KR101232900B1 - 화학기상 증착장치 및 화학기상 증착장치의 세정방법 - Google Patents

화학기상 증착장치 및 화학기상 증착장치의 세정방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101232900B1
KR101232900B1 KR1020100124984A KR20100124984A KR101232900B1 KR 101232900 B1 KR101232900 B1 KR 101232900B1 KR 1020100124984 A KR1020100124984 A KR 1020100124984A KR 20100124984 A KR20100124984 A KR 20100124984A KR 101232900 B1 KR101232900 B1 KR 101232900B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lead
chamber
chemical vapor
vapor deposition
lid
Prior art date
Application number
KR1020100124984A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120063834A (ko
Inventor
이창엽
Original Assignee
엘아이지에이디피 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘아이지에이디피 주식회사 filed Critical 엘아이지에이디피 주식회사
Priority to KR1020100124984A priority Critical patent/KR101232900B1/ko
Publication of KR20120063834A publication Critical patent/KR20120063834A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101232900B1 publication Critical patent/KR101232900B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45589—Movable means, e.g. fans
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles

Abstract

글로브박스 내부에 배치되어 증착공정을 수행하는 샤워헤드를 간편하게 세정, 또는 정비하도록 한 화학기상 증착장치 및 이를 이용한 화학기상 증착방법이 개시된다.
본 발명에 따른 화학기상 증착장치는 글로브(glove)가 설치되는 글로브박스(glove box)와, 상기 글로브박스의 내부에 배치되어 일단이 개방되는 챔버(chamber)와, 상기 챔버의 내부에 배치되어 기판을 지지하는 서셉터(susceptor)와, 상기 챔버의 내부를 향한 일면에 샤워헤드(showerhead)가 설치되어 상기 챔버의 일단부에 결합되는 리드(lid)와, 상기 리드의 이면을 지지하며, 상기 샤워헤드가 상기 글로브에 대향되도록 상기 리드의 자세를 변경시키고, 자세가 변경된 상기 리드를 상기 글로브를 향해 이송하는 리드구동부를 포함한다.

Description

화학기상 증착장치 및 화학기상 증착장치의 세정방법{Apparatus for chemical vapor deposition and cleaning method of chemical vapor deposition}
본 발명은 화학기상 증착장치 및 이를 이용한 화학기상 증착방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 Ⅲ-V족 재료를 이용하여 기판 상에 결정층을 형성하는 데 사용되는 화학기상 증착장치 및 이를 이용한 화학기상 증착방법에 관한 것이다.
질화물 재료는 발광소자를 제조하기 위한 재료로 가장 잘 알려진 것이다. 질화물 재료를 이용한 발광소자의 적층구조는 일반적으로 사파이어와 같은 기판 상에 GaN 결정으로 이루어지는 버퍼층과, n형 GaN 결정으로 이루어지는 n형 도핑층과, InGaN 으로 이루어지는 활성층과, p형 GaN 결정으로 이루어지는 p형 도핑층이 순차적으로 적층된 구조로 되어 있다. 이러한 각 결정층은 화학기상 증착장치에서 차례로 적층된다.
일반적으로, 화학기상 증착장치는 글로브가 설치되는 글로브박스, 글로브박스의 내부에 배치되는 챔버, 챔버의 내부로 공정가스를 분사는 샤워헤드, 챔버의 내부에 배치되어 기판을 지지하는 서셉터를 포함한다.
글로브박스는 공정환경의 청정도를 유지하기 위해 대기로부터 차단되는 내부공간이 형성된다. 작업자는 글로브박스의 외측에 배치되어 증착공정을 관찰하거나, 글로브박스에 설치되는 글로브에 손을 넣어 증착공정에 참여하게 된다.
챔버는 기판의 반입 및 반출을 위해 리드에 의해 개폐되도록 설치된다. 즉, 챔버의 상단은 개방되고, 리드는 챔버의 상단에 설치되는 회동축에 구속되어 상, 하로 회동되도록 설치된다. 그리고 샤워헤드는 챔버의 내부를 향하는 리드의 일면에 설치된다.
이러한 화학기상 증착장치를 이용하여 증착공정을 수행하다보면, 샤워헤드의 표면에는 이물질이 묻어 오염되거나 샤워헤드의 토출구가 막히게 되는데, 이는 증착공정의 불량요인으로 작용할 수 있다. 따라서 작업자는 글로브에 손을 넣어 리드를 회동시켜 챔버를 개방하고, 샤워헤드를 세정, 또는 정비해야 한다.
하지만, 기판의 대형화에 따른 장비의 대형화가 진행되면서 글로브박스 내부의 리드는 작업자의 작업반경을 벗어나 위치하며, 샤워헤드는 제대로 세정, 또는 정비되지 못하는 문제점이 발생된다. 따라서, 샤워헤드를 제대로 세정, 및 정비하기 위해서는 글로브박스를 해체해야 하는 번거로움이 있다.
본 발명의 목적은 글로브박스 내부에 배치되어 증착공정을 수행하는 샤워헤드를 간편하게 세정, 또는 정비하도록 한 화학기상 증착장치 및 이를 이용한 화학기상 증착방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 화학기상 증착장치는 상단이 개방되는 챔버(chamber)와, 상기 챔버의 내부에 배치되어 기판을 지지하는 서셉터(susceptor)와, 상기 챔버의 내부를 향한 일면에 샤워헤드(showerhead)가 설치되어 상기 챔버의 상단부에 결합되는 리드(lid)와, 상기 리드의 이면을 지지하며, 상기 샤워헤드가 상기 챔버의 평면에 교차하도록 상기 리드의 자세를 변경시키고, 자세가 변경된 상기 리드를 선형이송하는 리드구동부를 포함한다.
상기 화학기상 증착장치는 글로브가 설치되며, 내부에 상기 챔버가 배치되는 글로브박스(glove box)를 더 포함하며, 상기 리드구동부는 글로브박스에 지지될 수 있다.
상기 리드구동부는 상기 리드의 이면을 지지하여 상기 리드의 평면방향으로 배치되는 제 1회전축을 기준으로 상기 리드를 회전시키는 제 1회전기와, 상기 제 1회전기를 지지하여 상기 리드를 승강시키는 승강기를 포함할 수 있다.
상기 리드구동부는 상기 승강기를 지지하여 상기 제 1회전축에 교차하는 방향으로 상기 리드를 선형이송하는 선형이송기를 더 포함하며, 상기 글로브는 상기 제 1회전축에 나란하게 배치되는 상기 글로브박스의 일측벽에 설치될 수 있다.
상기 리드구동부는 상기 승강기를 지지하여 상기 리드의 승강방향으로 배치되는 제 2회전축에 의해 상기 리드를 회전시키는 제 2회전기와, 상기 제 2회전기를 지지하여 상기 제 1회전축의 축방향으로 상기 리드를 선형이송하는 선형이송기를 더 포함하며, 상기 글로브는 상기 제 1회전축에 교차하는 방향으로 배치되는 상기 글로브박스의 타측벽에 설치될 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 화학기상 증착장치를 이용한 화학기상 증착방법은 상기 샤워헤드가 상기 챔버의 평면에 교차하도록 상기 리드의 자세를 변경시시켜 상기 샤워헤드를 검사할 수 있다.
상기 화학기상 증착방법은 상기 기판이 상기 챔버로 반입되기 전, 또는 상기 기판이 상기 챔버로부터 반출 된 후에 상기 샤워헤드를 검사할 수 있다.
상기 화학기상 증착방법은 상기 샤워헤드의 검사결과 상기 샤워헤드의 상태가 양호하면, 상기 샤워헤드를 검사하는 작업자의 반대 측으로 상기 리드를 선형이송할 수 있다.
상기 화학기상 증착방법은 상기 샤워헤드의 검사결과 상기 샤워헤드의 상태가 불량하면, 상기 샤워헤드를 검사하는 작업자 측으로 상기 리드를 선형이송할 수 있다.
상기 챔버는 글로브가 설치되는 글로브박스의 내부에 배치되며, 상기 화학기상 증착방법은 상기 샤워헤드의 검사결과 상기 샤워헤드의 상태가 불량하면, 상기 작업자가 상기 글로브에 손을 넣어 상기 샤워헤드에 대한 세정 또는, 정비를 수행할 수 있다.
본 발명에 따른 화학기상 증착장치 및 이를 이용한 화학기상 증착방법은 글로브박스를 해체하지 않고 샤워헤드를 간편하게 세정, 또는 정비할 수 있으므로, 샤워헤드의 세정, 또는 정비에 소요되는 시간을 단축할 수 있으며, 전체 공정시간이 단축되어 생선효율이 향상되는 효과가 있다.
도 1은 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치 중 글로브박스의 내부를 나타낸 사시도이다.
도 3은 본 실시에에 따른 화학기상 증착장치의 리드구동부를 나타낸 분해사시도이다.
도 4 는 본 실시에에 따른 화학기상 증착방법을 나타낸 순서도이다.
도 5 내지 도 8은 본 실시에에 따른 화학기상 증착장치의 동작을 나타낸 작동도이다.
도 9는 다른 실시예에 따른 화학기상 증착장치를 나타낸 사시도이다.
도 10은 다른 실시예에 따른 화학기상 증착장치 리드구동부를 나타낸 분해사시도이다.
이하, 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치를 나타낸 사시도이며, 도 2는 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치 중 글로브박스의 내부를 나타낸 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 화학기상 증착장치(100)는 글로브박스(110)를 포함한다. 글로브박스(110)는 외부로부터 차단되는 내부 공간이 형성된다. 이러한 글로브박스(110)의 일측벽(112)에는 작업자가 글로브박스(110) 내부에 배치되는 장치들을 조작할 수 있도록 하는 글로브(111)가 설치된다.
도시되지 않았지만, 글로브박스(110)에는 기판의 출입을 위한 도어가 설치될 수 있으며, 글로브박스(110) 내부의 청정도를 유지하기 위하여 외부의 진공펌프에 연결되는 진공밸브가 설치될 수 있다.
글로브박스(110) 내부에는 챔버(120)가 배치된다. 챔버(120)는 기판의 출입이 가능하게 상단이 개방된다. 이러한 챔버(120)의 상단에는 리드(130)가 결합되는데, 리드(130)는 후술될 리드구동부(140)에 의해 챔버(120)를 개폐시킬 수 있게 설치된다. 리드구동부(140)에 대해서는 이후에서 도면을 참조하여 좀 더 상세하게 설명하도록 한다.
한편, 챔버(120)의 내부를 향한 리드(130)의 일면에는 챔버(120)의 내부로 공정가스를 공급하는 샤워헤드(150)가 설치된다. 도시되지 않았지만, 챔버(120)의 외부에는 공정가스를 공급하는 가스공급장치(미도시)와 가스공급장치(미도시)로부터 샤워헤드(150)에 연결되는 가스공급관(미도시)이 설치될 수 있다. 공정가스에는 기판의 증착막이 되는 유기물이 기화된 원료가스와 원료가스를 챔버(120)로 이송하기 위한 운반가스가 포함될 수 있다.
챔버(120)의 내부에는 기판을 지지하는 서셉터(160)가 배치된다. 서셉터(160)의 상부면에는 기판을 안정적으로 지지하기 위한 기판수용홈(161)이 형성된다. 기판수용홈(161)은 복수개의 기판을 함께 처리할 수 있도록 복수개로 형성될 수 있다.
도시되지 않았지만, 서셉터(160)에는 공정가스에 포함된 원료가스가 기판에 화학적으로 원활하게 반응되도록 서셉터를 가열함으로써 기판이 간접가열되도록 하는 가열장치가 내설될 수 있다. 또한, 서셉터(160)의 하부에는 서셉터를 회전시켜 복수개의 기판 상에 증착막이 균일한 두께로 증착될 수 있도록 서셉터를 회전시키는 회전장치가 설치될 수 있다.
도 3은 본 실시에에 따른 화학기상 증착장치의 리드구동부를 나타낸 분해사시도이다.
도 3을 참조하면, 리드구동부(140)는 챔버(120)의 상단에 배치된 리드(130)를 승강 및 회전시켜 샤워헤드(150)가 글로브를 향하도록 리드의 자세를 변경시키며, 자세가 변경된 리드(130)를 글로브(111)를 향해 선형이송시킨다. 이러한 리드구동부(140)는 회전기(141), 승강기(142) 및 선형이송기(143)를 포함한다.
회전기(141)는 리드(130)의 이면을 지지하며, 리드(130)의 평면방향으로 배치되는 회전축(141a)을 기준으로 리드(130)를 회전시킨다. 회전기(141)는 리드(130)의 이면에서 돌출되는 돌출부(131)에 내설되는 종동기어(141b), 회전축(141a)의 외주면에 형성되어 종동기어(141b)에 맞물리는 주동기어(141c) 및 회전축(141a)을 회전시키는 회전모터(141d)의 조합으로 구성될 수 있다.
승강기(142)는 회전기(141)를 지지하며, 회전기(141)를 챔버(120)에 대해 승강시킨다. 이러한 승강기(142)는 출력단이 회전기(141)에 결합되어 승강기(142)를 승강시키는 유압실린더, 또는 공압실린더를 사용할 수 있다.
선형이송기(143)는 승강기(142)를 지지하며, 승강기(142)를 선형이송한다. 이러한 선형이송기(143)는 글로브박스(110)의 상부에 설치되는 가이드레일(143a), 가이드레일(143a)와 나란하게 배치되는 볼 스크류(143b), 볼 스크류(143b)를 회전시키는 회전모터(143c) 및 승강기(142)를 지지하며 볼 스크류(143b)에 나사 결합되고 가이드레일(143a)를 따라 이송되는 지지블럭(143d)으로 구성될 수 있다. 도시되지 않았지만, 선형이송기(143)는 다른 실시예로 회전모터, 랙앤피니언의 조합, 전자석과 솔레노이드의 조합 등으로 변형 실시될 수 있다.
이때, 회전기(141)의 회전축(141a)은 리드가 회전됨에 따라 샤워헤드(150)가 글로브박스(110)의 일측벽(112)에 대향될 수 있도록 설치되며, 선형이송기(143)의 가이드레일(143a) 및 볼 스크류(143b)는 글로브박스(110)의 일측벽을 향해 리드(130)가 이송되도록 배치된다. 즉, 회전기(141)의 회전축(141a)은 글로브박스(110)의 일측벽과 나란한 방향으로 배치되며, 선형이송기(143)의 가이드레일(143a) 및 볼 스크류(143b)는 글로브박스(110)의 일측벽에 교차하는 방향으로 배치된다.
이하, 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치를 이용한 화학기상 증착방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
도 4 는 본 실시에에 따른 화학기상 증착방법을 나타낸 순서도이며, 도 5 내지 도 8은 본 실시에에 따른 화학기상 증착장치의 동작을 나타낸 작동도이다.
도 4 내지 도 8을 참조하면, 작업자는 글로브박스(110) 일측면의 외측에 배치되어 전반적인 증착공정을 관찰 또는, 참여한다. 이렇게 작업자가 배치되는 상태에서 리드구동부(140)는 리드(130)를 승강 및 회전시켜 챔버(120)를 개방한다.
즉, 승강기(142)는 리드(130)를 지지하는 회전기(141)를 상승시킨다. 승강기(142)에 의해 회전기(141)가 상승됨에 따라 승강기(142)에 지지되는 리드(130)는 승강기(142)와 함께 상승된다. 이때, 리드(130)는 회전기(141)에 의해 회전되더라도 챔버(120)에 간섭되지 않는 높이로 상승된다(단계;S111).
이어, 회전기(141)는 회전축(141a)을 중심으로 리드(130)를 회전시킨다. 리드(130)가 회전됨에 따라 샤워헤드(150)는 글로브(111)에 대향된다(단계;S112). 따라서, 글로브박스(110) 일측벽(112)의 외측에 배치되는 작업자는 샤워헤드(150)를 유안으로 검사할 수 있다(단계;S113).
이와 같이, 작업자는 기판이 반입되기 전, 샤워헤드(150)를 검사하여 샤워헤드(150)의 상태에 따라 증착공정의 진행 여부를 판단할 수 있다(단계;S114).
샤워헤드(150)의 상태가 양호할 경우, 선형이송기(143)는 리드(130)를 선형이송시켜 리드(130)를 챔버(120)의 상측으로부터 이탈시킨다. 이때, 작업자가 기판의 반입 과정을 유안으로 관찰하기 용이하도록 선형이송기(143)는 리드(130)를 글로브박스(110) 일측면의 반대방향으로 이송한다(단계;S115).
이와 같이 리드(130)가 챔버(120)의 상측으로부터 이탈되어 챔버(120)가 개방되면, 기판은 글로브박스(110)로 반입되고, 챔버(120)의 내부로 반입된다(단계;S116). 기판은 서셉터(160)의 기판수용홈(161)에 지지된다. 이때, 기판은 복수개가 함께 반입되어 서셉터(160)에 함께 지지될 수 있다.
이어, 리드구동부(140)는 리드(130)를 선형이송, 회전 및 하강시켜 챔버(120)를 밀폐시킨다. 즉, 선형이송기(143)는 리드(130)를 선형이송시켜 리드(130)를 챔버(120)의 상측에 위치시킨다. 회전기(141)는 리드(130)를 회전시켜 샤워헤드(150)가 챔버(120)를 향하도록 한다. 승강기(142)는 리드(130)를 하강시켜 리드(130)에 의해 챔버(120)가 밀폐되도록 한다(단계;S117).
이어, 가열장치(미도시)는 서셉터(160)를 가열하여 기판이 가열되도록 하며, 회전장치(미도시)는 서셉터(160)를 회전시킨다. 이와 함께, 가스공급장치(미도시)에 의해 공급되는 공정가스는 가스공급관(미도시)를 따라 샤워헤드(150)를 통해 챔버(120)의 내부로 분사된다. 공정가스가 챔버(120)의 내부로 분사됨에 따라 공정가스에 포함되는 기화된 유기물은 기판 상에서 화학적으로 반응하며, 기판 상에는 증착막이 증착된다(단계;S118).
이와 같이, 기판 상에 증착막이 증착되면, 리드구동부(140)는 기판의 반출을 위해 챔버(120)를 개방한다.
한편, 챔버(120)의 개방 동작 중 샤워헤드(150)의 검사결과, 샤워헤드(150)의 상태가 불량한 것으로 판단되면, 작업자는 증착공정을 중단시킬 수 있다. 즉, 샤워헤드(150)의 검사 결과 샤워헤드(150) 표면의 오염, 샤워헤드(150)의 토출구 폐쇄 등이 검출될 경우, 작업자는 기판의 반입을 정지시킬 수 있다.
이와 같이 작업자가 증착공정을 중단시킴에 따라, 선형이송기(143)는 리드(130)를 글로브박스(110)의 일측벽(112)을 향해 이송한다(단계;S121). 리드(130)가 글로브박스(110)의 일측벽(112)을 향해 이송됨에 따라 샤워헤드(150)는 글로브(111)에 근접한다. 작업자는 글로브(111)에 손을 넣고 세정도구, 또는 정비도구를 이용하여 샤워헤드(150)를 세정하거나 불량을 정비할 수 있다(단계;S122).
상술된 설명에서, 샤워헤드(150)의 검사, 샤워헤드(150)의 검사결과에 따른 샤워헤드(150)의 세정, 또는 정비를 기판의 반입 전에 실시하는 것으로 설명하고 있으나, 다른 실시예로 증착공정을 마치고, 기판을 반출 한 후에도 실시할 수 있다.
이와 같이 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치(100) 및 이를 이용한 화학기상 증착방법은 샤워헤드(150)를 글로브박스의 외측에 위치하는 작업자를 향해 이송함으로써, 작업자가 샤워헤드(150)를 정밀하게 검사하고, 간편하게 샤워헤드(150)를 세정, 또는 정비할 수 있는 편의를 제공한다.
한편, 글로브(111)는 글로브박스(110)의 일측벽(112)에 이웃하는 타측벽(113)에 설치될 수 있다.
이하, 다른 실시예에 따른 화학기상 증착장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
여기서, 다른 실시예에 따른 화학기상 증착장치(100)를 설명함에 있어서, 상술된 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치(100)와 유사한 구성요소에 대해서는 동일 참조부호를 부여하도록 하며, 상세한 설명은 생략하도록 한다. 따라서, 이하의 설명에서 참조부호가 부여되고 상세한 설명이 생략된 구성요소에 대해서는 상술된 설명을 참조하여 이해해야 할 것이다.
도 9는 다른 실시예에 따른 화학기상 증착장치를 나타낸 사시도이며, 도 10은 다른 실시예에 따른 화학기상 증착장치 중 리드구동부를 나타낸 분해사시도이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 리드구동부(140)는 제 1회전기(141), 승강기(142), 선형이송기(143) 및 제 2회전기(144)를 포함한다.
제 1회전기(141)는 리드(130)의 이면을 지지하며, 리드(130)의 평면방향으로 배치되는 제 1회전축(141a)을 기준으로 리드(130)를 회전시킨다. 승강기(142)는 제 1회전기(141)를 지지하며, 제 1회전기(141)를 챔버(120)에 대해 승강시킨다. 제 2회전기(144)는 승강기(142)를 지지하며, 리드(130)의 승강방향으로 배치되는 제 2회전축(미도시)에 의해 승강기(142)를 회전시킨다. 선형이송기(143)는 제 2회전기(144)를 지지하며, 제 2회전기(144)를 선형이송한다.
이때, 제 1회전축(141a)은 글로브박스(110)의 일측벽(112)과 나란한 방향으로 배치되고, 글로브(111)는 글로브박스(110)의 타측벽(113)에 설치될 수 있다. 따라서, 선형이송기(143)의 가이드레일(143a) 및 볼 스크류(143b)는 글로브박스(110)의 타측벽(113)을 향해 리드(130)가 이송되도록 배치되며, 제 2회전기(144)는 샤워헤드(150)가 글로브박스(110)의 타측벽(113)에 대향되도록 제 1회전기(141)에 의해 회전된 리드(130) 회전시킬 수 있다.
이러한 리드구동부(140)는 챔버(120)의 개방 동작에 있어서, 승강기(142)에 의한 리드(130)의 승강, 제 1회전축(141a)을 중심으로 하는 리드의 회전, 제 2회전축(141a)을 중심으로 하는 리드(130)의 회전 및 선형이송기(143)에 의한 선형이송을 조합하여 챔버(120)를 개방할 수 있다.
100 : 화학기상 증착장치 110 : 글로브박스
111 : 글로브 120 : 챔버
130 : 리드 140 : 리드구동부
141 : 회전기, 제 1회전기 142 : 승강기
143 : 선형이송기 144 : 제 2회전기
150 : 샤워헤드 160 : 서셉터

Claims (10)

  1. 글로브가 설치되는 글로브 박스의 내부에 배치되어 상단이 개방되는 챔버(chamber)와,
    상기 챔버의 내부에 배치되어 기판을 지지하는 서셉터(susceptor)와,
    상기 챔버의 내부를 향한 일면에 샤워헤드(showerhead)가 설치되어 상기 챔버의 상단부에 결합되는 리드(lid)와,
    상기 글로브 박스에 지지되어, 상기 리드의 이면을 지지하며, 상기 샤워헤드가 상기 챔버의 바닥면에 교차하도록 상기 리드의 자세를 변경시키고, 자세가 변경된 상기 리드를 선형이송하는 리드구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서, 상기 리드구동부는
    상기 리드의 이면을 지지하여 상기 리드의 평면방향으로 배치되는 제 1회전축을 기준으로 상기 리드를 회전시키는 제 1회전기와,
    상기 제 1회전기를 지지하여 상기 리드를 승강시키는 승강기를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 리드구동부는
    상기 승강기를 지지하여 상기 제 1회전축에 교차하는 방향으로 상기 리드를 선형이송하는 선형이송기를 더 포함하며,
    상기 글로브는 상기 제 1회전축에 나란하게 배치되는 상기 글로브박스의 일측벽에 설치되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  5. 제 3항에 있어서, 상기 리드구동부는
    상기 승강기를 지지하여 상기 리드의 승강방향으로 배치되는 제 2회전축에 의해 상기 리드를 회전시키는 제 2회전기와,
    상기 제 2회전기를 지지하여 상기 제 1회전축의 축방향으로 상기 리드를 선형이송하는 선형이송기를 더 포함하며,
    상기 글로브는 상기 제 1회전축에 교차하는 방향으로 배치되는 상기 글로브박스의 타측벽에 설치되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  6. 글로부가 설치되는 글로브 박스의 내부에서 개폐되는 챔버와, 상기 챔버의 내부를 향하는 리드의 일면에 샤워헤드가 설치되는 화학기상 증착장치의 세정방법에 있어서,
    상기 샤워헤드와 상기 챔버를 서로 이격시키는 이격단계;
    상기 샤워헤드가 상기 챔버의 바닥면에 교차하도록 상기 리드의 자세를 변경시키는 자세 변경단계; 및
    상기 샤워헤드를 세정하는 세정단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치의 세정방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 이격 단계는,
    상기 리드를 상기 챔버로부터 상승시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치의 세정방법.
  8. 제 6항에 있어서, 상기 자세 변경단계는,
    상기 리드를 회동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치의 세정방법.
  9. 제 6항에 있어서, 상기 세정단계 이전에,
    상기 리드를 수평이동시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치의 세정방법.
  10. 제 6항에 있어서, 상기 세정단계는,
    작업자가 상기 글로브에 손을 넣어 상기 샤워헤드의 세정을 수행하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치의 세정방법.
KR1020100124984A 2010-12-08 2010-12-08 화학기상 증착장치 및 화학기상 증착장치의 세정방법 KR101232900B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100124984A KR101232900B1 (ko) 2010-12-08 2010-12-08 화학기상 증착장치 및 화학기상 증착장치의 세정방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100124984A KR101232900B1 (ko) 2010-12-08 2010-12-08 화학기상 증착장치 및 화학기상 증착장치의 세정방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120063834A KR20120063834A (ko) 2012-06-18
KR101232900B1 true KR101232900B1 (ko) 2013-02-13

Family

ID=46684154

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100124984A KR101232900B1 (ko) 2010-12-08 2010-12-08 화학기상 증착장치 및 화학기상 증착장치의 세정방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101232900B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200061527A (ko) 2018-11-26 2020-06-03 (주)울텍 진공 증착장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990085084A (ko) * 1998-05-13 1999-12-06 김영환 반도체 웨이퍼 증착장비의 샤워헤드 가열방지장치
KR100741180B1 (ko) * 2001-08-01 2007-07-19 동경 엘렉트론 주식회사 가스 처리 장치 및 가스 처리 방법
KR100925172B1 (ko) * 2007-12-24 2009-11-05 주식회사 에이디피엔지니어링 리드 개폐장치 및 방법
KR20100033314A (ko) * 2008-09-19 2010-03-29 주식회사 아이피에스 진공처리장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990085084A (ko) * 1998-05-13 1999-12-06 김영환 반도체 웨이퍼 증착장비의 샤워헤드 가열방지장치
KR100741180B1 (ko) * 2001-08-01 2007-07-19 동경 엘렉트론 주식회사 가스 처리 장치 및 가스 처리 방법
KR100925172B1 (ko) * 2007-12-24 2009-11-05 주식회사 에이디피엔지니어링 리드 개폐장치 및 방법
KR20100033314A (ko) * 2008-09-19 2010-03-29 주식회사 아이피에스 진공처리장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120063834A (ko) 2012-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI539525B (zh) 加熱裝置、塗佈裝置及加熱方法
JP2013220422A (ja) 塗布装置及び塗布方法
JP2002324828A (ja) 基板両面処理装置
JP4100466B2 (ja) 液処理装置
US9810617B2 (en) Station and method for measuring particle contamination of a transport carrier for conveying and storing semiconductor substrates at atmospheric pressure
CN103765571A (zh) 真空处理装置
TWI644385B (zh) 基板搬運機器人及使用該基板搬運機器人之基板處理設備
KR101232900B1 (ko) 화학기상 증착장치 및 화학기상 증착장치의 세정방법
JPH10270530A (ja) 基板搬送処理装置
TW201601875A (zh) 基板處理裝置
TWI434337B (zh) 旋轉式處理裝置，處理系統及旋轉式處理方法
JP2002134588A (ja) 基板搬送処理装置
US9816974B2 (en) Station and method for measuring particle contamination of a transport carrier for conveying and storing semiconductor substrates at atmospheric pressure
KR101848700B1 (ko) 자동 풉 세정장치
TW202236493A (zh) 收納容器及處理系統
JP5385965B2 (ja) 基板処理装置
KR100920463B1 (ko) 반도체 제조 설비
JP5319646B2 (ja) 半導体ウエハ収納容器検査装置及び検査方法
JP2002016041A (ja) 液処理装置
JP4223504B2 (ja) 液処理装置
JP4906824B2 (ja) 液処理装置
KR101294969B1 (ko) 글래스 기판 로딩/언로딩 장치
JP4728383B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2002246361A (ja) 液処理装置および液処理方法
JP2010056451A (ja) フープ洗浄乾燥装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee