KR101303982B1 - 시인성이 우수한 투명 전도성 필름 및 그 제조 방법 - Google Patents

시인성이 우수한 투명 전도성 필름 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

시인성이 우수한 투명 전도성 필름 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 시인성이 우수한 투명 전도성 필름은 투명 필름; 상기 투명필름 상에 형성되는 언더코팅층; 및 상기 언더코팅층 상에 형성되는 도전층;을 포함하고, 상기 언더코팅층은 상기 도전층 하부에 굴절률이 1.4 ~ 1.46인 물질로 형성되는 제1저굴절층과, 상기 제1저굴절층과 상기 투명 필름 사이에 굴절률이 1.7 ~2.0인 실리콘 산질화물(Silicon Oxynitride)로 형성되는 고굴절층을 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

시인성이 우수한 투명 전도성 필름 및 그 제조 방법{TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM WITH EXCELLENT VISIBILITY AND METHOD OF MANUFACTURING THE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM}
본 발명은 투사형 정전용량 방식의 터치 패널 등에 사용되는 투명 전도성 필름에 관한 것으로, 보다 상세하게는 시인성(visibility)이 우수한 투명 전도성 필름 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
투명전극 필름은 터치판넬의 제조 시 가장 중요한 부품 중 하나이다. 이러한투명전극 필름으로 현재까지 가장 널리 사용되는 것은 전광선 투과율이 85% 이상이고 표면 저항이 400 Ω/square 이하인 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide: ITO)필름이다.
일반적인 투명전극 필름은 투명한 고분자 필름에 표면 평탄성과 내열성을 구비하기 위해 프라이머 코팅(primer coating) 처리를 한 후 하드코팅 처리한 것을 재 필름(base film)으로 사용한다.
이 기재 필름 상에, 투명 언더코팅(under coating)층을 습식 코팅(wetcoating)이나 진공 스터터링 방법으로 형성한 후, ITO와 같은 투명 도전층을 스퍼터 방식으로 형성하였다.
한편, 최근 정전 용량 방식의 터치 패널 사용이 증가되면서 미세 정전류를 지하기 위한 표면 저항 200 Ω/square 미만의 저저항 구현과 투명 전도막 패턴의 인성 개선이 요구되고 있다.
패턴된 투명 도전층의 시인성 개선은 투명 도전층과 그 투명 도전층이 식각된 부분의 반사율 차이를 줄여야 달성할 수 있고, 이를 위해 종래에는 투명 도전층하부에 적정한 굴절률을 가진 언더코팅층을 구비하여 시인성을 개선하고자 하였다.
언더코팅층을 구비하는 투명 도전성 필름의 대표적인 예로, 투명 전도층과 명 필름 사이에 굴절률 1.7인 실리콘 주석 산화물(Silicon Tin Oxide)과 굴절률1.4인 실리콘 산화물(SiO2)으로 이루어진 투명 언더코팅층을 구비하는 구조를 갖는투명 도전성 필름이 제시되어 있다.
언더코팅층을 구비하는 투명 도전성 필름의 또 다른 예로 굴절률 2.3인 인듐산화물-세륨 산화물-주석 산화물(Indium Oxide-Cerium Oxide-Tin Oxide)로 이루어진 복합 산화물과 굴절률 1.4인 실리콘 산화물(SiO2)로 이루어진 투명 언더코팅층을 구비하는 구조를 갖는 투명 전도성 필름이 제시되어 있다.
그러나, 상기의 투명 전도성 필름들은 시인성 개선의 효과가 만족스럽지 못하고, 또한 언더코팅층의 원재료 수급에 어려움이 있다.
본 발명의 목적은 언더코팅층을 형성하는 물질을 변화시켜 시인성을 향상시킬수 있는 투명 전도성 필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 저가의 공정 비용으로 시인성을 향상시킬 수 있는 투명 전도성 필름 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 하나의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 시인성이 우수한 투명 전도성 필름은 투명 필름; 상기 투명 필름 상에 형성되는 언더코팅층; 및 상기 언더코팅층 상에 형성되는 도전층;을 포함하고, 상기 언더코팅층은 상기 도전층 하부에 굴절률이 1.4 ~ 1.46인 물질로 형성되는 제1저굴절층과, 상기 제1저굴절층과 상기 투명 필름 사이에 굴절률이 1.7 ~ 2.0인 실리콘 산질화물(Silicon Oxynitride)로 형성되는 고굴절층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 시인성이 우수한투명 전도성 필름 제조 방법은 투명 필름 상에 굴절률이 1.7 ~ 2.0 사이의 실리콘산질화물로 고굴절층을 형성하는 단계; 상기 고굴절층 상에 굴절률이 1.4 ~ 1.46인물질로 제1저굴절층을 형성하는 단계; 상기 제1저굴절층 상에 도전층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 고굴절층 및 상기 제1저굴절층은 스퍼터링 또는 이온 플레이팅 방법으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 시인성이 우수한 투명 전도성 필름은 언더코팅층에 포함되는고굴절층을 굴절률이 1.7 ~ 2.0 사이인 실리콘 산질화물(Silicon Oxynitride)로 형성함으로써 전광선 투과율 및 시인성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 시인성이 우수한 투명 전도성 필름은 고가의 금속이 아닌 상대적으로 저가인 실리콘, 실리콘 산화물 등을 언더코팅층 원료 물질로 이용함으로써 공정 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 시인성이 우수한 투명 전도성 필름의 단면을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 시인성이 우수한 투명 전도성 필름의단면을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 시인성이 우수한 투명 전도성 필름의 단면을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 시인성이 우수한 투명 전도성 필름 제조 방법을 개략적으로 나타낸 것이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 시인성이 우수한 투명 전도성필름 및 그 제조 방법에 관하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 시인성이 우수한 투명 전도성 필름의 단면을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 1을 참조하면, 도시된 투명 전도성 필름은 투명 필름(110), 언더코팅층(120) 및 도전층(130)을 포함한다.
투명 필름(110)은 투명성과 강도가 우수한 필름이 이용될 수 있다. 이러한투명 필름(110)의 재질로는 PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylenenaphthalate), PES(polyethersulfone), PC(Poly carbonate), PP(poly propylene),노보르넨계 수지 등이 제시될 수 있으며, 이들이 단독으로 또는 2종 이상 혼합되어있을 수 있다. 또한 투명 필름(110)은 단일 필름의 형태 또는 적층 필름의 형태가 될 수 있다.
언더 코팅층(120)은 투명 필름(110)과 도전층(130) 사이의 절연특성 및 투과도를 향상시키는 역할을 한다.
본 발명에서 언더 코팅층(120)은 굴절률이 상이한 2개 이상의 층으로 형성된다. 보다 구체적으로, 언더 코팅층(120)은 굴절률이 1.4 ~ 1.46인 물질로 형성되는저굴절층(121)(이하, 제1저굴절층이라 한다)과 굴절률이 1.7 ~ 2.0인 고굴절층(122)을 구비한다.
도전층(130)의 굴절률이 대략 1.9 ~ 2.0이라고 할 때, 반사율을 줄이기 위하여 각 층간의 굴절률 차이가 너무 크거나 너무 작아도 안되고, 제1저굴절층(121)이도전층(130)에 인접하게 형성되고, 고굴절층(122)이 제1저굴절층(121)과 투명 필름(110) 사이에 형성되는 것이 바람직하다.
이때, 본 발명에서는 고굴절층(122)으로 실리콘 산질화물(Silicon Oxynitride)을 이용한 결과, 굴절률이 1.7 ~ 2.0 사이로 조절 가능하였으며, 투명전도성 필름 전체적인 시인성 및 전광선 투과율이 향상되었다.
이때, 실리콘 산질화물은 질소(N)의 몰 비율이 산소(O)의 몰 비율보다 더 높은 것이 바람직하다. 질소의 몰 비율이 산소의 몰 비율보다 더 높은 경우 굴절률이상승하며, 이에 따라 시인성 효과 상승이 두드러지게 나타났다.
한편, 제1저굴절층(121)은 굴절률이 1.4인 실리콘 산화물(SiO2)로 형성될 수있다.
언더코팅층(120)은 제1굴절층(121) 및 고굴절층(122) 합산 두께로 10 ~ 100nm의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 언더코팅층(120)의 두께가 100 nm를 초과할 경우 막 응력이 심해져 크랙이 발생할 수 있으며, 전광선 투과율이 저하될 수있다. 반대로, 언더코팅층(120)의 두께가 10 nm 미만으로 너무 얇게 형성될 경우투과율 및 시인성 향상 효과가 불충분한 문제점이 있다.
도전층(130)은 언더코팅층(120) 상에 형성된다.
이러한 도전층(130)은 투명성과 도전성이 우수한 ITO(Indium Tin Oxide), FTO(Fluorine-doped Tin Oxide) 등으로 형성될 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 시인성이 우수한 투명 전도성 필름의단면을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2를 참조하면, 도시된 투명 전도성 필름은 투명 필름(110), 언더코팅층(120) 및 도전층(130)을 포함하며, 언더코팅층(120)이 제1저굴절층(121), 고굴절층(122) 및 제2저굴절층(123)을 포함한다.
도 2에서, 투명 필름(110), 언더코팅층(120)의 제1저굴절층(121)과 고굴절층(122) 및 도전층(130)은 도 1에 도시된 바와 동일하므로, 그 상세한 설명은 생략하기로 한다.
언더코팅층(120)에 추가로 구비되는 제2저굴절층(123)은 고굴절층(122)과 투명 필름(110) 사이에 형성된다.
이러한 제2저굴절층(123)은 고굴절층(122)과 투명 필름(110)의 반사율 차이를 감소시키고 전광선 투과율을 높여 시인성을 보다 향상시키는 역할을 하며, 투명필름(110)과 고굴절층 사이의 수분과 올리고머 등의 투과를 막는 역할을 한다.
제2저굴절층(123) 역시 제1저굴절층(121)과 마찬가지로 SiO2와 같은 굴절률이 1.4 ~ 1.46인 물질로 형성될 수 있다.
제2저굴절층(123)의 두께는 특별한 한정은 없으나, 40nm 이하, 예를들어 1 ~40 nm의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 제2저굴절층(123)이 40 nm를 초과하여형성될 경우, 더 이상의 시인성 등의 효과 상승 없이 공정 비용만 증가될 수 있기때문이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 시인성이 우수한 투명 전도성 필름의 단면을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 3을 참조하면, 도시된 투명 전도성 필름은 투명 필름(110), 언더코팅층(120), 도전층(130) 및 하드코팅층(140)을 포함한다.
도 3에서, 투명 필름(110), 언더코팅층(120) 및 도전층(130)은 도 1에 도시된 바와 동일하므로, 그 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 3에서는 투명 필름(110)의 하부에 하드코팅층(140)이 더 형성되어있다. 하드 코팅층(140)은 표면 경도를 향상시키는 역할을 하며, 아크릴계 화합물등 하드 코팅 형성을 위하여 이용되는 것이라면 제한없이 이용될 수 있다.
하드 코팅층(140)은 도 3에서와 같이 투명 필름(110)의 일면에만 형성될 수있으나, 투명 필름(110)의 양면에 형성될 수도 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 시인성이 우수한 투명 전도성 필름 제조 방법을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 4를 참조하면, 도시된 투명 전도성 필름 제조 방법은 고굴절층 형성 단계(S410), 제1저굴절층 형성 단계(S420) 및 도전층 형성 단계(S430)를 포함한다.
또한, 도 4에 도시된 도시된 투명 전도성 필름 제조 방법은 도 1에 도시된 구조를 갖는 투명 전도성 필름을 형성하는 것으로, 도 4에 도시된 투명 전도성 필름 제조 방법을 설명함에 있어, 도 1에 도시된 각 구성요소의 도면 부호를 동일하게 사용하기로 한다.
고굴절층 형성 단계(S410)에서는 스퍼터링(sputtering) 또는 이온 플레이팅(ion plating) 방법을 이용하여, 투명 필름(110) 상에 굴절률이 1.7 ~ 2.0 사이의 실리콘 산질화물(Silicon Oxynitride)로 고굴절층(122)을 형성한다.
보다 구체적으로, 고굴절층(122)은 실리콘 타겟(Si target)을 이용하고 반응가스로 산소(O2) 및 질소(N2)를 이용하는 직류 전원 반응성 스퍼터링 방법으로 형성할 수 있다.
이때, 질소의 분압(N2)이 상기 산소의 분압(O2)보다 높은 것이, 형성되는 실리콘 산질화물에서 질소의 몰 비율을 높일 수 있으므로, 전광선 투과율 및 시인성향상에 더 바람직하다.
제1저굴절층 형성 단계(S420)에서는 스퍼터링 또는 이온 플레이팅 방법을 이용하여, 고굴절층(122) 상에 굴절률이 1.4 ~ 1.46인 물질로 제1저굴절층(121)을 형성한다.
보다 구체적으로, 제1저굴절층(121)은 SiO2 타겟을 이용한 직류 전원 반응성스퍼터링 방법으로 형성할 수 있다.
이때, 전술한 바와 같이, 상기 고굴절층(122)과 제1저굴절층(121)은 합산으로 10 ~ 100 nm의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
도전층 형성 단계(S430)에서는 제1저굴절층(121) 상에 ITO 또는 FTO로 도전층(130)을 형성한다. 보다 구체적으로, 도전층(130)은 ITO 타겟을 이용한 직류 전원 반응성 스퍼터링 방법으로 형성할 수 있다.
한편, 도 2에 도시된 예와 같이, 고굴절층(122)을 형성하기 이전에, 투명 필름(110) 상에 굴절률이 1.4 ~ 1.46인 물질(예를 들어 SiO2)로 제2저굴절층(도 2의123)을 더 형성할 수 있다. 전술한 바와 같이, 제2저굴절층(123)은 40 nm 이하의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 표면 경도 향상을 위하여, 투명 필름(110)의 일면 또는 양면에 아크릴계 화합물 등으로 하드코팅층(도 3의 140)을 더 형성할수 있다.
하드코팅층(140)은 고굴절층(122) 등이 형성되지 않은 투명 필름(110)의 일면 또는 양면에 형성될 수 있고, 고굴절층(122) 등이 형성된 상태에서 투명 필름(110)의 하부면에만 형성될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 시인성이 우수한 투명 전도성 필름은 투명 필름과 도전층 사이의 언더코팅층을 굴절률이 1.4 ~ 1.46인 저굴절층과 굴절률이 1.7 ~ 2.0인 고굴절층으로 형성하되, 고굴절층을 실리콘 산질화물(Silicon Oxynitride)로 형성함으로써 우수한 전광선 투과율 및 시인성을 가질 수 있다. 따라서, 필름 외관을 향상시킬 수 있어, 투사형 정전용량 방식의 터치 패널 등에 유용하게 활용될 수 있다.
또한, 언더코팅층을 원재료 확보가 용이한 실리콘(Si), 실리콘 산화물(SiO2)등을 이용한 스퍼터링 공정으로 형성할 수 있어서 투명 전도성 필름 제조 비용을 절감할 수 있다.
<실험예 - 투명도전성 필름의 시인성 평가>
[실시예 1]
아크릴계 하드코팅층을 양면에 형성한 125㎛ 두께 PET 필름의 한 면 위에 실리콘 산질화물을 반응성 스퍼터링 방식으로 성막했다. 이때 반응 가스의 비율은 질소와 산소 각각 60%와 40%로 하여, 굴절률 1.71, 두께는 40㎚였다. 연속하여 반응성 스퍼터링 방식으로 굴절률 1.47인 실리콘 산화물 박막을 20㎚ 두께로 성막하여 제 1굴절층을 형성하고, 그 위에 열처리 후 굴절률이 1.95인 ITO층 20㎚를 성막하여 투명 도전성 필름을 제작하고 시인성 평가를 실시하였다.
[실시예 2]
실시예 1과 동일한 하드코팅된 PET 필름 위에, 질소와 산소 각각 80%와 20%인 반응성 가스를 사용한 두께 35㎚의 고굴절층을 형성하고 나머지 제 1굴절층과 도전층은 실시예 1과 동일한 조건으로 도전성 필름을 제작하고 시인성 평가를 실시하였다.
[실시예 3]
실시예 1과 동일한 하드코팅된 PET 필름과 고굴절층 사이에, 반응성 스퍼터링 방식으로 굴절률 1.4인 실리콘 산화물 박막을 20nm 두께로 성막하여 제 2굴절층을 추가로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건으로 도전성 필름을 제작하고 시인성 평가를 실시하였다.
[비교예 1]
실시예 1에서 고굴절층을 생략하여 제 1굴절층과 도전층의 이층막 구조로 도전성 필름을 제작하고 시인성 평가를 실시하였다.
[비교예 2]
실시예 1과 동일한 하드코팅된 PET필름의 한면 위에 고굴절층에 실리콘 질화물을 반응성 스퍼터링 방식으로 성막하는 경우를 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건으로 도전성 필름을 제작하고 시인성 평가를 실시하였다.
[비교예 3]
아크릴계 하드코팅층을 양면에 형성한 125㎛ 두께 PET 필름의 한 면 위에 실리콘 산질화물을 반응성 스퍼터링 방식으로 성막했다. 이때 반응 가스의 비율은 질소와 산소 각각 20%와 80%로 하여, 굴절률 1.71, 두께는 40㎚였다. 연속하여 반응성 스퍼터링 방식으로 굴절률 1.47인 실리콘 산화물 박막을 20㎚ 두께로 성막하여 제 1굴절층을 형성하고, 그 위에 열처리 후 굴절률이 1.95인 ITO층 20㎚를 성막하여 투명 도전성 필름을 제작하고 시인성 평가를 실시하였다.
[비교예 4]
비교예 3과 동일한 하드코팅된 PET 필름 위에, 질소와 산소 각각 40%와 60%인 반응성 가스를 사용한 두께 35㎚의 고굴절층을 형성하고 나머지 제 1굴절층과 도전층은 실시예 1과 동일한 조건으로 도전성 필름을 제작하였다.
[비교예 5]
비교예 3과 동일한 하드코팅된 PET 필름 위에, 질소와 산소 각각 50%와 50%인 반응성 가스를 사용한 두께 35㎚의 고굴절층을 형성하고 나머지 제 1굴절층과 도전층은 실시예 1과 동일한 조건으로 도전성 필름을 제작하였다.
[비교예 6]
실시예 1과 동일한 하드코팅된 PET 필름과 고굴절층 사이에, 반응성 스퍼터링 방식으로 굴절률 1.4인 실리콘 산질화물 박막을 40nm 두께로 성막하여 제 2굴절층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건으로 도전성 필름을 제작하였다.
[비교예 7]
실시예 1과 동일한 하드코팅된 PET 필름과 고굴절층 사이에, 반응성 스퍼터링 방식으로 굴절률을 1.5인 실리콘 산화물 박막을 40nm 두께로 성막하여 제 2굴절층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건으로 도전성 필름을 제작하였다.
[비교예 8]
실시예 1과 동일한 하드코팅된 PET 필름과 고굴절층 사이에, 반응성 스퍼터링 방식으로 굴절률 1.4인 실리콘 산화물 박막을 50nm 두께로 성막하여 제 2굴절층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건으로 도전성 필름을 제작하였다.
<실험결과>
하기 표 1은 실시예 및 비교예의 투명 전도성 필름의 전광선 투과율과, ITO층 식각 패턴의 육안 확인 여부를 평가한 결과를 나타낸 것이다.
제1굴절층 고굴절층 제2굴절층 고굴절층
실시콘산질화물 함량
O2 : N2 (%) 		전광선
투과율(%)		 시인성 평가
실시예1 유 유 무 40 : 60 91.5 O
실시예2 유 유 무 20 : 80 91 O
실시예3 유 유 유 40 : 60 92 O
비교예1 유 무 무 0 : 0 87.5 X
비교예2 유 유 무 0 : 100 87 X
비교예3 유 유 무 80 : 20 89 Δ
비교예4 유 유 무 60 : 40 89 Δ
비교예5 유 유 무 50 : 50 90 Δ
비교예6 유 유 유 40 : 60 88 X
비교예7 유 유 유 40 : 60 88.5 X
비교예8 유 유 유 40 : 60 88 X
유 : 층이 존재함, 무 : 층이 존재하지 않음
O : 시인성 우수, Δ : 시인성 보통, X : 시인성 미흡
실시예 1의 경우 150℃ 온도에서 1시간 열처리 한 상기 도전성 필름의 도전층만 일부 에칭하여 패턴을 만들고 패턴 시인성을 육안으로 평가한 결과, 육안으로 패턴 여부를 식별하기 어려운 수준임을 확인하였고, 실시예 2 또한 실시예 1과 동등한 수준의 외관 평가 결과를 얻었다.
아울러, 상기 표 1을 참조하면, 언더코팅층의 고굴절층으로 실리콘 산질화물을 적용한 경우 시인성이 우수 하였으며, 특히, 질소 분율이 산소 분율보다 더 높은 경우 전광선 투과율이 대략 2% 정도 향상되었는 바, 시인성 개선 효과가 큰 것을 알 수 있다.
특히 제 2굴절층이 부과된 실시예3의 경우는 실시예1 및 2 보다 육안으로 패턴 여부를 더욱 식별하기 어려웠는바, 일정요건의 제 2굴절층을 추가함으로써 투명 전도성 필름의 시인성이 우수함을 확인하였다.
반면, 비교예 1과 같이 도전성 필름을 제작하여 외관 평가를 실시한 결과, ITO 패턴이 육안으로 확실하게 구분 가능했다. 또한 비교예 2를 통하여, 실리콘 산질화물이 아닌 실리콘 질화물로 고굴절층을 형성할 경우, 전광선 투과율이 낮아지는 문제점을 발견할 수 있었다.
비교예 3 내지 5는 실시예 1 내지 2와 상이하게 전광선 투과율이 저하되어 시인성이 보통으로 측정되었는바, 실리콘 산질화물에 있어서 질소의 분압이 산소의 분압보다 높거나, 실리콘 산질화물에서 질소의 몰 비율이 높을수록 전광선 투과율 및 시인성 향상에 더 바람직함을 확인하였다.
또한 비교예 6 내지 8과 같이 제 2 굴절층을 포함하는 경우라도, 실리콘 산화물로 형성되지 않거나, 일정한 굴절률 및 일정한 두께의 범위를 벗어난 경우라면 도전성 필름의 외관 평가에 있어서, ITO 패턴이 육안으로 확실하게 구분 가능하였고, 시인성이 미흡함을 알 수 있었다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나, 이는 예시적인 것에불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 기술자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 이하에 기재되는 특허청구범위에 의해서 판단되어야 할 것이다.
110 : 투명 필름 120 : 언더코팅층
121 : 제 1저굴절층 122 : 고굴절층
123 : 제2저굴절층 130 : 도전층
140 : 하드코팅층

Claims (17)

  1. 투명 필름;
    상기 투명 필름 상에 형성되는 언더코팅층; 및
    상기 언더코팅층 상에 형성되는 도전층;을 포함하고,
    상기 언더코팅층은 상기 도전층 하부에 굴절률이 1.4 ~ 1.46인 물질로 형성되는 제1저굴절층;
    상기 제1저굴절층 하부에 굴절률이 1.7 ~ 2.0인 실리콘 산질화물(Silicon Oxynitride)로 형성되는 고굴절층; 및
    상기 고굴절층과 상기 투명 필름 사이에 굴절률이 1.4 ~ 1.46인 물질로 형성되는 제2저굴절층을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 실리콘 산질화물은 질소의 몰 비율이 산소의 몰 비율보다 더 큰 것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1저굴절층은 실리콘 산화물(SiO2)로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 언더코팅층은 10 nm ~ 100 nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2저굴절층은 1 nm ~ 40 nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 필름.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 투명 필름은 PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylene naphthalate), PES(polyethersulfone), PC(Poly carbonate), PP(poly propylene) 및 노보르넨계 수지 중 1종 이상으로 이루어진 단일 또는 적층 필름인 것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 도전층은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 FTO(Fluorine-doped Tin Oxide)로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 투명 전도성 필름은 상기 투명 필름의 일면 또는 양면에 형성되는 하드코팅층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름.
  10. 투명 필름 상에 굴절률이 1.4 ~ 1.46인 물질로 제2저굴절층을 형성하는 단계;
    상기 제2저굴절층 상에 굴절률이 1.7 ~ 2.0 사이의 실리콘 산질화물로 고굴절층을 형성하는 단계;
    상기 고굴절층 상에 굴절률이 1.4 ~ 1.46인 물질로 제1저굴절층을 형성하는단계; 및
    상기 제1저굴절층 상에 도전층을 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 고굴절층 및 상기 제1저굴절층은 스퍼터링 또는 이온 플레이팅 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 고굴절층은 실리콘 타겟(Si target)을 이용하고 반응 가스로 산소(O2) 및 질소(N2)를 이용하는 직류 전원 반응성 스퍼터링 방법으로 형성하되,
    상기 질소의 분압이 상기 산소의 분압보다 높은 것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름 제조 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제1저굴절층은 SiO2 타겟을 이용한 직류 전원 반응성 스퍼터링 방법으로 형성하는것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름 제조 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 고굴절층과 제1저굴절층은 합산으로 10 nm ~ 100 nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름 제조 방법.
  14. 삭제
  15. 제10항에 있어서,
    상기 제2저굴절층은 1 nm ~ 40 nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름 제조 방법.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 도전층은 ITO 타겟을 이용한 직류 전원 반응성 스퍼터링 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름 제조 방법.
  17. 제10항에 있어서,
    상기 투명 필름의 일면 또는 양면에 하드코팅층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름 제조 방법.
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