KR101245115B1 - 근접 이격된 높은 종횡비의 압출된 그리드라인 - Google Patents

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Abstract

근접 이격된 높은 종횡비의 그리드라인 구조는 증착된 그리드라인 재료가 희생 재료의 대향 부분 사이에서 압축되도록 그리드라인 재료와 희생 재료를 공동 압출하는 2개 이상의 공동 압출 헤드를 이용하여 기판의 표면 상에 형성된다. 공동 압출 헤드는 비교적 미세한 특징과 비교적 높은 종횡비를 갖는 그리드라인 재료를 분배하는 비교적 작은 출구 오리피스로 수렴하는 3 채널 공동 구조를 포함한다. 상기 공동 압출 헤드의 출구 오리피스는 지그재그 구성으로 배치되어, 제1 공동 압출 헤드로부터 압출된 그리드라인이 제2 공동 압출 헤드로부터 압출된 2개의 그리드라인 사이에 배치된다. 이 방식으로 형성된 금속 그리드라인에 의해 광전지가 제조된다.
종횡비, 그리드라인, 희생 재료, 공동 압출 헤드, 출구 오리피스, 광전지

Description

근접 이격된 높은 종횡비의 압출된 그리드라인{CLOSELY SPACED HIGH-ASPECT EXTRUDED GRIDLINES}
본 발명은 압출 시스템 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세히는 비교적 높은 종횡비들을 갖는 비교적 미세한 구조들을 형성하기 위하여 다수의 유사한 및/또는 유사하지 않은 재료를 공동 압출하기 위한 마이크로 압출 시스템 및 방법에 관한 것이다.
전형적인 압출의 경우에, 재료 빌릿(billet)이 다이를 통해 압박 및/또는 흡인되어 봉(rod), 레일, 파이프 등을 제조한다. 다양한 용례가 이 능력을 채용하고 있다. 예컨대, 압출은 파스타(pasta), 시리얼, 스낵 등을 만들고, 가루 반죽 충전[예컨대, 머랭(meringue)]을 파이프를 통해 운반하며, 쿠키 팬 상에 쿠키 도우(dough)를 패턴화하고 케이크 상에 가루 반죽 꽃들 및 경계부들을 형성하기 위하여, 음식 가공 적용에서 사용될 수 있다. 다른 적용에 있어서, 압출은, 예컨대 여러 색깔의 치약을 함께 칫솔에 병합하기 위해 소비품에 이용될 수 있다.
종래의 압출 기법은, 예컨대 비교적 높은 종횡비(예컨대, 2:1 이상)의 미세한 특징(fine featured)(예컨대, 50 미크론 미만)을 갖는 구조나 다공성의 구조를 표현할 수 없다는 점에서 제한된다. 따라서, 압출은 효율과 전력 발생을 증가시키기 위해 통상적으로 높은 종횡비의 미세한 특징을 갖는 다공성 구조를 채택하는, 도전성 접점 및/또는 전기 화학적 채널(예컨대, 연료), 태양, 및/또는 다른 타입의 전지에 이용되지 않는다.
일례로서, 연료 전지의 경우에, 높은 종횡비의 미세한 특징을 갖는 다공성 전해질 구조는 전극에 필요한 고가의 촉매 활용도를 증가시키는 긴 반응 영역을 제공한다. 또한, 연료 전지는, 막(membrane)으로부터 반응 지점으로 양자(proton)를 안내하고, 낮은 분압 강하에 의해 산소를 반응 지점으로 확산시키며, 다공성 전극으로부터 전자를 반응 지점으로 안내하고, 반응 지점으로부터 열을 제거하며, 약 100 내지 200 PSI 범위의 압축 기계적 하중에 견디는 것을 비롯한 다수의 기능을 수행하기 때문에 복잡한 구조일 수 있다. 종래의 압출 기법은 연료 전지 산업에서 요구하는 비용으로 이들 요구를 충족시킬 수 없다. 효율을 증대시키기 위하여, 연료 전지 제작자는 원하는 것보다 많은 촉매를 이용하여 반응 지점의 개수를 증가시키고 탄소 덩어리가 다공질 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)의 매트릭스에서 백금(Pt)에 의해 촉진되게 한다. 태양 전지의 경우, 높은 종횡비의 미세한 특징을 갖는 그리드라인이 보다 많은 양자가 포획될 수 있게 하는 차양(shade)의 양을 감소시키고, 그 결과 전력 발생이 증가된다. 종래의 압출 기법은 태양 전지 산업에서 요구되는 비용으로 그러한 그리드라인을 제조할 수 없었다.
높은 종횡비의 라인 및 특징부를 발생시키는 빠르고 경제적인 수단을 이점으로 하는 다른 실용적인 장치가 많이 있다. 예컨대, 도 12는 디스플레이 내에 서브 픽셀들을 형성하는 배리어 리브(barrier rib)들을 통합하는 장치의 일례로서 플라즈마 디스플레이 패널을 도시하고 있다. 배리어 리브는 전기 절연 구조이고, 높은 종횡비의 구조인 것이 바람직한데, 그 이유는 이 리브가 디스플레이의 인치 당 도트 해상도와 충전 인자를 개선시키기 때문이다. 예컨대, 고품질의 광전지와 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하는 데에 이용될 수 있는 근접 이격된 높은 종횡비의 그리드라인을 효율적으로 제조하는 시스템 및 방법이 요구된다.
본 발명은 근접 이격된 높은 종횡비의 그리드라인 구조를 기판 표면 상에 형성하는 장치 및 방법에 관한 것으로서, 그리드라인들은 높은 종횡비의 그리드라인이 2개의 희생 재료 부분(이 희생 부분들은 차후에 제거됨) 사이에 지지되도록 기판 표면 상에 희생 재료에 의해 공동 압출된다. 그러한 공동 압출된 구조의 형성은 2개의 희생 재료 부분 사이에서 그리드라인 재료의 압축을 필요로 하고, 이로 인해 2개의 희생 재료 부분 사이에 그리드라인 재료를 압축하는 방식으로 비교적 좁은 출구 오리피스를 공급하는 비교적 넓은 3 채널 공동의 사용을 필요로 한다. 3 채널 공동의 폭으로 인해, 각 헤드 상의 인접한 출구 오리피스들 사이의 간격(이에 따라, 압출된 그리드라인들의 피치)은 예컨대, 태양 전지에 사용된 최적의 그리드라인 피치보다 크게 된다. 본 발명에 따르면, 인접한 출구 오리피스들 사이의 비교적 넓은 간격은 그 각각의 출구 오리피스가 지그재그(오프셋) 구성으로 배치되도록 평행한 구성으로 다수의 공동 압출 헤드를 배치함으로써 보상된다. 이어서 조립체가 기판 위에서 이동되고 공동 압출된 재료가 각각의 출구 오리피스로부터 가압되면, 원하는 (비교적 작은) 피치를 갖는 산재된 평행한 그리드라인들이 생성된다. 그 후에 희생 재료가 제거되면, 기판 표면 상에 결과적인 근접 이격된 높은 종횡비의 그리드라인들이 제공된다.
본 발명의 특정례에 따르면, 광전지(photovoltaic cell)를 제조하는 방법은 적절한 반도체 기판을 형성하는 단계와, 이어서 전술한 방식으로 기판의 표면 상에 근접 이격된 높은 종횡비의 금속 그리드라인들을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 이들 및 다른 목적, 양태 및 이점은 이하의 설명, 첨부된 청구범위, 및 첨부 도면과 관련하여 보다 잘 이해될 것이다.
본 발명에 따르면, 고품질의 광전지와 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하는 데에 이용될 수 있는 근접 이격된 높은 종횡비의 그리드라인을 효율적으로 제조하는 시스템 및 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 2개 이상의 공동 압출 헤드(130-1과 130-2)가 상부에 고정 장착되어 있는 압출 디바이스(110)를 포함하는 압출 장치(100)를 도시하고 있다. 압출 디바이스(110)는 희생 재료(112)를 수용하는 제1 소스(111)와, 그리드라인 재료(115)를 수용하는 제2 소스(114)에 결합되어 있다. 압출 헤드들(130-1와 130-2)은 헤드들(130-1과 130-2)이 기판(101)의 상부면(102) 상에 희생 재료(112)와 그리드라인 재료(115)를 동시에 도포하도록 소스들(111과 114)에 작동 가능하게 연결되어 있다. 재료들은 이 재료들이 압출 디바이스(110) 및/또는 공동 압출 오리피스 헤드들(130-1과 130-2)을 통해 가압(예컨대, 압착 등) 및/또는 (예컨대, 진공 등을 통해) 흡인되고, 공동 압출 헤드들(130-1과 130-2)의 하부에 각각 형성된 하나 이상의 출구 오리피스(배출구)에서 배출되는 가압 및/또는 흡인 기법(예컨대, 열간 및 냉간)을 통해 도포된다.
본 발명의 양태에 따르면, 공동 압출 헤드들(130-1과 130-2)이 그 각각의 출구 오리피스가 평행하게 이격된 구성으로 배치되도록 압출 디바이스(110)에 의해 유지된다. 특히, 공동 압출 헤드(130-1)[예컨대, 출구 오리피스들(135-11과 135-12)]의 (제1) 압출 오리피스는 제1 방향(X1)으로 연장되고, 제2 공동 압출 헤드(130-2)[예컨대, 출구 오리피스들(135-21과 135-22)]의 (제2) 출구 오리피스는 제1 라인(X1)으로부터 분리되고 이 라인에 평행한 제2 라인(X2)을 형성한다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 장치(100)는 출구 오리피스들의 정렬 방향에 대해 수직인 방향으로 압출 디바이스(110)[이에 따라, 공동 압출 헤드(130-1과 130-2)]를 이동시키는 메카니즘(도시 생략)을 포함한다. 하나의 실시예에 있어서, 기판(101)에 대한 압출 디바이스(110)의 이동은 기판(101)을 고정 장착하고, 출구 오리피스(135)들이 표면(102)으로부터 고정된 거리에서 유지되도록 표면(102) 위에서 방향(Y1)으로 압출 디바이스(110)를 이동시키는 위치 결정 메카니즘을 이용하는 것을 포함한다. 변경예에 있어서, 기판(101)에 대한 압출 디바이스(110)의 이동은 디바이스(110)를 강성의 연결구에 장착하고, 출구 오리피스(135)들 아래에서 방향(Y2)으로 기판(101)을 이동시키는 컨베이어 또는 다른 메카니즘을 이용하는 것을 포함한다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 압출 디바이스(110)가 기판(101)에 대해 이동되는 동안, 그리드라인 재료(112)와 희생 재료(115)가 기판(101) 상에 평행하고 길게 압출된 구조를 생성하는 방식으로 출구 오리피스(135)들을 통해 공동 압출됨으로써, 각 구조(120)의 그리드라인 재료는 높은 종횡비의 그리드라인 구조(125)를 형성하고, 각 구조(120)의 희생 재료는 관련된 높은 종횡비의 그리드라인(125)의 양측에 각각 배치된 관련된 제1 및 제2 희생 재료 부분(122)들을 형성한다. 압출된 구조(120)의 형태[즉, 그리드라인(125)의 종횡비와 희생 재료 부분(122)의 형태]는 하나 이상의 출구 오리피스(135)의 형태, 헤드들(130-1과 130-2) 내의 구조(예컨대, 채널), 재료들의 특성(예컨대, 점성 등), 및 압출 기법(예컨대, 유량, 압력, 온도 등) 중 적어도 하나를 통해 제어될 수 있다. 헤드들(130-1과 130-2) 내의 구조와 출구 오리피스(135)들의 형태는 이하에서 추가로 상세히 설명한다. 적절한 그리드라인 재료(115)는 은, 구리, 니켈, 주석, 알루미늄, 강, 알루미나, 실리케이트, 유리, 카본 블랙, 폴리머 및 왁스를 포함하지만 이것으로 제한되지 않으며, 적절한 희생 재료(112)는 이들 재료를 원하는 밀도, 점성, 텍스튜어, 칼라 등을 얻기 위하여 다른 물질과 결합하는 것을 비롯하여, 플라스틱, 세라믹, 오일, 셀룰로오즈, 라텍스, 폴리메틸메타크릴레이트 등의 조합 및/또는 변경을 포함한다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 공동 압출 헤드(130-1)의 (제1) 출구 오리피스와 공동 압출 헤드(130-2)의 (제2) 출구 오리피스는 공동 압출 헤드(130-1)에 의해 압출된 압출 구조(120)가 공동 압출 헤드(130-2)에 의해 압출된 2개의 압출 구조 사이에 배치되도록 지그재그 구성으로 배치된다. 예컨대, 압출 헤드(130-1)의 출구 오리피스(135-12)로부터 압출되는 압출 구조(120-12)는 압출 헤드(130-2)의 출구 오리피스들(135-21과 135-22)로부터 압출되는 압출 구조들(120-21과 120-22) 사이에 배치된다. 이하에서 추가로 상세히 설명하는 바와 같이, 압출 구조(120)들을 동시에 생성하도록 2개 이상의 평행한 압출 헤드(예컨대, 헤드 130-1과 130-2)를 이용함으로써, 근접 이격된 높은 종횡비의 그리드라인(125)이 종래의 방법을 이용하여서는 불가능한 피치로 기판(101) 상에 형성된다.
도 1을 다시 참조하면, 압출 후에 재료들이 결합하는 경향을 제한하기 위하여, 압출 헤드들(130-1과 130-2)에서 배출되는 압출된 구조(120)들은 예컨대 ?칭(quenching) 구성요소(170)를 이용하여 기판을 냉각시킴으로써 기판(101) 상에 ?칭될 수 있다. 별법으로서, 이 용례에 사용된 잉크는 대기 온도에서 고형화하는 고온 용융 재료일 수 있고, 이 경우에 프린트헤드들(130-1과 130-2)이 가열되어, 압출된 구조(120)가 기판(101) 상에 배치되면 압출된 구조(120)들을 고형화시킨다. 다른 기법에 있어서, 재료는 압출 헤드들(130-1과 130-2)로부터의 배출 시에 열 수단, 광학 수단 및/또는 다른 수단에 의해 경화될 수 있다. 예컨대, 경화 구성요소(180)가 재료를 열적 및/또는 광학적으로 경화시키도록 제공될 수 있다. 하나 또는 두 재료가 자외선 경화제를 포함하면, 재료는 혼합 없이 추가 처리가 가능하도록 고형 형태로 고착될 수 있다.
도 2와 도 3은 공동 압출 헤드(130-1)에 형성된 바람직한 3 채널 공동(200-11)을 도시하는 분해 사시도 및 조립 상태의 사시도이다. 간략하게 도 1을 참조하면, 3 채널 공동(200-11)은 출구 오리피스(135-11)에 의해 압출된 구조(120-11)를 제조하는데 이용된다. 3 채널 공동(200-11)은 도 1에 도시된 다수의 압출 구조(120)를 제조하기 위하여 압출 헤드들(130-1, 130-2)에 채용된 구조적 특징의 대표적인 형태이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따라, 공동 압출 헤드(130-1)는 상부 시트 금속층(210)과, 하부 시트 금속층(220)과, 중앙 시트 금속층(230)을 구비한다. 중앙 금속층(230)은 중앙 채널(232)과 대향하는 (제1 및 제2) 측면 채널(234와 236)을 포함하는 화살표형 개구와 단부 구조(231)를 포함하도록 (예컨대, 디프 반응 이온 에칭을 이용하여) 미소 기계 가공된다(micro-machined). 중앙 채널(232)은 제1 테이퍼형 핑거(233)에 의해 측면 채널(236)로부터 분리되고, 제2 테이퍼형 핑거(235)에 의해 측면 채널(236)로부터 분리된다. 중앙 채널(232)은 단부 구조(231)와 테이퍼형 핑거들(233과 235)에 의해 형성된 폐쇄 단부, 및 플레이트(230)의 측면 에지(238)에 형성된 개구(237)와 소통하는 개방 단부를 갖는다. 유사하게, 측면 채널들(234와 236)은 단부 구조(231)와 테이퍼형 핑거들(233과 235)에 의해 형성된 관련 폐쇄 단부들, 및 개구(237)와 소통하는 개방 단부들을 갖는다. 측면 채널들(234와 236)은 중앙 채널(232)을 향해 소정 각도로 되어 있고 인접한 개구(237)에 수렴된다. 상부 금속 플레이트(210)는 제1 유입구(관통 구멍; 212)를 형성하고, 하부 금속 플레이트(220)는 제2 유입구(224) 및 제3 유입구(226)를 형성한다. 유입구들(212, 224 및 226)은 예컨대 3 채널 공동(231-11)을 형성하는데 사용된 동일한 미소 기계 가공 기법을 이용하여 형성된다.
도 3은 3 채널 공동(200-11)을 형성하도록 플레이트들(210, 220, 230)이 공지된 고압 웨이퍼 접합 기술을 사용하여 접합된 이후의 도 2의 헤드(130-1)의 부분을 도시한다. 제1 입구 포트(212)는 중앙 채널(232)의 폐쇄 단부와 정렬되고, 제2 및 제3 입구 포트들(224, 226)은 각각 측면 채널들(234, 236)의 폐쇄 단부들과 정렬된다. 추가로 상세히 후술된 바와 같이, 금속 및 희생 재료가 입구 포트들(212, 224, 226)을 통해 3 채널 공동(231) 내로 도입된다. 부가적인 금속 플레이트(미도시)는 각 압출 헤드에 부착된 재료 공급 라인의 수를 최소화하는 방식으로 입구 포트들(212, 224, 226)에 금속 및 희생 재료를 전달하기 위해 사용된다. 헤드(130-1)를 제조하기 위한 방법은 본 명세서에 그 전문이 참조로 통합되어 있는 발명의 명칭이 "평면화된 에지 표면을 가지는 압출 헤드"인 본 출원인 소유의 동시 계류중인 미국 특허 제XX/XXX,XXX호[대리인 문서 번호 제200060464Q-US-NP(XCP-074)]에 설명되어 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 적층된 금속층 배열에 부가하여, 압출 헤드(130-1)는 다양한 방식으로 제조될 수 있다. 다른 실시예에서, 압출 헤드는 패턴화된 레지스트 구조내의 특징부를 통해 금속을 전해도금함으로써 제조될 수 있다. 다른 예에서, 헤드는 에칭된 시트 금속의 층을 함께 브레이징함으로써 제조될 수 있다. 또 다른 예에서, 헤드는 SUB 같은 감광성(photo-definable) 폴리머로부터 구조체를 생성함으로써 제조될 수 있다. 또 다른 예에서, 헤드는 종래의 제조 기술을 사용하여 금속 및/또는 플라스틱으로부터 성형 또는 기계가공될 수 있다. 또한, 여기에 설명된 특정 그리드라인 구조체에 부가하여, 압출 헤드들(130-1, 130-2)은 본 명세서에 그 전문이 참조로 통합되어 있는 발명의 명칭이 "평형 형상을 갖는 압출된 구조체"인 본 출원인 소유의 동시 계류중인 미국 특허 출원 제XX/XXX,XXX호[대리인 문서 번호 제20060464-US-NP (XCP-073)]에 설명된 바와 같이 평형 형상을 갖는 그리드라인 구조체를 형성하도록 변형될 수 있다.
도 4a는 금속 그리드라인의 생성 이전에 기판(101) 위에 배치된 공동 압출 헤드(130-1)의 일부를 도시한다. 공동 압출 헤드(130-1)는 압출 프로세스 동안(즉, 동시 압출 헤드(130-1)가 상술한 방식으로 기판(101)에 대하여 이동되는 동안) 기판(101)의 상부면(102) 위에 실질적으로 고정된 거리(D)에서 유지된다. 헤드(130-11)와 기판(101) 사이의 거리는 전사 효율, 개체(entity) 해상도(예로서, 폭, 높이, 길이, 직경 등), 개체 특성(예로서, 강도, 유연성 등)을 증가시키기 위해, 상부면(102)에 관한 헤드(130-11)의 분배 단부의 각도(예로서, 평행으로부터 수직으로) 같은 다양한 인자에 기초할 수 있다. 거리(D)는 도 1에 도시된 엇갈린 압출 헤드 배열을 용이하게 하기 위해, 압출된 구조체(120-11)의 높이(H)(도 5에 도시)와 같거나 그보다 커야만 한다는 것을 주의하여야 한다.
도 4b는 공동 압출 프로세스의 시작시, 공동 압출 헤드(130-1)의 동일 부분을 도시한다. 백색 화살표로 표시된 바와 같이, 그리드라인 재료(112)는 중앙 채널(232)의 폐쇄 단부내로 제1 입구 포트(212)를 통해 강제 주입되고, 희생 재료(115)는 각각의 입구 포트(224, 226)를 통해 측면 채널(234, 236)로 동시에 강제 주입된다. 도 4b에 흑색 화살표로 표시된 바와 같이, 주입된 재료는 그 각각의 채널을 따라 하향 이동한다. 그리드라인 및 희생 재료는 테이퍼 형상의 채널들(232, 234, 236)에 의해 압축된다. 그리드라인 재료는 재료가 출구 오리피스(135-11)에 접근할 때, 측면 채널들(234, 236)을 따라 흐르는 수렴하는 희생 재료에 의해 추가로 압축된다. 압축된 흐름은 그후 출구 오리피스(135-11)를 통해 압출되고, 압출된 구조체(120-11)(도 5에 도시)로서 기판(101)상에 퇴적된다. 그리드라인 및 희생 재료 사이의 상호혼합은 적절한 재료 및 점도의 선택, 적절한 채널의 테이퍼형성 및/또는 층상 흐름 조건의 유지에 의해 최소화된다.
도 5는 도 4b를 참조로 설명된 공동 압출 프로세스에 따라 제조된 예시적 압출된 구조체(120-11)의 측단면도이다. 압출된 구조체(120-11)는 희생 지지부 재료 부분들(122-1, 122-2) 사이에 배치된 그리드라인(125-11)을 포함한다. 출구(135-11)로 이어지는 3 채널 공동(200-11)(도 4a 및 도 4b)에 의해 발생된 수렴력(converging force)으로 인해, 압출된 구조체(120-11)는 종래의 방법에 의해 형성된 그리드라인에 비해 우수한 장점을 나타낸다. 예로서, 압출 헤드(130-1)는 단일 패스에서 10:1 이상의 종횡비(폭(W)에 대한 높이(H))를 갖는 그리드라인(125-11)의 형성을 용이하게 하며, 이는 종래의 방법을 사용하여서는 불가능하다. 그리드라인(125-11)의 폭(W)은 압출 헤드(130-11)의 가장 작은 최소 디자인 형상부보다 좁게(보다 미세하게) 이루어질 수 있다. 희생 재료 부분들(122-1, 122-2)은 단지, 건조, 경화 및/또는 소결 같은 후속 프로세스 이전 또는 그 동안에 기판(101)상의 그리드라인(125-11)의 형상을 유지할 필요가 있을 때에만, 그리드라인(125-11)의 측면을 따라 유지된다. 희생 재료 부분들(122-1, 122-2)의 추가 장점은 추가된 재료가 전체적으로 보다 큰 출구 오리피스를 초래하고, 따라서, 주어진 재료 흐름 속도에 대한 보다 낮은 압력 강하를 초래한다는 것이다. 따라서, 보다 높은 처리 속도가 얻어질 수 있다. 부가적으로, 압축 흐름은 테이퍼진 단면을 갖는(예로서, 기판(102)상에 배치된 비교적 넓은 베이스, 비교적 좁은 상단부, 및 베이스 단부로부터 상부 단부까지 표면(102)에 대하여 소정 각도로 연장하는 테이퍼진 측면들을 갖는) 금속 그리드라인(125-11)을 형성하도록 조작될 수 있다. 이 테이퍼 형상은 광자를 기판(101)내로 안내하는 것을 용이하게 하며, 그리드라인에 의해 유발되는 광자 차단(차폐)을 감소시키고, 이는 효율 및/또는 전력 발생을 향상시킬 수 있다.
도 6은 압출 헤드(130-1)의 보다 큰 부분을 도시하는 단면도이고, 도 7은 상술한 방식으로 압출 헤드(130-1)로 제조된 일련의 압출 구조체(120-11, 120-12, 120-13)를 도시한다.
도 7을 참조하면, 단일 공동 압출 헤드[예로서, 헤드(130-11)]로부터 압출된 인접한 압출 구조체들(120-11 내지 120-13) 사이의 간격(P)은 인접한 출구 오리피스들 사이의 간격에 의해 제한되고, 이는 순차적으로, 각 3 채널 공동의 3채널들을 형성하기 위해 필요한 상류 공간에 의해 한정된다. 이 넓은 상류 공간은 도 6에 도시되어 있으며, 여기서, 압출 헤드(130-1)는 출구 오리피스(135-11, 135-12, 135-13)를 각각 형성하는 인접한 3 채널 공동(200-11, 200-12, 200-13)을 포함한다. 채널 공동들(200-11, 200-12, 200-13)과 연계된 입구 포트들은 명료화를 위하여 생략되어 있다. 도 6에 표시된 바와 같이, 출구 오리피스(135-11)의 비교적 좁은 폭(W1)과는 대조적으로, 3 채널 공동(200-11)의 채널들(232, 234)을 형성하기 위해서는 비교적 큰 폭(W)이 필요하다. 이 때문에, 압출 헤드(130-1)의 각각의 인접한 오리피스 쌍(예로서, 오리피스들(135-11와 135-12) 또는 오리피스들(135-12와 135-13)) 사이의 간격은 오리피스들 내로 공급하는 연계된 3 채널 공동을 형성하기 위해 필요한 비교적 넓은 영역에 의해 한정된다. 도 7로 돌아가서, 결과적으로, 인접한 압출 구조체들(120-11 내지 120-13) 사이의 간격(P)은 필수적으로 비교적 넓다[즉, 단일 공동 압출 헤드를 사용하여 공동 압출 구조체(120)들을 형성하는 것은 불가능하다].
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 기판(101)상의 근접 이격배치된 그리드라인 구조체의 제조를 용이하게 하는 엇갈린 배열의 공동 압출 헤드들(130-1, 130-2)을 도시하는 측면도이다. 특히, 도 1에 도시된 것과 일관적인 방식으로, 공동 압출 헤드들(130-1, 130-2)은 평행 배열로 기판(101) 위에 고정 유지되며, 헤드들 각각의 출구 오리피스는 공동 압출 헤드(130-1)로부터 압출된 적어도 하나의 압출 구조체가 공동 압출 헤드(130-2)로부터 압출된 두 개의 압출 구조체 사이에 배치되도록 엇갈린 배열로 정렬된다. 예로서, 도 8에 도시된 바와 같이, 공동 압출 헤드(130-1)의 출구 오리피스(135-12)는 압출 구조체(120-12)를 형성하고, 이 압출 구조체(120-12)는 압출 구조체들(120-21, 120-22) 사이에 배치되고, 이 압출 구조체들(120-21, 120-22)은 공동 압출 헤드(130-2)의 출구 오리피스(135-21, 1435-22)에 의해 각각 압출된다. 이 방식으로, 인접한 압출 구조체들(따라서, 그 연계된 그리드라인들) 사이의 거리는 도 8의 저면에 표시된 바와 같이 P/2로 감소된다. 따라서, 엇갈린 배열로 공동 압출 헤드들(130-1, 130-2)을 배열함으로써, 도 1의 압출 장치(100)에 의해 생성된 압출 구조체는 종래의 방법을 사용하여 생성된 것들보다 미세한 피치 및 보다 높은 종횡비를 가지며, 그에 의해, 예로서, 보다 우수한 광전지의 제조를 용이하게 한다.
도 9는 적절한 에칭제를 사용한 희생 재료의 제거(사선으로 표시됨)와, 그에 의한 상부면(102)상의 근접 이격된 고종횡비 그리드라인들(125-11, 125-21, 125-12, 125-22, 125-13)의 완성을 도시하는 측단면도이다.
태양전지 그리드라인들의 제조를 포함하는 소정 용례에서, 희생 재료를 제거하기 위한 양호한 수단은 소성 프로세스(firing process) 동안의 증발 및 연소이다. 또한, 이 프로세스는 그리드라인 재료내의 금속 입자(은 입자, 유리 프릿, 테르피네올 같은 용매, 및 셀룰로스 같은 충전물로 구성되는 금속 페이스트)를 도전성 덩어리로 응집시킨다. 하나의 실시예에서, 소성 단계는 또한 반도체층에 대한 전기 접촉을 형성하기 위해, 종종 페이스트내의 유리 프릿 입자의 도움을 받는 태양 전지의 표면상의 절연 패시베이션층을 통해 금속 페이스트가 소성되게 한다.
도 10은 공동 압출 헤드들(130-1, 130-2)을 경유하여 생성된 고종횡비 금속 그리드라인(125)을 가지는 태양 전지 같은 광전지(300)의 예시적 부분을 예시한다. 광전지(300)는 p-형 영역(306) 및 n-형 영역(308)을 갖는 반도체 기판(301)을 포함한다. 기판(301)의 영역들(306, 308) 중 하나 또는 양자 모두는 예로서, 알루미늄 비화물, 알루미늄 갈륨 비화물, 붕소 질화물, 카드뮴 황화물, 카드뮴 셀레나이드, 구리 인듐 갈륨 셀레나이드, 다이아몬드, 갈륨 비화물, 갈륨 질화물, 갈륨, 인듐 인화물, 실리콘, 실리콘 탄화물, 실리콘 게르마늄, 실리콘 온 인슐레이터, 아연 황화물, 아연 셀레나이드 등 같은 반도체 재료로 형성된다. 하부 접점(310)은 기판(301)의 하부면(302)[즉, p-형 영역(306)의 하단부]에 형성된다. 금속 그리드라인(125) 및 하나 이상의 버스 바아(320)가 기판(301)의 상부면(304)[즉, n-형영역(308)의 하단부]에 형성된다. 접점(310) 및 버스 바아(320)들은 은 또는 알루미늄 기반 페이스트 같은 금속 페이스트를 사용하여 형성될 수 있다.
광전지(300)는 도시된 바와 같이 로드(load;340)에 접속, 그리고, 모듈 또는 패널에 조립, 그리고, 예로서, 평면 배선 또는 금속 리본을 경유하여 직렬 및/또는 병렬로 다른 광전지(미도시)와 상호접속될 수 있다. 템퍼링된 유리(미도시)의 시트가 그리드라인(125)들 위에 적층될 수 있고, 및/또는 폴리머 캡슐화(미도시)가 접점(310) 위에 형성될 수 있다. 상부면(304)은 전지로 흡수된 광의 양을 증가시키기 위해, 반사방지 재료(예로서, 실리콘 질화물, 티타늄 이산화물 등)로 코팅 및/또는 텍스쳐(textured) 표면을 포함할 수 있다.
동작 동안, 광자(350)(넓은 화살표로 표시)가 상부면(304)을 통해 기판(301)내로 안내될 때, 그 에너지는 내부의 전자-정공 쌍을 여기시키고, 이들은 후속하여 자유롭게 이동한다. 특히, 광자의 흡수는 n-p 접합부를 통해 전류를 생성한다(이주하는 + 및 -전하들에 의해 표시됨). 전류는 n-형 영역(308)의 여기된 전자가 그리드라인(125)들, 버스 바아(320) 및 전극들을 통해 외부 로드(340)로 이동하고, 하부 전극 및 접점(310)을 통해 p-형 영역(306)으로 복귀할 때 생성된다.
도 11은 도 10과 연계하여 설명된 광전지(300) 같은 광전 장치를 제조하는 방법을 예시한다. 참조 번호 410에서, 반도체 기판(301)(도 10)이 형성된다. 기판(301)은 상술된 바와 같은 다양한 반도체 재료를 포함할 수 있으며, 하나의 n-형 실리콘을 하나의 p-형 실리콘에 결합시키거나, n-형 도핑제(예로서, 인, 비소, 안티몬 등)를 확산 및/또는 p-형 도핑제(예로서, 붕소 등)를 실리콘 웨이퍼내에 확산시킴으로써 형성될 수 있다. 또 다른 예에서, 붕소 불순물을 포함하는 블루 다이아몬드 같은 자연적으로 발생하는 반도체를 사용할 수 있다. 하나 이상의 광전지는 광전지 모듈 또는 패널을 생성하도록 직렬 및/또는 병렬식으로 선택적으로 결합될 수 있다. 참조 번호 420에서, 전도성 접점이 공지된 기술을 사용하여 하부면(302)에 형성된다. 430에서, 금속 그리드라인(125)들(그리고, 버스 바아(320)들)이 상술한 방법을 사용하여 상부면(304)상에 형성된다. 440에서, 전극들은 전도성 접점(310) 및 그리드라인(125)들로부터 로드(340)로 도 10에 도시된 방식으로 접속된다. 광자가 반도체에 흡수될 때, 전기 에너지가 광전 효과에 의해 발생한다.
예로서, 표 1에 예시된 추정 파라미터를 갖는 공동 압출 헤드가 결정 실리콘 태양 전지상에 그리드라인(125)들을 제조하기 위한 재료를 분배하기 위해 사용될 수 있다.
[표 1] 그리드라인을 생성하기 위한 예시적 헤드 파라미터
시트 두께 152㎛
그리드라인 피치 2.5mm
헤드 속도 1cm/sec
페이스트 점도 100,000Cp
헤드 각도 45°
헤드 출구 폭 304.8㎛
은 폭 49.2㎛
은 라인 단면 7,500㎛2
은 라인 종횡비 3.10:1
은 흐름 0.075mm3/sec
헤드 압축 6.2:1
헤드 압력 강하 2.24atm
이 디자인에서, 수렴 채널들은 약 0.15mm의 두께로서 재료 시트에 패턴화된다. 헤드/노즐들의 출구 오리피스들은 2.5mm의 피치로 반복된다. 대략 2.24atm의 헤드/노즐 압력에서, 1000푸아즈의 페이스트가 1cm/sec의 속도로 배출된다. 은의 중앙 스트라이프(stripe)는 3:1의 종횡비를 가지며, 약 50㎛의 폭이다.
본 발명을 특정 실시예에 관하여 설명하였지만, 본 기술의 숙련자들은 본 발명의 발명된 특징은 다른 실시예에도 마찬가지로 적용가능하며, 이들 모두는 본 발명의 범주내에 포함된다는 것을 명백히 알 수 있을 것이다. 예로서, 측방향 변화를 갖는 스트라이프형 재료에 부가하여, 헤드들(130-1, 130-2)의 변화가 사용되어 예로서, 기판상에 배리어 층들을 도입하기 위한 수직방향 변화를 갖는 상태로 재료에 부가적으로 및/또는 대안적으로 도입할 수 있다. 이런 수직방향 변화는 매니폴드 내에 수직 방향으로(수평 방향의 수렴에 부가하여) 다른 재료들을 함께 수렴시키는 채널들을 형성함으로써 구현될 수 있다. 예로서, 태양 전지 용례에서, 하나의 금속이 확산 배리어로서 실리콘에 대한 접점을 형성하고, 보다 낮은 비용 또는 보다 높은 전도성 중 어느 하나를 위해 그 위에 제2 금속이 선택되는 상태로, 전지 표면상에 금속 2중층을 도입하는 것이 유리할 수 있다. 또한, 금속 그리드라인들에 부가하여, 여기에 설명된 방법 및 구조체는 예로서, 도 12를 참조로 설명된 배리어 리브 구조체를 제조하는데 사용되는 무기 유리 같은 전기적 비전도성 재료로 형성된 그리드라인들을 제조하기 위해 사용될 수 있다.
도 1은 기판 상에 2개 이상의 재료를 동시에 도포하는 헤드를 구비한 압출 장치를 도시하는 사시도.
도 2는 도 1의 장치에 이용되는 공동 압출 헤드의 일부를 도시하는 분해 사시도.
도 3은 제조 후에 도 2의 공동 압출 헤드의 일부를 도시하는 조립 상태의 사시도.
도 4a와 도 4b는 도 3의 공동 압출 헤드에 형성된 3개의 채널 공동을 도시하는 횡단면 측면도.
도 5는 도 4b의 공동 압출 헤드에 의해 기판 표면 상에 발생되는 바람직한 공동 압출된 그리드라인 구조를 도시하는 횡단면 측면도.
도 6은 도 4의 공동 압출 헤드의 큰 부분을 도시하는 횡단면 측면도.
도 7은 도 6의 공동 압출 헤드에 의해 발생되는 일련의 공동 압출된 그리드라인 구조를 도시하는 횡단면 측면도.
도 8은 본 발명의 양태에 따른 다수의 공동 압출 헤드에 의해 발생되는 근접 이격된 그리드라인 구조와 지그재그 배치로 다수의 공동 압출 헤드를 도시하는 입면도.
도 9는 본 발명의 다른 양태에 따라 기판 상에 형성되는 복수 개의 금속 그리드라인을 도시하는 횡단면도.
도 10은 본 발명에 따라 형성되는 그리드라인을 포함하는 광전지를 도시하는 도면.
도 11은 본 발며의 다른 실시예에 따른 광전지를 형성하는 간략한 방법을 도시하는 흐름도.
도 12는 바람직한 플라즈마 디스플레이 패널의 일부를 도시하는 간략한 횡단면 측면도.

Claims (7)

  1. 종횡비를 갖는 복수 개의 그리드라인 구조를 기판 상에 형성하는 장치로서,
    제1 공동 압출 헤드의 제1 출구 오리피스들이 제1 방향으로 연장하는 제1 라인을 형성하고 그리고 제2 공동 압출 헤드의 제2 출구 오리피스들이 상기 제1 라인에 대해 평행한 제2 라인을 형성하도록 상기 기판의 표면에 배치된 상기 제1 및 제2 공동 압출 헤드들로서, 상기 제1 및 제2 공동 압출 헤드들 각각은 복수의 다중 채널 공동을 포함하고, 상기 다중 채널 공동들 각각은 출력부에서 수렴하는 제1 채널 및 제2 채널을 포함하며, 상기 제1 및 제2 채널이 상기 제1 및 제2 출구 오리피스들 중 관련된 출구 오리피스와 소통하는, 상기 제1 및 제2 공동 압출 헤드들;
    그리드라인 재료와 희생 재료 모두가 상기 제1 및 제2 출구 오리피스들 각각을 통해 공동 압출되도록 상기 제1 및 제2 공동 압출 헤드들의 복수의 다중 채널 공동 각각의 제1 채널 내로 그리드라인 재료를 가압하기 위한 제1 수단과, 상기 제1 및 제2 공동 압출 헤드들의 복수의 다중 채널 공동 각각의 제2 채널 내로 희생 재료를 가압하기 위한 제2 수단; 및
    상기 제1 및 제2 출구 오리피스들 각각으로부터 압출된 상기 그리드라인 재료가 상기 종횡비를 갖는 복수 개의 그리드라인 구조의 관련된 그리드라인 구조를 형성하고 그리고 상기 제1 및 제2 출구 오리피스들 각각으로부터 압출된 상기 희생 재료가 상기 관련된 그리드라인 구조의 대향한 측면들상에 각각 배치된 관련된 제1 및 제2 희생 재료 부분들을 형성하도록 상기 기판에 대하여 상기 제1 및 제2 공동 압출 헤드들을 제2 방향으로 이동시키기 위한 수단을 포함하고;
    상기 제1 및 제2 공동 압출 헤드들은 상기 제1 출구 오리피스들 및 상기 제2 출구 오리피스들이 지그재그 배열로 배치됨으로써, 상기 제1 공동 압출 헤드로부터 압출된 제1 그리드라인 구조가 상기 제2 공동 압출 헤드로부터 압출된 제2 그리드라인 구조와 제3 그리드라인 구조 사이에 배치되도록 위치결정되는, 형성 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 희생 재료의 소스와 상기 그리드라인 재료의 소스에 결합된 압출 디바이스를 추가로 포함하고, 상기 제1 및 제2 공동 압출 헤드들이 상기 압출 디바이스상에 고정 장착되는, 형성 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 공동 압출 헤드들을 이동시키기 위한 수단은 상기 기판을 고정적으로 부착하기 위한 수단과, 상기 기판의 표면에 걸쳐 상기 압출 디바이스를 이동시키기 위한 수단을 포함하는 형성 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 이동시키기 위한 수단은 상기 압출 디바이스를 고정적으로 부착하기 위한 수단과, 상기 압출 디바이스 아래에서 상기 기판을 이동시키기 위한 수단을 포함하는 형성 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    압출 전에 상기 그리드라인 재료 및 희생 재료를 가열하기 위한 수단과, 상기 그리드라인 재료 및 희생 재료의 압출 동안에 냉각하기 위한 수단과, 압출된 그리드라인 재료 및 희생 재료를 경화하기 위한 수단을 적어도 하나 추가로 포함하는 형성 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 공동 압출 헤드들의 복수의 다중 공동 채널 각각은 3 채널 공동을 포함하고, 각각의 3 채널 공동은 중앙 채널 및 대향한 제1 및 제2 측면 채널들을 포함하고, 상기 중앙 채널과 제1 및 제2 측면 채널들은 상기 관련된 출구 오리피스와 소통하고,
    상기 그리드라인 재료를 상기 제1 채널 내로 가압하기 위한 제1 수단은 각각의 3 공동 채널의 중앙 채널 내로 상기 그리드라인 재료를 주입하기 위한 수단을 포함하고, 상기 희생 재료를 상기 제2 채널 내로 가압하기 위한 제2 수단은 상기 그리드라인 재료가 상기 중앙 채널 내로 주입되고 있는 동안에 상기 3 공동 채널의 제1 및 제2 측면 채널들 내로 상기 희생 재료를 주입하기 위한 수단을 포함하는, 형성 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    각각의 상기 3 공동 채널은 상기 3 공동 채널의 중앙 채널 위에 배치된 제1 입구 포트를 갖는 제1 플레이트 부분과, 상기 3 공동 채널의 제1 및 제2 측면 채널들 위에 제각기 배치된 제2 및 제3 입구 포트들을 갖는 제2 플레이트 부분 사이에 형성되고,
    상기 그리드라인 재료를 주입하기 위한 수단은 상기 제1 입구 포트를 통해 상기 중앙 채널 내로 상기 그리드라인 재료를 가압하기 위한 수단을 포함하고, 상기 희생 재료를 주입하기 위한 수단은 상기 제2 및 제3 입구 포트들을 통해 상기 제1 및 제2 측면 채널들 내로 상기 희생 재료를 가압하기 위한 수단을 포함하는 형성 장치.
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8322025B2 (en) 2006-11-01 2012-12-04 Solarworld Innovations Gmbh Apparatus for forming a plurality of high-aspect ratio gridline structures
US20100066779A1 (en) 2006-11-28 2010-03-18 Hanan Gothait Method and system for nozzle compensation in non-contact material deposition
US20090107546A1 (en) 2007-10-29 2009-04-30 Palo Alto Research Center Incorporated Co-extruded compositions for high aspect ratio structures
US8080181B2 (en) 2008-05-13 2011-12-20 Solarworld Innovations Gmbh Coextrusion ink chemistry for improved feature definition
US20100124602A1 (en) * 2008-11-18 2010-05-20 Palo Alto Research Center Incorporated Easily flowing inks for extrusion
US9381759B2 (en) 2008-11-30 2016-07-05 Xjet Ltd Method and system for applying materials on a substrate
CN102883877B (zh) * 2010-03-25 2016-03-16 3M创新有限公司 复合层
JP6132352B2 (ja) 2010-05-02 2017-05-24 エックスジェット エルティーディー． セルフパージ、沈澱防止、および、ガス除去の構造を備えた印刷システム
JP2013539405A (ja) 2010-07-22 2013-10-24 エックスジェット・リミテッド 印刷ヘッドノズル評価
KR101722294B1 (ko) 2010-10-18 2017-04-11 엑스제트 엘티디. 잉크젯 헤드 저장 및 청소
KR101158273B1 (ko) 2010-10-27 2012-06-19 주식회사 나래나노텍 개선된 태양전지용 실리콘 웨이퍼, 및 이를 이용한 태양 전지의 전극 패턴 형성 장치 및 형성 방법
DE102011051040A1 (de) * 2011-06-14 2012-12-20 Solarworld Innovations Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle und Verfahren zum Herstellen einer Metallisierungsstruktur
US20140220328A1 (en) * 2011-09-02 2014-08-07 3M Innovative Properties Company Strands, nettings, dies, and methods of making the same
US20130206220A1 (en) * 2012-02-10 2013-08-15 Palo Alto Research Center Incorporated Method For Generating Gridlines On Non-Square Substrates
US9337471B2 (en) * 2012-12-27 2016-05-10 Palo Alto Research Center Incorporated Co-extrusion print head for multi-layer battery structures
US8569096B1 (en) * 2013-03-13 2013-10-29 Gtat Corporation Free-standing metallic article for semiconductors
US8936709B2 (en) 2013-03-13 2015-01-20 Gtat Corporation Adaptable free-standing metallic article for semiconductors
US8916038B2 (en) 2013-03-13 2014-12-23 Gtat Corporation Free-standing metallic article for semiconductors
US20150129024A1 (en) * 2013-11-13 2015-05-14 Gtat Corporation Free-Standing Metallic Article With Expansion Segment
US20140261661A1 (en) * 2013-03-13 2014-09-18 Gtat Corporation Free-standing metallic article with overplating
US10800086B2 (en) * 2013-08-26 2020-10-13 Palo Alto Research Center Incorporated Co-extrusion of periodically modulated structures
CN116377301A (zh) 2013-10-17 2023-07-04 Xjet有限公司 用于3d喷墨打印的碳化钨/钴油墨组合物
US20160322131A1 (en) 2015-04-29 2016-11-03 Palo Alto Research Center Incoporated Co-extrusion printing of filaments for superconducting wire
EP3106284A1 (de) * 2015-06-18 2016-12-21 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und vorrichtung zum auftragen zumindest eines werkstoffs, extruder, 3d-druckkopf, 3d-drucker, werkzeugmaschine und steuereinrichtung
CN107601425B (zh) * 2017-08-10 2020-06-16 大连理工大学 一种纳米梁结构的打印制造方法
WO2019166935A1 (en) * 2018-02-28 2019-09-06 3M Innovative Properties Company Coextruded polymeric article and method of making the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008118150A (ja) 2006-11-01 2008-05-22 Palo Alto Research Center Inc 密集した高アスペクト押し出しグリッド線

Family Cites Families (203)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2031387A (en) * 1934-08-22 1936-02-18 Schwarz Arthur Nozzle
US2326803A (en) * 1941-03-18 1943-08-17 Samiran David Positive displacement pump for metering
CA557259A (en) * 1955-02-23 1958-05-13 Canadian Kodak Co. Limited Multiple layer hopper for multiply coating a web
US2789731A (en) * 1955-06-06 1957-04-23 Leonard L Marraffino Striping dispenser
US3032008A (en) 1956-05-07 1962-05-01 Polaroid Corp Apparatus for manufacturing photographic films
US3159313A (en) 1961-05-16 1964-12-01 Dow Chemical Co Multi-component proportioning meter system
US3602193A (en) * 1969-04-10 1971-08-31 John R Adams Apparatus for preparing coatings with extrusions
US3973994A (en) * 1974-03-11 1976-08-10 Rca Corporation Solar cell with grooved surface
JPS5328751B2 (ko) * 1974-11-27 1978-08-16
AT349415B (de) * 1975-07-28 1979-04-10 Zimmer Peter Ag Spritzdruckeinrichtung zum bemustern einer ware
US3988166A (en) 1975-01-07 1976-10-26 Beam Engineering, Inc. Apparatus for enhancing the output of photovoltaic solar cells
US4045246A (en) * 1975-08-11 1977-08-30 Mobil Tyco Solar Energy Corporation Solar cells with concentrators
US4021267A (en) * 1975-09-08 1977-05-03 United Technologies Corporation High efficiency converter of solar energy to electricity
US4053327A (en) 1975-09-24 1977-10-11 Communications Satellite Corporation Light concentrating solar cell cover
US4018367A (en) * 1976-03-02 1977-04-19 Fedco Inc. Manifold dispensing apparatus having releasable subassembly
GB1578018A (en) 1976-03-11 1980-10-29 Schmermund A Glue applications
US4086485A (en) * 1976-05-26 1978-04-25 Massachusetts Institute Of Technology Solar-radiation collection apparatus with tracking circuitry
US4095997A (en) * 1976-10-07 1978-06-20 Griffiths Kenneth F Combined solar cell and hot air collector apparatus
US4084985A (en) * 1977-04-25 1978-04-18 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method for producing solar energy panels by automation
US4131485A (en) 1977-08-08 1978-12-26 Motorola, Inc. Solar energy collector and concentrator
US4177083A (en) 1977-09-06 1979-12-04 Acurex Corporation Photovoltaic concentrator
US4148301A (en) * 1977-09-26 1979-04-10 Cluff C Brent Water-borne rotating solar collecting and storage systems
US4153476A (en) * 1978-03-29 1979-05-08 Nasa Double-sided solar cell package
US4337758A (en) 1978-06-21 1982-07-06 Meinel Aden B Solar energy collector and converter
US4221468A (en) * 1979-02-26 1980-09-09 Macken John A Multi-cavity laser mirror
US4331703A (en) * 1979-03-28 1982-05-25 Solarex Corporation Method of forming solar cell having contacts and antireflective coating
US4254894A (en) * 1979-08-23 1981-03-10 The Continental Group, Inc. Apparatus for dispensing a striped product and method of producing the striped product
DE8033450U1 (de) * 1980-12-17 1982-07-22 Colgate-Palmolive Co., 10022 New York, N.Y. Laenglicher Behaelter fuer einen Spender fuer pastoeses gut
US4355196A (en) 1981-03-11 1982-10-19 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Solar cell having improved back surface reflector
US4420510A (en) 1982-03-23 1983-12-13 Weyerhaeuser Company Method for applying a foamed adhesive under start-stop conditions
JPS58180262A (ja) 1982-04-16 1983-10-21 Fuji Photo Film Co Ltd 塗布方法
US4476165A (en) 1982-06-07 1984-10-09 Acumeter Laboratories, Inc. Method of and apparatus for multi-layer viscous fluid deposition such as for the application of adhesives and the like
US4521457A (en) 1982-09-21 1985-06-04 Xerox Corporation Simultaneous formation and deposition of multiple ribbon-like streams
DE3308269A1 (de) * 1983-03-09 1984-09-13 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh Solarzelle
JPS6082680A (ja) * 1983-10-07 1985-05-10 Fuji Photo Film Co Ltd 金属ウエブの表面処理装置
US4602120A (en) 1983-11-25 1986-07-22 Atlantic Richfield Company Solar cell manufacture
US4841946A (en) * 1984-02-17 1989-06-27 Marks Alvin M Solar collector, transmitter and heater
GB8510706D0 (en) * 1985-04-26 1985-06-05 Marconi Co Ltd Solar cell arrays
EP0257157A1 (en) 1986-08-29 1988-03-02 General Systems Research Inc. Optical apparatus for scanning radiation over a surface
US4796038A (en) * 1985-07-24 1989-01-03 Ateq Corporation Laser pattern generation apparatus
WO1987001378A1 (en) * 1985-08-27 1987-03-12 Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated Polyimides and heat-resistant adhesives comprising the same
US4849028A (en) * 1986-07-03 1989-07-18 Hughes Aircraft Company Solar cell with integrated interconnect device and process for fabrication thereof
JPS63175667A (ja) 1987-01-14 1988-07-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多列同時塗布方法
US5216543A (en) * 1987-03-04 1993-06-01 Minnesota Mining And Manufacturing Company Apparatus and method for patterning a film
US4747517A (en) * 1987-03-23 1988-05-31 Minnesota Mining And Manufacturing Company Dispenser for metering proportionate increments of polymerizable materials
DE3712589A1 (de) * 1987-04-14 1988-11-03 Nukem Gmbh Verfahren zur herstellung von in reihe verschalteten duennschicht-solarzellen
US4826777A (en) * 1987-04-17 1989-05-02 The Standard Oil Company Making a photoresponsive array
US4792685A (en) 1987-04-29 1988-12-20 Masami Yamakawa Photoelectric sensor
US4746370A (en) * 1987-04-29 1988-05-24 Ga Technologies Inc. Photothermophotovoltaic converter
US4938994A (en) 1987-11-23 1990-07-03 Epicor Technology, Inc. Method and apparatus for patch coating printed circuit boards
US4855884A (en) * 1987-12-02 1989-08-08 Morpheus Lights, Inc. Variable beamwidth stage light
US4952026A (en) * 1988-10-14 1990-08-28 Corning Incorporated Integral optical element and method
US5004319A (en) * 1988-12-29 1991-04-02 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Crystal diffraction lens with variable focal length
US5075281A (en) 1989-01-03 1991-12-24 Testardi Louis R Methods of making a high dielectric constant, resistive phase of YBA2 CU3 OX and methods of using the same
US4947825A (en) * 1989-09-11 1990-08-14 Rockwell International Corporation Solar concentrator - radiator assembly
US5011565A (en) * 1989-12-06 1991-04-30 Mobil Solar Energy Corporation Dotted contact solar cell and method of making same
US5089055A (en) 1989-12-12 1992-02-18 Takashi Nakamura Survivable solar power-generating systems for use with spacecraft
US4985715A (en) * 1990-03-22 1991-01-15 Telesis Controls Corporation Marker assembly for spray marking dot matrix characters and method of fabrication thereof
US5062899A (en) 1990-03-30 1991-11-05 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Wide acceptance angle, high concentration ratio, optical collector
ATE113526T1 (de) * 1990-03-30 1994-11-15 Minnesota Mining & Mfg Mehrschichtstoff und verfahren zu ihrer herstellung.
DK170189B1 (da) 1990-05-30 1995-06-06 Yakov Safir Fremgangsmåde til fremstilling af halvlederkomponenter, samt solcelle fremstillet deraf
JPH04124645A (ja) * 1990-09-14 1992-04-24 Fuji Photo Film Co Ltd 写真用支持体及びその製造方法
US5213628A (en) * 1990-09-20 1993-05-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
US5254388A (en) 1990-12-21 1993-10-19 Minnesota Mining And Manufacturing Company Light control film with reduced ghost images
US5120484A (en) 1991-03-05 1992-06-09 The Cloeren Company Coextrusion nozzle and process
US5151377A (en) * 1991-03-07 1992-09-29 Mobil Solar Energy Corporation Method for forming contacts
US5167724A (en) 1991-05-16 1992-12-01 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Planar photovoltaic solar concentrator module
US5180441A (en) * 1991-06-14 1993-01-19 General Dynamics Corporation/Space Systems Division Solar concentrator array
US5356488A (en) 1991-12-27 1994-10-18 Rudolf Hezel Solar cell and method for its manufacture
US5560518A (en) 1992-02-25 1996-10-01 Cambridge Consultants Limited Fluid delivery system
US5353813A (en) 1992-08-19 1994-10-11 Philip Morris Incorporated Reinforced carbon heater with discrete heating zones
JP2613719B2 (ja) * 1992-09-01 1997-05-28 キヤノン株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
US5344496A (en) * 1992-11-16 1994-09-06 General Dynamics Corporation, Space Systems Division Lightweight solar concentrator cell array
JPH0758355A (ja) 1993-05-12 1995-03-03 Optical Coating Lab Inc Ｕｖ／ｉｒ反射太陽電池カバー
JPH06337366A (ja) * 1993-05-21 1994-12-06 Xerox Corp 電子写真プリンターにおけるラスター出力スキャナのための露光装置
WO1994028361A1 (en) 1993-06-02 1994-12-08 Stirbl Robert C Method for changing solar energy distribution
JPH0768208A (ja) * 1993-09-06 1995-03-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 間欠塗布装置
US5543333A (en) * 1993-09-30 1996-08-06 Siemens Solar Gmbh Method for manufacturing a solar cell having combined metallization
US5559677A (en) * 1994-04-29 1996-09-24 Motorola, Inc. Method of forming a device by selectively thermal spraying a metallic conductive material thereon
US5529054A (en) * 1994-06-20 1996-06-25 Shoen; Neil C. Solar energy concentrator and collector system and associated method
US5700325A (en) 1994-08-03 1997-12-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Coating device and a method of coating
US5501743A (en) 1994-08-11 1996-03-26 Cherney; Matthew Fiber optic power-generating system
US5540216A (en) 1994-11-21 1996-07-30 Rasmusson; James K. Apparatus and method for concentrating radiant energy emanated by a moving energy source
US5553747A (en) * 1994-12-07 1996-09-10 Smithkline Beecham Corporation Container for multisegmental toothpaste
US5981902A (en) 1994-12-15 1999-11-09 Mitsubishi Chemical Corporation Texturing apparatus for magnetic recording medium and magnetic recording medium process thereby
US5679379A (en) 1995-01-09 1997-10-21 Fabbricante; Anthony S. Disposable extrusion apparatus with pressure balancing modular die units for the production of nonwoven webs
US5569399A (en) 1995-01-20 1996-10-29 General Electric Company Lasing medium surface modification
CN1174612A (zh) 1995-02-02 1998-02-25 美国3M公司 涂敷薄液体涂料条的方法和设备
US5538563A (en) * 1995-02-03 1996-07-23 Finkl; Anthony W. Solar energy concentrator apparatus for bifacial photovoltaic cells
EP0729189A1 (en) 1995-02-21 1996-08-28 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method of preparing solar cells and products obtained thereof
GB9507572D0 (en) * 1995-04-12 1995-05-31 Smithkline Beecham Plc Dispenser
CN1164372C (zh) * 1995-07-24 2004-09-01 松下电器产业株式会社 电子电路板用结合剂涂敷方法
US5929530A (en) * 1995-08-18 1999-07-27 Mcdonnell Douglas Corporation Advanced solar controller
FR2741194B1 (fr) 1995-11-13 1998-01-30 Photowatt Int Cellule solaire comportant du silicium multicristallin et procede de texturisation de la surface du silicium multicristallin de type p
JP3709996B2 (ja) * 1996-01-31 2005-10-26 エアースプレー・インターナショナル・ビー・ブイ 多成分材料を分配するためのエーロゾル容器
US5605720A (en) 1996-04-04 1997-02-25 J & M Laboratories Inc. Method of continuously formulating and applying a hot melt adhesive
US5990413A (en) 1996-06-19 1999-11-23 Ortabasi; Ugur Bifacial lightweight array for solar power
US6047926A (en) 1996-06-28 2000-04-11 Alliedsignal Inc. Hybrid deicing system and method of operation
US6476343B2 (en) 1996-07-08 2002-11-05 Sandia Corporation Energy-beam-driven rapid fabrication system
US5902540A (en) * 1996-10-08 1999-05-11 Illinois Tool Works Inc. Meltblowing method and apparatus
US5873495A (en) * 1996-11-21 1999-02-23 Saint-Germain; Jean G. Device for dispensing multi-components from a container
EP0851511A1 (en) 1996-12-24 1998-07-01 IMEC vzw Semiconductor device with two selectively diffused regions
US6354791B1 (en) * 1997-04-11 2002-03-12 Applied Materials, Inc. Water lift mechanism with electrostatic pickup and method for transferring a workpiece
AU7967798A (en) * 1997-07-01 1999-01-25 Smithkline Beecham Corporation Apparatus for inserting plural materials into containers
US6011307A (en) * 1997-08-12 2000-01-04 Micron Technology, Inc. Anisotropic conductive interconnect material for electronic devices, method of use and resulting product
DE19735281A1 (de) 1997-08-14 1999-02-18 Rolf Hoericht Einrichtung zur Erzeugung von Energie
WO1999019900A2 (en) * 1997-10-14 1999-04-22 Patterning Technologies Limited Method of forming an electronic device
US6130465A (en) 1997-10-29 2000-10-10 Light Point Systems Inc. Micro-solar assembly
US6140570A (en) 1997-10-29 2000-10-31 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic element having a back side transparent and electrically conductive layer with a light incident side surface region having a specific cross section and a module comprising said photovolatic element
JP3185729B2 (ja) 1997-11-07 2001-07-11 富士ゼロックス株式会社 画像形成装置及び画像形成方法
US6379521B1 (en) * 1998-01-06 2002-04-30 Canon Kabushiki Kaisha Method of producing zinc oxide film, method of producing photovoltaic element, and method of producing semiconductor element substrate
JP4003273B2 (ja) * 1998-01-19 2007-11-07 セイコーエプソン株式会社 パターン形成方法および基板製造装置
US6185030B1 (en) 1998-03-20 2001-02-06 James W. Overbeck Wide field of view and high speed scanning microscopy
US6032997A (en) * 1998-04-16 2000-03-07 Excimer Laser Systems Vacuum chuck
US6278054B1 (en) * 1998-05-28 2001-08-21 Tecstar Power Systems, Inc. Solar cell having an integral monolithically grown bypass diode
AUPP437598A0 (en) * 1998-06-29 1998-07-23 Unisearch Limited A self aligning method for forming a selective emitter and metallization in a solar cell
JP3259692B2 (ja) 1998-09-18 2002-02-25 株式会社日立製作所 集光型太陽光発電モジュール及びその製造方法並びに集光型太陽光発電システム
US6204523B1 (en) * 1998-11-06 2001-03-20 Lumileds Lighting, U.S., Llc High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range
US6118067A (en) 1998-11-20 2000-09-12 Swales Aerospace Method and apparatus for improved solar concentration arrays
US6274508B1 (en) * 1999-02-05 2001-08-14 Alien Technology Corporation Apparatuses and methods used in forming assemblies
US6380729B1 (en) 1999-02-16 2002-04-30 Alien Technology Corporation Testing integrated circuit dice
US6291896B1 (en) 1999-02-16 2001-09-18 Alien Technology Corporation Functionally symmetric integrated circuit die
US6020554A (en) * 1999-03-19 2000-02-01 Photovoltaics International, Llc Tracking solar energy conversion unit adapted for field assembly
JP2000294813A (ja) * 1999-04-07 2000-10-20 Bridgestone Corp 太陽電池用バックカバー材及び太陽電池
US6257450B1 (en) * 1999-04-21 2001-07-10 Pechiney Plastic Packaging, Inc. Dual dispense container having cloverleaf orifice
US6164633A (en) 1999-05-18 2000-12-26 International Business Machines Corporation Multiple size wafer vacuum chuck
US6203621B1 (en) * 1999-05-24 2001-03-20 Trw Inc. Vacuum chuck for holding thin sheet material
US6291016B1 (en) 1999-06-02 2001-09-18 Nordson Corporation Method for increasing contact area between a viscous liquid and a substrate
US6924493B1 (en) * 1999-08-17 2005-08-02 The Regents Of The University Of California Ion beam lithography system
US6091017A (en) 1999-08-23 2000-07-18 Composite Optics Incorporated Solar concentrator array
FI115295B (fi) * 1999-09-01 2005-04-15 Metso Paper Inc Verhopäällystin ja verhopäällystysmenetelmä
US6529220B1 (en) 1999-09-06 2003-03-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method and apparatus for forming image with image recording liquid and dummy liquid
JP2001110659A (ja) * 1999-10-05 2001-04-20 Toyota Autom Loom Works Ltd 充電用受電器
US6527964B1 (en) * 1999-11-02 2003-03-04 Alien Technology Corporation Methods and apparatuses for improved flow in performing fluidic self assembly
US6623579B1 (en) 1999-11-02 2003-09-23 Alien Technology Corporation Methods and apparatus for fluidic self assembly
US6420266B1 (en) * 1999-11-02 2002-07-16 Alien Technology Corporation Methods for creating elements of predetermined shape and apparatuses using these elements
US6479395B1 (en) 1999-11-02 2002-11-12 Alien Technology Corporation Methods for forming openings in a substrate and apparatuses with these openings and methods for creating assemblies with openings
JP2001148500A (ja) 1999-11-22 2001-05-29 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
ES2157846B1 (es) * 1999-12-02 2002-03-01 Univ Madrid Politecnica Dispositivo con lente discontinua de reflexion total interna y dioptrico asferico para concentracion o colimacion de energia radiante.
JP4774146B2 (ja) * 1999-12-23 2011-09-14 パナソニック株式会社 レーザを用いて波長より小さなピッチで穴を開けるための方法および装置
JP2001291881A (ja) 2000-01-31 2001-10-19 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
US6719846B2 (en) * 2000-03-14 2004-04-13 Nordson Corporation Device and method for applying adhesive filaments to materials such as strands or flat substrates
US6310281B1 (en) 2000-03-16 2001-10-30 Global Solar Energy, Inc. Thin-film, flexible photovoltaic module
US6433303B1 (en) 2000-03-31 2002-08-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus using laser pulses to make an array of microcavity holes
JP3865036B2 (ja) * 2000-04-07 2007-01-10 セイコーエプソン株式会社 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置
KR100744306B1 (ko) * 2000-04-17 2007-07-30 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 표시패널용 잉크와 이것을 이용한 플라즈마 디스플레이패널의 제조방법
US6423565B1 (en) 2000-05-30 2002-07-23 Kurt L. Barth Apparatus and processes for the massproduction of photovotaic modules
US6232217B1 (en) 2000-06-05 2001-05-15 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Post treatment of via opening by N-containing plasma or H-containing plasma for elimination of fluorine species in the FSG near the surfaces of the via opening
US6423140B1 (en) * 2000-06-08 2002-07-23 Formosa Advanced Coating Technologies, Inc. Die set for preparing ABCABC multiple-stripe coating
JP2002111035A (ja) 2000-09-27 2002-04-12 Sanyo Electric Co Ltd 両面発電型太陽電池モジュール
US6558146B1 (en) 2000-10-10 2003-05-06 Delphi Technologies, Inc. Extrusion deposition molding with in-line compounding of reinforcing fibers
US6398370B1 (en) * 2000-11-15 2002-06-04 3M Innovative Properties Company Light control device
US6620645B2 (en) * 2000-11-16 2003-09-16 G.T. Equipment Technologies, Inc Making and connecting bus bars on solar cells
US20020149107A1 (en) 2001-02-02 2002-10-17 Avery Dennison Corporation Method of making a flexible substrate containing self-assembling microstructures
KR100378016B1 (ko) 2001-01-03 2003-03-29 삼성에스디아이 주식회사 태양 전지용 반도체 기판의 텍스처링 방법
JP2002289900A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Canon Inc 集光型太陽電池モジュール及び集光型太陽光発電システム
JP3848168B2 (ja) 2001-03-29 2006-11-22 三菱製紙株式会社 カーテン塗布装置
US7186102B2 (en) * 2001-04-26 2007-03-06 Strandex Corporation Apparatus and method for low-density cellular wood plastic composites
US7449070B2 (en) 2001-06-01 2008-11-11 Ulvac, Inc. Waveform generator for microdeposition control system
EP1266740B1 (en) 2001-06-15 2007-10-31 FUJIFILM Corporation Method of producing of cellulose ester film
CN2606309Y (zh) 2001-06-22 2004-03-10 高增世 双槽面镜式太阳能单向导光聚能板
US6555739B2 (en) * 2001-09-10 2003-04-29 Ekla-Tek, Llc Photovoltaic array and method of manufacturing same
US7208674B2 (en) * 2001-09-11 2007-04-24 Eric Aylaian Solar cell having photovoltaic cells inclined at acute angle to each other
US6531653B1 (en) * 2001-09-11 2003-03-11 The Boeing Company Low cost high solar flux photovoltaic concentrator receiver
US6597510B2 (en) * 2001-11-02 2003-07-22 Corning Incorporated Methods and apparatus for making optical devices including microlens arrays
US6697096B2 (en) * 2001-11-16 2004-02-24 Applied Materials, Inc. Laser beam pattern generator having rotating scanner compensator and method
US6811613B2 (en) * 2001-11-26 2004-11-02 Tokyo Electron Limited Coating film forming apparatus
EP1458496B1 (en) 2001-12-13 2008-02-27 Dow Global Technologies Inc. Method and apparatus for curtain coating
JP4335691B2 (ja) 2002-02-08 2009-09-30 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー スロットダイ
WO2003074254A1 (en) 2002-02-28 2003-09-12 Scimed Life Systems, Inc. Ultrasonic assisted apparatus and process
EP1345026B1 (en) * 2002-03-15 2010-05-05 Affymetrix, Inc. System and method for scanning of biological materials
JP3889644B2 (ja) 2002-03-25 2007-03-07 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
US7270528B2 (en) 2002-05-07 2007-09-18 3D Systems, Inc. Flash curing in selective deposition modeling
US7709766B2 (en) * 2002-08-05 2010-05-04 Research Foundation Of The State University Of New York System and method for manufacturing embedded conformal electronics
US6818818B2 (en) * 2002-08-13 2004-11-16 Esmond T. Goei Concentrating solar energy receiver
US6896381B2 (en) * 2002-10-11 2005-05-24 Light Prescriptions Innovators, Llc Compact folded-optics illumination lens
JP2004266023A (ja) 2003-02-28 2004-09-24 Sharp Corp 太陽電池およびその製造方法
US20050081908A1 (en) 2003-03-19 2005-04-21 Stewart Roger G. Method and apparatus for generation of electrical power from solar energy
JP2004288898A (ja) 2003-03-24 2004-10-14 Canon Inc 太陽電池モジュールの製造方法
US7388147B2 (en) * 2003-04-10 2008-06-17 Sunpower Corporation Metal contact structure for solar cell and method of manufacture
US7259323B2 (en) 2003-04-22 2007-08-21 The Aerospace Corporation Thin film solar cell thermal radiator
US7964789B2 (en) 2003-05-07 2011-06-21 Imec Germanium solar cell and method for the production thereof
US20040259382A1 (en) 2003-06-23 2004-12-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Apparatus and method of producing dope
JP4748955B2 (ja) 2003-06-30 2011-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 パターンの作製方法
US6959993B2 (en) 2003-07-10 2005-11-01 Energy Innovations, Inc. Solar concentrator array with individually adjustable elements
IL157716A0 (en) * 2003-09-02 2004-03-28 Eli Shifman Solar energy utilization unit and solar energy utilization system
JP4121928B2 (ja) 2003-10-08 2008-07-23 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法
JP4232597B2 (ja) * 2003-10-10 2009-03-04 株式会社日立製作所 シリコン太陽電池セルとその製造方法
ES2369780T3 (es) 2004-01-15 2011-12-05 Kellogg Company Conjunto de boquillas para imprimir patrones sobre un producto extrudido.
JP2005347628A (ja) 2004-06-04 2005-12-15 Sharp Corp 電極形成方法、電極及び太陽電池
US7169228B2 (en) 2004-04-29 2007-01-30 The Procter & Gamble Company Extrusion applicator having linear motion operability
US7097710B2 (en) 2004-04-29 2006-08-29 The Procter & Gamble Company Extrusion applicator having rotational operability
US7045794B1 (en) * 2004-06-18 2006-05-16 Novelx, Inc. Stacked lens structure and method of use thereof for preventing electrical breakdown
EP1763086A1 (en) 2005-09-09 2007-03-14 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Photovoltaic cell with thick silicon oxide and silicon nitride passivation and fabrication method
US20060207650A1 (en) 2005-03-21 2006-09-21 The Regents Of The University Of California Multi-junction solar cells with an aplanatic imaging system and coupled non-imaging light concentrator
US7906722B2 (en) 2005-04-19 2011-03-15 Palo Alto Research Center Incorporated Concentrating solar collector with solid optical element
US7444934B2 (en) 2005-05-24 2008-11-04 Micron Technology, Inc. Supercritical fluid-assisted direct write for printing integrated circuits
US7394016B2 (en) 2005-10-11 2008-07-01 Solyndra, Inc. Bifacial elongated solar cell devices with internal reflectors
US20080047605A1 (en) * 2005-07-28 2008-02-28 Regents Of The University Of California Multi-junction solar cells with a homogenizer system and coupled non-imaging light concentrator
US7799371B2 (en) 2005-11-17 2010-09-21 Palo Alto Research Center Incorporated Extruding/dispensing multiple materials to form high-aspect ratio extruded structures
US7765949B2 (en) 2005-11-17 2010-08-03 Palo Alto Research Center Incorporated Extrusion/dispensing systems and methods
US20070169806A1 (en) 2006-01-20 2007-07-26 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell production using non-contact patterning and direct-write metallization
US7928015B2 (en) * 2006-12-12 2011-04-19 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell fabrication using extruded dopant-bearing materials

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008118150A (ja) 2006-11-01 2008-05-22 Palo Alto Research Center Inc 密集した高アスペクト押し出しグリッド線

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008118150A (ja) 2008-05-22
EP1918026A3 (en) 2012-08-01
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KR20080039813A (ko) 2008-05-07
EP1918026A2 (en) 2008-05-07
US20080102558A1 (en) 2008-05-01

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