는/및 분할 홀을 가공 성형하는 단계(S413); 금속 선로를 형성하는 단계(S414); 절단 포지션선을 형성하는 단계(S415)를 포함한다.
선로 기판 재료를 선택하는 단계(S411): 선택된 선로 기판(1)의 구조는 일체 구조로서, 단면, 양면 또는 다층 복합 선로판을 선택할 수 있으며, 양면 선로판을 선택하는 것이 바람직하다.
본 실시예에 있어서, 사용된 선로 기판(1) 재료가 갖는 특성, 바람직한 수단 및 기술 효과는 본 발명의 제1 실시예에 따른 선로 기판(1)의 재료와 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
카운터 보어를 가공 성형하는 단계(S412): 일체 구조를 가진 선로 기판(1) 상에 다수 개의 카운터 보어(2)로 구성된 어레이를 형성한다. 카운터 보어(2)는 선로 기판(1) 상에 축 방향이 동일하고 연통된 홀 직경이 큰 블라인드 홀(2b)과 홀 직경이 작은 스루 홀(2a)의 대소 홀의 조합을 형성한다. 블라인드 홀(2b)은 밀링 가공 또는 드릴링에 의해 형성되는 것이 바람직하다. 스루 홀(2a)은 드릴링 또는 펀칭 방식으로 형성된다. 상기 카운터 보어 어레이는 다수 개의 카운터 보어(2)로 구성된 M행×N열의 카운터 보어 어레이이며, 그 중 M, N는 1 또는 1보다 큰 정수이고, M, N는 적어도 동시에 1과 같지 않으며, 도 5에 표시된 바와 같이, 선로 기판(1)에는 모두 4행×5열의 카운터 보어(2) 어레이가 설치되어 있다.
분할 홈 또는/및 분할 홀을 가공 성형하는 단계(S413): 도 5a, 도 5b및 도 9에 표시된 바와 같이, 선로 기판(1)에 분할 홈(5a) 또는/및 분할 홀(5b)을 가공한다. 바람직한 기술수단으로, 분할 홈(5a) 또는/및 분할 홀(5b)을 카운터 보어의 행 또는 카운터 보어의 열의 양측에 설치하고, 또 다른 바람직한 기술수단으로, 상기 각 카운터 보어 행 중의 각 카운터 보어 또는 각 카운터 보어 열 중의 각 카운터 보어의 측변에 하나 이상의 분할 홈(5a) 또는/및 분할 홀(5b)이 대응되고, 상기 분할 홈(5a) 또는/및 분할 홀(5b)은 모두 M+1개 또는 N+1개로 배열 설치된다. 이러한 설치는 스트립 광원 또는 단독 장치의 제조에 사용하기 적합하다. 배열된 분할 홈(5a) 또는/및 분할 홀(5b)은 카운터 보어의 열 또는 카운터 보어의 행에서 대응하는 카운터 보어와 등간격인 것이 바람직하다. 또 하나의 바람직한 기술수단으로, 도 9, 도 10에 표시된 바와 같이, 분할 홈(5a) 또는/및 분할 홀(5b)을 카운터 보어의 행 또는 카운터 보어의 열의 단부에 설치한다. 이렇게 할 경우 면 광원 또는 스트립 광원의 제조에 사용하기 적합하다. 면 광원과 스트립 광원을 제조하는 다른 하나의 바람직한 기술수단은 분할 홈(5a) 또는/및 분할 홀(5b)을 설치하지 않아도 된다.
형성된 분할 홈(5a) 또는/및 분할 홀(5b)은 펀칭 또는 홈 밀링(milling of groove) 방식으로 선로 기판(1)에 형성되는 것이 바람직하다. 도 5a에 표시된 바와 같은 바람직한 기술수단에 있어서, 설치된 분할 홈은 각 카운터 보어의 열을 관통하는 관통 홈(5)이고, 각 카운터 보어 행 사이의 중간 위치에 위치하고 모두 5개의 홈(5)을 포함한다. 도 5b에 표시된 바와 같이, 다른 한 바람직한 기술수단에 있어서, 각 카운터 보어 행의 측변에 형성된 분할 홀(5b)을 배열하기 위하여 표시된 각 카운터 보어 행 중의 카운터 보어의 측변은 하나 이상의 홀(5b)과 대응한다.
금속 선로를 형성하는 단계(S414): 선로 기판(1)에 금속 선로(3)를 형성하여 제품의 전기적 연결을 실현한다. 금속 선로(3)는 내부 리드 연결부(3a)와 외부 리드 연결부 (3b)로 이루어지고, 내부 리드 연결부(3a)는 제품을 패키징한 후 패키징 콜로이드(9)에 의해 피복된 금속 선로 부분이고, 외부 리드 연결부(3b)는 제품을 패키징한 후 패키징 콜로이드(9)의 외면에 노출된 금속 선로(3) 부분이다. 에칭 공정, 기계 가공, 레이저 가공 또는 프린팅 공정 및 금속화 공정에 의해 금속 선로(3)를 형성하는 것이 바람직하다.
바람직한 기술수단으로서, 에칭 공정에 의해 선로 기판(1) 상의 카운터 보어(2) 주위의 대응 위치에 내부 리드 연결부(3a)의 금속 층을 형성하고, 상기 내부 리드 연결부(3a)의 금속층은 제품의 필요에 따라 배치하여, LED 칩(7)의 직렬, 병렬, 직렬-병렬 등의 전기적 연결관계를 실현한다. 또한 카운터 보어(2) 주위에서 비교적 멀리 떨어진 위치에 필요에 따라 외부 리드 연결부(3b)의 금속층을 배치하여, 상기 내부 리드 연결부(3a)의 금속층과 외부 리드 연결부(3b)의 금속 층으로 하여금 일체를 이루고 파워 LED 전기적 연결을 실현할 수 있는 금속 선로(3)를 구성한다.
바람직한 기술수단으로, 선로 기판(1)의 상부 표면에서 카운터 보어(2)와 대응되는 위치에 에칭 공정, 기계 가공, 레이저 가공 또는 프린팅 공정을 통하여 내부 리드 연결부(3a)의 금속층을 형성하고, 분할 홈(5a) 또는/및 분할 홀(5b)에 따라 선로 기판(1)의 상부 표면, 하부 표면에 에칭 공정, 기계 가공, 레이저 가공 또는 프린팅 공정을 통하여 외부 리드 연결부(3b)를 구성한 부분 금속층을 형성하고, 상기 분할 홈(5a) 또는/및 분할 홀(5b)의 측벽에 금속화 처리 공정을 통해 금속층을 형성하여 상기 선로 기판(1)의 분할 홈(5a) 또는/및 분할 홀(5b) 양측의 상부 표면, 하부 표면의 금속층과 연결하며, 상기 분할 홈(5a) 또는/및 분할 홀(5b) 양측의 상부 표면, 하부 표면과 분할 홈 측벽의 서로 연통된 금속층은 공동으로 외부 리드 연결부(3b)를 구성한다. 상기 내부 리드 연결부(3a)의 금속층과 상기 외부 리드 연결부(3b)의 금속층은 제품의 전기적 연결을 실현하는 금속 선로(3)를 구성한다.
설명하여야 할 것은, 면 광원, 스트립 광원을 제조할 때와 같은 특정 경우에, 면 광원, 스트립 광원의 전원 입력단과 수출단은 그 양단에 설치될 수 있으므로 카운터 보어(2) 주위로부터 비교적 멀리 떨어진 위치와 대응하는 선로 기판(1)의 상부 표면, 하부 표면 및 측면에 금속층을 형성하여 외부 리드 연결부(3b)로 하기만 하면 되며, 상기 내부 리드 연결부(3a)과 일체를 이루고 면 광원 또는 스트립 광원의 전기적 연결을 실현하는 금속 선로(3)를 구성할 수 있기만 하면 된다. 이런 경우에, 분할 홈(5a) 또는/및 분할 홀(5b) 양측의 선로 기판(1)의 하부 표면 및 분할 홈(5a) 또는/및 분할 홀(5b)의 내측벽에 금속 선로(3)를 형성할 필요가 없으며, 분할 홈(5a) 또는/및 분할 홀(5b)도 설치할 필요가 없다.
절단 포지션선을 형성하는 단계(S415): 선로 기판(1)의 단부에 절단 포지션선(6)을 형성한다. 상기 절단 포지션선(6)은 에칭 공정, 기계 가공, 레이저 가공 또는 프린팅 방식으로 선로 기판(1)에 형성하는 것이 바람직하다. 스트립 광원 또는 단독 장치의 제조에 사용되는 방열 기판(1)에 있어서, 절단 포지션선(6)은 다수 개인 것이 바람직하고, 각 카운터 보어 행 또는/및 카운터 보어 열 양단에 위치하고 각 카운터 보어 행 또는/및 카운터 보어 열의 측변에 대응하며, 모두 N+1개 또는/와 M+1개로서, 각 카운터 보어 열 사이 또는/및 각 카운터 보어 행 사이의 중간 위치와 대응하는 것이 바람직하다. 도 5a에 표시된 바와 같이, 선로 기판(1) 상의 카운터 보어의 열과 대응하는 단부에 6개 절단 포지션선(6)을 설치한다. 예를 들면, 도 5b에 표시된 선로 기판(1)상에는, 모두 5개의 절단 포지션선(6a)이 카운터 보어 행의 단부에 설치되고, 모두 6개의 절단 포지션선(6b)이 카운터 보어 열의 단부에 설치된다. 만약 제품 패키징한 후 절단 포지션선(6)에 따라 절단하면, N 또는 M개의 스트립 광원으로 분할하거나 또는 N×M개의 단독 장치로 분할할 수 있다. 예를 들면, 도 5a를 4개의 스트립 광원으로 분할하거나, 또는 4×5개의 단독 장치로 분할할 수 있다.
히트 싱크를 제조하는 단계(S42)는 히트 싱크를 성형하는 단계(S421): 애싱 및 세척하는 단계(S422); 금속 도금하는 단계(S423)를 포함한다.
히트 싱크를 성형하는 단계(S421): 양호한 열전도성을 구비한 재료를 사용하여 히트 싱크(4)를 제작한다. 양호한 열전도성과 연성을 갖는 금속 히트 싱크 재료를 사용할 수 있다. 예를 들어, 자동, 황동, 알루미늄, 또는 알루미늄 합금 중 하나를 선택할 수 있다. 가압 성형, 금속 주조 또는 터닝-밀링방식으로 히트 싱크의 가공 성형을 진행하는 것이 바람직하다.
상기 히트 싱크(4)를 상부 계단과 하부 계단으로 구성된 사다리 실린더형 일체 구조로 가공 성형하여, 상기 선로 기판(1)의 카운터 보어(2)구조와 매칭되게 하여 카운터 보어(2)에 장착하여 견고한 결합을 형성한다.
애싱 및 세척하는 단계(S422): 애싱 공정에 의해 가공 성형된 히트 싱크(4)를 애싱 처리하고, 세척한다.
금속 도금하는 단계(S423): 바로 전 단계의 히트 싱크(4)에 대해 금속 도금한다. 금속 도금은 칩 (7)이 히트 싱크(4) 상에서의 용접성을 증가시키는 목적이 있으며, 또 다른 목적은, 히트 싱크(4)의 표면에 거울면을 형성하여, 광반사 효과를 증가시켜, LED 제품의 출광 효과를 증가시키는 것이다.
히트 싱크와 선로 기판(1)을 조립하는 단계(S43): 매개 카운터 보어(2) 중에 히트 싱크(4)를 하나씩 넣어 M×N개를 형성하며, 히트 싱크(4)와 카운터 보어(2)는 견고하게 결합하여 파워 LED 방열 기판을 제조한다. 바람직하게는 상기 히트 싱크(4)와 카운터 보어(2)는 과영 배합의 방식으로 견고하게 결합하거나, 또는 겔 부착의 방식으로 견고한 결합을 이룬다. 도 5에 표시된 바와 같이, 선로 기판(1)에 총 4×5개의 카운터 보어(2)에 히트 싱크(4)가 장착되어 있다.
상기 방법은 파워 LED 면 광원, 스트립 광원과 단독 LED 장치의 방열 기판을 제조하는데 사용하기 적합하며, 특히 양호한 방열 효과를 갖는 파워 LED 면 광원, 스트립 광원과 단독 LED 장치의 방열 기판 제조에 사용하기 적합하다.
[실시예 3]
실시예 3은 상기 실시예 1, 실시예 2에 따른 방열 기판을 기초로 한 파워 LED 제품의 제조 방법에 관한 제1 실시예이다. 아래, 도 6과 도 7, 및 도 9, 도 10, 도 11, 도 12, 도 13을 결합하여 본 실시예에 대해 더욱 상세히 설명한다.
본 실시예는 상기 방열 기판에 의한 파워 LED의 제조 방법을 공개하였으며 이는 특히 온도가 260℃ 보다 낮은 저온 다이 본딩에 사용하기 적합하다. 상기 방법은 구체적으로, 기판 재료를 선택 가공하고 히트 싱크를 제조하는 단계(S601); 히트 싱크를 장착하는 단계(S602); 칩 다이 본딩 단계(S603); 금선 본딩 단계(S604); 패키징 겔 몰드의 패키징 성형 단계(S605); 2차 경화 단계(S606); 장치 분리 단계(S607); 및 테스팅과 테이핑 단계(S608)를 포함한다.
단계 S601에서 기판 재료를 선택 가공하고, 히트 싱크의 제조를 진행한다. 선로 기판(1)과 히트 싱크(4)의 제조는 본 발명의 상기 실시예 1, 실시예 2 중의 방열 기판을 제조하는 방법과 동일한 방법을 사용하므로 여기서 상세한 설명은 생략한다.
단계 S602의 히트 싱크 장착에서, 히트 싱크(4)를 선로 기판(1)의 카운터 보어(2) 내에 장착하고, 과영(過盈) 배합의 방식으로 또는 겔 부착의 방식으로 견고하게 결합한다.
단계 S603의 칩 다이 본딩에서, 단계 S602의 가공 공정을 진행하여 제조된 방열 기판 위에 칩(7)을 상기 히트 싱크(4)에 부착시킨다. 바람직한 한 예로, 다이 본딩 겔, 실버 페이스트 또는 저온 솔더 등으로 저온 다이 보딩 방법으로 본딩한다. 저온 다이 본딩 방식은 통상적으로 260℃ 온도보다 낮은 범위에서 진행한다. 또한, 파워 LED 제품의 설계 요구에 따라, 히트 싱크(4) 상에 하나 또는 다수 개의 칩(7)을 본딩한다.
단계 S604의 금선 본딩에서, 리드(8)는 상기 칩 (7)의 전극과 선로 기판(1)상의 내부 리드 연결부(3a)에 연결된다. 히트 싱크(4) 상에 다수 개 칩(7)을 본딩한 경우, 필요에 따라 금속 선로(3)의 배치를 통하여 칩(7) 사이의 직렬, 병렬, 직렬-병렬 등을 포함하는 전기적 연결을 실현할 수 있다.
단계 S605의 패키징 겔 몰드의 패키징 성형은 구체적으로, 콜로이드 주입 단계(S6051), 응고 단계(S6052）와 몰드 이탈 단계(S6053)를 포함한다. S6051의 콜로이드 주입 단계에서, 열 온정성이 좋고, 단파장 감쇠를 막는 액상 패키징 콜로이드를 한번에 플라스틱 패키징 몰드와 선로 기판(1) 사이의 틈새에 주입하고, S6052의 응고 단계에서는, 몰드와 선로 기판(1) 간의 액상 패키징 콜로이드(9)를 응고하고, S6053 단계에서는 응고된 몰드와 기판을 분리하여, 패키징 콜로이드(9)를 몰드로부터 이탈하여 선로 기판(1)에 고정시키고, 패키징 성형을 한번에 완성한다. 즉 한번에 선로 기판(1)상에 1개 또는 다수 개의 파워 LED 면 광원, 스트립 광원, 또는 다수 개 단독 파워 LED 장치를 패키징한다.
통상적으로, 본 발명의 방법에 따른 제품 패키징에 있어서, 전체 선로 기판(1)이 감당해야 할 몰딩 클램핑 압력은 0 ~ 6MPa이고, 사출 압력은 5MPa ~ 50MPa이며, 몰딩 클램핑 과정에서 지속되는 고온 범위는 60℃ ~ 220℃이고, 지속 시간은 30분 이하이다. 여기서 몰딩 과정의 온도가 100℃ ~ 180℃, 지속 시간이 5분 ~ 15분인 것이 바람직하다.
도 7a와 도 7b, 도 10, 도 11, 도 12, 도 13에 표시된 바와 같이, 패키징 콜로이드(9)는 칩(7)이 장착된 선로 기판(1)의 일면을 덮는데, 금속 선로(3)의 내부 리드 연결부(3a)를 덮으나 금속 선로(3)의 외부 리드 연결부(3b)를 덮지 않는다. 상기 패키징 콜로이드(9)는 칩(7), 금선(8)등이 외부 습기, 공기와 접촉하는 것을 격리하는 작용을 함과 동시에, 장치의 광학 렌즈로도 사용가능하다. 상기 패키징 콜로이드는 열 온정성이 좋고, 단파장 감쇠를 막는 재료를 사용하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 실리콘, 실리콘을 기초로 한 변성 재료, 에폭시 수지를 기초로 한 변성 재료 등을 사용한다. 또 바람직한 것은 도 7, 도 10, 도 11, 도 12, 도 13에 표시된 바와 같이, 파워 LED 제품의 출광 특성에 대한 요구에 근거하여, 상기 장치의 광학 렌즈는 볼록 렌즈, 오목 렌즈 또는 곡면 조합의 렌즈가 될 수 있다.
단계 S606의 2차 경화에서, 상기 패키징 콜로이드(9)의 몰딩 성형 후의 파워 LED를 오븐에 넣고, 패키징 콜로이드(9)를 경화시킴으로써 상기 콜로이드(9)가 상기 선로 기판(1)상에 덮히게 한다. 패키징 콜로이드(9)의 재질에 따라 경화의 온도와 시간이 결정되는데, 통상적으로 경화 베이킹하는 온도는 150±20℃이고, 베이킹 시간은 2.5 ~ 3.5시간이다.
단계 S607의 장치 분리에서, 스크라이버(Scriber)를 이용하여 상기 선로 기판(1)을 절단하여 파워 LED 제품을 분리한다. 실시예2에 따른 방열 기판에 대하여, 스크라이버로 상기 절단 포지션선(6)에 따라 상기 선로 기판(1)을 절단하여, 다수 개의 스트립 파워 LED 제품 또는 M×N개의 단독 파워 LED 장치를 분리한다. 설명하여야 할 것은, 면 광원에 대하여 절단할 수도 있고, 절단하지 않을 수도 있는데, 만약 선로 기판(1)에 다수 개의 면 광원 유닛이 있을 경우 절단해야 한다. 그렇지 않을 경우 절단하지 않아도 된다.
단계 S608의 테스트 선별과 테이핑에서, 테스트 선별기를 이용하여 분리된 상기 파워 LED 제품을 테스트하고 분류하고, 또한 테이핑기를 사용하여 테이핑 포장한다.
[실시예 4]
실시예 4는 실시예 1, 실시예 2에 따른 방열 기판의 파워 LED 제품의 제조 방법의 제2 바람직한 실시예이고, 도 7, 도 8, 도 9, 도 10, 도 11, 도 12, 도 13을 결합하여 본 실시예를 더욱 상세하게 설명한다.
본 실시예는 본 발명에 따른 방열 기판을 기초한 파워 LED 제조 방법을 공개하였으며 이는 특히 온도가 260℃보다 높은 고온 다이 본딩에 사용하기 적합하다. 이 방법은, 기판 가공과 히트 싱크를 제조하는 단계(S801), 칩 다이 본딩 단계(802), 히트 싱크를 장착하는 단계(S803), 금선 본딩 단계(S804), 패키징 콜로이드 몰드 패키징 성형 단계(S805), 2차 경화(S806), 장치 분리(S807), 및 테스트와 테이핑 단계(S808)를 포함한다.
단계 S801의 기판 재료를 선택가공하고, 히트 싱크의 제조에서, 선로 기판(1)의 재료 선택과 가공, 히트 싱크 제조는 상기 실시예 1, 실시예 2에 따른 방열 기판을 제조하는 방법과 동일하여, 여기서 중복 설명하지 않는다.
단계 S802의 칩 다이 보딩에서, 히트 싱크(4)를 제조한 후, 우선 칩(7)을 히트 싱크(4)에 부착시킨다. 파워 LED 제품의 설계요구에 따라, 히트 싱크(4)에 1개 또는 다수 개의 칩(7)을 본딩시킬 수 있다. 바람직한 공정은, 고주파 용접, 리플로, 공정(Eutectic) 또는 AnSn의 고온 다이 본딩 방식으로 부착하는데, 고온 다이 본딩 방식은 통상적으로 260℃보다 높은 온도 범위에서 진행한다.
단계 S803의 히트 싱크 장착 단계에서, 디이 본딩 단계를 진행한 후, 칩(7)이 장착된 히트 싱크(4)를 과영 배합 또는 부착 방식으로 상기 기판(1)의 카운터 보어(2) 내에 장착하여 견고하게 결합한다.
단계 S804의 금선 본딩에서, 리드 (8)은 상기 칩 (7)의 전극과 선로 기판(1)상의 내부 리드 연결부(3a)를 연결한다. 설명하여야 할 것은, 히트 싱크(4) 상에 다수 개의 칩(7)이 정착되어 있는 경우, 필요에 따라 금속 선로(3)에 대한 배치를 통하여, 칩(7) 사이의 직렬, 병렬, 직렬-병렬 등 전기적 연결을 실현한다.
단계 S805의 패키징 콜로이드 몰딩 패키징 성형은 구체적으로 콜로이드 주입단계(S8051), 응고화 단계(S8052)와 몰드 이탈 단계(S8053)를 포함한다. S8051 단계는 열 온정성이 좋고, 단파장 감쇠를 막는 액상 패키징 콜로이드(9)를 한번에 플라스틱 패키징 몰드와 선로 기판(1) 사이의 틈새에 주입하고, S8052 단계는 몰드와 선로 기판(1) 사이의 액상 패키징 콜로이드(9)에 대해 응고하며, S8053 단계는 응고된 몰드와 선로 기판(1)을 분리하여, 패키징 콜로이드(9)를 몰드로부터 이탈시켜 선로 기판(1)에 정착하여 패키징 성형을 한번에 완성함으로써, 한번에 선로 기판(1)에 1개 또는 다수 개의 파워 LED면 광원, 파워 스트립 광원, 또는 다수 개의 단독 파워 LED 장치의 구조를 패키징한다.
통상적으로, 본 발명의 방법에 따른 제품 패키징에서, 전체 선로 기판(1)이 감당하는 몰딩 클램핑 압력은 0 ~ 6MPa, 사출 압력은 5MPa ~ 50MPa이고, 몰딩 과정에 지속되는 고온 범위는 60℃ ~ 220℃이고, 몰딩 과정에서의 지속되는 시간은 30분을 초과하지 않으며, 몰딩 과정의 온도가 100℃ ~ 180℃이고, 지속적인 시간이 5분 ~ 15분인 것이 바람직하다.
도 7a와 도 7b, 도 10, 도 11, 도 12, 도 13에 표시된 바와 같이, 패키징 콜로이드(9)는 칩(7)이 장착된 선로 기판(1)의 일면을 덮는데, 금속 선로(3)의 내부 리드 연결부(3a)를 덮으나 금속 선로(3)의 외부 리드 연결부(3b)를 덮지 않는다. 상기 패키징 콜로이드(9)는 칩(7), 금선(8) 등이 외부 습기, 공기와 접촉하는 것을 격리하는 작용을 함과 동시에, 장치의 광학 렌즈로도 사용가능하다. 상기 패키징 콜로이드(9)는 열 온정성이 좋고, 단파장 감쇠를 막는 재료를 사용하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 실리콘, 실리콘을 기초로 한 변성 재료, 에폭시 수지를 기초로 한 변성 재료 등을 사용한다. 또 바람직한 것은 파워 LED 제품의 출광 특성에 대한 요구에 근거하여, 상기 장치의 광학 렌즈는 볼록 렌즈, 오목 렌즈 또는 곡면 조합의 렌즈가 될 수 있다.
단계 S806의 2차 경화에서, 상기 패키징 콜로이드(9)의 몰딩 성형 후의 파워 LED를 오븐에 넣고, 패키징 콜로이드(9)를 2차 경화시킴으로써 상기 콜로이드(9)가 상기 선로 기판(1) 상에 덮히게 한다.
패키징 콜로이드(9)의 재질에 따라 경화의 온도와 시간이 결정되는데, 통상적으로 경화 베이킹하는 온도는 150±20℃이고, 베이킹 시간은 2.5시간 ~ 3.5시간이다.
단계 S807의 장치 분리에서, 스크라이버(Scriber)를 이용하여 상기 선로 기판(1)을 절단하여 파워 LED 제품을 분리한다. 실시예 2에 따른 방열 기판에 대하여, 스크라이버로 상기 절단 포지션선(6)에 따라 상기 선로 기판(1)을 절단하여, 다수 개의 스트립 파워 LED 제품을 분리한다. 도 10과 도 11에 도시한 바와 같이, 4개 파워 LED 제품을 분리할 수 있다. 가장 많게는 M×N개의 단독 파워 LED 장치를 분리할 수 있다. 도 7c에 도시한 바와 같이, 만약 각 절단 선(6)에 따라 절단하면, 방열 기판상에 패키징 된 파워 LED를 M×N개의 단독 파워 LED 장치로 분리할 수 있고, 만약 최 외측의 2개 절단 선(6)에 따라 절단하면, 4개의 스트립 파워 LED 제품을 분리할 수 있다. 설명하여야 할 것은, 면 광원에 대하여 절단할 수도 있고, 절단하지 않을 수도 있는데, 만약 선로 기판(1)에 다수 개의 면 광원 유닛이 있을 경우 절단해야 한다. 그렇지 않을 경우 절단하지 않아도 된다.
단계 S808에서, 테스트 선별기를 이용하여 분리된 상기 파워 LED 제품을 테스트하고 분류하고, 또한 테이핑기를 사용하여 테이핑 포장한다.
본 발명의 실시예 3과 실시예 4의 방법에 의해, 각종 파워 LED 제품, 예를 들어 면 광원, 스트립 광원, 단독 장치를 제조할 수 있다.
본 발명의 상기 면 광원은 서로 다른 형상이 될 수 있으며, 도 10, 도 12와 도 13에 표시된 바와 같이, 예를 들면, 장방형, 정방형, 삼각형, 다변형, 원형, 환형, 타원형, S형, U형, 스트립형, 릉형, Z형, 하트형의 모양, 또는 이러한 모양의 조합을 포함한다. 본 발명의 상기 파워 LED 제품의 스트립 광원은 도 11에 표시된 바와 같고, 본 발명의 상기 파워 LED 제품의 단독 장치는 도 7c에 표시된 바와 같다.
본 발명의 상기 파워 LED 제품의 면 광원, 스트립 광원 또는 단독 장치에 의하면, 그 방열 기판상의 카운터 보어(2) 위치와 수량의 설치는 파워 LED 제품의 수요에 따라 배치할 수 있어, 가공하기 쉽고, 그 히트 싱크(4) 상에는 파워 LED 제품의 필요에 따라 1개 또는 다수 개의 LED 칩(7)이 부착되어 있다. 금속 선로(3)의 배치는 파워 LED 제품의 전기 성능 요구에 따라 직렬, 병렬 또는 직렬-병렬 등 전기적 연결관계를 포함하는 LED의 전기적 연결을 실현할 수 있어, 금속 선로의 배치 및 제품의 전극 설치를 원활히 실현할 수 있으며, 제품의 장착이 간편하다. 패키징 콜로이드(9)는 파워 LED 제품의 출광 특성의 요구에 따라 LED 칩(7)과 부분 금속 선로(3)를 커버하는데, 1회 성형한 광학 렌즈로, 볼록 렌즈, 오목 렌즈 또는 곡면 조합 렌즈를 포함할 수 있어 제품의 출광 효과를 개선한다. 또한 본 발명의 제품 구조는 자동화 테스트와 테이핑 포장에 사용하기 적합하여, 표면 마운트 방식으로 장착할 수 있어, 보다 규모화 장착에 사용하기 적합하다.
따라서, 본 발명의 방법은 공정이 간단하여, 종래 기술의 파워 LED 생산의 공정을 대폭 간소화시키고 생산 원가를 낮추고 생산 효율을 향상시킨다. 또한 본 발명의 방법으로 제조된 파워 LED 제품은 신뢰도가 좋고, 제품 일치성, 출광 효과가 좋으며, 원가가 낮은 장점을 갖고 있다. 특히 규모화 생산과 응용에 사용하기 적합하므로 현재 파워 LED 제품에 대한 시장의 대량 수요를 만족시킬 수 있으며, 파워 LED 제품의 보급과 응용을 뒷받침하고 있다.
따라서, 상기의 본 발명은 여러가지 변형을 포함할 수 있으며, 이러한 변형은 본 발명의 정신과 범위를 벗어난 것은 아니다. 그러므로 본 발명에 대한 당업자의 현저한 변형은 모두 본 발명의 특허청구범위에 속한다.
1: 선로 기판(1) 2: 카운터 보어
2a: 스루 홀 2b: 블라인드 홀
3: 금속 선로 3a: 내부 리드 연결부
3b: 외부 리드 연결부
4: 히트 싱크
4a：상부 계단 4b: 하부 계단
5a: 분할 홈 5b: 분할 홀
6: 절단 포지션선 7: LED 칩
8: 리드 9: 패키징 콜로이드

Claims (37)

  1. a）일체 구조의 선로 기판을 사용하되, 상기 선로 기판 전체는 0 ~ 6MPa의 몰딩 클램핑 압력과 5MPa ~ 50MPa의 사출 압력에 견딜 수 있고, 몰딩 과정의 지속 시간이 30분을 초과하지 않고, 60℃ ~ 220℃의 고온 몰딩 온도에 견딜 수 있으며, 상기 선로 기판의 유리 전이 온도(glass transition temperature)는 적어도 120℃이고, 절단 후 PCB판 가장자리가 평활하고 작은 면적의 PCB 유닛으로 절단할 수 있는 전단 강도를 구비하고, 상기 선로 기판상에 축 방향이 동일하고 연통된 홀 직경이 작은 스루 홀과 홀 직경이 큰 블라인드 홀(blind hole)로 구성된 대소(大小) 홀의 조합을 포함하는 카운터 보어(counter bore)를 제작하고, 상기 선로 기판에 금속 선로를 형성하는 단계;
    b）열전도성 재료를 사용하여, 상부 계단과 하부 계단으로 구성되고 축 방향이 동일한 사다리 실린더형의 일체 구조를 갖는 히트 싱크(heat sink)를 제작하여, 상기 선로 기판의 카운터 보어의 형상, 크기와 대응 매칭되게 하는 단계; 및
    c）상기 히트 싱크를 상기 카운터 보어에 장착시켜 견고한 결합을 형성하는 단계
    를 포함하며,
    그 중 상기 단계 a)와 단계 b)는 순차적으로 진행할 수도 있고 동시에 진행할 수도 있는 파워 LED 방열 기판의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 단계 a)에서, 상기 선로 기판은 몰딩 과정의 지속 시간이 5분 ~ 15분이고 100℃ ~ 180℃의 고온 몰딩 온도에 견딜 수 있고, 상기 카운터 보어의 가공은 밀링 가공 또는 드릴링 방식으로 블라인드 홀을 형성하고, 드릴링 또는 펀칭 방식으로 스루 홀을 형성하며, 에칭 공정, 기계 가공, 레이저 가공, 또는 프린팅 공정 중 어느 하나에 의해 상기 금속 선로를 형성하고,
    상기 단계 b)에서, 가압 성형, 금속 주조, 터닝-밀링(turning-milling) 중 어느 하나의 방식으로 상기 히트 싱크의 가공 성형을 진행하고,
    상기 단계 c)에서, 과영 배합의 방식(interference fitting) 또는 겔 부착(bonding)의 방식으로 상기 히트 싱크를 상기 카운터 보어에 장착시켜 견고하게 결합하는 것을 특징으로 하는 파워 LED 방열 기판의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 단계 a)에서, 상기 선로 기판은 페이퍼 기판, 수지 파이버 글라스 기판 및 복합 기재 기판 재료 중의 하나이고, 형성된 상기 금속 선로는 내부 리드 연결부와 외부 리드 연결부를 포함하고,
    상기 단계 b)에서, 상기 히트 싱크의 가공 성형은 상기 히트 싱크에 대해 전기 도금하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 파워 LED 방열 기판의 제조 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 단계 a)에서, 사용한 선로 기판 재료는 특수성 수지 파이버 글라스 기판으로서, 상기 기판의 유리 전이 온도는 180℃ ~ 300℃, 유전 상수는 5.0 이하이고 물 흡수성은 0.4％ 이하이며, 유전 손각 tan는 0.005 ~ 0.03이며,
    상기 금속 선로의 형성은, 상기 카운터 보어의 주위의 선로 기판의 상부 표면에 내부 리드 연결부를 형성하고, 상기 카운터 보어의 주위에서 비교적 멀리 떨어진 선로 기판의 상부 표면, 하부 표면에 외부 리드 연결부를 구성하는 부분 금속층을 형성하고, 금속화 처리를 통하여 상기 부분 금속층 사이의 선로 기판 측면에 상기 부분 금속층과 연결된 금속층을 형성하여 공동으로 외부 리드 연결부를 구성하며, 내부 리드 연결부 금속층과 외부 리드 연결부 금속층은 제품의 전기적 연결을 실현하는 금속 선로를 구성하는 단계를 포함하고,
    상기 단계 b)에서, 상기 히트 싱크에 대한 가공 성형은 상기 히트 싱크에 대해 애싱, 세척, 전기 도금하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 파워 LED 방열 기판의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 단계 a)에서, 사용한 선로 기판의 재료는 폴리 이미드 수지, 시안네이트 수지, 비스마레 이미드 도리아진 수지, 열경화성 폴리페닐렌 옥사이드 수지 중의 1종이고,
    상기 단계 b)에서, 사용한 열전도 재료는 자동(紫銅), 황동(黃銅), 알루미늄, 또는 알루미늄 합금 중의 1종인 것을 특징으로 하는 파워 LED 방열 기판의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 단계 a)는, 상기 카운터 보어를 형성하는 스루 홀의 횡단면이 원형, 정방형 또는 다변형이고, 블라인드 홀의 횡단면이 원형인 것을 포함하고,
    상기 단계 b)는, 형성된 상기 히트 싱크의 상부 계단 높이는 스루 홀의 깊이와 같거나 이보다 크며, 하부 계단 높이는 블라인드 홀의 깊이와 같거나 이보다 크며, 상기 상부 계단과 하부 계단은 동일한 축에 있거나 또는 동일한 축에 있지 아닐 할 수 있으며, 상기 상부 계단의 탑 부분에 평면 또는 아래로 오목한 반사컵을 제작하고, 상기 상부 계단의 탑 부분의 횡단면은 그 저부(底部)의 횡단면보다 실질적으로 작아 상부 계단을 추모양으로 형성하며, 상기 히트 싱크의 하부 계단의 탑 부분의 횡단면은 그 저부의 횡단면보다 실질적으로 작아 하부 계단을 추모양으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 파워 LED 방열 기판의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 단계 a)에서, 사용되는 선로 기판은 장방형, 정방형, 삼각형, 다변형, 원형, 환형, 타원형, S형, U형, 스트립형, 릉(菱)형, Z형, 하트형, 또는 이러한 모양의 조합이고, 상기 기판의 모양에 따라 상기 선로 기판에 다수개의 카운터 보어를 제작하는 것을 특징으로 하는 파워 LED 방열 기판의 제조 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 단계 a)는 선로 기판에 다수개의 카운터 보어로 구성된 M행×N열의 어레이를 설치하고, 하나 이상의 카운터 보어의 행(行) 또는 카운터 보어의 열(列)의 측변에 하나 이상의 분할 홈 또는 분할 홀을 설치하는 단계를 포함하고,
    여기서 M, N은 1 또는 1보다 큰 정수이고, 적어도 동시에 1과 같지 않은 것을 특징으로 하는 파워 LED 방열 기판의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 단계 a)는 각 카운터 보어의 행 또는 각 카운터 보어의 열의 측변에 하나 이상의 분할 홈 또는/및 분할 홀을 설치하고, 각 카운터 보어의 행 중의 매개 카운터 보어 또는 각 카운터 보어의 열 중의 매개 카운터 보어의 측변에 하나 이상의 분할 홈 또는 분할 홀을 형성하고 선로 기판의 단부에 절단 포지션선을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파워 LED 방열 기판의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 단계 a)에서, 금속 선로를 형성하는 단계는 에칭 공정, 기계 가공, 레이저 가공 또는 프린팅 공정 중의 하나를 통해 카운터 보어의 주위의 선로 기판의 상부 표면에 내부 리드 연결부 금속층을 형성하고, 상기 분할 홈 또는/및 분할 홀에 따라 선로 기판의 상부 표면, 하부 표면에 외부 리드 연결부의 부분 금속층을 형성하고, 금속화 공정에 의해 상기 분할 홈 또는/및 분할 홀의 측벽에 선로 기판의 상부 표면, 하부 표면의 금속층과 연결된 금속층을 형성하고, 상기 금속층은 공동(共同)으로 외부 리드 연결부를 구성하며, 상기 외부 리드 연결부 금속층과 상기 내부 리드 연결부 금속층은 제품의 전기적 연결을 실현하는 금속 선로를 구성하는 단계를 포함하고,
    상기 분할 홈 또는/및 분할 홀을 제작하는 단계는 펀칭, 드릴링 또는 밀링 방식을 사용하는 것을 포함하고,
    상기 절단 포지션선을 형성하는 단계는, 에칭 공정, 기계 가공, 레이저 가공, 또는 프린팅 공정 중의 어느 하나에 의해 제작되며 절단 포지션선을 카운터 보어의 행 또는/및 카운터 보어의 열의 양단에 설치하되, 상기 카운터 보어의 행 또는/및 카운터 보어의 열의 측변에 대응하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 파워 LED 방열 기판의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 단계 a)에서, 설치된 상기 분할 홈 또는/및 분할 홀은 인접한 카운터 보어의 열 또는/및 카운터 보어의 행 중의 대응하는 카운터 보어와 동일 간격으로 배열 설치되고, 상기 절단 포지션선은 인접한 카운터 보어의 행 또는/및 카운터 보어의 열 사이의 중간 위치에 대응하여 설치되는 것을 특징으로 하는 파워 LED 방열 기판의 제조 방법.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 파워 LED 방열 기판의 제조 방법의 단계를 포함하는 선로 기판을 이용하여 파워 LED를 제조하는 방법에 있어서,
    1）단계 b)에서 LED 칩을 고온 다이 본딩 방법으로 히트 싱크에 부착하는 고온 다이 본딩 방식, 또는 단계 c)를 진행한 후 LED 칩을 저온 다이 본딩 방법으로 선로 기판의 히트 싱크에 부착하는 저온 다이 본딩 방식 중 하나로 LED 칩의 본딩을 진행하는 단계;
    2）단계 c)를 진행한 후 상기 LED 칩의 전극과 선로 기판상의 금속 선로를 리드 방식으로 연결하여 LED 칩과 선로 기판의 전기적 연결을 실현하는 리드 연결 단계;
    3) 열 온정성이 좋고 단파장 감쇠를 막는 패키징 콜로이드 재료를 사용하여 패키징 콜로이드 몰딩 패키징을 진행하고, 광학 렌즈를 형성하는 패키징 콜로이드 몰딩 패키징 성형 단계를 더 포함하고,
    상기 고온 다이 본딩 방법은 온도가 260℃보다 높으며, 고주파 용접, 리플로 용접, 공정(eutectic) 또는 AnSn의 고온 다이 본딩 방식으로 LED 칩을 히트 싱크에 부착시키고,
    상기 저온 다이 본딩 방법은 온도가 260℃보다 낮으며, 다이 본딩 겔(solidification glue), 실버 페이스트 또는 저온 솔더로 칩을 히트 싱크에 부착시키는 것을 특징으로 하는 파워 LED를 제조하는 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 리드 연결 단계는 상기 LED 칩의 전극과 선로 기판상의 내부 리드 연결부를 연결하고,
    상기 패키징 콜로이드 몰딩 패키징 성형 단계는, 3a) 액상 패키징 콜로이드를 플라스틱 패키징 몰드와 선로 기판 사이의 틈새에 한번에 주입하여 액상 패키징 콜로이드가 광학 렌즈를 형성하여 LED 칩이 장착된 선로 기판의 일면을 커버하게 하는 콜로이드를 주입하는 단계; 3b) 몰드와 기판 사이의 액상 패키징 콜로이드에 대해 응고하는 응고화 단계; 3c) 응고화가 끝난 후의 몰드와 선로 기판을 분리하여, 패키징 콜로이드를 몰드로부터 이탈시켜 선로 기판에 고정하는 몰드 이탈 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 파워 LED를 제조하는 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 패키징 콜로이드 몰딩 패키징은 패키징 콜로이드로 하여금 칩 및 그 방열 기판의 금속 선로 내부의 연결부를 덮고, 외부 리드 연결부를 덮지 않는 광학 렌즈를 형성하고,
    상기 패키징 콜로이드는 실리콘(silicone), 상기 실리콘을 기초로 한 변성 재료(silicone based material), 및 에폭시 수지를 기초로 한 변성 재료 중의 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 파워 LED를 제조하는 방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 패키징 콜로이드 몰딩 패키징 성형 과정에서의 온도는 60℃ ~ 220℃이고, 지속 시간은 30분을 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 파워 LED를 제조하는 방법.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 패키징 콜로이드 몰딩 패키징 성형 과정에서의 온도는 100℃ ~ 180℃이고, 지속 시간은 5분 ~ 15분인 것을 특징으로 하는 파워 LED를 제조하는 방법.
  17. 제13항에 있어서,
    패키징 콜로이드 몰딩 패키징 성형한 후, 패키징 콜로이드의 2차 경화 단계를 포함하며, 2차 경화 베이킹 온도는 150±20℃이고, 베이킹 시간은 2.5시간 ~ 3.5시간인 것을 특징으로 하는 파워 LED를 제조하는 방법.
  18. 제12항에 있어서,
    상기 패키징 콜로이드가 형성한 광학 렌즈는 볼록 렌즈, 오목 렌즈, 또는 곡면 조합 렌즈인 것을 특징으로 하는 파워 LED를 제조하는 방법.
  19. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 파워 LED 방열 기판의 제조 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 선로 기판.
  20. 제12항의 파워 LED를 제조하는 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 파워 LED 제품.
  21. 제20항의 파워 LED 제품을 포함하는 것을 특징으로 하는 광원.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 광원은 면 광원, 띠모양 광원, 또는 단독 장치 중의 1종인 것을 특징으로 하는 광원.
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8110445B2 (en) * 2009-05-06 2012-02-07 Infineon Technologies Ag High power ceramic on copper package
KR101125296B1 (ko) * 2009-10-21 2012-03-27 엘지이노텍 주식회사 라이트 유닛
AT12722U1 (de) * 2010-03-16 2012-10-15 Austria Tech & System Tech Verfahren und verbund zum bearbeiten bzw. behandeln einer mehrzahl von leiterplatten sowie verwendung hiefür
CN102451808B (zh) * 2010-10-18 2015-01-07 展晶科技(深圳)有限公司 荧光粉涂布方法
TWI446591B (zh) * 2011-05-03 2014-07-21 Subtron Technology Co Ltd 封裝載板及其製作方法
CN102612267A (zh) * 2012-03-06 2012-07-25 常熟金像电子有限公司 一种玻璃纤维板加工方法
EP2658000B1 (en) * 2012-03-13 2018-05-02 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Substrate, light-emitting device, and illumination device
JP5971333B2 (ja) * 2012-04-02 2016-08-17 富士電機株式会社 電力変換器
CN102647852B (zh) * 2012-05-02 2014-06-25 深圳崇达多层线路板有限公司 一种高散热印制线路板及其制作方法
CN102709265B (zh) * 2012-05-18 2015-01-07 苏州旭创科技有限公司 半导体光器件表面贴装封装结构及其封装方法
US20140015405A1 (en) * 2012-07-12 2014-01-16 Elementech International Co., Ltd. Light emitting diode module
CN102931332A (zh) * 2012-11-07 2013-02-13 苏州东山精密制造股份有限公司 一种基板型led的集成封装方法
WO2014136484A1 (ja) * 2013-03-07 2014-09-12 住友ベークライト株式会社 装置、接着剤用組成物、接着シート
US9470395B2 (en) 2013-03-15 2016-10-18 Abl Ip Holding Llc Optic for a light source
CA3015068C (en) 2013-05-10 2019-07-16 Abl Ip Holding Llc Silicone optics
CN103346239A (zh) * 2013-06-28 2013-10-09 苏州东山精密制造股份有限公司 Led基板的制作方法、led及其固晶方法
WO2015066069A1 (en) * 2013-10-28 2015-05-07 Next Lighting Corp. Linear lamp replacement
WO2016147539A1 (ja) * 2015-03-16 2016-09-22 セイコーエプソン株式会社 圧電素子の製造方法、圧電素子、圧電駆動装置、ロボット、およびポンプ
KR20180059610A (ko) 2016-11-25 2018-06-05 대덕전자 주식회사 회로배선판
CN107167020B (zh) * 2017-06-05 2023-08-11 深圳市鸿富诚新材料股份有限公司 一体式散热片的制造模具及制造方法
TWI659509B (zh) * 2017-12-19 2019-05-11 英屬開曼群島商鳳凰先驅股份有限公司 電子封裝件及其製法
CN109065524A (zh) * 2018-07-05 2018-12-21 代云生 Led模组、柔性灯丝、光源及led模组制造方法
CN108828841B (zh) * 2018-07-26 2021-01-15 武汉华星光电技术有限公司 Led背光装置及led显示装置
CN110839320A (zh) * 2019-11-21 2020-02-25 星河电路（福建）有限公司 沉头孔类pcb板的加工方法
CN113130730A (zh) * 2020-01-16 2021-07-16 深圳市聚飞光电股份有限公司 发光器件封装方法及发光器件
CN113375540B (zh) * 2021-05-17 2023-03-03 深圳市景旺电子股份有限公司 电路板、电路板盲孔测试模块及其测试方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101140972A (zh) 2007-10-15 2008-03-12 佛山市国星光电股份有限公司 功率发光二极管封装结构
CN101217142A (zh) 2007-12-27 2008-07-09 佛山市国星光电股份有限公司 一种条形led光源

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4152624A (en) * 1978-03-16 1979-05-01 Monsanto Company Molded LED indicator
DE4242842C2 (de) * 1992-02-14 1999-11-04 Sharp Kk Lichtemittierendes Bauelement zur Oberflächenmontage und Verfahren zu dessen Herstellung
TW521409B (en) * 2000-10-06 2003-02-21 Shing Chen Package of LED
JP2002319711A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP2006066519A (ja) * 2004-08-25 2006-03-09 Kyocera Corp 発光素子用配線基板ならびに発光装置
JP4915052B2 (ja) 2005-04-01 2012-04-11 パナソニック株式会社 Ｌｅｄ部品およびその製造方法
KR100641889B1 (ko) 2005-04-01 2006-11-06 박병재 발광다이오드 구조체
CN100481537C (zh) * 2005-10-21 2009-04-22 台宙晶体科技股份有限公司 二极管发光装置制造方法及其结构
US20080151562A1 (en) * 2005-11-02 2008-06-26 Hwa Su Fabrication structure for light emitting diode component
JP4882439B2 (ja) * 2006-01-13 2012-02-22 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP4856470B2 (ja) * 2006-05-18 2012-01-18 日本特殊陶業株式会社 配線基板
CN100485925C (zh) * 2006-07-07 2009-05-06 启萌科技有限公司 发光二极管模组
JP2008124195A (ja) * 2006-11-10 2008-05-29 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
CN101222007A (zh) * 2007-01-12 2008-07-16 泰硕电子股份有限公司 带散热装置的发光二极管(三)
TWI367573B (en) * 2007-01-31 2012-07-01 Young Lighting Technology Inc Light emitting diode package and manufacturing method thereof
CN101576212B (zh) * 2008-09-05 2012-07-18 佛山市国星光电股份有限公司 Led条形光源及其封装方法
CN201293226Y (zh) * 2008-10-29 2009-08-19 佛山市国星光电股份有限公司 Led条形光源
CN101583241B (zh) * 2008-12-29 2011-09-28 佛山市国星光电股份有限公司 在线路板装配热沉的方法及该方法制作的散热线路基板
CN201349024Y (zh) * 2009-01-16 2009-11-18 佛山市国星光电股份有限公司 散热线路基板

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101140972A (zh) 2007-10-15 2008-03-12 佛山市国星光电股份有限公司 功率发光二极管封装结构
CN101217142A (zh) 2007-12-27 2008-07-09 佛山市国星光电股份有限公司 一种条形led光源

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