JP7283358B2 - 電子制御装置 - Google Patents

Description

本発明は、電子制御装置に関する。

従来、通電により発熱する素子が基板に実装された電子制御装置において、素子の発する熱の伝導を抑制する技術が知られている。

例えば特許文献１に開示された電子制御装置は、Ｈブリッジ回路を構成する４つの半導体素子が基板に実装されており、各半導体素子が設置される回路パターン同士の間に、半導体素子の発する熱の伝導を抑制可能な熱伝導抑制部が設けられている。例えば熱伝導抑制部として、基板を形成している樹脂や低熱伝導部材が用いられる。

特許第５１１００４９号公報

特許文献１の従来技術では、隣接する回路パターン同士の間に熱伝導抑制部が設けられているため、回路パターン上の素子同士を直線経路でつなぐことができず、回路パターンを迂回させる必要がある。そのため、素子同士の間隔を広げざるを得ず、回路実装面積が大きくなるという問題がある。

本発明は、このような点に鑑みて創作されたものであり、その目的は、回路実装面積を大きくすることなく、素子同士の間の熱伝導を抑制可能な電子制御装置を提供することにある。

本発明の電子制御装置は、積層基板（１０１、１０２）と、複数の素子（４１、５２～５７、６２～６７）と、一つ以上のパターン（１２～１６）と、一つ以上のビア（２２～２６）と、を備える。

複数の素子は、積層基板の表層の実装面（１１）に実装される。複数の素子は、Ｈブリッジ回路（５０、６０）又はインバータ回路を構成する複数のスイッチング素子（５３～５６、６３～６６）、及び、スイッチオフ時にＨブリッジ回路又はインバータ回路からバッテリ（７０）へ向かう電流を遮断する寄生ダイオードを有する逆接続保護リレー（４１）を含む。一つ以上のパターンは、実装面に設けられ、少なくとも一部の素子に接する金属膜の領域をなす。一つ以上のビアは、積層基板の複数層を縦断し、少なくとも一つのパターンに接続する。例えばビアは、積層基板の全層を貫通するスルーホールビアでもよく、全層を貫通せずに一部の複数層を縦断するインタースティシャルビアでもよい。

少なくとも一部のビアは、複数の素子のうち通電により発熱する素子から隣接する素子への熱伝導を抑制するように、パターン上の発熱する素子と隣接する素子との間に設けられている。互いに隣接する素子が共に発熱する場合、各素子がいずれも「発熱する素子」且つ「隣接する素子」であると解釈される。発熱する素子と隣接する素子との組には、Ｈブリッジ回路の一対のハイサイドスイッチ同士の組、インバータ回路の各相のうち二相のハイサイドスイッチ同士の組、及び、逆接続保護リレーとハイサイドスイッチとの組が含まれる。

ここで、本発明のビアは、当該技術分野で一般に用いられるビアのように電流経路を構成する部材でなくてもよい。本発明の典型的な態様において、少なくとも一部のビアは、「電流経路を構成する部材以外の部材であり、且つ、発熱する素子からパターンに放出された熱がビアを伝って他層に分散される部材」、つまり、熱伝導を抑制するための部材として設けられている。

また、特許文献１の第５実施形態には、基板の表面から裏面への放熱経路としてスルーホールビアを用いる構成が開示されている。これに対し本発明では、放熱よりも素子間の熱伝導の抑制を主目的として、パターン上の素子と素子との間にビアを設けている。発熱する素子からパターンに放出された熱は、ビアを伝って他層に分散されるため、隣接する素子に直接伝わりにくくなる。これにより、回路実装面積を大きくすることなく、素子同士の間の熱伝導を抑制することができる。

各実施形態の電子制御装置が適用される電動パーキングブレーキ用モータの駆動回路の図。 第１実施形態による電子制御装置の積層基板の模式平面図。 図２のＩＩＩ－ＩＩＩ模式断面図。 第２実施形態による電子制御装置の積層基板の模式平面図。 図４のＶ－Ｖ模式断面図。 比較例の電子制御装置の積層基板の模式平面図。 図６のＶＩＩ－ＶＩＩ模式断面図。

以下、本発明による電子制御装置の複数の実施形態を図面に基づいて説明する。複数の実施形態において、実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。また、第１、第２実施形態を包括して「本実施形態」という。この電子制御装置は、例えば車両の電動パーキングブレーキ用の直流モータの駆動回路に適用される。

（モータ駆動回路の構成）
最初に図１を参照し、モータ駆動回路の構成について説明する。電子制御装置４０は、並列に接続された二組のＨブリッジ回路５０、６０を含む。第１Ｈブリッジ回路５０は、第１電動パーキングブレーキ８１用の第１モータ７１を正転又は逆転させるように電圧を印加する。第２Ｈブリッジ回路６０は、第２電動パーキングブレーキ８２用の第２モータ７２を正転又は逆転させるように電圧を印加する。例えば第１、第２電動パーキングブレーキ８１、８２は、それぞれ車両の左輪及び右輪に対応する。

第１Ｈブリッジ回路５０は、ハイサイドスイッチ５３、５４及びローサイドスイッチ５５、５６の４個のスイッチング素子がブリッジ接続されている。基本動作として、一方の対角線上のハイサイドスイッチ５３及びローサイドスイッチ５６がオンの時、第１モータ７１は正転し、他方の対角線上のハイサイドスイッチ５４及びローサイドスイッチ５５がオンの時、第１モータ７１は逆転する。

同様に第２Ｈブリッジ回路６０は、ハイサイドスイッチ６３、６４及びローサイドスイッチ６５、６６の４個のスイッチング素子がブリッジ接続されている。基本動作として、一方の対角線上のハイサイドスイッチ６３及びローサイドスイッチ６６がオンの時、第２モータ７２は正転し、他方の対角線上のハイサイドスイッチ６４及びローサイドスイッチ６５がオンの時、第２モータ７２は逆転する。

Ｈブリッジ回路のスイッチング素子５３～５６、６３～６６は、例えばＭＯＳＦＥＴで構成されており、図示しない制御装置からの駆動信号によりオン／オフ動作する。図１では、ゲートへの信号線の図示を省略する。各電動パーキングブレーキ８１、８２は、各モータ７１、７２の正転時にブレーキが掛かり、各モータ７１、７２の逆転時にブレーキが解除される。

各Ｈブリッジ回路５０、６０の電源側にはハイサイドシャント抵抗５２、６２が接続されており、グランド側にはローサイドシャント抵抗５７、６７が接続されている。各シャント抵抗は、Ｈブリッジ回路５０、６０に流れる電流の検出に用いられる。

バッテリ７０と、各ハイサイドシャント抵抗５２、６２への分岐点との間には逆接続保護リレー４１が接続されている。逆接続保護リレー４１はＭＯＳＦＥＴ等のスイッチング素子で構成され、スイッチオフ時に寄生ダイオードがハイサイドシャント抵抗５２、６２からバッテリ７０へ向かう電流を遮断する向きに設置されている。これにより、バッテリ７０の電極を逆接続した場合、本来はグランド側であるローサイドからハイサイドに向かって電流が流れることが防止される。

モータ７１、７２の駆動時、矢印で示すように、逆接続保護リレー４１からハイサイドシャント抵抗５２、６２を通って各Ｈブリッジ回路５０、６０に向かう電流が流れる。このとき通電されるスイッチング素子にはオン抵抗に応じた発熱が生じる。また、シャント抵抗５２、６２、５７、６７にも発熱が生じる。なお、矢印と共に記された二点鎖線の枠は、後述するパターン１２～１６に対応する箇所を示す。

ここで、Ｈブリッジ回路５０、６０の駆動制御方式によらず、ハイサイドスイッチ５３、５４、６３、６４は、ある程度の発熱をする。また、例えば基板の実装レイアウト上、ハイサイドスイッチ５３、５４、６３、６４が逆接続保護リレー４１とローサイドスイッチ５５、５６、６５、６６とに挟まれている場合、ハイサイドスイッチは熱を受け取りやすい。そのため、ハイサイドスイッチ５３、５４、６３、６４及びローサイドスイッチ５５、５６、６５、６６の消費電力や熱抵抗が同等であれば、Ｈブリッジ回路５０、６０の駆動制御方式によらず、ハイサイドスイッチ５３、５４、６３、６４の温度はローサイドスイッチ５５、５６、６５、６６の温度よりも高くなる。

さらに、装置の起動時に常にオンであり、且つ、両方のＨブリッジ回路５０、６０の合計電流が通過する逆接続保護リレー４１は、最も発熱が大きくなる。このような素子の発熱は、基板上で隣接する他の素子に影響を与えるおそれがあるため、基板上の素子同士間の熱伝導を抑制するのに好適な基板の構成が求められる。

ところで、特許文献１（特許第５１１００４９号公報）には、隣接する回路パターン同士の間に熱伝導抑制部を設けた構成が開示されている。しかし、この構成では、回路パターン上の素子同士を直線経路でつなぐことができず、回路パターンを迂回させる必要があるため、回路実装面積が大きくなるという問題がある。

そこで本実施形態では、回路実装面積を大きくすることなく、素子同士の間の熱伝導を抑制可能とすることを目的とする。本実施形態では、基板として、複数層を縦断するビアが設けられた積層基板が用いられる。一般に積層基板は、ガラスエポキシやセラミック等の絶縁性材料からなる絶縁部と、金属膜（代表的には銅膜）等からなる導電部とを含む。以下、積層基板の具体的な構成を実施形態毎に説明する。

（第１実施形態）
図２の模式平面図、及び図３の模式断面図を参照し、第１実施形態の構成を説明する。図２、図３の図示に関する注記は、第２実施形態及び比較例の図４～図７に援用される。図３には、例として表層（すなわち第１層）Ｌ１～最下層（すなわち第６層）Ｌ６を含む六層基板について積層方向の厚さ寸法を誇張して示す。絶縁部は一体の樹脂ハッチングで示し、層の境界を破線で示す。Ｈブリッジ回路のスイッチの符号は、断面指示線の位置に関わらず、奥行き方向に並ぶ２個のスイッチの符号を併記する。以下の説明では、便宜上、図２、図３に記載された配置に従って、「左側」、「右側」のように位置を表す。

積層基板１０１の表層Ｌ１の実装面１１には、図１の電気回路を構成する複数の素子、すなわち、逆接続保護リレー４１、シャント抵抗５２、５７、６２、６７、及び、Ｈブリッジ回路のスイッチ５３～５６、６３～６６が実装されている。平面視で長方形の実装面１１の中央部に逆接続保護リレー４１が配置されている。第１Ｈブリッジ回路５０側の素子群と第２Ｈブリッジ回路６０側の素子群とは、実装面１１の中央に対し回転対称に配置されている。各素子は略直方体のパッケージ状をなしており、内部の熱はパッケージの面が接する相手物に放熱される。

実装面１１に設けられたパターン１２、１５、１６は、いずれかの素子に接する金属膜の領域をなしている。中央のパターン１２は、逆接続保護リレー４１、及び各ハイサイドシャント抵抗５２、６２の一端に接している。左側のパターン１５は、ハイサイドシャント抵抗５２の他端、及びハイサイドスイッチ５３、５４に接している。右側のパターン１６は、ハイサイドシャント抵抗６２の他端、及びハイサイドスイッチ６３、６４に接している。

図２にて、中央のパターン１２に入る矢印、及び、中央のパターン１２から左右のパターン１５、１６に出る矢印は、図１に矢印で示す電流経路に対応する。また、ハイサイドスイッチ５３、５４、６３、６４のソース端子とローサイドスイッチ５５、５６、６５、６６のドレイン端子との配線、モータ７１、７２用端子への配線、及び、ローサイドスイッチ５５、５６、６５、６６のソース端子とローサイドシャント抵抗５７、６７との配線の図示を省略する。

中央のパターン１２には、逆接続保護リレー４１と両側のハイサイドシャント抵抗５２、６２との間に、それぞれ複数のビア２２が設けられている。左側のパターン１５には、２個のハイサイドスイッチ５３、５４の間に複数のビア２５が設けられている。右側のパターン１６には、２個のハイサイドスイッチ６３、６４の間に複数のビア２６が設けられている。図３にて、ビア２２、２５、２６の符号の引き出し線を便宜上、孔の中に記す。

各ビア２２、２５、２６は、積層基板１０１の複数層を縦断し、パターン１２、１５、１６に接続する。図３の例では、各ビア２２、２５、２６は、表層Ｌ１の実装面１１から最下層Ｌ６の裏面１９まで全層を貫通するスルーホールビアである。他の例では、各ビア２２、２５、２６のうち一部又は全部が、全層を貫通せずに一部の複数層を縦断するインタースティシャルビアであってもよい。

第１Ｈブリッジ回路５０のハイサイドスイッチ５３及びハイサイドスイッチ５４は、通電方向によって、通電される側が「発熱する素子」であり、通電されない側が「隣接する素子」である。発熱する素子からパターンに放出された熱は、複数のビア２５を伝って他層に分散されるため、隣接する素子に直接伝わりにくくなる。つまり複数のビア２５は、通電により発熱する素子から隣接する素子への熱伝導を抑制するように、パターン１５上の「発熱する素子」と「隣接する素子」との間に設けられている。

第２Ｈブリッジ回路６０の複数のビア２６も同様に、ハイサイドスイッチ６３、６４のうち一方の「発熱する素子」から他方の「隣接する素子」への熱伝導を抑制するように、パターン１６上の「発熱する素子」と「隣接する素子」との間に設けられている。

中央のパターン１２については、逆接続保護リレー４１及び両側のハイサイドシャント抵抗５２、６２は、いずれも常に通電されて発熱する。このように、互いに隣接する素子が共に発熱する場合、各素子がいずれも「発熱する素子」且つ「隣接する素子」であると解釈される。したがって、複数のビア２２は、素子同士の間の相互の熱伝導を抑制するように、逆接続保護リレー４１とハイサイドシャント抵抗５２、６２との間に設けられている。

第１実施形態の構成において明らかなように、各ビア２２、２５、２６は、電流経路としては機能しない。つまり各ビア２２、２５、２６は、「電流経路を構成する部材以外の部材」として設けられている。このように本実施形態では、「ビアは電流経路を構成するもの」という従来の技術常識にとらわれない新規な着眼点により、素子同士の間の熱伝導の抑制を目的としてビアを利用する。

（第２実施形態）
次に図４、図５を参照し、第２実施形態の構成を説明する。第２実施形態の積層基板１０２に実装される素子は第１実施形態と同じであり、配置が異なる。第２実施形態では、実装面１１の左端部に逆接続保護リレー４１が配置されている。逆接続保護リレー４１の右隣には第１Ｈブリッジ回路５０側の素子群が配置され、さらに第１Ｈブリッジ回路５０側群の右隣に第２Ｈブリッジ回路６０側の素子群が配置されている。第１Ｈブリッジ回路５０側の素子群及び第２Ｈブリッジ回路６０側の素子群は、いずれも左側がハイサイド、右側がローサイドの向きで並んで配置されている。

パターン１３は、逆接続保護リレー４１、及び第１Ｈブリッジ回路５０側のハイサイドシャント抵抗５２の一端に接している。パターン１５は、ハイサイドシャント抵抗５２の他端、及びハイサイドスイッチ５３、５４に接している。逆接続保護リレー４１からハイサイドシャント抵抗５２へは、実線矢印で示すように、実装面１１上のパターン１３を経由して電流が流れる。

パターン１３には、逆接続保護リレー４１とハイサイドシャント抵抗５２との間に複数のビア２３が設けられている。パターン１５には、ハイサイドシャント抵抗５２とハイサイドスイッチ５３、５４との間に複数のビア２５が設けられている。図５の例では、ビア２３は、表層Ｌ１の実装面１１から最下層Ｌ６の裏面１９まで全層を貫通するスルーホールビアであり、ビア２５は、表層Ｌ１及び第２層Ｌ２のみを縦断するインタースティシャルビアである。

また、図５の例では、積層基板１０２の内部の層である第５層Ｌ５に、電流経路をなす内部導電パターン１８が設けられている。ビア２３は、第５層Ｌ５において内部導電パターン１８に接続している。他の例では、内部導電パターン１８は、表層Ｌ１以外のどの層に設けられてもよく、二層以上に重ねて設けられてもよい。

パターン１４は、実装面１１においてパターン１３と隔離して配置されており、片側が第２Ｈブリッジ回路６０側のハイサイドシャント抵抗６２の一端に接している。パターン１６は、ハイサイドシャント抵抗６２の他端、及びハイサイドスイッチ６３、６４に接している。パターン１６には、ハイサイドシャント抵抗６２とハイサイドスイッチ６３、６４との間に複数のビア２６が設けられている。

パターン１４には、表層Ｌ１の実装面１１と第５層Ｌ５の内部導電パターン１８とを接続する複数のビア２４が設けられている。つまり、内部導電パターン１８は、少なくともパターン１３の直下とパターン１４の直下とを連結する範囲に設けられている。そして、実装面１１において互いに隔離して配置されたパターン１３とパターン１４とは、内部導電パターン１８及びビア２３、２４を経由して導通している。したがって、逆接続保護リレー４１から第２Ｈブリッジ回路６０側のハイサイドシャント抵抗６２へは、破線矢印で示すように、内部導電パターン１８を経由して電流が流れる。

第２実施形態において少なくとも一部のビア２５、２６は、第１実施形態のビア２５、２６と同様に「電流経路を構成する部材以外の部材」として設けられている。一方、第２実施形態のビア２３、２４は、「電流経路を構成する部材」である点で、ビア２５、２６とは機能が異なる。

また、少なくとも一部のビア２３、２５、２６は、「発熱する素子から隣接する素子への熱伝導を抑制するように、パターン上の発熱する素子と隣接する素子との間に設けられている」ものに該当する。これに対し、ビア２４は、「パターン上の素子と素子との間に設けられている」ものに該当しない。

（本実施形態の効果）
ここで図６、図７を参照し、比較例の構成を説明する。比較例の積層基板１０９には、第２実施形態と同じ複数の素子が同じ配置で実装されている。逆接続保護リレー４１からハイサイドシャント抵抗５２、６２に至る電流経路を示す実線矢印及び破線矢印は、図４、図５と同様であるため省略する。

比較例では、特許文献１の第５実施形態等にも開示された従来の技術的思想に基づき、素子４１、５３、５４、６３、６４が発した熱を実装面１１から他層へ放熱させることを目的としている。したがって、熱抵抗を下げるために、基本的に素子４１、５３、５４、６３、６４の直下にビア２３、２５、２６が設けられている。言い換えれば、ビア２３、２５、２６は、パターン上の素子と素子との間に設けられているわけではない。

詳しくは、パターン１３に接続するビア２３は逆接続保護リレー４１の直下に設けられている。また、パターン１５に接続するビア２５はハイサイドスイッチ５３、５４の直下に設けられており、パターン１６に接続するビア２６はハイサイドスイッチ６３、６４の直下に設けられている。例えば積層基板１０９の裏面１９がヒートシンク等の放熱部材に接している場合、スルーホールビア２３、２６の裏面１９側に、破線ハッチングで示すような放熱パターン３３、３６が設けられてもよい。

この比較例に対し、放熱を主目的としない第２実施形態では、パターン上の素子と素子との間にビアを設けることで、素子同士間の熱伝導を抑制する。したがって、電動パーキングブレーキ用モータの駆動回路のように短時間に特定の素子に大電流を流す回路では、素子の過熱保護に効果的である。素子同士間の熱の影響を低減できるため、オン抵抗の大きいスイッチング素子や小型パッケージのスイッチング素子を採用可能となる。

また、第１、第２実施形態ともに、特許文献１の従来技術のように回路パターン同士の間に熱伝導抑制部を設けておらず、パターン上の素子と素子との間にビアを設けている。したがって、素子同士の間隔を広げる必要がなく、回路実装面積が大きくならない。よって、省スペースの要求が厳しい車両搭載用の装置には特に有効である。

さらに第２実施形態では、実装面１１において互いに隔離して配置されたパターン１３、１４は、積層基板１０２の内部の層に設けられた内部導電パターン１８及びビア２３、２４を経由して導通している。これにより、回路の実装レイアウトにおける自由度が向上する。

また、第１、第２実施形態の図２、図４のレイアウトの場合、例えば第１Ｈブリッジ回路５０のレイアウトに着目すると、ハイサイドスイッチ５３、５４は、逆接続保護リレー４１とローサイドスイッチ５５、５６とに挟まれており、熱を受け取りやすい。そのため、ハイサイドスイッチ５３、５４及びローサイドスイッチ５５、５６の消費電力及び熱抵抗が同等であれば、Ｈブリッジ回路５０の駆動制御方式によらず、ハイサイドスイッチ５３、５４の温度はローサイドスイッチ５５、５６の温度よりも高くなる。したがって、特にハイサイドスイッチ５３、５４が実装されるパターン１５にビア２５が設けられることが有効である。なお、ローサイドスイッチ５５、５６に対してもパターン及びビアが設けられてもよい。

加えて、本実施形態におけるＨブリッジ回路の駆動制御方式について、代表として第１Ｈブリッジ回路５０の符号を用いて補足する。本実施形態では、通電方向のハイサイドスイッチ５３、５４をオン固定し、ローサイドスイッチ５５、５６を出力指令に応じてオン／オフさせるＰＷＭ制御を行うことが好ましい。この場合、オン固定されたハイサイドスイッチ５３、５４よりもスイッチング動作するローサイドスイッチ５５、５６の方がより発熱する。ローサイドスイッチスイッチ５５、５６に負荷をかけることで、一つの素子に熱が集中することを避けることができる。同様に、モータブレーキによる回生電流を流す場合にもローサイドスイッチ５５、５６をスイッチング動作させることで、一つの素子に熱が集中することを避けることができる。

（その他の実施形態）
（ａ）本発明の電子制御装置は、直流モータを駆動するＨブリッジ回路に代えて、多相交流モータを駆動するインバータ回路に適用されてもよい。例えば三相インバータ回路では、パターン上のＵ相ハイサイドスイッチとＶ相ハイサイドスイッチとの間、及び、Ｖ相ハイサイドスイッチとＷ相ハイサイドスイッチとの間に熱伝導抑制のためのビアを設ける構成とすることで、上記実施形態と同様の作用効果が得られる。

（ｂ）電子制御装置の電気回路において、逆接続保護リレー４１と直列に、正規の向きに接続されたバッテリ７０からの電力供給を遮断可能な電源リレーが設けられてもよい。また、種々の電気回路を構成するダイオード、インダクタ、抵抗等の各種素子が積層基板の実装面に実装されてもよい。

（ｃ）積層基板１０１、１０２は、図３、図５に例示した六層基板に限らず、ビアを形成可能な二層以上の何層の基板であってもよい。

（ｄ）本発明のビアは、複数に限らず一つ以上であればよい。また、本発明では、少なくとも一部のビアがパターン上の素子と素子との間に設けられていることが要件となる。その上で、専ら電流経路を構成するためのビアや比較例に示すような放熱目的のビアが別に設けられてもよい。

（ｅ）本発明の電子制御装置は、電動パーキングブレーキ用モータ以外の用途の直流モータを駆動するＨブリッジ回路や、交流モータを駆動するインバータ回路に適用されてもよい。さらに本発明の電子制御装置は、モータの駆動回路に限らず、通電により発熱する素子、及び、発熱する素子に隣接する素子が積層基板の実装面に実装されたあらゆる電気回路に適用可能である。特に、回路基板面積の小型化が要求される電気回路に適用されると有効である。

本発明はこのような実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において、種々の形態で実施することができる。

１０１、１０２・・・積層基板、
１１・・・実装面、
１２～１６・・・パターン、
２２～２６・・・ビア、
４０・・・電子制御装置、
４１・・・逆接続保護リレー（スイッチング素子、素子）、
５２、６２・・・ハイサイドシャント抵抗（素子）、
５３、５４、６３、６４・・・ハイサイドスイッチ（スイッチング素子、素子）、
５５、５６、６５、６６・・・ローサイドスイッチ（スイッチング素子、素子）、
５７、６７・・・ローサイドシャント抵抗（素子）。

Claims (5)

1. 積層基板（１０１、１０２）と、
   前記積層基板の表層の実装面（１１）に実装され、Ｈブリッジ回路（５０、６０）又はインバータ回路を構成する複数のスイッチング素子（５３～５６、６３～６６）、及び、スイッチオフ時に前記Ｈブリッジ回路又は前記インバータ回路からバッテリ（７０）へ向かう電流を遮断する寄生ダイオードを有する逆接続保護リレー（４１）を含む複数の素子（４１、５２～５７、６２～６７）と、
   前記実装面に設けられ、少なくとも一部の前記素子に接する金属膜の領域をなす一つ以上のパターン（１２～１６）と、
   前記積層基板の複数層を縦断し、少なくとも一つの前記パターンに接続する一つ以上のビア（２２～２６）と、
   を備え、
   少なくとも一部の前記ビアは、前記複数の素子のうち通電により発熱する素子から隣接する素子への熱伝導を抑制するように、前記パターン上の前記発熱する素子と前記隣接する素子との間に設けられており、
   前記発熱する素子と前記隣接する素子との組には、前記Ｈブリッジ回路の一対のハイサイドスイッチ同士の組、前記インバータ回路の各相のうち二相のハイサイドスイッチ同士の組、及び、前記逆接続保護リレーと前記ハイサイドスイッチとの組が含まれる電子制御装置。
2. 前記複数の素子は、前記逆接続保護リレーと前記Ｈブリッジ回路又は前記インバータ回路のハイサイドスイッチとの間に設けられたハイサイドシャント抵抗（５２、６２）をさらに含み、
   前記発熱する素子と前記隣接する素子との組には、前記逆接続保護リレーと前記ハイサイドシャント抵抗との組、及び、前記ハイサイドシャント抵抗と前記ハイサイドスイッチとの組がさらに含まれる請求項１に記載の電子制御装置。
3. 少なくとも一部の前記ビアは、電流経路を構成する部材以外の部材であり、且つ、前記発熱する素子から前記パターンに放出された熱が前記ビアを伝って他層に分散される部材として設けられている請求項１または２に記載の電子制御装置。
4. 前記積層基板の内部の層に、電流経路をなす内部導電パターン（１８）が設けられており、
   前記実装面において互いに隔離して配置された複数の前記パターンは、それぞれ前記ビアにより前記内部導電パターンと接続されており、前記内部導電パターン及び各前記ビアを経由して導通している請求項１～３のいずれか一項に記載の電子制御装置。
5. 前記Ｈブリッジ回路又は前記インバータ回路は、車両の電動パーキングブレーキ（８１、８２）用モータ（７１、７２）の駆動回路である請求項１～４のいずれか一項に記載の電子制御装置。

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