KR101151796B1

KR101151796B1 - 칩형 전자부품 수납대지

Info

Publication number: KR101151796B1
Application number: KR1020050089929A
Authority: KR
Inventors: 마나부 야마모토; 다케토 오쿠타니; 히사미 타비라; 이쿠로 데시마
Original assignee: 오지 세이시 가부시키가이샤
Priority date: 2004-09-28
Filing date: 2005-09-27
Publication date: 2012-07-03
Also published as: TW200619107A; CN1754781B; TWI370092B; CN1754781A; JP2006096361A; KR20060051691A; JP4412135B2

Abstract

본 발명은 칩형 전자부품을 수납하는 공동의, 환경조건의 변화에 따른 칫수변화가 없거나 적은 부품수납용 대지를 제공한다. 대지를 다층 판지 구조로 제작하고, 이 대지내 공동의 칫수변화율을 23℃, 50%RH, 24시간이라는 조건하에서의 칫수를 기준으로 하여, 60℃, 90%RH, 24시간 조건하의 MD방향 칫수변화율을 5.5%이하, CD방향 칫수변화율을 11.0% 이하로 조절한다.

칩 수납, 공동, 다층 판지 구조

Description

칩형 전자부품 수납대지{CONTAINER PAPER BOARD FOR CONTAINING ELECTRONIC CHIPS}

본 발명은 종이제 칩형 전자부품 수납 대지(臺紙)에 관한 것이다. 보다 구체적으로 설명하면, 본 발명은 환경하에서의 온도와 습도의 변화에 의한 칩부품의 삽입불량 및 추출불량이 없거나 적어, 작업성이 뛰어난 칩형 전자부품 수납대지에 관한 것이다.

칩형 전자부품 수납대지는 칩형 전자부품의 캐리어(수납보유재)로서, 통상 대지용 판지를 아래와 같이 가공 처리하여 제조된다.

(1) 대지용 판지를 테이프 모양으로 소정의 폭으로 가늘게 자른다.

(2) 얻어진 판지 테이프에 소정 크기의 각진 구멍과 원형 구멍을 형성한다. 각진 구멍은 칩형 전자부품의 수납을 위해 사용되며, 원형 구멍은 부품충전기 내에서 대지를 소정 거리만큼 진행시키기 위하여 사용된다.

(3) 대지의 이면(바닥(bottom)쪽)에 하부 커버 테이프를 접착하고, 각진 구멍 및 원형 구멍의 바닥면을 형성한다. 한편, 각진 구멍을 뚫는 대신, 대지 테이프에 소정 크기의 각진 오목면이 엠보싱 가공되어 바닥이 있는 구멍을 형성하는 경우 도 있으며, 이 경우 이 공정 (3)은 생략된다. 대지에 커버 테이프를 접착하기 위해서는, 대지의 이면에 커버 테이프를 겹치고, 커버 테이프 위에서부터 열과 압력을 가하는 방법, 이른바 히트실(heat seal)법이 이용된다.

(4) 상기 대지내의 각진 구멍 안에 칩형 전자부품을 충전한다.

(5) 대지의 표면(윗면 쪽)에 히트실법에 의해 상부 커버 테이프를 접착하여 각진 구멍을 막는다.

(6) 얻어진 칩 수납대지 테이프를 소정 크기의 카세트 릴에 감아, 칩형 전자부품과 함께 출하한다.

(7) 최종 사용자가 상부 커버 테이프를 대지 표면으로부터 벗겨내 각진 구멍을 열고, 그곳에 수납되어 있는 칩형 전자부품을 꺼낸다.

상기 제조 및 사용방법에 근거하여 수납대지에 요구되는 성능은, (1) 충전된 칩부품에 악영향을 주지 않을 것, (2) 커버 테이프가 충분한 접착강도로 접착되어 보유되도록 대지의 표면이 충분한 평활성을 가질 것, (3) 대지에 실시된 각종 처리를 견딜 수 있는 충분한 기계적 강도를 가질 것, 및 (4) 칩부품을 삽입하기 위한 각진 구멍(이하, 이것을 공동(cavity)이라고 함)이 정확한 칫수를 가질 것 등이다.

수납대지의 품질결함에 따른 실용상의 문제 중 하나는, 공동 칫수의 불량에 기인하는 칩형 전자부품의 삽입불량 및 추출불량이다.

지금까지, 대지의 공동 형성성을 개량하기 위한 수단으로서, 일본특허공개 2000-43975호 공보 및 일본특허공개 2002-53195호 공보에는 종이의 밀도를 조절하는 방법이 개시되어 있으며, 일본특허공개 2003-95320호 공보에는 종이의 세로방향 및 가로방향의 파단연신율을 조절함으로써 공동 가공성을 관리하는 방법이 개시되어 있다. 하지만, 상기 방법 모두 작업환경의 온도 및 습도 변화에 따른 공동의 형성 칫수 변화에 충분히 대응할 수 있는 것이 아니어서, 환경변화에 기인하는 칩 삽입불량 및 추출불량 등의 발생을 충분히 방지할 수 없었다.

본 발명은 종이제 칩형 전자부품 수납대지에 있어서, 칩부품을 수납하는 공동의 형상 및 칫수변화를 억제하여 칩형 전자부품의 삽입불량 및 추출불량의 발생을 억제하거나 줄일 수 있는, 칩형 전자부품 수납대지를 제공하려는 것이다.

본 발명자들은 종래의 다층 판지의 칩형 전자부품 수납대지에 있어서, 일정한 환경의 온도 및 습도 변화에 따른 대지내 공동의 칫수변화율을 소정치 이하로 조절함으로써, 환경변화에 기인하는 칩형 전자부품의 삽입불량 및 추출불량의 발생이 현저히 감소되는 것을 발견하고, 이에 근거하여 본 발명을 완성하였다.

본 발명의 칩형 전자부품을 수납하는 칩형 전자부품 수납대지는, 다층 판지 구조로 이루어고, 칩형 전자부품을 수납하는 복수의 공동을 가지는 대지로서, 온도 23℃, 상대습도 50%에서 24시간 방치한 후의 상기 대지내 공동의 칫수를 기준으로 하여, 이것을 온도 60℃, 상대습도 90%에서 24시간 방지한 후의 대지내 공동의 MD 방향에서의 칫수변화율이 5.5%이하이고, CD 방향에서의 칫수변화율이 11.0%이하인 것을 특징으로 하는 것이다.

본 발명의 칩형 전자부품 수납대지에 있어서, 상기 대지내 공동의 MD 방향에 서의 칫수변화율이 4.0% 이하이고, CD 방향에서의 칫수변화율이 9.0%이하인 것이 바람직하다.

본 발명의 칩형 전자부품 수납대지에 있어서, 상기 대지용 다층 판지 구조의 JIS P8113에 따라 측정된 MD 방향 및 CD 방향의 인장강도의 비가 1.10~2.50이며, 또한 상기 대지용 다층 판지 구조를 20℃의 증류수에 5분간 침지했을 때의 흡수율이 상기 판지 침지전 질량의 40질량% 이하인 것이 바람직하다.

본 발명의 칩형 전자부품 수납대지에 있어서, 상기 다층 판지 구조는 그 적어도 1층이 단망(短網) 와이어 또는 장망 와이어를 사용하여 초지(抄紙; 종이뜨기) 형성된 것인 것이 바람직하다.

본 발명의 칩형 전자부품 수납대지는, 다층 판지 구조로 이루어지며, 칩형 전자부품을 수납하는 복수의 공동을 가지는 대지에 있어서, 그 공동이 있는 대지를 온도 23℃, 상대습도 50%에서 24시간 방치한 후의 상기 대지내 공동의 칫수를 기준으로 하여, 이 공동이 있는 대지를 온도 60℃, 상대습도 90%에서 24시간 방지한 후의 상기 대지내 공동의 MD 방향에서의 칫수변화율이 5.5%이하로 조절되어 있고, CD 방향에서의 칫수변화율이 11.0%이하로 조절되어 있다. 이와 같은 본 발명의 칩형 전자부품 수납대지는 환경 온도 및 습도의 변화에 기인하는 칩부품의 삽입불량 및 추출불량의 발생을 방지할 수 있다. 상기 조건하에서의 대지내 공동의 MD방향에서의 칫수변화율이 4.0%이하로 조절되고, CD 방향에서의 변화율이 9.0%이하로 조절되어 있으면, 칩부품의 삽입불량 및 추출불량의 발생에 대한 방지효과가 더욱 커진다.

즉, 온도 23℃, 상대습도 50%의 환경조건으로부터 온도 60℃, 상대습도 90%의 환경조건으로의 변화에 따른 대지내 공동의 칫수변화율을 상기 상한치 이하로 낮춤으로써, 습도가 높을 때 칩부품의 삽입불량 및 추출불량의 원인이 되는 공동형상 칫수의 변화, 및 공동내부에 발생하는 보풀 섬유의 팽창을 완화할 수 있으며, 고습에서 저습으로 환경조건이 변하였을 때에도 공동 칫수의 변화를 억제할 수 있어, 이에 의해 칩부품의 삽입불량 및 추출불량의 발생을 방지할 수 있다.

또한, 본 발명의 대지에서는, 대지를 형성하고 있는 다층 판지 구조의 JIS P8113 '종이 및 판지- 인장특성 시험방법'에 의해 측정된 MD 방향 및 CD 방향의 인장강도의 비가 1.10~2.50이며, 또한 상기 대지용 다층 판지 구조를 20℃의 물 안에 5분간 침지했을 때의 흡수량이 상기 판지의 침지전 질량의 40질량% 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또한 대지용 다층 판지 구조의 인장강도의 MD/CD비가 1.10~2.10인 것이 더욱 바람직하다.

즉, 대지용 다층 판지 구조의 인장강도의 MD/CD비를 1.10~2.50으로 조절함으로써, 온도 및 습도 변화에 기인하는 대지내 공동의 칫수변화, 특히 CD 방향에서의 공동의 형상 칫수 변화를 억제할 수 있다. 또한, 물에 침지했을 때의 대지용 다층 판지 구조의 흡수량을 줄임으로써, 고온다습하에서의 대지의 수분흡수를 방지할 수 있어 공동형상의 변화를 억제할 수 있다.

본 발명에서 사용되는 대지용 다층 판지 구조를 형성하기 위한 원료펄프에는 특별한 제한이 없으며, 예를 들어, 화학펄프, 기계펄프, 고지펄프, 비목재섬유 펄프 등을 단독으로 사용하여도 좋고, 여러 종류를 조합하여 사용하여도 좋다. 단, 섬유형태가 균일한 펄프를 사용하는 것이 바람직하다. 특히, 섬유형태가 균일한 광엽수 펄프를 단독으로 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 이들 펄프의 고해기(叩解機; 타격장치)는 특별히 제한되지 않으며, 적당한 고해기를 사용하여 고해할 수 있다.

본 발명에서 사용되는 고해기에는 특별한 한정이 없으며, 비터기(beater), 조단(jordan), 디럭스 파이너(DF, delux finer)기, 더블 디스크 리파이너(DDR)기 등의 여러가지 고해기를 사용할 수 있다. 또한, 고해의 정도에 대해서도 특별한 한정은 없지만, 초지 적성이 뛰어난 펄프를 제조할 수 있도록, 캐나다 표준형 여수도(Canadian Standard Freeness) 250~550ml 정도의 고해처리가 바람직하다. 또한, 대지내 공동에 발생하는 버(burr)의 방지, 및 환경변화에 기인하는 공동 칫수 형상의 변화를 방지하기 위하여, 다층 판지 구조의 구성층 사이의 펄프 여수도(濾水度) 차이는 50ml이하인 것이 바람직하다.

또한, 다층 판지 구조용 펄프의 수성 슬러리에는, 필요에 따라 여러가지의 내첨약품을 사용할 수 있다. 예를 들어, 로진계 사이즈제, 스틸렌-말레산(maleic acid) 공중합체, 스틸렌?아크릴 공중합체, 스틸렌?오레핀 공중합체, 알킬케텐다이머, 알케닐 무수호박산 등과 같은 제지용의 천연 및 합성내첨 사이즈제, 각종 지력증강제, 여수 수율향상제, 폴리아미드폴리아민에피크롤히드린 등의 내수화제, 소포제, 활석(talc) 등의 충전재, 염료 등을 사용할 수 있다.

본 발명에서는 다층 판지 구조로부터 대지를 제조할 때의 공동 형성성을 향상시키기 위하여, 또한 온도 및 습도 변화에 따른 칫수변화를 줄이기 위하여, 분자 량이 100만 이상인 양성 폴리아크릴아미드 지력제를, 펄프 질량에 대하여 0.8 질량% 이상 첨가하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 분자량 250만 이상의 양성 폴리아크릴아미드 지력제를 0.8질량% 이상의 비율로 첨가한다. 또한, 대지용 다층 판지 구조를 20℃의 증류수에 5분간 침지했을 때의 흡수율이 침지전 판지 질량의 40질량% 이하가 되도록 사이즈를 조절하는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명에서는 대지와 하부 커버 테이프, 및 하부 커버 테이프와의 접착성, 및 보풀 방지효과를 향상시키기 위하여, 수납대지의 표면 및 이면에 폴리비닐알코올, 녹말, 폴리아크릴아미드, 아크릴계 수지, 스틸렌-부타디엔계 수지, 스틸렌-이소프렌계 수지, 폴리에스테르계 수지, 에틸렌-초산 비닐계 수지, 초산비닐-비닐알코올계 수지, 우레탄계 수지 등의 1종 이상으로 이루어지는 하지도료를 적절히 도포하여도 좋다. 더욱이, 도포수단에 대해서도 예를 들어, 바 코터(bar coater), 블레이드 코터(blade coater), 에어 나이프 코터(air knife coater), 로드 코터(rod coater), 게이트롤 코터(gate roll coater)나 사이즈프레스(sizepress) 또는 캘린더 코터(calender coater) 등의 롤 코터(roll coater), 빌 블레이드 코터(bill blade coater) 또는 벨-바파 코터(Bel-Bapa coater) 등을 사용할 수 있다.

본 발명의 칩형 전자부품 수납대지용 다층 판지 구조의 평량(basis weight)은, 대지안에 수납하는 칩형 전자부품의 크기에 따라 일반적으로 200~1000g/m²의 범위내로 설정하는 것이 바람직하다. 평량이 이와 같은 범위내에 있을 경우, 대지용 다층 판지 구조의 초조(抄造) 방법으로는 결을 살리기 쉬운 다층 초지를 사용하는 것이 바람직하고, 이 때, 적어도 1층을 단망 와이어 또는 장만 와이어를 사용하는 초지 공정에 의해 형성하는 것이 바람직하며, 이와 같이 하면 J/W비를 적절히 조정할 수 있게 되어, MD/CD 칫수변화율비를 작게 제어하고 CD방향의 신축을 작게 조절하는 것이 쉬워진다.

(실시예)

본 발명을 아래의 실시예에 따라 상세히 설명하는데, 본 발명은 이것들에 의해 한정되지 않는다. 배합, 농도 등을 나타내는 '부', '%'의 수치는, 고형분 또는 유효성분의 질량을 기준으로 하는 것이다. 또한, 특별히 기재하지 않는 한, 초조된 종이는 JIS P8111에 따라 전처리를 한 후에 측정 및 테스트하였다. 한편, 공동의 칫수변화율 측정방법, 인장강도의 MD/CD비, 판지를 물 안에 침지했을 때의 흡수량, 실장 테스트의 조건에 대해서 아래에 상세히 기재한다.

<칫수변화율의 측정방법>

공지 판지를 8mm 폭의 테이프 모양으로 가늘게 자르고, 이 테이프 모양 판지를 JIS C0806-3에 따라 니혼오토매틱머신사 제품 ACP 505S형 엔보스기를 사용하여, 2mm 간격으로 CD방향 칫수 0.66mm, MD방향 칫수 0.36mm, Z축방향 칫수(깊이) 0.35mm의 공동을 프레스 성형함으로써 전자부품 수납대지를 제조하였다. 이 대지를 23℃, 50%의 환경하에 24시간 방치한 후, 공동을 그 윗쪽으로부터 전자현미경으로 사진촬영하여, 공동의 MD방향(T1,mm), CD방향의 칫수(Y1,mm)를 측정하였다. 이어서, 상기 대지를 60℃, 90%의 환경하에 24시간 방치한 후, 상기와 마찬가지로 전자현미경으로 공동을 사진촬영하여, 그 MD방향(T2,mm), CD방향의 칫수(Y2,mm)를 측정 하였다. 공동의 칫수변화율은 아래의 식에 의해 MD방향 칫수변화율 T(%), CD방향 칫수변화율 Y(%)을 산출하였다.

T=[(T2-T1)]×100/T1

Y=[(Y2-Y1)]×100/Y1

<인장강도의 MD/CD비>

JIS P8113 '종이 및 판지-인장특성 시험방법]에 따라, 공시대지용 다층 판지 구조의 MD방향 및 CD방향의 인장강도를 측정하고, 얻어진 측정치의 MD/CD비를 산출하였다.

<흡수율 측정>

공시대지용 다층 판지 구조를 8mm폭의 테이프 모양으로 가늘게 잘라, 길이 150mm의 테이프 모양 판지 시료 5장을 조제하고, 이 시료 5장의 합계중량(W1g)을 측정하였다. 이어서 시료 5장을 20℃ 증류수 안에 5분간 침지하고, 끌어올려 바로 여과지로 각 시료의 이표면의 물방울을 제거한 후, 5장의 흡수시료의 합계중량(W2g)을 측정하였다. 5장의 시료의 침지 전후의 질량차이(W2-W1)가 흡수량이다. 다음 식에 의해 시료의 흡수율 M(%)을 산출하였다.

M= [(W2-W1)×100]/W1

<실장 테스트>

온도 23℃, 상대습도 45%의 환경하에서, 대지용 다층 판지 구조를 8mm폭의 테이프 모양으로 가늘게 자르고, 이 테이프 모양 판지의 한 쪽에 JIS C0806-3에 따라 직경 1.54mm의 원형 구멍을 4mm간격으로 형성하며, 그것과 동시에 테이프 모양 판지의 다른 쪽에 CD방향 칫수 0.66mm, MD방향 칫수 0.6mm, Z축방향 칫수(깊이) 0.35mm의 각진 천공부를 2mm간격으로 형성하였다. 이 천공부 안에 세로 0.6mm, 가로 0.3mm, 높이 0.30mm의 콘덴서 칩을 충전하고, 이어서 대지의 개구홀측 표면에 상부 커버 테이프를 도쿄웰즈 가부시키가이샤 제품 'TWA6601'(상표)을 사용하여 접착하였다. 상기 상부 커버 테이프의 접착조건은 히트실 온도 190℃, 히트실 압력 3.5kg, 테이핑 속도 2400택트(tact)/min였다. 이어서, 온도 28℃, 상대습도 68%의 환경하에서 마츠시타덴키산교 가부시키가이샤 제품의 실장기(모델 panasert MSR)를 사용하여, 600개/min 의 실장속도로 2만개의 컨덴서 칩을 상기 대지의 천공부로부터 꺼내어, 그 실장공정중에 컨덴서 칩이 튀어나오는 것에 의해 실장 미스의 횟수를 세었다.

실시예 1

표층, 중층, 속층의 3층 판지 구조를 제조하였다. 이 때, 표층용 펄프로는 침엽수 크라프트 펄프A 30질량%, 광엽수 표백 크라프트 펄프B 70질량%를 더블 디스크 리파이너로 혼합 고해하여 CSF(캐나다 표준형 여수도) 460ml로 조제한 것을 사용하고, 중층용 펄프로는 침엽수 크라프트 펄프A 10질량%, 광엽수 표백 크라프트 펄프B 90질량%를 더블 디스크 리파이너로 혼합 고해하여 CSF(캐나다 표준형 여수도) 410ml로 조제한 것을 사용하며, 속층용 펄프로는 광엽수 표백 크라프트 펄프B를 단독으로 더블 디스크 리파이너로 CSF(캐나다 표준형 여수도) 470ml까지 고해하여 조제한 것을 사용하였다. 각각의 펄프슬러리에 황산밴드를 펄프질량에 대하여 2.0질량%의 비율로 첨가하고, 사이즈제로서 사이즈파인 N-771 (상표, 아라카와카가쿠고교 가부시키가이샤 제품, 로진에멀젼 사이즈제) 0.50질량%를 첨가하며, 지력제로서 폴리스토론 117(상표, 아라카와카가쿠고교 가부시키가이샤 제품 ,폴리아크릴아미드계 지력제) 1.0 질량%를 첨가하였다. 상기 3종의 펄프슬러리를 장망 3층 초합(抄合) 초조기에 공급하여, J/W비 1.15, 표층 100g/m², 중층200g/m², 속층50g/m²의 평량으로 초합하며, 또한 사이즈 프레스기로 비누화도 88몰%, 중합도 1000의 폴리비닐알코올을 건조도포량으로서 1.0g/m² 도포하여, 얻어진 종이를 초지기에 설치된 평활화 처리기(머신 캘린더)로 평활화 처리하였다. 평량 350g/m², 두께 0.42mm의 칩형 전자부품 수납대지용의 3층 판지 구조를 제조하였다. 이 판지를 사용하여 대지를 제조하고 실장 테스트하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.

실시예 2

실시예 1과 마찬가지로 칩형 전자부품 수납대지를 제조하여 실장 테스트하였다. 단, 3층 판지 구조의 제조에 있어서, 표층용 펄프로는 광엽수 표백 크라프트 펄프B 단독을 더블 디스크 리파이너로 고해하여 CSF(캐나다 표준형 여수도) 460ml로 조제한 것을 사용하고, 중층용 펄프로는 광엽수 표백 크라프트 펄프B 단독을 더블 디스크 리파이너로 고해하여 CSF(캐나다 표준형 여수도) 410ml로 조제한 것을 사용하며, 속층용 펄프로는 광엽수 표백 크라프트 펄프B를 단독으로 더블 디스크 리파이너로 CSF(캐나다 표준형 여수도) 470ml까지 고해한 것을 사용하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.

실시예 3

실시예 1과 마찬가지로 칩형 전자부품 수납대지를 제조하여 실장 테스트하였다. 단, 3층 판지 구조의 제조에 있어서, 표층용 펄프로는 광엽수 표백 크라프트 펄프B 단독을 더블 디스크 리파이너로 고해하여 CSF(캐나다 표준형 여수도) 430ml로 조제한 것을 사용하고, 중층용 펄프로는 광엽수 표백 크라프트 펄프B 단독을 더블 디스크 리파이너로 고해하여 CSF(캐나다 표준형 여수도) 410ml로 조제한 것을 사용하며, 속층용 펄프로는 광엽수 표백 크라프트 펄프B를 단독으로 더블 디스크 리파이너로 CSF(캐나다 표준형 여수도) 430ml까지 고해한 것을 사용하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.

실시예 4

실시예 2와 마찬가지로 하여 평량 350g/m², 두께 0.42mm의 칩형 전자부품 수납대지를 제조하고 실장 테스트하였다. 단, 3층 판지 구조의 초지에 있어서, J/W비를 1.30으로 변경하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.

실시예 5

실시예 1과 마찬가지로 하여 평량 350g/m², 두께 0.42mm의 칩형 전자부품 수납대지를 제조하고 실장 테스트하였다. 단, 3층 판지 구조의 초지에 있어서, 단망 1층(표층)과 환망 K포머 2층의 초합 초조기를 사용하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.

실시예 6

실시예 2와 마찬가지로 하여 평량 350g/m², 두께 0.42mm의 칩형 전자부품 수납대지를 제조하고 실장 테스트하였다. 단, 3층 판지 구조의 초지에 있어서, 표층, 중층, 속층 각각의 펄프슬러리에, 황산밴드를 펄프질량에 대하여 1.0질량%의 비율로 첨가하고, 사이즈제로서 사이즈파인 N-771(상표, 아라카와카가쿠고교 가부시키가이샤 제품, 로진에멀젼사이즈제) 0.30질량%를 사용하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.

실시예 7

실시예 2와 마찬가지로 하여 평량 350g/m², 두께 0.42mm의 칩형 전자부품 수납대지를 제조하고 실장 테스트하였다. 단, 3층 판지 구조의 초지에 있어서, 각 층용 펄프슬러리에 지력제로서 폴리스트론 117(아라카와카가쿠고교 가부시키가이샤 제품, 폴리아크릴아미드계 지력제) 0.3질량%를 첨가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.

실시예 8

실시예 3과 마찬가지로 하여 평량 350g/m², 두께 0.42mm의 칩형 전자부품 수납대지를 제조하고 실장 테스트하였다. 단, 3층 판지 구조의 초지에 있어서, 단망 3층 초합 초조기를 사용하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.

실시예 9

실시예 1과 마찬가지로 하여 평량 350g/m², 두께 0.42mm의 칩형 전자부품 수납대지를 제조하고 실장 테스트하였다. 단, 3층 판지 구조의 초지에 있어서, 각 층용 펄프슬러리에 지력제로서 폴리스트론 117(상표) 대신에 폴리스트론 1250(아라카와카가쿠고교 가부시키가이샤 제품, 폴리아크릴아미드계 지력제) 1.0질량%를 사용하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.

비교예 1

실시예 5와 마찬가지로 하여 평량 350g/m², 두께 0.42mm의 칩형 전자부품 수납대지를 제조하고 실장 테스트하였다. 단, 초지에 있어서, J/W비를 1.30으로 하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.

비교예 2

표층, 중층, 속층으로 이루어지는 3층 판지 구조를 초지하였다. 이 때, 표층용 펄프에는 침엽수 크라프트 펄프A 40질량%, 광엽수 표백 크라프트 펄프B 60질량%를 더블 디스크 리파이너로 혼합 고해하여 CSF(캐나다 표준형 여수도) 480ml로 조제한 것을 사용하고, 중층용 펄프로는 침엽수 크라프트 펄프A 30질량%, 광엽수 표백 크라프트 펄프B 70질량%를 더블 디스크 리파이너로 혼합 고해하여 CSF(캐나다 표준형 여수도) 420ml로 조제한 것을 사용하며, 속층용 펄프로는 광엽수 표백 크라프트 펄프 B를 단독으로 더블 디스크 리파이너로 CSF(캐나다 표준형 여수도) 480ml까지 고해하여 조제한 것을 사용하였다. 각각의 펄프슬러리에 황산밴드를 펄프질량에 대하여 2.0질량%의 비율로 첨가하고, 사이즈제로서 사이즈파인 N-771(상표, 아라카와카가쿠고교 가부시키가이샤 제품, 로진에멀젼 사이즈제) 0.50질량%를 첨가하며, 지력제로서 폴리스트론 117(상표, 아라카와카가쿠고교 가부시키가이샤 제품, 폴리아크릴아미드계 지력제) 1.0질량%를 첨가하였다. 상기 3종류의 펄프슬러리를 환망 순류 배트(uni-flow vat) 3층 초합 초조기에 공급하여 표층 100g/m², 중층 200g/m², 속층 50g/m²의 질량으로 초합하고, 얻어진 종이 그리고 사이즈 프레스기로 비누화도 88몰%, 중합도 1000의 폴리비닐알코올을 건조도포량 1.0g/m²로 도포하고, 다시 초지기에 설치된 평활화 처리기(머신 캐린더)로 평활화 처리하여 질량 350g/m², 두께 0.42mm의 칩형 전자부품 수납대지를 제조하였다. 이 대지를 실장테스트하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.

비교예 3

표층, 중층, 속층으로 이루어지는 3층 판지 구조를 초지하였다. 이 때, 표층용 펄프로는 침엽수 크라프트 펄프 A 30질량%, 광엽수 표백 크라프트 펄프B 70질량%를 더블 디스크 리파이너로 혼합 고해하여 CSF(캐나다 표준형 여수도) 530ml로 조제한 것을 사용하고, 중층용 펄프로는 침엽수 크라프트 펄프A 25질량%, 광엽수 표백 크라프트 펄프B 75질량%를 더블 디스크 리파이너로 혼합 고해하여 CSF(캐나다 표준형 여수도) 450ml로 조제한 것을 사용하며, 속층용에는 광엽수 표백 크라프트 펄프B를 단독으로 더블 디스크 리파이너로 CSF(캐나다 표준형 여수도) 500ml까지 고해하여 조제한 것을 사용하였다. 각각의 펄프슬러리에 황산밴드를 펄프질량에 대하여 2.0질량%의 비율로 첨가하고, 사이즈제로서 사이즈파인 N-771(상표, 아라카와카가쿠고교 가부시키가이샤 제품, 로진에멀젼 사이즈제) 0.50질량%를 첨가하며, 지력제로서 폴리스트론 117(상표, 아라카와카가쿠고교 가부시키가이샤 제품, 폴리아크릴아미드계 지력제) 1.0질량%를 첨가하였다. 상기 3종류의 펄프슬러리를 환망 순류 배트 3층 초합 초조기에 공급하여, 표층 100g/m², 중층 200g/m², 속층 50g/m²의 평량으로 초합하고, 얻어진 종이에 다시 사이즈 프레스기로 비누화도 88몰%, 중합도 1000의 폴리비닐알코올을 건조도포량 1.0g/m²로 도포하며, 또한 초지기에 설치된 평활화 처리기(머신 캐린더)로 평활화 처리하여 평량 두께 0.42mm의 칩형 전자부품 수납대지를 제조하였다. 이 대지를 실장테스트하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.

얻어진 시료의 공동의 칫수변화율, 인장강도의 세로/가로비, 기재를 침지시켰을 때의 흡수율, 실장테스트를 상술한 방법으로 평가하였다. 평가결과를 표 1에 나타낸다.

	공동칫수 변화율 (%)		인장 강도의 MD/CD비	흡수율 (%)	각층 프리네스(ml) 표/중/속	J/W비	초지기	지력제량(%)대 펄프질량	실장 테스트 실장미스 (회)
	MD 방향	CD 방향	인장 강도의 MD/CD비	흡수율 (%)	각층 프리네스(ml) 표/중/속	J/W비	초지기	지력제량(%)대 펄프질량	실장 테스트 실장미스 (회)
실시예1	-3.80	-8.50	2.20	30	460/410/470	1.15	장망	1.0	2
실시예2	-3.60	-8.10	2.10	30	460/410/470	1.15	장망	1.0	1
실시예3	-2.80	-6.70	1.95	30	430/410/430	1.15	장망	1.0	0
실시예4	-4.30	-9.20	2.40	30	460/410/470	1.30	장망	1.0	5
실시예5	-5.36	-10.39	2.60	30	460/410/470	1.15	단망+ 환망K포머	1.0	6
실시예6	-4.30	-8.80	2.10	55	460/410/470	1.15	장망	1.0	4
실시예7	-4.20	-8.70	2.10	30	460/410/470	1.15	장망	0.3	4
실시예8	-3.10	-7.10	2.02	30	430/410/430	1.15	장망	1.0	1
실시예9	-3.65	-8.20	2.20	30	460/410/470	1.15	장망	1.0	1
비교예1	-5.55	-11.85	2.72	30	460/410/470	1.30	환망K포머	1.0	7
비교예2	-5.85	-12.01	3.10	30	480/420/480	-	환망배트	1.0	10
비교예3	-4.90	-11.50	2.98	30	530/450/500	-	환망배트	1.0	10

본 발명의 칩형 전자부품 수납대지는 환경하의 온도 및 습도의 변화에 따라 발생하는 칩부품의 삽입불량 및 추출불량이 없거나 적어, 작업성이 현저히 향상되어 있기 때문에, 실용상의 이용가능성이 높다.

본 발명의 칩형 전자부품 수납대지는 환경 온도 및 습도의 변화에 기인하는 칩부품의 삽입불량 및 추출불량을 방지하여, 작업성을 현저하게 상승시킬 수 있다.

Claims

단망 와이어 또는 장망 와이어를 사용하여 얻어진 적어도 1층을 포함하고, 200~1000g/㎡의 평량(坪量)을 가지는 다층 판지 구조로 이루어지며, 칩형 전자부품을 수납하는 복수의 공동을 가지는 대지(臺紙)로서,

(1) 상기 대지용 다층 판지 구조를 구성하는 지층(紙層) 사이의 펄프 여수도(濾水度) 차이는 50㎖ 이하이고,

(2) 상기 대지용 다층 판지 구조의 JIS P8113에 따라 측정된 MD 방향의 인장강도의 CD 방향의 인장강도에 대한 비(MD/CD)가 1.10~2.50이며,

(3) 상기 대지를 온도 23℃, 상대습도 50%에서 24시간 방치한 후의 상기 대지내 공동의 치수를 기준으로 하여, 이것을 온도 60℃, 상대습도 90%에서 24시간 방치한 후의 대지내 공동의 MD 방향에서의 치수변화율이 4.0% 이하이고, CD 방향에서의 치수 변화율이 9.0% 이하이며, 더욱이,

(4) 상기 다층 판지 구조를 20℃의 증류수에 5분간 침지했을 때의 흡수량이 침지 전의 판지 질량의 40질량% 이하인 것을 특징으로 하는 칩형 전자부품을 수납하는 칩형 전자부품 수납 대지.
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