JP5392344B2 - 電界効果トランジスタ型バイオセンサ - Google Patents
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Description
しかしながら、特許文献1に記載のバイオセンサは、不透明なベース基材及びソースまたはドレインの各電極などによってイオン感応膜に配置された被検査流体内に含まれる生体関連物質を高倍率で観察することができない。
はじめに、図1及び図2を用いて本発明に係るISFETバイオセンサの第1実施形態について説明する。
次に、図1を用いて本実施形態のISFETバイオセンサにおける構成について説明する。なお、図1は、本実施形態のISFETバイオセンサの断面図である。
次に、図2を用いて本実施形態におけるISFETバイオセンサの動作原理について説明する。なお、図2は、本実施形態におけるISFETバイオセンサの動作原理を説明するための図である。
以上、本実施形態のISFETバイオセンサは、被検査流体100の上部(基材10側と反対側)から光を照射して当該感応膜50に配置された生体関連物質200を、基材10側から顕微鏡その他の光学観察機器によって観察することができるので、被検査流体100の上部から感応膜50に配置された生体関連物質200を観察する場合に比べて、当該生体関連物質200における観察を高倍率に行うことができるとともに、生体関連物質200の電気的特性の検出と当該生体関連物質200における高倍率の観察とを両立させることができる。
次に、図3及び図4を用いて本発明に係るISFETバイオセンサの第2実施形態について説明する。
まず、図3を用いて本実施形態のISFETバイオセンサの構成について説明する。なお、図3は、本実施形態のISFETバイオセンサの断面図である。
次に、図4を用いて本実施形態におけるISFETバイオセンサの動作原理について説明する。なお、図4は、本実施形態におけるISFETバイオセンサの動作原理を説明するための図である。
以上本実施形態のISFETバイオセンサは、第1実施形態の効果に加えて、被検査流体100を感応膜50上に滞留させた後に参照電極を被検査流体100に挿入することなく、当該被検査流体100を感応膜50上に滞留させれば、透明参照電極400によって参照電圧を被検査流体100に印加することができるので、検査プロセスを簡易にすることができる。
次に、図5を用いて本発明に係るISFETバイオセンサの第3実施形態について説明する。
まず、図5を用いて本実施形態のISFETバイオセンサの構成について説明する。なお、図5は、本実施形態のISFETバイオセンサの断面図である。
以上本実施形態のISFETバイオセンサは、被検査流体100を感応膜50に対流させるための隔壁60その他の部材が不要とすることができるので、隔壁60を設けなくても被検査流体100を感応膜50上に滞留させることができるとともに、当該バイオセンサの製造プロセスを簡易することができる。
なお、本実施形態においては、第1実施形態のように被検査流体100に参照電極を挿入して、参照電圧を被検査流体100に印加してもよいし、第2実施形態のように、参照電極が前記ソース電極30a及びドレイン電極30bと絶縁されつつ、前記感応膜50に隣接して設けられていてもよい。この場合には、参照電極上においても、親水性を有するように形成するとともに、参照電極に隣接した領域を疎水性を有するように形成すればよい。ただし、参照電極上の一部が疎水性を有していてもよい。
次に、図6を用いて本発明に係るISFETバイオセンサの第4実施形態について説明する。
まず、図6を用いて本実施形態のISFETバイオセンサの構成について説明する。なお、図6は、本実施形態のISFETバイオセンサの断面図である。
以上本実施形態のISFETバイオセンサは、細胞接着性領域55に生体関連物質200を結集させて細胞接着阻害性領域56に生体関連物質200を存在させないことによって、電気的特性を検出する際に、細胞接着性領域55以外に存在する生体関連物質200の影響を排除することができるとともに、細胞接着性領域55に接着された生体関連物質200における電気的特性を的確に検出することができる。
なお、本実施形態においては、第1実施形態のように被検査流体100に参照電極を挿入して、参照電圧を被検査流体100に印加してもよいし、第2実施形態のように、参照電極がソース電極30a及びドレイン電極30bと絶縁されつつ、感応膜50に隣接して設けられていてもよい。この場合には、的確に生体関連物質200の電気的特性を検出するために、参照電極上には細胞接着阻害性領域56が形成されるようになっている。
次に、図7を用いて本発明に係るISFETバイオセンサの第5実施形態について説明する。
次に、図7を用いて本実施形態のISFETバイオセンサにおける構成について説明する。なお、図7は、本実施形態のISFETバイオセンサの断面図である。
本実施形態のISFETバイオセンサは、第1実施形態と同様に、被検査流体100の上部(基材10側と反対側)から光を照射して当該感応膜50に配置された生体関連物質200を、基材10側から顕微鏡その他の光学観察機器によって観察することができるので、被検査流体100の上部から感応膜50に配置された生体関連物質200を観察する場合には比べて、当該生体関連物質200における観察を高倍率に行うことができるとともに、生体関連物質200の電気的特性の検出と当該生体関連物質200における高倍率の観察とを両立させることができる。
なお、本実施形態においては、第1実施形態のように被検査流体100に参照電極を挿入して、参照電圧を被検査流体100に印加してもよいし、第2実施形態のように、参照電極がソース電極30a及びドレイン電極30bと絶縁されつつ、感応膜50に隣接して設けられていてもよい。
20 … 半導体膜
30a … ソース電極
30b … ドレイン電極
31a … ソース側拡散領域
31b … ドレイン側拡散領域
40 … 絶縁膜
50 … 感応膜
51 … 配置領域
52 … 親水性領域
53 … 疎水性領域
55 … 細胞接着性領域
56 … 細胞接着阻害性領域
60 … 隔壁
100 … 被検査流体
200 … 生体関連物質
300、400 … 参照電極
Claims (8)
- 透明基材と、
前記透明基材上に積層された透明な半導体膜と、
前記半導体膜の両端に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記半導体膜上に絶縁膜を介して積層され、上面に被検査流体内に含まれる生体関連物質が配置される感応膜と、を備え、
前記半導体膜が、InMZnO(MはGa,Al,Feのうち少なくとも1種)を主成分とするアモルファス酸化物、ZnOを主成分とする酸化物、インジウム錫オキサイド、インジウム亜鉛オキサイド、または、酸化マグネシウムから形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ型バイオセンサ。 - 前記生体関連物質が配置される前記感応膜の上面であって少なくとも前記半導体膜のチャネル上に形成される親水性を有する第1領域と、前記第1領域における積層方向とは垂直となる水平方向に隣接して形成された疎水性を有する第2領域と、
を更に備える、請求項1に記載の電界効果トランジスタ型バイオセンサ。 - 前記生体関連物質が配置される前記感応膜の上面であって少なくとも前記半導体膜のチャネル上に形成される細胞接着性の特性を有する第1領域と、前記第1領域における積層方向とは垂直となる水平方向に隣接して形成されるとともに、炭素酸素結合を有する有機化合物を含む親水性膜によって形成された細胞接着阻害性の特性を有する第2領域とを更に備える、請求項1に記載の電界効果トランジスタ型バイオセンサ。
- 前記ソース電極及びドレイン電極と絶縁されつつ、前記感応膜に隣接して設けられ、前記被検査流体に可変電圧を印加するための参照電極を更に有し、
前記参照電極が透明電極である、請求項1〜3の何れか一項に記載の電界効果トランジスタ型バイオセンサ。 - 前記透明半導体膜が、透明な酸化物半導体によって形成されている、請求項1〜4の何れか一項に記載の電界効果トランジスタ型バイオセンサ。
- 前記ソース電極及び前記ドレイン電極が、透明電極によって形成されている、請求項1〜5の何れか一項に記載の電界効果トランジスタ型バイオセンサ。
- 前記基材が、ガラス、PENまたはPETの何れかによって形成されている、請求項1〜6の何れか一項に記載の電界効果トランジスタ型バイオセンサ。
- 少なくとも感応膜における前記生体関連物質が配置される配置領域の周囲に被検査流体を当該配置領域に滞留させるための隔壁を更に備える、請求項1または3に記載の電界効果トランジスタ型バイオセンサ。
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