JP7077764B2 - 回路装置 - Google Patents

Description

本明細書によって開示される技術は、回路装置に関する。

回路基板と、この回路基板にねじにより固定され、回路基板から発生する熱を放熱する放熱部材とを備える回路装置が知られている。放熱部材には、ねじ穴を有する座部が突設されており、回路基板を貫通して座部にねじ付けられるねじによって、回路基板が放熱部材に固定されている。このような回路装置において、回路基板から発生する熱を放熱部材に伝達する機能を有する放熱グリスが、回路基板と放熱部材との間に配されることがある。（特許文献１参照）

特開２０１５－１２６１０５号公報

回路基板を放熱部材に固定する際には、放熱部材の表面に放熱グリスを塗布した後、座部上に回路基板を載置し、回路基板にねじを貫通させて座部にねじ付ける。ねじ止めの際に、放熱グリスが回路基板と放熱部材との間で押し広げられて座部に到達すると、座部と回路基板との隙間に放熱グリスが侵入して放熱グリスの厚さの管理が困難となったり、ねじ穴に放熱グリスが侵入してねじのトルク管理が困難となったりして、組付工程に支障が生じるおそれがある。

本明細書によって開示される回路装置は、回路基板を備える回路構成体と、前記回路基板に対向して配置される基部と、前記基部から前記回路基板に向かって突出し、前記回路基板と当接する台座部とを備え、前記回路基板に対してねじ止めにより固定される固定部材と、前記回路基板と前記基部との間に介在し、流動性を有する伝熱材と、を備え、前記基部が、前記回路基板と対向する第１対向面に、前記伝熱材が塗布される伝熱材塗布領域を有し、前記回路基板が、前記基部と対向する第２対向面から、前記基部における前記台座部と前記伝熱材塗布領域との中間領域に向かって延びる遮蔽壁を備える。

上記の構成によれば、ねじ止めの際に、回路基板と固定部材との間で押し広げられる伝熱材が、遮蔽壁によって押しとどめられる。これにより、伝熱材が台座部に到達して回路基板との隙間に入り込み、組付工程に支障が生じることが回避される。

上記の構成において、前記固定部材が放熱部材であってもよい。あるいは、前記回路構成体が、前記回路基板に搭載され、通電により発熱する発熱部品を備えており、前記固定部材が、前記発熱部品を覆う覆い部材であってもよい。

上記の構成において、前記基部が、前記遮蔽壁と重なる位置に、前記回路基板と対向する面から凹む溝を有していても構わない。
このような構成によれば、遮蔽壁と溝とを併用することにより、伝熱材が台座部に到達して組付工程に支障が生じることが確実に回避される。

本明細書によって開示される回路装置によれば、組付工程に支障が生じることを回避することができる。

実施形態１の回路装置の平面図 図１のＡ－Ａ線断面図 図２の領域Ｒ１内の拡大図 実施形態１の遮蔽壁の斜視図 実施形態１の回路基板において遮蔽壁が取り付けられた部分を放熱面側から見た部分拡大斜視図 実施形態１において、放熱グリスが塗布されたヒートシンクの平面図 実施形態１において、回路構成体をヒートシンクに組み付ける様子を示す斜視図 実施形態１において、ヒートシンクに塗布された放熱グリスが、回路構成体を組み付ける際に回路基板と主板部との間で押し潰されて広がった様子を、回路構成体を省略して示す平面図 変形例の回路装置を、図１のＡ－Ａ線と同位置で切断して示す断面図 図９の領域Ｒ２内の拡大図 変形例において、放熱グリスが塗布されたヒートシンクの平面図 実施形態２の回路装置の平面図 実施形態２の回路装置を、図１のＡ－Ａ線と同位置で切断して示す部分拡大断面図 実施形態２の回路基板において遮蔽壁が取り付けられた部分を実装面側から見た部分拡大斜視図 実施形態２において、放熱グリスが塗布された覆い部材の底面図 実施形態２において、覆い部材と回路構成体とをヒートシンクに組み付ける様子を示す斜視図

＜実施形態１＞
実施形態１を、図１～図８を参照しつつ説明する。本実施形態の回路装置１は、電気自動車やハイブリッド自動車等の車両において、バッテリと各種の車載電装品との間に配置されるＤＣ－ＤＣコンバータやＡＣ／ＤＣインバータなどとして使用される装置である。この回路装置１は、図７に示すように、回路構成体１０と、この回路構成体１０にねじ止めされるヒートシンク２０（固定部材、放熱部材に該当）と、回路構成体１０に取り付けられる遮蔽壁１５と、回路構成体１０とヒートシンク２０との間に介在する放熱グリスＧ（伝熱材に該当）とを備えている。

回路構成体１０は、図７に示すように、回路基板１１と、この回路基板１１に搭載される複数の半導体スイッチング素子１４とを備えている。回路基板１１は、図３に示すように、ガラス基材またはガラス不織布基材からなる絶縁板１１Ｂの一面に、プリント配線技術により形成された導電回路１１Ｃを備える一般的な構成を有している。なお、図１および図７では、導電回路１１Ｃを省略して、回路基板１１全体を模式的に示している。複数の半導体スイッチング素子１４は、図１、図２および図７に示すように、回路基板１１の表裏両面のうち一面（実装面１１Ｆ１：図２の上面）に、一列に並んで配置されている。

回路基板１１は、図７に示すように、回路基板１１とヒートシンク２０とを組み付けるためのねじＢを挿通可能な複数のねじ挿通孔１２Ａ、１２Ｂを有している。複数のねじ挿通孔１２Ａ、１２Ｂのうち１つは、半導体スイッチング素子１４の近傍に配置される第１ねじ挿通孔１２Ａである。複数の他のねじ挿通孔１２Ｂは、それぞれ、回路基板１１の周縁部に配置されている。

回路基板１１は、遮蔽壁１５を取り付けるための取付孔１３を有している。取付孔１３は、図３および図５に示すように、互いに間隔を空けて配置される一対のハーフパイプ状の湾曲壁１３Ａ、１３Ｂと、２つの湾曲壁１３Ａ、１３Ｂを繋ぐ一対の繋ぎ壁１３Ｃとで規定され、回路基板１１を貫通する孔である。取付孔１３は、図１および図３に示すように、第１ねじ挿通孔１２Ａと半導体スイッチング素子１４との間に配置されており、２つの湾曲壁１３Ａ、１３Ｂは、図５に示すように、第１ねじ挿通孔１２Ａ側に凹となる向きで配置されている。

遮蔽壁１５は、金属製であって、図４に示すように、ハーフパイプ状に湾曲した板状の部材である。この遮蔽壁１５は、図１、図３および図５に示すように、大部分が取付孔１３の内部に収容され、一部が回路基板１１の表裏両面のうち他面（放熱面１１Ｆ２：図２の下面：第２対向面に該当）から突出しており、第１ねじ挿通孔１２Ａ側に凹となる向きで配置されている。取付孔１３の内壁面（湾曲壁１３Ａ、１３Ｂおよび繋ぎ壁１３Ｃ）と遮蔽壁１５との隙間は、図３に示すように、半田Ｈで埋められており、これにより、遮蔽壁１５が回路基板１１に固着されている。

ヒートシンク２０は、熱伝導性の高いアルミニウム、アルミニウム合金等の金属によって構成された部材であって、図２に示すように、回路基板１１に対向して配置される主板部２１（基部に該当）と、主板部２１から突出する複数の放熱フィン２２とを備える。主板部２１は、回路基板１１よりも一回り大きな平板状の部分である。複数の放熱フィン２２のそれぞれは、主板部２１の表裏両面のうち一面（図２の下面）から、主板部２１に対して垂直に突出する板状の部分であって、互いに平行に配されている。

主板部２１の表裏両面のうち他面（図２の上面）は、回路基板１１と対向する伝熱面２１Ｆ（第１対向面に該当）であって、この伝熱面２１Ｆからは、図７に示すように、回路基板１１を支持する台座となる複数のボス部２３Ａ、２３Ｂが突出している。複数のボス部２３Ａ、２３Ｂのそれぞれは、図７に示すように、円柱状であって、図３に示すように、回路基板１１との対向面に開口するねじ穴２４を有している。複数のボス部２３Ａ、２３Ｂは、それぞれ、回路基板１１のねじ挿通孔１２Ａ、１２Ｂに対応する位置に配置されている。複数のボス部２３Ａ、２３Ｂのうち１つは、第１ねじ挿通孔１２Ａと対応する位置に配置される第１ボス部２３Ａ（台座部に該当）である。複数の他のボス部２３Ｂのそれぞれは、複数の他のねじ挿通孔１２Ｂのそれぞれと対応する位置に配置されている。

伝熱面２１Ｆのうち一部は、図６に示すように、回路基板１１とヒートシンク２０との組み付けの際に放熱グリスＧが塗布される第１グリス塗布領域２１Ｇとなっている。第１グリス塗布領域２１Ｇは、ヒートシンク２０に回路基板１１が組み付けられた状態で、半導体スイッチング素子１４と重なる領域（図２において、複数の半導体スイッチング素子１４の直下となる領域）に位置している。

回路基板１１は、放熱面１１Ｆ２を主板部２１に向けて、複数のボス部２３Ａ、２３Ｂ上に支持されている。複数のねじＢのそれぞれが複数のねじ挿通孔１２Ａ、１２Ｂのそれぞれに挿通され、ボス部２３Ａ、２３Ｂのそれぞれにねじ付けられており、これにより、回路基板１１がヒートシンク２０に対して固定されている。回路基板１１と主板部２１との間には、ボス部２３Ａ、２３Ｂの高さ分の隙間があり、この隙間の一部は、図２および図３に示すように、放熱グリスＧで埋められている。より具体的には、放熱グリスＧは、回路基板１１と主板部２１との間において、半導体スイッチング素子１４と重なる領域（図２および図３において、複数の半導体スイッチング素子１４の直下となる領域）に介在している。

放熱グリスＧは、空気よりも高い熱伝導性を有するとともに、塗布された直後には、ねじＢの締結による回路基板１１および主板部２１からの加圧によって流動する程度の流動性を有しており、その後徐々に、含まれる溶剤の揮発や、空気中の水分の吸収などによって、回路装置１を傾けても垂れ落ちない程度に固化する性質を有していることが望ましい。このような放熱グリスＧとしては、例えばシリコーングリスを使用できる。

回路基板１１に形成された導電回路１１Ｃに通電されると、複数の半導体スイッチング素子１４が発熱する。発生した熱は、放熱グリスＧを介してヒートシンク２０に伝わり、ヒートシンク２０から放熱される。

回路基板１１とヒートシンク２０とを組み付けて上記のような回路装置１を製造する工程について以下に説明する。

まず、図６に示すように、ヒートシンク２０の第１グリス塗布領域２１Ｇに、放熱グリスＧを塗布する。次に、図７に示すように、回路基板１１を、複数のねじ挿通孔１２Ａ、１２Ｂのそれぞれと複数のボス部２３Ａ、２３Ｂのそれぞれとを位置合わせしつつ、ボス部２３Ａ、２３Ｂ上に載置する。回路基板１１が所定位置に配置された状態では、第１グリス塗布領域２１Ｇが、複数の半導体スイッチング素子１４と重なる領域（図２において、複数の半導体スイッチング素子１４の直下となる領域）に配置され、遮蔽壁１５が、第１ボス部２３Ａ側に凹となる向きで、第１グリス塗布領域２１Ｇに塗布された放熱グリスＧと第１ボス部２３Ａとの中間領域に向かって延びている。

次に、複数のねじＢのそれぞれを複数のねじ挿通孔１２Ａ、１２Ｂのそれぞれに挿通し、複数のボス部２３Ａ、２３Ｂのそれぞれにねじ付けることにより、回路基板１１をヒートシンク２０に固定する。このとき、ねじＢの締結による加圧に伴って、放熱グリスＧが回路基板１１と主板部２１との間で押し潰され、図８に示すように、第１グリス塗布領域２１Ｇから外側に向かって広がる。放熱グリスＧの一部は、第１ボス部２３Ａに向かって広がろうとするが、図３および図８に示すように、遮蔽壁１５によって押しとどめられる。ここで、図３に示すように、遮蔽壁１５が回路基板１１から主板部２１に向かって垂下されており、第１ボス部２３Ａが主板部２１から回路基板１１に向かって立ち上がっている。このため、放熱グリスＧが遮蔽壁１５と主板部２１との隙間から僅かに第１ボス部２３Ａの根元付近まで侵入することはあっても、第１ボス部２３Ａに乗り上げてしまうことは避けられる。これにより、放熱グリスＧが第１ボス部２３Ａと回路基板１１との隙間に入り込んで、放熱グリスＧの厚さが設定値以上になってしまうことを回避できる。また、放熱グリスＧが第１ボス部２３Ａのねじ穴２４に侵入してねじＢのトルク管理が困難になることを回避できる。

以上のように本実施形態によれば、回路装置１は、回路構成体１０と、ヒートシンク２０と、放熱グリスＧとを備える。回路構成体１０は、回路基板１１を備えている。ヒートシンク２０は、回路基板１１に対向して配置される主板部２１と、主板部２１から回路基板１１に向かって突出し、回路基板１１と当接するボス部２３Ａ、２３Ｂとを備え、回路基板１１に対してねじ止めにより固定される部材である。放熱グリスＧは、回路基板１１と主板部２１との間に介在し、流動性を有する伝熱材である。主板部２１が、回路基板１１と対向する伝熱面２１Ｆに、放熱グリスＧが塗布される第１グリス塗布領域２１Ｇを有している。回路基板１１が、主板部２１と対向する放熱面１１Ｆ２から、主板部２１における第１ボス部２３Ａと第１グリス塗布領域２１Ｇとの中間領域に向かって延びる遮蔽壁１５を備える。

上記の構成によれば、回路基板１１とヒートシンク２０とのねじ止めの際に、回路基板１１とヒートシンク２０との間で押し広げられる放熱グリスＧが、遮蔽壁１５によって押しとどめられる。これにより、放熱グリスＧが第１ボス部２３Ａに到達して回路基板１１との隙間に入り込み、組付工程に支障が生じることが回避される。

＜変形例＞
変形例を、図９～１１を参照しつつ説明する。変形例の回路装置３０は、実施形態１と同様に、回路基板１１と複数の半導体スイッチング素子１４とを備える回路構成体１０と、この回路構成体１０にねじ止めされるヒートシンク４０と、回路構成体１０に取り付けられる遮蔽壁１５と、回路構成体１０とヒートシンク４０との間に介在する放熱グリスＧとを備えている（図９参照）。

ヒートシンク４０は、実施形態と同様に、回路基板１１に対向して配置される板状の主板部４１と、主板部４１から突出する複数の放熱フィン２２とを備える（図９参照）。

ヒートシンク４０は、せき止め溝４２（溝に該当）を有している。せき止め溝４２は、図１０に示すように、主板部４１において回路基板１１と対向する伝熱面４１Ｆ（第１対向面に該当）から凹む溝であって、図１１に示すように、第１ボス部２３Ａと第１グリス塗布領域２１Ｇの間に配置され、第１ボス部２３Ａ側に凹となるように湾曲しつつ延びている。せき止め溝４２は、図１０に示すように、ヒートシンク４０に回路基板１１が組み付けられた状態で、遮蔽壁１５と重なる領域（図１０において、遮蔽壁１５の直下となる領域）に配置されている。なお、せき止め溝４２は、遮蔽壁１５と完全に重なっていなくてもよく、一部が少しずれていても構わない。

その他の構成は、実施形態１と同様であるので、同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。

本変形例によれば、遮蔽壁１５とせき止め溝４２とを併用することにより、放熱グリスＧが第１ボス部２３Ａに到達して組付工程に支障が生じることが確実に回避される。

＜実施形態２＞
実施形態２を、図１２～１６を参照しつつ説明する。実施形態２の回路装置５０は、回路構成体６０と、この回路構成体６０にねじ止めされるヒートシンク７０と、同じく回路構成体６０にねじ止めされる覆い部材８０（固定部材に該当）と、回路構成体６０とヒートシンク７０との間、および、回路構成体６０と覆い部材８０との間に介在する放熱グリスＧとを備えている。

回路構成体６０は、実施形態１と同様に、回路基板６１と、この回路基板６１の一面（実装面６１Ｆ１：第２対向面に該当）に搭載される複数の半導体スイッチング素子１４（発熱部品に該当）とを備えている（図１３および図１６参照）。

回路基板６１は、図１６に示すように、覆い部材８０およびヒートシンク７０との組み付けのためのねじＢを挿通可能な複数のねじ挿通孔６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃを有している。複数のねじ挿通孔６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃのうち２つは、半導体スイッチング素子１４の列を挟んで互いに反対側に配置されている第１ねじ挿通孔６２Ａおよび第２ねじ挿通孔６２Ｂである。第１ねじ挿通孔６２Ａは、第２ねじ挿通孔６２Ｂよりも、半導体スイッチング素子１４の列に近接して配置されている。複数の他のねじ挿通孔６２Ｃは、それぞれ、回路基板６１の周縁部に配置されている。

回路基板６１には、遮蔽壁１５が取り付けられている。遮蔽壁１５の形状および取付形態は、図１３および図１４に示すように、一部が回路基板６１の実装面６１Ｆ１から突出するように取り付けられている点を除いて、実施形態１と同様である。

ヒートシンク７０は、実施形態１と同様に、回路基板１１に対向して配置される板状の主板部７１（基部に該当）と、主板部７１の一面から突出する複数の放熱フィン２２とを備える（図１６参照）。主板部７１において、回路基板１１と対向する伝熱面７１Ｆからは、回路基板１１を支持する台座となる複数のボス部が突出している。複数のボス部のうち第１ボス部７２Ａは、図１３に示すように、第１ねじ挿通孔６２Ａと対応する位置に配置されている。他のボス部は、詳細には図示しないが、回路基板６１のねじ挿通孔６２Ｂ、６２Ｃに対応する位置にそれぞれ配置されている。第１ボス部７２Ａは、円柱状であって、図１３に示すように、回路基板１１との対向面に開口するねじ穴２４を有している。他のボス部も同様である。

覆い部材８０は、図１５に示すように、覆い部８１（基部に該当）と、この覆い部８１から突出する２つの取付柱（第１取付柱８２Ａ、第２取付柱８２Ｂ）とを備えている。覆い部８１は、細長い板状の部分であって、表裏両面のうち一面は、図１３に示すように、回路基板６１と対向する基板対向面８１Ｆ（第１対向面に該当）となっている。２つの取付柱８２Ａ、８２Ｂのそれぞれは、基板対向面８１Ｆから突出する円柱状の部分である。図１５に示すように、第１取付柱８２Ａ（台座部に該当）は、覆い部８１の一端に、第２取付柱８２Ｂは、覆い部８１の他端に配置されている。基板対向面８１Ｆのうち２つの取付柱８２Ａ、８２Ｂに挟まれた領域の一部は、回路基板６１と覆い部材８０との組み付けの際に放熱グリスＧが塗布される第２グリス塗布領域８１Ｇ（伝熱材塗布領域に該当）となっている。第２グリス塗布領域８１Ｇは、第２取付柱８２Ｂよりも第１取付柱８２Ａに近接して配置されている。覆い部材８０は、覆い部８１と２つの取付柱８２Ａ、８２Ｂのそれぞれとを貫通する２つの貫通孔８３を有している。

回路基板６１は、図１３に示すように、実装面６１Ｆ１と反対側の面（放熱面６１Ｆ２）を主板部７１に向けて、複数のボス部上に支持されている。複数のねじＢのそれぞれが複数のねじ挿通孔６２Ｃのそれぞれに挿通され、複数のねじ挿通孔６２Ｃに対応して配置されている複数のボス部（図示せず）のそれぞれにねじ付けられている。これにより、回路基板６１がヒートシンク７０に対して固定されている。回路基板６１と主板部７１との間には、ボス部の高さ分の隙間があり、この隙間の一部は、実施形態１と同様に、放熱グリスＧで埋められている。

また、覆い部材８０は、基板対向面８１Ｆを回路基板６１に向けて、取付柱８２Ａ、８２Ｂが実装面６１Ｆ１に当接するようにして、回路基板６１上に重ねられ、複数の半導体スイッチング素子１４を覆っている。図１３に示すように、１本のねじＢが、第１取付柱８２Ａの貫通孔８３および第１ねじ挿通孔６２Ａに挿通され、第１ボス部７２Ａにねじ付けられている。他の１本のねじＢが、第２取付柱８２Ｂの貫通孔８３および第２ねじ挿通孔６２Ｂに挿通され、第２ねじ挿通孔６２Ｂに対応する位置に配置されている他のボス部（図示せず）にねじ付けられている。これにより、覆い部材８０が回路基板６１に固定されている。回路基板６１と覆い部８１との間には、図１３に示すように、取付柱８２Ａ、８２Ｂの高さ分の隙間があり、この隙間は、第２取付柱８２Ｂに近接する一部を除く大部分が、放熱グリスＧで埋められている。複数の半導体スイッチング素子１４は、放熱グリスＧの内部に埋設された状態となっている。

その他の構成は実施形態１と同様であるので、同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。

回路基板６１とヒートシンク７０と覆い部材８０とを組み付けて上記のような回路装置５０を製造する工程について以下に説明する。

回路基板６１とヒートシンク７０とを組み付ける工程は、実施形態１と同様である。

回路基板６１とヒートシンク７０とを組み付けた組付体に、覆い部材８０を組み付ける。覆い部材８０の第２グリス塗布領域８１Ｇに、図１５に示すように、放熱グリスＧを塗布する。放熱グリスＧを塗布した覆い部材８０を、図１６に示すように、第１取付柱８２Ａと第１ねじ挿通孔６２Ａ、第２取付柱８２Ｂと第２ねじ挿通孔６２Ｂを、それぞれ位置合わせしつつ、回路基板６１に重ねる。覆い部材８０が所定位置に配置された状態では、第２グリス塗布領域８１Ｇが、複数の半導体スイッチング素子１４と重なる領域（図１３において、複数の半導体スイッチング素子１４の直上となる領域）に配置され、遮蔽壁１５が、第１取付柱８２Ａ側に凹となる向きで、第２グリス塗布領域８１Ｇと第１取付柱８２Ａとの中間領域に向かって延びている。

そして、１本のねじＢを、第１取付柱８２Ａの貫通孔８３および第１ねじ挿通孔６２Ａに挿通して第１ボス部７２Ａにねじ付ける。同様に、他の１本のねじＢを、第２取付柱８２Ｂの貫通孔８３および第２ねじ挿通孔６２Ｂに挿通して、これらと対応するボス部（図示せず）にねじ付ける。

このとき、ねじＢの締結による加圧によって、放熱グリスＧが覆い部８１と回路基板６１との間で押し潰され、図１２に示すように、第２グリス塗布領域８１Ｇの外側に広がる。放熱グリスＧの一部は、第１取付柱８２Ａに向かって広がろうとするが、遮蔽壁１５によって押しとどめられる。ここで、遮蔽壁１５が回路基板６１から覆い部８１に向かって立ち上がっており、第１取付柱８２Ａが覆い部８１から回路基板６１に向かって垂下されている。このため、放熱グリスＧが、図１３に示すように、遮蔽壁１５に乗り上げて遮蔽壁１５と回路基板６１との隙間から第１取付柱８２Ａの方へ僅かに入り込むことはあっても、遮蔽壁１５を乗り越えて垂れ落ち、第１取付柱８２Ａの先端部（図１３の下端部）に到達することは避けられる。これにより、放熱グリスＧが第１取付柱８２Ａと回路基板６１との隙間に入り込んで、放熱グリスＧの厚さが設定値以上になってしまうことを回避できる。また、放熱グリスＧが第１取付柱８２Ａのねじ穴２４に侵入してねじＢのトルク管理が困難になることを回避できる。

以上のように本実施形態によれば、回路装置５０は、回路構成体６０と、覆い部材８０と、放熱グリスＧとを備える。回路構成体６０は、回路基板６１と、この回路基板６１に搭載される半導体スイッチング素子１４とを備えている。覆い部材８０は、回路基板６１に対向して配置される覆い部８１と、覆い部８１から回路基板６１に向かって突出し、回路基板６１と当接する取付柱８２Ａ、８２Ｂとを備え、回路基板６１に対してねじ止めにより固定される部材である。放熱グリスＧは、回路基板６１と覆い部８１との間に介在し、流動性を有する伝熱材である。覆い部８１が、回路基板６１と対向する基板対向面８１Ｆに、放熱グリスＧが塗布される第２グリス塗布領域８１Ｇを有している。回路基板６１が、覆い部８１と対向する実装面１１Ｆ１から、覆い部８１において第１取付柱８２Ａと第２グリス塗布領域８１Ｇとの中間領域に向かって延びる遮蔽壁１５を備える。

上記の構成によれば、回路基板６１と覆い部材８０とのねじ止めの際に、回路基板６１と覆い部材８０との間で押し広げられる放熱グリスＧが、遮蔽壁１５によって押しとどめられる。これにより、放熱グリスＧが第１取付柱８２Ａに到達して回路基板６１との隙間に入り込み、組付工程に支障が生じることが回避される。

＜他の実施形態＞
本明細書によって開示される技術は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような種々の態様も含まれる。
（１）上記実施形態では、遮蔽壁１５が金属製であり、取付孔１３の内壁面と遮蔽壁１５との隙間が半田Ｈで埋められていたが、例えば、遮蔽壁が合成樹脂製であり、取付孔の内壁面と遮蔽壁との隙間が接着剤で埋められていても構わない。

（２）上記実施形態では、回路基板１１が遮蔽壁１５の取り付けのための取付孔１３を有していたが、回路基板が取付孔を有さず、遮蔽壁が回路基板の表面に半田付けまたは接着剤によって固着されていても構わない。

（３）上記実施形態では、発熱部品が半導体スイッチング素子であったが、発熱部品は、例えば抵抗、コイルなどであっても構わない。

（４）上記実施形態では、伝熱材として放熱グリスを用いたが、塗布された直後には流動性を有しており、その後に硬化する接着剤を用いてもよい。

１、３０、５０…回路装置
１０…回路構成体
１１、６１…回路基板
１１Ｆ２…放熱面（第２対向面）
１４…半導体スイッチング素子（発熱部品）
１５…遮蔽壁
２０、４０…ヒートシンク（固定部材、放熱部材）
２１、４１…主板部（基部）
２１Ｆ、４１Ｆ…伝熱面（第１対向面）
２１Ｇ…第１グリス塗布領域（伝熱材塗布領域）
２３Ａ…第１ボス部（台座部）
４２…せき止め溝（溝）
６１Ｆ１…実装面（第２対向面）
８０…覆い部材（固定部材）
８１…覆い部（基部）
８１Ｆ…基板対向面（第１対向面）
８１Ｇ…第２グリス塗布領域（伝熱材塗布領域）
８２Ａ…第１取付柱（台座部）
Ｇ…放熱グリス（伝熱材）

Claims (3)

1. 回路基板を備える回路構成体と、
   前記回路基板に対向して配置される基部と、前記基部から前記回路基板に向かって突出し、前記回路基板と当接する台座部とを備え、前記回路基板に対してねじ止めにより固定される固定部材と、
   前記回路基板と前記基部との間に介在し、塗布された直後には流動性を有し、その後に固化する性質を有する伝熱材と、を備え、
   前記基部が、前記回路基板と対向する第１対向面に、前記伝熱材が塗布される伝熱材塗布領域を有し、
   前記回路基板が、前記基部と対向する第２対向面から、前記基部における前記台座部と前記伝熱材塗布領域との中間領域に向かって延びる遮蔽壁を備え、
   前記遮蔽壁と前記基部との間には隙間があり、
   前記基部が、前記遮蔽壁と重なる位置に、前記第１対向面から凹む溝を有している、回路装置。
2. 前記固定部材が放熱部材である、請求項１に記載の回路装置。
3. 前記回路構成体が、前記回路基板に搭載され、通電により発熱する発熱部品を備えており、
   前記固定部材が、前記発熱部品を覆う覆い部材である、請求項１に記載の回路装置。

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