JP2023183805A - 半導体モジュールおよび電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】放熱性の向上と信頼性の向上を両立した半導体モジュールおよび電力変換装置を提供する。【解決手段】半導体モジュールは、直流配線および交流配線を有する基板と、半導体パッケージと、を備え、前記基板は、積層領域と、前記端子と接続する端子接続部を有する領域である接続領域と、を備え、前記接続領域は、複数の前記直流配線または前記交流配線を互いに電気的に接続する第1の積層配線接続部を有し、前記第1の積層配線接続部は、前記基板の厚さ方向で前記端子接続部と重ならない位置に設けられ、前記端子が接続される前記基板の面とは反対側の面において、前記基板の厚さ方向で前記第1の積層配線接続部と重なる位置を少なくとも含む範囲に、放熱ベースが配置される。【選択図】図8
Description
本発明は、半導体モジュールおよび電力変換装置に関する。
プリント基板で主回路配線を一体化する構成を有するインバータは、接合部を省略できるため基板と一体化することが可能になり、大量生産できる利点がある。しかし、大きな電流を基板の配線に流す必要があり、基板には大きな温度変化が発生する。そのため、基板を含めたインバータ全体の放熱性を向上させ、信頼性を確保する必要がある。
下記の特許文献1では、半導体パッケージとヒートスプレッダを搭載するランドの一方の面にスルーホールを設けることで、はんだ実装している半導体パッケージの放熱を向上させている構成が開示されている。
従来の構成では、プリント基板にインバータの接続配線を形成する際に、インダクタンスの低減と配線面積削減の観点から、大電流が流れる直流配線と交流配線が積層する構造を有しているため、積層部分における配線部の発熱によって基板の温度上昇が半導体パッケージのはんだ接合部の熱歪みを増大させる課題が発生する。また、半導体パッケージはその両側を水路に挟まれてうまく冷却できたとしても、基板の内側まで冷却が行き届かずに基板の放熱性自体に課題が生じる。これを鑑みて本発明では、放熱性の向上と信頼性の向上を両立した半導体モジュールおよび電力変換装置を提供することを目的とする。
半導体モジュールは、直流配線および交流配線を有する基板と、前記直流配線または前記交流配線と接続する端子を有する半導体パッケージと、を備えた半導体モジュールであって、前記基板は、前記基板の厚さ方向に前記直流配線および前記交流配線が積層する領域である積層領域と、前記基板の平面上において前記直流配線または前記交流配線が前記積層領域からそれぞれ分岐することで形成され、かつ前記直流配線または前記交流配線が前記端子と接続する端子接続部を有する領域である接続領域と、を備え、前記接続領域は、前記基板の厚さ方向に貫通して前記基板に積層された複数の前記直流配線または前記交流配線を互いに電気的に接続する第1の積層配線接続部を有し、前記第1の積層配線接続部は、前記基板の厚さ方向で前記端子接続部と重ならない位置に設けられ、前記端子が接続される前記基板の面とは反対側の面において、前記基板の厚さ方向で前記第1の積層配線接続部と重なる位置を少なくとも含む範囲に、前記直流配線および前記交流配線を放熱させる放熱ベースが配置される。
本発明によれば、放熱性の向上と信頼性の向上を両立した半導体モジュールおよび電力変換装置を提供できる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下の記載および図面は、本発明を説明するための例示であって、説明の明確化のため、適宜、省略および簡略化がなされている。本発明は、他の種々の形態でも実施する事が可能である。特に限定しない限り、各構成要素は単数でも複数でも構わない。
図面において示す各構成要素の位置、大きさ、形状、範囲などは、発明の理解を容易にするため、実際の位置、大きさ、形状、範囲などを表していない場合がある。このため、本発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、形状、範囲などに限定されない。
(本発明の第1の実施形態と装置の全体構成)
(図1)
インバータ100は、電力変換回路部等を含む構成部品とそれを冷却する冷却水路を筐体1の内部に有している。筐体1に内装された構成部品および冷却水路は、蓋体2によって内部に封止されている。筐体1からは交流コネクタ3と直流コネクタ4が突出し、蓋体2からは信号コネクタ5が突出している。
(図1)
インバータ100は、電力変換回路部等を含む構成部品とそれを冷却する冷却水路を筐体1の内部に有している。筐体1に内装された構成部品および冷却水路は、蓋体2によって内部に封止されている。筐体1からは交流コネクタ3と直流コネクタ4が突出し、蓋体2からは信号コネクタ5が突出している。
(図2)
インバータ100の筐体1の内部には、モータ制御基板6、ゲートドライブ基板7、平滑キャパシタ8、EMCフィルタ9、冷却水路10、主回路ユニット11が、配置されている。モータ制御基板6は、ゲートドライブ基板7と冷却水路10および主回路ユニット11の図面上方に搭載されている。モータ制御基板6の上には信号コネクタ5が搭載されており、信号コネクタ5は図1に示すように、蓋体2を貫通して外部に突出している。
インバータ100の筐体1の内部には、モータ制御基板6、ゲートドライブ基板7、平滑キャパシタ8、EMCフィルタ9、冷却水路10、主回路ユニット11が、配置されている。モータ制御基板6は、ゲートドライブ基板7と冷却水路10および主回路ユニット11の図面上方に搭載されている。モータ制御基板6の上には信号コネクタ5が搭載されており、信号コネクタ5は図1に示すように、蓋体2を貫通して外部に突出している。
(図3、図4)
ゲートドライブ基板7上には、基板接合ピン12が搭載されている。基板接合ピン12は、主回路ユニット11が有する基板接合スル―ホール22(図7で後述)で、はんだ等の接合材料によって電気的に接続される。
ゲートドライブ基板7上には、基板接合ピン12が搭載されている。基板接合ピン12は、主回路ユニット11が有する基板接合スル―ホール22(図7で後述)で、はんだ等の接合材料によって電気的に接続される。
(図5)
主回路ユニット11は、冷却水路10で挟まれて固定されており、主回路ユニット11の基板に搭載され、かつパワー半導体素子を備えた回路体や、各主回路配線を冷却する。
主回路ユニット11は、冷却水路10で挟まれて固定されており、主回路ユニット11の基板に搭載され、かつパワー半導体素子を備えた回路体や、各主回路配線を冷却する。
(図6)
主回路ユニット11は、主回路プリント基板13(基板13)上に、トランスファーモールドされた複数の回路体である半導体パッケージ50を搭載することで半導体モジュールとして機能している。基板13上には、交流接続部20と直流接続部21が形成されており、それぞれ、交流バスバーや直流バスバーがねじ締結によって電気的に接合される。また、前述の図4に図示したゲートドライブ基板7は、基板接合スル―ホール22と、後述の図13に図示する平滑キャパシタ8はキャパシタ接合スルーホール23と、それぞれはんだ等の接合材料によって電気的に接続される。
主回路ユニット11は、主回路プリント基板13(基板13)上に、トランスファーモールドされた複数の回路体である半導体パッケージ50を搭載することで半導体モジュールとして機能している。基板13上には、交流接続部20と直流接続部21が形成されており、それぞれ、交流バスバーや直流バスバーがねじ締結によって電気的に接合される。また、前述の図4に図示したゲートドライブ基板7は、基板接合スル―ホール22と、後述の図13に図示する平滑キャパシタ8はキャパシタ接合スルーホール23と、それぞれはんだ等の接合材料によって電気的に接続される。
なお、基板接合スル―ホール22は、基板13がゲートドライブ基板7と基板接合ピン12を介して接続するためのスルーホールである。また、キャパシタ接合スルーホール23は、基板13が平滑キャパシタ8と接続するためのスルーホールである。
(図7)
図7(a)は半導体パッケージ50の分解図、図7(b)は半導体素子の回路図、図7(c)は半導体パッケージ50をモールド樹脂35で封止した図である。半導体パッケージ50は、SiC-MOS(Silicon Carbide MOSFET)素子であるパワー半導体素子41を有している。パワー半導体素子41は、第1リードフレーム32と第2リードフレーム33の間に配置される。第1リードフレーム32と第2リードフレーム33は、それぞれが有する接続部によって互いに接続される。
図7(a)は半導体パッケージ50の分解図、図7(b)は半導体素子の回路図、図7(c)は半導体パッケージ50をモールド樹脂35で封止した図である。半導体パッケージ50は、SiC-MOS(Silicon Carbide MOSFET)素子であるパワー半導体素子41を有している。パワー半導体素子41は、第1リードフレーム32と第2リードフレーム33の間に配置される。第1リードフレーム32と第2リードフレーム33は、それぞれが有する接続部によって互いに接続される。
第2リードフレーム33は、パワー半導体素子41の表面電極と絶縁距離を取りつつ接続するために、台座電極(図示せず)が設けられている。第2リードフレーム33は、一方の側面にはパワー半導体素子41と導通する第1端子30と第2端子31を、もう一方の側面に同様にはパワー半導体素子41と導通する制御信号端子36を有している。第1端子30と第2端子31と制御信号端子36は、第2リードフレーム33からそれぞれ突出しており、それぞれの突出部分が基板13へ電気的に接続されることで、半導体パッケージ50のスイッチング制御が実施されている。
(図8)
図8(a)は、主回路ユニット11の平面図、図8(b)は図8(a)のA-A断面図である。半導体モジュールを構成する主回路ユニット11の基板13は、直流正極配線パターン14(以下直流配線14)、直流負極配線パターン15(以下直流配線15)、交流配線パターン16(以下交流配線16)、制御配線パターン18を有する。また、基板13は、直流配線14,15または交流配線16と接続する端子を有する半導体パッケージ50を有している。
図8(a)は、主回路ユニット11の平面図、図8(b)は図8(a)のA-A断面図である。半導体モジュールを構成する主回路ユニット11の基板13は、直流正極配線パターン14(以下直流配線14)、直流負極配線パターン15(以下直流配線15)、交流配線パターン16(以下交流配線16)、制御配線パターン18を有する。また、基板13は、直流配線14,15または交流配線16と接続する端子を有する半導体パッケージ50を有している。
基板13は、直流配線14,15と交流配線16による積層配線構造を有しているため発熱しやすい構造になっているが、これに加えて、半導体パッケージ50同士の間の部分は特に発熱度合が高くなりやすい領域になっている。基板13で発生する熱を効率よく逃がすことで、半導体パッケージ50への熱の影響を抑制する必要がある。本発明は、以下の構成を備えることにより基板13の放熱を促すことを実現している。
基板13は、基板13の厚さ方向に直流配線14,15および交流配線16が積層する領域である積層領域61を備えている。さらに、基板13は、基板13の平面上において直流配線14,15または交流配線16が積層領域61からそれぞれ分岐することで形成され、かつ直流配線14,15または交流配線16が端子30,31,36と接続する端子接続部63を有する領域である接続領域62を備えている。
そして、接続領域62は、基板13の厚さ方向に貫通して基板13に積層された複数の直流配線14,15または交流配線16を互いに電気的に接続する第1の積層配線接続部60を有している。第1の積層配線接続部60は、基板13の厚さ方向で端子接続部63と重ならない位置に設けられている。
第1の積層配線接続部60を基板13の特に半導体パッケージ50同士の間に設けることによって、基板13の上から下まで導通した同電位の配線の電気的な接続を行うだけでなく、半導体パッケージ50に近い位置に形成されることで、基板13の各配線から発生するあおり熱を遮断する。これにより、半導体パッケージ50と基板13との接続部分であるはんだ接合部73の温度上昇を抑制することができる。また、はんだ接合部73におけるはんだ歪みを低減できるため、はんだ寿命を延ばすことができる。
また、端子30,31,36が接続される基板13の面とは反対側の面において、基板13の厚さ方向で第1の積層配線接続部60と重なる位置を少なくとも含む範囲に、直流配線14,15および交流配線16を放熱させる放熱ベース65が配置される。放熱ベース65と基板13との間には、絶縁性の高熱伝導シート64が配置される。これにより、基板13の熱を第1の積層配線接続部60を通じて放熱ベース65に熱を移動させ、図5に前述した冷却水路10に放熱することができるため、さらに基板13の温度上昇を抑制できる。
(第1変形例)
(図9)
第1の積層配線接続部60は、スルーホール67によって形成される。スルーホール67は、基板13を加工して貫通する貫通孔66が設けられて形成されたもので、その内側の側面にはメッキ膜66aを有している。複数の直流配線14,15または交流配線16は、メッキ膜66aを介して互いに電気的に接続する。これにより、同様に基板13の放熱性が向上する。なお、スルーホール67は、液状の樹脂や溶融性の金属接合材のはんだ等により、スルーホール67内の空間を埋めることで、熱伝導性が向上する。スルーホール67内の空間を埋める材料は、これらに限らず熱伝導性が向上する材料であればよい。
(図9)
第1の積層配線接続部60は、スルーホール67によって形成される。スルーホール67は、基板13を加工して貫通する貫通孔66が設けられて形成されたもので、その内側の側面にはメッキ膜66aを有している。複数の直流配線14,15または交流配線16は、メッキ膜66aを介して互いに電気的に接続する。これにより、同様に基板13の放熱性が向上する。なお、スルーホール67は、液状の樹脂や溶融性の金属接合材のはんだ等により、スルーホール67内の空間を埋めることで、熱伝導性が向上する。スルーホール67内の空間を埋める材料は、これらに限らず熱伝導性が向上する材料であればよい。
(第2変形例)
(図10)
第1の積層配線接続部60は、基板13を加工して貫通する貫通孔27の内側にメッキ層を充填して形成された充填ビア68によって形成される。複数の直流配線14,15または交流配線16は充填ビア68を介して互いに電気的に接続する。これにより、同様に基板13の放熱性が向上する。
(図10)
第1の積層配線接続部60は、基板13を加工して貫通する貫通孔27の内側にメッキ層を充填して形成された充填ビア68によって形成される。複数の直流配線14,15または交流配線16は充填ビア68を介して互いに電気的に接続する。これにより、同様に基板13の放熱性が向上する。
(第3変形例)
(図11)
第1の積層配線接続部60は、基板13を貫通する貫通孔27の内側に、例えば銅を用いた金属柱を圧入して形成されたインレイ69で実現できる。複数の直流配線14,15または交流配線16はインレイ69を介して互いに電気的に接続する。これにより、同様に基板13の放熱性が向上する。
(図11)
第1の積層配線接続部60は、基板13を貫通する貫通孔27の内側に、例えば銅を用いた金属柱を圧入して形成されたインレイ69で実現できる。複数の直流配線14,15または交流配線16はインレイ69を介して互いに電気的に接続する。これにより、同様に基板13の放熱性が向上する。
(第2の実施形態)
(図12)
接続領域62に設けられる第1の積層配線接続部60とは異なり、さらに、積層領域61には第2の積層配線接続部60が設けられる。第2の積層配線接続部60は、正極配線14または負極配線15または交流配線16のいずれかに接続し、かつ端子30,31,36が接続される基板13の面とは反対側の面において放熱ベース65に熱的に接続する。
(図12)
接続領域62に設けられる第1の積層配線接続部60とは異なり、さらに、積層領域61には第2の積層配線接続部60が設けられる。第2の積層配線接続部60は、正極配線14または負極配線15または交流配線16のいずれかに接続し、かつ端子30,31,36が接続される基板13の面とは反対側の面において放熱ベース65に熱的に接続する。
基板13において、同じ配線を接続して同電位にしないために、ある配線を第2の積層配線接続部60で接続した場合、接続していない他の配線は第2の積層配線接続部60に接続しないように、第2の積層配線接続部60との間にそれぞれ積層配線接続回避部70を設けている。これにより、第2の積層配線接続部60で、異なる電位の配線同士を接続してしまうことで生じる短絡を避け、また、絶縁距離を確保することができる。また、このような構成にしたことで、接続領域62だけでなく、積層領域61も冷却することができ、第1の実施形態よりも基板13の放熱度合いを大きくすることができる。
(第3の実施形態)
(図13、14)
電力変換装置100は、第1または第2の実施形態で説明した半導体パッケージ50を、基板13の平面において、基板13の長手寸法方向17に形成される直流配線14、15に沿って、複数の平滑キャパシタ素子8が並んで配置される。
(図13、14)
電力変換装置100は、第1または第2の実施形態で説明した半導体パッケージ50を、基板13の平面において、基板13の長手寸法方向17に形成される直流配線14、15に沿って、複数の平滑キャパシタ素子8が並んで配置される。
半導体パッケージ50と平滑キャパシタ8との間では、直流配線積層領域71が設けられている。直流配線積層領域71では、基板13の直流配線側と接続した第3の積層配線接続部60が設けられている。また、直流配線積層領域71では、基板13と平滑キャパシタ8とをはんだ等の接合材料で接続するキャパシタ接続部72が形成されている。第3の積層配線接続部60は、半導体パッケージ50とキャパシタ接続部72との間に設けられている。なお、第3の積層配線接続部60は、交流配線とは接続していないため、交流配線との間には、積層配線接続回避部70が設けられている。
このようにすることで、第3の積層配線接続部60は、基板13で発生する熱の影響をキャパシタ接続部72に及ぼさずに放熱できる。また、これにより、半導体パッケージ50(半導体モジュール)単位だけでなく、平滑キャパシタ8を含めた電力変換装置100単位で放熱性の向上と信頼性の向上を両立できる。
なお、以上で説明した積層配線接続部60の大きさは、基板13に備える配線を邪魔しない所定の大きさであればよい。また、本発明の構成を、例えば、直流配線14,15の長手寸法方向に沿って平滑キャパシタ8が並列に配置され、交流配線パターン16に平滑リアクトルを接続して構成される昇圧コンバータに適用してもよい。
以上説明した本発明の第1および第2の実施形態によれば、以下の作用効果を奏する。
(1)半導体モジュールは、直流配線14,15および交流配線16を有する基板13と、直流配線14,15または交流配線16と接続する端子30,31,36を有する半導体パッケージと50、を備えている。基板13は、基板13の厚さ方向に直流配線14,15および交流配線16が積層する領域である積層領域61と、基板13の平面上において直流配線14,15または交流配線16が積層領域61からそれぞれ分岐することで形成され、かつ直流配線14,15または交流配線16が端子30,31,36と接続する端子接続部63を有する領域である接続領域62と、を備える。接続領域62は、基板13の厚さ方向に貫通して基板13に積層された複数の直流配線14,15または交流配線16を互いに電気的に接続する第1の積層配線接続部60を有している。第1の積層配線接続部60は、基板13の厚さ方向で端子接続部63と重ならない位置に設けられている。端子が接続される基板13の面とは反対側の面において、基板13の厚さ方向で第1の積層配線接続部60と重なる位置を少なくとも含む範囲に、直流配線14,15および交流配線16を放熱させる放熱ベース65が配置される。このようにしたことで、放熱性の向上と信頼性の向上を両立した半導体モジュールを提供できる。
(2)第1の積層配線接続部60は、基板13を貫通する貫通孔66の内側の側面に形成されたメッキ膜66aを有し、メッキ膜66aを介して複数の直流配線14,15または交流配線16を互いに電気的に接続する。このようにしたことで、基板13の放熱性が向上する。
(3)第1の積層配線接続部60は、基板13を貫通する貫通孔66の内側にメッキ層を充填して形成された充填ビア68を有し、充填ビア68を介して複数の直流配線14,15または交流配線16と接続する。このようにしたことで、基板13の放熱性が向上する。
(4)第1の積層配線接続部60は、基板13を貫通する貫通孔66の内側に金属柱を圧入して形成されたインレイ69を有し、インレイ69を介して複数の直流配線14,15または交流配線16を互いに電気的に接続する。このようにしたことで、基板13の放熱性が向上する。
(5)積層領域61は、第2の積層配線接続部60を有している。直流配線は、正極配線14と負極配線15を含み、第2の積層配線接続部60は、正極配線14または負極配線15または交流配線16のいずれかに接続し、かつ端子30,31,36が接続される基板13の面とは反対側の面において放熱ベース65に熱的に接続する。このようにしたことで、異なる電位の配線同士を接続してしまうことで生じる短絡を避け、また、絶縁距離を確保しつつ、接続領域62だけでなく、積層領域61も冷却することができ基板13の放熱度合いを大きくすることができる。
(6)電力変換装置100は、半導体モジュールを備え、基板13の平面において、基板13の長手寸法方向に形成される直流配線14,15に沿って、複数の平滑キャパシタ素子8が並んで配置される。このようにしたことで、半導体パッケージ50(半導体モジュール)単位だけでなく、平滑キャパシタ8を含めた電力変換装置100単位で放熱性の向上と信頼性の向上を両立できる。
なお、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内で様々な変形や他の構成を組み合わせることができる。また本発明は、上記の実施形態で説明した全ての構成を備えるものに限定されず、その構成の一部を削除したものも含まれる。
1 筐体
2 蓋体
3 交流コネクタ
4 直流コネクタ
5 信号コネクタ
6 モータ制御基板
7 ゲートドライブ基板
8 平滑キャパシタ
9 EMCフィルタ
10 冷却水路
11 主回路ユニット
12 基板接合ピン
13 主回路プリント基板
14 直流正極配線パターン
15 直流負極配線パターン
16 交流配線パターン
17 基板の長手寸法方向
18 制御配線パターン
20 交流接続部
21 直流接続部
22 基板接合スル―ホール
23 キャパシタ接合スル―ホール
30 第1端子
31 第2端子
32 第1リードフレーム
33 第2リードフレーム
35 モールド樹脂
36 制御信号端子
41 パワー半導体素子
50 半導体パッケージ
60 積層配線接続部
61 積層領域
62 接続領域
63 端子接続部
64 高熱伝導シート
65 放熱ベース
66 貫通孔
66a メッキ膜
67 スルーホール
68 充填ビア
69 インレイ
70 積層配線接続回避部
71 直流配線積層領域
72 キャパシタ接続部
73 はんだ接合部
100 インバータ
2 蓋体
3 交流コネクタ
4 直流コネクタ
5 信号コネクタ
6 モータ制御基板
7 ゲートドライブ基板
8 平滑キャパシタ
9 EMCフィルタ
10 冷却水路
11 主回路ユニット
12 基板接合ピン
13 主回路プリント基板
14 直流正極配線パターン
15 直流負極配線パターン
16 交流配線パターン
17 基板の長手寸法方向
18 制御配線パターン
20 交流接続部
21 直流接続部
22 基板接合スル―ホール
23 キャパシタ接合スル―ホール
30 第1端子
31 第2端子
32 第1リードフレーム
33 第2リードフレーム
35 モールド樹脂
36 制御信号端子
41 パワー半導体素子
50 半導体パッケージ
60 積層配線接続部
61 積層領域
62 接続領域
63 端子接続部
64 高熱伝導シート
65 放熱ベース
66 貫通孔
66a メッキ膜
67 スルーホール
68 充填ビア
69 インレイ
70 積層配線接続回避部
71 直流配線積層領域
72 キャパシタ接続部
73 はんだ接合部
100 インバータ
Claims (6)
- 直流配線および交流配線を有する基板と、
前記直流配線または前記交流配線と接続する端子を有する半導体パッケージと、を備えた半導体モジュールであって、
前記基板は、前記基板の厚さ方向に前記直流配線および前記交流配線が積層する領域である積層領域と、前記基板の平面上において前記直流配線または前記交流配線が前記積層領域からそれぞれ分岐することで形成され、かつ前記直流配線または前記交流配線が前記端子と接続する端子接続部を有する領域である接続領域と、を備え、
前記接続領域は、前記基板の厚さ方向に貫通して前記基板に積層された複数の前記直流配線または前記交流配線を互いに電気的に接続する第1の積層配線接続部を有し、
前記第1の積層配線接続部は、前記基板の厚さ方向で前記端子接続部と重ならない位置に設けられ、
前記端子が接続される前記基板の面とは反対側の面において、前記基板の厚さ方向で前記第1の積層配線接続部と重なる位置を少なくとも含む範囲に、前記直流配線および前記交流配線を放熱させる放熱ベースが配置される
半導体モジュール。 - 請求項1に記載の半導体モジュールであって、
前記第1の積層配線接続部は、前記基板を貫通する貫通孔の内側の側面に形成されたメッキ膜を有し、前記メッキ膜を介して複数の前記直流配線または前記交流配線を互いに電気的に接続する
半導体モジュール。 - 請求項1に記載の半導体モジュールであって、
前記第1の積層配線接続部は、前記基板を貫通する貫通孔の内側にメッキ層を充填して形成された充填ビアを有し、前記充填ビアを介して複数の前記直流配線または前記交流配線と接続する
半導体モジュール。 - 請求項1に記載の半導体モジュールであって、
前記第1の積層配線接続部は、前記基板を貫通する貫通孔の内側に金属柱を圧入して形成されたインレイを有し、前記インレイを介して複数の前記直流配線または前記交流配線を互いに電気的に接続する
半導体モジュール。 - 請求項1に記載の半導体モジュールであって、
前記積層領域は、第2の積層配線接続部を有し、
前記直流配線は、正極配線と負極配線を含み、
前記第2の積層配線接続部は、前記正極配線または前記負極配線または前記交流配線のいずれかに接続し、かつ前記端子が接続される前記基板の面とは反対側の面において前記放熱ベースに熱的に接続する
半導体モジュール。 - 請求項1に記載の半導体モジュールを備え、
前記基板の平面において、前記基板の長手寸法方向に形成される前記直流配線に沿って、複数の平滑キャパシタ素子が並んで配置される
電力変換装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2022097540A JP2023183805A (ja) | 2022-06-16 | 2022-06-16 | 半導体モジュールおよび電力変換装置 |
PCT/JP2023/015076 WO2023243207A1 (ja) | 2022-06-16 | 2023-04-13 | 半導体モジュールおよび電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022097540A JP2023183805A (ja) | 2022-06-16 | 2022-06-16 | 半導体モジュールおよび電力変換装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023183805A true JP2023183805A (ja) | 2023-12-28 |
Family
ID=89190941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2022097540A Pending JP2023183805A (ja) | 2022-06-16 | 2022-06-16 | 半導体モジュールおよび電力変換装置 |
Country Status (2)
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JP (1) | JP2023183805A (ja) |
WO (1) | WO2023243207A1 (ja) |
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JP7283358B2 (ja) * | 2019-11-14 | 2023-05-30 | 株式会社デンソー | 電子制御装置 |
-
2022
- 2022-06-16 JP JP2022097540A patent/JP2023183805A/ja active Pending
-
2023
- 2023-04-13 WO PCT/JP2023/015076 patent/WO2023243207A1/ja unknown
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Publication number | Publication date |
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WO2023243207A1 (ja) | 2023-12-21 |
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