CN105810804A - 一种led发光器件、led光源基板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种LED发光器件、LED光源基板及其制作方法，包括：提供具有高反射表面的导热基板；在所述导热基板表面形成导热绝缘层；在所述导热绝缘层表面层压导电层，并采用智能数控精雕铣工艺对所述导电层进行雕刻，使所述导电层具有预设的电路结构，且在预设LED芯片的区域暴露出所述导热基板的高反射表面，其中，所述导电层与所述导热基板之间绝缘，从而不需要进行曝光、显影、蚀刻、电镀等一系列工艺，简化了LED光源基板的制作工艺，降低了制作成本和设备投入，避免了化学试剂的污染。

Description

一种LED发光器件、LED光源基板及其制作方法

技术领域

本发明涉及固态半导体照明技术领域，更具体地说，涉及一种LED发光器件、LED光源基板及其制作方法。

背景技术

发光二极管(LightEmittingDiode，简称LED)，是一种能够将电能转化为可见光的固态半导体器件，具有寿命长、光效高、辐射低、功耗低、安全环保无毒害等优点。

作为LED芯片的承载体，LED光源基板的散热性能直接影响着LED发光器件的使用寿命。现有的LED光源基板主要包括三种：LED环氧树脂板、LED铝基板和LED陶瓷基板，其中，LED铝基板由于具有高散热、低热阻、寿命长等优点而被广泛应用在各种LED发光器件中。

现有的LED铝基板是将铜箔、环氧树脂绝缘体胶和铝板通过层压技术粘合在一起，再通过曝光、显影、蚀刻、电镀等工艺制作完成的，其制作工艺复杂，成本较高，并且，通过表面贴装技术工艺把SMD-LED(SurfaceMountedDevices-LightEmittingDiode，表面贴装发光二极管)灯珠焊接在所述LED铝基板上形成的LED发光器件，由于所述LED发光器件具有两层绝热层，分别是铜箔与铝板之间的绝缘体胶层以及LED灯珠的本身的绝热层，因此，会导致LED发光器件的散热性能不能满足大功率器件的散热要求，严重影响LED发光器件的使用寿命。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种LED发光器件、LED光源基板及其制作方法，以解决现有技术中LED光源基板制作工艺复杂，成本较高的问题，以及LED发光器件散热性能不能满足大功率器件的散热要求，影响使用寿命的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种LED光源基板制作方法，包括：

提供具有高反射表面的导热基板；

在所述导热基板表面形成导热绝缘层；

在所述导热绝缘层表面层压导电层，并采用智能数控精雕铣工艺对所述导电层进行雕刻，使所述导电层具有预设的电路结构，且在预设LED芯片的区域暴露出所述导热基板的高反射表面，其中，所述导电层与所述导热基板之间绝缘。

优选的，所述提供具有高反射表面的导热基板具体为：

提供具有反射率大于96％的表面的导热基板。

优选的，所述导热基板为铝基板、陶瓷基板、铜基板、铜铝合金基板或铜铝复合体基板，其高反射表面可以通过阳极氧化、高光机械处理、电镀或物理气相沉积工艺形成。

优选的，所述在所述基板表面形成导热绝缘层，具体为：

采用丝网印刷技术，在所述基板预设电路区域印刷导热绝缘胶，形成在预设LED芯片的区域暴露出所述基板的高反射表面的导热绝缘层。

优选的，所述在所述基板表面形成导热绝缘层，具体为：

在所述导热基板表面假贴导热绝缘膜，然后采用智能数控精雕铣工艺对所述导热绝缘膜进行雕刻，形成预设电路区域具有导热绝缘膜，而在预设LED芯片的区域暴露出所述导热基板的高反射表面的导热绝缘层。

优选的，所述方法还包括：

在所述预设LED芯片区域四周形成围堰胶层。

优选的，所述围堰胶层是采用CNC点胶机点胶形成的。

优选的，所述在所述导热绝缘层表面层压导电层的过程，具体为：

采用加热型真空层压机或加热型贴膜机，在所述导热绝缘层表面层压导电层，使所述导电层、导热绝缘层以及导热基板层压在一起。

优选的，所述智能数控精雕铣工艺采用的是智能数控激光雕铣机或机械式雕铣机。

一种LED光源基板，采用上任一项所述的方法制作而成，包括：

具有高反射表面的导热基板；

位于所述导热基板表面的导热绝缘层；

位于所述导热绝缘层表面且与所述导热基板绝缘的导电层，所述导电层具有预设的电路结构，且在预设LED芯片的区域暴露出所述导热基板的高反射表面，其中，所述电路结构是通过智能数控精雕铣工艺形成的。

优选的，所述基板还包括：

位于所述预设LED芯片区域四周的围堰胶层。

优选的，所述基板为单面反射率大于96％的导热基板。

优选的，所述导热绝缘层为位于所述导热基板反射率大于96％的表面的导热绝缘层。

优选的，所述导热绝缘层为覆盖在所述导热基板预设电路区域，且在预设LED芯片的区域暴露出所述导热基板的高反射表面的导热绝缘层。

优选的，所述导热基板为高导热铝基板、铜基板、铜铝合金基板或铜铝复合体基板。

优选的，所述导电层为覆铜箔、纯铜箔或铜镍复合铜箔。

优选的，所述覆铜箔和纯铜箔为表面经过沉金、沉银或沉镍处理的铜箔。

优选的，所述导电层的厚度大于25微米。

一种LED发光器件，包括：

如上述任一项所述的LED光源基板；

直接贴合在所述LED光源基板导热基板的高反射表面并与所述LED光源基板的导电层电连接的LED芯片。

与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：

本发明所提供的LED发光器件、LED光源基板及其制作方法，采用智能数控精雕铣工艺制作LED光源基板的电路结构，从而不需要进行曝光、显影、蚀刻、电镀等一系列工艺，简化了LED光源基板的制作工艺，降低了制作成本，避免了化学试剂的污染；采用单面反射率大于96％的导热基板，提高了LED发光器件的出光效率和出光均匀性，减少了黄斑现象。

并且，本发明所提供的LED发光器件，将LED芯片直贴在所述LED光源基板的导热基板表面，与将LED灯珠焊接在LED光源基板上的LED器件相比，减少了绝热层和热阻，提高了器件的散热性能，延长了器件的使用寿命。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例一提供的LED光源基板制作方法流程图；

图2为本发明实施例二提供的LED光源基板制作方法流程图；

图3为本发明实施例三提供的LED光源基板结构示意图；

图4为本发明实施例四提供的LED发光器件的结构示意图。

具体实施方式

正如背景技术所述，现有的LED铝基板是将铜箔、环氧树脂绝缘体胶和铝板通过层压技术粘合在一起后，通过曝光、显影、蚀刻、电镀等工艺制作完成的，其制作工艺复杂，成本较高，并且，现有的LED发光器件是通过表面贴装技术工艺把SMD-LED灯珠焊接在所述LED铝基板上形成的，由于所述LED发光器件具有两层绝热层，分别是铜箔与铝板之间的绝缘体胶层以及LED灯珠的本身的绝热层，因此，会导致LED发光器件的散热性能不能满足大功率器件的散热要求，严重影响LED发光器件的使用寿命。

基于此，本发明提供了一种LED光源基板制作方法，以克服现有技术存在的上述问题，包括：

提供具有高反射表面的导热基板；在所述导热基板表面形成导热绝缘层；在所述导热绝缘层表面层压导电层，并采用智能数控精雕铣工艺对所述导电层进行雕刻，使所述导电层具有预设的电路结构，且在预设LED芯片的区域暴露出所述导热基板的高反射表面，其中，所述导电层与所述导热基板之间绝缘。

本发明还提供了一种LED光源基板，包括：

具有高反射表面的导热基板；位于所述导热基板表面的导热绝缘层；位于所述导热绝缘层表面且与所述导热基板绝缘的导电层，所述导电层具有预设的电路结构，且在预设LED芯片的区域暴露出所述导热基板的高反射表面，其中，所述电路结构是通过智能数控精雕铣工艺形成的。

本发明还提供了一种LED发光器件，包括如上所述的LED光源基板；直接贴合在所述LED光源基板的导热基板的高反射表面并与所述LED光源基板的导电层电连接的LED芯片。

本发明所提供的LED发光器件、LED光源基板及其制作方法，采用智能数控精雕铣工艺制作LED光源基板的电路结构，从而不需要进行曝光、显影、蚀刻、电镀等一系列工艺，简化了LED光源基板的制作工艺，降低了制作成本，避免了化学试剂的污染；采用单面反射率大于96％的导热基板，提高了LED发光器件的出光效率和出光均匀性，减少了黄斑现象。并且，本发明所提供的LED发光器件，将LED芯片直贴在所述LED光源基板导热基板的表面，与将LED灯珠焊接在LED光源基板上的LED器件相比，减少了绝热层和热阻，提高了器件的散热性能，延长了器件的使用寿命。

以上是本发明的核心思想，为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

下面通过几个实施例详细描述。

实施例一

本实施例提供了一种LED光源基板制作方法，其流程图如图1所示，包括：

S101：提供具有高反射表面的导热基板；

作为LED光源基板的底层基板，导热系数越高，越利于LED器件的散热，但是，考虑到成本问题，本实施例中采用高导热铝基板、陶瓷基板、铜基板、铜铝合金基板或铜铝复合体基板作为基板，再通过阳极氧化、高光机械处理、电镀或物理气相沉积工艺，使导热基板成为单面反射率大于96％的高反射导热基板，以此来提高LED发光器件的出光效率和出光均匀性，减少黄斑现象。

S102：在所述导热基板表面假贴导热绝缘膜，然后采用智能数控精雕铣工艺对所述导热绝缘膜进行雕刻，形成预设电路区域具有导热绝缘膜，而在预设LED芯片的区域暴露出所述导热基板的高反射表面的导热绝缘层；

在所述导热基板表面形成导热绝缘层，所述导热绝缘层的材质可以为环氧树脂、丙烯酸或硅树脂。当所述导热基板为单面反射率大于96％的导热基板时，在所述导热基板的反射率大于96％的表面形成导热绝缘层。

本实施例中，根据LED电路的特点和要求，在所述导热基板表面形成导热绝缘层。其中，制作导热基板导热绝缘层的过程具体为：在所述导热基板表面假贴导热绝缘膜，然后采用智能数控精雕铣工艺对所述导热绝缘膜进行雕刻，形成预设电路区域具有导热绝缘膜，而在预设LED芯片的区域暴露出所述导热基板的高反射表面的导热绝缘层。再通过高温热压熟化使所述导热绝缘层成型，其中，所述高温是指温度在170摄氏度以上，持续的时间为2小时。并且，所述预设电路区域是指LED光源基板上预设要制作电路结构的区域，所述预设LED芯片的区域是指LED光源基板上预设要直贴LED芯片的区域。

S103：在所述导热绝缘层表面层压导电层，并采用智能数控精雕铣工艺对所述导电层进行雕刻，使所述导电层具有预设的电路结构，且在预设LED芯片的区域暴露出所述导热基板的高反射表面，其中，所述导电层与所述导热基板之间绝缘；

将导电层贴合在所述导热绝缘层表面，所述导电层为厚度大于25微米的覆铜箔、纯铜箔或铜镍复合铜箔，所述覆铜箔可以为PI(Polyimide，聚酰亚胺)覆铜箔或PET(Polyethyleneterephthalate，聚对苯二甲酸类塑料)覆铜箔，除铜镍复合铜箔外，所述覆铜箔和纯铜箔的表面都要进行沉金、沉银或沉镍处理，以形成沉金、沉银或沉镍铜箔，其中，可以通过物理气相沉积、化学气相沉积或电镀工艺，在覆铜箔或纯铜箔的表面沉积金、银或镍元素。

将导电层贴合在所述导热绝缘层表面后，采用加热型真空层压机或加热型贴膜机，将所述导电层层压在所述导热绝缘层以及导热基板表面，使导电层、导热绝缘层以及导热基板层压在一起，然后采用智能数控激光雕铣机或机械式雕铣机，通过CNC(Computernumericalcontrol，计算机数字控制)智能化程序，按照预先设置的电路结构图，对所述导电层铜箔进行雕刻，去掉不需要的铜箔，形成预设的电路结构，其中，雕刻后形成的电路电极与导热基板之间绝缘，且雕刻后的导电层具有镂空区域。

由于LED光源基板的电路电极较宽，对电路的制作精度要求也不高，因此，本实施例可以通过雕铣机来形成电路结构，与现有技术中通过曝光、显影、蚀刻等工艺形成的电路结构相比，既能够满足LED光源基板电路的基本要求，又能够简化工序、降低成本、避免化学试剂的污染。

本实施例中，在所述导热绝缘层表面层压导电层，并采用智能数控精雕铣工艺对所述导电层进行雕刻，使所述导电层具有预设的电路结构之后，还包括如下步骤：

S104：在所述预设LED芯片区域四周形成围堰胶层。

通过CNC点胶机，将单组份的围堰胶点在导电层上的预设LED芯片区域的四周，然后经过烘烤固化形成围堰胶层。每个预设LED芯片区域的四周都具有围堰胶层，且围堰胶层的高度大于LED芯片的厚度，每个围堰胶层包围的区域都大于LED芯片的面积。

LED光源基板制作完成后，还需将基板切割成型，所述基板不受尺寸的限制，可做成任意形状，如圆形、椭圆、方形等不规则的形状。然后，再在LED光源基板上直接贴合LED芯片，将LED芯片与LED光源基板的电极焊接在一起，形成LED发光器件，本实施例将LED芯片封装以及LED发光器件组装工序结合在一起，设备的一次性投入减少一半。

本实施例提供的LED光源基板制作方法，采用智能数控精雕铣工艺制作LED光源基板导电层的电极结构，从而不需要进行曝光、显影、蚀刻、电镀等一系列工艺，简化了LED光源基板的制作工艺，降低了制作成本，避免了化学试剂的污染；采用假贴导热绝缘膜以及智能数控精雕铣工艺在导热基板预设电路区域形成导热绝缘层，既保证了导电层与导热基板之间的绝缘，又减少了导电绝缘层的面积，从而减少了LED光源基板的热阻，提高了LED器件散热性能，进而延长了器件的使用寿命。

实施例二

本实施例提供了一种LED光源基板制作方法，其流程图如图2所示，包括：

S201：提供具有高反射表面的导热基板；

作为LED光源基板的底层基板，导热系数越高，越利于LED器件的散热，但是，考虑到成本问题，本实施例中采用高导热铝基板、陶瓷基板、铜基板、铜铝合金基板或铜铝复合体基板作为基板，再通过阳极氧化、高光机械处理、电镀或物理气相沉积工艺，使基板成为单面反射率大于96％的高反射导热基板，以此来提高LED发光器件的出光效率和出光均匀性，减少黄斑现象。

S202：采用丝网印刷技术，在所述基板预设电路区域印刷导热绝缘胶，形成在预设LED芯片的区域暴露出所述基板的高反射表面的导热绝缘层；

在所述基板表面形成导热绝缘层，所述导热绝缘层的材质可以为环氧树脂、丙烯酸或硅树脂。当所述基板为单面反射率大于96％的导热基板时，在所述基板的反射率大于96％的表面形成导热绝缘层。

本实施例中，根据LED电路的特点和要求，在所述基板表面形成导热绝缘层。其中，制作导热绝缘层的过程具体为：采用丝网印刷技术，在所述基板预设电路区域印刷导热绝缘胶，形成在预设LED芯片的区域暴露出所述基板的高反射表面的导热绝缘层。并且，所述预设电路区域是指LED光源基板上预设要制作电路结构的区域，所述预设LED芯片的区域是指LED光源基板上预设要直贴LED芯片的区域。

丝网印刷采用的丝网是根据预设的电路结构预先制作形成的，所述丝网的镂空区域与预设的电路区域对应。采用所述丝网印刷时，导热绝缘胶通过镂空的区域涂覆在基板的表面，形成与预设电路结构相对应的导热绝缘层，且所述导热绝缘层在预设LED芯片的区域暴露出所述基板的高反射表面。采用丝网印刷技术在基板预设电路区域形成导热绝缘层，既可以保证导电层与基板之间的绝缘，又可以减少导电绝缘层的面积，减少LED基板的热阻，提高LED发光器件的散热性能，进而延长LED发光器件的使用寿命。

S203：在所述导热绝缘层表面层压导电层，并采用智能数控精雕铣工艺对所述导电层进行雕刻，使所述导电层具有预设的电路结构，且在预设LED芯片的区域暴露出所述导热基板的高反射表面，其中，所述导电层与所述导热基板之间绝缘；

将导电层贴合在所述导热绝缘层表面，所述导电层为厚度大于25微米的覆铜箔、纯铜箔或铜镍复合铜箔，所述覆铜箔可以为PI(Polyimide，聚酰亚胺)覆铜箔或PET(Polyethyleneterephthalate，聚对苯二甲酸类塑料)覆铜箔，除铜镍复合铜箔外，所述覆铜箔和纯铜箔的表面都要进行沉金、沉银或沉镍处理，以形成沉金、沉银或沉镍铜箔，其中，可以通过物理气相沉积、化学气相沉积或电镀工艺，在覆铜箔或纯铜箔的表面沉积金、银或镍元素。

将导电层贴合在所述导热绝缘层表面后，采用加热型真空层压机或加热型贴膜机，将所述导电层层压在所述导热绝缘层以及导热基板表面，使导电层、导热绝缘层以及导热基板层压在一起，然后采用智能数控激光雕铣机或机械式雕铣机，通过CNC(Computernumericalcontrol，计算机数字控制)智能化程序，按照预先设置的电路结构图，对所述导电层铜箔进行雕刻，去掉不需要的铜箔，形成预设的电路结构，其中，雕刻后形成的电路电极与导热基板之间绝缘，且雕刻后的导电层具有镂空区域。

由于LED光源基板的电路电极较宽，对电路的制作精度要求也不高，因此，本实施例可以通过雕铣机来形成电路结构，与现有技术中通过曝光、显影、蚀刻等工艺形成的电路结构相比，既能够满足LED光源基板电路的基本要求，又能够简化工序、降低成本、避免化学试剂的污染。

本实施例中，在所述导热绝缘层表面层压导电层，并采用智能数控精雕铣工艺对所述导电层进行雕刻，使所述导电层具有预设的电路结构之后，还包括如下步骤：

S204：在所述预设LED芯片区域四周形成围堰胶层。

通过CNC点胶机，将单组份的围堰胶点在导电层上预设LED芯片区域的四周，然后经过烘烤固化形成围堰胶层。每个预设LED芯片区域的一周都具有围堰胶层，围堰胶层的高度大于LED芯片的厚度，每个围堰胶层包围的区域都大于LED芯片的面积。

LED光源基板制作完成后，还需将基板切割成型，所述基板不受尺寸的限制，可做成任意形状，如圆形、椭圆、方形等不规则的形状。然后，再在LED光源基板上直接贴合LED芯片，将LED芯片与LED光源基板的电极焊接在一起，形成LED发光器件，本实施例将LED芯片封装以及LED发光器件组装工序结合在一起，设备的一次性投入减少一半。

本实施例提供的LED光源基板制作方法，采用智能数控精雕铣工艺制作LED光源基板导电层的电极结构，从而不需要进行曝光、显影、蚀刻、电镀等一系列工艺，简化了LED光源基板的制作工艺，降低了制作成本，避免了化学试剂的污染；采用丝网印刷技术在导热基板预设电路区域形成导热绝缘层，既保证了导电层与导热基板之间的绝缘，又减少了导电绝缘层的面积，从而减少了LED光源基板的热阻，提高了LED器件散热性能，进而延长了器件的使用寿命。

实施例三

本实施例提供了一种LED光源基板，采用实施例一或实施例二提供的方法制作而成，其结构图如图3所示，包括：

具有高反射表面的导热基板31；

位于所述导热基板31表面的导热绝缘层32；

位于所述导热绝缘层32表面且与所述导热基板31绝缘的导电层33，所述导电层33具有预设的电路结构，且在预设LED芯片的区域34暴露出所述导热基板31的高反射表面，其中，所述电路结构是通过智能数控精雕铣工艺形成的；

位于所述预设LED芯片区域34四周的围堰胶层35。

本实施例中，导热基板31为高导热铝基板、陶瓷基板、铜基板、铜铝合金基板或铜铝复合体基板，可通过阳极氧化、高光机械处理、电镀或物理气相沉积工艺，使导热基板成为单面反射率大于96％的导热基板31，来提高LED发光器件的出光效率和出光均匀性，减少黄斑现象。

所述导热绝缘层32的材质可以为环氧树脂、硅树脂或丙烯酸，并且，所述导热绝缘层32为覆盖在所述导热基板31预设电路区域，且在预设LED芯片的区域34暴露出所述导热基板31的高反射表面的导热绝缘层。其可以通过丝网印刷工艺形成，也可以通过假贴导热绝缘膜工艺形成，所述预设电路区域是指LED光源基板上预设要制作电路结构的区域，所述预设LED芯片的区域是指LED光源基板上预设要直贴LED芯片的区域。此外，当所述导热基板31为单面反射率大于96％的导热基板时，所述导热绝缘层32为位于所述导热基板31反射率大于96％的表面的导热绝缘层。

本实施例中，所述导热绝缘层32为覆盖在所述导热基板31预设电路区域的导热绝缘层，既能够保证导电层与导热基板之间的绝缘，又能够减少导电绝缘层的面积，从而减少LED光源基板的热阻，提高LED发光器件的散热性能，进而延长LED发光器件的使用寿命。

所述导电层33为厚度大于25微米的覆铜箔、纯铜箔或铜镍复合铜箔，所述覆铜箔可以为PI覆铜箔或PET覆铜箔，除铜镍复合铜箔外，所述覆铜箔和纯铜箔的表面都要进行沉金、沉银或沉镍处理，以形成沉金、沉银或沉镍铜箔，其中，可以通过物理气相沉积、化学气相沉积或电镀工艺，在覆铜箔或纯铜箔的表面沉积金、银或镍元素。

并且，所述导电层33的电路结构通过智能数控雕铣机雕刻而成。由于LED光源基板的电路电极较宽，对电路的制作精度要求也不高，因此，本实施例可以通过雕铣机来形成电路结构，与现有技术中通过曝光、显影、蚀刻等工艺形成的电路结构相比，既能够满足LED光源基板电路的基本要求，又能够简化工序、降低成本、避免化学试剂的污染。

所述围堰胶层35位于所述预设LED芯片区域的四周，每个预设LED芯片区域34的四周都具有围堰胶层，围堰胶层35的高度大于LED芯片的厚度，每个围堰胶层35包围的区域都大于LED芯片的面积，用于在围堰胶层35内放置LED芯片以及填充封装胶。

本实施例提供的LED光源基板，采用具有反射率大于96％表面的导热基板，提高了LED发光器件的出光效率和出光均匀性，减少了黄斑现象；采用雕铣机制作LED光源基板导电层的电路结构，能够避免被曝光、显影、刻蚀工艺中的化学试剂的污染，简化了LED光源基板的制作工序，降低了制作成本。并且，所述LED光源基板不受尺寸的限制，可做成任意形状，如圆形、椭圆、方形等不规则形状的基板，其应用范围更广阔。

实施例四

本实施例提供了一种采用上述实施例三提供的LED光源基板制作的LED发光器件，如图4所示，包括如上所述的LED光源基板1以及直接贴合在所述LED光源基板1的高反射表面并与所述LED光源基板1的导电层电连接的LED芯片2。

本实施例中，按照LED光源基板1的电路结构，直接将LED芯片2贴合在LED光源基板1的预设LED芯片的区域的高反射表面，并通过金线等使LED芯片2与所述LED光源基板1的导电层形成电连接，然后经过灌注封装胶等封装工艺形成LED发光器件。

由于LED光源基板属于中间元器件，且可以为圆形、椭圆、方形等不规则的形状，因此，使用范围广泛，既可应用于路灯、矿灯等大功率照明工程，降低现有SMD-LED点光源的眩光性，又可应用于商场、室内等通用照明领域的小功率集成光源器件，因此，本实施例中的LED发光器件即可以为路灯、矿灯等大功率LED发光器件，也可以为球泡灯、LED灯管等小功率LED发光器件。

本实施例提供的LED发光器件，采用具有单面反射率大于96％的表面的LED光源基板，提高了LED发光器件的出光效率和出光均匀性，减少了黄斑现象；并且，本实施例提供的LED发光器件，将所述LED芯片直贴在所述LED光源基板上，与将LED灯珠焊接在LED光源基板上的LED器件相比，减少了绝热层和热阻，提高了器件的散热性能，延长了器件的使用寿命。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (19)

1.一种LED光源基板制作方法，其特征在于，包括：

提供具有高反射表面的导热基板；

在所述导热基板表面形成导热绝缘层；

在所述导热绝缘层表面层压导电层，并采用智能数控精雕铣工艺对所述导电层进行雕刻，使所述导电层具有预设的电路结构，且在预设LED芯片的区域暴露出所述导热基板的高反射表面，其中，所述导电层与所述导热基板之间绝缘。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供具有高反射表面的导热基板具体为：

提供具有反射率大于96％的表面的导热基板。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述导热基板为铝基板、陶瓷基板、铜基板、铜铝合金基板或铜铝复合体基板，其高反射表面可以通过阳极氧化、高光机械处理、电镀或物理气相沉积工艺形成。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述基板表面形成导热绝缘层，具体为：

采用丝网印刷技术，在所述基板预设电路区域印刷导热绝缘胶，形成在预设LED芯片的区域暴露出所述基板的高反射表面的导热绝缘层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述基板表面形成导热绝缘层，具体为：

在所述导热基板表面假贴导热绝缘膜，然后采用智能数控精雕铣工艺对所述导热绝缘膜进行雕刻，形成预设电路区域具有导热绝缘膜，而在预设LED芯片的区域暴露出所述导热基板的高反射表面的导热绝缘层。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述在所述导热绝缘层表面层压导电层，并采用智能数控精雕铣工艺对所述导电层进行雕刻，使所述导电层具有预设的电路结构之后，还包括：

在所述预设LED芯片区域四周形成围堰胶层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述围堰胶层是采用CNC点胶机点胶形成的。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述导热绝缘层表面层压导电层的过程，具体为：

采用加热型真空层压机或加热型贴膜机，在所述导热绝缘层表面层压导电层，使所述导电层、导热绝缘层以及导热基板层压在一起。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述智能数控精雕铣工艺采用的是智能数控激光雕铣机或机械式雕铣机。

10.一种LED光源基板，采用权利要求1-9任一项所述的方法制作而成，其特征在于，包括：

具有高反射表面的导热基板；

位于所述导热基板表面的导热绝缘层；

位于所述导热绝缘层表面且与所述导热基板绝缘的导电层，所述导电层具有预设的电路结构，且在预设LED芯片的区域暴露出所述导热基板的高反射表面，其中，所述电路结构是通过智能数控精雕铣工艺形成的。

11.根据权利要求10所述的基板，其特征在于，所述基板还包括：

位于所述预设LED芯片区域四周的围堰胶层。

12.根据权利要求11所述的基板，其特征在于，所述基板为单面反射率大于96％的导热基板。

13.根据权利要求12所述的基板，其特征在于，所述导热绝缘层为位于所述导热基板反射率大于96％的表面的导热绝缘层。

14.根据权利要求13所述的基板，其特征在于，所述导热绝缘层为覆盖在所述导热基板预设电路区域，且在预设LED芯片的区域暴露出所述导热基板的高反射表面的导热绝缘层。

15.根据权利要求14所述的基板，其特征在于，所述导热基板为高导热铝基板、铜基板、铜铝合金基板或铜铝复合体基板。

16.根据权利要求15所述的基板，其特征在于，所述导电层为覆铜箔、纯铜箔或铜镍复合铜箔。

17.根据权利要求16所述的基板，其特征在于，所述覆铜箔和纯铜箔为表面经过沉金、沉银或沉镍处理的铜箔。

18.根据权利要求17所述的基板，其特征在于，所述导电层的厚度大于25微米。

19.一种LED发光器件，其特征在于，包括：

如权利要求10-18任一项所述的LED光源基板；

直接贴合在所述LED光源基板导热基板的高反射表面并与所述LED光源基板的导电层电连接的LED芯片。