CN102709265B - 半导体光器件表面贴装封装结构及其封装方法 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 107
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 103
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 83
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 38
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 21
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 12
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 9
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 9
- 241000218202 Coptis Species 0.000 claims description 8
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 claims description 8
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 8
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 5
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical group [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical group [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 abstract description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 2
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 abstract 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical group [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/189—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components characterised by the use of a flexible or folded printed circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/06—Thermal details
- H05K2201/066—Heatsink mounted on the surface of the PCB
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10121—Optical component, e.g. opto-electronic component
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
- H05K2201/2009—Reinforced areas, e.g. for a specific part of a flexible printed circuit
Abstract
本发明涉及半导体光器件表面贴装封装结构及其封装方法，该封装结构在基板上至少连接一个半导体光器件，基板、引线软板和底板依次从上至下粘合固定；引线软板的内引脚与基板电性连接；该封装结构通过玻璃挡板、围板以及基板组合成凹槽结构，其中玻璃挡板和围板形成该凹槽结构的两个侧壁，半导体光器件、导线及引线软板的内引脚均位于凹槽结构内并包覆有封装材料；玻璃挡板安装在半导体光器件的发光面或者接受面的前方，形成光路通过的窗口，玻璃挡板上粘合聚焦透镜，聚焦透镜耦合在半导体光器件的光路上。利用表面贴装技术和导线键合技术以及灌胶封装式密封，实现集成度高、贴装成本低等优点，利于扩展、集成以及大规模生产。
Description
技术领域
本发明涉及一种以引线软板为载体的半导体光器件表面贴装封装结构及其封装方法。
背景技术
在现今的信息时代，电子产品充斥于社会的各个领域中，人类的生活方式和生产方式有了前所未有的大变革。随着电子科技的不断演进，更人性化、功能更强的电子产品随之应运而生。为了满足电子产品的小型化、低成本、高密度和多功能的要求，就芯片封装而言，出现了在一个封装体内包覆多个芯片，比如多芯片(Mu1ti-chip-module)技术、堆叠芯片(StackDie)技术等。因此，如何实现低成本高密度的封装结构己成为重要研究课题。美国罗门哈斯电子材料有限公司曾提出一种光学组件及其形成方法的专利申请(CN 101303439 A)，该光学组件包括基板和位于其上的光电子元件、球透镜，其通过在基板和柔性电路上设置封装盖板以及光电子封装外壳来达到将光电子元件与外界环境充分隔离的目的。这种封装形式通常需要事先按照计划好的尺寸制作一个空心结构来作为密封盖体(一般选用金属材质，且其内部不设任何填充材料)，当光电子元件粘结在基板之上后，再将该盖体通过非常精细的连接工艺固定在光电子元件的外部，因此俗称“密封盖严密封装”。这种封装方法存在制作工艺复杂、连接精密度要求严格、适应尺寸相对单一、封装成本难以降低等缺点。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术存在的不足，提供一种半导体光器件表面贴装封装结构及其封装方法。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：
半导体光器件表面贴装封装结构，特点是：包括底板、基板和至少一个半导体光器件，其中半导体光器件布置于基板之上并通过导线与基板电性连接；其特征在于：基板与底板之间设置引线软板，基板、引线软板和底板三者依次从上至下粘合固定；所述引线软板设有内引脚和外引脚，内引脚通过导线与基板电性连接；该封装结构还包括玻璃挡板和围板，该玻璃挡板、围板以及基板组合成凹槽结构，其中玻璃挡板和围板形成该凹槽结构的两个侧壁，上述半导体光器件、导线及引线软板的内引脚均位于凹槽结构内部的基板上；所述凹槽结构内的半导体光器件、导线以及引线软板的内引脚均包覆有封装材料；所述玻璃挡板与基板相连，其安装在半导体光器件的发光面或者接受面的前方，从而形成光路通过的窗口，该玻璃挡板还粘合有聚焦透镜，且该透镜耦合在半导体光器件的光路上。
进一步地，上述的半导体光器件表面贴装封装结构中，所述的封装材料为硅胶。
进一步地，所述半导体光器件为发光元器件和/或感光元器件。
更进一步地，上述的半导体光器件表面贴装封装结构，所述基板包含上下两层，上层为导线布局层，与基板上的半导体光器件电性连接；并且上层的材质为导电材料，下层的材料为导热系数高、热膨胀率低的材料。
更进一步地，上述的半导体光器件表面贴装封装结构，所述导热系数高、热膨胀率低的材料是氮化铝，导电材料是金。
更进一步地，上述的半导体光器件表面贴装封装结构，所述半导体光器件通过共晶焊接方式和导线键合方式与基板连接。
更进一步地，上述的半导体光器件表面贴装封装结构，所述共晶焊接采用的导电胶为银浆。
更进一步地，上述的半导体光器件表面贴装封装结构，所述引线软板上设置一个基板或者多个排列的基板，引线软板上的内引脚与基板上的导线布局层电性连接。
更进一步地，上述的半导体光器件表面贴装封装结构，所述底板的材质为钨铜，所述导线为金线。
本发明还提供一种封装上述半导体光器件表面贴装封装结构的方法，包括以下工艺：
(1)半导体光器件的表面贴装：将半导体光器件通过共晶焊接方式结合在基板的导线布局层上，并
用导线将半导体光器件与基板进行引线键合，从而完成半导体光器件与基板的电性连接；
(2)封装基座的连接：用粘合剂依次固定底板、引线软板和基板，然后固化粘合剂并用导线将上述引线软板的内引脚与所述基板的导线布局层进行引线键合，从而完成引线软板与基板的电性连接；
(3)半导体光器件的封装准备：将玻璃挡板、围板分别安装在所述基板的两端，使其与基板组合成一种凹槽结构，其中玻璃挡板和围板形成该凹槽结构的两个侧壁，并且将玻璃挡板安装于上述半导体光器件的发光面或者接受面的前方，与基板连接，由此形成供光输入或者输出的窗口；
(4)半导体光器件的灌胶封装：在玻璃挡板和围板之间灌注封装材料，使该封装材料完整包覆半导体光器件及其所在平面的导线、基板导线布局层和引线软板的内引脚，使该封装材料均匀填满光路的所有空间，然后固化封装材料；
(5)光电子元件对焦：将聚焦透镜粘合在玻璃挡板的窗口上，使其与半导体光器件的光路相耦合，从而实现半导体光器件的光电信号传输通路。
再进一步地，上述的半导体光器件表面贴装封装结构的封装方法中，所述导线为金线，所述粘合剂为银浆，所述封装材料为硅胶。
本发明技术方案突出的实质性特点和显著的进步主要体现在：
本发明利用表面贴装技术和导线键合技术，以引线软板为载体，直接将导线两端连接半导体光器件与引线软板，有利于高频信号的传输，通过在基板上玻璃挡板与围板组成的凹槽结构中浇灌封装材料，以实现对光电元件的有效封装，工艺简单、易于实现；所有操作都仅仅在各个结构的一个表面进行叠堆操作，可实现多个半导体器件的排列组合操作，减少了封装芯片对空间的的要求，减小了体积，而且对封装机器要求低，贴装成本低，非常利于扩展和集成以及大规模生产。
附图说明
下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明：
图1为本发明封装结构的一侧面光输出的结构示意图；
图2为本发明封装结构的一侧面光输出的俯视结构示意图。
具体实施方式
如图1、图2所示，半导体光器件表面贴装封装结构，包括底板1、引线软板2和基板5，基板5上布置第一半导体光器件7和第二半导体光器件10，第一半导体光器件7通过导线8与基板5电性连接，第二半导体光器件10通过导线与基板5电性连接，导线为金线；基板5的下表面与引线软板2的上表面粘合固定，引线软板2设有内引脚3和外引脚4，内引脚3通过导线与基板5电性连接，导线为金线；引线软板2的下表面与底板1粘合固定，底板1的材质为钨铜，其具有很好的导热系数，能够很好地将光器件产生的热量向外部热扩散，并且热膨胀率接近光器件的热膨胀率；该封装结构还包括玻璃挡板11和围板6，该玻璃挡板11、围板6以及基板5组合成凹槽结构，其中玻璃挡板11和围板6形成该凹槽结构的两个侧壁，上述半导体光器件7、10、导线及引线软板2的内引脚3均位于凹槽结构内部的基板5上；所述玻璃挡板11与基板5相连，其安装在第一半导体光器件7和第二半导体光器件10的发光面或者接受面的前方，玻璃挡板11提供光路的窗口，使光信号能够从光发射面传输出来，或者从外面到达光接受面；玻璃挡板11与围墙6一起围起基板上的半导体光器件、导线以及引线软板内引脚；玻璃挡板11的窗口上粘合聚焦透镜12，聚焦透镜12耦合在半导体光器件的光路上；聚焦透镜对光路的传输起到准直或者聚焦的作用；所述凹槽结构内的基板5及置于其上的第一半导体光器件7和第二半导体光器件10、导线和引线软板的内引脚均包覆封装材料9，封装材料为硅胶，具有高透光率、高可靠性和低应力，匹配玻璃挡板的折射率，以减少光在不同介质面上的反射和减小光束发散角，材料常温状态下为液态并可固化。
第一半导体光器件7感光元器件,第二半导体光器件10为发光元器件。发光半导体光器件为FP或者DFB侧边发光激光器，其谐振腔有前后两个发光面，前发光面镀有增透膜，用于光信号的产生，后发光面镀有反射膜，产生光较弱，用于对激光工作状态的检测，上表面还有一电性连接点，用于与基板的电性连接。
第一半导体光器件7和第二半导体光器件10通过导线采用共晶焊接方式和导线键合方式与基板5连接，导电胶为银浆。与传统的环氧导电胶粘合相比，共晶焊接有着热导率高，电阻小，传热快，可靠性强，粘结后剪切力大等优点。
基板5包含上下两层，下层的材质为导热系数高、热膨胀率低的材料，具体是氮化铝，上层为导线布局层，与基板上的半导体光器件电性连接，导线布局层的材质为导电材料，具体是金。
引线软板2上放置一个基板或者多个排列的基板，引线软板上的内引脚3与基板上的导线布局层电性连接。
上述半导体光器件表面贴装封装结构的封装工艺为：
(1)半导体光器件的表面贴装：
在基板5的导线布局层上通过共晶焊接方式和导线键合方式结合第一半导体光器件7和第二半导体光器件10，用导线进行引线键合将第一半导体光器件7和第二半导体光器件10与基板5电性连接，导线为金线，从而完成半导体光器件与基板的电性连接；
(2)封装基座的连接：将引线软板2的下表面通过粘合剂固定于底板1上，并固化粘合剂，粘合剂为银浆，将基板5的下层通过粘合剂固定在引线软板2的上表面，并固化粘合剂，粘合剂为银浆，然后固化所述粘合剂；并
用导线将上述引线软板的内引脚3与基板5的导线布局层进行引线键合，从而完成引线软板2与基板5的电性连接，其中导线为金线；
(3)半导体光器件的封装准备：将玻璃挡板、围板分别安装在所述基板的两端，使其与基板组合成一种凹槽结构，其中玻璃挡板和围板形成该凹槽结构的两个侧壁，并且将玻璃挡板安装于上述半导体光器件的发光面或者接受面的前方，与基板连接，由此形成供光输入或输出的窗口；
(4)半导体光器件的灌胶封装：在玻璃挡板和围板之间灌注封装材料，使该封装材料完整包覆上述半导体光器件及其所在平面的导线、基板导线布局层以及引线软板的内引脚，使该封装材料均匀填满光路的所有空间，然后固化该封装材料；
(5)光电子元件对焦：将聚焦透镜粘合在玻璃挡板的窗口上，使其与半导体光器件的光路相耦合，从而实现半导体光器件的光电信号传输通路。
综上所述，本发明利用表面贴装技术和导线键合技术，以引线软板为载体，直接将导线两端连接半导体光器件与引线软板，有利于高频信号的传输；通过在基板上玻璃挡板与围板组成的凹槽结构中浇灌封装材料，以实现对光电元件的有效封装，工艺简单、易于实现；所有操作都仅仅在各个结构的一个表面进行叠堆操作，可实现多个半导体器件的排列组合操作，减少了封装芯片对空间的的要求，减小了体积，而且对封装机器要求低，贴装成本低，非常利于扩展和集成以及大规模生产。
需要理解到的是：以上所述仅是本发明的优选实施方式，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (11)
1.半导体光器件表面贴装封装结构，包括底板、基板和至少一个半导体光器件，其中半导体光器件布置于基板之上并通过导线与基板电性连接；其特征在于：
基板与底板之间设置引线软板，基板、引线软板和底板三者依次从上至下粘合固定；
所述引线软板设有内引脚和外引脚，内引脚通过导线与基板电性连接；
该封装结构还包括玻璃挡板和围板，该玻璃挡板、围板以及基板组合成凹槽结构，其中玻璃挡板和围板形成该凹槽结构的两个侧壁，上述半导体光器件、导线及引线软板的内引脚均位于凹槽结构内部的基板上；
所述凹槽结构内的半导体光器件、导线以及引线软板的内引脚均包覆有封装材料；
所述玻璃挡板与基板相连，其安装在半导体光器件的发光面或者接受面的前方，从而形成光路通过的窗口，该玻璃挡板还粘合有聚焦透镜，且该透镜耦合在半导体光器件的光路上。
2.根据权利要求1所述的半导体光器件表面贴装封装结构，其特征在于：
所述的封装材料为硅胶。
3.根据权利要求1所述的半导体光器件表面贴装封装结构，其特征在于：
所述半导体光器件为发光元器件和/或感光元器件。
4.根据权利要求1所述的半导体光器件表面贴装封装结构，其特征在于：
所述基板包括上下两层，上层为导线布局层，与基板上的半导体光器件电性连接；并且上层的材质为导电材料，下层的材料为导热系数高、热 膨胀率低的材料。
5.根据权利要求4所述的半导体光器件表面贴装封装结构，其特征在于：
所述导热系数高、热膨胀率低的材料是氧化铝，导电材料是金。
6.根据权利要求1所述的半导体光器件表面贴装封装结构，其特征在于：
所述半导体光器件通过共晶焊接方式和导线键合方式与基板连接。
7.根据权利要求6所述的半导体光器件表面贴装封装结构，其特征在于：
所述共晶焊接采用银浆作为导电胶。
8.根据权利要求1所述的半导体光器件表面贴装封装结构，其特征在于：
所述引线软板上设置一个基板或者多个排列的基板，引线软板上的内引脚与基板上的导线布局层电性连接。
9.根据权利要求1所述的半导体光器件表面贴装封装结构，其特征在于：
所述底板的材质为钨铜，所述导线为金线。
10.权利要求1-9中任意一项半导体光器件表面贴装封装结构的封装方法，该方法包括以下工艺：
(1)半导体光器件的表面贴装：将半导体光器件通过共晶焊接方式结合在基板的导线布局层上，并用导线将半导体光器件与基板进行引线键合，从而完成半导体光器件与基板的电性连接；
(2)封装基座的连接：用粘合剂依次固定底板、引线软板和基板，然 后固化粘合剂；并用导线将上述引线软板的内引脚与所述基板的导线布局层进行引线键合，从而完成引线软板与基板的电性连接；
(3)半导体光器件的封装准备：将玻璃挡板、围板分别安装在所述基板的两端，使其与基板组合成一种凹槽结构，其中玻璃挡板和围板形成该凹槽结构的两个侧壁，并且将玻璃挡板安装于上述半导体光器件的发光面或者接受面的前方，与基板连接，由此形成供光输入或输出的窗口；
(4)半导体光器件的灌胶封装：在玻璃挡板和围板之间灌注封装材料，使该封装材料完整包覆上述半导体光器件及其所在平面的导线、基板导线布局层以及引线软板的内引脚，使该封装材料均匀填满光路的所有空间，然后固化该封装材料；
(5)光电子元件对焦：将聚焦透镜粘合在玻璃挡板的窗口上，使其与半导体光器件的光路相耦合，从而实现半导体光器件的光电信号传输通路。
11.根据权利要求10所述的半导体光器件表面贴装封装结构的封装方法，其特征在于：
所述导线为金线，所述粘合剂为银浆，所述封装材料为硅胶。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210154315.2A CN102709265B (zh) | 2012-05-18 | 2012-05-18 | 半导体光器件表面贴装封装结构及其封装方法 |
| US13/837,001 US20130307005A1 (en) | 2012-05-18 | 2013-03-15 | Low Cost Surface Mount Packaging Structure for Semiconductor Optical Device and Packaging Method Therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210154315.2A CN102709265B (zh) | 2012-05-18 | 2012-05-18 | 半导体光器件表面贴装封装结构及其封装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102709265A CN102709265A (zh) | 2012-10-03 |
| CN102709265B true CN102709265B (zh) | 2015-01-07 |
Family
ID=46901924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210154315.2A Active CN102709265B (zh) | 2012-05-18 | 2012-05-18 | 半导体光器件表面贴装封装结构及其封装方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130307005A1 (zh) |
| CN (1) | CN102709265B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103633553A (zh) * | 2013-10-22 | 2014-03-12 | 镇江贝乐四通电子有限公司 | 激光二极管片式封装 |
| CN107045197B (zh) * | 2016-02-05 | 2021-09-17 | 苏州旭创科技有限公司 | 光路控制系统及光模块 |
| JP6777227B2 (ja) * | 2017-05-17 | 2020-10-28 | 三菱電機株式会社 | 光モジュールおよびその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1719675A (zh) * | 2004-07-06 | 2006-01-11 | 日本光进株式会社 | 光学模块 |
| CN201004104Y (zh) * | 2006-12-05 | 2008-01-09 | 深圳新飞通光电子技术有限公司 | 小型化致冷型光发射组件 |
| CN101303439A (zh) * | 2007-03-27 | 2008-11-12 | 罗门哈斯电子材料有限公司 | 光学组件及其形成方法 |
| CN202633271U (zh) * | 2012-05-18 | 2012-12-26 | 苏州旭创科技有限公司 | 低成本半导体光器件表面贴装封装结构 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6932516B2 (en) * | 2000-07-19 | 2005-08-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface optical device apparatus, method of fabricating the same, and apparatus using the same |
| JP3841633B2 (ja) * | 2000-10-16 | 2006-11-01 | ヤマハ株式会社 | 半導体レーザモジュール |
| WO2002079845A1 (en) * | 2001-03-28 | 2002-10-10 | Iljin Corporation | Small-formed optical module with optical waveguide |
| US6480389B1 (en) * | 2002-01-04 | 2002-11-12 | Opto Tech Corporation | Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package |
| CN101640240A (zh) * | 2008-07-28 | 2010-02-03 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 发光二极管制造方法 |
| US20100175756A1 (en) * | 2009-01-15 | 2010-07-15 | Weihs Timothy P | Method For Bonding Of Concentrating Photovoltaic Receiver Module To Heat Sink Using Foil And Solder |
| WO2010115296A1 (zh) * | 2009-04-10 | 2010-10-14 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 功率led散热基板、功率led产品及其制造方法 |
-
2012
- 2012-05-18 CN CN201210154315.2A patent/CN102709265B/zh active Active
-
2013
- 2013-03-15 US US13/837,001 patent/US20130307005A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1719675A (zh) * | 2004-07-06 | 2006-01-11 | 日本光进株式会社 | 光学模块 |
| CN201004104Y (zh) * | 2006-12-05 | 2008-01-09 | 深圳新飞通光电子技术有限公司 | 小型化致冷型光发射组件 |
| CN101303439A (zh) * | 2007-03-27 | 2008-11-12 | 罗门哈斯电子材料有限公司 | 光学组件及其形成方法 |
| CN202633271U (zh) * | 2012-05-18 | 2012-12-26 | 苏州旭创科技有限公司 | 低成本半导体光器件表面贴装封装结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20130307005A1 (en) | 2013-11-21 |
| CN102709265A (zh) | 2012-10-03 |
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