JP6506592B2 - センサ装置 - Google Patents
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Description
本実施例を適用することで、オペアンプ1つと抵抗2つという、小規模な回路で水素センサFETのVth変化を検出することができる。また、センサFET1のVds電圧は、センサFET1のVth変化に関係なく一定に保たれるので、Vth変化が大きくなってもセンサFET1は飽和領域で動作しつづけ、非特許文献2の回路のようにVthの変化量によって精度が悪化することはない。これにより、より高い水素濃度まで検出することが可能である。
2・・・参照FET
3・・・オペアンプ
4、5、7、13、14、26、27・・・抵抗
6・・・信号処理回路
8・・・オペアンプ
11、12、21、22、23、24、25・・・FET
102、111・・・センサFETドレイン端子
103・・・参照FETゲート及びドレイン端子
104、113・・・センサFETゲート端子
105、112・・・センサFET及び参照FETソース端子
127・・・オペアンプ8の電源端子
128・・・オペアンプ8のグラウンド端子
129・・・オペアンプ8の出力端子
130・・・オペアンプ8の反転入力端子
131・・・オペアンプ8の非反転入力端子
Claims (8)
- 検出対象の物理量の変化によってしきい値電圧が変化するセンサFETと、
検出対象の物理量が変化によってしきい値電圧が変化しない参照FETと、を有し、
前記センサFETと前記参照FETのドレイン電圧が等しくなり、かつ、前記センサFETのドレイン電流と前記参照FETのドレイン電流が等しくなるように前記センサFETのゲートとソース間の電圧を制御し、
前記センサFETの検出対象の物理量変化によるしきい値電圧の変化を前記参照FETのゲート電圧と前記センサFETのゲート電圧との差として出力することを特徴とするセンサ装置。 - 請求項1に記載のセンサ装置において、
前記参照FETのドレイン端子は、第1の抵抗の第1の端子に接続され、
前記参照FETのドレイン電圧は、前記第1の抵抗の抵抗値と前記参照FETのドレイン電圧に対するドレイン電流特性によって決まることを特徴とするセンサ装置。 - 請求項2に記載のセンサ装置において、
前記第1の抵抗の第2の端子と第2の抵抗の第2の端子とが接続される電源と、
前記第1の抵抗の第1の端子が反転入力端子に接続され、前記第2の抵抗の第1の端子が非反転入力端子に接続されるオペアンプと、を有し、
前記第2の抵抗の第1の端子は、前記センサFETのドレイン端子に接続され、
前記オペアンプの出力端子は、前記センサFETのゲート端子に接続されることを特徴とするセンサ装置。 - 請求項3に記載のセンサ装置において、
前記参照FETのゲート端子はドレイン端子に接続されていることを特徴とするセンサ装置。 - 請求項3に記載のセンサ装置において、
前記参照FETのゲート端子には定電圧が入力されていることを特徴とするセンサ装置。 - 検出対象の物理量の変化によってしきい値電圧が変化するセンサFETと、
検出対象の物理量が変化によってしきい値電圧が変化しない参照FETと、を有し、
前記センサFETのゲート端子は、定電圧が入力され、
前記参照FETのゲート端子は、ドレイン端子に短絡され、
前記センサFETのドレイン電流と等しい電流が前記参照FETのドレイン端子に印加され、
前記センサFETの検出対象の物理量変化によるしきい値電圧の変化を前記参照FETのゲート電圧と前記センサFETのゲート電圧との差として出力することを特徴とするセンサ装置。 - 検出対象の物理量の変化によってしきい値電圧が変化するセンサFETと、
検出対象の物理量が変化によってしきい値電圧が変化しない参照FETと、を有し、
前記センサFETと前記参照FETを入力差動対のFETとしてオペアンプを構成し、
前記オペアンプの出力端子は、前記オペアンプの反転入力に接続され、
前記センサFETの検出対象の物理量変化によるしきい値電圧の変化を前記オペアンプの出力端子と前記オペアンプの非反転入力端子の電圧差として出力することを特徴とするセンサ装置。 - 請求項1または6または7のいずれかに記載のセンサ装置において、
前記センサFETと前記参照FETとは素子特性が同一であることを特徴とするセンサ装置。
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