KR101495409B1 - 표면 탑재 파워 ｌｅｄ 지지부를 위한 제조 방법 및 그 제품 - Google Patents
표면 탑재 파워 ｌｅｄ 지지부를 위한 제조 방법 및 그 제품 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101495409B1 KR101495409B1 KR1020127022674A KR20127022674A KR101495409B1 KR 101495409 B1 KR101495409 B1 KR 101495409B1 KR 1020127022674 A KR1020127022674 A KR 1020127022674A KR 20127022674 A KR20127022674 A KR 20127022674A KR 101495409 B1 KR101495409 B1 KR 101495409B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- metal layer
- hole
- layer
- power led
- double
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 117
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 345
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 345
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 122
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 75
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 63
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 63
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 60
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 25
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims description 22
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 17
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 14
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 8
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 7
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 claims description 7
- 239000011188 CEM-1 Substances 0.000 claims description 6
- 101100257127 Caenorhabditis elegans sma-2 gene Proteins 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 claims description 6
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 claims description 6
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000010309 melting process Methods 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007499 fusion processing Methods 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011190 CEM-3 Substances 0.000 claims 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 11
- 230000008719 thickening Effects 0.000 abstract 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 19
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 6
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 5
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011187 composite epoxy material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 2
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 2
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000003578 releasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V21/00—Supporting, suspending, or attaching arrangements for lighting devices; Hand grips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23P—METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; COMBINED OPERATIONS; UNIVERSAL MACHINE TOOLS
- B23P11/00—Connecting or disconnecting metal parts or objects by metal-working techniques not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
- H05K1/183—Components mounted in and supported by recessed areas of the printed circuit board
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0388—Other aspects of conductors
- H05K2201/0394—Conductor crossing over a hole in the substrate or a gap between two separate substrate parts
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49995—Shaping one-piece blank by removing material
- Y10T29/49996—Successive distinct removal operations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
표면 탑재 파워 LED 지지부를 위한 제조 방법은 양면 금속층들(11, 12)을 갖는 배선 보드(1)를 제공하는 단계, 홀(13)을 형성하는 단계, 홀의 표면에 금속층(131)을 위치시키는 단계, 배선 보드의 금속층(11, 12)을 두껍게 하는 단계, 배선 보드의 금속층을 에칭하는 단계, 배선 보드를 절단하여 단일 지지 유닛을 형성하는 단계를 포함한다. 표면 탑재 파워 LED 지지부는 양면 배선 보드(10, 11, 12), 배선 보드에 형성된 홀(13) 및 배선 보드의 표면 상에 위치된 배선 층들(16, 17)을 포함한다. 본 발명은 칩의 열 방출 효과를 증가시킬 수 있다.
Description
본 발명은 LED 디바이스에 적용가능한 LED 브래킷(bracket)을 제조하는 방법 및 LED 브래킷에 관한 것으로서, 특히, 표면 탑재 파워(surface mounted power) LED 브래킷을 제조하는 방법 및 표면 탑재 파워 LED 브래킷에 관한 것이다.
반도체 조명은 제4 세대의 조명 소스로서 알려져 있으며, 점진적으로 일반적인 조명 분야에 적용되고 있다. 파워 발광 다이오드(power LED)는 그것의 높은 휘도(brightness) 및 높은 파워 때문에 시장에서 널리 이용되고 있다. 두 가지 유형의 통상적인 파워 LED 브래킷, 즉, PLCC 타입(plastic leaded chip carrier) 브래킷 및 세라믹 기판 브래킷이 있다.
도 1은 종래의 PLCC 타입 브래킷의 구조적 개략도를 도시한다. PLCC 타입 브래킷에서, 반사 캐비티(reflection cavity)를 갖는 플라스틱 케이싱(casing)(01)이 금속 리드 프레임(02)을 덮는다. 금속 리드 프레임(02)은 LED 칩(04)을 운반하기 위한 칩 탑재부(03) 및 전극 핀(05)을 포함한다. 칩 탑재부(03)는 양의 전극 또는 음의 전극과 함께 통합적인 구조를 형성한다. PLCC 타입 브래킷은 그것의 반사 캐비티 및 콤팩트한 구조 때문에 높은 광 분포 및 높은 탑재 밀도를 요구하는 분야들에 특히 적용가능하다. 높은 파워 LED는 동작시에 높은 열 에너지를 생성할 수 있으므로, 생성된 열 에너지를 방출하는 것을 돕기 위한 몇 가지의 기술적인 수단을 취할 필요가 있다. 그렇지 않을 경우, 높은 파워 LED의 수명 및 발광 효과는 영향을 받게 될 것이다. 높은 파워 LED에 대한 PLCC 타입 브래킷의 전형적인 패키징 구조에서, 반사 캐비티를 갖는 플라스틱 케이싱은 금속 리드 프레임을 덮을 뿐만 아니라, LED 칩의 바닥에 제공되어 브래킷 외부로 노출된 열 싱크(heat sink)도 덮는다. 일반적으로, 열 싱크는 구리와 같은 우수한 열 방출 효과를 갖는 금속 재료를 이용하여, LED의 동작시에 생성된 높은 열 에너지의 방출을 용이하게 한다. PLCC 타입 높은 파워 LED는 그것의 우수한 열 방출 효과 때문에 가장 일반적으로 사용되는 높은 파워 LED 패키징 구조들 중 하나이다.
다른 통상적인 파워 LED 브래킷은 세라믹 기판이다. 세라믹 기판의 전형적인 패키징 구조가 도 2에 도시되어 있다. LED 칩을 운반하기 위한 기판(06), 및 기판(06) 상에 배열된 반사 캐비티(07)는 세라믹 재료를 이용한다. 높은 파워 LED 디바이스와 관련하여, 기판(06)의 칩 탑재부에 적어도 하나의 스루 홀(08)이 제공되며, 열 방출 효과를 증가시키기 위해 스루 홀(08)에 열 전도성 재료가 채워져서, 높은 파워 LED 디바이스의 열 방출 요건을 만족시킨다. 세라믹 기판은 우수한 절연 특성 및 열 방출 특성을 가지므로, 세라믹 기판은 높은 파워 LED 분야에서 널리 적용되고 있으며, PLCC 타입 브래킷과 함께 전체 높은 파워 LED 시장을 점유하고 있다.
그러나, PLCC 타입 브래킷 및 세라믹 기판은 몇 가지 단점을 갖는다. PLCC 타입 브래킷의 경우, 그것의 제조 프로세스는 복잡하고, 높은 정밀도를 요구한다. 많은 관련 특허 출원들이 진행되어 왔지만, 이들 특허 출원들의 주된 기술들은 여전히 외국 기업들에 의해 독점되고 있으며, 이들 기술들은 상대적으로 성숙되어 있고, 개선의 여지가 제한되어 있다. 특히, 파워 LED용 PLCC 타입 브래킷의 경우, 브래킷의 열 방출을 개선하기 위해 열 싱크가 더 필요하다. 따라서, 카운터 보어(counter bore)를 더 제공하고, 카운터 보어에 열 싱크를 탑재할 필요가 있으며, 그것은 파워 LED용 PLCC 타입 브래킷의 구조가 더욱 복잡해지게 하고, 따라서, 브래킷 패키징 프로세스가 더욱 복잡해지게 한다. 동시에, PLCC 타입 높은 파워 LED는 큰 볼륨을 가지며, 그것의 패키징 구조는 리플로우 솔더링 프로세스(reflow soldering process)에 적용될 수 없고, 완전 자동 및 배치 테스트 및 탭핑(taping) 프로세스에 적용가능하지 않으며, 배치 솔더링 및 다운 스트림 제품들의 탑재에 불편하고, 특히 LED 제품 제조의 후속하는 표면 탑재 프로세스에 불편하다. 따라서, 종래의 PLCC 타입 브래킷은 복잡한 구조를 갖고, 비교적 복잡한 제조 프로세스 및 비교적 높은 생산 비용이 소모되어, 제품의 후속하는 제조 프로세스들을 제한하고, 후속하는 LED 제품들의 생산 비용을 증가시키며, 생산 효율성을 감소시키고, 그에 따라 PLCC 타입 브래킷 파워 LED의 응용 범위를 제한한다.
세라믹 기판은 PLCC 타입 브래킷의 주된 단점들을 극복할 수 있지만, 세라믹 기판은 몇 가지 일반적인 문제점들, 예를 들면, 세라믹 기판의 제조 프로세스들이 어렵고, 세라믹 기판의 비용이 높고, 세라믹 기판의 재료가 깨지기 쉽다는 문제점들을 가지며, 그것은 세라믹 기판이 PLCC 타입 브래킷을 완전히 대체하는 것을 제한하는 주된 요인들이다.
전술한 설명에 근거하여, 단순한 제조 프로세스, 우수한 발광 효과, 우수한 열 방출 효과 및 낮은 생산 비용을 가지며, 전술한 PLCC 타입 브래킷 및 세라믹 기판과 비교하여, 종래의 PLCC 타입 브래킷 및 세라믹 기판의 전술한 기술적인 단점들을 극복할 수 있는 LED 브래킷 구조 및 그것의 제조 프로세스를 제공할 필요가 있다. 종래의 기술적인 개선점들에 있어서, 본 기술 분야의 당업자는 제조 재료 및 제조 프로세스를 개선하고자 이미 시도해 왔다. 그러나, 이러한 시도들은 전술한 기술적인 단점들을 적절하게 해결하거나 극복할 수 없다.
본 출원을 행하기 전에, 본 출원의 출원인은 단면 구리 코팅된(single-sided copper coated) 회로 보드 및 금속 시트, 및 브래킷 제품을 이용함으로써 표면 탑재 파워 LED 브래킷을 제조하는 방법을 제공하는 "METHOD FOR MAUFACTURING A SURFACE MOUNTED POWER LED BRACKET AND THE SURFACE MOUNTED POWER LED BRACKET" 이라는 제목의 특허 출원 제 201010165442.3 호를 출원하였다. 이러한 기술적인 해결책은 단순한 제조 방법, 낮은 비용 및 우수한 열 방출 효과를 갖는다는 이점을 갖는다. 이러한 기술적인 해결책은 파워 LED용으로 일반적으로 이용되는 PLCC 타입 브래킷 및 세라믹 기판의 단점들을 극복할 수 있으며, 파워 PLCC 타입 브래킷 시장을 점유할 잠재력을 갖는다. 그러나, 또다른 연구에서, 금속 시트는 접착 필름을 통해서만 단면 구리 코팅 회로 보드에 접속되므로, 단면 구리 코팅 회로 보드에서의 스루 홀의 바닥의 에지와 금속 시트 사이에 갭이 존재할 수 있으며, 그것은 LED 브래킷이 "레드 잉크 테스트(red ink test)"와 같은 신뢰도 테스트들을 통과하기 어렵게 만들어, 파워 LED 브래킷의 신뢰도에 영향을 미칠 수 있다. 더욱이, 스루 홀의 바닥과 금속 시트는 밀접하게 접속되지 않으므로, 칩 탑재부의 바닥 표면이 연속적으로 평활하지 않을 수 있으며, 그것은 LED 칩의 광 반사 효율성을 감소시킬 수 있다.
전술한 기술적 단점들의 관점에서, 본 출원은 전술한 기술적 단점들을 해결하기 위한 새로운 기술적인 해결책을 제공한다. 본 출원은 PCB 보드와 같은 통상적인 절연 보드는 파워 LED용 패키징 재료로서 이용되도록 적용할 수 없다는, 본 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 받아들여지고 있는 기술적인 편견을 극복할 수 있다. 한편, 본 출원은 단면 구리 코팅 회로 기판을 기판으로서 이용할 때에 스루 홀의 바닥의 에지와 금속 시트 사이에 갭이 존재할 수 있다는 문제점을 해결할 수 있으며, 단순한 프로세스, 낮은 비용, 높은 신뢰도, 넓은 응용 범위, 높은 열 방출 특성 및 높은 광 반사 효율성을 갖는 파워 LED 브래킷을 제조하는 방법 및 파워 LED 브래킷을 제공할 수 있다.
종래의 세라믹 기판 및 PLCC 타입 브래킷과 비교하여, PCB 보드와 같은 통상적인 절연 보드는 낮은 비용, 상대적으로 성숙된 보드 제조 프로세스와 같은 이점들을 갖는데, 즉, 통상적인 절연 보드는 낮은 비용 및 제조의 용이성과 같은 이점들을 갖는다. 그러나, 통상적인 절연 보드는 불량한 열 방출 효과 및 불량한 내열 특성의 단점들을 갖고, 한편으로는, 본 기술 분야의 당업자에 의해, 통상적인 절연 보드는 파워 LED 디바이스의 높은 열 방출 특성 요건을 만족시킬 수 없는 것으로서 일반적으로 받아들여지고 있기 때문에, 작은 파워 LED 디바이스에 대해서만 이용될 수 있어, 통상적인 절연 보드는 좋지 못한 범용적 응용성을 갖는다. 다른 한편으로, 보드의 박리(delamination) 및 변형(deformation)과 같은 문제점들이, 통상적인 절연 보드의 불량한 내열 특성으로 인해, LED의 패키징 및 다이 본딩 프로세스에서 발생될 수 있으므로, 수율이 낮고, 그로 인해 본 기술 분야의 당업자에 의해, 통상적인 절연 보드는 파워 LED용 패키징 재료로서 이용되도록 적용가능하지 않은 것으로서 일반적으로 받아들여지고 있다.
본 출원은 통상적인 절연 보드의 양면 상에 금속층들을 코팅한 통상적인 절연 보드를 파워 LED 브래킷을 제조하기 위한 기판으로서 이용함에 따른 전술한 기술적 편견을 극복하고, 단면 구리 코팅 회로 보드가 브래킷 기판으로서 이용되고 금속 시트와 함께 본딩되는 기술적인 해결책에 근거한 또다른 기술적인 혁신 및 개선을 이루어, 현존하는 기술적인 단점들을 극복한다. 본 출원에 따르면, 통상적인 절연 보드가 기판으로서 이용되며, 그 절연 보드의 양면은 금속층들로 코팅되어 양면 금속층 코팅 회로 보드를 형성하며, 표면 탑재 파워 LED 브래킷을 제조하기 위한 기판로서 이용된다. 그 다음, 통상적인 절연 보드의 정규의 제조 프로세스 및 브래킷 구조에 대한 혁신적이고 특별한 설계에 의해, 본 출원은 표면 탑재 파워 LED 브래킷을 제조하는 방법 및 그러한 표면 탑재 파워 LED 브래킷을 제공하고자 하는 목적을 실현할 수 있다.
본 출원의 기술적인 해결책인 본 방법에 근거하여, 표면 탑재 파워 LED 브래킷을 제조하는 방법이 제공된다. 본 방법은,
1) 통상적인 절연 보드를 회로 기판용 기판으로서 제공하고, 기판의 상부 표면을 제 1 금속층으로 코팅하고, 기판의 하부 표면을 제 2 금속층으로 코팅함으로써, 양면 금속층 코팅 회로 기판을 형성하는 것을 포함하는, 양면 금속층 코팅 회로 기판을 준비하는 단계,
2) 기계적 프로세스, 레이저 프로세스 또는 에칭 프로세스에 의해 회로 기판에 적어도 하나의 홀을 형성하는 것을 포함하는, 홀을 형성하는 단계,
3) 도금(plating) 프로세스, 증착(deposition) 프로세스 또는 스크린 프린팅(screen printing) 프로세스에 의해 홀의 내측 벽 상에 금속층을 제공하는 것을 포함하는, 홀-벽 금속층을 제공하는 단계,
4) 퓨전(fusion) 프로세스, 증착 프로세스 또는 도금 프로세스에 의해 회로 기판의 하부 표면 상의 금속층의 두께를 증가시키는 것을 포함하는, 금속층의 두께를 증가시키는 단계 ― 제 3 금속층이 제 2 금속층 상에 통합적으로 형성되어 두꺼운 금속층을 형성함으로써, 홀의 바닥에서의 금속층이 LED 칩을 수용할 수 있는 두께를 가짐 ―,
5) 에칭 프로세스에 의해 회로 기판 상의 금속층들을 프로세싱하여, 회로 기판의 상부 표면 상에 제 1 회로층을, 회로 기판의 하부 표면 상에 제 2 회로층을 형성하는 것을 포함하는, 금속층들을 에칭하는 단계 ― 제 1 회로층, 제 2 회로층 및 홀이 파워 LED 브래킷 구조를 형성하는 것을 포함함 ―, 및
6) 절단 프로세스에 의해, 상기 단계들에 의해 형성된 파워 LED 브래킷 구조로부터 파워 LED 브래킷 유닛을 분리하는 것을 포함하는, 파워 LED 브래킷 구조로부터 파워 LED 브래킷 유닛을 분리하는 단계를 포함한다.
본 출원에 따르면, 표면 탑재 파워 LED 브래킷을 제조하는 상기 방법에 의해 제조된 제품의 기술적인 해결책이 더 제공된다. 본 출원의 표면 탑재 파워 LED 브래킷의 기술적인 해결책에 따르면, 표면 탑재 파워 LED 브래킷의 구조는 브래킷 구조로서 제공된 양면 금속층 코팅 회로 기판을 포함한다. 브래킷 기판에는 홀 및 브래킷 회로층들이 제공되어, 파워 LED 브래킷을 형성한다. 브래킷 기판은 제 1 금속층, 제 2 금속층, 및 제 1 금속층과 제 2 금속층 사이에 제공된 절연 기판을 포함한다. 회로층들은 기판의 상부 표면 상의 제 1 회로층 및 기판의 하부 표면 상의 제 2 회로층을 포함한다. 제 1 회로층은, 홀을 둘러싸며 금속 리드를 웰딩(welding)하는데 이용되는 리드 접속부와, 홀의 양면에서의 제 1 양 및 음의 전극층을 포함한다. 리드 접속부는 제 1 양 및 음의 전극층에 전기적으로 접속된다. 브래킷 기판은 그 바닥에 두꺼운 금속층을 갖는다. 브래킷 기판은 그 하부에 두꺼운 금속층을 갖는다. 제 2 회로층은 홀의 바닥에 대응하는 두꺼운 금속층에 의해 형성되는 칩 탑재부와, 칩 탑재부에 대응하며 그것으로부터 전기적으로 절연되는 제 2 양 및 음의 전극층을 포함한다. 제 1 양 및 음의 전극층 및 제 2 양 및 음의 전극층은 전기적으로 접속되어 브래킷의 전극을 형성한다. 그리고, 금속층이 홀의 내측 벽 상에 제공된다.
본 출원은 종래 기술과는 상이한 브래킷 구조 및 브래킷 구조를 제조하기 위한 방법을 제공한다. 본 출원의 기술적인 해결책은 제조 프로세스 및 제품 구조에 혁신을 제공한다. 본 출원은 양면 상에 코팅된 금속층들을 갖는 통상적인 절연 보드를 양면 금속층 코팅 회로 기판으로서 이용하여 브래킷을 제조함으로써 종래 기술의 편견을 극복한다. 본 출원의 기술적인 해결책의 구조 및 프로세스의 혁신적인 설계를 가지고, 또한, 통상적인 절연 보드의 머시닝(machining) 프로세스 및 LED 브래킷을 제조하기 위한 다른 통상적인 프로세스들을 가지고, 양면 금속층 코팅 회로 기판이 표면 탑재 파워 LED 브래킷 내로 프로세싱될 수 있다. 한편, 본 출원은 단순한 프로세스들, 높은 생산 효율성, 우수한 제품 신뢰도를 가지며, 생산 비용을 크게 감소시킨다. 한편, 본 출원의 브래킷 구조의 혁신적인 설계를 가지고, 통상적인 절연 보드로 제조된 LED 브래킷은 파워 LED의 높은 내열 요건을 만족시킬 수 있다. 본 출원의 브래킷 구조에 있어서, LED 칩은 통합된 구조인 두꺼운 금속층과 직접 접촉하며, 우수한 열 전도성을 갖고, 칩 탑재부를 형성하여, 동작시에 LED 칩에 의해 발생된 열이 두꺼운 금속층을 통해 밖으로 직접 방출될 수 있어, LED 브래킷이 우수한 열 방출 효과, 높은 신뢰도 및 우수한 발광 효과를 갖는다. 테스트를 통하여, 통상적인 절연 보드로 제조되고, 양면 상에 코팅된 금속층들을 갖는 LED 브래킷은, 우수한 내열 특성을 가지며, 박리 및 균열(cracking)과 같은 문제점들이 LED 패키징의 은 페이스트(silver paste)를 이용한 다이 본딩 프로세스에서 발생되지 않는다는 것이 입증되었다.
전술한 설명에 근거하여, 본 출원의 방법은 본 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 받아들여지는 기술적인 편견, 즉, 통상적인 절연 보드는 파워 LED 브래킷을 제조하는데 이용될 수 없다는 편견을 극복한다. 통상적인 절연 보드는 LED 브래킷의 제조에 적절하게 적용되며, 그것은 파워 LED 브래킷의 종래의 제조 프로세스를 크게 간략화시키고, 생산 효율성을 개선시키며, 생산 비용을 감소시킨다. 본 출원의 방법에 의해 제조된 제품은 낮은 비용, 높은 신뢰도, 우수한 열 방출 및 발광 효과를 가지며, 리플로우 솔더링 프로세스에 적용될 수 있고, 완전 자동 및 배치 테스트 및 탭핑 프로세스에 적용가능하며, 다운 스트림 제품들의 배치 솔더링 및 탑재에 편리하고, LED 제품 제조의 후속하는 표면 탑재 프로세스들을 위해 특히 편리하며, 따라서 보다 넓은 응용 범위를 갖는다. 따라서, 본 출원은 기술적인 편견을 극복하는 발명이다. 종래 기술과 비교하여, 본 출원의 방법 및 제품은 현저한 진보를 달성하며, 현저하고 긍정적이며 이로운 기술적 효과들을 갖는다.
도 1은 종래 기술의 파워 LED용 PLCC 타입 브래킷의 구조적인 개략도이다.
도 2는 종래 기술의 파워 LED용 세라믹 기판 브래킷의 구조적인 개략도이다.
도 3의 본 출원의 제 1 실시예에 따른 방법의 프로세스 흐름도이다.
도 4는 본 출원의 제 1 실시예에 따른 방법의 프로세스 단계들의 개략도이다.
도 5는 본 출원의 제 2 실시예에 따른 방법의 프로세스 흐름도이다.
도 6은 본 출원의 제 2 실시예에 따른 방법의 프로세스 단계들의 개략도이다.
도 7은 본 출원의 제 1 실시예에 따른 파워 LED 브래킷의 구조적인 개략도이다.
도 8은 본 출원의 제 2 실시예에 따른 파워 LED 브래킷의 구조적인 개략도이다.
도 9는 본 출원의 제 3 실시예에 따른 파워 LED 브래킷의 구조적인 개략도이다.
도 10은 본 출원의 제4 실시예에 따른 파워 LED 브래킷의 구조적인 개략도이다.
참조 부호
01 : 플라스틱 케이싱
02 : 금속 리드 프레임
03 : 칩 탑재부
04 : LED 칩
05 : 전극 핀
06 : 기판
07 : 반사 캐비티
1 : 양면 금속층 코팅 회로 기판
10 : 통상적인 절연 기판(생략하여, 기판)
11 : 제 1 금속층
12 : 제 2 금속층
13 : 블라인드 홀
131 : 금속 반사 층
141 : 소형 전극 블라인드 홀
142 : 전극 도전성 층
14 : 금속 호일
15 : 두꺼운 금속층
16 : 제 1 회로층
161 : 리드 접속부
162 : 제 1 양 및 음의 전극층
17 : 제 2 회로층
171 : 칩 탑재부
172 : 제 2 양 및 음의 전극층
2 : 양면 금속층 코팅 회로 기판
20 : 통상적인 절연 기판
21 : 제 1 금속층
22 : 제 1 금속층
221 : 스루 홀 바닥의 에지에서의 금속층
222 : 소형 전극 스루 홀 바닥의 에지에서의 금속층
23 : 스루 홀
231 : 금속 반사 층
24 : 금속 호일
25 : 접착 필름
26 : 제 1 회로층
261 : 리드 접속부
262 : 제 1 양 및 음의 전극층
27 : 제 2 회로층
271 : 칩 탑재부
272 : 제 2 양 및 음의 전극층
281 : 소형 전극 스루 홀
282 : 전극 도전성 층
3 : 브래킷 기판
31 : 스루 홀
311 : 홀-벽 금속층
32 : 양의 및 음의 전극
321 : 소형 전극 스루 홀
322 : 전극 도전성 층
33 : 제 1 금속층
34 : 제 2 금속층
341 : 스루 홀 바닥에서의 금속층
342 : 소형 전극 스루 홀 바닥에서의 금속층
35 : 금속 호일
351 : 칩 탑재부
352 : 제 2 양 및 음의 전극층
36 : 접착 필름
37 : 컵 형상 커버링 보드
371 : 컵 홀
4 : 브래킷 기판
41 : 블라인드 홀
411 : 홀-벽 금속층
42 : 양의 및 음의 전극
421 : 소형 전극 블라인드 홀
43 : 제 1 금속층
431 : 리드 접속부
432 : 제 1 양 및 음의 전극층
44 : 제 2 금속층
441 : 칩 탑재부
442 : 제 2 양 및 음의 전극층
422 : 전극 도전성 층
45 : 컵 형상 커버링 보드
451 : 컵 홀
46 : 접착 필름
도 2는 종래 기술의 파워 LED용 세라믹 기판 브래킷의 구조적인 개략도이다.
도 3의 본 출원의 제 1 실시예에 따른 방법의 프로세스 흐름도이다.
도 4는 본 출원의 제 1 실시예에 따른 방법의 프로세스 단계들의 개략도이다.
도 5는 본 출원의 제 2 실시예에 따른 방법의 프로세스 흐름도이다.
도 6은 본 출원의 제 2 실시예에 따른 방법의 프로세스 단계들의 개략도이다.
도 7은 본 출원의 제 1 실시예에 따른 파워 LED 브래킷의 구조적인 개략도이다.
도 8은 본 출원의 제 2 실시예에 따른 파워 LED 브래킷의 구조적인 개략도이다.
도 9는 본 출원의 제 3 실시예에 따른 파워 LED 브래킷의 구조적인 개략도이다.
도 10은 본 출원의 제4 실시예에 따른 파워 LED 브래킷의 구조적인 개략도이다.
참조 부호
01 : 플라스틱 케이싱
02 : 금속 리드 프레임
03 : 칩 탑재부
04 : LED 칩
05 : 전극 핀
06 : 기판
07 : 반사 캐비티
1 : 양면 금속층 코팅 회로 기판
10 : 통상적인 절연 기판(생략하여, 기판)
11 : 제 1 금속층
12 : 제 2 금속층
13 : 블라인드 홀
131 : 금속 반사 층
141 : 소형 전극 블라인드 홀
142 : 전극 도전성 층
14 : 금속 호일
15 : 두꺼운 금속층
16 : 제 1 회로층
161 : 리드 접속부
162 : 제 1 양 및 음의 전극층
17 : 제 2 회로층
171 : 칩 탑재부
172 : 제 2 양 및 음의 전극층
2 : 양면 금속층 코팅 회로 기판
20 : 통상적인 절연 기판
21 : 제 1 금속층
22 : 제 1 금속층
221 : 스루 홀 바닥의 에지에서의 금속층
222 : 소형 전극 스루 홀 바닥의 에지에서의 금속층
23 : 스루 홀
231 : 금속 반사 층
24 : 금속 호일
25 : 접착 필름
26 : 제 1 회로층
261 : 리드 접속부
262 : 제 1 양 및 음의 전극층
27 : 제 2 회로층
271 : 칩 탑재부
272 : 제 2 양 및 음의 전극층
281 : 소형 전극 스루 홀
282 : 전극 도전성 층
3 : 브래킷 기판
31 : 스루 홀
311 : 홀-벽 금속층
32 : 양의 및 음의 전극
321 : 소형 전극 스루 홀
322 : 전극 도전성 층
33 : 제 1 금속층
34 : 제 2 금속층
341 : 스루 홀 바닥에서의 금속층
342 : 소형 전극 스루 홀 바닥에서의 금속층
35 : 금속 호일
351 : 칩 탑재부
352 : 제 2 양 및 음의 전극층
36 : 접착 필름
37 : 컵 형상 커버링 보드
371 : 컵 홀
4 : 브래킷 기판
41 : 블라인드 홀
411 : 홀-벽 금속층
42 : 양의 및 음의 전극
421 : 소형 전극 블라인드 홀
43 : 제 1 금속층
431 : 리드 접속부
432 : 제 1 양 및 음의 전극층
44 : 제 2 금속층
441 : 칩 탑재부
442 : 제 2 양 및 음의 전극층
422 : 전극 도전성 층
45 : 컵 형상 커버링 보드
451 : 컵 홀
46 : 접착 필름
종래 기술의 PLCC 타입 브래킷이 도 1에 도시된다. 반사 캐비티를 갖는 플라스틱 케이싱(01)은 금속 리드 프레임(02)을 덮고 있으며, LED 칩(04)을 운반하기 위한 칩 탑재부(03) 및 전극 핀(05)이 금속 리드 프레임(02) 상에 제공된다.
종래 기술의 세라믹 기판이 도 2에 도시된다. LED 칩을 운반하기 위한 기판(06) 및 기판(06) 상에 제공된 반사 캐비티(07)는 세라믹 재료를 이용한다.
제 1
실시예
본 출원의 제 1 실시예에 따른 파워 LED 브래킷을 제조하는 방법이 도 3 및 4에 도시된다.
본 실시예의 제조 단계들이 도 3에 도시된 실시예의 프로세스 흐름도 및 도 4에 도시된 프로세스 단계들의 개략도와 함께 상세히 기술된다.
단계 S11) 양면 금속층 코팅 회로 기판을 준비:
양면 금속층 코팅 회로 기판(1)이 먼저 준비된다. 도 4A에 도시된 바와 같이, 회로 기판(1)은 통상적인 절연 기판(10), 기판의 상부 표면 상에 코팅된 제 1 금속층(11) 및 기판(10)의 하부 표면 상에 코팅된 제 2 금속층(12)을 포함한다. 기판(10)의 재료에 대해서는 어떠한 특별한 요건도 없다. 기판은 PCB 보드와 같은 통상적인 절연 보드일 수 있다. 바람직하게, 기판은 섬유-유리 직물 기판(fiber-glass cloth substrate), CEM-3(Composite Epoxy Material Grade-3) 기판, 또는 CEM-1(Composite Epoxy Material Grade-1) 기판과 같은 저렴한 재료들일 수 있다. 또한, BT(bismaleimide-triazine resin) 기판 및 유사한 베이스 재료들을 이용하는 것이 바람직하다. 바람직하게, 금속층들은 구리 층들을 이용한다.
단계 S12) 블라인드 홀을 형성:
적어도 하나의 블라인드 홀(13)이 기계적 프로세스, 레이저 프로세스 또는 에칭 프로세스에 의해 양면 금속층 코팅 회로 기판 상에 형성되며, 블라인드 홀(13)의 바닥은 제 2 금속층에 의해 형성된다. 즉, 제 2 금속층은 (도 4B에 도시된 바와 같이) 남겨진다. 바람직하게, 블라인드 홀은 M행 x N열의 블라인드 홀 어레이로서 형성되어, (도 2에 도시되지 않은) M행 x N열의 블라인드 홀(13) 어레이를 갖는 브래킷 기판 구조를 형성할 수 있다. 다른 바람직한 해결책에서, 적어도 하나의 소형 전극 블라인드 홀(141)이 그 단계에서 블라인드 홀의 양면의 각 면에 형성되어, (도 4에 도시된 바와 같이) 전극의 일부를 형성한다.
단계 S13) 홀-벽 금속층을 제공:
금속 반사 층(131)이 도금 프로세스, 증착 프로세스 또는 스크린 프린팅 프로세스에 의해 블라인드 홀(13)의 내측 벽 상에 제공된다. 바람직하게, 금속 반사 층은 LED 디바이스의 발광 효과를 증가시키기 위해 구리 층 또는 은 층일 수 있다. 소형 전극 블라인드 홀들(141)을 갖는 바람직한 해결책에서, 전극 도전성 층(142)이 단계 S13)에서 (도 4C에 도시된 바와 같이) 각각의 소형 전극 블라인드 홀(141)의 내측 벽 상에 제공되어, 양의 전극의 일부 또는 음의 전극의 일부를 형성한다. 바람직하게, 전극 도전성 층은 전극의 도전 특성을 개선하기 위해 구리 층 또는 은 층일 수 있다.
단계 S14) 두꺼운 금속층을 형성:
제 3 금속층이 고온 용융 프로세스(hot melt process), 도금 프로세스 또는 증착 프로세스에 의해 양면 금속층 코팅 회로 기판(1)의 제 2 금속층(12) 상에 통합적으로 형성되어, 금속층의 두께를 더 증가시킴으로써, (도 4D에 도시된 바와 같은) 두꺼운 금속층(15)을 형성한다. 바람직하게, 제 3 금속층은 구리 층일 수 있다. 하나의 바람직한 해결책에서, 제 3 금속층이 도금 프로세스 또는 증착 프로세스에 의해 제 2 금속층(12) 상에 형성되어, 제 3 금속층 및 제 2 금속층(12)이, LED 칩을 수용할 수 있는 두께를 갖는 두꺼운 금속층(15)을 형성한다. 다른 바람직한 해결책에서, 먼저, 금속 호일(14)이 양면 금속층 코팅 회로 기판(1)의 하부 표면에서 양면 금속층 코팅 회로 기판(1)에 적층 및 본딩되어, 금속 호일(14)이 (도 4에 도시되지 않은) 회로 기판의 바닥에서 제 2 금속층(12)에 물리적으로 접속되고, 그 다음, 회로 기판의 바닥에서 금속 호일(14) 및 금속층(12)이 고온 용융 프로세스, 도금 프로세스 또는 증착 프로세스에 의해 통합 구조로 밀접하게 접속되어, 두꺼운 금속층(15)을 형성한다. 이러한 해결책에서, 금속 호일(14)과 회로 기판의 바닥 사이에 접착 필름을 제공하고, 그 다음, 접착 필름이 고온으로 가열될 때 본딩 특성을 갖는 상태로 용융되고, 그 다음, 금속 호일(14)이 회로 기판의 바닥에 물리적으로 본딩되도록 금속 호일(14)이 적층되어, 도 4E 및 4F에 도시된 바와 같은 페이크(fake) 접속을 형성하고, 마지막으로, 회로 기판의 바닥에서 금속 호일(14)과 금속층(12)이 고온 용융 프로세스, 도금 프로세스 또는 증착 프로세스에 의해 통합 구조로 밀접하게 접속되어, 두꺼운 금속층(15)을 형성한다.
단계 S15) 에칭을 수행:
에칭 프로세스를 이용하여, 제 1 회로층(16)이 제 1 금속층에 의해 형성되고, 제 2 회로층(17)이 두꺼운 금속층(15)에 의해 형성된다. 제 1 회로층(16)은 리드 접속부(161)와, 리드 접속부(161)에 전기적으로 접속된 제 1 양 및 음의 전극층(162)을 포함한다. 제 2 회로층(17)은 칩 탑재부(171)와, 칩 탑재부(171)로부터 전기적으로 절연된 제 2 양 및 음의 전극층(172)을 포함한다. 블라인드 홀(13)의 바닥은 LED 칩을 운반하기 위한 칩 탑재부(171)로서 기능한다. 소형 전극 블라인드 홀들(141)을 갖는 바람직한 해결책에서, 도전성 금속층(142)이 각각의 소형 전극 블라인드 홀(141)의 내측 벽 상에 제공되고, 도전성 금속층(142)이 제 1 양 및 음의 전극층(162) 및 제 2 양 및 음의 전극층(172)에 전기적으로 접속되어, (도 4E에 도시된 바와 같은) 양의 전극 및 음의 전극을 형성한다. 제 1 회로층, 제 2 회로층 및 블라인드 홀은 파워 LED 브래킷 구조를 형성한다.
단계 S16) 파워 LED 브래킷 구조로부터 파워 LED 브래킷 유닛을 분리:
상기 단계들에 의해 형성된 파워 LED 브래킷 구조가 절단 프로세스에 의해 프로세싱되어, 분리된 파워 LED 브래킷 유닛을 얻게 된다.
일부의 필수적이지 않고, 선택적인 단계들이 상기 단계들에 더 포함될 수 있으며, 그 예는 다음과 같다:
에칭 단계 S13b)가 단계 S14) 이전에 수행될 수 있다. 회로 기판의 하부 표면 상의 제 2 금속층의 대부분은 에칭 프로세스에 의해 제거되고, 후속하는 프로세스들에서의 제 2 회로층의 기초(basis)로서 블라인드 홀의 바닥을 둘러싸는 적어도 금속층을 남기게 된다. 단계 S13b)는 필수적인 것이 아니며, 생략될 수 있다.
회로층들을 도금하는 단계 S15a)가 단계 S15) 이후에 수행될 수 있다. 금속층이 도금 프로세스에 의해 제 1 회로층(16), 제 2 회로층(17), 블라인드 홀(13)의 바닥에서의 금속 호일의 상부 표면 및 블라인드 홀의 내측 벽 상의 금속층 위에 제공되어, 브래킷의 휘도 및 땜납성(solderability)을 증가시킨다. 더 제공되는 금속층은, 은 층, 금 층, 주석 층 또는 다른 유사한 금속층들일 수 있다. 단계 S15a)는 필수적인 것이 아니며, 생략될 수 있다.
컵 형상 커버링 보드를 설치하는 단계 S15a')이 단계 S15) 이후에 수행될 수 있다. 단계 S15a')은 필수적이지 않고 선택적인 단계이며, 다음과 같은 서브 단계들을 포함한다. 즉, 서브 단계 1) 기판을 준비. 기판의 재료에 대해서는 특별한 요건이 없다. 기판은 PCB 보드와 같은 통상적인 절연 보드일 수 있다. 바람직하게, 기판은 섬유-유리 직물 기판, CEM-3 기판, CEM-1 기판, FR-1(Flame Resistant Laminates Grade-1) 및 FR-2(Flame Resistant Laminates Grade-2)와 같은 저렴한 재료들일 수 있다. 또한, BT 기판 및 유사한 베이스 재료들을 이용하는 것이 바람직하다. 서브 단계 2) 기계적 프로세스, 레이저 프로세스 또는 에칭 프로세스에 의해, 기판 상에, 단계 S12)에서 형성된 블라인드 홀의 위치 및 수에 대응하는 위치 및 수로, 컵 홀을 형성하여, 컵 형상 커버링 보드를 형성. 바람직하게, 컵 홀은 반사 컵 형상 또는 원통 형상이다. 서브 단계 3) 디바이스의 콘트라스트 비율(contrast ratio)을 증가시키기 위해 컵 형상 커버링 보드의 상부 표면 상에 블랙 재료를 코팅. 서브 단계 4) 컵 형상 커버링 보드를, 단계 S15) 또는 단계 S15a)에 의해 형성된 회로 기판의 상부 표면에 본딩. 컵 홀은 블라인드 홀의 직경보다 큰 직경을 가져, 컵 형성 커버링 보드가 리드 접속부를 제외한 제 1 회로층의 다른 부분들을 덮도록 한다. 상기 서브 단계들 중에서, 서브 단계 3)은 선택적이며, 생략될 수 있다. 서브 단계 4)의 바람직한 실시예는 다음과 같다. A) 컵 형상 커버링 보드와 회로 기판의 상부 표면 사이에 접착 필름을 제공; B) 접착 필름이 접착 특성을 갖는 상태로 용융될 때까지 고온에서 접착 필름을 가열함으로써, 컵 형상 커버링 보드를 회로 기판의 상부 표면에 본딩.
단계 S15a) 및 S15a')은 필수적이지 않으므로, 두 단계들 중 하나 또는 둘다, 다른 실시예에서 생략될 수 있다.
통상적인 절연 보드는 수행하기 용이하고, 높은 수율을 달성할 수 있는 상기 프로세스들에서 프로세싱될 수 있다. 종래 기술과 비교하여, 상기 프로세스들은 생상 효율성을 크게 개선시킬 수 있으며, 생산 비용을 감소시킬 수 있다.
상기 단계들에 의해 형성된 파워 LED 브래킷 유닛은 표면 탑재 브래킷이며, 높은 파워 LED용으로 종래의 PLCC 타입 브래킷 및 세라믹 기판 브래킷을 대체할 수 있다. 단계 S15a')을 포함하는 단계들에 의해 형성된 파워 LED 브래킷 유닛은 종래의 통상적인 최상부 광 조명(top light-illuminating) LED 브래킷을 대체할 수 있으며, 특히 디스플레이 스크린용의 최상부 광 조명 LED 디바이스에 적용가능하다.
본 실시예는 블라인드 홀의 금속 도전성 층(131)이 양면 금속층 코팅 회로 기판(1) 상에 형성되고, 통합적인 두꺼운 금속층이, 회로 기판의 제 2 금속층 상에 제 3 금속층을 직접 형성함으로써, 또는 제 2 금속층 상에 금속 호일을 본딩하여 밀접한 접속을 형성함으로써 형성되는, 몇 가지의 단순한 프로세스들을 이용한다. 프로세스들은 문제점들, 예를 들면, 홀의 바닥의 에지와 금속 시트 사이에 갭이 존재할 수 있고, 갭으로 인해 "레드 잉크 테스트"와 같은 신뢰도 테스트를 통과하기 어렵다는 문제점들을 해결하여, 파워 LED 브래킷의 신뢰도를 개선시킬 수 있다. 동시에, 본 실시예의 프로세스에서, 통합적인 두꺼운 금속층이 블라인드 홀의 바닥에 형성되어, 블라인드 홀의 바닥에서 부드러운 접속이 형성됨으로써, LED 제품의 발광율이 증가될 수 있다.
제 2
실시예
본 출원의 제 2 실시예에 따른 파워 LED 브래킷을 제조하는 방법이 도 5 및 6에 도시된다.
본 실시예의 제조 단계들이 도 5에 도시된 실시예의 프로세스 흐름도 및 도 6에 도시된 프로세스 단계들의 개략도와 함께 상세히 기술된다.
단계 S21) 양면 금속층 코팅 회로 기판을 준비:
양면 금속층 코팅 회로 기판(2)이 먼저 준비된다. 회로 기판(2)은 통상적인 절연 기판(20), 기판의 상부 표면 상에 코팅된 제 1 금속층(21) 및 기판의 하부 표면 상에 코팅된 제 2 금속층(22)을 포함한다. 기판(20)의 재료에 대해 특별한 요건은 없다. 기판은 PCB 보드와 같은 통상적인 절연 보드일 수 있다. 바람직하게, 기판은 섬유-유리 직물 기판(FR-4), CEM-3 기판 또는 CEM-1 기판일 수 있다. 또한, BT 기판 및 유사한 베이스 재료들을 이용하는 것이 바람직하다. 바람직하게, 금속층들은 구리 층들이다.
단계 S22) 스루 홀을 형성:
기계적 프로세스, 레이저 프로세스 또는 에칭 프로세스에 의해, (도 6B에 도시된 바와 같이) 적어도 하나의 스루 홀(23)이 양면 금속층 코팅 회로 기판(2) 상에 형성된다. 하나의 바람직한 해결책에서, 스루 홀은 (도 6에 도시되지 않은) M행 x N열의 스루 홀(23) 어레이를 갖는 브래킷 기판을 형성하기 위해, M행 x N열의 스루 홀 어레이로서 형성될 수 있다. 다른 바람직한 해결책에서, 적어도 하나의 소형 전극 스루 홀(281)이 그 단계에서 스루 홀의 양면의 각 면에 형성되어, 전극의 일부를 형성한다.
단계 S23) 홀-벽 금속층을 제공:
반사 특성을 갖는 금속층(231)이 도금 프로세스, 증착 프로세스 또는 스크린 프린팅 프로세스에 의해 스루 홀(23)의 내측 벽 상에 제공된다. 소형 전극 스루 홀들(281)을 갖는 바람직한 해결책에서, 금속층이 각각의 소형 전극 스루 홀의 내측 벽 상에 제공되어 (도 6C에 도시된 바와 같은) 전극 도전성 층(282)을 형성함으로써, 양의 전극의 일부 또는 음의 전극의 일부를 형성한다.
단계 S24) 제 1 에칭을 수행:
금속층 코팅 회로 기판의 상부 표면 상의 제 1 금속층(21)이 남겨진다. 금속층 코팅 회로 기판의 하부 표면 상의 제 2 금속층(22)의 대부분은 에칭 프로세스에 의해 제거되고, 후속 플세스들에서 형성될 칩 탑재부의 기초로서 스루 홀(23)의 바닥의 에지를 둘러싸는 금속층(221)을 남기게 된다. 소형 전극 스루 홀들을 갖는 바람직한 해결책에서, 각각의 소형 전극 스루 홀(281)의 바닥의 에지를 둘러싸는, 제 2 금속층(22)에서의 금속층(222)은, 후속 프로세스들에서 형성될 제 2 양 및 음의 전극층의 기초로서 남게 되어, (도 6D에 도시된 바와 같이) 브래킷의 양의 및 음의 전극층들의 일부를 형성한다.
단계 S25) 금속층의 두께를 증가:
회로 기판의 하부 표면 상의 금속층의 두께는 고온 용융 프로세스, 증착 프로세스 또는 도금 프로세스에 의해 증가된다. 제 3 금속층이 제 2 금속층 상에 통합적으로 형성되어 두꺼운 금속층을 형성함으로써, 홀의 바닥에서의 금속층이 LED 칩을 수용할 수 있는 두께를 갖도록 한다.
그 단계를 실현하기 위한 바람직한 하나의 해결책은 금속 호일을 제공하여 금속층의 두께를 증가시키는 것이다. 즉, 금속 호일(24)이 양면 금속층 코팅 회로 기판(2) 상에서, 양면 금속층 코팅 회로 기판(2)의 하부 표면에 적층되어, 두꺼운 금속층을 형성한다. 두 개의 서브 단계들이 포함된다. 즉, 1) 본딩 프로세스에 의해 회로 기판의 바닥에 금속 호일(24)을 적층 및 본딩하는 것을 포함하는, 금속 호일을 적층하여 도 6F에 도시된 바와 같은 페이크 접속을 형성; 2) 고온 용융 프로세스, 도금 프로세스 또는 증착 프로세스에 의해, 회로 기판의 바닥에서 금속 호일과 금속층을 통합 구조로 밀접하게 접속하는 것을 포함하는, 회로 기판의 바닥에서 금속층과 금속 호일을 통합적으로 접속하여 두꺼운 금속층을 형성.
상기 바람직한 해결책에서, 금속 호일을 적층하는 서브 단계는 금속 호일(24)을 접착 필름(25)을 통해 양면 금속층 코팅 회로 기판(2)의 바닥에 본딩함으로써 실현될 수 있다. 이하의 서브 단계들이 포함된다. 즉, A) 금속 호일(24)과 양면 금속층 코팅 회로 기판(2)의 바닥 사이에 접착 필름(25)을 제공; B) 접착 필름(25)이 접착 특성을 갖는 상태로 용융될 때까지 고온에서 접착 필름(25)을 가열한 후, 금속 호일(24)을 양면 금속층 코팅 회로 기판(2)의 바닥에 적층 및 본딩하여, 금속 호일(24)과 양면 금속층 코팅 회로 기판(2)이 물리적으로 함께 접속되어, 도 6F에 도시된 페이크 접속을 형성하도록 함. 소형 전극 스루 홀들을 갖는 바람직한 해결책에서, 도 6F에 도시된 바와 같은 페이크 접속이 금속 호일(24)과 회로 기판의 각각의 소형 전극 스루 홀(281)의 바닥에서의 금속층(222) 사이에 더 형성된다. 금속 호일과 양면 금속층 코팅 회로 기판을 통합적으로 접속하는 단계는 고온 용융 프로세스, 도금 프로세스 또는 증착 프로세스에 의해 실현되어, 금속 호일(24)과 양면 금속층 코팅 회로 기판(2)의 스루 홀 주변의 금속층(221)이 통합 구조로 밀접하게 접속됨으로써, 금속 호일과 양면 금속층 코팅 회로 기판의 통합을 실현할 수 있다. 바람직하게, 소형 전극 스루 홀들을 갖는 해결책에서, 그것은 회로 기판의 각각의 소형 전극 스루 홀(281)의 바닥에서의 금속층(222)과 금속 호일(24)을 밀접하게 접속하여 (도 6E, 6F, 6G에 도시된 바와 같이) 통합적인 두꺼운 금속층을 형성하는 서브 단계를 더 포함한다.
현 단계에서, 금속 호일(24)이, 금속 호일을 적층하는 서브 단계 이후에, 양면 금속층 코팅 회로 기판(2)에 물리적으로 접속되지만, 금속 호일(24) 및 스루 홀(23)의 바닥에서의 금속층(221)은 통합적인 구조를 형성하지 않으며, 그것은 LED 브래킷이 "레드 잉크 테스트"와 같은 신뢰도 테스트를 통과하는데 실패하게 하고, LED 브래킷의 신뢰도 및 안정성에 영향을 미칠 수 있다. 금속 호일(24)은 금속 호일을 양면 금속층 코팅 회로 기판과 통합적으로 접속하는 단계에 의해 양면 금속층 코팅 회로 기판(2)의 바닥과 밀접하게 접속되어, 금속 호일과 양면 금속층 코팅 회로 기판의 통합을 달성할 수 있고, 신뢰도 테스트 통과에 실패하는 문제점을 극복하고, 파워 LED 브래킷의 신뢰도를 증가시킬 수 있다. 더욱이, 스루 홀의 바닥은 그 단계에 의해 평활화될 수 있어, 스루 홀의 광 반사율을 증가시킨다.
단계 S26) 제 2 에칭을 수행:
에칭 프로세스를 이용하여, 제 1 회로층(26)이 제 1 금속층(21)에 의해 형성되고, 제 2 회로층(27)이 두꺼운 금속층에 의해 형성된다. 제 1 회로층(26)은 리드 접속부(261)와, 리드 접속부(261)에 전기적으로 접속된 제 1 양 및 음의 전극층(262)을 포함한다. 제 2 회로층(27)은 칩 탑재부(271)와, 칩 탑재부(271)로부터 전기적으로 절연된 제 2 양 및 음의 전극층(272)을 포함한다. 스루 홀(23)의 바닥에 위치하며 스루 홀(23)의 바닥을 밀봉(sealing)하는 금속 호일(24)의 일부분은 LED 칩을 운반하는 칩 탑재부(271)로서 기능한다. (도 6H에 도시된 바와 같은) 양의 소형 전극 스루 홀 및 음의 소형 전극 스루 홀을 갖는 바람직한 해결책에서, 에칭 프로세스에서 형성된 제 2 양 및 음의 전극층(272)은 소형 전극 스루 홀(281)의 바닥에 위치하며 소형 전극 스루 홀(281)의 바닥을 밀봉하는 금속층이다. 각각의 소형 전극 스루 홀(281)의 내측 벽 상의 금속층(282)이 제 1 양 및 음의 전극층(262)에, 그리고 제 2 양 및 음의 전극층(272)에 각각 전기적으로 접속되어, (도 6H에 도시된 바와 같은) 파워 LED 브래킷의 양의 전극 또는 음의 전극(28)을 형성한다.
제 1 실시예와 유사하게, 회로층을 도금하는 선택적인 단계 S26a)가 금속층을 에칭하는 단계 이후에 수행될 수 있으며, 제 1 회로층(26), 제 2 회로층(27), 스루 홀(23)의 바닥에서의 금속 호일(24)의 상부 표면 및 스루 홀(23)의 내측 벽 상의 금속층(231) 상에 도금 프로세스에 의해 금속 도금 층을 형성하여, 브래킷의 휘도 및 용융성을 증가시키는 것을 포함한다. 금속 도금 층은, 은 층, 금 층, 주석 층 또는 다른 유사한 금속층들일 수 있다.
제 1 실시예와 유사하게, 컵 형상 커버링 보드를 설치하는 선택적인 단계 S26a')이 금속층을 에칭하는 단계 이후에 수행될 수 있다. 단계 S26a')의 세부적인 서브 단계들은 제 1 실시예에서 기술된 관련 내용들과 유사하며, 본 명세서에서는 기술되지 않을 것이다.
상기 두 개의 선택적인 단계들은 필수적인 것이 아니므로, 두 단계들 중 하나 또는 둘다, 다른 실시예에서 생략될 수 있다.
단계 S27) 파워 LED 브래킷 구조로부터 파워 LED 브래킷 유닛을 분리하는 단계로서, 절단 프로세스에 의해 상기 단계들에 의해 형성된 파워 LED 브래킷 구조를 프로세싱하여 분리된 파워 LED 브래킷 유닛을 얻는다.
통상적인 절연 보드가, 수행이 용이하고 높은 수율을 달성할 수 있는 상기 프로세스들에서 프로세싱될 수 있다. 종래 기술과 비교하여, 상기 프로세스들은 생산 효율성을 크게 개선시키며, 생산 비용을 감소시킬 수 있다.
본 실시예는 스루 홀의 금속 도전성 층(231)이 양면 금속층 코팅 회로 기판(2) 상에 형성되며, 통합적인 두꺼운 금속층이 금속 호일을 제 2 금속층에 본딩하여 밀접한 접속을 형성한 후에 형성되는, 몇 가지의 단순한 프로세스들을 이용한다. 이들 프로세스들은 문제점들, 예를 들면, 홀의 바닥의 에지와 금속층 사이에 갭이 존재할 수 있고, 갭으로 인해 "레드 잉크 테스트"와 같은 신뢰도 테스트를 통과하기 어렵다는 문제점들을 해결하여, 파워 LED 브래킷의 신뢰도를 개선시킬 수 있다. 동시에, 본 실시예의 프로세스들에서, 스루 홀의 내측 벽 상에 제공된 금속층이 스루 홀의 바닥에서 두꺼운 금속층과 통합 구조를 형성하여, 홀의 바닥에서 부드러운 접속이 형성됨으로써, LED 제품의 발광율이 증가될 수 있다.
제 3
실시예
본 출원에 따른 파워 LED 브래킷이 도 7에 도시된다. 파워 LED 브래킷은 양면 금속층 코팅 회로 기판을 이용하는 브래킷 기판(3), 브래킷 기판(3)에 제공된 적어도 하나의 스루 홀(31), 스루 홀(31)의 양면에서의 양의 및 음의 전극(32), 및 스루 홀(31)의 바닥에서의 칩 탑재부(351)를 포함한다. 브래킷 기판(3)은 제 1 금속층(33), 제 2 금속층(34), 및 제 1 금속층과 제 2 금속층 사이에 제공된 절연 기판을 포함한다. 바람직하게, 양의 및 음의 전극(32) 각각은 브래킷 기판(3)을 관통하는 적어도 하나의 소형 전극 스루 홀(321)을 포함한다. 각각의 소형 전극 스루 홀(321)의 내측 벽은, 도전성 층(322)이 제공되거나, 또는 도전성 재료(도시되지 않음)로 채워진다. 제 1 금속층(33)은 제 1 회로층으로서 형성되고, 제 1 회로층은, 스루 홀(31) 근처에 있으며 금속 리드를 솔더링하는 리드 접속부(331)와, 스루 홀의 양면에 위치되며 리드 접속부(331)에 전기적으로 접속되는 제 1 양 및 음의 전극층(332)을 포함한다. 제 2 금속층(34)은 제 2 회로층으로서 형성되고, 제 2 회로층은, 스루 홀(31)의 바닥을 둘러싸는 금속층(341)과, 각각의 소형 전극 스루 홀(321)의 바닥을 둘러싸는 금속층(342)을 포함한다. 반사 특성을 갖는 금속층(311)이 스루 홀(31)의 내측 벽 상에 제공된다. 금속 호일(35)이 브래킷 기판(3)의 바닥에 더 제공되며, 금속 호일(35)의 일부는 칩 탑재부(351)로서 기능하는 스루 홀(31)의 바닥을 밀봉한다. 금속 호일(35)은 접착 필름(36)을 통해 브래킷 기판(3)의 바닥에 본딩되며, 스루 홀(31)의 바닥에서 금속층(341)과 통합 구조를 형성한다. 금속 호일(35)은 칩 탑재부(351)로부터 전기적으로 절연된 제 2 양 및 음의 전극층(352)을 더 포함한다. 전극 도전성 층들(322) 또는 도전성 재료들(도시되지 않음)이 제 1 양 및 음의 전극층(332) 및 제 2 양 및 음의 전극층(352)에 전기적으로 접속된다.
제 4
실시예
본 출원의 제 2 실시예에 따른 파워 LED 브래킷이 도 8에 도시된다. 본 실시예의 파워 LED 브래킷은, 브래킷 기판(3)의 상부 표면 상에 제공된 컵 형상 커버링 보드(37)를 더 포함함으로써, 제 1 실시예에 따른 파워 LED 브래킷과는 상이하다. 컵 형상 커버링 보드(37)는 접착 필름(36)을 통해 브래킷 기판(3)의 상부 표면에 접속되고, 스루 홀(31)의 위치에 대응하는 컵 홀(371)을 더 포함한다. 컵 홀(371)의 직경은 스루 홀(31)의 직경보다 크고, 리드 접속부(331)는 컵 홀(371)에서 노출되며, 양의 및 음의 전극(32)은 컵 형상 커버링 보드(37)에 의해 덮인다. 바람직하게, 컵 형상 커버링 보드(37)의 컵 홀(371)은 반사 컵 형상 또는 원통 형상일 수 있으며, 본 실시예로 제한되지 않는다. 바람직하게, 컵 형상 커버링 보드(37)의 상부 표면은 블랙 재료로 코팅되어 콘트라스트 비율을 증가시킬 수 있다. 따라서, 이러한 종류의 파워 LED 브래킷은 실내 또는 실외 LED 디스플레이 스크린에 특히 적용가능하다.
제 5
실시예
본 출원의 제 3 실시예에 따른 파워 LED 브래킷이 도 9에 도시된다. 파워 LED 브래킷은 양면 금속층 코팅 회로 기판을 이용하는 브래킷 기판(4), 브래킷 기판(4)에 제공된 적어도 하나의 블라인드 홀(41), 및 블라인드 홀(41)의 양면에 위치된 양의 및 음의 전극(42)을 포함한다. 브래킷 기판(4)은 제 1 금속층(43), 제 2 금속층(44), 및 제 1 금속층과 제 2 금속층 사이에 제공된 절연 기판을 포함한다. 제 1 금속층(43)은 제 1 회로층으로서 형성되고, 제 1 회로층은, 블라인드 홀(41) 근처에 있으며 금속 리드를 솔더링하는 리드 접속부(431)와, 블라인드 홀의 양면에 위치되며 리드 접속부(431)에 전기적으로 접속되는 제 1 양 및 음의 전극층(432)을 포함한다. 제 2 금속층(44)은 제 2 회로층으로서 형성되고, 제 2 회로층은, 블라인드 홀(41)의 바닥으로서 기능하는 (칩 탑재부(441)라고 지칭되는) 금속층과, 제 2 양 및 음의 전극층(442)을 포함한다. 반사 특성을 갖는 금속층(411)이 블라인드 홀(41)의 내측 벽 상에 제공된다. 칩 탑재부(441)는 제 2 양 및 음의 전극층(442)으로부터 전기적으로 절연된다. 바람직하게, 양이 및 음의 전극(42) 각각은 제 1 금속층(43) 및 브래킷의 기판(4)을 관통하는 적어도 하나의 소형 전극 블라인드 홀(421)을 포함한다. 각각의 소형 전극 블라인드 홀(421)의 내측 벽은 전극 도전성 층(422)이 제공되거나, 또는 도전성 재료(도시되지 않음)로 채워지며, 전극 도전성 층(422) 또는 도전성 재료는 제 1 양 및 음의 전극층(432) 및 제 2 양 및 음의 전극층(442)에 전기적으로 접속된다.
제 6
실시예
본 출원의 제4 실시예에 따른 파워 LED 브래킷이 도 10에 도시된다. 본 실시예의 파워 LED 브래킷은, 브래킷 기판(4)의 상부 표면 상에 제공된 컵 형상 커버링 보드(45)를 더 포함함으로써, 제 3 실시예에 따른 파워 LED 브래킷과 상이하다. 컵 형상 커버링 보드(45)는 접착 필름(46)을 통해 브래킷 기판(4)의 상부 표면에 접속되며, 블라인드 홀(41)의 위치에 대응하는 컵 홀(451)을 더 포함한다. 컵 홀(451)의 직경은 블라인드 홀(41)의 직경보다 크고, 리드 접속부(431)는 컵 홀(451)에서 노출되고, 양의 및 음의 전극(42)은 컵 형상 커버링 보드(45)에 의해 덮인다. 컵 형상 커버링 보드(45)는 반사 컵 형상 또는 원통 형상일 수 있으며, 본 실시예로 제한되지 않는다. 다른 실시예들에서, 컵 형상 커버링 보드(45)의 상부 표면은 블랙 재료로 코팅되어, 콘트라스트 비율을 증가시킬 수 있다. 따라서, 이러한 종류의 파워 LED 브래킷은 실내 또는 실외 LED 디스플레이 스크린에 특히 적용가능하다.
요약하면, 본 출원은 통상적인 절연 보드를 파워 LED 브래킷을 제조하기 위한 기판으로서 이용함으로써 종래 기술에서의 기술적인 편견을 극복한다. 본 출원은 단순한 프로세싱 방법을 이용하며, 높은 수율을 달성할 수 있다. 본 출원에 따라 제조된 제품은 고유한 구조적인 디자인, 낮은 생산 비용, 높은 범용적 적용성, 우수한 열 방출 효과를 가지며, 널리 적용될 수 있고, 산업상의 배치 생산에 적용가능하다. 한 마디로, 본 출원은 현저한 이로운 효과를 달성한다.
Claims (31)
- 표면 탑재 파워 LED 브래킷(surface mounted power LED bracket)을 제조하는 방법으로서,
1) 양면 금속층 코팅 회로 기판을 준비하는 단계 - 상기 준비 단계는, 통상의 절연 보드를 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판용 기판으로서 제공하는 단계와, 상기 기판의 상부 표면을 제 1 금속층으로 코팅하고 상기 기판의 하부 표면을 제 2 금속층으로 코팅함으로써, 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판을 형성하는 단계를 포함함 - 와,
2) 스루 홀을 형성하는 단계 - 상기 스루 홀 형성 단계는 기계적 프로세스, 레이저 프로세스 또는 에칭 프로세스에 의해 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판에 적어도 하나의 스루 홀을 형성하는 단계를 포함함 - 와,
3) 스루 홀-벽(a through hole-wall) 금속층을 제공하는 단계 - 상기 스루 홀-벽 금속층 제공 단계는 도금 프로세스, 증착 프로세스 또는 스크린 프린팅 프로세스에 의해 상기 스루 홀의 내측 벽 상에 금속층을 제공하는 단계를 포함함 - 와,
4) 금속층의 두께를 증대시키는 단계 - 상기 금속층의 두께를 증대시키는 단계는, 상기 스루 홀의 바닥에서의 금속층이 LED 칩을 수용할 수 있는 두께를 갖도록 두꺼운 금속층을 형성하기 위해 퓨전(fusion) 프로세스, 증착 프로세스 또는 도금 프로세스에 의해 상기 제 2 금속층과 통합된 제 3 금속층을 형성하여, 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 하부 표면 상의 금속층의 두께를 증대시키는 단계를 포함함 - 와,
5) 금속층들을 에칭하는 단계 - 상기 에칭 단계는, 에칭 프로세스에 의해 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 금속층들을 프로세싱하여, 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 상부 표면 상에 제 1 회로층을, 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 하부 표면 상에 제 2 회로층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제 1 회로층, 상기 제 2 회로층 및 상기 스루 홀은 파워 LED 브래킷 구조를 형성함 - 와,
6) 상기 파워 LED 브래킷 구조로부터 파워 LED 브래킷 유닛을 분리하는 단계 - 상기 분리 단계는, 절단 프로세스에 의해, 상기 단계들에 의해 형성된 상기 파워 LED 브래킷 구조로부터 파워 LED 브래킷 유닛을 분리하는 단계를 포함함 - 를 포함하되,
상기 단계 4)에 있어서, 상기 제 3 금속층은 금속 호일이고, 상기 두꺼운 금속층을 형성하는 프로세스는, 서브 단계 a) 금속 호일을 적층하는 단계 - 상기 금속 호일을 적층하는 단계는 본딩 프로세스에 의해 상기 금속 호일을 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 하부 표면에 적층 및 본딩하여 페이크 접속을 형성하는 단계를 포함함 - 와, 서브 단계 b) 상기 금속 호일과 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 하부 표면상의 금속층을 통합적으로 접속시키는 단계 - 상기 통합적으로 접속시키는 단계는 고온 용융 프로세스, 도금 프로세스 또는 증착 프로세스에 의해 상기 금속 호일과 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 하부 표면상의 금속층을 통합 구조로 밀접하게 접속시켜 상기 두꺼운 금속층을 형성하는 단계를 포함함 - 를 포함하고,
상기 단계 5)에 있어서, 상기 제 1 회로층은 상기 제 1 금속층을 에칭함으로써 형성되고, 상기 제 1 회로층은 상기 스루 홀을 둘러싸는 리드 접속부 및 상기 리드 접속부에 전기적으로 접속된 제 1 양 및 음의 전극층을 포함하고, 상기 제 2 회로층은 상기 두꺼운 금속층을 에칭함으로써 형성되고, 상기 제 2 회로층은 상기 스루 홀의 바닥에서의 칩 탑재부 및 상기 칩 탑재부로부터 전기적으로 절연된 제 2 양 및 음의 전극층을 포함하며, 상기 칩 탑재부는 상기 스루 홀의 바닥에서의 상기 두꺼운 금속층에 의해 형성되고 상기 LED 칩을 수용하도록 구성되며, 상기 제 1 양 및 음의 전극층과 상기 제 2 양 및 음의 전극층은 상기 표면 탑재 파워 LED 브래킷의 양의 전극 및 음의 전극을 형성하는
표면 탑재 파워 LED 브래킷 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 단계 1)에서, 상기 절연 보드는 PCB 보드이고,
상기 단계 2)에서, 상기 형성된 스루 홀은 M행 x N열의 스루 홀 어레이인
표면 탑재 파워 LED 브래킷 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 방법은, 상기 단계 4) 이전에, 상기 제 2 회로층의 기초(basis)로서 상기 스루 홀의 바닥을 둘러싸는 상기 제 2 금속층을 적어도 남기기 위해 에칭 프로세스에 의해 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 하부 표면 상의 상기 제 2 금속층의 대부분을 제거하는 에칭 단계를 더 포함하는
표면 탑재 파워 LED 브래킷 제조 방법.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 단계 2)에서, 상기 스루 홀의 양측의 각 측에 적어도 하나의 소형 전극 홀이 형성되어, 전극의 일부를 형성하고,
상기 단계 3)에서, 홀-벽 금속 도전성 층이 각각의 소형 전극 홀의 내측 벽에 제공되어, 상기 전극의 일부를 형성하고,
상기 단계 5)에서, 상기 형성된 제 1 양 및 음의 전극층 및 상기 형성된 제 2 양 및 음의 전극층은 상기 소형 전극 홀에 대응하고 각각의 소형 전극 홀의 내측 벽 상의 상기 홀-벽 금속 도전성 층에 전기적으로 접속되며, 상기 제 1 양 및 음의 전극층, 상기 제 2 양 및 음의 전극층, 및 상기 소형 전극 홀의 상기 홀-벽 금속 도전성 층은 상기 표면 탑재 파워 LED 브래킷의 양의 전극 및 음의 전극을 형성하는
표면 탑재 파워 LED 브래킷 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서,
상기 단계 1)에서, 상기 절연 보드는 섬유-유리 직물 기판, CEM-3 기판, CEM-1 기판 또는 BT(bismaleimide-triazine resin) 기판이고, 상기 절연 보드 상에 코팅된 금속층들은 구리 층들이며,
상기 단계 2)에서, 상기 형성된 스루 홀은 M행 x N열의 스루 홀 어레이이고,
상기 단계 3)에서, 상기 홀-벽 금속층은 구리 층 또는 은 층이고,
상기 단계 4)에서, 상기 제 3 금속층은 구리 층인
표면 탑재 파워 LED 브래킷 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 방법은, 상기 단계 6) 이전에, 상기 회로층들을 도금하는 단계를 더 포함하고,
상기 도금 단계는, 도금 프로세스에 의해 상기 제 1 회로층, 상기 제 2 회로층 및 상기 스루 홀의 내측 벽에 금속층을 도금하는 단계를 포함하는
표면 탑재 파워 LED 브래킷 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,
상기 도금된 금속층은 은 층, 금 층 또는 주석 층인
표면 탑재 파워 LED 브래킷 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 방법은, 상기 단계 6) 이전에, 컵 형상 커버링 보드(cup-shaped covering board)를 설치하는 단계를 더 포함하고,
상기 설치 단계는,
서브 단계 1) 절연 기판을 준비하는 단계와,
서브 단계 2) 상기 단계 2)에서 형성된 상기 스루 홀에 대응되는 컵 형상 바디(cup-shaped body)를 기계적 프로세스, 레이저 프로세스 또는 에칭 프로세스에 의해 상기 기판 상에 형성하여, 상기 컵 형상 커버링 보드를 형성하는 단계 - 상기 컵 형상 바디의 개구부의 직경은 상기 스루 홀의 직경보다 큼 - 와,
서브 단계 3) 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 상부 표면 상에 상기 컵 형상 커버링 보드를 설치 및 본딩하는 단계 - 상기 스루 홀은 노출되고, 리드 접속부를 제외한 상기 제 1 회로층의 다른 부분들은 덮여짐 - 를 포함하는
표면 탑재 파워 LED 브래킷 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,
상기 서브 단계 2)에서, 상기 절연 기판은 섬유-유리 직물 기판, CEM-3 기판, CEM-1 기판, FR-1 기판, FR-2 기판 또는 BT 기판이고, 형성된 컵 스루 홀은 반사 컵 형상 또는 원통 형상이며,
상기 서브 단계 2) 이후에, 상기 방법은 상기 컵 형상 커버링 보드의 상부 표면 상에 블랙 재료를 코팅하여 디바이스의 콘트라스트 비율을 증가시키는 서브 단계를 더 포함하고,
상기 서브 단계 3)에서, 상기 컵 형상 커버링 보드는 접착 필름을 통해 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 상부 표면에 본딩되는
표면 탑재 파워 LED 브래킷 제조 방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 단계 4)에서, 상기 금속 호일을 적층하는 서브 단계에서 상기 금속 호일의 적층 및 본딩하는 단계는, 상기 금속 호일과 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 하부 표면 사이에 접착 필름을 제공하는 단계와, 상기 접착 필름이 접착 특성을 갖는 상태로 용융될 때까지 고온으로 상기 접착 필름을 가열하는 단계와, 상기 금속 호일이 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 하부 표면에 물리적으로 본딩되도록 상기 금속 호일을 적층하여 상기 페이크 접속을 형성하는 단계를 포함하는
표면 탑재 파워 LED 브래킷 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,
상기 단계 2)는, 상기 스루 홀의 양측의 각 측에서 적어도 하나의 소형 전극 스루 홀을 형성하여 전극의 일부를 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 단계 3)은, 도금 프로세스, 증착 프로세스 또는 스크린 프린팅 프로세스에 의해 각각의 소형 전극 스루 홀의 내측 벽 상에 금속 도전성 층을 제공하는 단계를 더 포함하고,
상기 단계 4) 이전의 상기 에칭 단계에서, 각각의 소형 전극 스루 홀의 바닥을 둘러싸는 금속층은 상기 제 2 양 및 음의 전극층의 기초로서 남게 되고,
상기 단계 4)에서, 상기 금속 호일을 적층하는 서브 단계는, 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 하부 표면에 상기 금속 호일을 적층 및 본딩하여 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 하부 표면상에 상기 금속층과의 페이크 접속을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 단계 5)에서, 상기 에칭 프로세스에 의해 형성된 상기 제 1 양 및 음의 전극층은 각각의 소형 전극 스루 홀의 내측 벽 상의 상기 금속 도전성 층에 전기적으로 접속되고, 상기 에칭 프로세스에 의해 형성된 상기 제 2 양 및 음의 전극층은 각각의 소형 전극 스루 홀의 바닥에서의 상기 두꺼운 금속층의 일부이고 각각의 소형 전극 스루 홀의 내측 벽 상의 상기 금속 도전성 층에 전기적으로 접속되며, 상기 제 1 양 및 음의 전극층, 상기 제 2 양 및 음의 전극층, 및 상기 소형 전극 스루 홀은 상기 표면 탑재 파워 LED 브래킷의 양의 전극 및 음의 전극을 형성하는
표면 탑재 파워 LED 브래킷 제조 방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항, 제 5 항 내지 제 10 항, 제 15 항 및 제 16 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된 표면 탑재 파워 LED 브래킷 구조물로서,
브래킷용 회로 기판으로서 제공된 양면 금속층 코팅 회로 기판 - 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판은 기판으로서 이용되는 통상적인 절연 기판과, 상기 기판의 상부 표면 상에 코팅된 제 1 금속층과, 상기 기판의 하부 표면 상에 코팅된 제 2 금속층을 포함함 - 과,
상기 양면 금속층 코팅 회로 기판에 제공된 적어도 하나의 스루 홀 - 상기 스루 홀의 내측 벽 상에 금속층이 제공되고, 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 하부 표면상의 상기 제 2 금속층 상에 제 3 금속층으로서 금속 호일이 제공되고, 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 하부 표면상의 상기 금속층 및 상기 금속 호일은 밀접한 접속으로 통합적으로 접속되어 상기 두꺼운 금속층을 형성하도록, 상기 금속 호일은 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 하부 표면에 적층 및 본딩되어 페이크 접속을 형성하고, 상기 스루 홀의 바닥에서의 금속층은 LED 칩을 수용할 수 있는 두께를 가짐 - 과,
상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 상부 표면 상에 제공된 제 1 회로층 및 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 하부 표면 상에 제공된 제 2 회로층 - 상기 제 1 회로층은 상기 스루 홀을 둘러싸는 리드 접속부 및 상기 리드 접속부에 전기적으로 접속된 제 1 양 및 음의 전극층을 포함하고, 상기 제 2 회로층은 상기 스루 홀의 바닥에서의 칩 탑재부 및 상기 칩 탑재부로부터 전기적으로 절연된 제 2 양 및 음의 전극층을 포함하고, 상기 칩 탑재부는 상기 스루 홀의 바닥에서의 상기 두꺼운 금속층에 의해 형성되고 상기 LED 칩을 수용하도록 구성되며, 상기 제 1 양 및 음의 전극층과, 상기 제 2 양 및 음의 전극층은 전기적으로 접속되어 상기 브래킷의 양의 전극 및 음의 전극을 형성하고, 상기 제 1 회로층, 상기 제 2 회로층 및 상기 스루 홀은 상기 파워 LED 브래킷 구조를 절단함으로써 별도의 파워 LED 브래킷 유닛이 분리될 수 있는 상기 파워 LED 브래킷 구조물을 형성함 - 을 포함하는
표면 탑재 파워 LED 브래킷 구조물.
- 제 17 항에 있어서,
상기 양면 금속층 코팅 회로 기판은 절연 보드로서 PCB 보드를 이용하고 M행 x N열의 스루 홀 어레이로 형성되며,
상기 제 2 회로층의 기초로서 상기 스루 홀의 바닥을 둘러싸는 상기 제 2 금속층을 적어도 남기기 위해 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 하부 표면 상의 상기 제 2 금속층의 대부분은 제거되고,
상기 제 2 회로층은 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 하부 표면 상에 남겨진 상기 제 2 금속층 및 에칭된 제 3 금속층을 포함하는
표면 탑재 파워 LED 브래킷 구조물.
- 삭제
- 제 17 항에 있어서,
상기 스루 홀의 양측의 각 측에 적어도 하나의 소형 전극 홀이 형성되어 전극의 일부를 형성하고,
각각의 소형 전극 홀의 내측 벽 상에 홀-벽 금속 도전성 층이 제공되어 상기 전극의 일부를 형성하고,
상기 스루 홀의 바닥 및 상기 소형 전극 홀의 바닥을 둘러싸는 상기 제 2 금속층을 적어도 남기기 위해 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 하부 표면 상의 상기 제 2 금속층의 대부분은 제거되며,
상기 제 1 양 및 음의 전극층의 위치와, 상기 제 2 양 및 음의 전극층의 위치는 상기 소형 전극 홀에 대응하고 상기 소형 전극 홀의 내측 벽 상의 금속 도전성 층에 전기적으로 각각 접속되고,
상기 제 1 양 및 음의 전극층, 상기 제 2 양 및 음의 전극층, 및 상기 소형 전극 홀의 금속 도전성 층은 상기 브래킷의 상기 양의 전극 및 음의 전극을 형성하는
표면 탑재 파워 LED 브래킷 구조물.
- 제 20 항에 있어서,
상기 절연 기판은 섬유-유리 직물 기판, CEM-3 기판, CEM-1 기판 또는 BT 기판이고,
상기 절연 기판 상에 코팅된 상기 제 1 금속층 및 상기 제 2 금속층은 구리 층들이고,
상기 형성된 스루 홀은 M행 x N열의 스루 홀 어레이이고,
상기 스루 홀-벽 금속 도전성 층은 구리 층 또는 은 층이고,
상기 제 3 금속층은 구리 층인
표면 탑재 파워 LED 브래킷 구조물.
- 제 17 항에 있어서,
상기 브래킷 구조물의 상기 제 1 회로층, 상기 제 2 회로층 및 상기 스루 홀의 내측 벽 상에 금속층이 도금되는
표면 탑재 파워 LED 브래킷 구조물.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 17 항에 있어서,
상기 제 2 회로층의 기초로서 상기 스루 홀의 바닥을 둘러싸는 에칭된 제 2 금속층을 적어도 남기기 위해 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 하부 표면 상의 상기 제 2 금속층의 대부분은 제거되고,
상기 금속 호일은 고온에서 접착 필름을 가열함으로써 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 하부 표면에 적층 및 물리적으로 본딩되어, 상기 스루 홀의 바닥을 둘러싸는 상기 제 2 금속층과 페이크 접속을 형성하고,
상기 금속 호일과 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 하부 표면 상의 상기 제 2 금속층은 퓨전 프로세스, 도금 프로세스 또는 증착 프로세스에 의해 통합 구조로 밀접하게 접속되어 두꺼운 금속층을 형성하는
표면 탑재 파워 LED 브래킷 구조물.
- 제 26 항에 있어서,
상기 스루 홀의 양측의 각 측에 적어도 하나의 소형 전극 스루 홀이 형성되고, 각각의 소형 전극 스루 홀의 내측 벽 상에 도전성 층이 제공되어, 전극의 일부를 형성하고,
상기 소형 전극 스루 홀의 바닥을 둘러싸는 상기 에칭된 제 2 금속층은 상기 제 2 양 및 음의 전극층의 기초로서 남게 되고,
상기 금속 호일은 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 하부 표면에 적층 및 본딩되고, 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 하부 표면 상에 위치되고 각각의 소형 전극 스루 홀의 바닥을 둘러싸는 상기 제 2 금속층과의 페이크 접속을 형성하며,
상기 제 1 양 및 음의 전극층은 각각의 소형 전극 스루 홀의 내측 벽 상의 금속 도전성 층에 전기적으로 접속되고, 상기 제 2 양 및 음의 전극층은 각각의 소형 전극 스루 홀의 바닥에서의 두꺼운 금속층에 의해 형성되고 각각의 소형 전극 스루 홀의 내측 벽 상의 상기 금속 도전성 층에 전기적으로 접속되며,
상기 제 1 양 및 음의 전극층, 상기 제 2 양 및 음의 전극층, 및 상기 소형 전극 스루 홀은 상기 브래킷의 양의 전극 및 음의 전극을 형성하는
표면 탑재 파워 LED 브래킷 구조물.
- 제 17 항에 있어서,
상기 스루 홀의 양측에서의 상기 양의 전극 및 상기 음의 전극에 3개의 소형 전극 홀이 각각 제공되고,
상기 소형 전극 홀의 내측 벽에 금속 도전성 층이 제공되거나 도전성 재료로 채워지고, 상기 금속 도전성 층 또는 상기 도전성 재료는 상기 제 1 양 및 음의 전극층과 상기 제 2 양 및 음의 전극층에 전기적으로 접속되어 양의 전극 및 음의 전극을 형성하는
표면 탑재 파워 LED 브래킷 구조물.
- 제 17 항에 있어서,
상기 브래킷 구조물은 브래킷 기판의 상부 표면 상에 제공된 컵 형상 커버링 보드를 더 포함하고, 상기 컵 형상 커버링 보드는 상기 브래킷 기판의 상부 표면에 본딩되고,
상기 컵 형상 커버링 보드는 상기 스루 홀의 위치에 대응하는 컵 홀을 포함하고,
상기 컵 홀의 직경은 상기 스루 홀의 직경보다 커서, 상기 리드 접속부가 상기 컵 홀에서 노출되고, 상기 제 1 양 및 음의 전극층이 상기 컵 형상 커버링 보드에 의해 덮이는
표면 탑재 파워 LED 브래킷 구조물.
- 제 29 항에 있어서,
상기 컵 형상 커버링 보드는 섬유-유리 직물 기판, CEM-3 기판, CEM-1 기판, FR-1 기판, FR-2 기판 또는 BT 기판이고,
상기 컵 형상 커버링 보드의 컵 홀은 반사 컵 형상 또는 원통 형상이고,
상기 컵 형상 커버링 보드의 상부 표면 상에 블랙 재료가 코팅되어 디바이스의 콘트라스트 비율을 증가시키는
표면 탑재 파워 LED 브래킷 구조물.
- 제 17 항에 있어서,
접착 필름을 통해 상기 양면 금속층 코팅 회로 기판의 상부 표면에 컵 형상 커버링 보드가 본딩되는
표면 탑재 파워 LED 브래킷 구조물.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201010191873.7 | 2010-06-04 | ||
| CN 201010191873 CN102270734B (zh) | 2010-06-04 | 2010-06-04 | 表面贴装型功率led支架制造方法及其产品 |
| CN2010202157194U CN201853743U (zh) | 2010-06-04 | 2010-06-04 | 表面贴装型功率led支架结构 |
| CN201020215719.4 | 2010-06-04 | ||
| PCT/CN2010/076325 WO2011150597A1 (zh) | 2010-06-04 | 2010-08-25 | 表面贴装型功率led支架制造方法及其产品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120125509A KR20120125509A (ko) | 2012-11-15 |
| KR101495409B1 true KR101495409B1 (ko) | 2015-02-24 |
Family
ID=45066135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020127022674A KR101495409B1 (ko) | 2010-06-04 | 2010-08-25 | 표면 탑재 파워 ｌｅｄ 지지부를 위한 제조 방법 및 그 제품 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9157610B2 (ko) |
| EP (1) | EP2515352B1 (ko) |
| JP (1) | JP2013520807A (ko) |
| KR (1) | KR101495409B1 (ko) |
| WO (1) | WO2011150597A1 (ko) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102769000A (zh) * | 2011-05-05 | 2012-11-07 | 国碁电子(中山)有限公司 | 内埋元件封装结构及制造方法 |
| CN102403419B (zh) * | 2011-11-09 | 2013-08-21 | 东莞勤上光电股份有限公司 | 一种大功率led散热结构的制作工艺 |
| DE102015112967A1 (de) * | 2015-08-06 | 2017-02-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
| CN108428689B (zh) * | 2017-02-13 | 2022-11-01 | 通用电气公司 | 功率电子设备组件及其制造方法 |
| US10199333B2 (en) * | 2017-07-05 | 2019-02-05 | Omnivision Technologies, Inc. | Delamination-resistant semiconductor device and associated method |
| CN109587936A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-04-05 | 广东全宝科技股份有限公司 | 一种单侧双层线路基板的制作工艺 |
| DE102019119118B4 (de) | 2019-07-15 | 2024-06-13 | Infineon Technologies Ag | Halbleitergehäuse, halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung eines halbleitergehäuses |
| CN111613710B (zh) * | 2020-06-29 | 2021-08-13 | 松山湖材料实验室 | 一种电子设备、半导体器件、封装结构、支架及其制作方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020163006A1 (en) * | 2001-04-25 | 2002-11-07 | Yoganandan Sundar A/L Natarajan | Light source |
| US20020179919A1 (en) | 2001-04-12 | 2002-12-05 | Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elektrische Gluhlampen Mbh | Process for the production of an optoelectronic semiconductor component |
| US20080315239A1 (en) | 2007-06-22 | 2008-12-25 | Taiwan Solutions System Corp. | Thin double-sided package substrate and manufacture method thereof |
| US20090283781A1 (en) | 2008-05-16 | 2009-11-19 | Cree Hong Kong Limited | Mini V SMD |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3137823B2 (ja) | 1994-02-25 | 2001-02-26 | シャープ株式会社 | チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法 |
| KR100309623B1 (ko) * | 1994-02-28 | 2002-04-24 | 사토 게니치로 | 발광다이오드램프및이를이용한매트릭스표시기 |
| JPH11284233A (ja) | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Stanley Electric Co Ltd | 平面実装型ｌｅｄ素子 |
| JP2002033581A (ja) | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 銅張積層板の製造方法 |
| JP2002324917A (ja) | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Citizen Electronics Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 |
| CN1585143A (zh) | 2004-06-01 | 2005-02-23 | 佛山市国星光电科技有限公司 | 功率发光二极管及其制造方法 |
| JP2006073842A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Hitachi Aic Inc | 配線基板 |
| JP4735941B2 (ja) * | 2005-01-06 | 2011-07-27 | 日立化成工業株式会社 | 発光素子用の配線基板 |
| JP2007227422A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置及び半導体装置を用いた光学ユニット |
| JP2008034622A (ja) | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Sharp Corp | 半導体発光素子アセンブリ |
| JP2009021426A (ja) | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Sharp Corp | チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法 |
| TWI348229B (en) | 2007-07-19 | 2011-09-01 | Advanced Optoelectronic Tech | Packaging structure of chemical compound semiconductor device and fabricating method thereof |
| CN101873929B (zh) | 2007-11-29 | 2013-02-06 | 三菱树脂株式会社 | 金属层压体、发光二极管承载基板和白色膜 |
| JP2010114427A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-05-20 | Sumitomo Chemical Co Ltd | チップ型ｌｅｄパッケージ用基板 |
| JP2009260394A (ja) * | 2009-08-07 | 2009-11-05 | Hitachi Aic Inc | 発光素子搭載用の配線基板 |
| JP2009260395A (ja) * | 2009-08-07 | 2009-11-05 | Hitachi Aic Inc | 配線基板及びその製造方法 |
| CN102237481B (zh) | 2010-05-07 | 2013-01-16 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种表面贴装型功率led支架制造方法及其产品 |
| CN201853743U (zh) | 2010-06-04 | 2011-06-01 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 表面贴装型功率led支架结构 |
-
2010
- 2010-08-25 WO PCT/CN2010/076325 patent/WO2011150597A1/zh active Application Filing
- 2010-08-25 EP EP10852393.7A patent/EP2515352B1/en not_active Not-in-force
- 2010-08-25 US US13/579,110 patent/US9157610B2/en active Active
- 2010-08-25 KR KR1020127022674A patent/KR101495409B1/ko active IP Right Grant
- 2010-08-25 JP JP2012554194A patent/JP2013520807A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020179919A1 (en) | 2001-04-12 | 2002-12-05 | Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elektrische Gluhlampen Mbh | Process for the production of an optoelectronic semiconductor component |
| US20020163006A1 (en) * | 2001-04-25 | 2002-11-07 | Yoganandan Sundar A/L Natarajan | Light source |
| US20080315239A1 (en) | 2007-06-22 | 2008-12-25 | Taiwan Solutions System Corp. | Thin double-sided package substrate and manufacture method thereof |
| US20090283781A1 (en) | 2008-05-16 | 2009-11-19 | Cree Hong Kong Limited | Mini V SMD |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20120125509A (ko) | 2012-11-15 |
| EP2515352A1 (en) | 2012-10-24 |
| WO2011150597A1 (zh) | 2011-12-08 |
| EP2515352A4 (en) | 2014-07-02 |
| US9157610B2 (en) | 2015-10-13 |
| US20130121007A1 (en) | 2013-05-16 |
| JP2013520807A (ja) | 2013-06-06 |
| EP2515352B1 (en) | 2018-12-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101495409B1 (ko) | 표면 탑재 파워 ｌｅｄ 지지부를 위한 제조 방법 및 그 제품 | |
| KR101306217B1 (ko) | 파워 ｌｅｄ 방열 기판과 파워 ｌｅｄ 제품을 제조하는 방법 및 그 방법에 의한 제품 | |
| KR101049698B1 (ko) | Ｌｅｄ 어레이 모듈 및 이의 제조방법 | |
| JP4062358B2 (ja) | Ｌｅｄ装置 | |
| JP2006190814A (ja) | 発光素子用の配線基板 | |
| CN102891240A (zh) | 倒装结构的发光二极管及其制备方法 | |
| JP2017208511A (ja) | 配線基体の製造方法並びに配線基体及びそれを用いた発光装置。 | |
| CN102270734B (zh) | 表面贴装型功率led支架制造方法及其产品 | |
| CN102237481B (zh) | 一种表面贴装型功率led支架制造方法及其产品 | |
| CN201853743U (zh) | 表面贴装型功率led支架结构 | |
| WO2010050896A1 (en) | Insulated metal substrate and method of forming the same | |
| TW201037803A (en) | Multi-layer packaging substrate, method for making the packaging substrate, and package structure of light-emitting semiconductor | |
| KR20070094480A (ko) | 발광다이오드 반사 커버 성형 방법, 그 구조, 및 상기 반사커버를 이용한 발광다이오드 적재장치 | |
| CN102155634A (zh) | Led发光模块及其制造方法 | |
| CN201853742U (zh) | 一种表面贴装型功率led支架结构 | |
| JP2012094679A (ja) | 基板の製造方法 | |
| KR100923784B1 (ko) | 방열 특성이 우수한 금속 회로 기판 및 그 제조 방법 | |
| TWI423489B (zh) | Surface mount power type LED bracket manufacturing method and product thereof | |
| CN102117801B (zh) | 高功率型发光二极管模块结构制作方法 | |
| KR101457803B1 (ko) | Led용 회로기판 | |
| TW201044653A (en) | Power LED thermal dissipation substrate and method for manufacturing power LED products and products thereof | |
| TWM405056U (en) | Surface-mounted-power-type LED holder structure | |
| CN105810804A (zh) | 一种led发光器件、led光源基板及其制作方法 | |
| TWI743618B (zh) | 封裝載板及發光裝置 | |
| JP2006269852A (ja) | 電子部品実装基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180209 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190130 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191224 Year of fee payment: 6 |