JP5494396B2 - バイオセンサ - Google Patents
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Description
本発明の一実施形態に係るバイオセンサ100及びバイオセンサ200においては、図3に示されているように、トランジスタ選別用電極180を有する。FETセンサ100aの第1のゲート電極111aが、トランジスタ選別用電極180として用いられ、参照電極117と選択的にFETセンサ100a、200aに接続される。この構成により、被測定物191の特性測定を行う前に、トランジスタ選別用電極180を用いて、差動対を構成するFETセンサ100a、200a及びFET100b、200bとして用いるトランジスタの特性を測定し、バイオセンサによるセンシングの事前にトランジスタの選別を行うことができる。これにより、バラつきのないトランジスタにより差動対が構成されたバイオセンサを用いて、高精度の測定を行うことができる。
これにより、FETセンサ100a、200aにより出力された電圧信号をさらに増幅することが可能となり、より信号の変化が確認しやすくなる。
100a FETセンサ
100b FET
101 基材
111a 第1のゲート電極
111b 第2のゲート電極
113a 第1のドレイン電極
113b 第2のドレイン電極
115a 第1のソース電極
115b 第2のソース電極
117 参照電極
131a 第1の半導体膜
131b 第2の半導体膜
141 第1の絶縁膜
151 第2の絶縁膜
161 隔壁
180 トランジスタ選別用電極
191 被測定物
200 バイオセンサ
200a FETセンサ
200b FET
Claims (9)
- 基材上のFETセンサ及びFETから成る差動対により構成されたバイオセンサであって、
前記FETセンサは、
前記基材上に配置された第1のソース電極及び第1のドレイン電極と、
前記第1のソース電極および前記第1のドレイン電極にオーミック接触して前記基材上に配置された第1の半導体膜と、
前記第1の半導体膜上に配置された第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に配置された第1のゲート電極と、
前記第1の半導体膜と前記第1のゲート電極との重畳部分に配置され、被測定物が配置される第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜の上部に配置される前記被測定物の周囲に配置される隔壁と、
を備え、
前記FETは、
前記基材上に配置された第2のソース電極及び第2のドレイン電極と、
前記第2のソース電極および前記第2のドレイン電極にオーミック接触して前記基材上に配置された第2の半導体膜と、
前記第2の半導体膜上に配置された第2のゲート電極と、
を備え、
前記第1のソース電極と前記第2のドレイン電極とは接続され、前記第1のゲート電極と前記FETセンサの特性測定を行うトランジスタ測定用電極とが配線を介して接続される
ことを特徴とするバイオセンサ。 - 基材上のFETセンサ及びFETから成る差動対により構成されたバイオセンサであって、
前記FETセンサは、
前記基材上の第1のゲート電極と、
前記第1のゲート電極上に第1の絶縁膜を介して配置される第1の半導体膜と、
前記第1の半導体膜にオーミック接触して配置された第1のソース電極及び第1のドレイン電極と、
前記第1のゲート電極と前記第1の半導体膜の重畳部分に配置され、被測定物が配置される第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜の上部に配置される前記被測定物の周囲に配置される隔壁と、
を備え、
前記FETは、
前記基材上の第2のゲート電極と、
前記第2のゲート電極上に配置される第2の半導体膜と、
前記第2の半導体膜にオーミック接触して配置された第2のソース電極及び第2のドレイン電極と、
を備え、
前記第1のソース電極と前記第2のドレイン電極とは接続され、
前記第1のゲート電極は、前記バイオセンサによる前記被測定物の測定を行うセンシングの前には前記FETセンサの特性測定を行い、前記センシングを行う際にはフローティング状態となるトランジスタ測定用電極とが配線を介して接続される
ことを特徴とするバイオセンサ。 - 前記FETセンサは、前記第1のソース電極及び前記第1のドレイン電極と絶縁され、かつ、前記被測定物に可変電圧を印加する参照電極を備えることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載のバイオセンサ。
- 前記FETセンサにより測定される電圧の変化を増幅するカレントミラー回路及び差動増幅回路を備えることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のバイオセンサ。
- 前記FETセンサにより測定される電圧の変化を増幅する増幅段を備えることを特徴とする請求項4に記載のバイオセンサ。
- 前記第1の半導体膜、前記第2の半導体膜、前記第1のソース電極、前記第1のドレイン電極及び前記第1のゲート電極のうち1つ以上が透明であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のバイオセンサ。
- 前記第2の絶縁膜上に親水性を有する親水性領域を設けたことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のバイオセンサ。
- 前記第2の絶縁膜は、イオン感応膜であることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のバイオセンサ。
- 請求項1から8のいずれかに記載のバイオセンサと、
前記請求項1から8のいずれかに記載のバイオセンサと電気的に接続される前記FETセンサ及び前記FETの特性測定用の測定装置と、
前記請求項1から8のいずれかに記載のバイオセンサと電気的に接続される被測定物測定用の測定装置と
を備えることを特徴とするバイオセンサ装置。
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