KR101048920B1 - 반도체웨이퍼의 불필요물 제거방법 및 이것을 이용한 장치 - Google Patents

반도체웨이퍼의 불필요물 제거방법 및 이것을 이용한 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 반도체웨이퍼의 불필요물 제거방법 및 이것을 이용한 장치에 관한 것으로서, 웨이퍼 위의 불필요물을 박리테이프를 이용하여 박리하는 경우라도, 웨이퍼의 손상을 주는 일이 없고, 웨이퍼 위의 불필요물을 확실하게 박리제거할 수 있는 반도체웨이퍼의 불필요물 제거방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
이를 위하여 본 발명은, 반도체웨이퍼 위에 박리테이프를 접착하고 상기 박리테이프를 박리함으로써 반도체웨이퍼 위의 불필요물을 박리테이프와 일체로 박리하는 반도체웨이퍼(W)의 불필요물 제거방법이며, 반도체웨이퍼 위에 접착된 박리테이프에 엣지부재를 접촉시키고, 엣지부재의 선단부를, 불필요물과 반도체웨이퍼(W)와의 박리종료 부분에서, 반도체웨이퍼측으로 밀어붙여서 박리테이프를 박리하는 것을 특징으로 한다.
보호테이프, 박리테이프, 박리장치, 반도체웨이퍼, 불필요물 제거

Description

반도체웨이퍼의 불필요물 제거방법 및 이것을 이용한 장치{METHOD OF REMOVING UNNECESSARY MATTER FROM SEMICONDUCTOR WAFER, AND APPARATUS USING THE SAME}
도 1은, 본 발명에 관한 불필요물 제거방법의 실시형태의 일예에 관한 보호테이프의 박리제거에 이용할 수 있는 보호테이프 박리장치의 전체를 나타내는 사시도,
도 2는, 보호테이프 박리장치의 전체정면도,
도 3은, 보호테이프 박리장치의 전체평면도,
도 4는, 테이프 접착유닛 및 테이프 박리유닛의 정면도,
도 5는, 테이프 박리용의 엣지부재의 지지구조를 나타내는 정면도,
도 6 은, 테이프 박리 작동상태를 나타내는 주요부의 사시도,
도 7 ∼ 13은, 테이프 박리공정을 설명하는 정면도
도 14는, 테이프 박리공정에 있어서의 주요부를 확대한 정면도이다.
본 발명은, 반도체웨이퍼의 표면에 존재하는 보호테이프나 레지스트막등의 불필요물을, 박리테이프를 이용하여 제거하는 방법에 관한 것이다.
예컨대, 반도체웨이퍼(이하, 단순히「웨이퍼」라고 한다)의 제조공정에 있어서, 패턴형성처리가 끝난 웨이퍼의 뒷면을 연마(백그라인드)할 때는, 미리 웨이퍼 표면에 폭이 넓은 보호테이프를 접착한다. 웨이퍼 외주로부터 밀려 나온 보호테이프는, 웨이퍼의 외경에 따라서 잘라내진다. 표면전체가 보호테이프로 보호된 웨이퍼는, 그 표면측에서 흡반으로 흡착유지되어서 연마처리가 실시된다. 그 후, 불필요물이 된 보호테이프를 웨이퍼 표면으로부터 발췌하여 제거하게 된다.
상기 보호테이프를 발췌제거하는 방법으로서, 박리테이프를 이용하는 방법이 있다. 상기 방법은, 웨이퍼 표면에 접착되어 있는 보호테이프(불필요물) 위에, 보호테이프의 점착력보다 강한 점착력을 가지는 박리테이프를 이용하여 롤러를 웨이퍼 위에서 전동(轉動)시키는 것에 의해 접착한다. 그 후, 박리테이프를 권취하여 가는 것으로 보호테이프를 박리테이프와 일체로 박리해 가는 것이다. 그러나, 백 그라인드 공정에서 얇게된 웨이퍼로부터 불필요해진 보호테이프를 박리테이프에 의하여 박리제거할 때, 박리테이프가 보호테이프의 단부(端部)에까지 접착되지 않고 안정하게 박리제거할 수 없다고 하는 문제가 있다. 그래서, 엣지부재를 이용하여 보호테이프를 박리제거하는 방법이 제안되고 있다(예컨대, 일본국 특개2002-124494호 공보참조).
그러나, 최근, 반도체 칩 표면에 범프가 형성되는 비율이 증가하는 경향에 있다. 이러한 표면에 범프가 형성되고 있는 웨이퍼에 대하여, 일본국 특개2002-124494호 공보에 기재된 방법에서, 보호테이프의 박리를 하면, 웨이퍼 표면에 손상 을 줄 염려가 있다. 또한, 엣지부재와 박리테이프 사이의 마찰에 의해, 이물질 등이 발생할 염려도 있다. 그래서, 엣지부재를 윗쪽으로 회피한 상태에서 보호테이프의 박리를 함으로써 이것들의 문제를 회피하도록 예의 검토한 바, 보호테이프가 웨이퍼의 단부로부터 완전히 떨어지기 직전에 옆으로 미끄러져 버려서 보호테이프의 점착제면이 웨이퍼 표면을 스친다, 그 결과, 웨이퍼 표면을 오염시키는 문제가 새롭게 발생하는 사실을 본 발명자는 알았다.
본 발명은, 이러한 사정을 고려하여 이루어진 것이며, 웨이퍼 위의 불필요물을 박리테이프를 이용하여 박리하는 경우라도, 웨이퍼의 손상을 주는 일이 없고, 웨이퍼 위의 불필요물을 확실하게 박리제거할 수 있는 반도체웨이퍼의 불필요물 제거방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 이러한 목적을 달성하기 위하여, 다음과 같은 구성을 채용한다.
반도체웨이퍼 위에 박리테이프를 접착, 상기 박리테이프를 박리함으로써 반도체웨이퍼 위의 불필요물을 박리테이프와 일체로 박리하는 반도체웨이퍼의 불필요물 제거방법이며, 상기 방법은,
상기 반도체웨이퍼 위에 접착된 박리테이프의 표면에 엣지부재를 접촉시키고, 상기 엣지부재의 선단부를, 상기 불필요물과 상기 반도체웨이퍼의 박리종료 부분에서, 상기 반도체웨이퍼측에 밀어붙여서 상기 박리테이프를 박리하는 과정을 포함한다.
본 발명의 반도체웨이퍼의 불필요물 제거방법에 의하면, 박리테이프의 표면에 엣지부재를 접촉시키고, 불필요물과 웨이퍼와의 박리종료부분에서, 웨이퍼측에 엣지부재를 밀어 붙이는 것에 따라, 불필요물이 박리할 때의 불필요물이 옆으로 미끄러짐을 방지 할 수가 있다.
또한, 불필요물과 반도체웨이퍼와의 박리종료부분에서의 엣지부재를 웨이퍼측에 밀어 붙이기 위하여, 박리테이프의 박리시에 엣지부재와 박리테이프의 사이의 마찰을 저감하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 웨이퍼 표면을 오염시키거나, 박리테이프로부터의 이물질의 발생을 억제하거나 할 수 있다.
또한, 불필요물과 웨이퍼의 박리 종료부분에서 웨이퍼측에 밀어붙이기 위하여, 웨이퍼 표면에 범프가 형성되어 있어도 박리테이프를 박리할 때는, 범프에 대하여 손상을 주는 일이 없어진다. 여기에서, 박리 종료부분이란, 불필요물이 웨이퍼로부터 완전히 박리하는 부분의 바로 앞쪽에 상당하는 부분을 포함하는 것이며, 불필요물의 크기 등에 의하여 그 범위는 변동한다. 예컨대, 불필요물이 웨이퍼 표면에 접착된 보호테이프이면, 그 범위로서는, 보호테이프가 웨이퍼로부터 완전히 박리하는 웨이퍼의 단부에서 웨이퍼 직경의 10％ 이하의 범위로 하는 것이 바람직하다.
또한, 불필요물이 레지스트막의 경우도, 보호테이프와 마찬가지로 박리종료 부분의 범위는, 레지스트막이 웨이퍼로부터 완전하게 박리하는 웨이퍼의 단부로부터 웨이퍼 직경의 10％ 이하의 범위로 하는 것이 바람직하다.
또한, 엣지부재를 사용하여 박리테이프를 박리하기 때문에, 박리테이프의 박 리시에, 박리테이프를 일정방향으로 잡아당길 수 있고, 박리저항을 저감할 수가 있다. 이 때문에, 웨이퍼의 살두께가 얇아도, 웨이퍼의 불필요물이, 예컨대, 웨이퍼 표면에 접착된 표면보호 테이프 혹은 표면에 형성된 레지스트막이라도 웨이퍼에 손상을 주는 일이 없이 확실하게 제거 할 수 있다.
또한, 박리테이프의 송출속도를 엣지부재의 이동속도와 마찬가지로 하거나, 박리테이프에 소정의 장력을 주면서 송출하거나 하는 것이 바람직하다. 즉, 박리테이프를 중복되게 하지 않고 반도체웨이퍼 위에 접착할 수 있다.
또한, 본 발명은, 이러한 목적을 달성하기 위하여, 다음과 같은 구성을 채용한다.
반도체웨이퍼 위에 박리테이프를 접착하여 박리하는 박리시작단 부분에서, 상기 엣지부재의 선단부를 박리테이프의 표면에 밀어붙여서 반도체웨이퍼 위에 접착하는 과정과,
상기 과정에서 박리테이프를 접착한 후, 박리테이프 표면에의 엣지부재의 선단부의 접촉을 해제하는 과정과,
박리테이프 표면에의 엣지부재의 선단부의 접촉을 해제한 상태에서, 엣지부재를 이동시켜서 상기 박리테이프를 반도체웨이퍼 위에 접착하면서 상기 박리종료단 부분까지의 박리테이프를 박리하는 과정.
본 발명의 반도체웨이퍼의 불필요물 제거방법에 의하면, 박리저항이 가장 높아지는 박리 시작부분에 있어서 엣지부재에 의해 불필요물 및 반도체웨이퍼를 누르도록 한다. 그 때문에, 반도체웨이퍼의 살두께가 얇은 경우라도, 박리테이프의 박 리시에, 반도체웨이퍼에 부담을 주는 일이 없이 박리할 수 있다.
또한, 박리테이프의 표면에 엣지부재를 접촉시키고, 불필요물과 웨이퍼와의 박리종료 부분에서, 웨이퍼측에 엣지부재를 밀어붙이는 것에 따라, 불필요물이 박리할 때 불필요물이 옆으로 미끄러지는 것 및 박리테이프의 기름묻음을 방지 할 수 있다.
또한, 불필요물과 반도체웨이퍼와의 박리종료 부분에서의 엣지부재를 웨이퍼측에 밀어붙이기 위하여, 박리테이프의 박리시에 엣지부재와 박리테이프와의 사이의 마찰을 저감하는 것이 가능하게 된다. 이 때문에, 웨이퍼 표면이 오염되거나, 박리테이프로부터의 이물질의 발생을 억제하거나 할 수가 있다.
또한, 불필요물과 웨이퍼와의 박리종료 부분에서 웨이퍼측에 밀어붙이기 위하여, 웨이퍼 표면에 범프가 형성되어 있어도 박리테이프를 박리할 때에는, 범프에 대하여 손상을 주는 일이 없어진다. 여기에서, 박리 시작단 부분이란, 엣지부재를 접촉시키는 웨이퍼 단부로부터 이동방향의 소정거리를 포함하는 것이며, 불필요물의 크기 등에 의해 그 범위는 변동한다.
또한, 엣지부재의 선단부의 접촉을 해제하는 과정에서는 엣지부재의 선단부가 소정의 각도를 유지한 상태에서 박리테이프와의 접촉을 해제하는 것이 바람직하다. 이 방법에 의하면, 박리 시작단 부분 및 박리 종료단 부분 이외에서의 박리테이프와의 마찰을 최소한으로 누르는데에 유효하게 된다.
또한, 박리시작단 부분에서의 엣지부재의 이동속도를 느리게 하는 것이 바람직하다. 이 방법에 의하면, 반도체웨이퍼의 단부에서 박리테이프를 확실하게 접 착할 수 있고, 불필요물의 제거효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은, 이러한 목적을 달성하기 위하여, 다음과 같은 구성을 채용한다.
반도체웨이퍼 위에 박리테이프를 접착하고, 상기 박리테이프를 박리함으로써 반도체웨이퍼 위의 불필요물을 박리테이프와 일체로 박리하는 반도체웨이퍼의 불필요물 제거장치이며, 상기 장치는,
상기 반도체웨이퍼를 소정의 공정으로 반송하는 반송기구와,
상기 박리테이프를 반도체웨이퍼 위에 접착하도록 반도체웨이퍼의 위치맞춤을 하는 얼라인먼트 스테이지와,
위치 맞춤된 상기 상기 반도체웨이퍼를 유지하는 척 테이블과,
유지된 상기 반도체웨이퍼를 향하여 박리테이프를 공급하는 테이프 공급부와,
공급된 상기 박리테이프의 표면을 엣지부재의 선단부에서 밀어붙여서 상기 반도체웨이퍼 위의 불필요물에 접착하는 동시에, 상기 박리테이프를 박리함으로써 상기 불필요물과 박리테이프를 일체로 하여 박리하는 테이프 박리수단과,
박리한 상기 불필요한 박리테이프를 회수하는 테이프 회수부와,
상기 박리테이프의 접착시작단 부분과 박리종료단 부분에 있어서 상기 박리 수단의 엣지부재의 선단부를 박리테이프에 밀어붙여서 불필요물에 접착하고, 다른 부분에 대해서는, 박리테이프의 엣지부재의 접촉을 해제하도록 상기 박리수단을 제어하는 제어수단의 요소를 포함한다.
상기 본 발명의 반도체웨이퍼의 불필요물 제거장치에 의하면, 박리테이프의 표면에 엣지부재를 접촉시키고, 불필요물과 웨이퍼의 박리종료 부분에서, 웨이퍼측에 엣지부재를 밀어 붙임으로써, 불필요물이 박리할 때의 불필요물이 옆으로 미끄러짐을 방지 할 수 있다.
또한, 불필요물과 반도체웨이퍼와의 박리종료 부분에서의 엣지부재를 웨이퍼측에 밀어붙이기 때문에, 박리테이프의 박리시에 엣지부재와 박리테이프 사이의 마찰을 저감하는 것이 가능해진다. 이것 때문에, 웨이퍼 표면을 오염시키거나, 박리테이프로부터의 이물질의 발생을 억제 할 수 있다.
또한, 불필요물과 웨이퍼와의 박리 종료부분에서 웨이퍼측에 밀어붙이기 때문에, 웨이퍼 표면에 범프가 형성되어 있어도 박리테이프를 박리할 때는, 범프에 대하여 손상을 주는 일이 없어진다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 1 실시예를 설명한다.
발명을 설명하기 위하여 현재 알맞다고 생각되는 몇개의 형태가 도시되어 있지만, 발명이 도시된 대로의 구성 및 방책에 한정되는 것은 아닌 것을 이해할 수 있을 것이다.
또한, 본 발명에 관계하는 불필요물 제거방법은, 불필요물과 웨이퍼의 박리종료 부분에서 엣지부재를 웨이퍼측에 밀어붙이는 것으로 불필요물이 웨이퍼로부터 박리할 때 옆으로 미끄러짐을 방지할 수 있는 것이다. 또한, 이렇게, 불필요물을 웨이퍼로부터 박리하는 박리종료 부분을 엣지부재에서 밀어붙이기 때문에, 불필요물의 박리시에 박리테이프와 엣지부재의 마찰을 최소한 억제할 수 있다. 그 결과, 박리테이프와 엣지부재의 마찰에 의한 분진(粉塵)의 발생을 억제하는 것도 가능해지는 것이다.
도 1은 본 발명에 관한 불필요물 제거방법에 이용되는 장치의 실시형태의 1 예를 나타내고, 불필요물의 일예인 웨이퍼의 표면에 접착되어 있는 보호테이프를 제거하는 웨이퍼의 보호테이프 제거장치의 전체를 나타내는 사시도이다. 도 2는 그 정면도, 도 3은 그 평면도, 도 4는 테이프 접착유닛 및 테이프 박리유닛의 정면도, 도 5는 테이프 박리용의 엣지부재의 지지구조를 나타내는 정면도, 도 6은 테이프 박리 작동상태를 나타내는 요부(要部)의 사시도이다.
본 실시형태예에 관한 웨이퍼의 보호테이프 제거장치는, 백 그라인드처리를 받은 웨이퍼(W)를 적층수납한 카세트(C1)가 장전되는 웨이퍼공급부(1), 로보트 아아암(2)이 장비된 웨이퍼 반송기구(3), 웨이퍼(W)를 위치맞춤하는 얼라인먼트 스테이지(4), 박리테이프(T)를 박리부위에 공급하는 테이프 공급부(5), 웨이퍼(W)를 흡착 유지하는 박리테이블(6), 박리테이블(6) 위의 웨이퍼(W)에 박리테이프(T)를 접착하여 가는 테이프 접착유닛(7), 접착된 박리테이프(T)를 박리하는 테이프 박리유닛(8), 박리된 처리가 끝난 박리테이프(Ts)를 권취하여 회수하는 테이프 회수부(9), 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 적층수납하기 위한 카세트(C2)가 장전되는 웨이퍼 회수부(10), 테이프 접착유닛(7) 및 테이프 박리유닛(8)을 독립하여 좌우로 왕복이동시키는 유닛구동부(11) 등이 베이스대(12)의 상부에 구비되어 있다. 여기에서, 웨이퍼 공급부(1), 웨이퍼 반송기구(3), 얼라인먼트 스테이지(4), 박리테이블(6), 및, 웨이퍼 회수부(10)가 베이스대(12)의 윗면에 배치되어 있는 것에 대하여, 테이 프 공급부(5), 및, 테이프 회수부(10)가 베이스대(12)의 윗면에 세워서 설치한 세로벽(13)의 앞면에 장비되는 동시에, 테이프 접착유닛(7) 및 테이프 박리유닛(8)은, 세로벽(13)의 아래쪽 개구부에 임시로 설치되고, 또한, 유닛 구동부(11)는 세로벽(13)의 뒤에 배치되어 있다.
웨이퍼 공급부(1)는, 보호테이프(P)가 접착된 표면을 상향으로 한 수평자세의 웨이퍼(W)를, 상하로 적당한 간격을 가진 상태에서 카세트(C1)에 꽂아 수납하고, 카세트대(14) 위에 장전하도록 되어 있다. 카세트대(14)는 에어실린더(15)에 의하여 선회되어서 방향변경이 가능하게 되어 있다. 웨이퍼 회수부(2)도, 보호테이프 박리처리가 끝난 웨이퍼(W)를, 상하로 적당한 간격을 가진 상태에서 카세트(C2)에 꽂아 수납하고, 카세트대(16) 위에 장전하도록 되어 있으며, 상기 카세트대(16)도 에어실린더(17)에 의해 선회되어서 방향변경이 가능하게 되어 있다.
반송기구(3)의 로보트아암(2)은 수평진퇴 및 선회가능하게 구성되어 있으며, 웨이퍼 공급부(1)로부터의 웨이퍼(W)의 취출, 얼라인먼트 스테이지(4)에의 웨이퍼(W)의 공급, 얼라인먼트 스테이지(4)로부터 박리테이블(6)에의 웨이퍼(W)의 반입, 박리테이블(6)로부터의 처리가 끝난 웨이퍼(W)의 반출 및 처리가 끝난 웨이퍼(W)의 웨이퍼 회수부(10)에의 반입 등을 한다.
테이프 공급부(5)는, 원반롤(R)로부터 도출한 박리테이프(T)를 박리테이블(6)의 윗쪽을 통하여 테이프 접착유닛(7) 및 테이프 박리유닛(8)에까지 안내되도록 구성되고 있다. 또한, 박리테이프(T)는, 웨이퍼(W)의 직경보다도 폭이 좁은 것이 이용된다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 박리 테이블(6)의 중심에는, 윗면이 진공흡착면으로 구성된 흡착패드(18)가 출퇴(出退) 승강가능하게 장비되는 동시에, 테이블 윗면은, 재치된 웨이퍼(W)를 위치 어긋나지 않게 유지하기 위한 진공흡착면으로 구성되어 있다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 접착유닛(7)은, 레일(21)에 따라서 좌우이동가능하게 지지된 가동대(22)를, 모터(M1)로 정역(正逆)구동되는 이송나사(23)에 의하여 좌우 수평으로 일정 스트로크로 왕복이동시킨다. 또한, 상기 가동대(22)에 요동 아암(24)을 개재하여 상하이동가능하게 접착롤러(25)가 장비된 구조로 되어 있다.
테이프 박리유닛(8)도, 레일(21)에 따라서 좌우이동 가능하게 지지된 가동대(26)를, 모터(M2)로 정역전 구동되는 이송나사(27)에 의해 좌우 수평으로 일정 스트로크로 왕복이동시키는 동시에, 상기 가동대(26)에, 테이프 박리용의 엣지부재(28), 가이드 롤러(29), 구동회전되는 송출롤러(30) 및 이것에 대향하는 협지롤러(31) 등을 장비한 구조로 되어 있다.
도 5 및 도 6에 나타낸 바와 같이, 테이프 박리용의 엣지부재(28)는, 선단에 날카로운 엣지를 구비하고 있다. 또한, 엣지부재(28)는, 웨이퍼 직경보다 폭이 넓은 판재로 구성되고 있어, 가동대(26)의 앞면에 회전운동이 가능하게 돌출되게 지지된 회전 지지축(32)에, 슬릿(33) 및 볼트(34)를 개재하여 출퇴(出退)조절 가능하게 연결 고정되어 있다. 또한, 회전지지축(32)의 베이스부에는 조작아암(35)이 조여 연결되어 있다.
상기 조작아암(35)의 유단부(遊端部)에 지지연결된 연결로드가, 가동대(26) 의 앞면에 장착한 에어실린더(36)의 피스톤로드(36a)에 연결되어 있다. 즉, 피스톤로드의 출퇴(出退)작동에 따르는 조작아암(35)의 요동에 의하여 회전지지축(32)이 회전운동 된다. 이것에 의해, 엣지부재(28)의 엣지가 상하이동하도록 구성되어 있다.
또한, 조작아암(35)의 유단부(遊端部)로부터 연결되어 나온 연결로드(37)는, 에어 실린더(36)의 피스톤로드(36a)에 나사삽입 장착되어 있다. 즉, 연결로드(37)의 나사 삽입량을 조절함으로써 피스톤로드(36a)가 스트로크 엔드까지 돌출 작동한 때의 조작아암(35)의 요동각도, 바꾸어 말하면, 하한위치에 있는 엣지부재(28)의 각도를 임의로 조절하는 것이 가능하게 되어 있다.
본 실시형태에 관한 보호테이프 박리장치의 각부는 이상과 같이 구성되고 있으며, 이하에, 웨이퍼(W)의 표면에 접착된 보호테이프(P)를 박리하는 기본적인 공정을, 도 7 ∼ 도 14를 참조하면서 설명한다.
우선, 로보트아암(2)이 웨이퍼 공급부(1)의 카세트(C1)로부터 웨이퍼(W)를 1매 흡착 유지하고 취출하여 얼라인먼트 스테이지(4) 위로 이동하여 싣는다. 여기서 웨이퍼(W)의 오리엔테이션 플랫이나 노치 등의 검출에 기초하고, 웨이퍼(W)의 위치맞춤이 행하여진다. 위치 맞춤이 행하여진 웨이퍼(W)는 다시 로보트아암(2)에 지지되어서 반송되고, 박리테이블(6) 위에 공급된다.
박리테이블(6) 위로 반입된 웨이퍼(W)는, 테이블 위에 돌출하고 있는 흡착패드(18)에 받아진 후, 흡착패드(18)의 하강에 따라서 박리테이블(6)의 윗면에 소정의 자세 및 위치에 재치된다. 보호테이프(P)가 접착된 표면이 상향의 자세로 웨이 퍼(W)가 흡착유지된다. 이 때, 도 7에 나타내는 바와 같이, 테이프 접착유닛(7)과 테이프 박리유닛(8)은 박리테이블(6)로부터 후방에 떨어진 대기위치에 있다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 박리테이블(6) 위에 웨이퍼(W)가 재치되면, 테이프 접착유닛(7)의 접착롤러(25)가 소정의 접착레벨에까지 하강된 후, 유닛 전체가 전진 이동하고, 접착롤러(25)가 웨이퍼(W) 위를 전동이동하여 박리테이프(T)를 보호테이프(P)의 표면으로 접착해 간다.
도 9에 나타내는 바와 같이, 박리테이프(T)의 접착이 종료하면, 테이프 박리 유닛(8)에 있어서는, 에어실린더(36)가 스트로크 엔드까지 돌출작동하고, 조작아암(35)의 요동에 의해 엣지부재(28)가 하한위치까지 하강된다.
이어서, 도 10에 도시하는 바와 같이, 테이프 박리유닛(8)이 전진이동된다.이때, 그 이동속도와 동조된 주속도에서 송출롤러(30)가 박리테이프(T)를 송출하여 간다. 따라서, 엣지부재(28)의 선단부에 있어서 소정의 각도에서 되접어 꺾여 안내된 박리테이프(T)는, 가이드롤러(29)를 통하여 송출롤러(30)와 협지롤러(31)의 사이에 안내된다. 그리고, 엣지부재(28)의 선단부가 웨이퍼(W)의 단부, 즉, 불필요물인 보호테이프(P)의 박리시작 부분에 도달하면, 엣지부재(28)의 선단부는 소정의 각도를 유지한 상태에서 윗쪽으로 이동한다. 이렇게, 박리저항이 가장 높아지는 박리시작 부분에 있어서 엣지부재(28)에 의하여 보호테이프(P) 및 웨이퍼(W)를 누르도록 함으로써 웨이퍼(W)의 살두께가 얇을 경우라도, 박리테이프(T)의 박리시에, 웨이퍼(W)에 부담을 끼치는 일이 없이 박리 할 수가 있다.
그리고, 도 11에 도시하는 바와 같이, 엣지부재(28)가 상승한 상태의 테이프 박리유닛(8)이 전진이동하고, 보호테이프(P)를 일체로 접착한 상태에서 주행하고, 보호테이프(P)가 웨이퍼(W)의 표면으로부터 박리되어 간다. 이와 같이, 엣지부재(28)의 선단이, 웨이퍼 표면을 밀어 붙이면서 이동하는 일이 없기 때문에, 박리테이프(T)와 엣지부재(28)와의 마찰이 작아진다. 이 때문에, 박리테이프(T)와 엣지부재(28)와의 마찰에 의한 분진의 발생을 억제 할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 표면에 범프 등의 요철이 형성되어 있을 경우라도, 웨이퍼(W)에 손상을 주는 일이 없이 박리테이프(T)를 박리 할 수 있다.
이 경우, 엣지부재(28)이 웨이퍼(W)의 단부를 통과하여 보호테이프(P)를 박리 시작할 때의 전진 이동속도는 늦게 설정되고, 그 이후는 전진 이동속도가 빠르게되어, 처리능률의 향상이 도모된다. 또한, 이송롤러(30)는, 소정의 토크이상의 부하에 의하여 공전하는 슬립 클러치를 통하여 도시하지 않는 구동장치로 회전구동되고 있고, 박리테이프(T)에 소정의 장력을 주면서 송출하도록 구성되고 있다.
도 12에 나타내는 바와 같이, 엣지부재(28)가, 보호테이프(P)의 웨이퍼(W)로부터의 박리종료 부분에 달하면, 엣지부재(28)가 다시 하강하고, 엣지부재(28)의 선단부에서, 박리테이프(T)를 웨이퍼(W)측에 밀어붙인다. 이것에 의해, 보호테이프(P)가 웨이퍼(W)로부터 박리할 때의 옆으로 미끄러짐을 방지 할 수가 있다. 이것 때문에, 보호테이프(P) 박리시에 보호테이프(P)의 점착제 등이 웨이퍼(W)의 표면에 닿는 것을 방지할 수 있다.
도 13에 도시하는 바와 같이, 테이프 박리유닛(8)이 웨이퍼 위를 통과하여 보호테이프(P)이 완전히 박리하면, 웨이퍼(W)는 로보트아암(2)에 의하여 박리테이 블(6) 위로부터 반출되어서, 웨이퍼 회수부(10)의 카세트(C2)에 꽂아 수납된다. 그 후, 테이프 접착유닛(7) 및 테이프 박리유닛(8)이 원래의 대기위치에 후퇴복귀 이동되는 동시에, 박리한 처리가 끝난 박리테이프(Ts)의 권취회수가 행하여진다. 또한, 접착롤러(25) 및 엣지부재(28)도 본래의 대기위치에까지 상승 복귀된다.
이상에서 1회의 보호테이프 박리공정이 종료하고, 다음의 웨이퍼 수취 대기상태가 된다. 또한, 엣지부재(28)의 상승 및 강하, 이동속도 등, 도시하지 않는 제어부에 의하여 총괄적으로 제어되고 있다.
도 14에, 전술한 일련의 공정을 확대해서 모식적으로 나타낸다. 도 14에 나타내는 바와 같이, 엣지부재(28)는 박리테이프(T)를 박리해 가는 과정에 있어서는, 웨이퍼(W)로부터 상승된다. 그리고, 웨이퍼(W)로부터 보호테이프(P) 등의 불필요물이 박리하는 박리종료 부분 L에서, 엣지부재(28)의 선단부를 웨이퍼(W)측에 밀어붙이는 것에 따라, 보호테이프(P) 등의 불필요물이 웨이퍼로부터 완전히 박리할 때에 옆으로 미끄러지는 것을 방지하는 것이다. 여기에서, 박리종료 부분 L은, 불필요물이 웨이퍼(W) 표면을 보호하는 보호테이프(P)의 경우이면, 웨이퍼(W) 직경의 10％이하의 범위내로 하는 것이 바람직하다. 이것에 의하여, 보호테이프(P)의 박리시의 옆으로 미끄러짐을 확실하게 방지 할 수 있다. 또한, 박리시는 엣지부재(28)의 선단부와 박리테이프(T)와의 마찰을 저감 할 수가 있기 때문에, 마찰에 의하여 발생하는 박리테이프(T)로부터 이물질의 발진(發塵)을 방지하는 것도 가능해진다.또한, 이상의 실시형태예에서는, 불필요물로서 웨이퍼 표면에 접착된 보호테이프의 경우를 예로 설명하였으나, 본 발명에 관한 불필요물로서는, 웨이퍼 표면에 패턴 등을 형성할 때에 이용할 수 있었던 레지스트막을 제거하는 경우에도 적용가능하다.
불필요물이 레지스트의 경우는, 박리테이프를 레지스트막 부분에 직접 접착한 후, 전술과 마찬가지 방법으로, 박리테이프를 박리함으로써 레지스트막을 박리테이프와 일체로 웨이퍼 표면으로부터 확실하게 제거하는 것이 가능해진다.
본 발명은, 그 사상 또는 본질로부터 벗어나지 않고 다른 구체적 형태로 실시할 수 있고, 따라서, 발명의 범위를 나타내는 것으로서,이상의 설명만이아니라, 부가된 청구항을 참조해야 한다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼 위의 불필요물을 확실하게 제거하는 것이 가능하며, 불필요물 제거시의, 웨이퍼 표면의 오염도 억제하는 것이 가능하게 된다. 또한, 최근, 증가하는 경향인 표면에 범프가 형성된 반도체웨이퍼라도, 상기 표면에 접착된 보호테이프 등의 불필요물을 웨이퍼 표면에 손상을 주는 경우 없이 제거하는 것이 가능하게 된다.

Claims (10)

  1. 반도체웨이퍼 위에 박리테이프를 접착하고, 상기 박리테이프를 박리함으로써 반도체웨이퍼 위의 불필요물을 박리테이프와 일체로 박리하는 반도체웨이퍼의 불필요물 제거방법으로서,
    반도체웨이퍼 위에 박리테이프를 접착하여 박리하는 박리시작단 부분에서, 엣지부재의 선단부를 박리테이프의 표면에 밀어붙여 반도체웨이퍼 위에 접착하는 과정과;
    상기 반도체웨이퍼에 박리테이프를 접착하는 과정에서 박리테이프를 접착한 후, 엣지부재를 상승시켜 엣지부재의 밀어붙임을 해제하면서 박리테이프를 박리종료단 부분까지 박리하는 과정과;
    상기 박리종료단 부분에서 엣지부재를 하강시켜 상기 반도체웨이퍼 측으로 밀어붙여, 그 뒤의 박리종료 부분을 박리하는 과정; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 불필요물 제거방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 엣지부재의 선단부의 접촉을 해제하는 과정에서는, 엣지부재의 선단부가 소정의 각도를 유지한 상태에서 박리테이프와의 접촉을 해제하는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 불필요물 제거방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 박리시작단 부분에서는, 엣지부재의 이동속도를 느리게 하는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 불필요물 제거방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 박리테이프의 송출속도는, 상기 엣지부재의 이동속도와 같게 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 불필요물 제거방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 박리테이프는, 소정의 장력이 주어지면서 송출되는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 불필요물 제거방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 박리종료단 부분에서의 박리테이프의 접착길이는, 상기 반도체웨이퍼의 직경의 10％ 이하인 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 불필요물 제거방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 불필요물은, 상기 반도체웨이퍼의 표면에 접착된 표면보호테이프인 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 불필요물 제거방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 불필요물은, 상기 반도체웨이퍼의 표면에 형성된 레지스트막인 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 불필요물 제거방법.
  9. 반도체웨이퍼 위에 박리테이프를 접착하고, 상기 박리테이프를 박리함으로써 반도체웨이퍼 위의 불필요물을 박리테이프와 일체로 박리하는 반도체웨이퍼의 불필요물 제거장치로서, 상기 장치는,
    상기 반도체웨이퍼를 소정의 공정으로 반송하는 반송기구;
    상기 박리테이프를 반도체웨이퍼 위에 접착하도록 반도체웨이퍼의 위치맞춤을 행하는 얼라인먼트 스테이지:
    위치맞춤된 상기 반도체웨이퍼를 유지하는 척 테이블;
    유지된 상기 반도체웨이퍼를 향해 박리테이프를 공급하는 테이프 공급부;
    공급된 상기 박리테이프의 표면을 엣지부재의 선단부에서 밀어붙여 상기 반도체웨이퍼 위의 불필요물에 접착함과 아울러, 상기 박리테이프를 박리함으로써 상기 불필요물과 박리테이프를 일체로 하여 박리하는 테이프 박리수단;
    박리된 불필요한 상기 박리테이프를 회수하는 테이프 회수부;
    상기 박리테이프가 접착되어 박리하는 박리시작단 부분과 박리종료단 부분에서 상기 박리수단의 엣지부재의 선단부를 박리테이프에 밀어붙여 불필요물에 접착하고, 다른 부분에 대해서는, 박리테이프로의 엣지부재의 접촉을 해제하도록 상기 박리수단을 제어하는 제어수단; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 불필요물 제거장치.
  10. 삭제
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4953764B2 (ja) * 2005-11-29 2012-06-13 株式会社東京精密 剥離テープ貼付方法および剥離テープ貼付装置
JP4688728B2 (ja) 2006-05-19 2011-05-25 株式会社東京精密 表面保護フィルム剥離方法および表面保護フィルム剥離装置
KR100741168B1 (ko) * 2006-07-05 2007-07-20 주식회사 다이나테크 필링바를 이용한 디테이핑 장치
KR101053268B1 (ko) * 2008-12-29 2011-08-01 윤점채 웨이퍼 디테이핑 메카니즘과 그 이용방법
JP5249826B2 (ja) * 2009-03-17 2013-07-31 リンテック株式会社 シート剥離装置及び剥離方法
US8574398B2 (en) * 2010-05-27 2013-11-05 Suss Microtec Lithography, Gmbh Apparatus and method for detaping an adhesive layer from the surface of ultra thin wafers
JP5554430B2 (ja) * 2013-03-06 2014-07-23 リンテック株式会社 シート剥離装置及び剥離方法並びにシート剥離用プレート部材
CN104217864A (zh) * 2014-07-24 2014-12-17 天津三星电机有限公司 Mlcc载板的异物清理装置及清理方法
JP6628689B2 (ja) * 2016-05-30 2020-01-15 リンテック株式会社 シート貼付装置および貼付方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002124494A (ja) * 2000-08-07 2002-04-26 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの不要物除去方法およびその装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3447518B2 (ja) * 1996-08-09 2003-09-16 リンテック株式会社 接着シート貼付装置および方法
SG84524A1 (en) * 1998-03-13 2001-11-20 Towa Corp Nest for dicing, and method and apparatus for cutting tapeless substrate using the same
US5961766A (en) * 1998-04-17 1999-10-05 Avery Dennison Corporation Method for selecting a substrate intended for use in a cutting operation
CN1260779C (zh) * 2001-06-11 2006-06-21 日东电工株式会社 从半导体晶片上清除无用物质的方法和装置
JP3892703B2 (ja) * 2001-10-19 2007-03-14 富士通株式会社 半導体基板用治具及びこれを用いた半導体装置の製造方法
JP4318471B2 (ja) * 2003-03-05 2009-08-26 日東電工株式会社 保護テープの貼付・剥離方法
SG110108A1 (en) * 2003-09-24 2005-04-28 Nitto Denko Corp Method and apparatus for joining adhesive tape

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002124494A (ja) * 2000-08-07 2002-04-26 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの不要物除去方法およびその装置

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Publication number Publication date
KR20050072665A (ko) 2005-07-12
US7264998B2 (en) 2007-09-04
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JP4592289B2 (ja) 2010-12-01
CN100433266C (zh) 2008-11-12
CN1638054A (zh) 2005-07-13
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