KR101158629B1 - 전자 제어 장치 - Google Patents

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Abstract

전자 제어 장치에서, 회로 보드에 장착되는 반도체 장치는 반도체 칩, 복수의 리드 및 수지 본체를 포함한다. 반도체 칩은 리드를 통해 회로 보드에 전기적으로 접속되며 수지 본체 내에 몰드된다. 케이스는 반도체 장치를 수용한다. 방열 겔은 반도체 장치와 접촉하여, 반도체 장치로부터 발생되는 열을 회로 보드로부터 반대편에 있는 반도체 장치의 일 측면 상에 위치된 케이스의 제1 커버로 전도한다. 이동 제한 수단으로서 홈부가 회로 보드와 제1 커버 사이의 위치에 설치된다. 따라서, 방열 겔의 이동이 제한되고, 열은 고효율로 방열 겔을 통해 케이스 측으로 방열될 수 있다.

Description

전자 제어 장치{ELECTRONIC CONTROL UNIT}
본 발명은 차량 등에 탑재되는 전자 제어 장치에 관한 것이다.
예컨대, 일본 특허 공개 제2001-244394호에는 반도체 패키지로부터 발생되는 열을 방열하기 위해 반도체 패키지와 히트 싱크 사이에 열 전도성 그리스(이하, 방열 겔이라 칭함)가 개재된 구성이 개시된다.
최근, 차량 탑재 모터 및 상기 모터를 구동하기 위한 전자 제어 장치(이하, ECU라 칭함)이 빈번하게 사용되기 때문에, 모터 및 ECU가 차지하는 체적이 증가되는 경향이 있다. 한편, 차량의 실내 공간을 확장하기 위해, 모터 및 ECU의 배치를 위한 공간이 줄어든다. 그러므로, 모터 또는 ECU의 소형화가 요구된다.
예컨대, 운전자에 의한 조향을 보조하는 전자식 파워 스티어링 시스템(이하, EPS라 칭함)에 사용되는 전자 제어 장치는 모터를 구동하기 위해 고전류에 의한 전력 공급을 필요로 하기 때문에, 따라서 그 발열량이 커지게 된다. 그러므로, 전자 제어 장치를 소형화하면서 방열 성능을 향상시키는 것이 필수적이다.
그렇지만, 일본 특허 공개 제2001-244394호에 개시된 바와 같이, 방열 성능을 향상시키기 위해 차량의 ECU에 방열 겔이 사용되는 경우, 진동 등의 영향으로 인하여 방열 겔이 이동한다는 문제점이 있었다.
전술된 문제점의 관점에서, 본원 발명은 높은 방열 성능을 가지는 방열 겔을 구비한 전자 제어 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명의 일 태양에 따라서, 전자 제어 장치는 회로 보드와, 상기 회로 보드에 장착되고, 복수의 리드를 통해 회로 보드에 전기적으로 접속되며 수지 본체 내에 몰드되는 반도체 칩, 복수의 리드, 및 수지 본체를 포함하는 반도체 장치와, 반도체 장치를 수용하는 케이스와, 반도체 장치와 접촉하여, 반도체 장치로부터 발생되는 열을, 회로 보드의 반대편에 있는 반도체 장치의 일측면 상에 위치하는 케이스의 일부분으로 전도하는 방열 겔과, 회로 보드와 케이스 사이의 위치에 방열 겔의 이동을 제한하는 이동 제한 수단을 포함한다.
상기 구성에 따르면, 전자 제어 장치는 회로 보드와 케이스 사이의 위치에 형성된 이동 제한 수단을 가진다. 따라서, 방열 겔의 이동은 제한되고, 열은 방열 겔을 통해 케이스 측으로 고효율로써 방열될 수 있다. 본 발명의 이동 제한 수단은 물리적인 힘, 즉, 예를 들면 벽의 형성 또는 마찰력의 증가에 의해 방열 겔의 이동을 제한하는 수단이라는 것에 유념해야 한다. 본 발명에서, "회로 보드로부터 반대편에 있는 반도체 장치의 일 측면 상에 위치된 케이스"라는 것은, 반도체 장치의 일측면 상에 위치된 케이스 상에 돌출부를 형성함으로써 반도체 장치의 측면에 그 일부분이 인접하게 위치된 케이스를 포함한다.
본 발명의 상기 및 다른 목적, 특징 및 이점은 첨부 도면을 참조하여 기재된 이하의 상세한 설명에 의해 더욱 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 제어 장치를 도시한 단면도.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 제어 장치의 주요부를 도시한 확대 단면도.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 제어 장치의 조립 구조를 도시한 분해 사시도.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 제어 장치를 도시한 회로도.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자 제어 장치를 도시한 단면도.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 전자 제어 장치를 도시한 단면도.
도 7a는 본 발명의 제4 실시예에 따른 전자 제어 장치를 도시한 단면도.
도 7b는 도 7a의 화살표(VIIB)에 의해 지시된 방향으로 본, 본 발명의 제4 실시예에 따른 전자 제어 장치를 도시한 평면도.
도 8은 본 발명의 제5 실시예에 따른 전자 제어 장치를 도시한 단면도.
도 9는 본 발명의 제6 실시예에 따른 전자 제어 장치를 도시한 단면도.
도 10a는 본 발명의 제7 실시예에 따른 전자 제어 장치를 도시한 단면도.
도 10b는 도 10a의 선 XB-XB를 따라 취한, 본 발명의 제7 실시예에 따른 전자 제어 장치를 도시한 단면도.
도 11은 본 발명의 제8 실시예에 따른 전자 제어 장치를 도시한 단면도.
도 12는 본 발명의 제9 실시예에 따른 전자 제어 장치를 도시한 평면도.
도 13a는 본 발명의 제10 실시예에 따른 전자 제어 장치를 도시한 평면도.
도 13b는 본 발명의 제10 실시예에 따른 전자 제어 장치를 도시한 측면도.
도 14a는 본 발명의 제11 실시예에 따른 전자 제어 장치를 도시한 평면도.
도 14b는 본 발명의 제11 실시예에 따른 전자 제어 장치를 도시한 측면도.
도 15는 본 발명의 제12 실시예에 따른 전자 제어 장치를 도시한 분해 사시도.
도 16은 본 발명의 제12 실시예에 따른 전자 제어 장치의 코킹부의 근방을 도시한 단면도.
도 17은 도 16의 화살표(XVII)에 의해 지시된 방향으로 본, 본 발명의 제12 실시예에 따른 전자 제어 장치를 도시한 평면도.
도 18은 본 발명의 제13 실시예에 따른 전자 제어 장치를 도시한 분해 사시도.
도 19는 본 발명의 제14 실시예에 따른 전자 제어 장치를 도시한 분해 사시도.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다. 이하의 실시예에서의 유사한 성분은 동일한 도면 부호로 지시되며, 그 설명을 반복하지 않는다.
(제1 실시예)
도 1 내지 4에 도시된 바와 같이, 전자 제어 장치(이하, ECU라 칭함)(1)는 예컨대 차량의 EPS에 사용되며, 조향 토크 신호 및 차량 속도 신호에 기초하여 조향에 대한 보조력을 발생시키는 모터(101)의 구동을 제어한다.
ECU(1)는 회로 보드(20), 반도체 장치인 파워 MOSFET(이하, 파워 MOS라 칭함)(31 내지 34), 케이스(50) 등을 포함한다.
회로 보드(20)는 예컨대 유리 직포 및 에폭시 수지로 만들어진 FR-4 인쇄 배선 보드이다. 파워 MOS(31 내지 34) 외에도, 알루미늄 전해 커패시터(103), 코일(104), 릴레이(105), 분류 저항(107), 마이크로컴퓨터(이하, IC라 칭함)(108) 등이 회로 보드(20)에 장착된다. 또한 커넥터(109)가 회로 보드(20)에 접속된다. 본 실시예에서, 파워 MOS(31 내지 34) 및 IC(108)는 회로 보드(20)의 제1 면(21) 상에 설치되고, 알루미늄 전해 커패시터(103), 코일(104), 릴레이(105), 분류 저항(107) 및 커넥터(109)는 상기 제1 면(21)의 반대측 면인, 회로 보드(20)의 제2 면(22) 상에 설치된다.
파워 MOS(31 내지 34)는 배터리(102)로부터 커넥터(109)를 경유하여 모터(101)에 공급되는 전류를 절환한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 구동 회로는 H-브릿지 모터 구동 회로이다. 조향 핸들이 우측으로 선회되면, 모터(101)를 중심으로 대칭으로 위치된 2개의 파워 MOS(31 및 32)가 온(ON, 도전)됨으로써 모터(101)가 구동된다. 이때, 나머지 2개의 파워 MOS(33 및 34)는 오프(OFF, 차단)된다. 조향 핸들이 좌측으로 선회되면, 파워 MOS(33 및 34)가 온 되고, 파워 MOS(31 및 32)가 오프 됨으로써 모터(101)가 구동된다. 조향 핸들이 우측에서부터 좌측으로 선회되면, 파워 MOS(31)가 오프되기 전에 파워 MOS(32)가 오프 된다. 반대로, 조향 핸들이 좌측에서부터 우측으로 선회되면, 파워 MOS(33)가 오프되기 전에 파워 MOS(34)가 오프 된다. 이때, 파워 MOS(31) 및 파워 MOS(33)에 전류가 흐른다. 따라서, 파워 MOS(31) 및 파워 MOS(33) 내에서 발생되는 발열량은 파워 MOS(32) 및 파워 MOS(34) 내에서 발생되는 발열량보다 커진다.
이하에서 파워 MOS(31 내지 34)의 구조를 상세하게 설명한다.
전하를 축적함으로써, 알루미늄 전해 커패시터(103)는 파워 MOS(31 내지 34)로의 전력 공급을 보조하고, 서지 전압 등의 노이즈 성분을 제어한다. 코일(104)은 노이즈 감소를 위해 설치되고, 릴레이(105)는 페일 세이프(fail-safe)를 위해 설치된다. 커넥터(109)를 경유하여 입력되는 조향 토크 신호 및 차량 속도 신호에 기초하여, IC(108)는 모터(101)의 회전 방향 및 회전 토크를 검출하고, 드라이버부터 신호를 출력함으로써 파워 MOS(31 내지 34)의 절환이 제어된다. 또한, IC(108)는 파워 MOS(31 내지 34)로부터 발생되는 열의 온도를 모니터링한다.
케이스(50)는 알루미늄 판 또는 아연 강판으로 만들어진 제1 커버(51) 및 제2 커버(52)를 가진다. 케이스(50)를 알루미늄 다이캐스팅 제품이 아닌 알루미늄 판 또는 아연 강판으로 형성함으로써, 케이스(50)의 중량을 줄일 수 있고, 따라서 전체 ECU(1)의 중량을 줄일 수 있다. 제1 커버(51)는 회로 보드(20)의 제1 면(21) 측에 설치되고, 파워 MOS(31 내지 34) 및 IC(108)를 수용한다. 제2 커버(52)는 회로 보드(20)의 제2 면(22) 측에 설치되고, 알루미늄 전해 커패시터(103) 등의 전자 부품을 수용한다. 제1 커버(51)는 회로 보드(20)를 사이에 개재한 상태로 제2 커버(52)에 나사(59)로 고정된다.
다음에, 도 2를 참조하여, 파워 MOS(31 내지 34)에 대해서 설명한다. 도 2는 파워 MOS(31)의 근방을 도시한 확대도이다. 여기에서는, 파워 MOS(31)에 대해서 설명한다.
파워 MOS(31)는 반도체 칩(41), 다중 리드(42), 방열판(44), 수지 본체(46) 등을 포함한다. 반도체 칩(41)은 회로 보드(20) 측으로 노출된 금속판(49) 상에 형성된다. 리드(42)와 일체로 형성된 방열판(44)이, 회로 보드(20)에 대향하는 면의 반대측 면인 반도체 칩(41)의 일면 상에 형성된다. 본 실시예에서 방열판(44)은 리드(42)와 일체로 형성되지만, 방열판(44)은 리드(42)와 별개로 형성될 수 있다. 리드(42)는 땜납(43)에 의해 회로 보드(20) 상에 형성된 회로 패턴(도시 안됨)에 전기적으로 접속된다. 반도체 칩(41)은 땜납(43), 리드(42), 및 방열판(44)을 경유해서 회로 보드(20)에 전기적으로 접속된다. 수지 본체(46)는 반도체 칩(41), 각 리드(42)의 일부, 방열판(44), 및 판(49)을 몰드한다. 방열판(44)과 판(49)의 표면은 수지 본체(46)로부터 노출된다.
방열 겔(60)은 회로 보드(20)의 반대편에서 파워 MOS(31) 상에, 즉, 방열 겔(60)은 파워 MOS(31)와 제1 커버(51)의 사이에 설치된다. 방열 겔(60)은, 예를 들어 실리콘 등을 주성분으로 만들어진다. 방열 겔(60)은 차량에 탑재된 후(예를 들어, 150℃에서 500 시간 경과 후)에도 경화하지 않고, 어느 정도의 점도를 유지한다. 방열 겔(60)은 파워 M0S(31)와 접촉하고, 파워 M0S(31)로부터 발생된 열을 제1 커버(51)로 전도한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 방열 겔(60)은 회로 보드(20)와 제1 커버(51) 사이의 공간에 충전되지 않고, 파워 MOS(31)의 제1 커버(51) 측의 면이 방열 겔(60)에 의해 덮이도록 파워 MOS(31)에 도포된다. 즉, 방열 겔(60)은, 각각의 파워 MOS(31 내지 34) 상에 형성된다. 방열 겔(60)을 형성함으로써, 파워 MOS(31)로부터 발생된 열이 제1 커버(51) 측으로 방열된다. 또한, 파워 MOS(31)로부터 발생된 열은 판(49)을 통해서 회로 보드(20) 측으로도 방열된다.
본 실시예는 제1 커버(51) 중에 파워 MOS(31)에 대향하는 부분은, 프레스 등에 의해 요철면을 가지도록 가공되어, 이동 제한 수단으로서의 홈부(54)가 제1 커버(51)의 상기 부분에 형성된다는 점에 그 특징이 있다. 홈부(54)로 인하여, 방열 겔(60)의 이동이 제한된다. 또한, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 커버(51)에, 파워 MOS(31 내지 34)를 구획하도록 리브(56)가 형성되고, 4개의 수용부(61 내지 64)가 형성된다. 상기 리브(56)도 역시 이동 제한 수단으로서 기능한다. 또한, 리브(56)에 의해 형성된 수용부(61 내지 64)도 역시 이동 제한 수단으로서의 리세스부로 간주될 수 있다.
또한, 방열 겔(65)이 회로 보드(20)와 제2 커버(52)의 사이에 설치된다. 제2 커버(52)는 방열 겔(65)에 대향하는 부분에 홈부(55)를 가지며, 이로 인해 방열 겔(65)의 이동이 제한된다.
도 3을 참조하여, ECU(1)의 조립 방법에 대해서 설명한다. 도 3에서, 파워 MOS(31 내지 34), 분류 저항(107), 커넥터(109) 이외의 전자 부품은 도시되지 않는다.
우선, 필요량의 방열 겔(60)이 제1 커버(51)의 수용부(61 내지 64)에 도포된다. 회로 보드(20)에 장착된 파워 MOS(31 내지 34)가, 방열 겔(60)이 도포되어 있는 수용부(61 내지 64) 내에 수용된다. 제2 커버(52)가 파워 MOS(31 내지 34)가 장착되는 면으로부터 반대편에 있는 회로 보드(20)의 면에 설치되고, 나사(59)에 의해 제1 커버(51)에 고정된다. 그리고, 나사 등이 제1 커버(51)의 외주부로부터 외향으로 돌출하는 고정부(71)의 고정 구멍(74) 내로 삽입되어, ECU(1)가 차량 등에 고정된다.
전술된 바와 같이, 본 실시예의 ECU(1)에서, 홈부(54)가 제1 커버(51) 중 각각의 파워 MOS(31 내지 34)에 대향하는 부분에 형성된다. 따라서, 진동 등에 의한 방열 겔(60)의 이동이 제한될 수 있다. 또한, 방열 겔(60)과 제1 커버(51) 사이의 접촉 면적이 증가되므로, 방열 성능이 향상한다. 제2 커버(52)의 홈부(55)도 홈부(54)와 유사한 효과를 가진다.
방열 겔(60)은 각각의 파워 MOS(31 내지 34)에 형성된다. 또한, 파워 MOS(31 내지 34)를 구획하도록 제1 커버(51) 내에 리브(56)가 형성된다. 따라서, 방열 겔의 양을 절약하면서, 방열 겔의 이동을 제한할 수 있다. 또한, 리브(56)를 형성하여 각각의 파워 MOS(31 내지 34)에 대하여 수용부(61 내지 64)를 제공함으로써, 열을 복사하는 표면적이 증가하므로, 방열성이 향상된다. 또한, 리브(56)를 형성함으로써, 제1 커버(51)의 변형이 제한될 수 있다. 이 변형을 제한하는 효과는 제2 커버(52)의 홈부(55)에 의해서도 얻어진다.
이하, 제2 실시예 내지 제11 실시예에서, 이동 제한 수단의 변형예를 설명한다. 도 5 내지 도 11은 제1 실시예의 도 2에 상응하는 도면이다. 도 5 내지 도 11에는 1개의 파워 MOS 만이 도시되어 있다. ECU(1)의 전체 구성은 제1 실시예와 동일하므로, 그 설명은 반복하지 않는다.
(제2 실시예)
본 발명의 제2 실시예를 도 5를 참조하여 설명한다.
도 5에 도시된 파워 MOS(310)는 제1 실시예의 파워 MOS(31 내지 34)와 동일한 구성을 가진다. 제1 커버(510)가 회로 보드(20)의 맞은편에서 파워 MOS(310)를 덮도록 설치되고, 즉 파워 MOS(310)는 회로 보드(20)와 제1 커버(510)의 사이에 설치된다. 제1 커버(510)는 파워 M0S(310)에 대향하는 부분에, 이동 제한 수단으로서 리세스부(511)를 가진다. 방열 겔(60)이 리세스부(511)의 내측에 도포된다. 방열 겔(60)이 파워 MOS(310)와 제1 커버(510) 사이에 개재되도록, 회로 보드(20)의 맞은편에서 파워 MOS(310)의 단부가 리세스부(511) 내에 수용된다.
본 실시예에서, 리세스부(511)의 내측에 형성된 공간에 방열 겔(60)이 수용된다. 따라서, 전술된 실시예와 마찬가지로, 진동 등으로 인한 방열 겔(60)의 이동을 제한할 수 있다.
(제3 실시예)
본 발명의 제3 실시예를 도 6을 참조하여 설명한다.
도 6에 도시된 파워 MOS(320)에서, 수지 본체(321)는, 제1 커버(520)에 대향하는 수지 본체(321)의 일면의 외주부에 이동 제한 수단으로서 돌출부(322)를 가진다. 방열 겔(60)은 상기 돌출부(322)의 내측에 도포된다.
본 실시예에서, 방열 겔(60)은 돌출부(322)의 내측에 형성된 공간 내에 수용된다. 따라서, 전술된 실시예와 마찬가지로, 진동 등으로 인한 방열 겔(60)의 이동을 제한할 수 있다.
(제4 실시예)
본 발명의 제4 실시예를 도 7a 및 도 7b를 참조하여 설명한다. 도 7a는 제1 실시예의 도 2에 상응하는 도면이고, 도 7b는 도 7a의 화살표(VIIB)에 의해 지시된 방향에서 본 제1 커버(530)를 도시하는 도면이다.
도 7a에 도시된 파워 MOS(330)는 제1 실시예의 파워 MOS(31 내지 34)와 동일한 구성을 가진다. 회로 보드(20)의 맞은편에서 파워 MOS(330)를 덮도록 제1 커버(530)가 설치되며, 즉, 파워 MOS(330)는 회로 보드(20)와 제1 커버(530)의 사이에 설치된다. 또한, 방열 겔(60)이 파워 MOS(330)와 제1 커버(530)의 사이에 설치된다. 본 실시예에서, 제1 커버(530)는, 방열 겔(60)과 접촉하는 부분에, 이동 제한 수단으로서 조면부(531)를 가진다. 조면부(531)는 숏 블라스팅 또는 조면화 도금에 의해 형성된다.
본 실시예에서, 제1 커버(530)는 방열 겔(60)과 접촉되는 부분에 조면부(531)를 가지므로, 제1 커버(530)와 방열 겔(60) 사이의 마찰력이 증가된다. 따라서, 전술된 실시예와 마찬가지로, 진동 등으로 인한 방열 겔(60)의 이동을 제한할 수 있다.
(제5 실시예)
본 발명의 제5 실시예를 도 8을 참조하여 설명한다.
도 8에 도시된 파워 MOS(340)는 제1 실시예의 파워 MOS(31 내지 34)와 동일한 구성을 가진다. 방열 겔(60)은 회로 보드(20)의 맞은편에서 파워 MOS(340) 상에 형성된다. 본 실시예에서, 이동 제한 수단으로서 점착성을 갖는 방열 시트(601)가 방열 겔(60)과 제1 커버(540)의 사이에 형성된다. 방열 시트(601)는 실리콘을 주성분으로 만들어지고, 고경도의 방열 시트이다. 또한, 방열 겔(60)도 실리콘을 주성분으로 만들어진다. 따라서, 방열 겔(60)은 방열 시트(601)에 용이하게 흡착된다. 방열 겔(60)은 방열 시트(601)에 밀착된다. 따라서, 전술된 실시예와 마찬가지로, 진동 등으로 인한 방열 겔(60)의 이동을 제한할 수 있다.
(제6 실시예)
본 발명의 제6 실시예를 도 9를 참조하여 설명한다.
도 9에 도시된 파워 MOS(350)는 제1 실시예의 파워 MOS(31 내지 34)와 동일한 구성을 가진다. 본 실시예에서, 점착성을 갖는 방열 시트(602)가 이동 제한 수단으로서 파워 MOS(350)와 제1 커버(550)의 사이에 형성된다. 방열 시트(602)는 실리콘을 주성분으로 한다. 방열 겔(60)도 실리콘을 주성분으로 한다. 따라서, 방열 겔(60)은 방열 시트(602)에 용이하게 흡착된다. 방열 시트(602)는 제5 실시예의 방열 시트(601)보다 낮은 경도를 가지고, 방열 시트(601)보다 두껍게 형성된다. 방열 겔(60)은, 파워 MOS(350)의 측면이 방열 겔(60)에 둘러싸이도록, 회로 보드(20)와 방열 시트(602)의 사이에 형성된다.
본 실시예에서, 방열 겔(60)이 방열 시트(602)에 밀착된다. 따라서, 전술된 실시예와 마찬가지로, 진동 등으로 인한 방열 겔(60)의 이동을 제한할 수 있다. 또한, 방열 겔(60)은 파워 MOS(350)의 측면을 둘러싸도록 형성되므로, 열은 파워 MOS(350)의 측면으로부터도 방열된다. 따라서, 방열 성능이 향상된다. 또한, 본 실시예에서, 낮은 경도를 가지며 비교적 두꺼운 방열 시트(602)가 사용되기 때문에, 방열 시트(602)는 회로 보드(20)에 인가된 응력을 흡수할 수 있다.
방열 시트(601) 및 방열 시트(602)는 시트 부재에 대응한다.
(제7 실시예)
본 발명의 제7 실시예를, 도 10a 및 도 10b를 참조하여 설명한다. 도 10a는 제1 실시예의 도 2에 대응하는 도면이며, 도 10b는 도 10a의 XB-XB 선을 따라 취한 단면도이다.
도 10a에 도시된 파워 MOS(360)는 제1 실시예의 파워 MOS(31 내지 34)와 동일한 구성을 가진다. 본 실시예에서는, 이동 제한 수단으로서 벽부(603)가 회로 보드(20)와 제1 커버(560)의 사이에, 파워 M0S(360)의 측면을 둘러싸도록 형성된다. 벽부(603)는 제6 실시예의 방열 시트(602)와 동일한 소재로 만들어진다. 방열 겔(60)이 벽부(603)의 내벽으로 둘러싸이는 공간(604) 내로 주입되고, 파워 M0S(360)는 공간(604) 내의 방열 겔(60) 내에 매립된다.
본 실시예에서, 방열 겔(60)이 벽부(603)로 둘러싸인 공간(604) 내에 수용된다. 따라서, 전술된 실시예와 마찬가지로, 진동 등으로 인한 방열 겔(60)의 이동을 제한할 수 있다. 또한, 파워 MOS(360)은 공간(604) 내의 방열 겔(60) 내에 매립되므로, 열은 파워 MOS(360)의 측면으로부터도 방열된다. 따라서, 방열 성능이 향상된다. 또한, 벽부(603)는 비교적 두껍고, 제6 실시예의 방열 시트(602)와 같이 낮은 경도를 가지는 실리콘 재료로 만들어지기 때문에, 벽부(603)는 회로 보드(20)에 인가되는 응력을 흡수할 수 있다.
(제8 실시예)
본 발명의 제8 실시예를 도 11을 참조하여 설명한다.
도 11에 도시된 파워 MOS(370)는 제1 실시예의 파워 MOS(31 내지 34)와 동일한 구성을 가진다. 제1 커버(570)가 회로 보드(20)의 맞은편에서 파워 MOS(370)를 덮도록 설치되며, 즉, 파워 MOS(370)는 회로 보드(20)와 제1 커버(570)의 사이에 설치된다. 또한, 방열 겔(60)이 파워 MOS(370)와 제1 커버(570)의 사이에 설치된다. 본 실시예의 방열 겔(60)의 표면은 이동 제한 수단인 보호 부재(605)에 의해 덮인다. 보호 부재(605)는, 예를 들어, 폴리올레핀, 아크릴, 폴리우레탄 등을 주성분으로 하여 만들어지는 방적(drip-proof) 부재로 형성된다. 방열 겔(60)은 보호 부재(605)로 덮인다. 따라서, 전술된 실시예와 마찬가지로, 진동 등으로 인한 방열 겔(60)의 이동을 제한할 수 있다.
이하에 설명된 본 발명의 제9 실시예 내지 제11 실시예에서, 이동 제한 수단은 방열판에 형성된다.
(제9 실시예)
본 발명의 제9 실시예를 도 12를 참조하여 설명한다.
도 12는 파워 MOS(380)의 평면도이다. 도 12에 회로 보드, 방열 겔, 케이스 등은 도시되지 않는다.
도 12에 도시된 파워 MOS(380)에서, 방열판(441)이 수지 본체(461)로부터 그 표면 상에 노출된다. 상기 표면은 회로 보드(도시 안됨)에 대향하는 수지 본체(461)의 일면으로부터 반대편에 있다. 방열판(441)은 그 표면 상에 이동 제한 수단으로서 조면부(442)를 가지고, 이는 수지 본체(461)로부터 노출된다. 조면부(442)는 방열 겔과 접촉한다. 조면부(442)는 숏 블라스팅 또는 조면화 도금에 의해 형성된다.
본 실시예에서, 방열판(441)은 방열 겔과 접촉하는 부분에 조면부(442)를 가지기 때문에, 방열판(441)과 방열 겔의 사이의 마찰력이 증가된다. 따라서, 전술된 실시예와 마찬가지로, 진동 등으로 인한 방열 겔의 이동을 제한할 수 있다.
(제10 실시예)
본 발명의 제10 실시예를 도 13a 및 도 13b를 참조하여 설명한다. 도 13a는 파워 M0S(390)의 평면도이며, 도 13b는 파워 M0S(390)의 측면도이다. 도 13a 및 도 13b에, 회로 보드, 방열 겔, 케이스 등은 도시되지 않는다.
도 13a 및 도 13b에 도시된 파워 MOS(390)에서, 방열판(445)의 많은 부분이 수지 본체(462)로부터 커버(도시 안됨) 측으로 노출된다. 방열판(445)은 수지 본체(462)보다 크게 형성된다. 방열 겔이 수지 본체(462)의 맞은편의 방열판(445)의 단부면(446)과 커버의 사이에 설치된다. 단부면(446)은 프레스 등에 의해 형성된 홈부(447)를 이동 제한 수단으로서 가진다.
본 실시예에서, 홈부(447)가, 방열 겔과 접촉되는 방열판(445)의 단부면(446)에 형성된다. 따라서, 전술된 실시예와 마찬가지로, 진동 등으로 인한 방열 겔의 이동을 제한할 수 있다.
(제11 실시예)
본 발명의 제11 실시예를 도 14a 및 도 14b를 참조하여 설명한다. 도 14a는 파워 M0S(395)의 평면도이고, 도 14b는 파워 M0S(395)의 측면도이다. 도 14a 및 도 14b에 회로 보드, 방열 겔, 케이스 등은 도시되지 않는다.
도 14a 및 도 14b에 도시된 파워 MOS(395)에서, 제10 실시예와 마찬가지로, 방열판(455)의 많은 부분이 수지 본체(462)로부터 커버(도시 안됨) 측으로 노출된다. 방열판(455)은 수지 본체(462)보다 크게 형성된다. 방열 겔은 수지 본체(462)의 맞은편의 방열판(455)의 단부면(456)과 커버의 사이에 설치된다. 단부면(456)은 절삭 등에 의해 형성된 복수의 구멍부(457)를 이동 제한 수단으로서 가진다.
본 실시예에서, 구멍부(457)가 방열 겔과 접촉되는 방열판(455)의 단부면(456)에 형성된다. 따라서, 전술된 실시예와 마찬가지로, 진동 등으로 인한 방열 겔의 이동을 제한할 수 있다.
이하, 제12 실시예 내지 제14 실시예에서, 케이스의 변형예를 설명한다. 제1 실시예의 도 3과 마찬가지로, 도 15, 도 18, 및 도 19에는 알루미늄 전해 커패시터 등의 전자 부품은 도시되지 않는다.
(제12 실시예)
본 발명의 제12 실시예를 도 15 내지 도 17을 참조하여 설명한다.
도 15에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 ECU(2)는 회로 보드(220), 케이스(250) 등을 포함한다.
커넥터(209)가 회로 보드(220)의 제1 면(221) 상에 형성되고, 파워 MOS(231 내지 234) 및 분류 저항(207)이 제1 면(221)의 반대측 면인 회로 보드(220)의 제2 면(222) 상에 형성된다. 또한, 회로 보드(220)는 가이드 구멍부(225)를 가진다.
케이스(250)는 알루미늄 판 또는 아연 강판으로 만들어진 제1 커버(251) 및 제2 커버(271)를 가진다. 케이스(250)를 알루미늄 다이캐스팅 제품이 아닌, 알루미늄 판 또는 아연 강판으로 형성함으로써, 케이스(250)의 중량을 줄일 수 있고, 따라서 전체 ECU(2)의 중량을 줄일 수 있다. 제1 커버(251)는 회로 보드(220)의 제1 면(221) 측에 설치되고, 제2 커버(271)는 회로 보드(220)의 제2 면(222)측에 설치된다.
제1 커버(251)는 회로 보드(220)에 대향하는 커버면(253)과, 커버면(253)의 외주부 상에 회로 보드(220)를 향하는 방향으로 형성된 측벽(254)을 포함한다. 측벽(254)은 커넥터(209)를 수용하는 절결부(255)를 가진다. 측벽(254) 중, 절결부(255)를 가지는 면에 대향하는 면과, 절결부(255)를 가지는 면에 실질적으로 수직인 2개의 면은 각각의 면의 내측면으로부터 내향으로 돌출하는 갈고리부(261 내지 266)를 가진다. 갈고리부(261 내지 266)는 측벽(254)의 각각의 면에 2개의 갈고리부가 위치하도록 형성된다. 즉, 절결부(255)를 가지는 면에 대향하는 면은 갈고리부(261, 262)를 가진다. 절결부(255)를 가지는 면에 실질적으로 수직인 2개의 면 중 하나는 갈고리부(263, 264)를 가지고, 상기 2개의 면 중 다른 하나는 갈고리부(265, 266)를 가진다. 갈고리부(261 내지 266)의 회로 보드(220) 측의 단부면은 측벽(254)에 실질적으로 수직이 되도록 형성된다. 또한, 측벽(254)은 회로 보드(220) 측을 향해 돌출하는 코킹부(267 내지 269)를 가진다. 코킹부(267)는 갈고리부(261)와 갈고리부(262)의 사이에 위치되고, 코킹부(268)는 갈고리부(263)와 갈고리부(264)의 사이에 위치되고, 코킹부(269)는 갈고리부(265)와 갈고리부(266)의 사이에 위치된다. ECU(2)를 조립할 때, 회로 보드(220)는 갈고리부(261 내지 266)와 코킹부(267 내지 269)에 의해 제2 커버(271)에 고정된다.
도 15에 도시된 바와 같이, 제2 커버(271)는 방열 겔(260) 및 파워 MOS(231 내지 234)를 수용하기 위한 리세스부(273)를 이동 제한 수단으로서 가진다. 또한, 제2 커버(271)는 그 외주부에 외주연부(274)를 가진다. 외주연부(274)는 제2 커버(271)의 저면에 실질적으로 평행하게 형성된다. 제2 커버(271)는 외주연부(274)로부터 외향으로 돌출하는 고정부(275)를 가진다. 고정부(275)는 외주연부(274)에 실질적으로 평행하게 형성된다. 고정부(275)는 ECU(2)를 차량에 고정하기 위한 고정 구멍(276) 및 변형 제한 리브(277)를 가진다. 또한, 제2 커버(271)는 회로 보드(220)의 가이드 구멍부(225)에 대응하는 위치에, 회로 보드(220) 측을 향해 돌출하는 가이드부(279)를 가진다. 따라서, 회로 보드(220)는 제2 커버(271)에 대하여 위치 결정된다.
ECU(2)를 조립할 때, 갈고리부(261 내지 266) 및 코킹부(267 내지 269)에 의해, 회로 보드(220)를 제2 커버(271)에 고정하는 방법에 대해서 도 15 내지 도 17을 참조하여 설명한다. 또한, 도 16 및 도 17에, 갈고리부(263, 264) 및 코킹부(268)의 인접부가 도시되지만, 다른 갈고리부 및 코킹부도 갈고리부(263, 264) 및 코킹부(268)와 동일한 구성을 가진다.
제2 커버(271)의 가이드부(279)가 회로 보드(220)의 가이드 구멍부(225)에 삽입되고, 회로 보드(220)가 제2 커버(271)에 대하여 위치 결정된다. 제1 커버(251)가 회로 보드(220)의 상부 위에 설치될 때, 갈고리부(261 내지 266)의 회로 보드(220)측 단부면이 회로 보드(220)의 제1 면(221)과 접촉된다. 코킹부(267 내지 269)를 절곡하고, 회로 보드(220)를 갈고리부(261 내지 266)에 압박함으로써, 코킹부(267 내지 269)가 코킹되고, 이로 인해, 갈고리부(261 내지 266)와 코킹부(267 내지 269)의 사이에, 회로 보드(220)와 제2 커버(271)가 협지된다.
본 실시예에서, 제2 커버(271)는 리세스부(273)를 가진다. 그러므로, 전술된 실시예와 마찬가지로, 진동 등으로 인한 방열 겔(260)의 이동을 제한할 수 있다.
특히, 본 실시예의 ECU(2)는 케이스(250)에 그 특징이 있다. 케이스(250)의 제1 커버(251)는 갈고리부(261 내지 266) 및 코킹부(267 내지 269)를 가진다. 코킹부(267 내지 269)가 코킹됨으로써, 회로 보드(220)와 제2 커버(271)가 갈고리부(261 내지 266)와 코킹부(267 내지 269)의 사이에 협지된다. 따라서, 회로 보드(220), 제1 커버(251), 및 제2 커버(271)를 고정하기 위한 나사가 불필요해진다. 따라서, 부품 개수를 줄일 수 있다. 또한 조립 단계의 수도 줄일 수 있다.
(제13 실시예)
본 발명의 제13 실시예를 도 18을 참조하여 설명한다.
본 실시예의 ECU(7)는 회로 보드(720), 케이스(750) 등을 포함한다.
커넥터(709) 및 파워 MOS(732, 734)가 회로 보드(720)의 제1 면(721) 상에 형성된다. 파워 MOS(731, 733) 및 분류 저항(207)이 제1 면(721)의 반대측 면인 회로 보드(720)의 제2 면(722) 상에 형성된다. 파워 MOS(734)는 파워 MOS(731)의 이면측에 설치되고, 파워 MOS(732)는 파워 MOS(733)의 이면측에 설치된다. 본 실시예에서, 파워 MOS(731, 732, 733, 734)는 각각 제1 실시예의 파워 MOS(31, 32, 33, 34)에 대응한다. 조향 핸들이 우측으로 선회되면, 사선으로 배치된 파워 MOS(731, 732)가 온(ON) 된다. 조향 핸들이 좌측으로 선회되면, 사선으로 배치된 파워 MOS(733, 734)가 온 된다. 즉, 동시에 온 되는 파워 MOS는 각각 회로 보드의 상이한 면 상에 설치되고, 서로로부터 이격되어 설치된다. 따라서, 열 간섭이 억제된다.
제12 실시예의 케이스(250)와 마찬가지로, 케이스(750)는 알루미늄 판 또는 아연 강판으로 만들어진 제1 커버(751)와 제2 커버(771)를 가진다. 케이스(750)를 알루미늄 다이캐스팅 제품이 아닌 알루미늄 판 또는 아연 강판으로 형성함으로써, 케이스(750)의 중량을 줄일 수 있고, 따라서 전체 ECU(7)의 중량을 줄일 수 있다. 제1 커버(751)는 회로 보드(720)의 제1 면(721) 측에 설치되고, 제2 커버(771)는 회로 보드(720)의 제2 면(722) 측에 설치된다.
제1 커버(751)는 회로 보드(720)에 대향하는 커버면(753)과, 상기 커버면(753)의 외주부 상에 회로 보드(720)를 향하는 방향으로 형성된 측벽(754)을 포함한다. 커버면(753)은 방열 겔(760) 및 파워 MOS(732, 734)를 수용하는 수용부(757)를 가진다. 수용부(757)는 내부에 이동 제한 수단으로서 리세스부(758)를 가진다. 또한, 파워 MOS(732)와 파워 MOS(734)를 구획하는 커버 리브(759)가 이동 제한 수단으로서 리세스부(758)의 내측에 형성된다.
또한, 제12 실시예와 마찬가지로, 제1 커버(751)는 갈고리부(261 내지 266) 및 코킹부(267 내지 269)를 가진다. ECU(7)는 제12 실시예에서 설명된 것과 동일한 방법으로 조립될 수 있다. 따라서, 회로 보드(720), 제1 커버(751) 및 제2 커버(771)를 고정하기 위한 나사가 불필요해진다. 따라서, 부품 개수 및 조립 단계의 수를 줄일 수 있다.
제2 커버(771)는 방열 겔(760) 및 파워 MOS(731, 733)를 수용하기 위한 리세스부(773)를 이동 제한 수단으로서 가진다. 또한, 파워 MOS(731)와 파워 MOS(733)를 구획하는 커버 리브(772)가 이동 제한 수단으로서 리세스부(773)의 내측에 형성된다.
본 실시예에서, 제1 커버(751)가 리세스부(758)를 가지고, 제2 커버(771)가 리세스부(773)를 가진다. 따라서, 전술된 실시예와 마찬가지로, 진동 등으로 인한 방열 겔(760)의 이동을 제한할 수 있다.
또한, 파워 MOS(732)와 파워 MOS(734)를 구획하는 커버 리브(759)가 제1 커버(751)의 리세스부(758)의 내부에 형성된다. 파워 MOS(731)와 파워 MOS(733)를 구획하는 커버 리브(772)가 제2 커버(771)의 리세스부(773)의 내부에 형성된다. 따라서, 방열 겔(760)의 이동을 제한할 수 있다. 또한, 열을 복사하는 표면적의 증가로 인해 방열 성능이 향상될 수 있고, 제1 커버(751) 및 제2 커버(771)의 변형을 제한할 수 있다. 또한, 방열 겔(760)의 도포량을 줄일 수 있다.
또한, 본 실시예에서, 파워 MOS(732, 734)는 회로 보드(720)의 제1 면(721)상에 설치되고, 파워 MOS(731, 733)는 제1 면(721)의 반대측 면인 회로 보드(720)의 제2 면(722) 상에 설치된다. 파워 MOS(732, 734)로부터 발생된 열은 방열 겔(760)을 통해 제1 커버(751)로 방열된다. 파워 MOS(731, 733)로부터 발생된 열은 방열 겔(760)을 통해서 제2 커버(771)로 방열된다. 따라서, 파워 MOS(731, 733)와 파워 MOS(732, 734) 사이의 열 간섭이 제한될 수 있고, 열은 고효율로 방열될 수 있다. 또한, 파워 MOS(731 내지 734)는 회로 보드(720)의 양면에 장착되므로, ECU(7)는 소형화 될 수 있다.
(제14 실시예)
본 발명의 제14 실시예를 도 19를 참조하여 설명한다. 제14 실시예는, 제13실시예의 변형예이다.
제14 실시예의 ECU(8)에서, 케이스(850)의 제1 커버(851)에 코킹부를 가지지 않는다. 반면에, 제1 커버(851)는 그 측벽(854)으로부터 외향으로 돌출된 고정부(875)를 가진다. 고정부(875)는 제1 커버(851)의 커버면(753)에 실질적으로 평행하게 형성된다. 고정부(875)는 제2 커버(871)의 고정부(275)에 대응하는 위치에 형성된다. 제2 커버(871)의 고정부(275)와 마찬가지로, 고정부(875)는 ECU(8)를 차량에 고정하기 위한 고정 구멍(876) 및 변형 제한 리브(877)를 가진다.
본 실시예에 따르면, ECU(8)을 차량에 고정할 때, 제2 커버(871)의 가이드부(279)가 회로 보드(720)의 가이드 구멍부(225) 내로 삽입됨으로써 회로 보드(720)가 제2 커버(871)에 대해 위치 결정된다. 그리고, 제1 커버(851)가 회로 보드(720)의 상방에 설치된다. 이후, 나사(880)가 제1 커버(851)의 고정 구멍(876) 및 제2 커버(871)의 고정 구멍(276) 내로 삽입되고, 제1 커버(851)와 제2 커버(871)가 나사(880)에 의해 서로 체결된다.
따라서, 제14 실시예는 제13 실시예와 유사한 효과를 가진다. 또한, 코킹 공정이 생략될 수 있기 때문에, 조립 단계의 수를 줄일 수 있다.
(다른 실시예)
전술된 실시예에서, 방열 겔의 다양한 이동 제한 수단 및 케이스의 다양한 구조가 설명된다. 그러나, 이들 구성은 임의로 조합될 수 있다. 예를 들면, 케이스 또는 방열판의 방열 겔과 접촉되는 부분의 조면화 공정 후에, 홈부나 리세스부가 형성될 수 있다.
전술된 실시예에서, 케이스는 알루미늄 등의 금속으로 만들어진다. 그렇지만, 케이스는 수지와 같은 다른 재료로 만들어 질 수 있다. 또한, 홈부의 형상은 사각형 형상으로 제한되지 않는다. 홈부는 라운드된 형상 또는 복수의 원통 또는 원기둥이 돌출한 형상으로 될 수 있다.
본 발명은 양호한 실시예를 참조하여 설명되었지만, 본 발명은 상기 양호한 실시예 및 구조로 제한되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 본 발명은 다양한 변경 및 등가 구조를 포괄하도록 의도된다. 또한, 양호하며 다양한 조합 및 구성과, 1개의 단일 요소, 또는 그 이상, 이하를 포함하는 다른 조합 및 구성도 본 발명의 기술 사상의 범위 내에 있다.
1:ECU(전자 제어 장치)
20:회로 보드
31 내지 34:파워 MOS(반도체 소자)
41:반도체 칩
42:리드
44:방열판
46:수지 본체
50:케이스
51:제1 커버
52:제2 커버
54:홈부(이동 제한 수단)
56:리브(이동 제한 수단)
60:방열 겔
225:가이드 구멍부
511:리세스부(이동 제한 수단)

Claims (22)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 회로 보드(20, 220, 720)와,
    회로 보드(20, 220, 720)에 장착되고, 복수개의 리드(42)를 통해 회로 보드(20, 220, 720)에 전기적으로 접속되며 수지 본체(46, 321, 461, 462)내에 몰드되는 반도체 칩(41), 복수개의 리드(42), 및 수지 본체(46, 321, 461, 462)를 포함하는 반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)와,
    반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)를 수용하는 케이스(50, 250, 750, 850)와,
    반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)와 접촉하여, 반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)로부터 발생되는 열을 회로 보드(20, 220, 720)로부터 반대편에 있는 반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)의 일측면 상에 위치하는 케이스(50, 250, 750, 850)의 일부분으로 전도하는 방열 겔(60, 260, 760)과,
    회로 보드(20, 220, 720)와 케이스(50, 250, 750, 850) 사이의 위치에 있는 방열 겔(60, 260, 760)의 이동을 제한하는 이동 제한 수단(54, 56, 511, 322, 531, 601, 602, 603, 605, 442, 447, 457, 273, 758, 759, 772, 773)을 포함하고,
    상기 이동 제한 수단(603)은, 반도체 장치(31 내지 34, 360, 231 내지 234, 731 내지 734)의 측면을 둘러싸도록 회로 보드(20, 220, 720)와 케이스(50, 250, 750, 850) 사이에 형성된, 벽부(603)를 포함하는, 전자 제어 장치.
  6. 회로 보드(20, 220, 720)와,
    회로 보드(20, 220, 720)에 장착되고, 복수개의 리드(42)를 통해 회로 보드(20, 220, 720)에 전기적으로 접속되며 수지 본체(46, 321, 461, 462)내에 몰드되는 반도체 칩(41), 복수개의 리드(42), 및 수지 본체(46, 321, 461, 462)를 포함하는 반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)와,
    반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)를 수용하는 케이스(50, 250, 750, 850)와,
    반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)와 접촉하여, 반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)로부터 발생되는 열을 회로 보드(20, 220, 720)로부터 반대편에 있는 반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)의 일측면 상에 위치하는 케이스(50, 250, 750, 850)의 일부분으로 전도하는 방열 겔(60, 260, 760)과,
    회로 보드(20, 220, 720)와 케이스(50, 250, 750, 850) 사이의 위치에 있는 방열 겔(60, 260, 760)의 이동을 제한하는 이동 제한 수단(54, 56, 511, 322, 531, 601, 602, 603, 605, 442, 447, 457, 273, 758, 759, 772, 773)을 포함하고,
    상기 이동 제한 수단(605)은, 방열 겔(60, 260, 760)의 표면을 덮는, 보호 부재(605)를 포함하는, 전자 제어 장치.
  7. 회로 보드(20, 220, 720)와,
    회로 보드(20, 220, 720)에 장착되고, 복수개의 리드(42)를 통해 회로 보드(20, 220, 720)에 전기적으로 접속되며 수지 본체(46, 321, 461, 462)내에 몰드되는 반도체 칩(41), 복수개의 리드(42), 및 수지 본체(46, 321, 461, 462)를 포함하는 반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)와,
    반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)를 수용하는 케이스(50, 250, 750, 850)와,
    반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)와 접촉하여, 반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)로부터 발생되는 열을 회로 보드(20, 220, 720)로부터 반대편에 있는 반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)의 일측면 상에 위치하는 케이스(50, 250, 750, 850)의 일부분으로 전도하는 방열 겔(60, 260, 760)과,
    회로 보드(20, 220, 720)와 케이스(50, 250, 750, 850) 사이의 위치에 있는 방열 겔(60, 260, 760)의 이동을 제한하는 이동 제한 수단(54, 56, 511, 322, 531, 601, 602, 603, 605, 442, 447, 457, 273, 758, 759, 772, 773)을 포함하고,
    상기 이동 제한 수단(601, 602)은, 방열 겔(60, 260, 760)과 케이스(50, 250, 750, 850) 사이에 형성된, 점착성을 가지는 시트 부재(601, 602)를 포함하는, 전자 제어 장치.
  8. 회로 보드(20, 220, 720)와,
    회로 보드(20, 220, 720)에 장착되고, 복수개의 리드(42)를 통해 회로 보드(20, 220, 720)에 전기적으로 접속되며 수지 본체(46, 321, 461, 462)내에 몰드되는 반도체 칩(41), 복수개의 리드(42), 및 수지 본체(46, 321, 461, 462)를 포함하는 반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)와,
    반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)를 수용하는 케이스(50, 250, 750, 850)와,
    반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)와 접촉하여, 반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)로부터 발생되는 열을 회로 보드(20, 220, 720)로부터 반대편에 있는 반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)의 일측면 상에 위치하는 케이스(50, 250, 750, 850)의 일부분으로 전도하는 방열 겔(60, 260, 760)과,
    회로 보드(20, 220, 720)와 케이스(50, 250, 750, 850) 사이의 위치에 있는 방열 겔(60, 260, 760)의 이동을 제한하는 이동 제한 수단(54, 56, 511, 322, 531, 601, 602, 603, 605, 442, 447, 457, 273, 758, 759, 772, 773)을 포함하고,
    상기 이동 제한 수단(531)은, 방열 겔(60, 260, 760)과 접촉하는, 케이스(50, 250, 750, 850)의 일부에 형성된, 조면부(531)를 포함하는, 전자 제어 장치.
  9. 삭제
  10. 회로 보드(20, 220, 720)와,
    회로 보드(20, 220, 720)에 장착되고, 복수개의 리드(42)를 통해 회로 보드(20, 220, 720)에 전기적으로 접속되며 수지 본체(46, 321, 461, 462)내에 몰드되는 반도체 칩(41), 복수개의 리드(42), 및 수지 본체(46, 321, 461, 462)를 포함하는 반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)와,
    반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)를 수용하는 케이스(50, 250, 750, 850)와,
    반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)와 접촉하여, 반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)로부터 발생되는 열을 회로 보드(20, 220, 720)로부터 반대편에 있는 반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)의 일측면 상에 위치하는 케이스(50, 250, 750, 850)의 일부분으로 전도하는 방열 겔(60, 260, 760)과,
    회로 보드(20, 220, 720)와 케이스(50, 250, 750, 850) 사이의 위치에 있는 방열 겔(60, 260, 760)의 이동을 제한하는 이동 제한 수단(54, 56, 511, 322, 531, 601, 602, 603, 605, 442, 447, 457, 273, 758, 759, 772, 773)을 포함하고,
    반도체 장치(31 내지 34, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734) 내의 방열판(44, 441, 445, 455)을 더 포함하며,
    방열판(44, 441, 445, 455)은 회로 보드(20, 220, 720)로부터 반대편에 있는, 반도체 칩(41)의 일면과 접촉하고,
    방열판(44, 441, 445, 455)의 적어도 일부는 수지 본체(46, 461, 462)로부터 노출되고,
    방열판(44, 441, 445, 455)은 방열 겔(60, 260, 760)과 접촉하고,
    상기 이동 제한 수단(442)은, 방열 겔(60, 260, 760)과 접촉하는, 방열판(441)의 일부에 형성된, 조면부(442)를 포함하는, 전자 제어 장치.
  11. 삭제
  12. 회로 보드(20, 220, 720)와,
    회로 보드(20, 220, 720)에 장착되고, 복수개의 리드(42)를 통해 회로 보드(20, 220, 720)에 전기적으로 접속되며 수지 본체(46, 321, 461, 462)내에 몰드되는 반도체 칩(41), 복수개의 리드(42), 및 수지 본체(46, 321, 461, 462)를 포함하는 반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)와,
    반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)를 수용하는 케이스(50, 250, 750, 850)와,
    반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)와 접촉하여, 반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)로부터 발생되는 열을 회로 보드(20, 220, 720)로부터 반대편에 있는 반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)의 일측면 상에 위치하는 케이스(50, 250, 750, 850)의 일부분으로 전도하는 방열 겔(60, 260, 760)과,
    회로 보드(20, 220, 720)와 케이스(50, 250, 750, 850) 사이의 위치에 있는 방열 겔(60, 260, 760)의 이동을 제한하는 이동 제한 수단(54, 56, 511, 322, 531, 601, 602, 603, 605, 442, 447, 457, 273, 758, 759, 772, 773)을 포함하고,
    반도체 장치(31 내지 34, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734) 내의 방열판(44, 441, 445, 455)을 더 포함하며,
    방열판(44, 441, 445, 455)은 회로 보드(20, 220, 720)로부터 반대편에 있는, 반도체 칩(41)의 일면과 접촉하고,
    방열판(44, 441, 445, 455)의 적어도 일부는 수지 본체(46, 461, 462)로부터 노출되고,
    방열판(44, 441, 445, 455)은 방열 겔(60, 260, 760)과 접촉하고,
    상기 이동 제한 수단(457)은, 방열판(455)에 형성된, 구멍부(457)를 포함하는, 전자 제어 장치.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 회로 보드(20, 220, 720)와,
    회로 보드(20, 220, 720)에 장착되고, 복수개의 리드(42)를 통해 회로 보드(20, 220, 720)에 전기적으로 접속되며 수지 본체(46, 321, 461, 462)내에 몰드되는 반도체 칩(41), 복수개의 리드(42), 및 수지 본체(46, 321, 461, 462)를 포함하는 반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)와,
    반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)를 수용하는 케이스(50, 250, 750, 850)와,
    반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)와 접촉하여, 반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)로부터 발생되는 열을 회로 보드(20, 220, 720)로부터 반대편에 있는 반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)의 일측면 상에 위치하는 케이스(50, 250, 750, 850)의 일부분으로 전도하는 방열 겔(60, 260, 760)과,
    회로 보드(20, 220, 720)와 케이스(50, 250, 750, 850) 사이의 위치에 있는 방열 겔(60, 260, 760)의 이동을 제한하는 이동 제한 수단(54, 56, 511, 322, 531, 601, 602, 603, 605, 442, 447, 457, 273, 758, 759, 772, 773)을 포함하고,
    반도체 장치(31 내지 34, 310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 390, 395, 231 내지 234, 731 내지 734)는 복수의 반도체 장치부(31 내지 34, 231 내지 234, 731 내지 734)를 포함하고,
    상기 반도체 장치부(31 내지 34, 231 내지 234, 731 내지 734)는 회로 보드(20, 220, 720)에 장착되고,
    방열 겔(60, 260, 760)은 각각의 반도체 장치부(31 내지 34, 231 내지 234, 731 내지 734) 상에 설치되고,
    상기 이동 제한 수단(56, 759, 772)은 케이스(50, 750, 850) 내에 형성된 리브(56, 759, 772)를 포함하고,
    상기 리브(56, 759, 772)는 반도체 장치부(31 내지 34, 231 내지 234, 731 내지 734)를 구획하는, 전자 제어 장치.
  17. 삭제
  18. 제5항, 제10항 또는 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    케이스(50, 250, 750, 850)는 제1 커버(51, 510, 520, 530, 540, 550, 560, 570, 251, 751, 851) 및 제2 커버(52, 271, 771, 871)를 포함하고,
    상기 제1 커버(51, 510, 520, 530, 540, 550, 560, 570, 251, 751, 851)는 회로 보드(20, 220, 720)의 제1 면(21, 221, 721)을 덮고, 상기 제2 커버(52, 271, 771, 871)는 제1 면(21, 221, 721)으로부터 반대편에 있는 회로 보드(20, 220, 720)의 제2 면(22, 222, 722)을 덮고,
    제1 커버(251, 751, 851)는,
    회로 보드(220, 720)에 대향하는 커버면(253, 753)과,
    상기 커버면(253, 753)의 외주부에 회로 보드(220, 720)를 향하는 방향으로 형성된 측벽(254, 754, 854)과,
    상기 측벽(254, 754, 854)의 내측면으로부터 내향으로 돌출하며, 회로 보드(220, 720)를 래칭하기 위한 갈고리부(261 내지 266)를 포함하는, 전자 제어 장치.
  19. 제18항에 있어서, 제1 커버(251, 751)는 코킹부(267 내지 269)를 포함하고,
    회로 보드(220, 720) 및 제2 커버(271, 771)는 갈고리부(261 내지 266)와 코킹부(267 내지 269) 사이에 협지되는, 전자 제어 장치.
  20. 제18항에 있어서, 갈고리부(261 내지 266)의 회로 보드(220, 720) 측 단부면은 측벽(254, 754, 854)에 실질적으로 수직인 평면 형상을 가지도록 형성된, 전자 제어 장치.
  21. 제5항, 제10항 또는 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    케이스(50, 250, 750, 850)는 제1 커버(51, 510, 520, 530, 540, 550, 560, 570, 251, 751, 851) 및 제2 커버(52, 271, 771, 871)를 포함하고,
    상기 제1 커버(51, 510, 520, 530, 540, 550, 560, 570, 251, 751, 851)는 회로 보드(20, 220, 720)의 제1 면(21, 221, 721)을 덮고, 상기 제2 커버(52, 271, 771, 871)는 제1 면(21, 221, 721)으로부터 반대편에 있는 회로 보드(20, 220, 720)의 제2 면(22, 222, 722)을 덮고,
    제1 커버(51, 510, 520, 530, 540, 550, 560, 570, 251, 751, 851) 및 제2 커버(271, 771, 871) 중 적어도 하나는 고정 구멍(74, 276, 876)을 가지는 고정부(71, 275, 875)를 가지고,
    고정부(71, 275, 875)는 제1 커버(51, 510, 520, 530, 540, 550, 560, 570, 251, 751, 851) 및 제2 커버(271, 771, 871) 중 적어도 하나의 외주부로부터 외향으로 돌출하는, 전자 제어 장치.
  22. 제5항, 제10항 또는 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    케이스(50, 250, 750, 850)는 제1 커버(51, 510, 520, 530, 540, 550, 560, 570, 251, 751, 851) 및 제2 커버(52, 271, 771, 871)를 포함하고,
    상기 제1 커버(51, 510, 520, 530, 540, 550, 560, 570, 251, 751, 851)는 회로 보드(20, 220, 720)의 제1 면(21, 221, 721)을 덮고, 상기 제2 커버(52, 271, 771, 871)는 제1 면(21, 221, 721)으로부터 반대편에 있는 회로 보드(20, 220, 720)의 제2 면(22, 222, 722)을 덮고,
    제2 커버(271, 771, 871)는 회로 보드(220, 720)를 향해 돌출하는 가이드부(279)를 가지고,
    회로 보드(220, 720)는 가이드부(279)에 상응하는 위치에 형성된 가이드 구멍부(225)를 가지는, 전자 제어 장치.
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