KR101209146B1 - 쓰로우 실리콘 비아 브릿지 상호접속부 - Google Patents

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콸콤 인코포레이티드
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Abstract

집적회로 브릿지 상호접속 시스템은 나란한 구성으로 배열되며 브릿지 다이에 의해 서로 전기적으로 상호접속되는 제 1 다이 및 제 2 다이를 포함한다. 브릿지 다이는 브릿지 다이 상의 전도성 상호접속 라인들을 제 1 다이 및 제 2 다이에 접속하기 위해 쓰로우 실리콘 비아(TSV)들을 포함한다. 상호접속 라인들 이외에 능동 회로가 브릿지 다이 상에 제공될 수 있다. 적어도 하나 이상의 추가 다이가 브릿지 다이 상에 적층될 수 있고 브릿지 다이에 상호접속될 수 있다.

Description

쓰로우 실리콘 비아 브릿지 상호접속부{THROUGH SILICON VIA BRIDGE INTERCONNECT}
본 발명은 집적회로(IC) 패키징에 관한 것으로, 특히 기판 패키지 내에서 나란한(side-by-side) 집적회로들 사이의 상호접속부들을 브릿지(bridge)하는 것에 관한 것이다.
IC 패키징에서, 패키지내에 나란한 구성의 반도체 다이들을 제공하고 이들을 상호접속하는 것이 필요하다. 예를 들어, 패키지는 리드 프레임 패키지(lead frame package)일 수 있다.
일 구성에서, 반도체 다이들은 패키지 베이스로부터 떨어져 면하는 각각의 다이의 활성측(active side)으로 패키지된다. 다이들 간의 상호접속부(interconnection)는 와이어 본딩에 의해 달성된다. 그러나, 어셈블리 상호접속부에 대한 디자인 룰들은 와이어 직경 및 와이어-본딩 캐필러리 툴(wire-bonding capillary tool)의 치수들에 의해 제한될 수 있고, 이는 본딩 패드들이 상기 치수들을 수용하도록 충분한 거리를 두고 이격되고 충분히 클 것을 요구한다. 따라서, 상호접속부들의 수는 상호접속부들의 크기에 의해 제한된다. 또한, 다이-대-다이 와이어 본드에서 리드 인덕턴스(lead inductance)는 패키징된 디바이스의 성능을 제한할 수 있다. 또한, 골드(gold) 와이어는 와이어 본딩에 대한 통상의 선택이며, 이는 패지키의 전체 비용(net cost)을 상당히 증가시킨다.
또 다른 구성인 플립-칩 솔더볼(flip-chip solderball) 패키징에서, 다이의 능동 디바이스 영역은 패키지 장착 기판을 면하는, 이를 테면 하향하는 표면상에 있게 된다. 이 구성에서, 인접한 다이들 간의 상호접속부 밀도는 콘택 패드 크기 요구조건들에 의해서도 제한된다.
미국 특허 제 5,225,633호는 나란한 구성에서 브릿지 부재들(elements)을 사용하여 2개의 반도체 다이들을 상호접속하는 것을 개시한다. 각각의 브릿지 부재는 오버행되는 전도성 빔 리드들을 지지하는 강성의 반도체 다이를 포함한다. 브릿지는 2개의 반도체 다이들 사이의 공간에 위치되며 인접한 위치설정 및 각각의 빔 리드의 오버행 범위는 상호접속되는 각각의 반도체 다이들 상에 위치되는 본딩 패드들과의 적절한 결합(mating)을 제공하도록 선택된다. 그러나, 실리콘 브릿지 상에 빔 리드들을 형성하거나 이들을 배치하는 방법은 개시되지 않았다. 또한, 빔 리드들의 핸들링 및 어셈블링이 어려울 수 있고, 브릿지가 2개의 다이들 간의 공간을 점유한다. 또한, 골드가 바람직한 상호접속 금속이기 때문에, 이는 어셈블리된 패키지의 재료 비용에 영향을 미친다.
따라서, 어셈블리 프로세스를 단순화시키고, 상호접속부 재료들의 비용을 감소시키고, 등가의 빔 리드 상호접속부들 및 와이어 본딩으로 통상적으로 허용될 수 있는 파이너 피치(finer pitch)를 갖는 칩들 간의 상호접속부를 가능케하는 인접한 반도체 다이들 간의 패키징 상호접속 시스템이 요구된다.
나란한 구성에서 2개의 다이를 상호접속하는 시스템 및 방법이 개시된다. 제 3 반도체 다이는 2개의 다이를 접속하기 위한 상호접속 브릿지로서의 기능을 한다. 브릿지 다이는 상호접속을 원활하게 하기 위해 쓰로우 실리콘 비아(TSV: through silicon via)들을 포함한다.
집적회로 브릿지 상호접속 시스템은 제 1 면 및 제 2 면을 갖는 제 1 다이 및 제 1 면 및 제 2 면을 갖는 제 2 다이를 포함한다. 이들 다이는 나란한 구성으로 제공된다. 브릿지 다이는 제 1 다이 및 제 2 다이의 제 1 면들 상에 배치된다. 브릿지 다이는 제 1 다이와 제 2 다이를 상호접속한다.
집적회로 패키징 시스템은 반도체 다이들을 함유(contain)하기 위한 패키지 및 반도체 다이들을 수용하기 위해 패키지 내에 배치되는 기판을 포함한다. 모두 제 1 면 및 제 2 면을 갖는 제 1 다이 및 제 2 다이는 나란한 구성으로 기판상에 배치된다. 제 2 다이 및 제 2 다이의 제 2 면들은 기판을 면한다. 브릿지 다이는 제 1 다이 및 제 2 다이의 제 1 면들 상에 배치된다. 브릿지 다이는 제 1 다이 및 제 2 다이를 상호접속한다.
앞에서는 하기의 본 발명에 대한 상세한 설명이 보다 이해될 수 있도록 하기 위해 본 발명의 특징들 및 기술적 장점들을 다소 광범위하게 설명했다. 본 발명의 추가의 특징들 및 장점들이 이후 개시되며 이는 이후 본 발명의 청구항들의 주체를 형성한다. 당업자들은 개시된 개념 및 특정 실시예가 본 발명에 대해 동일한 목적들을 수행하기 위한 다른 구조들을 변경 또는 설계하기 위해 기본적으로 쉽게 이용될 수 있다는 것을 인식해야 한다. 또한, 이러한 등가적인 구성들은 첨부되는 청구항들에 개시된 것처럼 본 발명의 범주 및 사상을 이탈하지 않는다는 것을 당업자들에 의해 인식될 것이다. 본 발명의 동작 방법 및 구성(organization) 모두에 따라 추가의 목적들 및 장점들과 함께, 본 발명의 특징인 것으로 여겨지는 신규한 피처들은 첨부되는 도면들과 관련하여 참조할 때 하기 설명으로부터 보다 이해될 것이다. 그러나, 각각의 도면들은 단지 예시 및 설명을 목적으로 제공되는 것이며 본 발명을 제한하는 한정으로 의도된 것은 아니다.
본 발명의 보다 완벽한 이해를 위해, 첨부되는 도면들과 관련하여 취해진 하기 설명을 참조로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예들이 바람직하게 사용될 수 있는 예시적인 무선 통신 시스템을 도시한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 TSV 브릿지 상호접속부에 대한 평면도를 도시한다.
도 3은 2개의 플립-칩 다이들 간에 브릿지 상호접속부에 대한 예시적인 확대 단면도이다.
도 4는 2개의 와이어-본드 다이들 간의 브릿지 상호접속부에 대한 실시예의 예시적인 확대 단면도이다.
도 5는 플립-칩 다이와 와이어-본드 다이 간의 브릿지 상호접속부에 대한 실시예의 예시적인 확대 단면도이다.
도 6은 브릿지 상호접속부 상에 추가의 다이들이 적층되는 실시예에 대한 예시적인 확대 단면도이다.
기판-기재(substrate-based) 패키지에서 나란한 구성으로 배치되는 2개의 반도체 다이(칩들)를 연결하기 위한 방법들 및 구조들이 개시된다. 접속부들은 모두 나란한 다이들과의 콘택을 구성하기 위해 반도체 상호접속 브릿지 다이(통상적으로 실리콘)를 이용함으로써 달성될 수 있다. 상호접속 브릿지 다이는 상호접속 브릿지 다이의 마주하는 표면에 각각의 다이들 상의 콘택 패드들을 접속하기 위해 쓰로우 실리콘 비아들을 포함한다. 쓰로우 실리콘 비아들 간의 접속들을 완성하기 위해 상호접속 브릿지 다이 상에 상호접속 라인들이 형성된다.
도 1은 본 발명의 실시예가 바람직하게 이용될 수 있는 예시적 무선 통신 시스템(100)을 도시한다. 예시를 목적으로, 도 1은 3개의 원격 유니트들(120, 130, 150) 및 2개의 기지국들(140)을 도시한다. 전형적인 무선 통신 시스템들이 보다 많은 원격 유니트들 및 기지국들을 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다. 원격 유니트들(120, 130, 150)은 하기에 추가로 언급되는 것처럼 본 발명의 실시예인 쓰로우 실리콘 비아(TSV) 브릿지 상호접속 멀티-칩 패키지들(125A, 125B, 125C)을 포함한다. 도 1은 기지국들(140) 및 원격 유니트들(120, 130, 150)로부터의 순방향 링크 신호들(180) 및 원격 유니트들(120, 130, 150)에서 기지국들(140)로의 역방향 링크 신호들(190)을 도시한다.
도 1에서, 원격 유니트(120)는 모바일 전화로서 도시되며, 원격 유니트(130)는 휴대용 컴퓨터로서 도시되며, 원격 유니트(150)는 무선 로컬 루프 시스템의 고정된 로케이션 원격 유니트로서 도시된다. 예를 들어, 원격 유니트들은 셀 전화들, 핸드-헬드 개인용 통신 시스템(PCS) 유니트들, 개인용 데이터 보조기들과 같은 휴대용 데이터 유니트들, 또는 미터 판독 장비와 같은 고정된 로케이션 데이터 유니트들일 수 있다. 도 1은 본 발명의 설명에 따른 원격 유니트들을 예시하지만, 본 발명은 예시적으로 도시된 이렇나 유니트들로 제한되지 않는다. 본 발명은 나란한 구성의 칩들을 가지는 멀티-칩 패키지를 포함하는 임의의 디바이스에 사용하기에 적합하다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 TSV 브릿지 상호접속 구성(200)에 대한 평면도를 도시한다. 구성(200)은 예를 들어 유기 또는 세라믹 기판 인쇄 회로 보드일 수 있는 기판(210)을 포함한다. 각각 제 1 면 및 제 2 면을 갖는 2개 이상의 다이가 기판(210) 상에 배치될 수 있다. 예시적인 도시에 대해, 도 2를 참조하면, 2개의 다이(220, 230)는 나란한 구성으로 배치되게 도시된다. 다이들(220, 230)의 한쪽 표면은 기판(210)에 접속될 수 있고 결국에는 패키지 리드들과 접속될 수 있다.
제 1 면 및 제 2 면을 갖는 브릿지 상호접속 다이(240)는 다이들(220, 230)과 적어도 부분적으로 중첩되며 전기적으로 통신한다. 전도성 금속으로 채워진 쓰로우 실리콘 비아(TSV)들(270)은 브릿지 상호접속 다이(240)의 제 1 면(지면 밖으로 면하는 것으로 도시됨)을 다이들(220, 230) 상의 능동 회로(active circuitry)에 연결한다. 다음 브릿지 상호접속 다이(240)의 제 1 면 상의 상호접속 라인들(272)은 다이들(220, 230) 간의 접속들을 완성한다. 상이한 기능의 애플리케이션들에 대해, 다이들(220, 230)의 특정 기능들이 변경될 경우, 상호접속 라인들(272)은 적절하게 리-라우팅되고 TSV들(270)은 포토마스크들의 변경 및 프로세싱의 웨이퍼 스케일 레벨에서의 제조에 의해 재배치된다(relocated).
또한, 상호접속 라인들(272)은 원칙적으로 수동형(passive) 금속 상호접속부들일 수 있지만, 이들은 보다 복잡한 회로 상호접속부들, 이를 테면 임피던스 컴포넌트들(즉, 레지스터들, 커패시터들 및 인덕터들), 및 능동 디바이스들(즉, 트랜지스터들, 로직, 메모리 등)일 수 있다. 도 2에 도시되지는 않았지만, 브릿지 상호접속 다이(240)의 제 1 면은 상호접속 기능과 관련되지 않는 추가의 능동 회로를 포함할 수 있다.
브릿지 상호접속 다이(240) 상의 상호접속 라인들(272) 및/또는 회로는 웨이퍼 레벨에서 형성될 수 있으며, 웨이퍼가 개별 브릿지 상호접속 다이들(240)로 분리된 후, 종래의 반도체 및 금속배선(metallization) 프로세스들을 사용하여 금속이 채워진 홀들의 TSV들(270)의 형성을 포함한다.
도 3은 2개의 플립-칩 다이들 사이의 브릿지 상호접속부의 구성(300)에 대한 실시예의 예시적 확대 단면도이다. 플립-칩 다이(320, 330)의 능동 회로는 기판(210)을 면하는 제 2 면상에 있다. 다이들(320, 330)은 예를 들어 솔더-볼 본딩 또는 패키징 집적회로들에 사용되는 등가적인 방법들에 의해 기판(210)에 부착될 수 있다.
쓰로우 실리콘 비아(TSV)들(373)은 제 1 면들(도 2에서 위로 면하게 도시됨) 상에 금속성 상호접속부를 그리고 다이들(320, 330)의 제 2 면들 상에 능동 회로를 제공하기 위해 다이들(320, 330)의 두께를 관통하게 형성된다.
다이들(320, 330)의 제 1 면들 및 브릿지 상호접속 다이(240)의 제 2 면 상의 콘택 패드들(371)이 정렬되며, 예를 들어, 솔더-볼 본딩 및 전도성 페이스트와 같은 방법들을 사용하여 본딩될 수 있다. 다이들(320,330, 240) 상에 형성된 콘택 패드들(371)은 대응 TSV들(270, 373) 간의 전도성 콘택을 가능케 한다. 결과적으로, 다이들(320, 330) 상의 능동 회로는 브릿지 상호접속 다이(240)의 제 1 면에 전기적으로 접속되며, 능동 회로 간의 상호접속부는 상호접속 라인들(272)을 이용하여 완료된다. 콘택 패드들(371)은 능동 회로 및 솔더 볼들을 상호접속하는 것으로 도시된다.
도 4는 2개의 와이어 본드 다이들(420, 430) 간의 브릿지 상호접속의 구성(400)에 대한 실시예의 예시적 확대 단면도이다. 브릿지 상호접속 다이(240)는 도 3에 도시된 브릿지 상호접속 다이(240)과 실질적으로 동일하다. 즉, 도 4의 브릿지 상호접속 다이(240)는 TSV들(270), 콘택 패드들(371), 상호접속 라인들(272) 및 선택적으로, 도 3의 브릿지 상호접속 다이(240)의 제 1 면상에 배열되는 임피던스 부재들 및/또는 능동 디바이스들과 동일한 피처들 및 배열들을 갖는다.
반도체 와이어 본드 다이들(420, 430)은 모두 제 1 면 및 제 2 면을 가지며, 다이들(420, 430)의 제 2 면들은 기판(210)을 면하고 기판(210)에 부착된다. 와이어 본딩은 기판(210) 상의 콘택 패드들을 다이들(420, 430)의 제 1 면들 상의 콘택 패드들과 연결한다. 도 3의 플립-칩 구성(300)에서 처럼, 모두 3개의 다이들(420, 430, 240)은 브릿지 상호접속 다이(240)를 통해 다이들(420, 430)의 회로의 상호접속을 가능케하기 위해 대응 위치들에서 콘택 패드들(371)을 갖는다.
다이들(420, 430) 상의 능동 회로는 제 1 표면(즉, 기판(210)으로부터 떨어져 면함) 상에 위치된다. 구성(400)에서, 능동 회로는 제 1 면 상에 있기 때문에, 도 4에 도시된 것처럼, 다이들(420, 430)에 TSV들(373)의 포함은 선택적으로 포함되거나 또는 요구되지 않을 수 있다.
도 5는 플립-칩 다이(320)와 와이어-본드 다이(430) 사이의 브릿지 상호접속부의 구성(500)에 대한 실시예의 예시적 확대 단면도이다. 동일한 높이로 다이들(320, 430) 모두의 제 1 면들을 위치시키기 위해 다이 두께, 볼-본드 높이 등에서의 상대적 차이들에 대한 적절한 보상이 이루어질 수 있다. 플립-칩, 브릿지 및 와이어-본드 다이들 간의 적절한 인터페이스들의 고려는 도 3 및 도 4를 참조로 개시된 것과 동일하다. 예를 들어, 플립-칩 다이(320)는 제 2 면(즉, 기판(210)을 면함)상에 배치되는 능동 회로를 포함하며 브릿지 상호접속 다이(240)에 대한 접속들을 원활하게 하기 위해 제 1 면 상의 콘택 패드들(371)에 접속되는 다수의 TSV들(373)을 요구할 수 있다. 한편, 와이어 본드 다이(430)는 제 1 면(즉, 기판(210)으로부터 떨어져 면함) 상에 배치되는 능동 회로를 포함하며, TSV들(373)을 요구하지 않을 수 있다. 대신, 능동 회로에 연결된 콘택 패드들(371)은 충분할 수 있다.
도 6은 적어도 하나 이상의 추가 다이들(640)(예시를 위해 단지 하나의 다이(640)만이 도시됨)이 브릿지 상호접속 다이(240) 상에 적층되는 구성(600)의 실시예에 대한 예시적 단면도이다. 추가 다이(640)는 기능, 재료 기술 또는 능동 디바이스들을 포함하는 다른 다이들(320, 430)로부터 분리되게 다이(640)를 형성하기 위한 다른 원칙(basis)을 포함할 수 있다. 상호접속부 브릿지 다이(240)는 다이(640) 상에 위치되며 다이(640)를 마주하게 변하는 대응 콘택 패드들(371)과 인터페이스되도록 제 1 면 상에 콘택 패드들(371)을 포함할 수 있다. 다이(640)는 다이(640)의 상부 표면 상의 기능 회로 및/또는 상호접속 라인들(672) 및 상호접속부 브릿지 다이(240) 사이에 상호접속부를 제공하기 위해 다이(640)의 양쪽 면 상의 콘택 패드들(371)과 접속되는 TSV들(674)을 포함할 수 있다. 다이(640)의 기능에 대한 예들로는 메모리, 지연, 증폭기, 로직 등이 포함된다. 기능, 패키징 및 다른 원하는 목적들에 따라, 상호접속부 브릿지 다이(240) 위로 추가의 다이들(640)의 적층이 고려될 수 있다. 볼 본딩이 (수직으로 적층된) 인접한 다이 상의 패드들을 상호접속하기 위해 이용될 때, 다이(640)의 제 1 또는 제 2 면 중 어느 하나에서 회로의 증착이 이루어질 수 있다.
개시되는 실시예들로부터 다수의 장점들이 고안될 수 있다. 브릿지 다이의 사용으로, 반도체 프로세스들을 사용하는 웨이퍼 스케일에서의 양으로(in quantity) 상호접속부 트레이스들이 제조될 수 있다. 금속배선 두께는 수 미크론 또는 그 이하의 정도일 수 있으며, 45nm 이하와 같이 개선되는 기술 노드들에 적합한 라인 폭들을 갖는다. 금속은 골드 이외의 것일 수 있다. 기판들 간의 골드 와이어 본딩과 비교할 때, 상당한(substantial) 재료 절감들이 실현될 수 있다.
부가적으로, 와이어 본딩은 적어도 부분적으로는 와이어 본딩에 사용되는 캐필러리 팁의 크기로 인해, 기판상의 인접한 콘택 패드들 간의 최소 공간을 요구한다. 대조적으로, 브릿지 다이 상의 상호접속부 트레이스들의 상당한 파인 피치(very fine pitch)가 가능하며, 조밀한(dense) 상호접속부들을 구성하는 것이 가능하다. 또한, 와이어 본딩으로, 각각의 본드는 개별적으로 달성되는 반면, 브릿지 상호접속으로, 다수의 본드들이 하나의 칩-레벨 배치 및 예를 들어, 솔더 리플로우(reflow)와 같은 본딩 방법들에 의해 달성된다.
또한, 나란한 멀티-칩 구성이 와이어 본딩에 대해 이전에 설계되었고, 현재의(existing) 콘택 패드들의 사용을 구성하면서, 브릿지 상호접속부는 와이어 본딩을 대체하기 위해 바람직하게 구현될 수 있다. 와이어 본딩에 대한 브릿지 상호접속부 대체는 다수의 개별 와이어 본드 단계들로부터 단일 다이 배치로 어셈블리 단계들의 수를 감소시킨다.
또한, 통상적으로 와이어 본딩은 본딩 패드들 간에 요구되는 최소 간격에 부가하여 2개의 본딩 패드들 간의 와이어의 아크에서의 루프를 수반한다. 결과적으로, 특히 유도성 임피던스가 주파수에 따라 증가하는 고속 디바이스에서, 와이어 인덕턴스는 성능을 경감시킬 수 있다. 리드들로부터의 전자기 방사는 패키지 내의 칩들 상의 어느곳에서든 바람직하지 않게 검출될 수 있다. 브릿지 다이를 이용하여, 접속되는 다이들이 서로 가깝게 배치될 수 있어 방사선을 감소시키고 패키지 활용 효율을 증가시킨다. 브릿지 다이는 상당히 작게 구성될 수 있으며, 대응되게 와이어 본드들이 요구되는 것보다 상호접속부 경로들이 짧다.
또 다른 장점은 각각의 칩의 주문화된(customized) 장점들에 의해 제공되는 "시스템 레벨" 성능을 최적화시키기 위해 상이한 재료들, 프로세스 플로우들 또는 기술 노드들을 요구하는 2개 이상의 집적 회로들을 단일 패키지에 포함시키는 효율적 능력에 있다. 이는 단일 패키지에서 보다 높은 레벨 기능을 가능케한다.
또 다른 장점은 브릿지 다이에 대한 기능을 포함시키는 능력이며, 이는 와이어 본딩 단독으로는 가능하지 못했다.
플립-칩 본딩이 집적회로 다이들을 패키지하기 위해 이용될 때 다수의 동일한 장점들이 적용된다. 플립-칩 다이들 상에 TSV들을 구현함으로써, 와이어 라우팅 공간의 절감(economuy) 및 파인(fine) 피치 상호접속부들이 가능해질 수 있다.
본 발명 및 본 발명의 장점들이 상세하게 개시되었지만, 다양한 변화들, 대체들 및 변경들은 첨부되는 청구항들에 의해 정의되는 것처럼 본 발명의 범주 및 사상을 이탈하지 않고 이루어질 수 있다는 것이 이해될 것이다. 예를 들어, 판독 동작이 설명에서 사용되었지만, 본 발병은 기록 동작들에도 등가적으로 적용될 수 있을 것으로 예상된다. 또한, 본 출원의 범주는 명세서에 개시되는 프로세스, 머신, 제조, 물질의 콤포지션(composition of matter), 수단, 방법들 및 단계들을 제한하도록 의도된 것이 아니다. 예를 들어, TSV는 실리콘 다이들의 비아들로 간주되는 업계에서의 통상적 용어인 반면, 비아들은 다른 재료들, 및 특히 다른 반도체 다이들, 이를 테면, GaAs, SiC, GaN, 또는 다른 적절한 재료들로 형성될 수 있다. TSV란 용어는 임의의 이러한 재료들에 대한 애플리케이션에 적용될 수 있다. 당업자들이 본 발명의 설명을 통해 쉽게 인식할 수 있는 것처럼, 본 발명에 개시된 해당 실시예들과 실질적으로 동일한 결과 또는 실질적으로 동일한 기능을 수행하게 현재 개시되는 또는 이후 전개되는 프로세스들, 머신들, 제조, 물질의 콤포지션들, 수단, 방법들 또는 단계들이 본 발명에 따라 이용될 수 있다. 따라서, 첨부되는 청구항들은 이러한 프로세스들, 머신들, 제조, 물질의 콤포지션들, 수단, 방법들 또는 단계들의 범주내에 포함되도록 의도된다.

Claims (20)

  1. 집적회로 브릿지 상호접속 시스템으로서,
    제 1 면 및 제 2 면을 갖는 제 1 다이;
    제 1 면 및 제 2 면을 가지며, 상기 제 1 다이와 나란한(side-by-side) 구성으로 제공되는 제 2 다이; 및
    제 1 면 및 제 2 면을 가지며, 적어도 부분적으로 상기 제 1 다이 및 상기 제 2 다이의 상기 제 1 면들상에 배치되며, 상기 제 1 다이와 상기 제 2 다이를 전기적으로 상호접속하는 브릿지 다이(bridge die)를 포함하고,
    상기 브릿지 다이는 상기 브릿지 다이의 상기 제 1 면으로부터 상기 브릿지 다이의 상기 제 2 면으로의 브릿지 다이 쓰로우 비아들(bridge die through vias)을 포함하며, 상기 브릿지 다이 쓰로우 비아들은 상호접속(interconnecting)이 가능하도록 상기 브릿지 다이의 상기 제 1 면 상의 전도성 라인들을 접속하기 위해 금속배선들(metallizations)로 채워지는,
    집적회로 브릿지 상호접속 시스템.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 브릿지 다이는 상기 제 1 면 상에 능동 회로(active circuitry)를 더 포함하는, 집적회로 브릿지 상호접속 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 브릿지 다이의 상기 제 2 면 상의 하나 이상의 콘택 패드들은 상기 제 1 다이 및 상기 제 2 다이의 제 1 면들 상의 대응하는 하나 이상의 콘택 패드들과 콘택(contact)하는, 집적회로 브릿지 상호접속 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 다이 및 상기 제 2 다이 중 적어도 하나는,
    상기 제 2 면 상에 배치되는 회로를 갖는 플립-칩 다이(flip-chip die); 및
    상기 플립-칩 다이의 제 1 면으로부터 상기 플립-칩 다이의 제 2 면으로의 플립-칩 쓰로우 비아들을 포함하며,
    상기 플립-칩 쓰로우 비아들은 상기 플립-칩 다이의 상기 제 2 면상의 능동 회로를 상기 플립-칩 다이의 상기 제 1 면 상의 하나 이상의 콘택 패드들과 연결하기 위해 금속배선들로 채워지는, 집적회로 브릿지 상호접속 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 다이 및 상기 제 2 다이 중 적어도 하나는 상기 다이의 상기 제 1 면상에 배치되는 회로를 포함하는, 집적회로 브릿지 상호접속 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 다이 및 상기 제 2 다이 상에 하나 이상의 콘택 패드들을 더 포함하는, 집적회로 브릿지 상호접속 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 브릿지 다이는,
    상기 브릿지 다이의 상기 제 2 면 상에서, 상기 브릿지 다이 쓰로우 비아들에 대응하며 상기 제 1 다이 및 상기 제 2 다이 중 적어도 하나의 제 1 면들 상에서의 하나 이상의 콘택 패드들과 마주하게 대응하는 하나 이상의 콘택 패드들을 더 포함하는, 집적회로 브릿지 상호접속 시스템.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 브릿지 다이 상에 적층되는 적어도 하나의 추가 다이를 더 포함하며,
    상기 적어도 하나의 추가 다이는 수동형 회로, 능동형 회로, 및 상호접속 회로 중 적어도 하나를 더 포함하는, 집적회로 브릿지 상호접속 시스템.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 브릿지 다이는 상기 제 1 다이 및 상기 제 2 다이 중 적어도 하나에 대응하는 프로세스 플로우(process flow)와 상이한 프로세스 플로우를 이용하여 제조되는, 집적회로 브릿지 상호접속 시스템.
  11. 집적회로 패키징 시스템으로서,
    반도체 다이들을 포함(contain)하는 패키지;
    반도체 다이들을 수용하기 위해 상기 패키지 내에 배치되는 기판;
    제 1 면 및 제 2 면을 갖는 제 1 다이 ?상기 제 1 다이는 상기 기판 상에서 제 2 면이 상기 기판을 면하여 배치됨-;
    상기 제 1 다이와 나란한(side-by-side) 구성으로 제공되며 제 1 면 및 제 2 면을 갖는 제 2 다이 ?상기 제 2 다이는 상기 기판 상에서 제 2 면이 상기 기판을 면하여 배치됨?; 및
    제 1 면 및 제 2 면을 가지며, 적어도 부분적으로 상기 제 1 다이 및 상기 제 2 다이의 상기 제 1 면들상에 배치되며, 상기 제 1 다이와 상기 제 2 다이를 상호접속하는 브릿지 다이를 포함하고,
    상기 브릿지 다이는 상기 브릿지 다이의 상기 제 1 면으로부터 상기 브릿지 다이의 상기 제 2 면으로의 브릿지 다이 쓰로우 비아들을 포함하며, 상기 브릿지 다이 쓰로우 비아들은 상호접속이 가능하도록 상기 브릿지 다이의 상기 제 1 면 상의 전도성 라인들을 접속하기 위해 금속배선들(metallizations)로 채워지는,
    집적회로 패키징 시스템.
  12. 삭제
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 브릿지 다이는 상기 제 1 면 상에 능동 회로(active circuitry)를 더 포함하는, 집적회로 패키징 시스템.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 브릿지 다이의 상기 제 2 면 상의 하나 이상의 콘택 패드들은 상기 제 1 다이 및 상기 제 2 다이의 상기 제 1 면들 상의 대응하는 하나 이상의 콘택 패드들과 콘택(contact)하는, 집적회로 패키징 시스템.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 다이 및 상기 제 2 다이의 적어도 하나는,
    상기 제 2 면 상에 배치되는 회로를 가지며, 볼 본딩(ball bonding), 솔더 범프 본딩(solder bump bonding), 또는 전도성 페이스트(conductive paste)에 의해 상기 기판에 결합되는 플립-칩 다이(flip-chip die); 및
    상기 플립-칩 다이의 제 1 면으로부터 제 2 면으로의 플립-칩 쓰로우 비아들을 포함하며,
    상기 플립-칩 쓰로우 비아들은 상기 플립-칩 다이의 제 1 면 상의 하나 이상의 콘택 패드들에 제 2 면 상의 전도성 라인들을 연결하기 위해 금속배선들로 채워지는, 집적회로 패키징 시스템.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 다이 및 상기 제 2 다이 중 적어도 하나는 상기 다이의 상기 제 1 면상에 배치되는 회로를 포함하는, 집적회로 패키징 시스템.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 다이 및 상기 제 2 다이는 각각 하나 이상의 콘택 패드들을 갖는, 집적회로 패키징 시스템.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 브릿지 다이는,
    상기 브릿지 다이의 상기 제 2 면 상에서, 상기 브릿지 다이 쓰로우 비아들에 대응하며 상기 제 1 다이 및 상기 제 2 다이 중 적어도 하나의 제 1 면들 상에서의 하나 이상의 콘택 패드들과 마주하게 대응하는 하나 이상의 콘택 패드들을 더 포함하는, 집적회로 패키징 시스템.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 브릿지 다이 상에 적층되는 적어도 하나의 추가 다이를 더 포함하며,
    상기 적어도 하나의 추가 다이는 수동형 회로, 능동형 회로 및 상호접속 회로 중 적어도 하나를 더 포함하는, 집적회로 패키징 시스템.
  20. 제 11 항에 있어서,
    상기 브릿지 다이는 상기 제 1 다이 및 상기 제 2 다이 중 적어도 하나에 대응하는 프로세스 플로우와 상이한 프로세스 플로우를 이용하여 제조되는, 집적회로 패키징 시스템.
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