CN107324274A - 用于sip三维集成的封装载体 - Google Patents
用于sip三维集成的封装载体 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107324274A CN107324274A CN201710570485.1A CN201710570485A CN107324274A CN 107324274 A CN107324274 A CN 107324274A CN 201710570485 A CN201710570485 A CN 201710570485A CN 107324274 A CN107324274 A CN 107324274A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- shell
- metal
- bottom plate
- package carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 73
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 73
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 9
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 9
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 9
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 5
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract description 7
- 239000011257 shell material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- -1 as shown in figure 3 Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
- B81B7/007—Interconnections between the MEMS and external electrical signals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
- B81B7/0074—3D packaging, i.e. encapsulation containing one or several MEMS devices arranged in planes non-parallel to the mounting board
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明一种用于SIP三维集成的封装载体，包括管壳、基板、金属盖板，所述基板设置于所述管壳上，并且在所述基板和所述管壳之间形成用于容纳芯片的空腔，所述管壳、基板均采用非导电材料，并且所述管壳和基板之间的电信号相互连通，所述金属盖板放置于所述管壳上并且所述金属盖板位于所述基板外侧，所述金属盖板和所述管壳之间相互密封。本发明用于SIP三维集成的封装载体实现了带空腔的3D封装，并且基板和管壳可分别组装、分开测试，分开测试标定好后再组合成一个系统整体，提高了系统的成品率，降低成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种封装载体，特别是涉及一种芯片的封装载体。
背景技术
SIP(System In aPackage)封装是将多个不同的器件，比如微机电系统(MEMS，Micro-Electro-Mechanical System)、光学(Optics)等元件集成到一个封装体中，形成一个系统或者子系统。在高密度集成、高功率密度、高可靠性等方向驱动下，封装形式从2D进入了3D时代。目前，三维集成技术大多以硅晶圆为基础，其中含TSV(Through SiliconVia)的三维堆叠技术是典型的代表。不管是以硅、陶瓷还是塑料作为封装载体的三维集成技术大多集中在多个芯片的堆叠及其相互连接上，如图1所示封装示意图是其典型代表，封装基板1可以是硅、陶瓷和塑料制成，硅通孔转接板2堆叠有多个芯片，上下两个芯片通过硅通孔(TSV)4形成互连关系。
发明内容
本发明的首要目的是提供一种用于SIP三维集成的封装载体，以解决上述现有技术存在的问题，其可以形成保证系统功能所需的空间腔体，让系统的芯片单元实现3D集成。
为实现上述目的，本发明提供了如下方案：本发明一种用于SIP三维集成的封装载体，包括管壳、基板、金属盖板，所述基板设置于所述管壳上，并且在所述基板和所述管壳之间形成用于容纳芯片的空腔，所述管壳、基板均采用非导电材料，并且所述管壳和基板之间的电信号相互连通，所述金属盖板放置于所述管壳上并且所述金属盖板位于所述基板外侧，所述金属盖板和所述管壳之间相互密封。
本发明用于SIP三维集成的封装载体，其中，所述管壳及基板均由塑料制成，所述管壳包括底板及侧壁，所述底板上表面设置金属制成的底板引线框，所述侧壁内设置金属插针，所述金属插针底部和所述底板引线框连通，所述基板下表面设置金属制成的基板引线框，所述金属插针上端和所述基板引线框导通。
本发明用于SIP三维集成的封装载体，其中，所述基板的下表面上开有连接槽，所述金属插针顶部置于所述连接槽内，并且所述金属插针和所述连接槽外围的基板引线框通过焊锡膏相互焊接。
本发明用于SIP三维集成的封装载体，其中，所述管壳成型时，先将所述金属插针和所述底板引线框相互连接，然后注塑，注塑成型后所述底板引线框、金属插针和聚合物塑料形成所述管壳。
本发明用于SIP三维集成的封装载体，其中，所述管壳成型时，在注塑过程中预留有用于装配所述金属插针的槽，待所述管壳注塑成型后，再装配所述金属插针。
本发明用于SIP三维集成的封装载体，其中，所述基板引线框、底板引线框均由铜合金制成。
本发明用于SIP三维集成的封装载体，其中，所述管壳及基板均采用陶瓷材质，所述管壳包括底板及侧壁，所述底板上表面设置底板金属图形，所述侧壁顶部设置侧壁金属片，所述基板下表面设置基板金属片，所述侧壁金属片和所述基板金属片相互焊接。
本发明用于SIP三维集成的封装载体，其中，所述底板金属图形、侧壁金属片、基板金属片均由金制成，并且分别电镀在所述底板、侧壁及基板上。
本发明用于SIP三维集成的封装载体，其中，所述管壳和所述金属盖板通过平行封焊或钎焊相互焊接。
本发明用于SIP三维集成的封装载体，其中，管壳的底板上留有电信号接口。
本发明相对于现有技术取得了以下技术效果：由于本发明用于SIP三维集成的封装载体包括基板及管壳，基板设置于管壳上，并且在基板和管壳之间形成空腔，实现了带空腔的3D封装，并且基板和管壳可分别组装、分开测试，分开测试标定好后再组合成一个系统整体，提高了系统的成品率，降低成本。
另外，由于管壳及基板均由塑料制成，加工、成型较快，成本低、周期短，可以快速实现对系统的封装验证，适用于开发阶段的快速验证，所述侧壁内设置金属插针，成型比较灵活，可以是先和引线框互连再管壳成型，也可以是先管壳成型，预留插针槽，最后组装上插针。
还有，管壳及基板均采用陶瓷材料时，可以实现高可靠性的气密封装，适用于正式产品的封装。管壳的底板上留有电信号接口，易于和其它系统装配集成。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有的SIP封装结构图；
图2为本发明用于SIP三维集成的封装载体实施例一中基板的结构示意图；
图3为本发明用于SIP三维集成的封装载体实施例一中管壳的结构示意图；
图4为采用本发明用于SIP三维集成的封装载体实施例一的结构封装芯片时的示意图；
图5为采用本发明用于SIP三维集成的封装载体实施例二的结构封装芯片时的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例一
如图4所示，本发明用于SIP三维集成的封装载体，包括管壳11、基板21、金属盖板50，管壳11采用塑料材质，如图3所示，管壳11包括底板及侧壁，侧壁具有一定高度，底板上表面设置金属制成的底板引线框10，侧壁内设置金属插针12，金属插针12底部和底板引线框10连通，基板21由塑料制成，如图2所示，基板21下表面设置基板引线框20，金属插针12上端和基板引线框20导通，金属插针12的数量和分布位置可根据实际的芯片布局及实际信号线数量灵活调整，底板引线框10的形状及基板引线框20的形状均可按需要设置，底板引线框10、基板引线框20均由铜合金制成，基板21设置于管壳11上，并且在基板21和管壳11之间形成用于容纳芯片的空腔，金属盖板50放置于管壳11上并且金属盖板50位于基板21外侧，金属盖板50和管壳11之间相互密封，管壳11的底板上留有电信号IO接口。
如图2、3、4所示，为便于管壳11和基板21装配定位及电学互连，基板21的下表面上开有连接槽22，金属插针12顶部伸出管壳11的侧壁顶部置于连接槽22内，并且金属插针12和连接槽22外围的基板引线框20通过焊锡膏相互焊接。
管壳11成型时，先将金属插针12和底板引线框10相互连接，然后注塑，注塑成型后底板引线框10、金属插针12和聚合物塑料形成所述管壳11。或者，在注塑过程中预留有用于装配金属插针12的槽，待管壳11注塑成型后，再装配金属插针12。
如图4所示，光学检测芯片42贴装在基板引线框20上，光学检测芯片42和基板引线框20的互连通过键合引线来实现，在管壳11内部，驱动MEMS芯片41通过粘接胶30固定在管壳11底部，传感器芯片43叠装在驱动MEMS芯片41上，由中间的粘接胶连接固定，传感器芯片43和驱动MEMS芯片41之间、驱动MEMS芯片41和管壳11之间分别通过键合引线来实现电信号连接。基板21和管壳11装配好后，加盖金属盖板50，最终形成一个密闭的完整封装体。
实施例二
如图5所示，本发明用于SIP三维集成的封装载体包括管壳11”、基板21”、金属盖板50”，管壳11”及基板21”均采用陶瓷材质，管壳11”包括底板及侧壁，侧壁具有一定高度，底板上表面设置有由金属薄板制成的底板金属图形102，侧壁顶部设置侧壁金属片103，基板21”下表面设置基板金属片202，基板21”设置于管壳11”上，并且在基板21”和管壳11”之间形成用于容纳芯片的空腔，侧壁金属片103和基板金属片202相互焊接，焊接时精确对位，使管壳11”和基板21”之间的电信号相互连通，金属盖板50”放置于管壳11”上并且金属盖板50”位于基板21”外侧，金属盖板50”和管壳11”之间相互密封，管壳11”底板上留有IO电信号接口。
底板金属图形102、侧壁金属片103、基板金属片202均由金制成，并且分别电镀在底板、侧壁及基板上，管壳11”和金属盖板50”通过平行封焊或钎焊相互焊接，让整个系统形成一个气密性的封装。
光学检测芯片403贴装在基板21”上，光学检测芯片403和基板21”的信号互连通过引线键合实现，MEMS驱动芯片401通过倒装焊(flip chip)的方式焊接在管壳11”底部，传感器芯片402同样通过倒装焊(flip chip)的形式与MEMS驱动芯片401装配形成互连关系。
本发明中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种用于SIP三维集成的封装载体，其特征在于：包括管壳(11、11”)、基板(21、21”)、金属盖板(50、50”)，所述基板(21、21”)设置于所述管壳(11、11”)上，并且在所述基板(21、21”)和所述管壳(11、11”)之间形成用于容纳芯片的空腔，所述管壳(11、11”)、基板(21、21”)均采用非导电材料，并且所述管壳(11、11”)和基板(21、21”)之间的电信号相互连通，所述金属盖板(50、50”)放置于所述管壳(11、11”)上并且所述金属盖板(50、50”)位于所述基板(21、21”)外侧，所述金属盖板(50、50”)和所述管壳(11、11”)之间相互密封。
2.根据权利要求1所述的用于SIP三维集成的封装载体，其特征在于：所述管壳(11)及基板(21)均采用塑料材质，所述管壳(11)包括底板及侧壁，所述底板上表面设置金属制成的底板引线框(10)，所述侧壁内设置金属插针(12)，所述金属插针(12)底部和所述底板引线框(10)连通，所述基板(21)下表面设置金属制成的基板引线框(20)，所述金属插针(12)上端和所述基板引线框(20)导通。
3.根据权利要求2所述的用于SIP三维集成的封装载体，其特征在于：所述基板(21)的下表面上开有连接槽(22)，所述金属插针(12)顶部置于所述连接槽(22)内，并且所述金属插针(12)和所述连接槽(22)外围的基板引线框(20)通过焊锡膏相互焊接。
4.根据权利要求3所述的用于SIP三维集成的封装载体，其特征在于：所述管壳(11)成型时，先将所述金属插针(12)和所述底板引线框(10)相互连接，然后注塑，注塑成型后所述底板引线框(10)、金属插针(12)和聚合物塑料形成所述管壳(11)。
5.根据权利要求3所述的用于SIP三维集成的封装载体，其特征在于：所述管壳(11)成型时，在注塑过程中预留有用于装配所述金属插针(12)的槽，待所述管壳(11)注塑成型后，再装配所述金属插针(12)。
6.根据权利要求4或5所述的用于SIP三维集成的封装载体，其特征在于：所述基板引线框(20)、底板引线框(10)均由铜合金制成。
7.根据权利要求1所述的用于SIP三维集成的封装载体，其特征在于：所述管壳(11”)及基板(21”)均采用陶瓷材质，所述管壳(11”)包括底板及侧壁，所述底板上表面设置底板金属图形(102)，所述侧壁顶部设置侧壁金属片(103)，所述基板(21”)下表面设置基板金属片(202)，所述侧壁金属片(103)和所述基板金属片(202)相互焊接。
8.根据权利要求7所述的用于SIP三维集成的封装载体，其特征在于：所述底板金属图形(102)、侧壁金属片(103)、基板金属片(202)均由金制成，并且分别电镀在所述底板、侧壁及基板上。
9.根据权利要求8所述的用于SIP三维集成的封装载体，其特征在于：所述管壳(11”)和所述金属盖板(50”)通过平行封焊或钎焊相互焊接。
10.根据权利要求1所述的用于SIP三维集成的封装载体，其特征在于：所述管壳(11、11”)的底板上留有电信号接口。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710570485.1A CN107324274B (zh) | 2017-07-13 | 2017-07-13 | 用于sip三维集成的封装载体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710570485.1A CN107324274B (zh) | 2017-07-13 | 2017-07-13 | 用于sip三维集成的封装载体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107324274A true CN107324274A (zh) | 2017-11-07 |
| CN107324274B CN107324274B (zh) | 2024-04-05 |
Family
ID=60226627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710570485.1A Active CN107324274B (zh) | 2017-07-13 | 2017-07-13 | 用于sip三维集成的封装载体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107324274B (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108063132A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-05-22 | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 | 一种大容量存储器电路的3d封装结构 |
| CN108155158A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-06-12 | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 | 大容量存储器电路的3d封装结构 |
| CN108183098A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-06-19 | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 | 大容量存储器电路的3d错层堆叠封装结构 |
| CN109473363A (zh) * | 2018-11-12 | 2019-03-15 | 深圳市江波龙电子股份有限公司 | 系统级封装结构及生产方法 |
| CN111115553A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-05-08 | 北京遥测技术研究所 | 一种基于储能焊接方式的双腔室金属封装外壳及封装方法 |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970077544A (ko) * | 1996-05-23 | 1997-12-12 | 김광호 | 덮개의 기능을 겸비하는 칩이 접착된 기판을 이용한 적층형 볼그리드 어레이 패키지 |
| US6157080A (en) * | 1997-11-06 | 2000-12-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device using a chip scale package |
| JP2003152131A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-05-23 | Mitsubishi Electric Corp | 中空封着パッケージおよびその製造方法 |
| WO2006061274A1 (de) * | 2004-12-07 | 2006-06-15 | Robert Bosch Gmbh | Chipmodul und verfahren zu dessen herstellung |
| US20070284715A1 (en) * | 2006-06-07 | 2007-12-13 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | System-in-package device |
| CN101651913A (zh) * | 2009-06-19 | 2010-02-17 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 麦克风 |
| CN101651917A (zh) * | 2009-06-19 | 2010-02-17 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 电容麦克风 |
| US20120319256A1 (en) * | 2010-02-26 | 2012-12-20 | Ubotic Intellectual Property Company Limited | Semiconductor package for mems device and method of manufacturing same |
| US20130154066A1 (en) * | 2012-04-12 | 2013-06-20 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package and manufacturing method thereof |
| US20140008740A1 (en) * | 2010-12-30 | 2014-01-09 | Zhe Wang | Mems microphone and method for packaging the same |
| US20150256917A1 (en) * | 2014-03-04 | 2015-09-10 | Robert Bosch Gmbh | Component having a microphone and media sensor function |
| CN105668507A (zh) * | 2016-01-22 | 2016-06-15 | 中国科学院地质与地球物理研究所 | Mems芯片的封装结构及封装方法 |
| CN207330353U (zh) * | 2017-07-13 | 2018-05-08 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 用于sip三维集成的封装载体 |
-
2017
- 2017-07-13 CN CN201710570485.1A patent/CN107324274B/zh active Active
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970077544A (ko) * | 1996-05-23 | 1997-12-12 | 김광호 | 덮개의 기능을 겸비하는 칩이 접착된 기판을 이용한 적층형 볼그리드 어레이 패키지 |
| US6157080A (en) * | 1997-11-06 | 2000-12-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device using a chip scale package |
| JP2003152131A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-05-23 | Mitsubishi Electric Corp | 中空封着パッケージおよびその製造方法 |
| WO2006061274A1 (de) * | 2004-12-07 | 2006-06-15 | Robert Bosch Gmbh | Chipmodul und verfahren zu dessen herstellung |
| US20070284715A1 (en) * | 2006-06-07 | 2007-12-13 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | System-in-package device |
| CN101651917A (zh) * | 2009-06-19 | 2010-02-17 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 电容麦克风 |
| CN101651913A (zh) * | 2009-06-19 | 2010-02-17 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 麦克风 |
| US20120319256A1 (en) * | 2010-02-26 | 2012-12-20 | Ubotic Intellectual Property Company Limited | Semiconductor package for mems device and method of manufacturing same |
| US20140008740A1 (en) * | 2010-12-30 | 2014-01-09 | Zhe Wang | Mems microphone and method for packaging the same |
| US20130154066A1 (en) * | 2012-04-12 | 2013-06-20 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package and manufacturing method thereof |
| US20150256917A1 (en) * | 2014-03-04 | 2015-09-10 | Robert Bosch Gmbh | Component having a microphone and media sensor function |
| CN105668507A (zh) * | 2016-01-22 | 2016-06-15 | 中国科学院地质与地球物理研究所 | Mems芯片的封装结构及封装方法 |
| CN207330353U (zh) * | 2017-07-13 | 2018-05-08 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 用于sip三维集成的封装载体 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 关晓丹;梁万雷;: "微电子封装技术及发展趋势综述", 北华航天工业学院学报, vol. 23, no. 1, 28 February 2013 (2013-02-28), pages 34 - 37 * |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108063132A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-05-22 | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 | 一种大容量存储器电路的3d封装结构 |
| CN108155158A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-06-12 | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 | 大容量存储器电路的3d封装结构 |
| CN108183098A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-06-19 | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 | 大容量存储器电路的3d错层堆叠封装结构 |
| CN109473363A (zh) * | 2018-11-12 | 2019-03-15 | 深圳市江波龙电子股份有限公司 | 系统级封装结构及生产方法 |
| CN111115553A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-05-08 | 北京遥测技术研究所 | 一种基于储能焊接方式的双腔室金属封装外壳及封装方法 |
| CN111115553B (zh) * | 2019-12-25 | 2023-04-14 | 北京遥测技术研究所 | 一种基于储能焊接方式的双腔室金属封装外壳及封装方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107324274B (zh) | 2024-04-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107324274A (zh) | 用于sip三维集成的封装载体 | |
| US9401338B2 (en) | Electronic devices with embedded die interconnect structures, and methods of manufacture thereof | |
| TWI469309B (zh) | 積體電路封裝系統 | |
| US9406747B2 (en) | Component in the form of a wafer level package and method for manufacturing same | |
| CN104081516B (zh) | 堆叠型半导体封装及其制造方法 | |
| TWI239655B (en) | Photosensitive semiconductor package with support member and method for fabricating the same | |
| CN206282838U (zh) | 无源器件与有源器件的集成封装结构 | |
| CN103117252B (zh) | 一种对二维封装柔性基板进行三维折叠封装的方法 | |
| CN104016296B (zh) | 一种封装结构和该封装结构的封装方法 | |
| CN105552065A (zh) | 一种t/r组件控制模块的系统级封装结构及其封装方法 | |
| CN103011053A (zh) | 传感器芯片正面向下外露的封装结构及封装方法 | |
| CN107768317A (zh) | 一种低剖面多芯片封装结构及其制造方法 | |
| CN110349933A (zh) | 一种晶圆键合堆叠芯片的封装结构及制备方法 | |
| CN107036740A (zh) | 一种微传感器封装结构及其制作工艺 | |
| CN207330353U (zh) | 用于sip三维集成的封装载体 | |
| CN201655787U (zh) | 半导体封装结构 | |
| CN106744647A (zh) | Mems芯片封装结构以及封装方法 | |
| CN107481944A (zh) | 一种半导体器件混合封装方法 | |
| CN208433405U (zh) | 电路组件 | |
| CN209150115U (zh) | 一种三维立体封装结构 | |
| CN102709265B (zh) | 半导体光器件表面贴装封装结构及其封装方法 | |
| CN110176439A (zh) | 一种模块SiP结构及其制造方法 | |
| CN208433406U (zh) | 封装芯片 | |
| CN206417859U (zh) | Mems芯片封装结构 | |
| CN109461729A (zh) | 一种三维立体封装结构及方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |