CN102437267A - 金属基底板发光芯片封装结构 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种发光芯片封装结构，包括至少一基板单元、在所述基板单元上设置至少一固晶区、安装在所述固晶区上的至少一发光芯片、以及在所述基板单元上设置相互隔绝的至少两个可与外界实现导电连接的基板电极；所述基板单元包括至少一金属基底板、在所述金属基底板上至少有一绝缘隔板、以及在所述绝缘隔板的上表面至少有两个彼此隔绝的导电薄层或导电顶板；所述发光芯片通过所述导电薄层或导电顶板与所述基板电极电连接。本发明由导热性能优异的金属基底板作为发光芯片的安装支架，结构简单，具有良好的散热效果；整个结构没有不耐高温、易分解的有机材料和高分子材料，具有耐高电压、耐高温、抗紫外的优点。

Description

金属基底板发光芯片封装结构
技术领域
本发明涉及芯片封装结构，更具体地说，涉及一种发光芯片的封装结构。
背景技术
随着发光芯片，例如二极管(LED)芯片，发光效率的提升，LED正从传统的点线面为特征的指示和显示类应用领域向大尺寸液晶背光和室内室外普通照明类应用领域拓展。
现有的一种用于大功率LED封装的常见封装结构如图1所示，该封装结构包括LED芯片基座101、LED芯片102、金属引线103a和103b、电极片104a和104b和绝缘塑胶反射杯105。绝缘塑胶反射杯105通常采用高分子材料中耐热性相对较好的热塑性聚脂，如聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)，和高温塑胶，如聚对苯二酰对苯二胺(PPA)，注塑成形。改性的聚对苯二酰对苯二胺塑胶的热变形温度约300℃，连续使用温度约170℃。显然，高分子材料的耐热温度限制了上述支架的最大可承受温度和最高可持续工作温度。
通常的共晶焊温度在285℃-320℃。由于采用上述高分子塑胶或聚脂绝缘材料的上述支架的最大可承受温度仅300℃左右，使得共晶材料的选择受到了很大的局限，共晶条件也变得十分苛刻，如温度控制必须十分精确，共晶时间不能太长等，导致共晶焊技术要求高、成本高和良率低。此外，由于高分子材料抗紫外和抗高低温冲击的能力很差，使得上述支架如图1中的绝缘塑胶反射杯105在紫外光照射和高低温冲击较为恶劣的露天场合下使用时会加快老化，导致LED的使用寿命很短，应用产品的可靠性也就很差。
对采用金属芯或陶瓷芯印刷电路板(MCPCB)制作的大功率LED支架虽然能提供较大的底表面作为导热面与其它散热机构连接，但印刷电路板上用于电极间绝缘的高分子树脂材料同样限制了上述大功率支架的使用温度。上述树脂对抗紫外光照射和高低温冲击的能力也很差，使得上述大功率LED支架在紫外光照射和高低温冲击较为恶劣的露天场合下使用时会加快老化，导致LED的使用寿命很短，应用产品的可靠性也就很差。上述起绝缘层作用的高分子树脂材料，通常是50～200um。若太厚，能起绝缘作用，防止与金属基短路的效果好，但会影响热量的散发；若太薄，能较好散热，但易引起金属芯与组件引线短路。
对采用陶瓷散热基板，包括厚膜陶瓷基板，低温共烧多层陶瓷，和薄膜陶瓷基板，制作的大功率LED支架虽然能提供较大的底表面作为导热面与其它散热机构连接，陶瓷材料的散热性能也优于其它有机材料，但其不导电性要求在基板表面通过网印或溅镀，电/电化学沉积，黄光制程以及低温烧结等工艺制造导电连接金属线路层。网印方式制作的线路因为网版张网问题，容易产生线路粗糙、对位不精准的现象，溅镀，电/电化学沉积，黄光制程工艺复杂，金属线路易脱落等缺点。
很显然，现在被广泛使用的用于LED封装的支架存在本质上的缺陷。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于，提供一种结构简单、耐高电压、抗紫外、耐高温、散热效果良好的发光芯片封装结构。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是一种发光芯片封装结构，包括至少一基板单元、在所述基板单元上设置至少一固晶区、安装在所述固晶区上的至少一发光芯片、以及在所述基板单元上设置相互隔绝的至少两个可与外界实现导电连接的基板电极；所述基板单元包括至少一金属基底板、在所述金属基底板上至少有一绝缘隔板、以及在所述绝缘隔板的上表面至少有两个彼此隔绝的导电薄层或导电顶板；所述发光芯片通过所述导电薄层或导电顶板与所述基板电极电连接。
在本发明的发光芯片封装结构中，所述绝缘隔板至少有一开口，所述开口所对应的所述金属基底板表面包括至少一放置所述芯片的所述固晶区；所述固晶区表面及其裸露的所述金属基底板表面可设置至少一金属层或至少一反射膜；所述绝缘隔板开口侧壁构成所述发光芯片的第一出光空间、第一灌封围堰和第一反光侧壁；所述绝缘隔板开口侧壁包括与所述固晶区表面垂直的光滑表面、和/或与所述固晶区表面成大于90度夹角的光滑斜面、和/或自所述固晶区表面向上延伸的光滑弧面；所述绝缘隔板开口侧壁表面可设置至少一反射膜；所述第一灌封围堰内可设置至少一第一灌封层。
在本发明的发光芯片封装结构中，所述导电薄层或导电顶板之间设有绝缘层或绝缘带，或者，在相邻的所述导电薄层或导电顶板之间留有空隙，或者，在所述空隙内填充绝缘材料；围绕所述绝缘隔板开口的所述导电薄层或导电顶板内侧壁构成所述发光芯片的第二出光空间、第二灌封围堰和第二反光侧壁；所述导电薄层或导电顶板侧壁包括与所述固晶区表面垂直的光滑表面、和/或与所述固晶区表面成大于90度夹角的光滑斜面、和/或自所述固晶区表面向上延伸的光滑弧面；所述导电薄层或导电顶板侧壁表面可设置至少一反射膜；所述第二灌封围堰内可设置至少一第二灌封层。
在本发明的发光芯片封装结构中，在所述基板单元顶部可设置至少一围堰；所述围堰内侧壁包括与所述固晶区表面垂直的光滑表面、和/或与所述固晶区表面成大于90度夹角的光滑斜面、和/或自所述固晶区表面向上延伸的光滑弧面；所述围堰内侧壁可设置至少一反射膜；所述围堰内侧壁构成所述发光芯片的第三出光空间、第三灌封围堰和第三反光侧壁；所述第三灌封围堰内可设置至少一第三灌封层。
在本发明的发光芯片封装结构中，所述第三灌封层包括至少一灌封成形具有透光或混光功能的玻璃透镜或高分子透镜；所述透镜包括至少一凸形弧状或凹形弧状或平面状光滑表面。
在本发明的发光芯片封装结构中，在所述基板单元顶部可放置至少一具有透光或混光功能、由玻璃材料或高分子材料制作的预成型透镜；所述预成型透镜包括至少一呈凸形弧状或凹形弧状或平面状光滑表面。
在本发明的发光芯片封装结构中，所述发光芯片放置在所述固晶区中央，并分别导电连接到对应的所述导电薄层或导电顶板；或者，所述发光芯片为多个，若干所述发光芯片串联或并联或串并联后再分别导电连接到对应的所述导电薄层或导电顶板。
在本发明的发光芯片封装结构中，所述固晶区附近设置有分别导电连接到对应的所述导电薄层或导电顶板的焊线区，所述发光芯片分别导电连接到对应的所述焊线区，或其中若干所述发光芯片串联或并联或串并联后再分别导电连接到对应的焊线区。
在本发明的发光芯片封装结构中，所述基板单元的裸露表面设有增加散热表面积的散热结构、和/或涂覆有散热材料，所述散热材料具有增加表面热辐射能力和/或热传导能力。
实施本发明具有以下有益效果：本发明由导热性能优异的金属基底板作为发光芯片的安装支架，结构简单，并具有良好的散热效果；整个结构不含不耐高温和易分解的有机材料和高分子材料，具有耐高电压、耐高温、抗紫外的优点。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：
图1：现有一种用于LED封装的常见支架和连接方式。
图2：本发明的发光芯片封装结构的第一实施例的示意图。
图3：本发明的发光芯片封装结构的第二实施例的示意图。
具体实施方式
本发明和本发明的各种用于LED封装的发光芯片封装结构的实施方案可以通过以下优选方案的描述得到充分理解，以下优选方案也可视为本发明权利要求的实例。显然，应该充分理解到由本发明权利要求所定义的本发明所涵盖的内容要比以下描述的优选实施方案更加广泛。在不偏离本发明精神和范围的情况下，借助于平常的技能可以产生更多的经过变更和修改的实施方案。所以，以下描述的实施方案仅仅是为了举例说明而不是用来局限由本发明权利要求所定义的本发明的涵盖范围。
如图2所示，是本发明的发光芯片封装结构的第一实施例，包括金属基底板201、绝缘隔板203、导电顶板204、围堰205、固晶区210、芯片202、第一灌封层206、第三灌封层207、基板电极209、以及金属引线208。
如图2所示，将发光芯片202直接放置在导热性能良好的金属基底板201上可改善导热性能及其散热功能，使放置发光芯片的支架不再成为导热或散热的瓶颈。
所述芯片202可以通过共晶焊，回流焊，和其它焊接或粘贴的方式固定到所述固晶区210上。通过蒸镀、电镀、溅射、或印刷等工艺在所述固晶区210表面形成一金属层，以便与所述发光芯片202底面的合金层在共晶焊或回流焊或其它焊接或粘贴工艺中相匹配。在与发光芯片202相粘贴的所述金属层附近，通常设置有反射层，如银，铝，或以氧化物为基的全反射膜，以减少所述金属基底板201的吸光量，增加发光效率。
共晶焊具较好的导热性能。由于所述封装结构本身不包括任何低熔点材料，所以可以在较高的温度下，允许采用较长的时间去进行共晶焊工艺，使固晶区表面能与发光芯片背面的共晶材料实现很好的共熔与浸润，可以大幅减少空洞等可能影响良率，导电性，和可靠性的缺陷的产生。
由于整个封装结构不含低熔点材料，所述发光芯片202可以通过以锡基焊料为粘接材料的回流焊工艺固定到所述固晶区210的表面。所述固晶区210表面包括有助于回流焊的金属层与助焊剂。
对导热和散热要求不高的场合，所述发光芯片202也可以用导电银胶，锡膏，导热硅胶等材料将其固定到所述固晶区210上。
金属基底板201的背面可以通过共晶焊，回流焊，和其它焊接或粘贴的方式与其它结构件或支架相连接。在所述封装结构上，通常开有若干通孔和/或自下向上开的不通孔，用于将所述封装结构固定到其它结构件或支架上。
对具垂直结构的发光芯片202，其底部电极可以与所述金属基底板201相连，其顶部电极可通过金属导线与一相对应的所述导电顶板204相连。对具非垂直结构的发光芯片202，其一电极可通过金属导线与一所述导电顶板204相连，其另一电极可通过金属导线与另一导电顶板204相连。
通常采用键合，焊接，或粘接的方式将预成形的所述绝缘隔板203与所述金属基底板201相连接。预成形绝缘隔板203的厚度通常大于0.05mm，预成形绝缘隔板通常采用无机材料，如云母，陶瓷，玻璃，和以氧化物或氮化物为基的单层或多层薄膜材料等，以提升所述封装结构的耐高电压性、耐热性、和抗紫外能力。对低温或室内应用场合，所述绝缘隔板203也可以采用有机或高分子材料，如聚脂，塑胶，聚乙烯等。
如图2所示，所述绝缘隔层203开口侧壁为斜面以改善其反光性能，以及调整出光光强的空间分布，其表面通常镀有反射层，如银，铝，或以氧化物为基的全反射膜，以减少所述绝缘隔层203开口内侧壁的吸光量，增加发光效率。
通常采用蒸镀，溅射，印刷，或电镀的方式在所述绝缘隔板203上形成所述的导电层204，导电层204通常采用金属基材料，如铜，铝，金，银，及其合金等，导电层的厚度通常介于10微米与500微米之间。对要求导电层厚度大于500微米的场合，通常采用键合，焊接，或粘接的方式将已预成形的所述导电顶板204与所述绝缘隔板203相连接。预成形导电顶板204的厚度通常大于0.05mm。预成形导电顶板204通常采用金属基材料，如铜，铝，铁，钼，及其合金等，其外表面通常镀有银薄层，以改善所述导电顶板204的可焊性及其反光性能。
所述导电顶板204内侧壁通常比所述绝缘隔层203开口内侧壁宽大，以避免挡住所述发光芯片202的出光通道，避免与所述金属基导电底板201发生导电短路，其表面通常镀有反射层，如银，铝，或以氧化物为基的全反射膜，以减少所述导电顶板204内侧壁的吸光量，增加发光效率。
所述围堰205通常是在封装过程中才加装到所述的封装结构上去。通常采用嵌入和/或粘接的方式将预成形的所述围堰205加装在所述基本单元的顶部。所述围堰205通常采用金属材料或非金属材料或有机高分子材料，如铜，铝，铁，钼合金，陶瓷，玻璃，工程塑料，聚脂，塑胶，聚乙烯等，其内侧壁表面通常镀有反射层，如银，铝，或以氧化物为基的全反射膜，以减少所述围堰205内侧壁的吸光量，增加发光效率。所述围堰205内，呈斜面或凹形弧面的光滑内表面不仅提供了第三灌封空间，也可用于调整出光的光强分布。
通常的封装过程包括(1)将芯片202固定到如图2所示的固晶区210上；(2)通过打线，将所述发光芯片202的电极分别连接到所对应的导电顶板204上；(3)在所述绝缘隔板203侧壁构成的第一灌封围堰内灌注形成第一灌封层206。对单色LED，可以不灌注第一灌封层206，也可以灌注一灌封材料，如硅胶等，以改善出光效率和可靠性；对白色LED，所述第一灌封层206通常是包含荧光粉材料的涂敷层。所述涂敷层通常采用硅胶或环氧树脂等有机材料或低熔点玻璃材料与荧光粉混合而成。(4)在所述导电顶板204侧壁构成的第二灌封围堰内灌注形成第二灌封层。对单色LED，可以不灌注第二灌封层，也可以灌注一相同或不相同的灌封材料，如具不同折射系数的硅胶等，以改善出光效率和可靠性；对白色LED，可以不灌注第二灌封层，也可以灌注第二灌封层。所述第二灌封层可以是包含荧光粉材料第二涂敷层，第二涂敷层通常采用硅胶或环氧树脂等有机材料或低熔点玻璃材料与荧光粉混合而成；也可以灌注一相同或不相同的灌封材料，如具不同折射系数的硅胶等，以改善出光效率和可靠性。(6)在所述基板单元顶部放置所述围堰205；(6)在所述围堰205内侧壁构成的第三灌封围堰内灌注形成第三灌封层207。灌注材料通常是硅胶或环氧树脂等高分子材料或低熔点玻璃材料。通常灌封形成具有透光或混光功能的透镜；所述透镜可具呈凸形弧状或凹形弧状或平面状光滑表面。
如图3所示，是本发明的发光芯片封装结构的第一实施例，其包括金属基底板301、绝缘隔板303、导电顶板304、固晶区310、发光芯片302、第一灌封层306、预成形透镜307、填充层305、基板电极309、以及金属引线308。
所述预成形透镜307通常是在封装过程中才加装到所述的封装结构上去。通常采用嵌入和/或粘接的方式将所述预成形透镜307加装在所述基板单元的顶部。所述预成形透镜307通常采用玻璃材料或高分子材料，如光学玻璃，亚克力，环氧树脂等，其内侧壁表面镀有防反射膜或成凹凸表面，以改善光吸收能力，其外表面可呈各凸形弧状或凹形弧状或平面状光滑表面，以提升出光效率和调整光强分布。
通常的封装过程包括(1)将芯片302固定到如图3所示的固晶区内；(2)通过打线，将所述发光芯片302的电极分别连接到所对应的导电顶板304上；(3)由所述绝缘隔板303侧壁构成的第一灌封围堰内灌注形成第一灌封层306。对单色LED，可以不灌注第一灌封层306，也可以灌注一灌封材料，如硅胶等，以改善出光效率和可靠性；对白色LED，所述第一灌封层306通常是包含荧光粉材料的涂敷层。所述涂敷层通常采用硅胶或环氧树脂等有机材料或低熔点玻璃材料与荧光粉混合而成。(4)在所述基板单元顶部放置所述的预成形透镜307；(5)在所述预成形透镜307内侧壁与所述第一灌封层306之间灌注形成填充层305，填充层通常采用硅胶或环氧树脂等高分子材料或低熔点玻璃材料。
可以理解的，上述实施例的结构特征可以根据需要进行任意组合而组成新的实施方式，本发明的保护范围不限于上述的实施方式，应为上述结构特征的任意组合。
由导热性能优异的金属基底板作为发光芯片的安装支架，结构简单，具有良好的散热效果；金属基底板可以通过固定通孔用螺丝将其固定到其它部件或散热机构上，达成十分良好的散热通道；整个结构没有易分解的有机材料，具有耐高温、抗紫外的优点。另外，该封装结构除了可以应用到LED芯片的封装，也可以应用到其他芯片的封装。

Claims (9)

1.一种发光芯片封装结构，其特征在于，包括至少一基板单元、在所述基板单元上设置至少一固晶区、安装在所述固晶区上的至少一发光芯片、以及在所述基板单元上设置相互隔绝的至少两个可与外界实现导电连接的基板电极；所述基板单元包括至少一金属基底板、在所述金属基底板上至少有一绝缘隔板、以及在所述绝缘隔板的上表面至少有两个彼此隔绝的导电薄层或导电顶板；所述发光芯片通过所述导电薄层或导电顶板与所述基板电极电连接。
2.根据权利要求1所述的发光芯片封装结构，其特征在于，所述绝缘隔板至少有一开口，所述开口所对应的所述金属基底板表面包括至少一放置所述芯片的所述固晶区；所述固晶区表面及其裸露的所述金属基底板表面可设置至少一金属层或至少一反射膜；所述绝缘隔板开口侧壁构成所述发光芯片的第一出光空间、第一灌封围堰和第一反光侧壁；所述绝缘隔板开口侧壁包括与所述固晶区表面垂直的光滑表面、和/或与所述固晶区表面成大于90度夹角的光滑斜面、和/或自所述固晶区表面向上延伸的光滑弧面；所述绝缘隔板开口侧壁表面可设置至少一反射膜；所述第一灌封围堰内可设置至少一第一灌封层。
3.根据权利要求1所述的发光芯片封装结构，其特征在于，所述导电薄层或导电顶板之间设有绝缘层或绝缘带，或者，在相邻的所述导电薄层或导电顶板之间留有空隙，或者，在所述空隙内填充绝缘材料；围绕所述绝缘隔板开口的所述导电薄层或导电顶板内侧壁构成所述发光芯片的第二出光空间、第二灌封围堰和第二反光侧壁；所述导电薄层或导电顶板侧壁包括与所述固晶区表面垂直的光滑表面、和/或与所述固晶区表面成大于90度夹角的光滑斜面、和/或自所述固晶区表面向上延伸的光滑弧面；所述导电薄层或导电顶板侧壁表面可设置至少一反射膜；所述第二灌封围堰内可设置至少一第二灌封层。
4.根据权利要求1所述的发光芯片封装结构，其特征在于，在所述基板单元顶部可设置至少一围堰；所述围堰内侧壁包括与所述固晶区表面垂直的光滑表面、和/或与所述固晶区表面成大于90度夹角的光滑斜面、和/或自所述固晶区表面向上延伸的光滑弧面；所述围堰内侧壁可设置至少一反射膜；所述围堰内侧壁构成所述发光芯片的第三出光空间、第三灌封围堰和第三反光侧壁；所述第三灌封围堰内可设置至少一第三灌封层。
5.根据权利要求4所述的发光芯片封装结构，其特征在于，所述第三灌封层包括至少一灌封成形具有透光或混光功能的玻璃透镜或高分子透镜；所述透镜包括至少一凸形弧状或凹形弧状或平面状光滑表面。
6.根据权利要求1所述的发光芯片封装结构，其特征在于，在所述基板单元顶部可放置至少一具有透光或混光功能、由玻璃材料或高分子材料制作的预成型透镜；所述预成型透镜包括至少一呈凸形弧状或凹形弧状或平面状光滑表面。
7.根据权利要求1所述的发光芯片封装结构，其特征在于，所述发光芯片放置在所述固晶区中央，并分别导电连接到对应的所述导电薄层或导电顶板；或者，所述发光芯片为多个，若干所述发光芯片串联或并联或串并联后再分别导电连接到对应的所述导电薄层或导电顶板。
8.根据权利要求1所述的发光芯片封装结构，其特征在于，所述固晶区附近设置有分别导电连接到对应的所述导电薄层或导电顶板的焊线区，所述发光芯片分别导电连接到对应的所述焊线区，或其中若干所述发光芯片串联或并联或串并联后再分别导电连接到对应的焊线区。
9.根据权利要求1所述的发光芯片封装结构，其特征在于，所述基板单元的裸露表面设有增加散热表面积的散热结构、和/或涂覆有散热材料，所述散热材料具有增加表面热辐射能力和/或热传导能力。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102800664A (zh) * 2012-08-07 2012-11-28 浙江古越龙山电子科技发展有限公司 一种用于促进植物生长的led单灯及其生产工艺
CN103579476A (zh) * 2012-07-19 2014-02-12 三星电机株式会社 用于led模块的基板及其制造方法
CN103956356A (zh) * 2014-04-29 2014-07-30 复旦大学 一种高效导热的大功率led集成封装结构
CN103985807A (zh) * 2013-02-07 2014-08-13 罗容 无机基板及其制造方法
CN105765746A (zh) * 2013-11-29 2016-07-13 夏普株式会社 发光装置用基板、发光装置以及发光装置用基板的制造方法
CN105810804A (zh) * 2014-12-29 2016-07-27 宁波海奈特照明科技有限公司 一种led发光器件、led光源基板及其制作方法
EP3327801A1 (en) * 2016-11-24 2018-05-30 Valeo Iluminacion Electronic assembly and method for creating an electronic assembly

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1466782A (zh) * 2001-08-28 2004-01-07 ���µ繤��ʽ���� 使用led的发光装置
CN2657204Y (zh) * 2003-04-29 2004-11-17 洪千惠 一种带发光二极体的电路板
CN1877876A (zh) * 2006-05-25 2006-12-13 吴质朴 发光二极管及其封装方法
CN1967888A (zh) * 2005-11-02 2007-05-23 株式会社托里昂 发光二极管安装基板
JP3138795U (ja) * 2007-11-02 2008-01-17 サンケン電気株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置を用いた面状発光源
CN101604722A (zh) * 2008-06-09 2009-12-16 斯坦雷电气株式会社 半导体发光装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1466782A (zh) * 2001-08-28 2004-01-07 ���µ繤��ʽ���� 使用led的发光装置
CN2657204Y (zh) * 2003-04-29 2004-11-17 洪千惠 一种带发光二极体的电路板
CN1967888A (zh) * 2005-11-02 2007-05-23 株式会社托里昂 发光二极管安装基板
CN1877876A (zh) * 2006-05-25 2006-12-13 吴质朴 发光二极管及其封装方法
JP3138795U (ja) * 2007-11-02 2008-01-17 サンケン電気株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置を用いた面状発光源
CN101604722A (zh) * 2008-06-09 2009-12-16 斯坦雷电气株式会社 半导体发光装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103579476A (zh) * 2012-07-19 2014-02-12 三星电机株式会社 用于led模块的基板及其制造方法
CN102800664A (zh) * 2012-08-07 2012-11-28 浙江古越龙山电子科技发展有限公司 一种用于促进植物生长的led单灯及其生产工艺
CN102800664B (zh) * 2012-08-07 2015-01-28 浙江古越龙山电子科技发展有限公司 一种用于促进植物生长的led单灯及其生产工艺
CN103985807A (zh) * 2013-02-07 2014-08-13 罗容 无机基板及其制造方法
CN103985807B (zh) * 2013-02-07 2016-12-28 深圳大道半导体有限公司 无机基板及其制造方法
CN105765746A (zh) * 2013-11-29 2016-07-13 夏普株式会社 发光装置用基板、发光装置以及发光装置用基板的制造方法
CN103956356A (zh) * 2014-04-29 2014-07-30 复旦大学 一种高效导热的大功率led集成封装结构
CN105810804A (zh) * 2014-12-29 2016-07-27 宁波海奈特照明科技有限公司 一种led发光器件、led光源基板及其制作方法
EP3327801A1 (en) * 2016-11-24 2018-05-30 Valeo Iluminacion Electronic assembly and method for creating an electronic assembly

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