JP5967071B2 - 電子制御装置、および、これを用いた電動パワーステアリング装置 - Google Patents

Description

本発明は、電子制御装置、および、これを用いた電動パワーステアリング装置に関する。

従来、半導体モジュールから発生する熱をヒートシンク等の他部材に放熱させる電子制御装置が公知である。例えば特許文献１では、半導体モジュールとヒートシンクとの間に絶縁放熱シートまたは放熱ゲルを設け、半導体モジュールにて生じる熱を背面からヒートシンクへ放熱させる。

特開２０１１−２３４５９号公報

しかしながら特許文献１では、半導体モジュールにて生じる熱を基板側に放熱させる点については考慮されていない。
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、発熱素子にて生じる熱を高効率に放熱可能な電子制御装置、および、これを用いた電動パワーステアリング装置を提供することにある。

本発明の電子制御装置は、基板と、発熱素子と、コネクタと、ヒートシンクと、を備える。
基板は、絶縁層、および、一部が絶縁層から露出する第１層配線パターンを有する。
発熱素子は、基板に実装され、第１層配線パターンと電気的に接続される。
コネクタは、第１層配線パターンと接続される接続端子を有する。

ヒートシンクは、発熱素子を挟んで基板と反対側に設けられ、発熱素子と放熱可能な状態にて接触する。
第１層配線パターンは、コネクタと隣り合って配置される発熱素子が実装される実装領域と当該発熱素子と電気的に接続される接続端子の接続箇所とを含む領域に形成される第１ランドパターンを有する。
基板は、複数の配線パターン（２１〜２４、１２３、１２４、１３２、１４１〜１４４）が積層される多層基板であり、第１層配線パターンと絶縁層を挟んで積層される配線パターンである第２層配線パターン（２２、１４２）を有する。第２層配線パターンは、第１ランドパターンと重複し、かつ、第１ランドパターンと同等以上の領域に形成され、コネクタのグランド端子（７２）と接続される第１グランドパターン（２２１、２２３）を有する。

本発明では、発熱素子とヒートシンクとは、放熱可能な状態にて接触する。これにより、発熱素子への通電により生じる熱は、ヒートシンクへ放熱される。
また、コネクタと隣り合って配置される発熱素子と電気的に接続される第１ランドパターンは、接続端子の接続箇所を含む領域に形成され、低インピーダンスのパターンとなっている。そのため、コネクタに隣り合って配置される発熱素子への通電により生じる熱は、第１ランドパターンおよび接続端子を経由して、コネクタから放熱される。これにより、コネクタと隣り合って配置される発熱素子への通電により生じる熱は、ヒートシンク側への放熱に加え、基板を経由してコネクタ側への放熱も可能である。すなわち、本発明では、ヒートシンクだけでなく基板側からも放熱可能であり、放熱経路が増えるので、放熱効率が向上する。これにより、ヒートシンクの小型化が可能であり、ひいては電子制御装置の装置全体の小型化に寄与する。

また、電子制御装置は、電動パワーステアリング装置に好適に適用される。
発熱素子の少なくとも一部は、駆動素子である。電動パワーステアリング装置は、電子制御装置と、回転電機と、を備える。回転電機は、駆動装置のオンオフ作動により駆動が制御され、運転者による操舵を補助する補助トルクを出力する。

電動パワーステアリング装置に適用される電子制御装置では、発熱素子に大電流が通電されるため、発熱量が大きい。本発明では、発熱素子への通電により生じる熱を、ヒートシンクに加え、基板を経由してコネクタへ高効率に放熱させることができる。これにより、ヒートシンクを小型化可能であり、装置全体の体格を小型化することができる。

本発明の第１実施形態による電動パワーステアリング装置の構成を示す模式図である。 本発明の第１実施形態による電子制御装置の回路構成を示す回路図である。 本発明の第１実施形態による電子制御装置を示す平面図である。 図３のＩＶ−ＩＶ線断面図である。 本発明の第１実施形態によるコネクタと隣り合う発熱素子を示す断面図である。 図３のＶＩ−ＶＩ線断面図である。 本発明の第１実施形態の第１層配線パターンを示す平面図である。 本発明の第１実施形態の第２層配線パターンを示す平面図である。 本発明の第２実施形態による電子制御装置を示す断面図である。 本発明の第２実施形態によるコネクタと隣り合う発熱素子を示す断面図である。 本発明の第３実施形態による電子制御装置を示す断面図である。 本発明の第３実施形態によるコネクタと隣り合う発熱素子を示す断面図である。 本発明の第４実施形態による電子制御装置を示す平面図である。 図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線断面図である。 本発明の第４実施形態によるコネクタと隣り合う発熱素子を示す断面図である。 本発明の第４実施形態の第１層配線パターンを示す平面図である。 本発明の第５実施形態による電子制御装置を示す平面図である。 図１７のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線断面図である。 本発明の第５実施形態によるコネクタと隣り合う発熱素子を示す断面図である。 本発明の第５実施形態による第１層配線パターンを示す平面図である。 本発明の第６実施形態によるコネクタと隣り合う発熱素子を示す断面図である。 本発明の第６実施形態による配線パターンを示す断面図である。 本発明の第６実施形態による第３層配線パターンを示す平面図である。 本発明の第６実施形態による第４層配線パターンを示す平面図である。 本発明の第７実施形態による第２層配線パターンを示す平面図である。 本発明の第８実施形態によるコネクタと隣り合う発熱素子を示す断面図である。 本発明の第８実施形態による配線パターンを示す断面図である。 本発明の第８実施形態による第１層配線パターンを示す平面図である。 本発明の第８実施形態による第２層配線パターンを示す平面図である。 本発明の第８実施形態による第４層配線パターンを示す平面図である。

以下、本発明による電子制御装置を図面に基づいて説明する。以下の実施形態に係る図面は、いずれも模式的なものである。なお、以下、複数の実施形態において、実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
（第１実施形態）
図１に示すように、本発明の電子制御装置１は、車両の電動パワーステアリングシステム１００に用いられ、操舵トルク信号および車速信号等に基づき、操舵のアシスト力を発生する回転電機としてのモータ１０１を駆動制御するものである。電動パワーステアリング装置１１０は、運転者による操舵を補助する補助トルクを出力するモータ１０１、および、電子制御装置１等を備える。

図３および図４に示すように、電子制御装置１は、基板２０、発熱素子３１〜３８、コネクタ７０、および、ヒートシンク８０等を備える。
発熱素子３１〜３８は、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）等の電界効果トランジスタである。本形態では、発熱素子３１〜３４は、駆動用に用いられる駆動素子である。発熱素子３５、３６は電源リレーとして用いられ、発熱素子３７、３８はモータリレーとして用いられる。以下適宜、発熱素子３１〜３４を「駆動ＭＯＳ３１〜３４」、発熱素子３５、３６を「電源リレーＭＯＳ３５、３６」、発熱素子３７、３８を「モータリレーＭＯＳ３７、３８」、発熱素子３１〜３８を適宜単に「ＭＯＳ３１〜３８」という。

ここで、図２に基づいて電子制御装置１の回路構成について説明する。なお、図２においては、モータ１０１およびバッテリ１０５を除くＭＯＳ３１〜３８等が電子制御装置１を構成する。
駆動ＭＯＳ３１〜３４は、バッテリ１０５から供給される電流をスイッチングし、モータ１０１に供給する。駆動ＭＯＳ３１〜３４は、Ｈブリッジ接続される。

ハンドル１０９（図１参照）が右旋回されると、モータ１０１に対して対称に設けられる２つの駆動ＭＯＳ３１、３２がオンされることによって、モータ１０１が駆動される。このとき、残りの２つの駆動ＭＯＳ３３、３４はオフされる。
ハンドル１０９が左旋回されると、モータ１０１に対称に設けられる２つの駆動ＭＯＳ３３、３４がオンされることによって、モータ１０１が駆動される。このとき、残りの２つの駆動ＭＯＳ３１、３２はオフされる。

電源リレーＭＯＳ３５、３６は、バッテリ１０５とコイル６２との間に、寄生ダイオードの向きが反対となるように接続される。
モータリレーＭＯＳ３７、３８は、駆動ＭＯＳ３１、３３とモータ１０１との間に、寄生ダイオードの向きが反対となるように接続される。

コンデンサ６１は、例えばアルミ電解コンデンサにより構成され、バッテリ１０５と並列に接続され、電荷を蓄えることにより、駆動ＭＯＳ３１〜３４への電力供給を補助したり、サージ電圧などのノイズ成分を抑制したりする。
コイル６２は、バッテリ１０５と駆動ＭＯＳ３１〜３４により構成されるＨブリッジ回路との間に接続され、ノイズを低減するために設けられる。シャント抵抗６３は、モータ１０１に通電される電流を検出するために設けられる。

図３および図４に示すように、基板２０は、例えばガラス織布とエポキシ樹脂からなるＦＲ−４等のプリント配線板である。基板２０には、ＭＯＳ３１〜３８、比較的大電流が通電されるパワー部品６０、および、比較的小さな電流が通電され駆動制御に係る制御部品６５等が実装される。パワー部品６０は、コンデンサ６１、コイル６２、および、シャント抵抗６３等から構成される。また、制御部品６５は、マイコン６６、および、カスタムＩＣ６７等から構成される。カスタムＩＣ６７は、プリドライバ６８（図２参照）を有する。

基板２０には、コネクタ７０が接続される。本形態では、ＭＯＳ３１〜３８が実装される側の面を第１面２０１とし、コネクタ７０が配置される側の面を第２面２０２とする。
なお、図４においては、図３のＩＶ−ＩＶ線断面に対応する図であって、説明をわかりやすくするため、ここでは上下を反転して記載している。また、図４においては、煩雑になることを避けるため、ＭＯＳ３１〜３８の詳細な構成については記載を省略した。後述の形態における対応する図も同様である。

図５および図６に示すように、基板２０は、第１面２０１側から、第１層配線パターン２１、第２層配線パターン２２、第３層配線パターン２３、および、第４層配線パターン２４の４層の配線パターンを有する。また、第１層配線パターン２１と第２層配線パターン２２との間、第２層配線パターン２２と第３層配線パターン２３との間、および、第３層配線パターン２３と第４層配線パターン２４との間には、絶縁層２６が設けられる。これにより、第１層配線パターン２１、第２層配線パターン２２、第３層配線パターン２３、および、第４層配線パターン２４は、互いに離隔して設けられる。

第１層配線パターン２１は、少なくとも一部が第１面２０１側に露出する。第１層配線パターン２１のヒートシンク８０との当接箇所等には、グリーンマスク２７が形成される。これにより、第１層配線パターン２１とヒートシンク８０との絶縁が確保される。
第２層配線パターン２２および第３層配線パターン２３は、絶縁層２６に埋設される。第４層配線パターン２４は、少なくとも一部が第２面２０２側に露出する。基板２０の第２面２０２側には、適宜図示しないグリーンマスクが形成される。

図３および図４に示すように、ＭＯＳ３１〜３８は、基板２０の第１面２０１側に実装される。
電源リレーＭＯＳ３５、３６およびモータリレーＭＯＳ３７、３８は、駆動ＭＯＳ３１〜３４よりもコネクタ７０側に配置される。電源リレーＭＯＳ３５、３６は、モータリレーＭＯＳ３７、３８よりも外側に配置される。電源リレーＭＯＳ３５は電源リレーＭＯＳ３６よりコネクタ７０側に配置され、モータリレーＭＯＳ３７はモータリレーＭＯＳ３８よりコネクタ７０側に配置される。本形態では、電源リレーＭＯＳ３５およびモータリレーＭＯＳ３７が「コネクタに隣り合って配置される発熱素子」に対応する。

パワー部品６０は、コンデンサ６１、コイル６２、および、シャント抵抗６３から構成される。本形態では、コンデンサ６１およびコイル６２が基板２０の第２面２０２に実装され、シャント抵抗６３が基板２０の第１面２０１に実装される。
制御部品６５は、マイコン６６、および、カスタムＩＣ６７から構成される。マイコン６６は、基板２０の基板２０の第２面２０２に実装され、カスタムＩＣ６７は、第１面２０１に実装される。マイコン６６は、コネクタ７０を経由して入力された操舵トルク信号や車速信号等に基づき、駆動信号を生成する。生成された駆動信号は、カスタムＩＣ６７のプリドライバ６８から出力され、出力された駆動信号に基づいてＭＯＳ３１〜３８のスイッチングが制御される。

コネクタ７０は、基板２０の第２面２０２側であって、基板２０の一辺に沿って配置される。コネクタ７０は、ＰＩＧ（電源電圧）端子７１、ＧＮＤ（グランド）端子７２、モータ端子７３、７４、および、制御端子７５等を有する。
図５、図７および図８に示すように、ＰＩＧ端子７１は、基板２０に形成されるＰＩＧ端子挿通孔７１１に挿通され、はんだ等により接続される。また、ＧＮＤ端子７２は、基板２０に形成されるＧＮＤ端子挿通孔７１２に挿通され、はんだ等により接続される。
モータ端子７３、７４は、図示しないモータ端子挿通孔に挿通され、はんだ等により接続される。同様に、制御端子７５は、図示しない制御端子挿通孔に挿通され、はんだ等により接続される。制御端子７５は、マイコン６６およびカスタムＩＣ６７と電気的に接続される。

コネクタ７０には、ハーネス１０２（図１参照）が接続される。ハーネス１０２の導線１０３は、バッテリ１０５の正極とＰＩＧ端子７１とを電気的に接続する。また、ハーネス１０２の導線１０４は、モータ１０１の巻線端子とモータ端子７３、７４とを電気的に接続する。

図３および図４に戻り、ＰＩＧ端子７１は、コネクタ側に配置される電源リレーＭＯＳ３５と電気的に接続される。ＧＮＤ端子７２側に設けられるモータ端子７３は、コネクタ７０側に配置されるモータリレーＭＯＳ３７と電気的に接続される。
本形態では、ＰＩＧ端子７１、ＧＮＤ端子７２、および、モータ端子７３、７４は、制御端子７５と比較して幅広に形成される。詳細には、ＰＩＧ端子７１、ＧＮＤ端子７２、および、モータ端子７３、７４は、幅方向の大きさが、厚み方向の大きさより十分に大きく形成される。

図４および図５に示すように、ヒートシンク８０は、例えばアルミ等の熱伝導性のよい金属により形成され、基板２０の第１面２０１側に設けられる。ヒートシンク８０は、基部８１、外枠部８２、および、柱状部８３を有する。
基部８１は、基板２０と略平行に設けられる。外枠部８２は、基部８１の外縁に沿い、基板２０側に立設される。外枠部８２の基板２０側の端面は、基板２０の第１面２０１と当接する。また、外枠部８２には、図示しない基板固定部が形成され、例えばねじ等により基板２０が固定される。

柱状部８３は、基部８１から基板２０側に、例えば格子状に立設される。本形態では、柱状部８３の先端は、基板２０の第１面２０１と当接する。柱状部８３にて区画される空間は、収容室８５として機能する。収容室８５には、ＭＯＳ３１〜３８が収容される。また、収容室８５とＭＯＳ３１〜３８との間の空間には、放熱ゲル８４が充填される。これにより、ＭＯＳ３１〜３８とヒートシンク８０とが、放熱ゲル８４を介して機械的に接続される。

以下、図５および図６を参照し、コネクタ７０のＰＩＧ端子７１、ＰＩＧ端子７１と電気的に接続される電源リレーＭＯＳ３５、および、基板２０の関係を中心に説明する。
図５に示すように、ＭＯＳ３５は、チップ３５１、ドレイン端子３５２、端子部としてのソース端子３５４、および、これらをモールドする樹脂部３５９等を有する。

チップ３５１は、ドレイン端子３５２とソース端子３５４との間に設けられる。ドレイン端子３５２は、板状に形成され、樹脂部３５９の基板２０側の面から露出する。ドレイン端子３５２は、はんだ３０１により、基板２０の第１層配線パターン２１を構成するランドパターン２１１と接続される。ランドパターン２１１において、ドレイン端子３５２が実装される領域を実装領域２１２とする。

ソース端子３５４は、銅クリップ等により形成され、チップ接続部３５５およびリード部３５６を有する。
チップ接続部３５５は、板状に形成され、チップ３５１のドレイン端子３５２と接する側の面と反対側の面にて接する。これにより、チップ３５１は、一方の面にてドレイン端子３５２と接続し、他方の面にてソース端子３５４のチップ接続部３５５と接続する。また、チップ接続部３５５の基板２０と反対側の面は、樹脂部３５９から露出する。

リード部３５６の先端は、樹脂部３５９の基板２０側の面から露出する。リード部３５６の先端は、はんだ３０２により、基板２０の第１層配線パターン２１を構成するランドパターン２１３と接続される。なお、図５中には図示していないが、ランドパターン２１３には、ＭＯＳ３６が実装され、ＭＯＳ３６のドレイン端子とランドパターン２１３とが接続される。これにより、電源リレーＭＯＳ３５のソース端子と、電源リレーＭＯＳ３６のドレイン端子とが接続される。

ランドパターン２１１とランドパターン２１３とは、絶縁層２６を挟んで離間して設けられる。また、ランドパターン２１１には、ＰＩＧ端子挿通孔７１１が形成され、ＰＩＧ端子挿通孔７１１に挿通されるＰＩＧ端子７１とランドパターン２１１とがはんだ等により電気的に接続される。これにより、ＰＩＧ端子７１とＭＯＳ３５のドレイン端子３５２とが接続される。

図３の２点鎖線Ａで示す領域の第１層配線パターン２１を図７、第２層配線パターン２２を図８に示す。図７および図８においては、配線パターン以外の絶縁層２６を梨地で示した。
図７に示すように、ランドパターン２１１は、インピーダンスが小さくなるように形成される。具体的には、ランドパターン２１１は、少なくともＭＯＳ３５のドレイン端子３５２が接続される実装領域２１２と、ＰＩＧ端子挿通孔７１１とを含む領域に形成される。
また、第１層配線パターン２１において、ＧＮＤ端子７２と接続されるランド２１６は、他のランドと離隔されており、電気的に接続されない。

ここで、「ＭＯＳ３５のドレイン端子３５２が接続される領域とＰＩＧ端子挿通孔７１１とを含む領域に形成される」とは、例えば、ＭＯＳ３５のドレイン端子３５２が接続される実装領域２１２とＰＩＧ端子挿通孔７１１の外縁にて規定される領域と同等以上の領域に亘って面状に広がって形成されることを意味し、例えば２つのランドを幅狭の配線パターンで接続するのとは異なるものとする。なお、例えば多少の切欠や電気的短絡を防ぐための空隙等が形成されている程度は、「ＭＯＳ３５のドレイン端子３５２が接続される領域とＰＩＧ端子挿通孔７１１とを含む領域に形成される」の概念に含まれるものとする。

図８に示すように、第２層配線パターン２２は、グランドパターン２２１を有する。グランドパターン２２１は、グランドと電気的に接続されないＰＩＧ端子７１等との電気的短絡を防ぐために形成される空隙部２２２を除く面状に、所謂ベタグランドパターンとして形成される。第２層配線パターン２２は、空隙部２２２を除き、少なくともランドパターン２１１が形成される領域と重複し、かつ、ランドパターン２１１よりも大きく形成される。ＧＮＤ端子挿通孔７１２には、ＧＮＤ端子７２が挿通され、第２層配線パターン２２とＧＮＤ端子７２とが電気的に接続される。

ここで、ＭＯＳ３５のスイッチングにて生じる熱の放熱経路について説明する。
ＭＯＳ３５は、背面にて放熱ゲル８４を介してヒートシンク８０と機械的に接続されているので、ＭＯＳ３５のスイッチングにて生じる熱は、背面からヒートシンク８０へ放熱される。また、ＭＯＳ３５は、収容室８５に収容され、放熱ゲル８４にて覆われているので、ＭＯＳ３５のスイッチングにて生じる熱は、側面からヒートシンク８０の柱状部８３へも放熱される。

また、ＭＯＳ３５のドレイン端子３５２と接続されるランドパターン２１１は、実装領域２１２、および、ＰＩＧ端子７１が挿通されるＰＩＧ端子挿通孔を含む領域に広がる面状に形成され、ＰＩＧ端子７１と接続される。これにより、ＭＯＳ３５への通電により生じる熱は、ドレイン端子３５２からランドパターン２１１およびＰＩＧ端子７１を経由し、コネクタ７０側へ放熱される。

さらにまた、第２層配線パターン２２は、ランドパターン２１１の領域よりも大きいベタグランドパターンとして形成され、ＧＮＤ端子７２と接続される。これにより、ＭＯＳ３５への通電により生じる熱は、ドレイン端子３５２が接続されるランドパターン２１１から、絶縁層２６を介してランドパターン２１１と積層されるグランドパターン２２１およびＧＮＤ端子７２を経由し、コネクタ７０側へ放熱される。すなわち本形態では、ＭＯＳ３５への通電により生じる熱を、ＭＯＳ３５が直接接続されていないＧＮＤ端子７２からもコネクタ７０側放熱可能である。
これにより、ＭＯＳ３５への通電により生じる熱は、背面からヒートシンク８０への放熱に加え、基板２０からＰＩＧ端子７１およびＧＮＤ端子７２を経由してコネクタ７０へ放熱される。

また、コネクタ７０側に配置されるモータリレーＭＯＳ３７への通電により生じる熱は、ＭＯＳ３５と同様、背面からヒートシンク８０への放熱に加え、基板２０からモータ端子７３、７４を経由してコネクタ７０へ放熱される。
詳細には、ＭＯＳ３７が実装されるランドパターン２１４（図７参照）は、ＭＯＳ３７が実装される実装領域２１５、および、モータ端子７３が挿通される図示しないモータ端子挿通孔を含む領域に広がる面状に形成され、モータ端子７３と接続される。また、グランドパターン２２１は、少なくともランドパターン２１４と重複し、かつ、ランドパターン２１４が形成される領域よりも大きく形成される。

これにより、ＭＯＳ３７への通電により生じる熱は、ヒートシンク８０側への背面放熱に加え、ランドパターン２１４およびモータ端子７３を経由し、コネクタ７０側に放熱される。また、ＭＯＳ３７への通電により生じる熱は、ランドパターン２１４から、絶縁層２６を介してランドパターン２１４と積層されるグランドパターン２２１およびＧＮＤ端子７２を経由し、コネクタ７０側へ放熱される。すなわち本形態では、ＭＯＳ３５と同様、ＭＯＳ３７の通電により生じる熱は、ＭＯＳ３７が直接接続されていないＧＮＤ端子７２からも放熱可能である。

以上詳述したように、本形態の電子制御装置１は、基板２０と、ＭＯＳ３１〜３８と、コネクタ７０と、ヒートシンク８０と、を備える。
基板２０は、絶縁層２６、および、一部が絶縁層２６から露出する第１層配線パターン２１を有する。ＭＯＳ３１〜３８は、基板２０に実装され、第１層配線パターン２１と電気的に接続される。
コネクタ７０は、第１層配線パターンと接続されるＰＩＧ端子７１およびモータ端子７３を有する。

ヒートシンク８０は、ＭＯＳ３１〜３８を挟んで基板２０と反対側に設けられ、ＭＯＳ３１〜３８と放熱可能な状態にて接触する。ここで、「放熱可能な状態にて接触する」とは、ＭＯＳ３１〜３８とヒートシンク８０とが直接的に接触するのに限らず、本形態のように放熱ゲル８４を介して接触することも含む。

第１層配線パターン２１は、コネクタ７０と隣り合って配置されるＭＯＳ３５が実装される実装領域２１２と、ＭＯＳ３５と電気的に接続されるＰＩＧ端子７１の挿通孔７１１とを含む領域に形成されるランドパターン２１１を有する。また、第１層配線パターン２１は、コネクタ７０と隣り合って配置されるＭＯＳ３７が実装される実装領域２１５と、ＭＯＳ３７と電気的に接続されるモータ端子７３の接続箇所とを含む領域に形成されるランドパターン２１４を有する。本形態では、「コネクタ７０とＭＯＳ３５、３７とが隣り合って配置される」とは、コネクタ７０とＭＯＳ３５、３７との間に他の部材が実装されていない状態をいう。

本形態では、ＭＯＳ３１〜３８とヒートシンク８０とは、放熱ゲル８４を介して放熱可能に接触する。これにより、ＭＯＳ３１〜３８への通電により生じる熱は、ヒートシンク８０へ放熱される。
また、コネクタ７０と隣り合って配置されるＭＯＳ３５が実装されるランドパターン２１１は、ＰＩＧ端子挿通孔７１１が形成される領域に亘って形成され、低インピーダンスのパターンとなっている。そのため、ＭＯＳ３５への通電により生じる熱は、ランドパターン２１１およびＰＩＧ端子７１を経由して、コネクタ７０から放熱される。同様に、コネクタ７０に隣り合って配置されるＭＯＳ３７が実装されるランドパターン２１４は、モータ端子７３が挿通される挿通孔が形成される領域にまで亘って形成され、低インピーダンスのパターンとなっている。そのため、ＭＯＳ３７への通電により生じる熱は、ランドパターン２１４およびモータ端子７３を経由して、コネクタ７０から放熱される。

これにより、コネクタ７０と隣り合ってＭＯＳ３５、３７への通電により生じる熱は、ヒートシンク８０側への放熱に加え、基板２０を経由してコネクタ７０側への放熱可能である。すなわち、本形態では、ヒートシンク８０だけでなく基板２０側からも放熱可能であり、放熱経路が増えるので、放熱効率が向上する。これにより、ヒートシンク８０の小型化が可能であり、ひいては電子制御装置１の装置全体の小型化に寄与する。

基板２０は、複数の配線パターンである第１層配線パターン２１、第２層配線パターン２２、第３層配線パターン２３および第４層配線パターン２４が積層される多層基板である。
基板２０は、第１層配線パターン２１と絶縁層２６を挟んで積層される配線パターンである第２層配線パターン２２を有する。第２層配線パターン２２は、ランドパターン２１１の領域と重複し、かつ、ランドパターン２１１と同等以上の領域に形成され、コネクタ７０のＧＮＤ端子７２と接続されるグランドパターン２２１を有する。

グランドパターン２２１は、ランドパターン２１１と重複し、かつ、同等以上の領域に形成されるので、ＭＯＳ３５への通電により生じる熱は、ランドパターン２１１および絶縁層２６を経由してグランドパターン２２１へも伝わる。ＭＯＳ３７への通電により生じる熱についても同様である。また、グランドパターン２２１は、ベタグランドパターンであり、ＧＮＤ端子７２と接続されるので、グランドパターン２２１に伝わる熱は、ＧＮＤ端子７２からコネクタ７０側へ放熱可能である。これにより、ＭＯＳ３５の放熱により生じる熱は、電気的に接続されていない端子であるＧＮＤ端子７２からも放熱可能であるので、より高効率に放熱させることができる。

放熱ゲル８４は、絶縁可能な物質により形成される。また、ＭＯＳ３１〜３８のヒートシンク８０側の面には、基板２０と電気的に接続されるソース端子３５４が露出する。これにより、ＭＯＳ３１〜３８への通電により生じる熱を、高効率にヒートシンク８０側へ放熱させることができる。

ヒートシンク８０は、ＭＯＳ３１〜３８を収容する収容室を形成する柱状部８３を有する。柱状部８３は、ＭＯＳ３１〜３８の側方に立設される。これにより、ＭＯＳ３１〜３８への通電により生じる熱を、ＭＯＳ３１〜３８の側方からもヒートシンク８０側へ放熱されることができる。
また、柱状部８３は、基板２０と当接する。これにより、基板２０の熱も、ヒートシンク８０側へ放熱させることができる。

ＭＯＳ３１〜３８の少なくとも一部は、駆動素子である駆動ＭＯＳ３１〜３４である。
電動パワーステアリング装置１１０は、電子制御装置１と、モータ１０１と、を備える。モータ１０１は、駆動ＭＯＳ３１〜３４のオンオフ作動により駆動が制御され、運転者による操舵を補助する補助トルクを出力する。

電動パワーステアリング装置１１０に適用される電子制御装置１では、ＭＯＳ３１〜３８に大電流が通電されるため、発熱量が大きい。本形態では、ＭＯＳ３１〜３８への通電により生じる熱を、ヒートシンク８０、および、基板２０を経由してコネクタ７０へ高効率に放熱させることができる。これにより、ヒートシンクを小型化可能であり、装置全体の体格を小型化することができる。

本形態では、ランドパターン２１１が「第１ランドパターン」に対応し、実装領域２１２が「実装領域」に対応し、ＰＩＧ端子挿通孔７１１が「接続箇所」に対応し、ＰＩＧ端子７１が「接続端子」に対応する。また、ランドパターン２１４が「第１ランドパターン」に対応し、実装領域２１５が「実装領域」に対応し、モータ端子７３が挿通されるモータ端子挿通孔が「接続箇所」に対応し、モータ端子７３が「接続端子」に対応する。
また、ＧＮＤ端子７２が「グランド端子」に対応し、グランドパターン２２１が「第１グランドパターン」に対応する。

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態による電子制御装置を図９および図１０に示す。図９は第１実施形態の図４に対応する図であり、図１０は第１実施形態の図５に対応する図である。
本形態の電子制御装置２は、ヒートシンク８６の柱状部８７の形状が第１実施形態と異なっているので、この点を中心に説明する。ヒートシンク８６は、柱状部８７の形状以外は、第１実施形態のヒートシンク８０と同様である。

本形態のヒートシンク８０の柱状部８７は、基部８１から基板２０側に例えば格子状に立設される。本形態では、柱状部８７の先端は、基板２０の第１面２０１と当接せず離間しており、柱状部８７の先端と基板２０の第１面２０１との間には、空間が設けられる。そのため、基板２０の第１層配線パターン２１の柱状部８７と対向する箇所には、グリーンマスクが設けられていない。なお、第１実施形態と同様、基板２０の第１層配線パターン２１の柱状部８７と対向する箇所にグリーンマスクを形成してもよい。
このように構成しても、上記形態と同様の効果を奏する。

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態による電子制御装置を図１１および図１２に示す。図１１は第１実施形態の図４に対応する図であり、図１２は第１実施形態の図５に対応する図である。
本形態の電子制御装置３は、ヒートシンク８８の形状が上記形態と異なっているので、この点を中心に説明する。

本形態の電子制御装置３のヒートシンク８８には、柱状部が形成されておらず、ＭＯＳ３１〜３８と対応する箇所には、平面部８９が形成される。ＭＯＳ３１〜３８と平面部８９との間には、放熱ゲル８４が設けられる。ヒートシンク８８は、柱状部が形成されていない点を除き、第１実施形態のヒートシンク８０と同様である。
このように構成では、ＭＯＳ３５の側面からヒートシンク８８への放熱はできないが、ＭＯＳ３５の背面からヒートシンク８８への放熱は上記形態と同様、可能である。また、本形態では、ヒートシンク８０に柱状部を形成しないので、ヒートシンク８０の加工が容易であり、加工工数を低減することができる。
また、上記形態と同様の効果を奏する。

（第４実施形態）
本発明の第４実施形態による電子制御装置を図１３〜図１６に示す。図１３は第１実施形態の図３、図１４は図４、図１５は図５に対応する図である。また、図１６は、図１３中の２点鎖線Ｂで示す領域の第１層配線パターン２１を示す図である。
本形態の電子制御装置４は、ＭＯＳ４１〜４８の構成が、上記形態のＭＯＳ３１〜３８と異なっており、その他の点は第３実施形態と略同様である。ＭＯＳ４１〜４８の機能は、ＭＯＳ３１〜３８と同様である。また、ＭＯＳ４１〜４８の形状は同様であるので、ＭＯＳ４５を中心に説明する。

図１５に示すように、ＭＯＳ４５は、チップ４５１、ドレイン端子４５２、端子部としてのソース端子４５４、スラグ４５８、および、樹脂部４５９等を有する。チップ４５１、ドレイン端子４５２およびソース端子４５４は、ＭＯＳ３５のチップ３５１、ドレイン端子３５２およびソース端子３５４と同様である。

樹脂部４５９の背面側には、スラグ４５８が露出する。スラグ４５８は、樹脂部４５９よりも熱伝導性のよい、例えばスズ等の金属により形成され、ヒートシンク８８に当接する。スラグ４５８とソース端子４５４との間には、樹脂部４５９が設けられる。これにより、スラグ４５８とソース端子４５４とは、絶縁される。

本形態では、ＭＯＳ４５は、基板２０と反対側に露出するスラグ４５８を有する。これにより、ＭＯＳ４５への通電により生じる熱をヒートシンク８８へ高効率に放熱させることができる。
本形態では、スラグ４５８とヒートシンク８８とが、直接的に接触している。これにより、ＭＯＳ４５への通電により生じる熱は、ＭＯＳ４５の背面からヒートシンク８８に放熱可能である。また、本形態では、放熱ゲルを用いていないので、部品点数を低減することができる。
また、上記形態と同様の効果を奏する。

（第５実施形態）
本発明の第５実施形態による電子制御装置を図１７〜図２０に示す。図１７は第１実施形態の図３、図１８は図４、図１９は図５に対応する図である。また、図２０は、図１７の２点鎖線Ｃで示す領域の第１層配線パターン２１を示す図である。
本形態の電子制御装置５は、ＭＯＳ５１〜５８の構成が、上記形態のＭＯＳ３１〜３８、４１〜４８と異なっており、その他の点は第４実施形態と略同様である。ＭＯＳ５１〜５８の機能は、ＭＯＳ３１〜３８、４１〜４８と同様である。また、ＭＯＳ５１〜５８の形状は同様であるので、ＭＯＳ５５を中心に説明する。

図１９に示すように、ＭＯＳ５５は、チップ５５１、ドレイン端子５５２、端子部としてのソース端子５５４、および、樹脂部５５９を有する。チップ５５１、ドレイン端子５５２およびソース端子５５４は、ＭＯＳ３５のチップ３５１、ドレイン端子３５２およびソース端子３５４と同様である。

また、ＭＯＳ５５の背面は、樹脂部５５９にて構成される。換言すると、本形態のＭＯＳ５５はソース端子や放熱スラグが背面に露出していない。ＭＯＳ５５は、樹脂部５５９にてヒートシンク８８と直接的に当接する。
このように構成しても、ＭＯＳ５５への通電により生じる熱は、ＭＯＳ５５の背面からヒートシンク８８に放熱可能である。
また、上記形態と同様の効果を奏する。

（第６実施形態）
本発明の第６実施形態による電子制御装置を図２１〜図２４に示す。本形態の平面図、および、第１層配線パターン２１等は、第５実施形態と同様であるので省略する。図２１は、図１９に対応する図であり、図２２は、図１７のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線断面に対応する図である。また、図２３は図１７の２点鎖線Ｃに示す領域の第３層配線パターン１２３を示す図であり、図２４は図１７の２点鎖線Ｃに示す領域の第４層配線パターン１２４を示す図である。

本形態の電子制御装置６は、基板１２０の第３層配線パターン１２３、および、第４層配線パターン１２４が上記形態と異なる。第１層配線パターン２１および第２層配線パターン２２は、上記形態と同様である。
図２３に示すように、本形態の第３層配線パターン１２３は、ランドパターン２３１を有する。ランドパターン２３１は、第１層配線パターン２１のランドパターン２１１の領域と同等以上の領域に広がる面状に形成される。また、ランドパターン２３１には、ＰＩＧ端子挿通孔７１１が形成され、ランドパターン２３１とＰＩＧ端子７１とが電気的に接続される。

図２４に示すように、本形態の第４層配線パターン１２４は、グランドパターン２４１を有する。グランドパターン２４１は、第２層配線パターン２２のグランドパターン２２１と同様、ＰＩＧ端子７１等のグランドと電気的に接続されない端子との電気的短絡を防ぐために形成される空隙部２４２を除く面状に、所謂ベタグランドパターンとして形成される。グランドパターン２４１には、ＧＮＤ端子挿通孔７１２が形成され、グランドパターン２４１とＧＮＤ端子７２とが電気的に接続される。グランドパターン２４１は、空隙部２４２を除き、ランドパターン２３１と重複し、かつ、ランドパターン２３１が形成される領域よりも大きく形成される。また、ＰＩＧ端子挿通孔７１１が形成されるランド２４３は、空隙部２４２の内側に形成されるので、グランドパターン２４１とは離隔され、電気的に接続されない。

ここで、ＭＯＳ５５のスイッチングにて生じる熱の放熱経路について説明する。ＭＯＳ５５への通電により生じる熱は、上記形態と同様、背面からヒートシンク８８に放熱される。また、上記形態と同様、ＭＯＳ５５への通電により生じる熱は、ドレイン端子５５２からランドパターン２１１およびＰＩＧ端子７１を経由し、コネクタ７０側へ放熱される。さらにまた、上記形態と同様、ＭＯＳ５５への通電により生じる熱は、ランドパターン２１１から、絶縁層２６を介してランドパターン２１１と積層されるグランドパターン２２１およびＧＮＤ端子７２を経由し、コネクタ７０側へ放熱される。

さらに、本形態では、ランドパターン２３１がＰＩＧ端子７１と接続され、ランドパターン２１１と同等以上の領域に広がる面状に形成されるので、ＭＯＳ５５への通電により生じる熱は、ＰＩＧ端子７１を経由し、ランドパターン２３１に伝わる。ランドパターン２３１は、絶縁層２６を介して、ベタグランドパターンであるグランドパターン２２１とグランドパターン２４１とに挟まれているので、ランドパターン２３１に伝わった熱は、グランドパターン２２１、２４１、ＧＮＤ端子７２を経由し、コネクタ７０側へ放熱される。

本形態の基板１２０は、第２層配線パターン２２と絶縁層２６を挟んで第１層配線パターン２１と反対側に積層される第３層配線パターン１２３を有する。
第３層配線パターン１２３は、ランドパターン２１１と重複し、かつ、ランドパターン２１１と同等以上の領域に形成され、ＰＩＧ端子７１の接続箇所であるＰＩＧ端子挿通孔７１１を含む領域に形成されるランドパターン２３１を有する。

ＭＯＳ５５への通電により生じる熱は、ランドパターン２１１およびＰＩＧ端子７１を経由して、ランドパターン２３１へも伝達される。これにより、ＭＯＳ３５への通電により生じる熱が伝達されるランドパターンの面積が大きくなるので、熱が拡散され、より高効率に放熱させることができる。

また、基板１２０は、第３層配線パターン１２３と絶縁層２６を挟んで第２層配線パターン２２と反対側に積層される第４層配線パターン１２４を有する。第４層配線パターン１２４は、ランドパターン２３１の領域と重複し、かつ、ランドパターン２３１と同等以上の領域に形成され、ＧＮＤ端子７２と接続されるグランドパターン２４１を有する。

これにより、ランドパターン２１１およびＰＩＧ端子７１を経由してランドパターン２３１に伝達された熱は、絶縁層２６を経由してランドパターン２３１の両側に設けられるグランドパターン２２１、２４１に伝達され、ＧＮＤ端子７２を経由してコネクタ７０へ放熱される。これにより、ＭＯＳ５５への通電により生じる熱を、より高効率に放熱させることができる。
また、上記形態と同様の効果を奏する。
本形態では、ランドパターン２３１が「第２ランドパターン」に対応し、グランドパターン２４１が、「第２グランドパターン」に対応する。

（第７実施形態）
本発明の第７実施形態による電子制御装置は、基板１３０が上記形態と異なるので、この点を中心に説明する。
基板１３０は、第２層配線パターン以外は、第１実施形態と同様である。
図２５は、図１７中の２点鎖線Ｃに示す領域の第２層配線パターン１３２を示す図である。図２５に示すように、本形態の第２層配線パターン１３２は、グランドパターン２２９を有する。グランドパターン２２９は、ランドパターン２１１と重複しない形状に形成される。この場合、第２層配線パターン１３２およびＧＮＤ端子７２を経由した放熱はなされないものの、ランドパターン２１１およびＰＩＧ端子７１を経由し、コネクタ７０側への放熱は可能である。したがって、ＭＯＳ５５のスイッチングにより生じた熱は、背面からヒートシンク８８への放熱に加え、基板２０からＰＩＧ端子７１を経由してコネクタ７０へ放熱される。
また、上記形態と同様の効果を奏する。

（第８実施形態）
本発明の第８実施形態による電子制御装置を図２６〜図３０に示す。
本形態の電子制御装置７は、基板１４０以外は、第５実施形態と同様であるので、この点を中心に説明する。図２６は、図１９に対応する図であり、図２７は、図１９に対応する図である。また。図２８は図１７中の２点鎖線Ｃに示す領域の第１層配線パターン１４１を示す図であり、図２９は図１７中の２点鎖線Ｃに示す領域の第２層配線パターン１４２を示す図であり、図３０は図１７中の２点鎖線Ｃに示す領域の第４層配線パターン１４４を示す図であり、

図２６および図２７に示すように、基板１４０は、ＭＯＳ５１〜５８が実装される側の面である第１面２０１側から、第１層配線パターン１４１、第２層配線パターン１４２、第３層配線パターン１４３、および、第４層配線パターン１４４を有する。
図２６および図２８に示すように、第１層配線パターン１４１を構成するランドパターン２１８には、ビア１４５、１４６が形成される。ランドパターン２１８は、ビア１４５、１４６が形成される点以外は、上記形態のランドパターン２１１と同様である。

ビア１４５は、ランドパターン２１８のドレイン端子５５２が実装される実装領域２１９に４つ形成される。ビア１４６は、ランドパターン２１８のドレイン端子５５２が実装されない領域に７つ形成される。また、図示はしていないが、ＭＯＳ５１〜５４、５６〜５８が実装されるランドにもビアを形成してもよい。

図２６および図３０に示すように、ビア１４５、１４６は、基板１４０を貫通して形成され、第４層配線パターン１４４を構成するランドパターン２４５とランドパターン２１８とを電気的に接続する。ランドパターン２４５は、挿通孔７１１に挿通されるＰＩＧ端子７１と電気的に接続される。また、ランドパターン２４５は、ＧＮＤ端子７２と接続されるグランドパターン２４６とは分離して設けられ、電気的に接続されていない。

ランドパターン２４５は、ランドパターン２１８と重複し、かつ、同等以上の領域に形成される。これにより、ＭＯＳ５５への通電により生じる熱は、ビア１４５、１４６を経由し、ランドパターン２４５に伝わる。ランドパターン２４５の熱は、ＰＩＧ端子７１を経由してコネクタ７０側に放熱される。本形態では、ランドパターン２１８とランドパターン２４５とをビア１４５、１４６にて電気的に接続することにより、ＭＯＳ５５と電気的に接続されるランドパターンの面積が増大するので、放熱効率が向上する。

図２６および図２９に示すように、ビア１４５、１４６と、第２層配線パターン１４２のグランドパターン２２３との間には、絶縁層２６が設けられる。したがって、ビア１４５、１４６は、ランドパターン２１８とグランドパターン２２３とを電気的に接続していない。なお、グランドパターン２２３は、ビア１４５、１４６が設けられる点を除き、上記形態のグランドパターン２２１と同様である。
同様に、ビア１４５、１４６と、第３層配線パターン１４３との間には、絶縁層２６が設けられる。したがって、ビア１４５、１４６は、ランドパターン２１８と第３層配線パターン１４３とを電気的に接続していない。

本形態では、基板１４０には、ランドパターン２１８と、第１層配線パターン１４１以外の配線パターンである第４層配線パターン１４４のランドパターン２４５とを電気的に接続するビア１４５、１４６が形成される。ＭＯＳ５１〜５８への通電により生じる熱は、ビア１４５、１４６を経由し、第４層配線パターン１４４のランドパターン２４５に伝達される。これにより、ＭＯＳ５１〜５８への通電により生じる熱が伝達される基板面積が大きくなるので、熱が拡散され、より高効率に放熱させることができる。
また、他の実施形態と同様の効果を奏する。
本形態では、ランドパターン２１８が「第１ランドパターン」に対応し、グランドパターン２２３が「第１グランドパターン」に対応する。

（他の実施形態）
（ア）第８実施形態では、基板の第１ランドパターンのＭＯＳが実装される実装領域、および、ＭＯＳが実装されない領域にビアが形成される。他の実施形態では、ＭＯＳが実装される実装領域、または、ＭＯＳが実装されない領域のいずれか一方にビアを形成し、他方にビアを形成しなくてもよい。また、ビアの数は、いくつであってもよい。また、第８実施形態では、ビアは、第１層配線パターンと第４層配線パターンとを電気的に接続する。他の実施形態では、ビアによって第１層配線パターンと電気的に接続される配線パターンは、例えば第３層配線パターン等、第４層配線パターンに限らず、どの層であってもよい。
また、上記第１実施形態〜第７実施形態の基板に、第１ランドパターンと第１層配線パターン以外の配線パターンとを接続するビアを形成してもよい。

（イ）第４実施形態〜第８実施形態では、発熱素子とヒートシンクとが直接的に接触する。他の実施形態では、第４実施形態〜第８実施形態の発熱素子とヒートシンクとの間に放熱部材を設けてもよい。また、他の実施形態では、放熱部材は、放熱ゲルに限らず、放熱シート等、発熱素子の熱をヒートシンク側へ放熱可能な部材であれば、どのようなものであってもよい。
また、第１実施形態および第２実施形態では、１つの収容室に１つのＭＯＳが収容される。他の実施形態では、１つの収容室に複数のＭＯＳを収容するように構成してもよい。

（ウ）上記形態では、コネクタと隣り合う発熱素子は、電源リレーＭＯＳおよびモータリレーＭＯＳである。他の実施形態では、例えば電源リレーＭＯＳおよびモータリレーＭＯＳの少なくとも一方を設けない構成において、コネクタ側に配置される発熱素子を駆動ＭＯＳとしてもよい。また、発熱素子は、ＭＯＳＦＥＴに限らず、ＩＧＢＴ等の素子を用いてもよい。また、発熱素子は、駆動ＭＯＳ、電源リレーＭＯＳおよびモータリレーＭＯＳに限らず、シャント抵抗やコイル等であってもよい。

（エ）上記形態では、発熱素子は、スイッチング素子であり、ドレイン端子が第１ランドパターンに実装され、チップを挟んでソース端子がヒートシンク側に設けられる。他の実施形態では、少なくとも一部の金属端子が基板側に露出し、第１ランドパターンと接続される構成であれば、発熱素子をどのように構成してもよい。

（オ）上記形態では、第２層配線パターンおよび第４層配線パターンのベタグランドパターンは、第１ランドパターンまたは第２ランドパターンと重複し、かつ、大きく形成される。他の実施形態では、第２配線パターンおよび第４配線パターンの少なくとも一方が、第１ランドパターンまたは第２ランドパターンと同等の大きさに形成してもよい。
また、上記形態の基板は、４層基板である。他の実施形態では、基板は、少なくとも第１層配線パターンを有していれば、配線パターンは何層であってもよい。

（カ）上記形態では、駆動回路はＨブリッジ回路である。他の実施形態では、駆動回路は、例えば３相インバータ等であってもよい。
また、上記形態の電子制御装置は、電動パワーステアリング装置に適用される。図１に示す電動パワーステアリング装置は、回転電機の補助トルクがラック軸に出力される、所謂「ラックアシスト型」のものである。他の実施形態では、例えば回転電機の補助トルクがコラム軸に出力される、所謂「コラムアシスト型」等、回転電機の補助トルクが出力される箇所は、ラック軸以外の箇所であってもよい。また、他の実施形態では、電子制御装置を電動パワーステアリング装置以外の装置に適用してもよい。
以上、本発明は、上記実施形態になんら限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の形態で実施可能である。

１〜７・・・電子制御装置
２０、１２０、１３０、１４０・・・基板
３１〜３８、４１〜４８、５１〜５８・・・ＭＯＳ（発熱素子）
７０・・・コネクタ
７１・・・ＰＩＧ端子（接続端子）
７３・・・モータ端子（接続端子）
８０、８６、８８・・・ヒートシンク
２１１、２１４、２１８・・・ランドパターン（第１ランドパターン）
７１１・・・ＰＩＧ端子接続孔（接続端子の接続箇所）

Claims (10)

1. 絶縁層（２６）、および、一部が前記絶縁層から露出する第１層配線パターン（２１、１４１）を有する基板（２０、１２０、１３０、１４０）と、
   前記基板に実装され、前記第１層配線パターンと電気的に接続される発熱素子（３１〜３８、４１〜４８、５１〜５８）と、
   前記第１層配線パターンと接続される接続端子（７１、７３）を有するコネクタ（７０）と、
   前記発熱素子を挟んで前記基板と反対側に設けられ、前記発熱素子と放熱可能な状態にて接触するヒートシンク（８０、８６、８８）と、
   を備え、
   前記第１層配線パターンは、前記コネクタと隣り合って配置される前記発熱素子（３５、３７、４５、４７、５５、５７）が実装される実装領域（２１２、２１９）と当該発熱素子と電気的に接続される前記接続端子の接続箇所（７１１）とを含む領域に形成される第１ランドパターン（２１１、２１４、２１８）を有し、
   前記基板は、複数の配線パターン（２１〜２４、１２３、１２４、１３２、１４１〜１４４）が積層される多層基板であり、前記第１層配線パターンと前記絶縁層を挟んで積層される前記配線パターンである第２層配線パターン（２２、１４２）を有し、
   前記第２層配線パターンは、前記第１ランドパターンと重複し、かつ、前記第１ランドパターンと同等以上の領域に形成され、前記コネクタのグランド端子（７２）と接続される第１グランドパターン（２２１、２２３）を有することを特徴とする電子制御装置。
2. 前記基板には、前記第１ランドパターン（２１８）と、前記第１層配線パターン以外の前記配線パターン（１４４）とを電気的に接続するビア（１４５、１４６）が形成されることを特徴とする請求項１に記載の電子制御装置。
3. 前記基板（１２０）は、前記第２層配線パターンと前記絶縁層を挟んで前記第１層配線パターンと反対側に積層される第３層配線パターン（１２３）を有し、
   前記第３層配線パターンは、前記第１ランドパターンと重複し、かつ、前記第１ランドパターンと同等以上の領域に形成され、前記接続端子と接続される第２ランドパターン（２３１）を有することを特徴とする請求項１または２に記載の電子制御装置。
4. 前記基板は、前記第３層配線パターンと前記絶縁層を挟んで前記第２層配線パターンと反対側に積層される第４層配線パターン（１２４）を有し、
   前記第４層配線パターンは、前記第２ランドパターンと重複し、かつ、前記第２ランドパターンと同等以上の領域に形成され、前記グランド端子と接続される第２グランドパターン（２４１）を有することを特徴とする請求項３に記載の電子制御装置。
5. 前記発熱素子（４１〜４８）は、前記基板と反対側に露出するスラグ（４５８）を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子制御装置。
6. 前記発熱素子と前記ヒートシンクとは、放熱部材（８４）を介して接触することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子制御装置。
7. 前記放熱部材は、絶縁可能な物質により形成され、
   前記発熱素子の前記ヒートシンク側の面には、前記基板と電気的に接続される端子部（３５４）が露出することを特徴とする請求項６に記載の電子制御装置。
8. 前記ヒートシンク（８０、８６）は、前記発熱素子の側方に立設され前記発熱素子を収容する収容室（８５）を形成する柱状部（８３、８７）を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の電子制御装置。
9. 前記柱状部（８３）は、前記基板と当接することを特徴とする請求項８に記載の電子制御装置。
10. 前記発熱素子の少なくとも一部は、駆動素子（３１〜３４、４１〜４４、５１〜５４）であって、
    請求項１〜９のいずれか一項に記載の電子制御装置と、
    前記駆動素子のオンオフ作動により駆動が制御され、運転者による操舵を補助する補助トルクを出力する回転電機（１０１）と、
    を備えることを特徴とする電動パワーステアリング装置。

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