JPWO2021085475A5 - - Google Patents

Description

非特許文献１は一例であり、抵抗の両端の電圧降下等を検出した値等に基づき抵抗を流れる電流をセンシングする電流センサは一般的に用いられている。このような電流センサでは、電流が流れたときの電圧降下および損失を抑制するため低い抵抗を用いる。しかし、抵抗が低い場合電圧降下の値が小さくなり、検出精度を高くしづらい。また、特許文献１では、測定レンジを切り替えるためのＦＥＴのゲートに印加される電圧を切り替える回路を用いるため、電流センサを小型化しにくい。

図２０（ａ）は、実施例３におけるトランジスタの接続例を示す回路図、図２０（ｂ）は、電圧に対する電流を示す模式図である。図２０（ａ）に示すように、トランジスタ５４のソース端子Ｓがグランドに接続され、ドレイン端子Ｄが端子Ｔ１に接続されている。電圧供給回路からボディ端子Ｂに一定の電圧Ｖｂが印加されている。電圧Ｖｂは例えば１Ｖである。電圧Ｖｂの好ましい電圧は、各領域４４～４８のドープ量に依存するが、例えば１Ｖ以上である。また、昇圧回路を設けないですむように、電圧Ｖｂは電流センサが用いられる電源電圧以下が好ましい。すなわち電圧供給回路は電源電圧から電圧Ｖｂを抵抗分圧等で生成する。端子Ｔ１に印加される電圧をＶｉｎとし、端子Ｔ１からグランドに流れる電流をＩｉｎとする。

実施例１、２およびその変形例に用いる素子または回路は、図１（ｃ）の素子１０のように、電流Ｉｉｎの絶対値が範囲５２より低い範囲５０のとき外部から制御されることなく高抵抗状態となり、電流Ｉｉｎの絶対値が範囲５２のとき外部から制御されることなく低抵抗状態となる２端子素子でもよい。２端子素子を用いることで抵抗状態を切り替えるための回路を用いなくてもよい。これにより、回路規模の小さい電流センサを実現できる。