KR101243473B1

KR101243473B1 - 분압 회로 및 자기 센서 회로

Info

Publication number: KR101243473B1
Application number: KR1020080082437A
Authority: KR
Inventors: 미노루 아리야마
Original assignee: 세이코 인스트루 가부시키가이샤
Priority date: 2007-08-22
Filing date: 2008-08-22
Publication date: 2013-03-13
Also published as: TWI442206B; US7956598B2; US20090079411A1; TW200933335A; CN101431294B; CN101431294A; JP5060871B2; JP2009048539A; KR20090020524A

Abstract

(과제)

히스테리시스의 폭을 변화시키지 않고, 전원 전압이 변화됨에 따라 검출 및 해제 포인트의 전압값을 변화시키는 것이 가능한 가변 분압 회로를 제공한다.

(해결 수단)

본 발명의 가변 분압 회로는, 복수의 저항이 직렬로 접속된 저항렬로 이루어지고, 저항렬의 일단에 제 1 전압이 인가되고, 타단에 제 2 전압이 인가되고, 각 저항의 접속점으로부터 분압된 분압 전압을 출력하는 전압 분압부와, 저항렬에 있어서의 제 1 접속점에 접속된 제 1 정전류원과, 저항렬에 있어서, 그 저항렬의 중앙에 대해 제 1 접속점과 대칭 위치에 있는 제 2 접속점에 접속된 제 2 정전류원을 가지며, 제 1 전압 및 제 2 전압의 전압차에 따라 저항렬에 흐르는 전류로부터, 제 1 정전류원 및 제 2 정전류원 중 어느 일방이 제 1 조정용 전류를 빼고, 타방이 제 2 조정용 전류를 흘려 넣는 것을 특징으로 한다.

분압 회로, 자기 센서 회로

Description

분압 회로 및 자기 센서 회로{VOLTAGE DIVIDER CIRCUIT AND MAGNETIC SENSOR CIRCUIT}

본 발명은, 감도가 전원 전압에 비례하는 센서를 이용한 검출 회로에 있어서, 센서의 출력을 검출할 때 사용하는 임계값으로서 사용되는 기준 전압을 생성하는 분압 회로 및 그것을 사용한 자기 센서 회로에 관한 것이다.

종래부터, 근접 위치에 있어서의 검출 대상의 자성체 부분의 유무를 검출하는 근접 스위치 등의 자기 센서가 이용되고 있다.

예를 들어, 중앙에서 접히는 구조를 이용한 휴대전화 등의 휴대 전자 기기는, 접은 상태에 있는 경우, 액정의 백라이트를 소등하거나, 통신 기능을 제한하는 등의 전력 절약 제어를 실시하기 위한 기능을 갖고 있고, 상기 서술한 자기 센서 회로를 탑재하고 있다 (예를 들어, 특허 문헌 1 참조).

이 자기 센서에는 홀 소자가 자주 이용되고 있는데, 홀 소자는 피에조 저항식 센서 (예를 들어, 압력 센서, 가속도 센서, 변형 센서) 등과 마찬가지로, 감도가 전원 전압에 비례하여, 전원 전압에 따라 감도가 상이하므로, 센서의 출력을 검출할 때의 기준 전압의 전압값을 변화시킬 필요가 있다.

또, 홀 소자를 사용한 자기 센서에 있어서는, 근접했을 때와 떨어졌을 때의 출력값이 히스테리시스를 가지며, 또한 노이즈 등에 의한 오동작을 방지하기 위해, 검출 포인트와 해제 포인트에 사용하는 기준 전압을 각각 상이한 전압으로 하고, 히스테리시스폭을 갖게 하여 설정해 둘 필요가 있다. 즉, 히스테리시스폭은, 검출 포인트의 전압값과 해제 포인트의 전압값의 차전압을 나타내고 있다.

도 12 에 나타내는 기준 전압 생성 회로는, 복수의 기준 전압을 출력하고, 또한 이들 기준 전압을 전원 전압의 변화에 대응시키는 회로이다 (예를 들어, 특허 문헌 2 참조).

상기 기준 전압 생성 회로는, 제 1 연산 증폭기 (3a) 와, 제 2 연산 증폭기 (3b) 와, 제 1 연산 증폭기 (3a) 및 제 2 연산 증폭기 (3b) 의 출력 단자 사이에 삽입된 직렬 접속의 복수의 저항으로 구성되어 있다.

제 1 연산 증폭기 (3a) 의 제 1 입력 단자 (반전 입력 단자) 에 제 1 입력 신호를 입력하고, 제 2 연산 증폭기 (3b) 의 제 2 입력 단자 (반전 입력 단자) 에 제 2 입력 신호를 입력하고, 각각의 신호의 전압을 반전 증폭에 의해 임피던스 변환하고, 상기 직렬 접속의 복수 저항의 접속점마다의 분압 전압을, 복수의 기준 전압으로서 출력하고 있다.

상기 제 1 연산 증폭기 (3a) 및 제 2 연산 증폭기 (3b) 의 비반전 입력 단자에 각각 오프셋 전압 조정용 제 1 가변 저항 (5a) 및 제 2 가변 저항 (5b) 을 형성함으로써, 오프셋 전압의 조정을 가능하게 하고 있다.

자기 센서로부터 출력되는 입력 신호의 전압 레벨에 대응하여, 상기 제 1 가 변 저항 (5a) 과 제 2 가변 저항 (5b) 을 각각 역방향, 즉 제 1 가변 저항 (5a) 의 중점의 출력 전압을 증가시키는 경우, 제 2 가변 저항 (5b) 의 중점의 출력 전압을 저하시키고, 반대로 제 1 가변 저항 (5a) 의 중점의 출력 전압을 저하시키는 경우, 제 2 가변 저항 (5b) 의 중점의 출력 전압을 증가시키도록 저항값의 조정을 실시한다.

상기 서술한 조정에 의해, 직렬 접속의 복수 저항의 중점의 전압을 변화시키지 않고, 중점 이외의 각 저항의 접속점으로부터 출력되는 기준 전압을 변화시킬 수 있다.

[특허 문헌 1] 일본 공개특허공보 평09-166405호

[특허 문헌 2] 일본 공개특허공보 평10-268253호

그러나, 상기 서술한 종래의 기준 전압 생성 회로는, 분압하기 위한 직렬 접속의 저항 양단의 전압 범위 내에 있어서, 도 13 에 나타내는 바와 같이, 제 1 가변 저항 (5a) 및 제 2 가변 저항 (5b) 을 변화시키고, 검출 및 해제 포인트의 전압값을 변화시키면, 이에 따라 검출 포인트와 해제 포인트의 히스테리시스폭도 변화시킨다.

이 때문에, 종래의 기준 전압 생성 회로는, 홀 소자의 출력값을 검출하는 콤퍼레이터의 기준 전압으로서 사용한 경우, 히스테리시스폭이 작아지면, 도 14 에 나타내는 바와 같이, 자기장의 자속 밀도에 대한 검출 및 해제 감도가 양호해지고, 노이즈에 대해 과민하게 반응하여, 자기 센서 회로가 오검출 및 오해제의 판정을 실시한다는 결점을 갖고 있다.

본 발명은, 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 히스테리시스의 폭을 변화시키지 않고, 전원 전압이 변화됨에 따라 검출 및 해제 포인트의 전압값을 변화시키는 것이 가능한 가변 분압 회로를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 가변 분압 회로는, 복수의 저항이 직렬로 접속된 저항렬로 이루어지고, 그 저항렬의 일단에 제 1 전압이 인가되고, 타단에 제 2 전압이 인가되고, 상기 각 저항의 접속점으로부터 분압된 분압 전압을 출력하는 전압 분압부와, 상기 저항렬에 있어서의 제 1 접속점에 접속된 제 1 정전류원과, 상기 저항렬에 있어서, 그 저항렬의 중앙에 대해 상기 제 1 접속점과 대칭 위치에 있는 제 2 접속점에 접속된 제 2 정전류원을 가지며, 제 1 전압 및 제 2 전압의 전압차에 따라 저항렬에 흐르는 전류로부터, 상기 제 1 정전류원 및 제 2 정전류원 중 어느 일방이 제 1 조정용 전류를 빼고, 타방이 제 2 조정용 전류를 흘려 넣는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 가변 분압 회로는, 상기 제 1 및 제 2 조정용 전류가 동일 전류값이고, 제 1 전압과 제 2 전압의 변화에 대응하고, 상기 제 1 정전류원 및 제 2 정전류원 각각이, 상기 제 1 접속점과 제 1 단자 사이에 있는 각 접속점간의 전압과, 상기 제 2 접속점과 제 2 단자 사이에 있는 각 접속점간의 전압이 변화되지 않는 전류값으로, 상기 제 1 및 제 2 조정용 전류를 제어하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 가변 분압 회로는, 상기 전압 분압부에 있어서의 저항이 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5 및 제 6 저항이고, 그 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5 및 제 6 저항이 직렬 접속되어 있고, 제 1 저항의 일단에 제 1 전압이 인가되고, 제 6 저항의 타단에 제 2 전압이 인가되어 있고, 제 1 저항에 비교하여 제 2 저항의 저항값이 작고, 또 제 6 저항에 비교하여 제 5 저항의 저항값이 작게 설정되어 있는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 가변 분압 회로는, 상기 제 1 정전류원과 제 2 정전류원의 각각이, 제 3 정전류원이 생성하는 동일한 정전류를 사용한 커런트 미러 회로로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 가변 분압 회로는, 상기 제 3 정전류원이, 기준 전류를 생성하는 기준 전류 생성부와, 상기 기준 전류를 흘려 넣는, 저항값이 가변인 가변 저항과, 그 가변 저항에 발생하는 전압이 비반전 입력 단자에 인가되고, 반전 입력 단자가 다른 저항을 통해 전원과 접속된 연산 증폭기와, 그 연산 증폭기의 반전 입력 단자에 소스 또는 드레인 중 어느 일방이 접속되고, 게이트가 상기 연산 증폭기의 출력 단자에 접속되고, 소스 또는 드레인 중 어느 타방으로부터 상기 조정용 전류를 출력하는 MOS 트랜지스터를 갖는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 자기 센서 회로는, 상기 어느 하나에 기재된 가변 분압 회로와, 선택 신호에 대응하여, 그 가변 분압 회로 중 어느 하나의 접속점으로부터의 분압 전압을 출력하는 셀렉터와, 자기 센서의 검출 전압이 일방의 단자에 입력되고, 상기 셀렉터가 출력하는 상기 분압 전압이 타방의 단자에 입력된 연산 증폭기를 갖는 것을 특징으로 한다.

이상 설명한 구성을 채용함으로써, 본 발명에 의하면, 전원 전압에 의해 감도가 상이한 센서의 검출 포인트 및 해제 포인트가 되는 기준 전압 각각을, 히스테리시스폭을 일정하게 유지한 상태에서, 임의의 전압으로 용이하게 조정할 수 있다.

이하, 본 발명의 일 실시형태에 의한 가변 분압 회로를 사용한 자기 센서 회로를 도면을 참조하여 설명한다. 도 1 은 동 실시형태에 의한 자기 센서 회로의 구성예를 나타내는 블록도이다.

도 1 에 있어서, 자기 센서 (1) 는 예를 들어 홀 소자이고, 전원 전압 (VDD) 과 접지 전압 (VSS) 이 입력되고, 관통하는 자기장의 방향에 따라 출력 단자 (T1 및 T2) 로부터 출력되는 전압 각각의 극성이 역전되게 된다.

여기에서, 도 1 의 홀 소자 (1) 에 있어서, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 자신을 관통하는 자기장이 순방향인 경우, 검출되는 검출 자속 밀도를 Bop1 로 하고, 해제하는 해제 자속 밀도를 Brp1 로 하고, 한편, 자신을 관통하는 자기장이 역방향인 경우, 검출되는 검출 자속 밀도를 Bop2 로 하고, 해제하는 해제 자속 밀도를 Brp2 로 한다.

증폭기 (2) 는, 비반전 입력 단자 (+) 에 자기 센서 (1) 의 출력 단자 (T1) 가 접속되고, 반전 입력 단자 (-) 에 자기 센서 (1) 의 출력 단자 (T2) 가 접속되고, 레퍼런스 전압 (VREF) 을 기준으로 하여 비반전 입력 단자 (+) 와 반전 입력 단자 (-) 사이의 전압차를 증폭시키고, 검출 전압 (OUTA) 으로서 출력 단자로부터 출력한다.

즉, 증폭기 (2) 는, 비반전 입력 단자 (+) 에 입력되는 전압이 반전 입력 단자 (-) 에 입력되는 전압보다 높으면 (홀 소자 (1) 를 관통하는 자기장이 순방향인 경우), 그 차분을 증폭시킨 전압을 레퍼런스 전압 (VREF) 에 가산하여 출력하고, 반전 입력 단자 (-) 에 입력되는 전압이 비반전 입력 단자 (+) 에 입력되는 전압보다 높으면 (홀 소자 (1) 를 관통하는 자기장이 역방향인 경우), 그 차분을 증폭시킨 전압을 레퍼런스 전압 (VREF) 으로부터 감산하여 출력한다.

여기에서, 증폭기 (2) 가 검출하는 전압으로서, 홀 소자 (1) 를 관통하는 자기장이 순방향인 경우, 검출되는 검출 자속 밀도 (Bop1) 에 대응한 검출 전압을 Vbop1 으로 하고, 해제하는 해제 자속 밀도 (Brp1) 에 대응한 해제 전압을 Vbrp1 으로 하고, 한편, 홀 소자 (1) 를 관통하는 자기장이 역방향인 경우, 검출되는 검출 자속 밀도 (Bop2) 에 대응한 검출 전압을 Vbop2 으로 하고, 해제하는 해제 자속 밀도 (Brp2) 에 대응한 해제 전압을 Vbrp2 으로 한다.

가변 분압 회로 (3) 는, 전원 전압에 대응한 분압 전압을 생성하고, 상기 검출 전압 또는 해제 전압이 검출 포인트를 초과했는지, 또는 해제 포인트를 초과했는지를 검출하는 복수의 임계값 전압으로서 출력한다.

따라서, 가변 분압 회로 (3) 는, 분압 전압으로서 VDD 와 VSS 사이에 있어서, 상기 검출 전압 (Vbop1), 해제 전압 (Vbrp1), 검출 전압 (Vbop2), 해제 전압 (Vbrp2) 및 레퍼런스 전압 (VREF) 을, Vbop1>Vbrp1>VREF>Vbrp2>Vbop2 의 관계로 출력한다.

또, 가변 분압 회로 (3) 는, VREF 를 VDD 와 VSS 의 중점으로 하고, 히스테리시스폭 「Vbop1-Vbrp1」 과 「Vbrp2-Vbop2」 를 일정한 전위차로서 유지한 상태에서, Vbop1, Vbrp1, Vbrp2, Vbop2 의 전압을 센서의 감도에 대응하여 조정할 수 있다.

가변 분압 회로 (3) 는, 검출 전압 (Vbop1), 해제 전압 (Vbrp1), 검출 전압 (Vbop2), 해제 전압 (Vbrp2) 을 셀렉터 (5) 에 출력하고, 레퍼런스 전압 (VREF) 을 증폭기 (2) 에 출력한다.

콤퍼레이터 (4) 는, 증폭기 (2) 가 출력하는 검출 전압 (OUTA) 과, 셀렉터 (5) 로부터 입력되는 기준 전압 (OUTB) 과 비교한 비교 결과, 예를 들어 검출 전압 (OUTA) 이 기준 전압보다 높으면 「H」 레벨의 결과 신호, 검출 전압 (OUTA) 이 기 준 전압 (OUTB) 보다 낮으면 「L」 레벨의 결과 신호 (OUTC) 를 출력한다.

셀렉터 (5) 는, 검출 또는 해제 중 어느 것을 검출하는지에 따라, 신호 처리 회로 (6) 로부터의 제어 신호에 의해, 가변 분압 회로 (3) 가 출력하는 검출 전압 (Vbop1), 해제 전압 (Vbrp1), 검출 전압 (Vbop2), 해제 전압 (Vbrp2) 중 어느 하나를 콤퍼레이터 (4) 에 기준 전압 (OUTB) 으로서 출력한다.

신호 처리 회로 (6) 는, 셀렉터 (5) 에 대한 제어 신호 (S) 가 검출 전압 (Vbop1), 해제 전압 (Vbrp1), 검출 전압 (Vbop2), 해제 전압 (Vbrp2) 에 있어서의 어느 것을 기준 전압으로서 설정했는지에 따라, 콤퍼레이터 (4) 의 판정 결과의 데이터 처리를 실시한다.

예를 들어, 신호 처리 회로 (6) 는, 검출 전압 (Vbop1) 을 선택하는 제어 신호를 셀렉터 (5) 에 대해 출력하고 있는 경우, 검출 전압 (OUTA) 이 검출 전압 (Vbop1) 보다 높은 경우 「H」 레벨의 신호를 출력 전압 (OUT) 으로부터 출력하고, 일단, 검출 전압 (OUTA) 이 검출 전압 (Vbop1) 보다 높은 것을 검출한 후, 해제 전압 (Vbrp1) 을 선택하는 제어 신호를 셀렉터 (5) 에 대해 출력하고 있는 경우, 검출 전압 (OUTA) 이 해제 전압 (Vbrp1) 보다 낮은 경우 「L」 레벨의 신호를 출력 전압 (OUT) 으로부터 출력한다.

한편, 신호 처리 회로 (6) 는, 검출 전압 (Vbop2) 을 선택하는 제어 신호를 셀렉터 (5) 에 대해 출력하고 있는 경우, 검출 전압 (OUTA) 이 검출 전압 (Vbop2) 보다 낮은 경우 「H」 레벨의 신호를 출력 전압 (OUT) 으로부터 출력하고, 일단, 검출 전압 (OUTA) 이 검출 전압 (Vbop2) 보다 낮은 것을 검출한 후, 해제 전압 (Vbrp2) 을 선택하는 제어 신호를 셀렉터 (5) 에 대해 출력하고 있는 경우, 검출 전압 (OUTA) 이 해제 전압 (Vbrp2) 보다 높은 경우 「L」 레벨의 신호를 출력 전압 (OUT) 으로부터 출력한다.

여기에서, 신호 처리 회로 (6) 에는, 순차적으로 셀렉터 (5) 에 의해 선택하여 기준 전압을 변경하는 시퀀스를, 상기 서술한 바와 같이, 검출된 전압값에 따라 다음에 어느 것을 기준 전압으로 할지를 설정해 둘 수 있다. 또, 셀렉터 (5) 의 초기 상태로는 임의로 어느 것을 기준 전압으로 할지를 선택할 수 있는데, 예를 들어 초기 상태는 기준 전압으로서 검출 전압 (Vbop1) 을 선택하는 상태로 설정되어 있다.

여기에서, 콤퍼레이터 (4) 는, 기준 전압으로서 검출 전압 (Vbop1) 이 설정되어 있을 때, 결과 신호 (OUTC) 의 전압값이 이 검출 전압 (Vbop1) 보다 높은 경우, 「H」 레벨의 결과 신호 (OUTC) 를 출력한다.

그리고, 신호 처리 회로 (6) 는, 콤퍼레이터 (4) 의 출력이 「H」 레벨로서 입력되면, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 출력 단자 전압 (OUT) 을 「H」 레벨로 함과 함께, 기준 전압으로서 해제 전압 (Vbrp1) 을 선택하는 제어 신호를 셀렉터 (5) 에 대해 출력한다.

신호 처리 회로 (6) 가 셀렉터 (5) 에 입력되는 전압의 어느 것을 기준 전압으로서 출력하는지의 시퀀스는, 센서 회로의 사양에 따라 임의로 변경된다.

다음으로, 도 1 에 있어서의 가변 분압 회로 (3) 의 구성을 도 3 을 참조하여 설명한다. 도 3 은 상기 서술한 검출 전압 및 해제 전압에 대응한 분압을 출력하는 가변 분압 회로 (3) 의 구성예를 나타내는 개념도이다.

가변 분압 회로 (3) 는, 전압 (V21 및 V22) 사이를 분압하여 각각의 분할된 전압을, 검출 전압 (Vbop1), 해제 전압 (Vbrp1), 검출 전압 (Vbop2), 해제 전압 (Vbrp2) 으로서 출력하는 전압 분압부 (31) 와, 이들 검출 전압 (Vbop1), 해제 전압 (Vbrp1), 검출 전압 (Vbop2), 해제 전압 (Vbrp2) 의 각 전압값을 조정하는 전류원 (32) 및 전류원 (33) 을 포함하는 전류원부 (14) 로 구성되어 있다.

전압 분압부 (31) 는, 전압 (V21) 과 전압 (V22) 사이에 있어서, 저항 (R11, R21, R31, R32, R22, R12) 이 직렬로 접속되어 있다.

여기에서, 전압 분압부 (31) 로부터, 저항 (R11) 과 저항 (R21) 의 접속점 (Tbop1) 으로부터 검출 전압 (Vbop1) 이 출력되고, 저항 (R21) 과 저항 (R31) 의 접속점 (Tbrp1) 으로부터 해제 전압 (Vbrp1) 이 출력되고, 저항 (R31) 과 저항 (R32) 의 접속점 (TREF) 으로부터 레퍼런스 전압 (VREF) 이 출력되고, 저항 (R32) 과 저항 (R22) 의 접속점 (Tbrp2) 으로부터 해제 전압 (Vbrp2) 이 출력되고, 저항 (R22) 과 저항 (R12) 의 접속점 (Tbop2) 으로부터 검출 전압 (Vbop2) 이 출력된다.

전류원 (32) 은, 상기 접속점 (Tbrp2) 에 접속되어 있고, 전압 분압부 (31) 의 접속점 (Tbrp2) 에 대해 전류 (I11) 를 흘려 넣고 있다.

또, 전류원 (33) 은, 전류원 (32) 이 접속되어 있는 접속점 (Tbrp2) 에 대해, 저항 (R31) 및 저항 (R32) 의 접속점 (레퍼런스 전압 (VREF) 의 출력점) 에 대해 대칭적인 위치인 상기 접속점 (Tbrp1) 에 접속되어 있고, 전압 분압부 (31) 의 접속점 (Tbrp1) 으로부터 전류 (I12) 를 흘려내고 있다.

상기 서술한 구성에 의해, 전류 (I11) 및 전류 (I12) 의 전류값 (i11 및 i12) 을 동등하게 설정한 경우, 분압 저항으로서의 전압 분압부 (31) 에 있어서, 접속점 (Tbrp1) 으로부터 전류 (I12) 를 흘려내고, 접속점 (Tbrp2) 에 대해 전류 (I11) 를 흘려 넣는 구성이므로, 전압 (V21) 과 전압 (V22) 사이에 흐르는 전류 (I) 의 전류값이 변화되지는 않는다.

이 때문에, 전류 (I11 및 I12) 각각의 전류값 (i11, i12) 을 변화시킴으로써, 저항 (R11) 및 저항 (R21) 각각의 단자간 전압과, 저항 (R22) 및 저항 (R12) 각각의 단자간 전압과, 레퍼런스 전압 (VREF) 을 변화시키지 않고, 접속점 (Tbop1), 접속점 (Tbrp1), 접속점 (Tbrp2), 접속점 (Tbop2) 의 각 전압을 변화시킬 수 있다.

즉, 자기 센서의 감도에 대응하고, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 전류 (I11) 및 전류 (I12) 를 조정함으로써, 히스테리시스폭 「Vbop1-Vbrp1」 과 「Vbrp2-Vbop2」 를 일정한 전위차로서 유지한 상태에서, Vbop1, Vbrp1, Vbrp2, Vbop2 의 각 전압을 제어할 수 있다. 도 4 는, 도 3 의 회로에 있어서의 전류값 (i11 및 i12) 의 조정에 의해, 검출 전압 (Vbop1), 해제 전압 (Vbrp1), 검출 전압 (Vbop2), 해제 전압 (Vbrp2) 의 제어 결과의 파형도로서, 가로축이 전류값 (i11 및 i12) 을 나타내고, 세로축이 전압값을 나타내고 있다.

이 도 4 에 있어서, 접속점 (Tbop1) 으로부터 흘려내는 전류 (I12) 의 전류값 (i11), 및 접속점 (Tbop2) 으로부터 흘려 넣는 전류 (I11) 를 증가시킴에 따라, 검출 전압 (Vbop1) 및 해제 전압 (Vbrp1) 의 전위가 저하되고, 반대로 검출 전압 (Vbop2) 및 해제 전압 (Vbrp2) 의 전위가 상승한다. 이 때, 전압 (V21) 이 인가된 단자와 접속점 (Tbrp1) 에 흐르는 전류, 및 접속점 (Tbrp2) 과 전압 (V22) 이 인가된 단자에 흐르는 전류가 변화되지 않기 때문에, 히스테리시스폭 「Vbop1-Vbrp1」 과 「Vbrp2-Vbop2」 는 일정하게 유지된다.

또, 도 5 에는, 도 3 에 나타내는 가변 분압 회로 (3) 를 도 1 에 이용하여, 전원 전압의 변화에 의한 자기 센서의 감도 변화에 대응시키고, 전류 (I11 및 I12) 의 전류값 (i11, i12) 을 조정하여 검출 해제 포인트를 변경한 경우, 검출되는 검출 자속 밀도 (Bop1) 및 해제 자속 밀도 (Brp1) 의 히스테리시스폭과, 검출 자속 밀도 (Bop2) 및 해제 자속 밀도 (Brp2) 의 히스테리시스폭이 전류 (I11 및 I12) 의 전류값의 변화에 대해 일정하게 변화되는 것이 나타나 있다. 도 5 에 있어서, 세로축이 자기장의 자속 밀도를 나타내고, 가로축이 전류 (I11 및 I12) 의 전류값을 나타내고 있다.

즉, 저항 (R11) 의 저항값 및 저항 (R12) 의 저항값을 R10 으로 하고, 저항 (R21) 및 저항 (R22) 의 저항값을 R20 으로 하고, 저항 (R31) 및 저항 (R32) 의 저항값을 R30 으로 하고, 전류 (I11) 및 전류 (I12) 의 전류값 (i11 및 i12) 을 전류값 (i1) 으로 하면,

VREF=(V21+V22)/2

Vbrp1=VREF+{R30/(R10+R20+R30)}·{(V21-V22)/2}

-{(R10+R20)·i1/(R10+R20+R30)}

으로서 나타낼 수 있고, 전류값 (i1) 을 리니어로 변화시킴으로써, 검출 전 압 (Vbop1), 해제 전압 (Vbrp1), 검출 전압 (Vbop2), 해제 전압 (Vbrp2) 을 리니어로 조정할 수 있다.

그러나, 도 4 에 나타내는 가변 분압 회로 (3) 가 출력하는 검출 전압 (Vbop1), 해제 전압 (Vbrp1), 검출 전압 (Vbop2), 해제 전압 (Vbrp2) 은, 실제의 변화로서, 전류 (I11 및 I12) 의 전류값 (i11, i12) 이 작아짐에 따라, 도 6 에 나타내는 바와 같이 히스테리시스폭이 약간 의존하게 된다. 도 6 에 있어서, 세로축이 저항렬 (전압 분압부 (31)) 에 인가되는 전압 (전압 (V21) 및 전압 (V22)) 을 나타내고, 가로축이 전류 (I11 및 I12) 의 전류값을 나타내고 있다.

즉, 히스테리시스폭으로서 「Vbop1-Vbrp1」을 구해 보면,

Vbop1-Vbrp1=R20(V21-Vbrp1)

이고, 이 식에 이미 구한 상기 Vbrp1 을 대입하면,

Vbop1-Vbrp1={R20/(R10+R20)}{(R10+R20)/(R10+R20+R30)}(V21-V22)/2-{R20/(R10+R20)}{(R10+R20)/(R10+R20+R30)}i1

이 되고, 우변의 제 2 항에 있어서, 전류값 (i1) 에 의해 히스테리시스폭이 이상으로부터 어긋나게 된다.

상기 서술한 식에 있어서, 우변의 제 2 항의 저항비 부분 {R20/(R10+R20)}{(R10+R20)/(R10+R20+R30)} 을 생각해 보면,

{R20/(R10+R20)}{(R10+R20)/(R10+R20+R30)}

={(R20/R10)/(1+R20/R10)}{(1+R20/R10)/(1+(R20+R30)/R10}

이 되고, 하기 (1) 식으로부터 R10 을 R20 에 대해 충분히 크게 함으로써, 우변 제 2 항의 전류값 (i1) 의 전류값 변화에 대해 히스테리시스폭의 변화를 억제할 수 있다.

다음으로, 도 3 의 전류원 (32 및 33) 은, 예를 들어 도 7 에 나타내는 회로 구성으로 되어 있다. 도 7 은, 전류원 (32 및 33) 의 구성예를 나타내는 회로도이다 (V11>V12, V21>V22).

전류원 (32 및 33) 은, 전류원 (34) 과, 커런트 미러부 (10) 로 구성되어 있다. 이 커런트 미러부 (10) 는, n 채널형 MOS 트랜지스터 (M41, M42, M45) 와, p 채널형 MOS 트랜지스터 (M43, M44) 로 구성되어 있다. 여기에서, MOS 트랜지스터 (M41) 는 드레인과 게이트가 접속되고, 소스에 전압 (V12) 이 인가되어 있다. MOS 트랜지스터 (M42) 는, 게이트가 MOS 트랜지스터 (M41) 의 게이트에 접속되고, 소스에 전압 (V12) 이 인가되어 있다. MOS 트랜지스터 (M45) 는, 게이트가 MOS 트랜지스터 (M41) 의 게이트에 접속되고, 소스에 전압 (V12) 이 인가되어 있다. 또, MOS 트랜지스터 (M43) 는, 소스에 V11 이 인가되고, 게이트가 드레인에 접속되고, 이 접속점이 MOS 트랜지스터 (M42) 의 드레인에 접속되어 있다. MOS 트랜지스터 (M44) 는, 소스에 V11 이 인가되고, 게이트가 MOS 트랜지스터 (M43) 의 게이트에 접속되어 있다.

따라서, MOS 트랜지스터 (M41 과 M42, M41 과 M45, 및 M43 과 M44) 는 커런트 미러를 구성하고 있다.

전류원 (34) 과 MOS 트랜지스터 (M41, M42, M43 및 M44) 가 전류원 (32) 에 대응하고 있다. 전류원 (34) 으로부터 흐르는 전류 (I10) 의 전류값의 미러비에 대응한 전류가 MOS 트랜지스터 (M42) 에 흐르고, 또한 MOS 트랜지스터 (M43) 에 흐른다. 그리고, MOS 트랜지스터 (M43) 에 흐르는 전류의 미러비에 대응한 전류가 MOS 트랜지스터 (M44) 에 흐른다. MOS 트랜지스터 (M44) 에 흐르는 전류가 도 3 의 전류 (I11) 에 대응하고 있다.

전류원 (34) 과 MOS 트랜지스터 (M41 및 M45) 가 전류원 (33) 에 대응하고 있다. 전류원 (34) 으로부터 흐르는 전류 (I10) 의 전류값의 미러비에 대응한 전류가 MOS 트랜지스터 (M45) 에 흐른다. MOS 트랜지스터 (M45) 에 흐르는 전류가 도 3 의 전류 (I12) 에 대응하고 있다.

다음으로, 도 7 에 있어서의 전류 (I10) 의 전류값을 가변할 수 있는 전류원 (34) 의 구성예를, 도 8 을 참조하여 설명한다. 도 8 은, 도 7 에 있어서의 전류원 (34) 의 구성예를 나타내는 회로도이다.

전류원 (34) 은, 기준 전류 생성부 (11) 와, 커런트 미러 회로 (12) 와, 전류 조정부 (13) 로 구성되어 있다.

기준 전류 생성부 (11) 는, 저항 (R1), 저항 (R2), 연산 증폭기 (21), n 채널형 MOS 트랜지스터 (M11) 와 저항 (Ra) 으로 구성되어 있다.

저항 (R1) 과 저항 (R2) 은, 전압 (V11) 의 배선과 전압 (V12) 의 배선 사이에 직렬 접속으로 삽입되어 있다. 연산 증폭기 (21) 는, 비반전 입력 단자 (+) 가 저항 (R1) 과 저항 (R2) 의 접속점에 접속되고, 전압 (V11) 및 전압 (V12) 이 분압된 전압 (VA) 이 인가되어 있다. MOS 트랜지스터 (M11) 는, 게이트가 상기 연산 증폭기 (21) 의 출력 단자에 접속되고, 소스가 연산 증폭기 (21) 의 반전 입력 단자 (-) 에 접속되어 있다. 저항 (Ra) 은 일단이 상기 MOS 트랜지스터 (M11) 의 소스에 접속되고, 타단이 전압 (V12) 의 배선에 접속되어 있다.

커런트 미러 회로 (12) 는, p 채널형 MOS 트랜지스터 (M21 및 M22) 로 구성되어 있다. 이 MOS 트랜지스터 (M21) 는, 소스가 전압 (V11) 의 배선에 접속되고, 게이트가 드레인에 접속되고, 드레인이 상기 MOS 트랜지스터 (M11) 의 드레인에 접속되어 있다.

MOS 트랜지스터 (M22) 는, 소스가 전압 (V11) 의 배선에 접속되고, 게이트가 MOS 트랜지스터 (M21) 의 게이트에 접속되어 있다.

전류 조정부 (13) 는, 저항 (Rb), 저항 (Rc), 연산 증폭기 (22), p 채널형 MOS 트랜지스터 (M12) 로 구성되어 있다.

저항 (Rb) 은, 일단이 상기 MOS 트랜지스터 (M22) 의 드레인과 접속되고, 타단이 전압 (V12) 의 배선과 접속되어 있다.

연산 증폭기 (22) 는, 비반전 입력 단자 (+) 가 저항 (Rb) 의 일단에 접속되고, MOS 트랜지스터 (M22) 로부터 공급되는 전류의 전류값과, 저항 (Rb) 의 저항값에 대응하여 생성되는 전압 (VB) 이 인가되어 있다. MOS 트랜지스터 (M12) 는, 게이트가 상기 연산 증폭기 (22) 의 출력 단자에 접속되고, 소스가 연산 증폭기 (22) 의 반전 입력 단자 (-) 에 접속되어 있다. 저항 (Rc) 은 일단이 전압 (V11) 의 배선에 접속되고, 타단이 상기 MOS 트랜지스터 (M12) 의 소스에 접속되어 있다.

상기 서술한 회로 구성에 의해, 기준 전류 생성부 (11) 는, 전압 (V11) 및 전압 (V12) 이 인가된 단자 사이에 직렬로 삽입된 저항 (R1) 및 저항 (R2) 의 저항비에 의해, 전압 (V11) 및 전압 (V12) 의 전압차를 분압한 분압 전압에 대응시키고, 기준 전류 (I) 를 생성한다.

그리고, 전류 조정부 (13) 는, 커런트 미러 회로 (12) 로부터 공급되는 기준 전류 (I) 에 대응한 전류 (I21) 를 조정함으로써, 전압 분압부 (31) 에 대한 조정 전류인 전류 (I11) 및 전류 (I12) 의 전류값 (i11, i12) 을 조정할 수 있다.

즉, 전압 (VA) 은,

VA=r1(V11-V12)/(r1+r2)

이 되고, 연산 증폭기 (21) 에 있어서의 버추얼 쇼트에 의해 VA=VA' 가 되고,

I21=VA'/Ra 의 전류값 (i21) 의 전류가 MOS 트랜지스터 (M11) 에 흐른다. 여기에서, r1 은 저항 (R1) 의 저항값이고, r2 는 저항 (R2) 의 저항값이다.

이 때, MOS 트랜지스터 (M21) 에도, MOS 트랜지스터 (M11) 와 마찬가지로 전류값 (i21) 의 전류가 흐른다.

커런트 미러 회로 (12) 에 있어서, MOS 트랜지스터 (M21) 와 MOS 트랜지스터 (M22) 의 미러비를

I21 (M21 에 흐르는 전류):I22 (M22 에 흐르는 전류)=α:1

로 하면,

I22=(1/α)·(VA'/ra)

가 되고, 이 전류값 (i22) 의 전류가 저항 (Rb) 에 대해 흐르게 된다. 여기에서, ra 는 저항 (Ra) 의 저항값이다.

저항 (Rb) 에 대해 상기 전류 (I22) 가 흐름으로써,

전압 (VB) 과 전압 (V12) 의 전위차는, 이하의 식에 의해 구할 수 있다.

VB-V12=I22·rb

=(1/α)·(VA'/ra)·rb

=(1/α)·(rb/ra)·VA'

여기에서, rb 는 저항 (Rb) 의 저항값이다. 또, VA'=VA 이기 때문에, 상기 식은 이하와 같이 나타낼 수 있다.

VB-V12

=(1/α)·(rb/ra)·{r1(V11-V12)/(r1+r2)}

이 되고, 연산 증폭기 (22) 에 있어서의 버추얼 쇼트에 의해 VB'=VB 이기 때문에, MOS 트랜지스터 (M12) 에 흐르는, 즉 저항 (Rc) 에 흐르는 전류 (I23) 는,

I23=(V11-VB')/rc

가 된다. 여기에서, rc 는 저항 (Rc) 의 저항값이다.

설명을 간단하게 하기 위해, 전압 (V12) 을 접지 전위, 즉 「0V」 로 하여 이하 설명한다.

VB'=(1/α)·(rb/ra)·V11·{r1/(r1+r2)}

가 되고, 저항 (Rc) 에 흐르는 전류 (I23) 는, 이하와 같이 나타낸다.

I23=(V11/rc){1-(1/α)(rb/ra)r1/(r1+r2)}

로서, 저항 (Rb) 에 대응하는 전류를 얻을 수 있다.

따라서, 저항 (Rb) 을 가변 저항으로 하여 저항값을 조정함으로써, 도 9 에 나타내는 바와 같이 전류값 (i11 및 i12) 을 임의의 전류값의 조정 전류로 하여, 전압 분압부 (31) 에 흘려 넣거나 또는 흘려내고, 검출 전압 (Vbop1), 해제 전압 (Vbrp1), 검출 전압 (Vbop2), 해제 전압 (Vbrp2) 을 임의로 제어할 수 있다. 도 9 는, 저항 (Rb) 의 저항값 (rb) 과, 전압 분압부 (31) 로부터 출력되는 검출 전압 (Vbop1), 해제 전압 (Vbrp1), 검출 전압 (Vbop2), 해제 전압 (Vbrp2) 의 전압값의 대응을 나타내는 도면으로서, 가로축이 저항이고, 세로축이 전압이다.

또, 전압 (VB') 은 전압 (V11) 보다 낮은 전압이므로,

VB'=(1/α)·(rb/ra)·V11·{r1/(r1+r2)}≤V11

로부터,

(1/α)·(rb/ra){r1/(r1+r2)}≤1

에 있어서, 등호가 성립되는 경우,

rb={(r1+r2)/r1}·α·ra

가 구해지고, 이 저항값 (rb) 에 있어서 VB=V11 이 되고, 이것 이상 저항 (Rb) 의 저항값 (rb) 을 증가시켰다고 해도 전압은 V11 에서 제한되고, 도 9 에 나타내는 바와 같이 그 이상으로 전류 (I11) 와 전류 (I12) 의 전류를 증가시킬 수 없게 되어, 검출 전압 (Vbop1), 해제 전압 (Vbrp1), 검출 전압 (Vbop2), 해제 전압 (Vbrp2) 의 각 전압은 변화되지 않게 된다.

즉, 가변 저항인 저항 (Rb) 의 저항값에 비례하여 조정용 전류의 전류값을 변화시킬 수 있고, 또한 저항 (Rb) 에 있어서의 가장 큰 값으로 해도, 상기 서술한 식에 있어서의 저항값 (rb) 을 초과한 경우 전류가 변화되지 않기 때문에, 전류값의 제한을 고려하지 않고 조정을 용이하게 실시할 수 있다.

다음으로, 다른 실시형태로서, 도 1 의 가변 분압기 (3) 를 도 10 에 나타내는 구성으로 할 수 있다.

도 10 의 가변 분압 회로 (3) 의 구성은, 도 3 의 구성과 동일하게, 전압 (V21 및 V22) 의 전위차를 분압하고, 각각의 분할된 전압을, 검출 전압 (Vbop1), 해제 전압 (Vbrp1), 검출 전압 (Vbop2), 해제 전압 (Vbrp2) 으로서 출력하는 전압 분압부 (31) 와, 이들 검출 전압 (Vbop1), 해제 전압 (Vbrp1), 검출 전압 (Vbop2), 해제 전압 (Vbrp2) 의 각 전압값을 조정하는 전류원 (32) 및 전류원 (33) 으로 구성되어 있다.

도 3 의 구성과는 반대로, 전류원 (32) 은, 상기 접속점 (Tbrp1) 에 접속되어 있고, 전압 분압부 (31) 에 대해 전류 (I11) 를 흘려 넣고 있다.

또, 전류원 (33) 은, 전류원 (32) 이 접속되어 있는 접속점 (Tbrp1) 에 대해, 저항 (R31) 및 저항 (R32) 의 접속점에 대해 대칭적인 위치인 상기 접속점 (Tbrp2) 에 접속되어 있고, 전압 분압부 (31) 로부터 전류 (I12) 를 흘려내고 있다.

상기 서술한 구성에 의해, 전류 (I11) 및 전류 (I12) 의 전류값 (i11, i12) 이 동등하게 설정된 경우, 분압 저항으로서의 전압 분압부 (31) 에 있어서, 접속점 (Tbrp1) 에 대해 전류 (I11) 를 흘려 넣고, 접속점 (Tbrp2) 으로부터 전류 (I12) 를 흘려내는 구성이므로, 전압 (V21) 과 전압 (V22) 사이에 흐르는 전류 (I) 의 전류값이 변화되지는 않는다.

이 때문에, 전류 (I11 및 I12) 의 전류값 (i11, i12) 을 변화시킴으로써, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 저항 (R11) 및 저항 (R21) 각각의 단자간 전압과, 저항 (R22) 및 저항 (R12) 각각의 단자간 전압과, 레퍼런스 전압 (VREF) 을 변화시키지 않고, 접속점 (Tbop1), 접속점 (Tbrp1), 접속점 (Tbrp2), 접속점 (Tbop2) 의 각 전압을 변화시킬 수 있다. 도 11 은, 도 10 의 회로에 있어서의 전류값 (i11 및 i12) 의 조정에 의해, 검출 전압 (Vbop1), 해제 전압 (Vbrp1), 검출 전압 (Vbop2), 해제 전압 (Vbrp2) 의 제어 결과의 파형도로서, 가로축이 전류 (I11 및 I12) 의 전 류값을 나타내고, 세로축이 전압값을 나타내고 있다.

이 도 11 에 있어서, 접속점 (Tbop1) 으로부터 흘려내는 전류 (I12) 의 전류값 (i11) 및 접속점 (Tbop1) 으로부터 흘려 넣는 전류 (i11) 를 증가시킴에 따라, 검출 전압 (Vbop1) 및 해제 전압 (Vbrp1) 의 전위가 상승하고, 반대로 검출 전압 (Vbop2) 및 해제 전압 (Vbrp2) 의 전위가 저하된다. 이 때, 전압 (V21) 이 인가된 전압과 접속점 (Tbrp1) 에 흐르는 전류, 및 접속점 (Tbrp2) 과 전압 (V22) 이 인가된 단자에 흐르는 전류가 변화되지 않기 때문에, 도 3 의 구성과 동일하게 히스테리시스폭 「Vbop1-Vbrp1」 과 「Vbrp2-Vbop2」 는 일정하게 유지된다.

도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 의한 가변 분압 회로를 사용한 자기 센서 회로의 구성예를 나타내는 블록도.

도 2 는 도 1 에 있어서의 자기 센서 (1) 가 검출한 검출 자속 밀도 및 해제 자속 밀도와, 신호 처리 회로 (6) 의 출력의 대응을 나타내는 파형도.

도 3 은 도 1 에 있어서의 가변 분압 회로 (3) 의 구성예를 나타내는 블록도.

도 4 는 도 3 의 가변 분압 회로 (3) 의 동작을 나타내는 파형도.

도 5 는 도 3 의 가변 분압 회로 (3) 의 동작을 나타내는 파형도.

도 6 은 도 3 의 가변 분압 회로 (3) 의 동작을 나타내는 파형도.

도 7 은 전류원 (32) 및 전류원 (3) 의 구성예를 상세하게 나타낸 가변 분압 회로 (3) 의 회로도.

도 8 은 도 3 에 있어서의 전류원 (34) 의 구성예를 나타내는 회로도.

도 9 는 도 8 에 있어서의 저항 (Rb) 의 저항값 (rb) 을 변화시킨 경우의, 가변 분압 회로 (3) 의 출력을 나타낸 파형도.

도 10 은 도 1 에 있어서의 가변 분압 회로 (3) 의 다른 실시형태에 의한 구성예를 나타내는 블록도.

도 11 은 도 10 의 가변 분압 회로 (3) 의 동작을 나타내는 파형도.

도 12 는 종래예에 있어서의 가변 분압 회로의 구성예를 나타내는 블록도.

도 13 은 도 12 에 있어서의 가변 분압 회로의 동작을 나타내는 블록도.

도 14 는 도 12 에 있어서의 가변 분압 회로의 동작을 나타내는 블록도.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

1 : 자기 센서 2 : 증폭기

3 : 가변 분압 회로 4 : 콤퍼레이터

5 : 셀렉터 6 : 신호 처리 회로

Claims

가변 분압 회로로서, 상기 가변 분압 회로는,

직렬로 접속되는 복수의 저항들로 구성되는 저항렬을 포함하고, 상기 복수의 저항들의 접속점들에서 분압되는 분압 전압을 출력하고, 상기 저항렬의 일단은 제 1 전압이 인가되고 타단은 제 2 전압이 인가되는 전압 분압부로서, 상기 전압 분압부는, 자기 센서의 검출 자속 밀도 및 해제 자속 밀도를 나타내는 복수의 임계 전압을 출력하고, 상기 임계 전압은, 제 1 검출 전압 > 제 1 해제 전압 > 기준 전압 > 제 2 해제 전압 > 제 2 검출 전압의 관계를 갖는, 상기 제 1 검출 전압, 상기 제 1 해제 전압, 상기 기준 전압, 상기 제 2 검출 전압, 및 상기 제 2 해제 전압을 포함하는, 상기 전압 분압부;

상기 저항렬의 제 1 접속점에 접속되는 제 1 정전류원; 및

상기 저항렬에서 상기 저항렬의 중앙에 대해 상기 제 1 접속점과 대칭인 위치에 있는 제 2 접속점에 접속되는 제 2 정전류원을 포함하고,

상기 제 1 전압 및 상기 제 2 전압 간의 전압 차에 따라, 상기 제 1 정전류원 및 상기 제 2 정전류원 중, 일방이 상기 저항렬을 통해 흐르는 전류로부터 제 1 조정 전류를 빼고, 타방이 제 2 조정 전류를 상기 저항렬로 흘려 넣고,

상기 제 1 전압 및 상기 제 2 전압 간의 상기 전압 차의 변화에 대응하여, 상기 제 1 정전류원 및 상기 제 2 정전류원은, 상기 제 1 검출 전압과 상기 제 1 해제 전압 간의 차 및 상기 제 2 검출 전압과 상기 제 2 해제 전압 간의 차의 히스테리시스 폭이 일정한 전위차로 유지되도록, 상기 제 1 조정 전류 및 상기 제 2 조정 전류를 조정하는, 가변 분압 회로.
제 1 항에 있어서,

상기 제 1 조정 전류 및 상기 제 2 조정 전류가 동일한 전류값을 갖고,

상기 제 1 전압의 변화 및 상기 제 2 전압의 변화에 대응하여, 상기 제 1 정전류원 및 제 2 정전류원은, 상기 제 1 접속점과 제 1 단자 간 전압 및 상기 제 2 접속점과 제 2 단자 간 전압을 변화시키지 않는 전류 값으로, 각각 상기 제 1 조정 전류 및 상기 제 2 조정 전류를 제어하는, 가변 분압 회로.
제 1 항에 있어서,

상기 전압 분압부에 포함되는 상기 복수의 저항들은, 직렬로 접속되는 제 1 저항, 제 2 저항, 제 3 저항, 제 4 저항, 제 5 저항, 및 제 6 저항을 포함하고,

상기 제 1 저항의 일단에는 상기 제 1 전압이 인가되고, 상기 제 6 저항의 타단에는 상기 제 2 전압이 인가되고, 그리고

상기 제 2 저항의 저항 값은 상기 제 1 저항에 비해 작게 설정되고, 상기 제 5 저항의 저항 값은 상기 제 6 저항에 비해 작게 설정되는, 가변 분압 회로.
제 1 항에 있어서,

상기 제 1 정전류원 및 상기 제 2 정전류원은 각각, 제 3 정전류원에 의해 생성되는 동일한 정전류를 사용하는 커런트 미러 회로로 구성되는, 가변 분압 회로.
가변 분압 회로로서, 상기 가변 분압 회로는,

직렬로 접속되는 복수의 저항들로 구성되는 저항렬을 포함하고, 상기 복수의 저항들의 접속점들에서 분압되는 분압 전압을 출력하고, 상기 저항렬의 일단은 제 1 전압이 인가되고 타단은 제 2 전압이 인가되는 전압 분압부;

상기 저항렬의 제 1 접속점에 접속되는 제 1 정전류원; 및

상기 저항렬에서 상기 저항렬의 중앙에 대해 상기 제 1 접속점과 대칭인 위치에 있는 제 2 접속점에 접속되는 제 2 정전류원을 포함하고,

상기 제 1 전압 및 상기 제 2 전압 간의 전압 차에 따라, 상기 제 1 정전류원 및 상기 제 2 정전류원 중, 어느 일방이 상기 저항렬을 통해 흐르는 전류로부터 제 1 조정 전류를 빼고, 타방이 제 2 조정 전류를 상기 저항렬로 흘려 넣고,

상기 제 1 정전류원 및 상기 제 2 정전류원은 각각, 제 3 정전류원에 의해 생성되는 동일한 정전류를 사용하는 커런트 미러 회로로 구성되고, 그리고

상기 제 3 정전류원은,

기준 전류를 생성하는 기준 전류 생성부,

상기 기준 전류를 흘려 넣고, 가변인 저항값을 갖는 가변 저항,

상기 가변 저항에 발생되는 전압이 인가되는 비반전 입력 단자, 및 다른 저항을 통해 전원과 접속되는 반전 입력 단자를 포함하는 연산 증폭기, 및

소스, 드레인, 및 게이트를 포함하는 MOS 트랜지스터로서, 상기 소스 및 드레인의 어느 일방이 상기 연산 증폭기의 상기 반전 입력 단자에 접속되고, 상기 게이트는 상기 연산 증폭기의 출력 단자에 접속되고, 상기 소스 및 드레인의 타방으로부터 상기 조정 전류를 출력하는, 상기 MOS 트랜지스터를 포함하는, 가변 분압 회로.
자기 센서 회로로서, 상기 자기 센서 회로는,

제 1 항의 가변 분압 회로;

선택 신호에 대응하여, 상기 가변 분압 회로의 접속점들 중 어느 하나로부터의 분압 전압을 출력하는 셀렉터; 및

상기 자기 센서의 검출 전압이 입력되는 일방의 단자, 및 상기 셀렉터로부터의 분압 전압 출력이 입력되는 타방의 단자를 갖는 연산 증폭기를 포함하는, 자기 센서 회로.