JP2020101572A - 電流検出回路 - Google Patents
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Abstract
Description
従来の電流検出回路200は、電流流入端子203と、基準端子202と、電流測定抵抗241と、電流検出部251とを備えている。
電流流入端子203と基準端子202は、電流測定抵抗241を介して接続され、さらに、電圧入力端子204と基準端子電圧入力端子206にそれぞれ接続されている。
電流流入端子203から電流測定抵抗241を介して基準端子202へ測定電流が流れることにより、電流測定抵抗241の一端に発生した電圧が電圧入力端子204に入力され、この入力電圧と基準電圧Vrefとが電圧比較回路261で比較される。
図1は、本実施形態の電流検出回路100を示す回路図である。
本実施形態の電流検出回路100は、電源端子101と、GND端子102と、測定電流入力端子103と、電流測定抵抗接続端子104と、出力端子105と、PMOSトランジスタ113と、NMOSトランジスタ123及び124と、電流測定抵抗141と、基準電圧回路10とで構成されている。PMOSトランジスタ113とNMOSトランジスタ123は、比較出力回路を構成する。
基準電圧回路10は、PMOSトランジスタ111及び112と、NMOSトランジスタ121及び122と、抵抗131及び132とを備えて構成されている。
基準電圧VREFが抵抗132にかかることで流れる電流は、PMOSトランジスタ112を介してPMOSトランジスタ113のドレイン電流にコピーされる。
また、抵抗132の抵抗値は、PMOSトランジスタ112とPMOSトランジスタ111のミラー比に応じて変更すれば良い。
101 電源端子
102 GND端子
103 測定電流入力端子
104 電流測定抵抗接続端子
105 出力端子
111、112、113 PMOSトランジス
121、124 NMOSトランジスタ
122、123 低しきい値NMOSトランジスタ
131、132 抵抗素子
141 電流測定抵抗
Claims (2)
- 電源端子と、
GND端子と、
測定電流入力端子と、
出力端子と、
ゲートが第2のPMOSトランジスタのドレインに共通接続され、ソースが前記電源端子に共通接続された第1乃至第3のPMOSトランジスタと、
ゲートが前記第1のPMOSトランジスタのドレインに接続され、ソースが前記GND端子に接続された第1のNMOSトランジスタと、
一端が前記第1のPMOSトランジスタのドレインに接続され、他端が前記第1のNMOSトランジスタのドレインに接続された第1の抵抗と、
ドレインが前記第2のPMOSトランジスタのドレインに接続され、ゲートが前記第1のNMOSトランジスタのドレインに接続され、前記第1のNMOSトランジスタのしきい値電圧よりも低いしきい値電圧を有する第2のNMOSトランジスタと、
前記第2のNMOSトランジスタのソースと前記GND端子との間に接続された第2の抵抗と、
ドレインが前記出力端子及び前記第3のPMOSトランジスタのドレインに接続され、ゲートが前記第2のNMOSトランジスタのゲートに接続され、前記第2のNMOSトランジスタのしきい値電圧と同じしきい値電圧を有する第3のNMOSトランジスタと、
一端が前記測定電流入力端子及び前記第3のNMOSトランジスタのソースに接続され、他端が前記GND端子に接続された電流測定抵抗と、
を備えることを特徴とする電流検出回路。 - 前記第2の抵抗の抵抗値は、前記第1の抵抗よりも低い抵抗値である
ことを特徴とする請求項1に記載の電流検出回路。
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