KR101139739B1 - 유기 반도체 가교결합 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 자가감광 방식(autophotosensitised manner)으로 가교결합을 개시하는, 유기 반도체 및 도체를 가교결합하는 신규한 방법에 관한 것이다. 또한 본 발명은 상기 가교결합 방법을 이용하는 유기 전자 장치의 제조에 관한 것이다. 그 결과, 전자 장치의 특성이 개선된다.

Description

유기 반도체 가교결합 방법{METHOD FOR CROSS-LINKING AN ORGANIC SEMI-CONDUCTOR}
유기 전자 장치는 보다 더 종종 제품에 사용되고 있거나 또는 막 시장에 도입되기 시작했다. 언급할 수 있는 이미 시판되고 있는 제품의 예에는 디스플레이 장치 내 유기 또는 중합체성 발광 다이오드 (OLED, PLED)이다. 유기 태양전지(O-SC), 유기 전계 효과 트랜지스터(O-FET), 유기 박막 트랜지스터(O-TFT), 유기 집적회로(O-IC), 유기 광 증폭기 또는 유기 레이져 다이오드(O-레이져) 가 연구 단계에서 매우 진척되어 있고, 장래에 주된 주요한 자리매김을 할 수 있을 것이다.
중합체성 또는 올리고머성 유기 반도체 기재 전자 장치의 이점은, 저분자량 화합물에 있어서 일반적으로 실시되는 바와 같이, 진공 공정보다 기술적으로 덜 복잡하고 저렴한 것과 관련된 용액으로부터 제조될 수 있다는 점이다. 따라서, 예를 들면, 단일-착색된 전장발광 장치는 용액 유래의 표면 코팅에 의해 물질을 가공함으로써 비교적 간단히 제조될 수 있다. 구조화, 즉 각 픽셀의 어드레싱(addressing) 은 보통 본원에서는 "공급선", 즉 예를 들면 전극에서 시행된다. 이는 예를 들면 형판대로 섀도 마스크(shadow mask)를 통해 실시될 수 있다. 그러나, 산업적 대량 생산에 대해서는 상당한 단점들이 이로부터 제기된다: 상기 마스크는 퇴적 형성으로 인해 1 회 또는 여러 번 사용 후 사용될 수 없고, 복잡한 방식으로 재생되어야만 한다. 따라서, 생산을 위해, 섀도 마스크가 물질 퇴적을 위해 요구되지 않는 공정을 제공하는 것이 바람직할 것이다. 게다가, 섀도 마스크를 통한 구조화 및 표면 코팅은 예를 들면, 풀 칼라(full-colour) 디스플레이가 용액으로부터 제조되는 경우에는 사용될 수 없다. 이러한 목적을 위해서는, 3 가지 주요 칼라(적색, 녹색, 청색)가 고해상력으로 각 픽셀에서 서로 나란히 적용되어야만 한다. 저분자량, 증착가능한 분자인 경우, 픽셀은 섀도 마스크(이미 상기에서 언급된 관련 난점 존재)를 통한 각 칼라의 증착으로써 제조될 수 있는 반면에, 상기는 중합체성 물질에서는 가능하지 않다. 본원에서 용액은 직접적으로 구조화되는 방법으로 활성층을 적용하는 것에 있다. 상기가 상당한 문제점을 야기한다는 것은 단지 하기 크기로부터 이해가능하다: 층 두께가 100 nm 미만 내지 수 ㎛ 인, 수 10 ㎛ 부근에서 구조가 제조되어야만 한다. 다양한 프린팅 기법, 예컨대 잉크-젯 프린팅이 특히 최근에 이러한 목적용으로 고려되어진다. 그러나, 이러한 프린팅 기술 중 어떤 것도 한편으로는 매우 발달 되지 않아 대량 생산 공정에 이용가능하지 않다. 프린팅 기술에 의한 구조화능(structurability)은 이에 따라 현재 풀리지 않은 문제로 여전히 여겨짐에 틀림없다.
또다른 접근법이 WO 02/10129 및 문헌 [Nature 2003, 421,829] 에 제안되어 있는데, 여기에는 그의 가교결합 반응이 목적되는 방법으로 개시 및 제어될 수 있는 하나 이상의 가교결합할 수 있는 옥세탄기를 함유하는 구조화할 수 있는 유기 반도체 및 도체가 기재되어 있다. 이러한 목적을 위해, 하나 이상의 광-개시제는 상기 물질과 혼합된다. 개시제의 흡수대 내 UV 선을 이용한 조사는 양이온성, 개환 중합을 통한 가교결합 반응을 개시하는 산을 제조한다. 이에 따라, 구조화된 조사는 가교결합 및 비가교결합된 물질을 가진 영역 패턴을 수득가능하게 할 수 있다. 이어서 적합한 용매로 헹구어 비가교결합된 물질을 가진 영역을 제거할 수 있어, 원하는 구조화를 이룬다. 가교결합된 영역은 불용성으로 인해 잔류한다. 따라서, 다수의 층(또는 첫 물질 부근의 기타 물질)은 가교결합이 실행된 후 후속적으로 적용될 수 있다. 구조화를 위해 사용된 조사는 현대 전자의 표준 방법(광식각법)이며, 예를 들면, 해당되는 포토마스크를 통해 수평 조사(flat irradiation)에 의해 또는 레이저를 이용하여 실행될 수 있다. 상기 마스크는 오직 방사선만 마스크를 통해 흐르며 물질은 흐르지 않기 때문에 퇴적의 위험을 포함하지 않는다.
그러나, 광산(photoacid), 또는 그의 반응 생성물은 가교결합 후 불순물로서 전자 장치에 잔류한다. 유기 및 무기 불순물 둘 모두가 전자 장치 조작에 악영향을 끼칠 수 있다는 점이 일반적으로 인정된다. 따라서, 가능한 많이 광산의 이용을 감소할 수 있는 것이 바람직하다. 더욱이, 지금까지 가교결합에 있어서 필수적인 고에너지 UV 방사선은 부작용 및 유기 반도체의 분해를 일으킬 수 있고, 이에 따라 다시 전자 장치 조작에 악영향을 끼칠 수 있다. 따라서 본원에서 이용가능한 더 온화한(milder) 가교 결합 방법이 바람직하다.
미공개 출원 DE 10340711.1 에는 OLED 내 방출층 및 도핑된 전하 주입(doped charge-injection) 층 간의 양이온적으로 가교결합 가능한 층간이 열처리, 아마도 도핑된 전하 주입 층 유래의 양성자를 이용하여 가교결합될 수 있는 방법이 기재되어 있다. 이는 광산의 첨가를 피할 수 있게 한다. 그러나, 먼저 도핑된 전하-주입 층이 존재하고, 두번째로, 넓은 영역에 걸쳐 가교결합이 실행되는 경우에만, 상기 방법이 사용될 수 있다. 구조화는 이러한 방식으로는 가능하지 않고, 결과적으로 상기 방법은 널리 적용될 수 없다.
US 6593388 에는 300 내지 600 nm 에서 흡수하는 중합체성 감광제를 양이온적 광중합성 단량체 및 오늄염의 혼합물과 혼합하고 상기 혼합물을 조사함으로써 양이온성 광중합의 속도를 가속시킬 수 있는 방법이 기재되어 있다. 저분자량 감광제는 또한 상기 목적용으로 문헌(예를 들면, J.V. Crivello, Designed Monomers and Polymers 2002, 5, 141)에서 수 회 기재되었다. 이로 인해 중합은 더 신속하게 진행되고 더 낮은 에너지의 방사선이 사용될 수 있다. 그러나, 유기 전자 장치에 대한 혼합된 감광제의 단점은, 상기가 저분자량 또는 중합체성이든지 관계없이 명확하다: 이들은 가교결합 후 필름으로부터 완전히 분리될 수 없고 이에 따라 불순물로서 장치의 기능에 악영향을 끼칠 수 있으며, 예를 들면 전하 운반에 영향을 끼치거나 또는 빛의 재흡수 및 가능하게는 빛의 재방출에 의해 악영향을 끼칠 수 있는 전자적으로 활성인 화합물이다. 따라서, 이러한 접근법은 유기 반도체의 가교결합에는 적합하지 않다.
놀랍게도, 옥세탄-관능화 유기 반도체의 가교결합의 개시가 광산의 흡수대 내에서 조사에 의해 실행되지 않는 경우, 종래 기술에 따른 것보다 더욱 효율적이 고 더욱 신속하게 가교 결합이 진행된다는 점이 발견되었다. 보다 적은 개시제(광산)가 이에 따라 요구되며, 그 결과 장치는 가교결합 후에 보다 소수의 불순물(특히 광산의 반응 생성물)을 포함하여 더 나은 특성을 가진다. 더욱이, 종래의 기술에 따른 가교결합의 경우에서처럼 가교결합 반응을 개시하기 위해서 단파 UV 방사선으로의 조사가 필수적인 것은 아니다. 상기는 많은 유기 화합물이 광안정적이지 않고, 특히 단파 UV 광에 광안정적이지 않기 때문에 상당한 이점을 제공한다. 더 온화한 가교결합 조건은 원하지 않는 부반응을 막을 수 있게 한다. 전자 장치는 결과적으로 그의 가교결합이 더 짧은 파장(및 이에 따른 고 에너지) UV 조사로 종래의 기술에 따라 개시되는 장치보다 더 나은 특성, 특히 효율 및 수명에 관련하여 더 나은 특성을 가진다.
따라서, 본 발명은 하나 이상의 첨가된 오늄 화합물 및 조사에 의해 개시되는 옥세탄-관능화 유기 반도체 및 도체, 바람직하게는 올리고머성 및 중합체성 유기 반도체 및 도체의 가교결합 방법에 관한 것으로, 상기 조사는 오늄 화합물의 흡수대 밖에서 실행되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 목적을 위해, 오늄 화합물의 흡수대 밖에서의 조사는 조사 파장에서의 오늄 화합물의 흡광도가 최대 흡광도의 최대 5%, 바람직하게는 최대 흡광도의 최대 3 %, 특히 바람직하게는 최대 흡광도의 최대 1 % 인 것을 의미하도록 의도된다. 오늄 화합물의 최대 흡수보다 80 nm 이상 더 긴 파장, 바람직하게는 100 nm 이상 더 긴 파장에서 조사가 실시되는 경우 특히 양호한 결과가 성취됨이 발견되었다. 그러나, 오늄 화합물의 최대 흡수 및 조사 파장간의 간격이 80 nm 미 만인 경우에도 또한 이미 양호한 결과를 성취할 수 있다.
본 출원의 목적을 위해, 관능화 옥세탄이란 하나 이상의 옥세탄기가 하나 이상의 유기 반도체 또는 도체에 임의적으로는 스페이서(spacer)를 통해 공유결합함을 의미한다.
더욱이 본 발명은, 본 발명에 따른 방법에 의해 가교결합되는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 층에 관한 것이다.
나아가 본 발명은, 유기 반도체 또는 도체를 가교결합하는 본 발명에 따른 방법이 하나 이상의 층에 사용되는 것을 특징으로 하는 유기 전자 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
더욱이 본 발명은, 본 발명에 따른 방법에 의해 가교결합된 하나 이상의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 장치에 관한 것이다.
그 자체로 공지된 가교결합된 유기 반도체 및 도체의 층 및 그러한 층을 포함하는 전자 성분은 이미 문헌에 기재되어 있다. 본 발명에 따른 방법에 의해 제조된 층 및 전자 성분은 현재까지 기재된 것과 비교시 개선된 형태학적 특징 및 전자적 특징을 보인다 (이는 특히 실시예 3 에서 명백히 확인된다). 특히, 층의 용매에 대한 저항력 및 전자 장치의 효율 및 수명이 개선된 가교결합 조건에 의해 상당히 개선된다.
오늄 화합물은 양성자 또는 기타 양성기를 중성 분자의 중앙 원자 상으로 내전시켜(adduction) 형성된 배위 포화된 양이온을 가진 염과 같은 화합물을 의미하 는 것으로 여겨진다. 이는 예를 들면 암모늄 화합물(R4N+), 옥소늄 화합물(R3O+), 술포늄 화합물(R3S+), 클로로늄 화합물(R2Cl+), 브로모늄 화합물(R2Br+), 요오도늄 화합물 (R2I+), 등이 포함된다. 상기 화합물 중 일부에 있어서, 이들이 광산과 같은 역할을 수행하는 점, 즉, 이들은 일반적으로 200 내지 300 nm 파장 범위에서의 조사에 대한 분해 반응으로 인해 양성자를 유리시킨다는 점이 공지되어 있다. 공지되어 있고 특히 상기 목적에 적합한 것은 디아릴리오도늄, 디아릴브로모늄, 디아릴클로로늄, 트리아릴술포늄 및 디알킬펜아실술포늄 염이다. 광산의 구체적인 예는 EP 1308781 에 기재된 바와 같이, 4-(티오-펜옥시페닐)디페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트 또는 {4-[(2-히드록시테트라-데실)옥실]페닐}페닐리오도늄 헥사플루오로안티모네이트 등이다.
상기 본문의 목적을 위해, 유기 반도체는 고체로서 또는 층으로서 반도체 특성을 가진 화합물이며, 즉 전도 및 원자가 띠 사이의 에너지 차이가 0.1 내지 4 eV 인 화합물이다. 적합한 유기 반도체 또는 도체는 원칙적으로는 저분자량, 올리고머성, 수지상(dendritic) 또는 중합체성 반도체 또는 도체 물질이다. 본 발명의 목적을 위해, 유기 물질은 순수한 유기 물질뿐 아니라 유기금속 물질 및 유기 리간드와의 금속 배위 화합물으로도 여겨진다. 본원에서 상기 물질은 콘쥬게이션 또는 비-콘쥬게이션될 수 있거나 또는 또한 부분적으로 콘쥬게이션될 수 있으나, 바람직하게는 콘쥬게이션되거나 또는 부분적으로 콘쥬게이션될 수 있고, 특 히 바람직하게는 콘쥬게이션될 수 있다.
하나 이상의 H 원자가 하기 화학식 1, 화학식 2, 화학식 3 또는 화학식 4 의 기로 치환된 유기 반도체 및 도체가 바람직하다:
Figure 112006061238268-pct00001
,
Figure 112006061238268-pct00002
Figure 112006061238268-pct00003
Figure 112006061238268-pct00004
[식 중, 하기의 기호 및 지수가 적용된다:
R1 은 각 경우에, 상동이거나 상이하며, 수소, 탄소수 1 내지 20 의 직쇄형, 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기, 4 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 가진 아릴 또는 헤테로아릴기 또는 탄소수 2 내지 10 의 알케닐기이며, 여기서 하나 이상의 수소 원자는 할로겐 또는 CN 으로 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 C 원자는 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -O-CO- 으로 치환될 수 있고,
R2 는 각 경우에, 상동이거나 상이하며, 수소, 탄소수 1 내지 20 의 직쇄형, 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시알킬기, 4 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 가진 아릴 또는 헤테로아릴기 또는 탄소수 2 내지 10 의 알케닐기이며, 여기서 하나 이상의 수소 원자는 할로겐 또는 CN 으로 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 C 원자는 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -O-CO- 로 치환될 수 있으며,
Z 는 각 경우에, 상동이거나 상이하며, 2가기-(CR3R4)n- 이고, 여기서 부가적으로 하나 이상의 비인접 C 원자는 -O-, -S-, -CO-, -COO- 또는 -O-CO-로 치환될 수 있거나, 또는 탄소수 4 내지 40 의 2 가 아릴 또는 N-, S- 및/또는 O-헤테로아릴기이며, 또한 이는 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수 있으며,
R3, R4 는 각 경우에, 상동이거나 상이하며, 수소, 탄소수 1 내지 20 의 직쇄형, 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시, 알콕시알킬 또는 티오알콕시기, 4 내지 20 개의 방향족 고리 원자를 가진 아릴 또는 헤테로아릴기 또는 탄소수 2 내지 10 의 알케닐기이며, 여기서 하나 이상의 수소 원자는 또한 할로겐 또는 CN으로 치환될 수 있으며; R3 또는 R4 라디칼은 또한 서로 또는 R1 또는 R2 과 고리계를 형성할 수 있으며,
n 은 각 경우에, 상동이거나 상이하며, 정수 0 내지 30, 바람직하게는 1 내지 20, 특히 2 내지 12 이며,
x 는 각 경우에, 상동이거나 상이하며, 정수 0 내지 5, 바람직하게는 1 내지 3 이고,
단, 화학식 1 또는 화학식 2 의 기의 개수는 이용가능한, 즉 치환될 수 있는 유기 반도체 또는 도체의 H 원자의 최대 개수에 의해 제한된다].
화학식 1 내지 4 에서 점선 결합은 유기 반도체로의 연결을 의미한다. 본원에서는 메틸기를 의미하는 것으로 여겨져서는 안된다.
화학식 3 및 화학식 4의 화합물은 신규하다. 따라서 이들은 마찬가지로 본 발명의 주제 대상이다.
하나 이상의 H 원자가 화학식 1 의 기로 치환된 유기 반도체 및 도체가 특히 바람직하다.
본 발명의 한 측면은 유기 도체에 관한 것이다. 이는 바람직하게 전하 주입 및/또는 전하 운반 물질로서 활용된다. 유기 도체는 본원에서 전자-전도 및 정공 전도(hole-conducting) 특징 둘 모두를 가질 수 있다.
본 발명의 추가 국면은 유기 반도체에 관한 것이다. 이는 바람직하게 전하-주입 물질(정공 또는 전자용) 및/또는 전하-운반 물질(정공 또는 전자용) 및/또는 일중항 상태 또는 3중항 상태에서 방출할 수 있는 방출 물질 및/또는 예를 들면 정공-, 전자- 및/또는 여기-차단 물질일 수 있는 차단 물질로서 활용된다.
본 발명의 바람직한 국면에서는 가교결합가능한 화합물은 발광 (light-emitting)화합물이다. 상기는 개선된 물리적인 특성을 지닌 구조화된 전자 장치로 간단한 경로를 제공하면서 본 발명에 따른 가교결합 방법에 의해 특히 효율적으로 가교결합될 수 있다.
또한, 가교결합가능한 층은 도핑된 전도성 중합체 및 유기 반도체 사이에 도입된 옥세탄 함유 "완충 층" 일 수 있다. 이런 유형의 완충 층의 용도는 미공개 출원 DE 10340711.1 에 기재되어 있다. 본원에서도 역시, 본 발명에 따른 가교결합 방법이 층을 효율적으로 가교결합하는 간단한 방법을 제공한다.
바람직한 오늄 화합물은 디아릴리오도늄, 디아릴브로모늄, 디아릴클로로늄 및 트리아릴술포늄염, 특히 바람직하게는 디아릴리오도늄, 디아릴브로모늄 및 디아릴클로로늄 염이고, 여기서 음이온은 가변적이나, 일반적으로는 약 친핵성 음이온, 예컨대 PF6 -, SbF6 -, SbCl6 -, BF4 -, B(C6F5)4 - 등이 선택된다.
혼합물 또는 층 내 오늄화합물의 비율은 광범위하게 가변적일 수 있다. 그러나, 분해 반응의 반응 생성물이 될 수 있는 대로 전자 장치의 기능에 영향을 적게 주도록 가능한 비율을 낮게 유지하는 것이 바람직하다. 반면에, 상기 비율은 가능한 완전히 가교결합을 개시하기에 충분해야 함을 확인해야만 한다. 본원에서 개시제(오늄 화합물)의 비율은 반도체의 상이한 전자 특성이 가교결합에서 그것의 특성에 영향을 끼치므로 각각의 유기 반도체 및 각각의 오늄 화합물에 있어서 개별적으로 최적화될 수 있다. 일반적으로, 혼합물 중 오늄 화합물의 비율은 0.01 내지 5 중량%, 특히 바람직하게는 0.05 내지 3 중량%, 특히 0.1 내지 2 중량% 으로부터 선택되는 것이 바람직한 것으로 입증되었다. 이러한 값들은 특히 디아릴리오도늄 화합물에 적용되고, 상기가 다른 화합물에 대해서 이로부터 벗어나는 것이 완전히 가능하다. 본원의 제 1 법칙으로서 매우 낮은 비율의 오늄 화합물, 바람직하게는 0.1 내지 0.5 중량%의 비율이 손쉽게 산화가능하지 않는 반도체의 경우에 양호한 가교결합에 적당한 반면에, 더 높은 비율의 오늄 화합물, 바람직하게는 1 내지 2 중량% 의 비율이 매우 전자가 많은 산화가능한 반도체의 경우에 있어서 양호한 가교결합을 위해 요구되는 것이 발견되었다.
또한, 가교결합을 완성시키고/시키거나 층으로부터 반응성 중간체를 제거하기 위해 조사 후 층을 후처리하는 것이 바람직할 수 있다.
이러한 목적을 위해, 층은 조사를 마친 후, 바람직하게는 50 내지 250 ℃ 의 범위, 특히 80 내지 150℃ 의 범위의 온도에서 조건화될 수 있다. 조건화 기간은 바람직하게는 0.1 내지 10 분, 특히 1 내지 3 분이다. 특정 이론에 얽매임 없이, 본 출원인은 상기가 필름 내 반응성 옥세탄 단위의 운동성을 증가시키고 이에 따라 가교결합 정도를 증가시킨다고 추정한다. 본원에서 온도는 활용된 물질에 부합된다. 사실상 존재하는 THF 중 불용성이고 기타 일반 유기 용매인 중합체 네트워크가 결과적으로 수득가능하다.
게다가 층은 조사가 완결된 후 및 적당한 경우에는 조건화 후, 바람직하게는 용매, 예컨대 THF 로 헹군다. 추가 첨가제가 예컨대 환원제(예를 들면, LiAlH4, MBDQ 자유 라디칼 음이온 = 2,6-디메틸-2',6'-디-tert-부틸디퀴논 자유 라디칼 음이온, 히드라진, 히드라진 유도체 등) 또는 약염기/친핵체 (예를 들면, 테트라부틸암모늄 아세테이트 또는 브로마이드 등)와 임의적으로는 혼합되거나 상기 용매 중에 용해될 수 있다. 이러한 첨가제의 농도는 낮고, 바람직하게는 10-4 몰/l 미만, 특히 바람직하게는 10-5 몰/l 미만이다. 놀랍게도, 층이 결과적으로 더 나은 전자 특성을 가짐이 발견되었다. 특정 이론에 얽매임 없이, 본 출원인은 환원제가 형성된 임의의 자유 라디칼 양이온 (중성 분자로 환원)을 제거하고, 친핵체/염기는 가교결합 반응의 양이온성 중간체(예를 들면 옥소늄 이온)을 중화한다고 추정한다.
오늄 화합물의 존재하에서 진행되고 조사에 의해 개시되는 가교결합 반응은 상기 조사가 오늄 화합물의 흡수대에서 실행되지 않는다는 점에 있어서 종래 기술에 비해 특징적이다. 본원에서 오늄 화합물의 최대 흡수보다 80 nm 이상 더 긴, 특히 바람직하게는 100 nm 이상 더 긴 파장에서 조사하는 것이 바람직하다. 이러한 수치값은 흡수 및 방출의 결정적인 최대 간격에 해당한다. 이는 오늄 화합물이 직접적으로 광산으로서 역할할 수 없으며, 즉 직접적으로 양성자를 유리시킬 수 없는 것을 의미한다. 놀랍게도, 옥세탄기의 가교결합은 그럼에도 불구하고 매우 효율적으로 신속하게 일어나고, 실제로 다른 점에서는 동일한 조건 하 에서 오늄 화합물의 흡수대 대신에 유기 반도체 또는 도체의 흡수대에서 조사가 실행되는 경우, 결합된 층이 더욱 저항력을 지닌다는 점이 발견되었다. 특정 이론에 얽매임 없이, 본 출원인은 옥세탄-관능화 반도체 또는 도체가 반응에 대한 감광제 역할을 수행한다고 추정한다. 옥세탄의 감광성 양이온 중합이 문헌에 원칙적으로 개시되어 있고, 여기서 상기 사용된 증감제(sensitizer)는 또한 개별적으로 중합체에 첨가된다. 그러나, "거대단량체(macromonomer)" 즉, 가교결합가능한 기를 가진 중합체가 또한 그 자체로 감광제로서 역할을 수행할 수 있음이 지금까지는 기재되지 않았다. 증감제는 그 결과 사실상 100% 의 비율로 막에 존재한다. 이러한 유형의 "자가감작(autosensitisation)" 이 실제로 작용한다는 사실은 새롭고 놀라운 결과이다. 개별적으로 첨가된 증감제에 의한 감광성과 비교시, 불순물, 예컨대 첨가된 증감제는 가장 좋은 가능한 전자 특성을 제공하도록 실질적으로 피해야하기 때문에 전자 성분의 제조에 있어서 상기는 매우 큰 이점이다.
조사는 유기 반도체의 흡수대에서, 특히 각 흡수대의 최대 흡수의 최대 +/- 50 nm 영역 파장에서 바람직하게 실행된다. 가장 넓은 의미에서 폴리-파라-페닐렌 유도체 기재의 콘쥬게이션된 중합체(폴리플루오렌, 폴리스피로비플루오렌 등)에 있어서, 조사는 바람직하게는 예를 들면 370 내지 450 nm 에서 실행된다. 조사 기간은 매우 양호한 가교결합 결과를 수득하면서 매우 짧은 기간으로 선택될 수 있다. 조사는 바람직하게는 0.01 내지 10 초, 특히 바람직하게는 0.1 내지 3 초의 기간으로 실행되고, 상기 시간대는 1mW/㎠ 미만의 광세기에 대응하고; 더 높은 세기에서, 매우 더 짧은 노출 시간은 적절한 경우에 충분할 수 있다.
본 발명의 한 국면에서, 가교결합가능한 화합물은 이미 상기에 기재된 바와 같이 전하 운반 화합물이다. 신규한 방법이 본원에서 기대되지 않은 추가의 이점을 제공한다: 본 발명에 따른 가교결합된 전하-운반 화합물의 막이 일반적 관습상처럼, 반응을 완결하고 전하 운반자를 제거하기 위해 가교결합 후 처리되지 않는 경우, 상기 막은 통상적인 방법으로 조건화되고 세정된 막보다 상당히 더 좋은 전하 운반 특성을 가진다. 특정 이론에 얽매임 없이, 본 출원인은 전하 운반 화합물 및 첨가된 광산간의 광유발 반응이 반응성 종, 예를 들면, 자유 라디칼 양이온의 형성을 야기하고, 이것이 중합체의 전하 운반 화합물 상으로의 산화(도핑)과 동등하며, 그 결과 전하 운반 특성에 상당한 개선을 초래한다고 믿는다. 도핑 정도는 첨가제와 함께 또는 첨가제 없이 후속의 조건화 및/또는 헹굼 단계의 정확한 조건을 통해 조절될 수 있다. 그러나, 도핑을 원하지 않은 경우, 이는 또한 조건화 단계 및 헹굼 단계로 다시 제거될 수 있다.
바람직한 구현예에서, 본 발명에 따른 방법은 이에 따라 가교결합 이외에 동시에 층의 도핑을 제조하도록 전하 운반 물질에 사용된다.
전하 운반 물질의 동시적인 가교결합 및 도핑을 위한 필적가능한 대안은 산화제 첨가에 의한 가교결합 반응의 직접적인 산화 개시이다. 상기는 마찬가지로 본 발명의 주제 대상이다. 이는 또한 감광에 의해 가능한 것보다 더 높은 정도의 도핑을 제조가능하게 한다. 상기 목적에 적합한 산화제는 예를 들면, 니트로소늄염, 또한 트리아릴암모늄 자유 라디칼 양이온 염 또는 그의 반응 생성물 이 손쉽게 가교결합 후, 막으로부터 제거될 수 있는 기타 산화제, 예를 들면 휘발성 또는 쉽게 용해가능한 화합물, 또는 그의 반응 생성물이 불활성이고 전자 장치 조작에 있어서 필름 내 부작용을 일으키지 않는 것이다. 본원에서 손쉽게 다루는 NO 화합물은 예를 들면, NO(BF4) 또는 NO(SbF6)이다. 트리스(4-브로모페닐암모늄)염이 안정한 자유-라디칼 양이온의 예이다. 첨가된 산화제는 우선 옥세탄기의 가교결합을 개시가능하게 하고, 둘째로, 전하 운반 물질의 산화 도핑을 동시에 촉진시킬 수 있다. 가교결합이 광유발이 아닌 산화제의 첨가에 의해 실행되는 경우, 구조화는 더 이상 가능하지 않은데, 그러한 이유로 상기에 언급된 본 발명에 따른 방법은 특히 구축될 중합체에 있어서 산화제를 첨가하는 것이 바람직하다.
더욱이, 이 시점에서 옥세탄기의 존재는 오늄 화합물에 의한 전하-운반 물질의 감광성 도핑을 위해 절대적으로 요하지는 않고, 여기서 가교결합의 가능성이 옥세탄의 관능화 없이는 자연적으로 배제된다는 점이 언급되어져야 한다. 이에 따른 본 발명은 더욱이 또한 오늄 화합물에 의한 전하-운반 물질의 감광된 도핑에 관한 것으로, 조사는 광산의 흡수대 밖에서, 바람직하게는 오늄 화합물의 최대 흡수보다 80 nm 이상 더 긴 파장에서, 특히 바람직하게는 100 nm 이상 더 긴 파장에서 실행되는 것을 특징으로 한다.
장치는 WO 02/10129 및 미공개 출원 DE 10340711.1 에 기재된 일반적인 방법을 이용해 일반적으로 제조되고, 상기에 기재된 바와 같이 신규한 가교결합 방법에 따라 개조되어야만 한다.
유기 전자 장치는 오직 하나의 층으로 이루어질 수 있고 이것이 이어서 옥세탄-함유 가교결합된 화합물을 포함하거나, 또는 다수의 층으로 이루어질 수 있다. 본원에서는 상기 층들 중 하나 이상이 가교결합되는 것이 바람직할 수 있다. 또한 오직 하나의 층이 가교결합되고 나머지 다른 층은 비가교결합되는 것이 바람직할 수 있다. 추가로 층은 전도력이 있을 수 있으며, 예를 들면 도핑된 전도성 전하-주입층, 예컨대, 폴리티오펜 또는 폴리아닐린 유도체일 수 있다. 상기는 또한 반전도성 또는 비전도성일 수 있으며, 예를 들면 전자 주입 물질로서 고 유전율을 가진 화합물, 예컨대 LiF, NaF, BaF2, 등의 용도일 수 있다.
본 발명의 목적을 위해, 전자 장치는 유기 및 중합체성 발광 다이오드(OLED, PLED 예를 들면 EP-A-0 676 461, WO 98/27136), 유기 태양전지(O-SC, 예를 들면, WO 98/48433, WO 94/05045), 유기 전계 효과 트랜지스터(O-FET, 예를 들면 US 5705826, US 5596208, WO 00/42668), 유기 박막 트랜지스터(O-TFT), 유기 집적회로(O-IC, 예를 들면 WO 95/31833, WO 99/10939), 유기 광 증폭기 또는 유기 레이져 다이오드(O-레이져, 예를 들면 WO 98/03566)이나, 그 중에서도 유기 및 중합체성 발광 다이오드이다. 본 발명의 목적을 위해, 유기란 하나 이상의 유기 반도체 또는 도체를 포함하는 하나 이상의 층이 존재한다는 것을 의미한다.
놀랍게도, 신규한 가교결합 방법은 이제 종래 기술에 따른 광유발 가교결합보다 하기의 장점을 제공하며, 여기서 조사는 광산의 흡수대에서 실행된다:
1) 가교결합은 종래 기술에서 가능한 것보다 더 온화한 조건 하에서 실행될 수 있다. 더 높은 에너지 UV 방사선은 광산의 경우 양성자를 유리하고 이에 따라 가교결합을 개시하기 위해 필수적인 반면에, 본 발명에 따른 방법의 경우에 반응은 상당히 더 낮은 에너지(= 더 긴 파장)의 빛으로 개시될 수 있다. 더 자세하게는 광화학적으로 불안정한 유기 반도체 및 도체에 있어서 (그리고 상기는 이제까지 요구된 UV 방사선의 경우 대부분의 유기 반도체 및 도체에 적용됨), 신규한 가교결합 방법은 고 에너지 UV 방사선에 의한 층에서의 분해 및 부반응을 실질적으로 회피할 수 있기 때문에 분명한 이점을 제공한다.
2) 상기 가교결합은 종래 기술의 경우보다 더 신속하고 더 효과적으로 진행된다. 그로 인해, 더 짧은 노출 기간으로 인해 차례로 물질을 보호하고 부 반응을 감소시키는 현재 경우보다 상기 가교 결합은 더 짧은 시간에 실행될 수 있다. 추가로, 더 짧은 가교결합 기간은 또한 공업적 제조 방법에서 분명한 이점을 나타낸다. 장치의 구조화는 결과적으로 매우 효율적이고 마찬가지로 지금까지보다 더 짧은 시간에 가능하다.
3) 더 적은 광산의 첨가를 이용한 본 발명에 따른 방법에 의해 가교결합된 층은 그럼에도 불구하고 용매에 대해 더 나은 저항력을 가진다. 한편 상기는 결과적으로 더 잘 구조화될 수 있고, 다른 한편으로 다수의 층 적용의 경우, 다른 층 위의 한 층이 또한 개선된다.
4) 신규한 방법에 의해 가교결합된 전자 장치의 물리적 특징, 그 중에서도 효율, 조작 전압 및 수명은 층들이 종래 기술에 따른 방법에 의해 가교결합된 전자 장치보다 더 좋다. 이것은 기대되지 않은 놀라운 효과이다. 특정 이론에 얽매임 없이, 본 출원인은 보다 적은 불순물(광산의 반응 생성물)이 결과적으로 층에 잔류하기 때문에 광산의 감소된 첨가가 상기 긍정적인 효과 및/또는 더 온화한 가교결합 조건 및/또는 더 짧은 노출 기간의 사용에 책임이 있을 수 있다고 추정한다.
5) 층의 감광성 가교결합 후에, 전하 (자유 라디칼 양이온)는 유기 반도체 상에 잔류할 수 있다. 이것은 특히 전하 운반 및/또는 전하 주입 물질의 경우, 전하 운반 특징에 바람직한, 추가 전하가 이후에 도핑으로서 작용하고, 이에 따라 이들 물질의 진성 전도성을 증가시키기 때문에 유리하다. 도핑 정도는 후속 조건화 및/또는 헹굼 단계에 의한 원하는 적용에 따라 조절될 수 있다.
본 발명은 하기 실시예로써 더 자세히 설명되나 이에 의해 제한되지는 않는다. 이들 실시예는 단지 중합체성 발광 다이오드를 논한다. 그러나, 당업자는 추가 전자 장치, 예컨대 O-SC, O-FET, O-IC, 광학 증폭기 및 O-레이져를 제조할 수 있어 본 발명의 단계 없이 언급된 실시예로부터 추가 소수 적용을 언급할 수 있을 것이다.
실시예
실시예 1: 자가감광성 가교결합의 일반 절차
모든 공정 단계를 불활성 기체 하에서 실행했다. 적절한 양의 개시제(0.1 ~ 2 중량%) 를 스핀 코팅(spin-coating) 전 즉시 반도체 용액에 첨가했다. 하기 실시예들에 사용된 개시제는 {4-[(2-히드록시테트라데실)옥실]페닐}페닐리오도늄 헥사플루오로안티모네이트였다. 새롭게 제조한 저장 용액(THF 중 10 mg/ml)으로부터 첨가를 실행했다. 스핀 코팅 공정 후 즉시, 가교결합할 수 있는 필름을 넓은 영역에 걸쳐 노출하거나 마스크를 통해 노출시켰다. 종래 4W 튜브(UV-A, 365 nm)를 갖춘 표준 UV 핸드 램프 이외에 사용된 노출원은 원칙적으로 GaN 고-성능 UV-다이오드(395 nm) 였다. 상기 유형의 다이오드는 다양한 디자인으로 전문 전자 소매상인으로부터 시판되고 있다. 1 ~ 3 초 의 노출 시간은 충분하며, 기판 및 노출원간의 간격은 수 센티미터이다. 가교결합 공정을 완성하기 위해, 필름을 90 ~ 150℃ 에서 약 1 분 동안 조건화하였다. 상기 조건화 단계 후 또는 다음 층 적용 전에 필름을 THF 로 헹구고, 예를 들면 적절한 양의 용매를 똑똑 떨어뜨려 스핀 코오터 상에서 헹구었다. 추가 조건화 단계 ("후 굽기(post bake)"), 예를 들면 3 분 동안 180 ~ 200℃ 에서의 조건화 단계를 임의적으로 헹굼 단계 후에 실행할 수 있다.
실시예 2: 산화 가교결합의 일반 절차
모든 공정 단계를 불활성 기체 하에서 실행하였다. 적절한 양의 산화제 (예를 들면 0.01 ~ 5 중량%) 를 스핀 코팅 전 즉시 반도체 용액에 첨가했다. 여기서 사용한 산화제는 니트로메탄 중 니트로소늄 헥사플루오로안티모네이트(NO+SbF6 -)이었다. 첨가를 새롭게 제조한 저장 용액 (THF 중 5 mg/ml)으로부터 실행했다. 산화제 첨가 후, 필름을 스핀 코팅하여 수득하였다. 그 이후 즉시, 상기 필름을 100℃ 에서 조건화하여, 필름의 가교결합을 수행하였다. 특정 정도의 가교결합은 스핀 코팅 공정 동안의 용액 농도로 인해 심지어는 발생되며, 즉 40 ~ 80 % 범위에서 용매에 대한 특정 저항력이 조건화 단계 없을 때에 조차도 성취될 수 있다. 조건화 단계 후 또는 다음 층의 적용 전에, 상기 필름을 THF 로 헹구고, 예를 들면 적정량의 용매를 똑똑 떨어뜨려져 스핀 코오터 상에서 헹구었다. 고 도핑 농도에서, 즉 1 중량% 이상의 NO+SbF6 - 의 첨가에 대한 상기 농도에서, 추가의 층을 일상적으로는 고도로 도핑된 층 및 후속 전장발광 중합체간의 직접적인 상호작용을 방지하기 위해 적용하였다. 더 높은 산화 전위를 가진 정공 도체는 도핑된(산화적으로 가교결합된) 층의 상기 및 EC 중합체 간에 이상적이며, 상기 목적에 사용된다.
실시예 3: PLED 의 장치 특성
ITO/20 nm PEDOT//80 nm 중합체// Ba // Ag 구조를 가진 2 층 장치를 제조했다. 사용된 반도체는 옥세탄기로 관능화된 폴리스피로비플루오렌 기재 적색-, 녹색- 및 청색-방출 콘쥬게이션된 중합체였다. 상기 물질 및 이의 합성은 이미 문헌(Nature 2003, 421,829) 에 기재되어 있다. 다양한 양의 광개시제 ({4-[(2-히드록시테트라데실)옥실]페닐}페닐리오도늄 헥사플루오로안티모네이트)를 거기에 첨가하고, 상기 층을 다양한 파장의 광으로 조사하고 다양한 온도로 조건화했다. 하기 표 1 은 가교결합 조건화를 나타내며, 각 경우에서의 전장발광 결과를 나타내었다:
다양한 방법으로 가교결합된 중합체의 장치 특성
중합체a 광산b 의 % λ/nmc t/s 저항력d 효율/cd/A U/V＠100cd/m2
P1
비교		 무, 가교결합하지 않음 - - 0% 2.9 4.5
P1
비교		 0.5 302 3 100% 3.0 4.5
P1
비교		 0.4 302 1 90% 3.1 4.5
P1 0.4 395 1 100% 3.2 4.4
P2
비교		 무, 가교결합하지 않음 - - 0% 7.0 3.8
P2
비교		 0.5 302 3 100% 6.5 3.8
P2
비교		 0.4 203 1 90% 6.7 3.8
P2 0.4 395 1 100% 6.9 3.7
P3
비교		 무, 가교결합하지 않음 - - 0% 1.0 8.3
P3
비교		 0.5 302 3 100% 1.1 7.5
P3
비교		 0.4 302 1 90% 1.2 7.5
P3 0.4 395 1 100% 1.3 7.3
a 문헌[Nature 2003, 421, 829-833] 에 따른 가교결합성 중합체
b 중량%, 중합체 중량 기준
c 조사 파장
d THF 에 대한 저항력, THF로 헹군후 흡수를 % 로 측정(대조: 헹구지 않은 기판)
분명히 나타낼 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 방법을 이용한 가교결합은 더 짧은 시간에 일어나고 그럼에도 불구하고 더 완벽하며, 이는 종래 기술에 따른 경우보다 동일한 용매에 대한 저항력을 가진 보다 적은 개시제를 사용하는 것으로부터 분명하다. 대조적으로, 광산의 흡수대에서의 조사가 그 밖의 조건은 동일한 조건 하에서 더 짧은 시간 동안에만 실행되는 경우에는, 중합체 필름의 용매 저항력은 떨어진다.
더욱이, 필름이 본 발명에 따른 방법에 의해 가교결합되는 경우, 장치 특성이 향상된다는 것은 상기 장치 실시예를 통해 분명히 드러난다.

Claims (25)

  1. 하나 이상의 첨가된 오늄 화합물 및 조사에 의해 개시되는 옥세탄-관능화 유기 반도체 및 도체를 가교결합하는 방법으로서, 상기 조사가 오늄 화합물의 흡수대 밖에서 실행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 조사가 오늄 화합물의 최대 흡수보다 100 nm 이상 더 긴 파장에서 실행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 유기 반도체 또는 도체가 올리고성 또는 중합체성인 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 유기 반도체 또는 도체 내 하나 이상의 H 원자가 하기 화학식 1, 화학식 2, 화학식 3 또는 화학식 4 의 기로 치환되는 것을 특징으로 하는 방법:
    [화학식 1]
    Figure 112010011806382-pct00005
    ,
    [화학식 2]
    Figure 112010011806382-pct00006
    [화학식 3]
    Figure 112010011806382-pct00007
    [화학식 4]
    Figure 112010011806382-pct00008
    [식 중, 하기의 기호 및 지수가 적용된다:
    R1 은 각 경우에, 상동이거나 상이하며, 수소, 탄소수 1 내지 20 의 직쇄형, 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기, 4 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 가진 아릴 또는 헤테로아릴기 또는 탄소수 2 내지 10 의 알케닐기이며며, 여기서 하나 이상의 수소 원자는 할로겐 또는 CN 으로 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 C 원자는 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -O-CO- 으로 치환될 수 있고,
    R2 는 각 경우에, 상동이거나 상이하며, 수소, 탄소수 1 내지 20 의 직쇄형, 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시알킬기, 4 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 가진 아릴 또는 헤테로아릴기 또는 탄소수 2 내지 10 의 알케닐기이며, 여기서 하나 이상의 수소 원자는 할로겐 또는 CN 으로 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 C 원자는 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -O-CO- 로 치환될 수 있으며,
    Z 는 각 경우에, 상동이거나 상이하며, 2가기-(CR3R4)n- 이고, 여기서 부가적으로 하나 이상의 비인접 C 원자는 -O-, -S-, -CO-, -COO- 또는 -O-CO-로 치환될 수 있거나, 또는 탄소수 4 내지 40 의 2 가 아릴 및/또는 N-, S- 및/또는 O-헤테로아릴기이며, 이는 또한 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수 있으며,
    R3, R4 는 각 경우에, 상동이거나 상이하며, 수소, 탄소수 1 내지 20 의 직쇄형, 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시, 알콕시알킬 또는 티오알콕시기, 4 내지 20 개의 방향족 고리 원자를 가진 아릴 또는 헤테로아릴기 또는 탄소수 2 내지 10 의 알케닐기이며, 여기서 하나 이상의 수소 원자는 또한 할로겐 또는 CN으로 치환될 수 있으며; R3 또는 R4 라디칼은 또한 서로 또는 R1 또는 R2 와 고리계를 형성할 수 있으며,
    n 은 각 경우에, 상동이거나 상이하며, 0 내지 30 의 정수이며,
    x 는 각 경우에, 상동이거나 상이하며, 0 내지 5 의 정수이고,
    단, 화학식 1 또는 화학식 2 의 상기 기의 개수는 유기 반도체 또는 도체의 이용가능한 H 원자의 최대 개수에 의해 제한되고; 여기서 점선으로 된 결합은 유기 반도체로의 연결을 의미한다].
  5. 제 4 항에 있어서, 유기 반도체 또는 도체 내 하나 이상의 H 원자가 제 4 항에 따른 화학식 1 의 기로 치환되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 유기 반도체가 전하 운반 특성 및/또는 방출 특성 및/또는 차단 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 사용된 오늄 화합물이 하나 이상의 디아릴리오도늄, 디아릴브로모늄, 디아릴클로로늄 또는 트리아릴술포늄염인 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 혼합물 내 또는 층 내 오늄 화합물의 비율이 0.01 내지 5 중량% 인 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 혼합물 내 또는 층 내 오늄 화합물의 비율이 0.1 내지 2 중량% 인 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 층이 조사후 후처리되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 층이 조사 후 조건화(conditioned)되는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 층이 50 내지 250℃ 온도에서 조건화되는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제 10 항에 있어서, 층이 0.1 내지 10 분 동안 조건화되는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 10 항에 있어서, 층이 조사 후 및 조건화 후, 용매로 헹궈지는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 하나 이상의 환원제 및/또는 하나 이상의 약염기 또는 친핵체가 용매에 첨가되는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 조사가 유기 반도체의 각 흡수대의 최대 흡수의 최대 +/- 50 nm 영역 파장에서 실행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 조사 기간이 1mW/㎠ 미만의 광세기에서 0.01 내지 10 초인 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 가교 결합에 더하여, 조사 후 층을 불완전하게 조건화 및/또는 헹굼으로써 동시에 층의 도핑이 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 하기 화학식 3 및 화학식 4 의 화합물:
    [화학식 3] [화학식 4]
    Figure 112006061238268-pct00009
    Figure 112006061238268-pct00010
    [식 중, 사용된 기호 및 지수는 제 4 항에서 기재된 바와 동일한 의미를 가진다].
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 제 1 항 또는 제 2 항에 따른 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 층.
  23. 제 1 항 또는 제 2 항에 따른 방법이 하나 이상의 층에 사용되는 것을 특징으로 하는 유기 전자 장치의 제조 방법.
  24. 제 1 항 또는 제 2 항에 따른 방법으로 제조된 하나 이상의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 장치.
  25. 제 24 항에 있어서, 유기 또는 중합체성 발광 다이오드(OLED, PLED), 유기 태양전지(O-SC), 유기 전계 효과 트랜지스터(O-FET), 유기 박막 트랜지스터(O-TFT), 유기 집적회로(O-IC), 유기 광 증폭기 또는 유기 레이져 다이오드(O-레이져)인 것을 특징으로 하는 유기 전자 장치.
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