KR101023866B1 - 도포 방법 및 도포 장치 - Google Patents

도포 방법 및 도포 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101023866B1
KR101023866B1 KR1020097003957A KR20097003957A KR101023866B1 KR 101023866 B1 KR101023866 B1 KR 101023866B1 KR 1020097003957 A KR1020097003957 A KR 1020097003957A KR 20097003957 A KR20097003957 A KR 20097003957A KR 101023866 B1 KR101023866 B1 KR 101023866B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
suction
stage
port
coating
Prior art date
Application number
KR1020097003957A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090035016A (ko
Inventor
도시후미 이나마스
후미히꼬 이께다
겐야 시노자끼
요시따까 오오쯔까
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20090035016A publication Critical patent/KR20090035016A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101023866B1 publication Critical patent/KR101023866B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C13/00—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles
    • B05C13/02—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles for particular articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/26—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by applying the liquid or other fluent material from an outlet device in contact with, or almost in contact with, the surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

부상 반송 방식에 있어서 피처리 기판 상에 형성되는 처리액의 도포막에 줄무늬 형상의 도포 불균일이 발생하는 것을 효과적으로 저감 내지 억제하는 것이다.
도포 영역에 있어서는, X방향으로 연장되는 복수개의 분출 라인(C1, C3, C5, ‥)과 X방향으로 연장하는 복수개의 흡인 라인(C2, C4, C6, ‥)이 Y방향으로 일정 피치 W로 교대로 배열되고, 각 분출 라인(C2n-1) 상에 분출구(88)가 일정 간격 3D를 두고 배치되는 동시에, 각 흡인 라인(C2n) 상에 흡인구(90)가 일정 간격 3D를 두고 배치되고, 서로 인접하는 분출 라인(C2n-1)과 흡인 라인(C2n) 사이에서는 분출구(88)와 흡인구(90)가 X방향으로 일정 간격 D만큼 오프셋되어 있다. 그리고 각 분출구(88), 흡인구(90)의 상단부로부터 긴 홈(88m, 90m)이 반송 방향(X방향)을 따르는 방향과 역행하는 방향으로 2방향으로 곧게 연장되어 있다.
피처리 기판, 흡인 라인, 분출 라인, 도포 영역, 도포 장치

Description

도포 방법 및 도포 장치{COATING METHOD AND COATER}
본 발명은 부상 반송 방식으로 피처리 기판 상에 처리액의 도포막을 형성하는 도포 방법 및 도포 장치에 관한 것이다.
LCD 등의 플랫 패널 디스플레이(FPD)의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그래피 공정에는, 슬릿 형상의 토출구를 갖는 장척형의 레지스트 노즐을 주사(走査)하여 피처리 기판(유리 기판 등) 상에 레지스트액을 도포하는 스핀리스의 도포법이 흔히 이용되고 있다.
이러한 스핀리스 도포법의 일 형식으로서, 예를 들어 특허 문헌 1에 개시되는 바와 같이, 기판을 지지하기 위한 스테이지를 부상식으로 구성하고, 스테이지 상에서 기판을 공중에 띄운 상태에서 수평인 일방향(스테이지 길이 방향)으로 반송하고, 반송 도중의 소정 위치에서 스테이지 상방에 설치한 장척형 레지스트 노즐로부터 바로 아래를 통과하는 기판을 향해 레지스트액을 띠 형상으로 토출시킴으로써, 기판 상의 일단부로부터 타단부까지 레지스트액을 도포하도록 한 부상 반송 방식이 알려져 있다.
이러한 부상 반송 방식은, 기판을 부상시키기 위해 스테이지 상면의 전체 영역에 고압 또는 정압(正壓)의 가스, 예를 들어 에어를 분출하는 분출구를 소정의 밀도로 다수 설치할 뿐만 아니라, 기판 반송 방향에 있어서 레지스트 노즐의 바로 아래 및 그 전후의 일정 범위에 걸친 스테이지 상면의 도포 영역에는 분출구에 혼재시켜 부압(負壓)으로 에어를 흡입하는 흡인구를 소정의 밀도로 다수 설치하고 있고, 도포 영역을 통과하는 기판에 대해 분출구로부터 가해지는 수직 상향의 압력과 흡인구로부터 가해지는 수직 하향의 압력과의 밸런스를 제어하여 기판에 정밀한 부상 압력을 부여하도록 하고 있다. 통상, 분출구 및 흡인구 모두 평면에서 볼 때에 둥근 구멍의 형상을 갖고 있고, 반송 방향(X방향) 및 그와 직교하는 수평 방향(Y방향)으로 일정 간격으로 격자 형상 또는 매트릭스 형상으로 배치된다.
이러한 부상 반송 방식은, 종래 일반 노즐 이동 방식, 즉 흡착식의 스테이지 상에 기판을 고정하여 그 상방에서 장척형 레지스트 노즐을 수평 방향으로 이동시키면서 레지스트액을 띠 형상으로 토출시킴으로써 기판 상의 일단부로부터 타단부까지 레지스트액을 도포하는 방식과 비교하여, 장척형 레지스트 노즐을 고정한 상태에서 도포 주사를 행할 수 있으므로, 기판의 대형화(즉, 레지스트 노즐의 중후 장대화)에 유리하게 되어 있다.
특허 문헌 1 : 일본 특허 출원 공개 제2005-244155호 공보
그러나 부상 반송 방식을 채용하는 종래의 레지스트 도포 장치에 있어서는, 분출구와 흡인구가 혼재하는 스테이지 도포 영역을 기판이 통과할 때, 기판의 전단부가 각 분출구 또는 각 흡인구를 거의 완전히 덮는 순간에 상기 분출구 또는 각 흡인구로부터 받는 토출 압력 또는 흡기 압력이 급격하게 변동하여 기판에 연직 방향의 진동이 발생하고, 또한 기판의 후단부가 각 분출구 또는 각 흡인구를 대기에 개방하는 순간에도 상기 분출구 또는 각 흡인구로부터 받는 토출 압력 또는 흡기 압력이 급격하게 변동하여 기판에 연직 방향의 진동이 발생한다. 그 결과, 기판 상에 형성되는 레지스트 도포막의 양단부(기판 선단부 및 후단부)에, 반송 방향으로 일정 간격을 두고 복수의 선이 줄무늬 형상으로 나타난다. 즉, 줄무늬 형상의 도포 불균일이 발생한다.
이러한 종류의 줄무늬 형상 도포 불균일은 기판의 선단부 또는 후단부에 가장 가까운 선일수록 가장 진하게(굵게) 나타나고, 기판의 중심부를 향해 점차 선이 옅어(가늘어)지는 경향이 있다. 또한, 줄무늬 형상 도포 불균일의 피치는, 반송 방향에 있어서의 분출구 및 흡인구의 배열 피치에 비례한다. 따라서, 분출구 및 흡인구의 배열 피치를 작게 할수록 줄무늬 형상 도포 불균일을 전체적으로 기판의 선단부측 및 후단부측으로 치우치게 할 수 있지만, 결코 없어지는 것은 아니며, 줄무늬 형상 도포 불균일에 의해 레지스트 도포막의 막 두께 품질이 저하되는 것에 변함은 없다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점에 비추어 이루어진 것이며, 부상 반송 방식에 있어서 피처리 기판 상에 형성되는 처리액의 도포막에 줄무늬 형상의 도포 불균일이 발생하는 것을 효과적으로 저감 내지 억제하여, 도포막의 막 두께 품질을 향상시키도록 한 도포 방법 및 도포 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 도포 장치는, 기체를 분출하는 다수의 분출구와 기체를 흡입하는 다수의 흡인구가 혼재하여 설치된 제1 부상 영역을 갖는 스테이지와, 피처리 기판을 상기 스테이지 상에서 띄운 상태에서 소정의 반송 방향으로 상기 제1 부상 영역을 통과시키는 기판 반송부와, 상기 제1 부상 영역의 상방에 배치되는 노즐을 갖고, 상기 기판 상에 처리액을 공급하기 위해 상기 노즐로부터 상기 처리액을 토출시키는 처리액 공급부와, 상기 분출구 및 상기 흡인구 중 적어도 한쪽의 상단부로부터 상기 반송 방향에 대해 평행 또는 예각의 각도로 경사진 제1 방향으로 연장되도록 상기 제1 부상 영역 내의 상기 스테이지 상면에 형성된 긴 홈을 갖는다.
본 발명의 도포 방법은, 스테이지 상에 반송 방향을 따라 피처리 기판보다도 사이즈가 큰 반입 영역과, 상기 기판보다도 사이즈가 작은 도포 영역과, 상기 기판보다도 사이즈가 큰 반출 영역을 이 순서로 일렬로 설정하고, 상기 스테이지의 상면에 설치한 다수의 분출구로부터 분출하는 기체의 압력으로 상기 기판을 띄우고, 적어도 상기 도포 영역에서는 상기 스테이지의 상면에 상기 분출구와 혼재하는 다수의 흡인구를 설치하여, 상기 도포 영역을 통과하는 상기 기판에 대해 상기 분출구로부터 가해지는 수직 상향의 압력과 상기 흡인구로부터 가해지는 수직 하향의 압력과의 밸런스를 제어하여 상기 기판에 원하는 부상 압력을 부여하고, 상기 기판을 상기 반입 영역으로부터 상기 반출 영역까지 반송하는 도중에, 상기 도포 영역 내에서 상방에 배치한 노즐로부터 처리액을 토출시켜 상기 기판 상에 상기 처리액을 도포하는 도포 방법이며, 상기 스테이지의 상면에, 상기 분출구 또는 상기 흡인구의 상단부로부터 상기 반송 방향에 대해 평행 또는 예각의 각도로 경사진 방향으로 연장되는 긴 홈이 형성되어 있다.
상기한 구성에 있어서는, 스테이지 상에서 기판이 부상 반송으로 제1 부상 영역(도포 영역)을 통과할 때, 기판의 전단부가 각 분출구 또는 각 흡인구를 폐색하는 순간에 받는 공격(空擊) 작용 및 기판의 후단부가 각 분출구 또는 각 흡인구를 대기에 개방하는 순간에 받는 공격 작용이 당해 분출구 또는 흡인구에 연속되어 있는 긴 홈의 압력 분산 기능에 의해 완화되고, 이에 의해 줄무늬 형상의 도포 불균일이 억제된다.
바람직하게는, 분출구 또는 흡인구의 상단부로부터 반송 방향을 따르는 방향과 역행하는 방향의 2방향으로 긴 홈을 형성하는 구성으로 해도 좋다. 분출구 또는 흡인구의 한쪽측에만 긴 홈을 부설하는 경우는, 반송 방향에 있어서 노즐의 토출구보다도 상류측의 장소에서는 분출구 또는 흡인구의 상단부로부터 반송 방향에 역행하는 방향으로 긴 홈을 형성하고, 노즐의 토출구보다도 하류측의 장소에서는 분출구 또는 흡인구의 상단부로부터 반송 방향을 따르는 방향으로 긴 홈을 형성하는 것이 바람직하다.
제1 부상 영역 내에서는, 기판의 부상 높이를 안정시키는 면에서 모든 분출구 및 흡인구에 긴 홈을 부설하는 구성이 바람직하지만, 다른 조건과의 균형으로 긴 홈이 부설되어 있지 않은 분출구 또는 흡인구를 혼재시키는 구성도 가능하다.
본 발명의 적합한 일 형태에 따르면, 각 긴 홈이, 당해 분출구 또는 흡인구와 근접하는 적어도 1개의 다른 분출구 또는 흡인구를 제1 방향에 있어서 지나가는 위치까지 연장된다. 이러한 구성에 있어서는, 각 긴 홈은, 그와 연속되어 있는 분출구 또는 흡인구에 있어서의 공격 작용을 상기와 같은 압력 분산 기능에 의해 약화시키는 작용을 할 뿐만 아니라, 그것과 오버랩되어 인접하는 다른 분출구 또는 흡인구에 있어서의 공격 작용을 흡수하는 형태로 약화시킬 수 있다.
긴 홈의 깊이나 폭(굵기)의 프로파일은 임의로 선택할 수 있다. 적합한 일 형태에 있어서의 긴 홈은, 분출구 또는 흡인구의 상단부에서 가장 깊고, 그곳으로부터 홈 선단부를 향해 테이퍼 형상으로 점차 얕아지도록 형성된다.
또한, 분출구 및 흡인구의 배열 패턴에 대해 본 발명의 적합한 일 형태에 따르면, 제1 방향의 일직선 상에 제1 간격을 두고 분출구만을 다수개 배치하는 분출 라인이, 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 제1 피치로 복수개 배열되고, 제1 방향의 일직선 상에 제2 간격을 두고 흡인구만을 다수개 배치하는 흡인 라인이, 제2 방향으로 분출 라인으로부터 오프셋되고, 또한 제2 피치로 복수개 배열된다. 이러한 배열 패턴에 있어서는, 분출 라인과 흡인 라인이 평행하고 또한 교대로 배열되므로, 제2 방향에 있어서는 각 분출구에 연속되는 긴 홈이 그와 인접하는 다른 흡인구와 오버랩되고, 각 흡인구에 연속되는 긴 홈이 그와 인접하는 다른 분출구와 오버랩된다.
본 발명의 다른 일 형태로서, 제1 방향의 일직선 상에 제1 간격을 두고 분출구와 흡인구를 교대로 복수개 배치하는 분출·흡인 혼재 라인을, 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 제2 간격을 두고 복수개 배열하는 구성도 가능하다.
또한, 본 발명의 적합한 일 형태에 따르면, 스테이지 상에서 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장되는 임의의 직선 상에 위치하는 분출구 또는 흡인구의 개수가, 제1 방향으로부터 보아 그것과 직교하는 제2 방향으로 일렬로 배열되는 분출구 또는 흡인구의 개수보다도 적어지도록, 바람직하게는 1/2 이하로 되도록 분출구 및 흡인구의 배열 패턴이 채용된다. 이러한 배열 패턴에 있어서는, 분출구 및 흡인구의 밀도를 낮추지 않아도 부상 반송 중에 기판의 전단부가 동시에 폐색되는 분출구 또는 흡인구의 개수 및 기판의 후단부가 동시에 대기에 해방되는 분출구 또는 흡인구의 개수를 적게 하는 것이 가능하다.
본 발명의 적합한 일 형태에 있어서는, 기판은 직사각형이며, 기판 반송부는 기판의 한 쌍의 변이 반송 방향과 평행하고 다른 한 쌍의 변이 반송 방향과 직교하도록 하여 기판을 스테이지 상에서 반송한다.
또한, 본 발명의 적합한 일 형태에 있어서는, 노즐의 토출구의 바로 아래에 있어서의 기판의 부상 높이를 가변 제어하기 위해, 분출구에 공급하는 기체의 압력 및 흡인구에 공급하는 진공의 압력 중 적어도 한쪽을 제어하는 부상 압력 제어부가 설치된다. 또한, 노즐을 연직 방향에서 승강 이동시키기 위한 노즐 승강부도 설치된다.
본 발명의 도포 방법은, 스테이지 상에 반송 방향을 따라 피처리 기판보다도 사이즈가 큰 반입 영역과, 상기 기판보다도 사이즈가 작은 도포 영역과, 상기 기판보다도 사이즈가 큰 반출 영역을 이 순서로 일렬로 설정하고, 상기 스테이지의 상면에 설치한 다수의 분출구로부터 분출하는 기체의 압력으로 상기 기판을 띄우고, 적어도 상기 도포 영역에서는 상기 스테이지의 상면에 상기 분출구와 혼재하는 다수의 흡인구를 설치하여, 상기 도포 영역을 통과하는 상기 기판에 대해 상기 분출구로부터 가해지는 수직 상향의 압력과 상기 흡인구로부터 가해지는 수직 하향의 압력과의 밸런스를 제어하여 상기 기판에 원하는 부상 압력을 부여하고, 상기 기판을 상기 반입 영역으로부터 상기 반출 영역까지 반송하는 도중에, 상기 도포 영역 내에서 상방에 배치한 노즐로부터 처리액을 토출시켜 상기 기판 상에 상기 처리액을 도포하는 도포 방법이며, 상기 스테이지의 상면에, 상기 분출구 또는 상기 흡인구의 상단부로부터 상기 반송 방향에 대해 평행 또는 예각의 각도로 경사진 방향으로 연장되는 긴 홈이 형성되어 있다.
본 발명의 도포 방법은, 적합한 일 형태로서, 상기 노즐의 토출구의 바로 아래 부근에 설정된 기준 위치에 상기 기판의 선단부가 도착하기 전인 제1 기간 중에는 상기 기판에 대한 부상 압력을 제1 설정 압력 부근으로 유지하는 공정과, 상기 기판의 선단부가 상기 기준 위치로부터 반송 방향의 하류측으로 제1 거리만큼 이동할 때까지인 제2 기간 중에는 상기 기판에 대한 부상 압력을 상기 제1 설정 압력으로부터 그보다도 높은 제2 설정 압력까지 소정의 파형으로 높이는 공정과, 상기 제2 기간의 종료시로부터 상기 기판의 후단부가 상기 기준 위치보다 제2 거리만큼 상류측의 위치를 통과할 때까지인 제3 기간 중에는 상기 기판에 대한 부상 압력을 상기 제2 설정 압력 부근으로 유지하는 공정과, 상기 제3 기간의 종료시로부터 상기 기판의 후단부가 상기 기준 위치를 통과할 때까지인 제4 기간 중에는 상기 기판에 대한 부상 압력을 상기 제2 설정 압력 부근으로부터 그보다도 낮은 제3 설정 압력까지 소정의 파형으로 낮추는 공정을 갖는다. 이러한 압력 제어에 따르면, 기판의 전단부 및 후단부에 있어서의 도포막의 막 두께 변동을 저감할 수 있다.
본 발명의 도포 방법은, 다른 적합한 일 형태로서, 상기 노즐의 토출구의 바로 아래 부근에 설정된 기준 위치에 상기 기판의 선단부가 도착하기 전인 제1 기간 중에는 상기 스테이지에 대한 상기 노즐 토출구의 높이를 제1 레벨로 유지하는 공정과, 상기 기판의 선단부가 상기 기준 위치로부터 제1 거리만큼 이동할 때까지인 제2 기간 중에는 상기 스테이지에 대한 상기 노즐 토출구의 높이를 상기 제1 레벨보다도 낮은 제2 레벨까지 소정의 파형으로 감소시키는 공정과, 상기 제2 기간의 종료시로부터 상기 기판의 후단부가 상기 기준 위치보다 제2 거리만큼 앞의 위치를 통과할 때까지인 제3 기간 중에는 상기 스테이지에 대한 상기 노즐 토출구의 높이를 상기 제2 레벨 부근으로 유지하는 공정과, 상기 제3 기간의 종료시로부터 상기 기판의 후단부가 상기 기준 위치를 통과할 때까지인 제4 기간 중에는 상기 스테이지에 대한 상기 노즐 토출구의 높이를 상기 제2 레벨 부근으로부터 그보다도 높은 제3 레벨까지 소정의 파형으로 증대시키는 공정을 갖는다. 이러한 노즐 높이 제어에 의해서도, 기판의 전단부 및 후단부에 있어서의 도포막의 막 두께 변동을 저감할 수 있다.
본 발명의 도포 방법 또는 도포 장치에 따르면, 상기와 같은 구성 및 작용에 의해 부상 반송 방식에 있어서 피처리 기판 상에 형성되는 처리액의 도포막에 줄무늬 형상의 도포 불균일이 발생하는 것을 효과적으로 저감 또는 억제하여, 도포막의 막 두께 품질을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 적용 가능한 도포 현상 처리 시스템의 구성을 도시하는 평면도이다.
도 2는 상기 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 처리 순서를 나타내는 흐름도이다.
도 3은 상기 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 레지스트 도포 유닛 및 감압 건조 유닛의 전체 구성을 도시하는 개략 평면도이다.
도 4는 상기 레지스트 도포 유닛의 전체 구성을 도시하는 사시도이다.
도 5는 상기 레지스트 도포 유닛의 전체 구성을 도시하는 개략 정면도이다.
도 6은 상기 레지스트 도포 유닛 내의 스테이지 도포 영역에 있어서의 분출구와 흡입구의 배열 패턴 및 긴 홈의 레이아웃을 도시하는 평면도이다.
도 7A는 실시 형태에 있어서의 분출구 및 그것에 부설되는 긴 홈의 구성을 도시하는 단면도이다.
도 7B는 실시 형태에 있어서의 흡인구 및 그것에 부설되는 긴 홈의 구성을 도시하는 단면도이다.
도 8은 상기 레지스트 도포 유닛에 있어서의 기판 반송부의 구성을 도시하는 일부 단면 개략 측면도이다.
도 9는 상기 레지스트 도포 유닛에 있어서의 기판 반송부의 보유 지지부의 구성을 도시하는 확대 단면도이다.
도 10은 상기 레지스트 도포 유닛에 있어서의 기판 반송부의 패드부의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 11은 상기 레지스트 도포 유닛에 있어서의 기판 반송부의 보유 지지부의 일 변형예를 도시하는 사시도이다.
도 12는 상기 레지스트 도포 유닛에 있어서의 노즐 승강 기구, 압축 공기 공급 기구 및 진공 공급 기구의 구성을 도시하는 도면이다.
도 13은 상기 레지스트 도포 유닛에 있어서의 제어계의 주요한 구성을 도시하는 블록도이다.
도 14는 실시 형태의 도포 주사에 있어서 레지스트 도포막이 형성되는 모습을 도시하는 측면도이다.
도 15는 실시 형태의 도포 주사에 있어서 레지스트 도포막이 형성되는 모습을 도시하는 평면도이다.
도 16은 실시 형태의 도포 주사가 종료되었을 때의 스테이지 상의 각 부의 상태를 도시하는 사시도이다.
도 17은 본 발명에 대한 비교예의 구성(스테이지 도포 영역에 있어서 분출구 및 토출구에 긴 홈을 부설하지 않는 구성)을 도시하는 개략 평면도이다.
도 18은 비교예에 있어서 기판의 전단부가 각 분출구/토출구를 폐색할 때의 공격 작용을 설명하기 위한 부분 단면도이다.
도 19는 비교예에 있어서 기판의 전단부가 반송 방향으로 이동하면서 각 분출구/토출구를 통과할 때에 진동하는 모습을 나타내는 파형도이다.
도 20은 비교예에 있어서 기판의 전단부가 레지스트 노즐 바로 아래의 기준 위치로부터 반송 방향의 하류측으로 이동할 때의 노즐 바로 아래에 있어서의 기판의 부상 높이의 변화를 나타내는 파형도이다.
도 21은 비교예에 있어서 기판의 후단부가 각 분출구/토출구를 개방할 때의 공격 작용을 설명하기 위한 부분 단면도이다.
도 22는 비교예에 있어서 기판의 후단부가 반송 방향으로 이동하면서 각 분출구/토출구를 통과할 때에 진동하는 모습을 나타내는 파형도이다.
도 23은 비교예에 있어서 기판의 후단부가 반송 방향의 상류측으로부터 레지스트 노즐 바로 아래의 기준 위치로 접근해 올 때의 노즐 바로 아래에 있어서의 기판 부상 높이의 변화를 나타내는 파형도이다.
도 24는 본 발명의 제1 단계에 있어서의 분출구 및 토출구의 배열 패턴과 긴 홈의 레이아웃을 도시하는 개략 평면도이다.
도 25는 본 발명의 제1 단계에 있어서 기판 전단부가 각 분출구/토출구를 폐색할 때의 공격 작용이 약화되는 모습을 도시하는 부분 단면도이다.
도 26은 본 발명의 제1 단계에 있어서 기판 전단부가 반송 방향으로 이동하면서 각 분출구/토출구를 통과할 때에 진동하는 모습을 나타내는 파형도이다.
도 27은 본 발명의 제1 단계에 있어서 기판 전단부가 레지스트 노즐 바로 아래의 기준 위치로부터 반송 방향으로 이동할 때의 노즐 바로 아래에 있어서의 기판 부상 높이의 변화를 나타내는 파형도이다.
도 28은 본 발명의 제2 단계에 있어서의 분출구 및 토출구의 배열 패턴과 긴 홈의 레이아웃을 도시하는 개략 평면도이다.
도 29는 본 발명의 제2 단계에 있어서 기판 전단부가 레지스트 노즐 바로 아래의 기준 위치로부터 반송 방향으로 이동할 때의 노즐 바로 아래에 있어서의 기판 부상 높이의 변화를 나타내는 파형도이다.
도 30A는 비교예에 있어서 기판 상에 형성되는 레지스트 도포막에 줄무늬 형상의 도포 불균일이 현저하게 발생하는 모습을 도시하는 개략 평면도이다.
도 30B는 본 발명의 제1 단계에 있어서 레지스트 도포막 상에 줄무늬 형상의 도포 불균일이 발생하기 어려워지는 모습을 도시하는 개략 평면도이다.
도 30C는 본 발명의 제2 단계에 있어서 레지스트 도포막 상에 줄무늬 형상의 도포 불균일이 거의 발생하지 않게 되는 모습을 도시하는 개략 평면도이다.
도 31은 실시 형태에 있어서 레지스트 노즐 바로 아래에 있어서의 기판의 부상 높이에 보정을 가하기 위한 압력 제어 방법을 나타내는 파형도이다.
도 32는 실시 형태에 있어서 레지스트 노즐 바로 아래에 있어서의 기판의 부상 높이의 변동을 보상하기 위해 레지스트 노즐의 높이 위치를 가변 제어하는 방법을 나타내는 파형도이다.
도 33은 실시 형태에 있어서 레지스트 노즐 바로 아래에 있어서의 기판 부상 높이의 변동을 보상하기 위해 레지스트 노즐의 높이 위치를 가변 제어하는 방법을 도시하는 개략 측면도이다.
도 34는 실시 형태에 있어서 분출구 및 토출구의 배열 패턴과 긴 홈의 레이아웃에 관한 일 변형예를 도시하는 개략 평면도이다.
도 35는 실시 형태에 있어서 분출구 및 토출구의 배열 패턴과 긴 홈의 레이아웃에 관한 다른 변형예를 도시하는 개략 평면도이다.
도 36은 분출구 및 토출구에 부설 가능한 고리 형상 홈의 구성을 도시하는 개략 평면도이다.
이하, 첨부도를 참조하여 본 발명의 적합한 실시 형태를 설명한다.
도 1에 본 발명의 도포 방법 및 도포 장치의 적용 가능한 구성예로서 도포 현상 처리 시스템을 도시한다. 이 도포 현상 처리 시스템은 클린룸 내에 설치되고, 예를 들어 LCD용의 직사각형의 유리 기판을 피처리 기판으로 하고, LCD 제조 프로세스에 있어서 포토리소그래피 공정 중의 세정, 레지스트 도포, 프리 베이크, 현상 및 포스트 베이크의 각 처리를 행하는 것이다. 노광 처리는, 이 시스템에 인접하여 설치되는 외부의 노광 장치(도시하지 않음)에서 행해진다.
이 도포 현상 처리 시스템은 크게 나누어, 카세트 스테이션(C/S)(10)과, 프로세스 스테이션(P/S)(12)과, 인터페이스부(I/F)(14)로 구성된다.
시스템의 일단부에 설치되는 카세트 스테이션(C/S)(10)은 복수의 기판(G)을 수용하는 카세트(C)를 소정수, 예를 들어 4개까지 적재 가능한 카세트 스테이지(16)와, 이 카세트 스테이지(16) 상의 측방이며 또한 카세트(C)의 배열 방향과 평행하게 설치된 반송로(17)와, 이 반송로(17) 상에서 이동 가능하고 스테이지(16) 상의 카세트(C)에 대해 기판(G)의 출입을 행하는 반송 기구(20)를 구비하고 있다. 이 반송 기구(20)는 기판(G)을 보유 지지할 수 있는 수단, 예를 들어 반송 아암을 갖고, X, Y, Z, θ의 4축에서 동작 가능하며, 후술하는 프로세스 스테이션(P/S)(12)측의 반송 장치(38)로 기판(G)의 전달을 행할 수 있도록 되어 있다.
프로세스 스테이션(P/S)(12)은, 상기 카세트 스테이션(C/S)(10)측으로부터 차례로 세정 프로세스부(22)와, 도포 프로세스부(24)와, 현상 프로세스부(26)를 기 판 중계부(23), 약액 공급 유닛(25) 및 공간(27)을 개재하여(사이에 두고) 가로 일렬로 설치하고 있다.
세정 프로세스부(22)는 2개의 스크러버 세정 유닛(SCR)(28)과, 상하 2단의 자외선 조사/냉각 유닛(UV/COL)(30)과, 가열 유닛(HP)(32)과, 냉각 유닛(COL)(34)을 포함하고 있다.
도포 프로세스부(24)는 스핀리스 방식의 레지스트 도포 유닛(CT)(40)과, 감압 건조 유닛(VD)(42)과, 상하 2단형 어드히전/냉각 유닛(AD/COL)(46)과, 상하 2단형 가열/냉각 유닛(HP/COL)(48)과, 가열 유닛(HP)(50)을 포함하고 있다.
현상 프로세스부(26)는 3개의 현상 유닛(DEV)(52)과, 2개의 상하 2단형 가열/냉각 유닛(HP/COL)(53)과, 가열 유닛(HP)(55)을 포함하고 있다.
각 프로세스부(22, 24, 26)의 중앙부에는 길이 방향으로 반송로(36, 51, 58)가 설치되고, 반송 장치(38, 54, 60)가 각각 반송로(36, 51, 58)를 따라 이동하여 각 프로세스부 내의 각 유닛에 액세스하고, 기판(G)의 반입/반출 또는 반송을 행하도록 되어 있다. 또한, 이 시스템에서는 각 프로세스부(22, 24, 26)에 있어서, 반송로(36, 51, 58)의 한쪽측에 액 처리계의 유닛(SCR, CT, DEV 등)이 배치되고, 다른 쪽측에 열처리계의 유닛(HP, COL 등)이 배치되어 있다.
시스템의 타단부에 설치되는 인터페이스부(I/F)(14)는 프로세스 스테이션(12)과 인접하는 측에 익스텐션(기판 전달부)(56) 및 버퍼 스테이지(57)를 설치하고, 노광 장치와 인접하는 측에 반송 기구(59)를 설치하고 있다. 이 반송 기구(59)는 Y방향으로 연장되는 반송로(19) 상에서 이동 가능하고, 버퍼 스테이 지(57)에 대해 기판(G)의 출입을 행하는 것 외에, 익스텐션(기판 전달부)(56)이나 인접한 노광 장치로 기판(G)의 전달을 행하도록 되어 있다.
도 2에 이 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 처리의 순서를 나타낸다. 우선, 카세트 스테이션(C/S)(10)에 있어서, 반송 기구(20)가, 카세트 스테이지(16) 상의 소정의 카세트(C) 중으로부터 1개의 기판(G)을 취출하여, 프로세스 스테이션(P/S)(12)의 세정 프로세스부(22)의 반송 장치(38)로 전달한다(스텝 S1).
세정 프로세스부(22)에 있어서, 기판(G)은 우선 자외선 조사/냉각 유닛(UV/COL)(30)에 순차 반입되고, 최초의 자외선 조사 유닛(UV)에서는 자외선 조사에 의한 건식 세정이 실시되고, 다음 냉각 유닛(COL)에서는 소정 온도까지 냉각된다(스텝 S2). 이 자외선 세정에서는 주로 기판 표면의 유기물이 제거된다.
다음에, 기판(G)은 스크러버 세정 유닛(SCR)(28) 중 1개에서 스크러빙 세정 처리를 받고, 기판 표면으로부터 입자 형상의 오염물이 제거된다(스텝 S3). 스크러빙 세정 후, 기판(G)은 가열 유닛(HP)(32)에서 가열에 의한 탈수 처리를 받고(스텝 S4), 계속해서 냉각 유닛(COL)(34)에서 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S5).
이것으로 세정 프로세스부(22)에 있어서의 전처리가 종료되고, 기판(G)은 반송 장치(38)에 의해 기판 전달부(23)를 통해 도포 프로세스부(24)로 반송된다.
도포 프로세스부(24)에 있어서, 기판(G)은 우선 어드히전/냉각 유(AD/COL)(46)에 순차 반입되고, 최초의 어드히전 유닛(AD)에서는 소수화 처리(疎水化處理)(HMDS)를 받고(스텝 S6), 다음 냉각 유닛(COL)에서 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S7).
그 후, 기판(G)은 레지스트 도포 유닛(CT)(40)에서 스핀리스법에 의해 레지스트액이 도포되고, 계속해서 감압 건조 유닛(VD)(42)에서 감압에 의한 건조 처리를 받는다(스텝 S8).
다음에, 기판(G)은 가열/냉각 유닛(HP/COL)(48)에 순차 반입되고, 최초의 가열 유닛(HP)에서는 도포 후의 베이킹(프리 베이크)이 행해지고(스텝 S9), 다음에 냉각 유닛(COL)에서 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S10). 또한, 이 도포 후의 베이킹에 가열 유닛(HP)(50)을 이용할 수도 있다.
상기 도포 처리 후, 기판(G)은 도포 프로세스부(24)의 반송 장치(54)와 현상 프로세스부(26)의 반송 장치(60)에 의해 인터페이스부(I/F)(14)로 반송되고, 그곳으로부터 노광 장치로 전달된다(스텝 S11). 노광 장치에서는 기판(13) 상의 레지스트에 소정의 회로 패턴이 노광된다. 그리고 패턴 노광을 마친 기판(G)은, 노광 장치로부터 인터페이스부(I/F)(14)로 복귀된다. 인터페이스부(I/F)(14)의 반송 기구(59)는 노광 장치로부터 수취한 기판(G)을 익스텐션(56)을 통해 프로세스 스테이션(P/S)(12)의 현상 프로세스부(26)로 전달한다(스텝 S11).
현상 프로세스부(26)에 있어서, 기판(G)은 현상 유닛(DEV)(52) 중 어느 하나에서 현상 처리를 받고(스텝 S12), 계속해서 가열/냉각 유닛(HP/COL)(53) 중 하나에 순차 반입되고, 최초의 가열 유닛(HP)에서는 포스트 베이킹이 행해지고(스텝 S13), 다음에 냉각 유닛(COL)에서 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S14). 이 포스트 베이킹에 가열 유닛(HP)(55)을 이용할 수도 있다.
현상 프로세스부(26)에서의 일련의 처리가 완료된 기판(G)은, 프로세스 스테이션(P/S)(12) 내의 반송 장치(60, 54, 38)에 의해 카세트 스테이션(C/S)(10)까지 복귀되고, 그곳에서 반송 기구(20)에 의해 어느 하나의 카세트(C)에 수용된다(스텝 S1).
이 도포 현상 처리 시스템에 있어서는, 예를 들어 도포 프로세스부(24)의 레지스트 도포 유닛(CT)(40)에 본 발명을 적용할 수 있다. 이하, 도 3 내지 도 40에 대해 본 발명을 레지스트 도포 유닛(CT)(40)에 적용한 일 실시 형태를 설명한다.
도 3에 본 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 유닛(CT)(40) 및 감압 건조 유닛(VD)(42)의 전체 구성을 도시한다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 지지대 또는 지지 프레임(70) 상에 레지스트 도포 유닛(CT)(40)과 감압 건조 유닛(VD)(42)이 X방향으로 가로 일렬로 배치되어 있다. 도포 처리를 받을 새로운 기판(G)은, 반송로(51)측의 반송 장치(54)(도 1)에 의해 화살표 FA로 나타내는 바와 같이 레지스트 도포 유닛(CT)(40)에 반입된다. 레지스트 도포 유닛(CT)(40)에서 도포 처리가 완료된 기판(G)은, 지지대(70) 상의 가이드 레일(72)로 안내되는 X방향으로 이동 가능한 반송 아암(74)에 의해 화살표 FB로 나타내는 바와 같이 감압 건조 유닛(VD)(42)으로 구름 이송된다. 감압 건조 유닛(VD)(42)에서 건조 처리를 마친 기판(G)은, 반송로(51)측의 반송 장치(54)(도 1)에 의해 화살표 FC로 나타내는 바와 같이 전달된다.
레지스트 도포 유닛(CT)(40)은 X방향으로 길게 연장되는 스테이지(76)를 갖 고, 이 스테이지(76) 상에서 기판(G)을 동일 방향으로 수평 진행으로 반송하면서, 스테이지(76)의 상방에 배치된 장척형의 레지스트 노즐(78)로부터 기판(G) 상에 레지스트액을 공급하여, 스핀리스법으로 기판 상면(피처리면)에 일정 막 두께의 레지스트 도포막을 형성하도록 구성되어 있다. 유닛(CT)(40) 내의 각 부의 구성 및 작용은 이후에 상세하게 서술한다.
감압 건조 유닛(VD)(42)은 상면이 개구되어 있는 트레이 또는 바닥이 얕은 용기형의 하부 챔버(80)와, 이 하부 챔버(80)의 상면에 기밀하게 밀착 또는 끼워 맞춤 가능하게 구성된 덮개 형상의 상부 챔버(도시하지 않음)를 갖고 있다. 하부 챔버(80)는 대략 사각형이고, 중심부에는 기판(G)을 수평으로 적재하여 지지하기 위한 스테이지(82)가 배치되고, 저면의 네 구석에는 배기구(83)가 설치되어 있다. 각 배기구(83)는 배기관(도시하지 않음)을 통해 진공 펌프(도시하지 않음)에 통하고 있다. 하부 챔버(80)에 상부 챔버를 씌운 상태에서, 양 챔버 내의 밀폐된 처리 공간을 상기 진공 펌프에 의해 소정의 진공도까지 감압할 수 있도록 되어 있다.
도 4 및 도 5에, 본 발명의 일 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 유닛(CT)(40) 내의 보다 상세한 전체 구성을 도시한다.
본 실시 형태의 레지스트 도포 유닛(CT)(40)에 있어서는, 스테이지(76)가, 노즐 이동 방식과 같이 기판(G)을 고정 보유 지지하는 적재대로서 기능하는 것이 아니라, 기판(G)을 공기압의 힘으로 공중에 띄우기 위한 기판 부상대로서 기능한다. 그리고 스테이지(76)의 양 사이드에 배치되어 있는 직진 운동형 기판 반송부(84)가, 스테이지(76) 상에서 떠 있는 기판(G)의 양측 모서리부를 각각 착탈 가 능하게 보유 지지하여 스테이지 길이 방향(X방향)으로 기판(G)을 반송하도록 되어 있다. 또한, 스테이지(76) 상에서 반송되는 기판(G)은 거의 수평한 자세이며, 그 한 쌍의 변이 반송 방향(X방향)과 평행하고, 다른 한 쌍의 변이 반송 방향과 직교하고 있다.
스테이지(76)는 그 길이 방향(X방향)에 있어서 5개의 영역(M1, M2, M3, M4, M5)으로 분할되어 있다(도 5). 좌측 단부의 영역(M1)은 반입 영역이며, 도포 처리를 받을 새로운 기판(G)은 이 영역(M1) 내의 소정 위치로 반입된다. 이 반입 영역(M1)에는 반송 장치(54)(도 1)의 반송 아암으로부터 기판(G)을 수취하여 스테이지(76) 상에 로딩하기 위해 스테이지 하방의 원위치와 스테이지 상방의 진행 이동 위치와의 사이에서 승강 이동 가능한 복수개의 리프트 핀(86)이 소정의 간격을 두고 설치되어 있다. 이들 리프트 핀(86)은, 예를 들어 에어 실린더(도시하지 않음)를 구동원에 이용하는 반입용 리프트 핀 승강부(85)(도 13)에 의해 승강 구동된다.
이 반입 영역(M1)은 부상식의 기판 반송이 개시되는 영역이기도 하며, 이 영역 내의 스테이지 상면에는 기판(G)을 반입용의 부상 높이 또는 부상량(Ha)으로 띄우기 위해 고압 또는 정압의 압축 공기를 분출하는 분출구(88)가 일정한 밀도로 다수 설치되어 있다. 여기서, 반입 영역(M1)에 있어서의 기판(G)의 부상량(Ha)은, 특별히 높은 정밀도를 필요로 하지 않고, 예를 들어 250 내지 350 ㎛의 범위 내로 유지되면 좋다. 또한, 반송 방향(X방향)에 있어서, 반입 영역(M1)의 사이즈는 기 판(G)의 사이즈를 상회하고 있는 것이 바람직하다. 또한 반입 영역(M1)에는, 기판(G)을 스테이지(76) 상에서 위치 맞춤하기 위한 얼라인먼트부(도시하지 않음)도 설치되어도 좋다.
스테이지(76)의 중심부에 설정된 영역(M3)은 레지스트액 공급 영역 또는 도포 영역이며, 기판(G)은 이 도포 영역(M3)을 통과할 때에 상방의 레지스트 노즐(78)로부터 레지스트액(R)의 공급을 받는다. 도포 영역(M3)에 있어서의 기판 부상량(Hb)은 노즐(78)의 하단부(토출구)와 기판 상면(피처리면)과의 사이의 도포 갭(S)(예를 들어, 240 ㎛)을 규정한다. 이 도포 갭(S)은 레지스트 도포막의 막 두께나 레지스트 소비량을 좌우하는 중요한 파라미터이며, 높은 정밀도로 일정하게 유지될 필요가 있다. 이것으로부터, 도포 영역(M3)의 스테이지 상면에는, 예를 들어 도 6에 도시하는 바와 같은 배열 패턴이며, 기판(G)을 원하는 부상량(Hb)으로 띄우기 위해 고압 또는 정압의 압축 공기를 분출하는 분출구(88)와 부압으로 공기를 흡입하는 흡인구(90)를 혼재시켜 설치하고 있다. 그리고 기판(G)의 도포 영역(M3) 내에 위치하고 있는 부분에 대해, 분출구(88)로부터 압축 공기에 의한 수직 상향의 힘을 가하는 동시에, 흡인구(90)로부터 부압 흡인력에 의한 수직 하향의 힘을 가하여, 서로 대항하는 쌍방향의 힘의 밸런스를 제어함으로써, 도포용의 부상량(Hb)을 설정값(예를 들어, 30 내지 50 ㎛) 부근으로 유지하도록 하고 있다.
반송 방향(X방향)에 있어서의 도포 영역(M3)의 사이즈는, 레지스트 노즐(78)의 바로 아래에 상기와 같은 좁은 도포 갭(S)을 안정적으로 형성할 수 있을 정도의 여유가 있으면 좋고, 통상은 기판(G)의 사이즈보다도 작아도 좋고, 예를 들어 1/3 내지 1/4 정도이면 좋다. 레지스트 노즐(78)은 반송 방향(X방향)에 있어서 도포 영역(M3)의 중심 부근에 배치되어도 좋다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 도포 영역(M3)에 있어서는 모든 분출구(88) 및 흡인구(90)에 반송 방향(X방향)과 평행하게 연장되는 긴 홈(88m, 90m)이 형성되어 있다. 도 7A 및 도 7B에 도시하는 바와 같이, 분출구(88) 및 흡인구(90)는 스테이지(78) 중 또는 하부를 지나는 압축 공기 공급로(89) 및 진공 공급로(91)에 각각 연통되어 있다. 긴 홈(88m, 90m)은 분출구(88), 흡인구(90)의 상단부로부터 반송 방향(X방향)을 따르는 방향과 역행하는 방향으로 2방향으로 곧게 연장되어 있고, 근원[분출구(88), 흡인구(90)의 모서리부]의 부분이 가장 깊고, 선단부를 향해 테이퍼 형상으로 점차 얕아지고 있다. 긴 홈(88m, 90m)의 작용은, 이후에 상세하게 설명한다.
다시 도 5에 있어서, 반입 영역(M1)과 도포 영역(M3)과의 사이에 설정된 중간의 영역(M2)은, 반송 중에 기판(G)의 부상 높이 위치를 반입 영역(M1)에 있어서의 부상량(Ha)으로부터 도포 영역(M3)에 있어서의 부상량(Hb)으로 변화 또는 천이시키기 위한 천이 영역이다. 이 천이 영역(M2) 내에서도 스테이지(76)의 상면에 분출 구(88)와 흡인구(90)를 혼재시켜 배치할 수 있다. 그 경우는, 흡인구(90)의 밀도를 반송 방향을 따라 점차 크게 하고, 이에 의해 반송 중에 기판(G)의 부상량이 점차적으로 Ha로부터 Hb로 이동하도록 해도 좋다. 혹은, 이 천이 영역(M2)에 있어서는, 흡인구(90)를 포함하지 않고 분출구(88)만을 설치하는 구성도 가능하다.
도포 영역(M3)의 하류측 인접 영역(M4)은, 반송 중에 기판(G)의 부상량을 도포용의 부상량(Hb)으로부터 반출용의 부상량(Hc)(예를 들어, 250 내지 350 ㎛)으로 바꾸기 위한 천이 영역이다.
이 천이 영역(M4)에서도, 스테이지(76)의 상면에 분출구(88)와 흡인구(90)를 혼재시켜 배치해도 좋고, 그 경우는 흡인구(90)의 밀도를 반송 방향을 따라 점차 작게 하는 것이 좋다. 혹은, 흡인구(90)를 포함하지 않고 분출구(88)만을 설치하는 구성도 가능하다.
스테이지(76)의 하류 단부(우측 단부)의 영역(M5)은 반출 영역이다. 레지스트 도포 유닛(CT)(40)에서 도포 처리를 받은 기판(G)은, 이 반출 영역(M5) 내의 소정 위치 또는 반출 위치로부터 반송 아암(74)(도 3)에 의해 하류측 인접 감압 건조 유닛(VD)(42)(도 3)으로 반출된다. 이 반출 영역(M5)에는 기판(G)을 반출용의 부상량(Hc)으로 띄우기 위한 분출구(88)가 스테이지 상면에 일정한 밀도로 다수 설치되어 있는 동시에, 기판(G)을 스테이지(76) 상으로부터 언로딩하여 반송 아암(74)(도 3)으로 전달하기 위해 스테이지 하방의 원위치와 스테이지 상방의 진행 이동 위치 와의 사이에서 승강 이동 가능한 복수개의 리프트 핀(92)이 소정의 간격을 두고 설치되어 있다. 이들 리프트 핀(92)은, 예를 들어 에어 실린더(도시하지 않음)를 구동원에 이용하는 반출용의 리프트 핀 승강부(91)(도 13)에 의해 승강 구동된다.
레지스트 노즐(78)은 스테이지(76) 상의 기판(G)을 일단부로부터 타단부까지 커버할 수 있는 길이로 반송 방향과 직교하는 수평 방향(Y방향)으로 연장되는 장척 형상의 노즐 본체의 하단부에 슬릿 형상의 토출구(78a)를 갖고, 문형 또는 ㄷ자형의 노즐 지지체(130)에 승강 가능하게 장착되고, 레지스트액 공급 기구(95)(도 13)로부터의 레지스트액 공급관(94)(도 4)에 접속되어 있다.
도 4, 도 8 및 도 9에 도시하는 바와 같이, 기판 반송부(84)는 스테이지(76)의 좌우 양 사이드에 평행하게 배치된 한 쌍의 가이드 레일(96)과, 각 가이드 레일(96) 상에 축방향(X방향)으로 이동 가능하게 장착된 슬라이더(98)와, 각 가이드 레일(96) 상에서 슬라이더(98)를 직진 이동시키는 반송 구동부(100)와, 각 슬라이더(98)로부터 스테이지(76)의 중심부를 향해 연장되어 기판(G)의 좌우 양측 모서리부를 착탈 가능하게 보유 지지하는 보유 지지부(102)를 각각 갖고 있다.
여기서, 반송 구동부(100)는 직진형의 구동 기구, 예를 들어 리니어 모터에 의해 구성되어 있다. 또한, 보유 지지부(102)는 기판(G)의 좌우 양측 모서리부의 하면에 진공 흡착력에 의해 결합되는 흡착 패드(104)와, 선단부에서 흡착 패드(104)를 지지하고, 슬라이더(98)측의 기단부를 지지점으로 하여 선단부의 높이 위치를 바꿀 수 있도록 탄성 변형 가능한 판 스프링형의 패드 지지부(106)를 각각 갖고 있다. 흡착 패드(104)는 일정한 피치로 일렬에 배치되고, 패드 지지부(106) 는 각각의 흡착 패드(104)를 독립적으로 지지하고 있다. 이에 의해, 개개의 흡착 패드(104) 및 패드 지지부(106)가 독립된 높이 위치에서(상이한 높이 위치에서도) 기판(G)을 안정적으로 보유 지지할 수 있도록 되어 있다.
도 8 및 도 9에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서의 패드 지지부(106)는 슬라이더(98)의 내측면에 승강 가능하게 장착된 판 형상의 패드 승강 부재(108)에 장착되어 있다. 슬라이더(98)에 탑재되어 있는, 예를 들어 에어 실린더로 이루어지는 패드 액추에이터(109)(도 13)가 패드 승강 부재(108)를 기판(G)의 부상 높이 위치보다도 낮은 원위치(퇴피 위치)와 기판(G)의 부상 높이 위치에 대응하는 진행 이동 위치(결합 위치)와의 사이에서 승강 이동시키도록 되어 있다.
도 10에 도시하는 바와 같이, 각각의 흡착 패드(104)는, 예를 들어 합성 고무제로 직방체 형상의 패드 본체(110)의 상면에 복수개의 흡인구(112)를 설치하고 있다. 이들 흡인구(112)는 슬릿 형상의 긴 구멍이지만, 원이나 직사각형의 작은 구멍이라도 좋다. 흡착 패드(104)에는, 예를 들어 합성 고무로 이루어지는 띠 형상의 진공관(114)이 접속되어 있다. 이들 진공관(114)의 관로(116)는 패드 흡착 제어부(115)(도 13)의 진공원에 각각 통하고 있다.
보유 지지부(102)에 있어서는, 도 4에 도시하는 바와 같이, 한쪽측 일렬의 진공 흡착 패드(104) 및 패드 지지부(106)가 1세트마다 분리되어 있는 분리형 또는 완전 독립형의 구성이 바람직하다.
그러나, 도 11에 도시하는 바와 같이, 절결부(118)를 형성한 1매의 판 스프링으로 한쪽측 일렬분의 패드 지지부(120)를 형성하고 그 위에 한쪽측 일렬의 진공 흡착 패드(104)를 배치하는 일체형의 구성도 가능하다.
상기와 같이, 스테이지(76)의 상면에 형성된 다수의 분출구(88) 및 그들에 부상력 발생용의 압축 공기를 공급하는 압축 공기 공급 기구(122)(도 12), 또는 스테이지(76)의 도포 영역(M3) 내에 분출구(88)와 혼재하여 형성된 다수의 흡인구(90) 및 그들에 진공의 압력을 공급하는 진공 공급 기구(124)(도 12)에 의해 반입 영역(M1)이나 반출 영역(M5)에서는 기판(G)을 반출입이나 고속 반송에 적합한 부상량으로 띄우고, 도포 영역(M3)에서는 기판(G)을 안정적이고 또한 정확한 레지스트 도포 주사에 적합한 설정 부상량으로 띄우기 위한 스테이지 기판 부상부(145)(도 13)가 구성되어 있다.
도 12에 노즐 승강 기구(75), 압축 공기 공급 기구(122) 및 진공 공급 기구(124)의 구성을 도시한다. 노즐 승강 기구(75)는 도포 영역(M3) 상을 반송 방향(X방향)과 직교하는 수평 방향(Y방향)에 걸쳐지도록 가설된 문형 프레임(130)과, 이 문형 프레임(130)에 장착된 좌우 한 쌍의 연직 운동 기구(132L, 132R)와, 이들의 연직 운동 기구(132L, 132R)의 사이에 걸쳐지는 이동체(승강체)의 노즐 지지체(134)를 갖는다. 각 연직 운동 기구(132L, 132R)의 구동부는, 예를 들어 펄스 모터로 이루어지는 전동 모터(138L, 138R), 볼 나사(140L, 140R) 및 가이드 부재(142L, 142R)를 갖고 있다. 펄스 모터(138L, 138R)의 회전력이 볼 나사 기구[(140L, 142L), (140R, 142R)]에 의해 연직 방향의 직선 운동으로 변환되고, 승강체의 노즐 지지체(134)와 일체로 레지스트 노즐(78)이 연직 방향으로 승강 이동 한다.
펄스 모터(138L, 138R)의 회전량 및 회전 정지 위치에 의해 레지스트 노즐(78)의 좌우 양측의 승강 이동량 및 높이 위치를 임의로 제어할 수 있도록 되어 있다. 노즐 지지체(134)는, 예를 들어 각기둥의 강성체로 이루어지고, 그 하면 또는 측면에 레지스트 노즐(78)을 플랜지, 볼트 등을 통해 착탈 가능하게 장착하고 있다.
압축 공기 공급 기구(122)는 스테이지(76) 상면에서 분할된 복수의 영역별로 스테이지 내의 압축 공기 공급로(89)(도 7A)를 통해 분출구(88)에 접속된 정압 매니폴드(144)와, 그들 정압 매니폴드(144)에 예를 들어 공장용력의 압축 공기 공급원(146)으로부터의 압축 공기를 송입하는 압축 공기 공급관(148)과, 이 압축 공기 공급관(148)의 도중에 설치되는 예를 들어 전공(電空) 레귤레이터로 이루어지는 비례 제어 밸브(150)와, 이 비례 제어 밸브(150)의 밸브 개방도를 제어하기 위한 밸브 컨트롤러(152)를 갖고 있다. 또한, 비례 제어 밸브(150)의 2차측에서 압축 공기 공급관(148)에, 예를 들어 게이지 압력계로 이루어지는 압력 센서(154)를 장착하고 있고, 밸브 컨트롤러(152)가 센서 출력 신호(압력 검출 신호)(sa)를 입력하고, 메인 컨트롤러(170)(도 13)로부터 부여되는 소정의 기준값에 압력 검출 신호(sa)가 일치하도록 비례 제어 밸브(150)의 밸브 개방도를 가변 제어하도록 되어 있다.
진공 공급 기구(124)는 스테이지(76) 상면에서 분할된 복수의 영역별로 스테이지 내의 진공 공급로(91)(도 7B)를 통해 흡인구(90)에 접속된 부압 매니폴 드(156)와, 그들 부압 매니폴드(156)에 예를 들어 공장용력의 진공원(158)로부터의 진공을 부여하는 진공관(160)과, 이 진공관(160)의 도중에 설치되는 블로워 팬(162)과, 이 블로워 팬(162)을 인버터(164)를 통해 구동 제어하기 위한 블로워 컨트롤러(166)를 갖고 있다. 또한, 블로워 팬(162)의 2차측에서 진공관(160)에 압력 센서(168)를 장착하고 있고, 블로워 컨트롤러(166)가 센서 출력 신호(압력 검출 신호)(sb)를 입력하고, 메인 컨트롤러(170)로부터 부여되는 소정의 기준값에 압력 검출 신호(sb)가 일치하도록 블로워 팬(162)의 회전량을 가변 제어하도록 되어 있다.
도 13에, 본 실시 형태의 레지스트 도포 유닛(CT)(40)에 있어서의 제어계의 주요한 구성을 도시한다. 메인 컨트롤러(170)는 마이크로 컴퓨터로 이루어지고, 유닛 내의 각 부, 특히 레지스트액 공급 기구(95), 노즐 승강 기구(75), 스테이지 기판 부상부(145), 기판 반송부(84)[반송 구동부(100), 패드 흡착 제어부(115), 패드 액추에이터(109)], 반입용 리프트 핀 승강부(85), 반출용 리프트 핀 승강부(91) 등의 개개의 동작과 전체의 동작(시퀸스)을 제어한다.
다음에, 레지스트 도포 유닛(CT)(40)에 있어서의 도포 처리 동작을 설명한다. 메인 컨트롤러(170)는, 예를 들어 광 디스크 등의 기억 매체에 저장되어 있는 도포 처리 프로그램을 주 메모리에 취입하여 실행하고, 프로그램된 일련의 도포 처리 동작을 제어한다.
반송 장치(54)(도 1)로부터 미처리의 새로운 기판(G)이 스테이지(76)의 반입 영역(M1)으로 반입되면, 리프트 핀(86)이 진행 이동 위치에서 상기 기판(G)을 수취한다. 반송 장치(54)가 퇴출한 후, 리프트 핀(86)이 하강하여 기판(G)을 반송용의 높이 위치, 즉 부상 위치(Ha)(도 5)까지 내린다. 계속해서, 얼라인먼트부(도시하지 않음)가 작동하고, 부상 상태의 기판(G)에 사방으로부터 압박 부재(도시하지 않음)를 압박하여, 기판(G)을 스테이지(76) 상에서 위치 맞춤한다. 얼라인먼트 동작이 완료되면, 그 직후에 기판 반송부(84)에 있어서 패드 액추에이터(109)가 작동하고, 흡착 패드(104)를 원위치(퇴피 위치)로부터 진행 이동 위치(결합 위치)로 상승(UP)시킨다. 흡착 패드(104)는, 그 이전부터 진공이 온(ON)되어 있어, 부상 상태의 기판(G)의 측모서리부에 접촉하거나 접촉하지 않거나 진공 흡착력으로 결합된다. 흡착 패드(104)가 기판(G)의 측모서리부에 결합한 직후에, 얼라인먼트부는 압박 부재를 소정 위치로 퇴피시킨다.
다음에, 기판 반송부(84)는 보유 지지부(102)에서 기판(G)의 측모서리부를 보유 지지한 상태에서 슬라이더(98)를 반송 시점 위치로부터 반송 방향(X방향)으로 비교적 고속의 일정 속도로 직진 이동시킨다. 이와 같이 하여 기판(G)이 스테이지(76) 상을 뜬 상태에서 반송 방향(X방향)으로 직진 이동하고, 기판(G)의 전단부가 도포 영역(M3) 내의 설정 위치 또는 도포 주사 개시 위치에 도착한 시점에서 기판 반송부(84)가 제1 단계의 기판 반송을 정지한다.
상기와 같이 기판(G)이 도포 영역(M3) 내의 설정 위치, 즉 도포 주사 개시 위치에 도착하여 정지하면, 메인 컨트롤러(170)의 제어하에서 노즐 승강 기구(75) 가 작동하여, 레지스트 노즐(78)을 도포 처리용의 소정의 높이 위치까지 수직 하방으로 내리고, 노즐 토출구(78a)와 기판(G)과의 사이에 도포 갭을 형성한다. 계속해서, 레지스트액 공급 기구(95)(도 13)가 레지스트액(R)의 토출을 개시하는 동시에 기판 반송부(84)도 제2 단계의 기판 반송을 개시한다. 이 제2 단계, 즉 도포시의 기판 반송에는 비교적 저속의 반송 속도(VS)가 선택된다.
이와 같이 하여, 도포 영역(M3) 내에 있어서 기판(G)이 수평 자세에서 반송 방향(X방향)으로 소정의 속도(VS)로 이동하는 것과 동시에, 장척형의 레지스트 노즐(78)이 바로 아래의 기판(G)을 향해 레지스트액(R)을 띠 형상으로 토출함으로써, 도 14 및 도 15에 도시하는 바와 같이 기판(G)의 전단부로부터 후단부를 향해 레지스트액의 도포막(RM)이 형성되어 간다. 도 15에 있어서, 일점 쇄선(K)은 기판(G) 상의 제품 영역(내측 영역)과 비제품 영역(외측 또는 주연 영역)을 구분하는 경계선이다.
도포 영역(M3)에서 상기와 같은 도포 주사가 완료되기 직전에, 즉 도 16에 도시하는 바와 같이 기판(G)의 후단부가 레지스트 노즐(78)의 바로 아래를 지난 시점에서, 레지스트액 공급 기구(95)가 레지스트 노즐(78)로부터의 레지스트스액(R)의 토출을 종료시킨다.
이와 동시에, 노즐 승강 기구(75)가 레지스트 노즐(78)을 수직 상방으로 들어 올려 기판(G)으로부터 퇴피시킨다. 한편, 기판 반송부(84)는 반송 속도가 비교 적 고속인 제3 단계의 기판 반송으로 절환한다. 그리고 기판(G)이 반출 영역(M5) 내의 반송 종점 위치에 도착하면, 기판 반송부(84)는 제3 단계의 기판 반송을 정지한다. 이 직후에, 패드 흡착 제어부(115)가 흡착 패드(104)에 대한 진공의 공급을 멈추고, 이와 동시에 패드 액추에이터(109)가 흡착 패드(104)를 진행 이동 위치(결합 위치)로부터 원위치(퇴피 위치)로 내리고, 기판(G)의 양측 단부로부터 흡착 패드(104)를 분리시킨다. 이때, 패드 흡착 제어부(115)는 흡착 패드(104)에 정압(압축 공기)을 공급하여 기판(G)으로부터의 분리를 빠르게 한다. 대신에, 리프트 핀(92)이 기판(G)을 언로딩하기 위해 스테이지 하방의 원위치로부터 스테이지 상방의 진행 이동 위치로 상승한다.
그런 후에, 반출 영역(M5)에 반출기, 즉 반송 아암(74)이 액세스하여, 리프트 핀(92)으로부터 기판(G)을 수취하여 스테이지(76)의 밖으로 반출한다. 기판 반송부(84)는 기판(G)을 리프트 핀(92)에 전달하였으면 즉시 반입 영역(M1)으로 고속도로 되돌아간다. 반출 영역(M5)에서 상기와 같이 처리된 기판(G)이 반출될 때에, 반입 영역(M1)에서는 다음에 도포 처리를 받을 새로운 기판(G)에 대해 반입, 얼라인먼트 내지 반송 개시가 행해진다.
이하, 도 17 내지 도 33에 대해 본 실시 형태의 레지스트 도포 유닛(CT)(40)에 있어서의 특징 부분을 상세하게 설명한다.
상술한 바와 같이, 이 레지스트 도포 유닛(CT)(40)은 스테이지(76)의 도포 영역(M3)에 분출구(88)와 흡인구(90)를 소정의 배열 패턴으로 혼재시켜 배치하는 동시에, 각각의 분출구(88), 흡인구(90)로부터 반송 방향(X방향)과 평행하게 연장되는 긴 홈(88m, 90m)을 도 6에 도시하는 바와 같은 소정의 레이아웃으로 설치하는 구성을 주된 특징으로 하고 있다. 이들 긴 홈(88m, 90m)의 작용의 설명 및 이해를 용이하게 하기 위해, 우선 비교예로서 도 17 내지 도 23, 도 30A에 대해 종래 구성의 작용, 즉 분출구(88), 흡인구(90)에 긴 홈(88m, 90m)을 부설하지 않는 경우의 작용을 설명한다.
도 17에 도시하는 바와 같이, 기판(G)이 반송 방향(X방향)으로 소정의 속도(VS)로 이동하여 도포 영역(M3)을 통과할 때, 기판(G)의 전단부는 각 열(‥ Ri-1, Ri, Ri+1, ‥)의 분출구(88)/흡인구(90)에 일정한 주기로 순차 덮여져 간다. 여기서, 분출구(88) 및 흡인구(90)는 반송 방향(X방향) 및 그와 직교하는 수평 방향(Y방향)으로 매트릭스 형상 또는 격자 형상으로 배치되어 있는 것으로 한다.
긴 홈(88m, 90m)을 부설하고 있지 않은 각 분출구(88)/흡인구(90)에 있어서는, 도 18에 도시하는 바와 같이 기판(G)의 전단부가 당해 분출구(88)/흡인구(90)를 거의 완전히 폐색한 순간에, 워터 해머와 유사한 공격 작용에 의해 토출 압력(흡기 압력)이 급격하게 변동되어 기판 전단부가 상하(Z방향)로 진동한다. 이와 같이 하여, 도 19에 도시하는 바와 같이 기판(G)의 전단부가 각 열(‥ Ri-1, Ri, Ri+1, ‥)의 분출구(88)/흡인구(90)를 가로지를 때마다 주기적으로 기판 전단부가 상하로 진동한다.
도 20에, 기판(G)의 전단부가 레지스트 노즐(78) 바로 아래의 기준 위치(XS)로부터 반송 방향(X방향)의 하류측으로 이동할 때의 노즐(78) 바로 아래에 있어서의 기판(G)의 부상 높이의 변화를 나타낸다.
도시한 바와 같이, 기준 위치(XS)보다 하류측에서 기판(G)의 전단부가 각 열(‥ Ri-1, Ri, Ri+1, ‥)의 분출구(88)/흡인구(90)를 통과할 때마다 레지스트 노즐(78) 바로 아래에 있어서의 기판(G)의 부상 높이가 크게 변동(진동)하면서 스텝 다운 또는 드롭되어, 이것이 줄무늬 형상 불균일의 원인이 된다. 또한, 도 20의 횡축(기판 전단부의 이동 위치)은 시간축에 대응하고 있다.
여기서, 기판(G)의 부상 높이가 드롭되는 것은, 기판(G)의 전단부가 각 열(‥ Ri-1, Ri, Ri+1, ‥)의 분출구(88)/흡인구(90)를 폐색함으로써, 반입 영역(M1) 내지 도포 영역(M3)에 있어서 기판(G)에 대향(작용)하는 흡인구(90)로부터의 토탈의 흡인력이 한층 증대되는 것과 동시에, 기판(G)에 대향(작용)하는 분출구(90)로부터의 토탈의 양력(揚力)이 한층 감소하기 때문이다. 단, 도포 영역(M3)이 기판(G)에 의해 덮이는 면적이 일정값을 초과하면 그러한 흡인력 증대와 양력 감소가 없어져, 기판(G)의 부상 높이는 일정값(최소값)으로 안정된다.
또한, 기판(G)의 부상 높이가 크게 변동(진동)하는 것은, 상술한 바와 같이 기판(G)의 전단부가 각 열(‥ Ri-1, Ri, Ri+1, ‥)의 분출구(88)/흡인구(90)를 폐색할 때의 공격 작용에 의해 상하로 진동하기 때문이다. 단, 기판 전단부의 진동은 기판 중심부를 향해 지수 함수적으로 감쇠하므로, 기판(G)의 전단부가 기준 위치(XS)로부터 소정 거리 이상 진행한 후에는 레지스트 노즐(78) 바로 아래에 있어서의 기판(G)의 부상 높이에 실질적인 진동은 보이지 않게 된다.
이와 같이, 도포 영역(M3) 내의 분출구(88) 및 흡인구(90)에 긴 홈(88m, 90m)을 부설하고 있지 않은 스테이지 구조에 있어서는, 기판(G)의 전단부가 레지스트 노즐(78)의 바로 아래를 통과할 때 및 그 직후에 레지스트 노즐(78) 바로 아래에 있어서의 기판(G)의 부상 높이가 크게 변동(진동)하면서 드롭되고, 이에 의해 도 30A에 도시하는 바와 같이 기판(G)의 전단부에 줄무늬 형상의 도포 불균일(M)이 현저하게 발생한다.
또한, 도 30A에 도시하는 바와 같이, 기판(G)의 후단부에도 동일한 줄무늬 형상 도포 불균일(M)이 현저하게 나타난다. 이것은 기판(G)의 후단부가 레지스트 노즐(78) 바로 아래의 기준 위치(XS)에 일정 거리 내에 근접해 오면, 도 21 및 도 22에 도시하는 바와 같이 기판(G)의 후단부가 각 열(‥ Ri-1, Ri, Ri+1, ‥)의 분출구(88)/흡인구(90)를 대기에 개방하기 시작하는 순간에 역시 공격 작용에 의해 토출 압력(흡기 압력)이 급격하게 변동하여, 기판 후단부가 상하로 진동하기 때문이다. 그리고 도 23에 도시하는 바와 같이, 기준 위치(XS)보다 상류측에서 기판(G)의 후단부가 각 열(‥ Ri-1, Ri, Ri+1, ‥)의 분출구(88)/흡인구(90)를 통과할 때마다 레 지스트 노즐(78) 바로 아래에 있어서의 기판(G)의 부상 높이가 크게 변동(진동)하면서 스텝 업하고, 이것이 줄무늬 형상 도포 불균일의 원인이 된다. 또한, 기판(G)의 부상 높이가 스텝 업하는 것은, 기판(G)의 후단부가 각 열(‥ Ri-1, Ri, Ri+1, ‥)의 분출구(88)/흡인구(90)를 대기에 개방함으로써, 도포 영역(M3) 내지 반출 영역(M5)에 있어서 기판(G)에 대향(작용)하는 흡인구(90)로부터의 토탈의 흡인력이 한층 감소하는 것과 동시에, 기판(G)에 대향(작용)하는 분출구(90)로부터의 토탈의 양력이 한층 증대하기 때문이다.
다음에, 도 24 내지 도 27, 도 30B에 대해, 스테이지(78)의 도포 영역(M3)에 있어서 분출구(88), 흡인구(90)에 긴 홈(88m, 90m)을 부설함으로써 발휘되는 본 발명의 제1 단계의 작용을 설명한다.
도 24 및 도 25에 도시하는 바와 같이, 기판(G)이 반송 방향(X방향)으로 소정의 속도(VS)로 이동하여 도포 영역(M3)을 통과할 때, 기판(G)의 전단부는 각 열(‥ Ri-1, Ri, Ri+1, ‥)의 분출구(88)/흡인구(90)에 일정한 주기로 순차 덮여져 가는 것은 상기한 비교예와 동일하지만, 각 분출구(88)/흡인구(90)에 긴 홈(88m/90m)[특히, 반송 방향을 따르는 방향으로 연장되는 긴 홈(88m/90m)]이 부설되어 있다. 이로 인해, 기판(G)의 전단부가 각 분출구(88)/흡인구(90)를 폐색한 순간에도, 당해 분출구(88)/흡인구(90)에 연속되어 있는 긴 홈(88m/90m)이 대기에 개방되어 있으므로, 당해 분출구(88)/흡인구(90)로부터 기판(G)의 전단부에 부여되는 공격 작용이 상당히 약화된다. 이에 의해, 도 26에 도시하는 바와 같이, 기판(G)의 전단부가 각 열(‥ Ri-1, Ri, Ri+1, ‥)의 분출구(88)/흡인구(90)를 가로지를 때의 진동이 효과적으로 저감 또는 억제된다.
이와 같이 하여, 도 27에 도시하는 바와 같이, 기판(G)의 전단부가 레지스트 노즐(78) 바로 아래의 바로 하류측에서 각 열(‥ Ri-1, Ri, Ri+1, ‥)의 분출구(88)/흡인구(910)를 통과할 때마다 레지스트 노즐(78) 바로 아래에 있어서의 기판(G)의 부상 높이는 감소(하강)하지만, 상기 비교예와 같은 급격한 변동 또는 진동이 없고, 또한 완만하게 스텝 다운한다.
또한, 도시 생략하지만, 기판 후단부가 각 열(‥ Ri-1, Ri, Ri+1, ‥)의 각 분출구(88)/흡인구(90)를 대기에 개방하는 순간에 받는 공격 작용도, 당해 분출구(88)/흡인구(90)에 연속되어 있는 긴 홈(88m/90m)[특히, 기판 후단부의 밖으로 비어져 나와 있는 긴 홈(88m/90m)]에 의해 약화되므로, 상하 진동이 현저하게 저감 또는 억제된다. 이에 의해, 기판(G)의 후단부가 레지스트 노즐(78) 바로 아래의 바로 상류측에서 각 열(‥ Ri-1, Ri, Ri+1 ‥)의 분출구(88)/흡인구(90)를 통과할 때마다 레지스트 노즐(78) 바로 아래에 있어서의 기판(G)의 부상 높이는 증대(상승)하지만, 상기 비교예와 같은 급격한 변동 또는 진동이 없고, 또한 완만하게 스텝 업한다.
이와 같이 하여, 기판(G) 상에 형성되는 레지스트 도포막(RM)에 대해 보면, 기판(G)의 전단부와 후단부에 줄무늬 형상의 도포 불균일이 발생해도, 도 30B에 점 선 M'로 나타내는 바와 같이 희미하게(얇게) 나타나는 정도이며, 막 두께 품질은 상당히 개선된다.
다음에, 도 28, 도 29, 도 30C에 대해, 스테이지(78)의 도포 영역(M3)에 있어서 분출구(88), 흡인구(90)의 배열 패턴 및 긴 홈(88m, 90m)의 레이아웃을 실시 형태와 같이 구성함으로써 발휘되는 본 발명의 제2 단계의 작용을 설명한다.
도 28에 도 6의 주요부를 확대하여 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에서는 X방향의 일직선 상에 일정 간격 3D를 두고 분출구(88)만을 다수개 배치하는 분출 라인(C1, C3, C5, ‥)이 Y방향으로 일정한 피치 2W로 복수개 배열되고, X방향의 일직선 상에 일정 간격 3D를 두고 흡인구(90)만을 다수개 배치하는 흡인 라인(C2, C4, C6, ‥)이 Y방향으로 분출구 라인(C1, C3, C5, ‥)으로부터 일정 거리 W만큼 오프셋되고, 또한 일정한 피치 2W로 복수개 배열되어 있다.
즉, X방향으로 연장되는 복수개의 분출 라인(C1, C3, C5, ‥)과 X방향으로 연장되는 복수개의 흡인 라인(C2, C4, C6, ‥)이 Y방향으로 일정한 피치 W로 교대로 배열되고, 각 분출 라인(C2n-1) 상에 분출구(88)가 일정 간격 3D를 두고 배치되는 동시에, 각 흡인 라인(C2n) 상에 흡인구(90)가 일정 간격 3D를 두고 배치되고, 서로 인접하는 분출 라인(C2n-1)과 흡인 라인(C2n)의 사이에서는 분출구(88)와 흡인구(90)가 X방향으로 일정 거리 D만큼 오프셋되어 있다.
X방향의 배열 패턴으로 보면, 예를 들어 R1열에서는 분출 라인(C1)의 분출구(88), 흡인 라인(C4)의 흡인구(88), 분출 라인(C7)의 분출구(88), 흡인 라인(C10)의 흡인구(90), ‥ 가 일정 피치 3W로 Y방향의 일직선 상에 배치된다. 다음 인접한 R2열에서는, 흡인 라인(C2)의 흡인구(90), 분출 라인(C5)의 분출구(88), 흡인 라인(C8)의 흡인구(90), 분출 라인(C11)의 분출구(88), ‥가 일정 피치 3W로 Y방향의 일직선 상에 배치된다.
그리고 각 분출구(88)에 부설되는 긴 홈(88m)은, 그것과 가장 가까운 거리에서 인접하는 흡인구(90)를 X방향에 있어서 지나가는 위치(Y방향에서 오버랩되는 위치)까지 연장되어 있다. 또한, 각 흡인구(90)에 부설되는 긴 홈(90m)은 그와 가장 가까운 거리에서 인접하는 분출구(88)를 X방향에 있어서 지나가는 위치(Y방향에서 오버랩되는 위치)까지 연장되어 있다.
이러한 분출구(88), 흡인구(90)의 배열 패턴 및 긴 홈(88m, 90m)의 레이아웃에 따르면, 기판(G)의 전단부가 각 열(‥ R1, R2, ‥)의 각 분출구(88)/흡인구(90)를 거의 완전히 폐색한 순간의 공격 작용이, 당해 분출구(88)/흡인구(90)에 연속되는 긴 홈(88m/90m)[특히, 기판(G)의 전단부의 밖으로 비어져 나와 있는 긴 홈(88m/90m)]에 의해 약화될 뿐만 아니라, Y방향의 양측 또는 한쪽측에 인접하는 긴 홈(90m/88m)으로부터의 역압력에 의해서도 약화된다. 즉, 각 분출구(88)의 Y방향 양측 또는 한쪽측에는 당해 분출구(88)에 근접하는 흡인구(90)로부터의 긴 홈(90m)이 X방향으로 연장되어 있으므로, 당해 분출구(88)에 있어서의 정압의 공격 작용은 그 인접하는 긴 홈(90m)으로부터의 부압(흡인)에 의해 완화된다. 또한, 각 흡인구(90)의 Y방향 양측 또는 한쪽측에는 당해 흡인구(90)에 근접하는 분출구(88)로부터의 긴 홈(88m)이 X방향으로 연장되어 있으므로, 당해 흡인구(90)에 있어서의 부압의 공격 작용은 그 인접하는 긴 홈(88m)으로부터의 정압에 의해 완화된다.
또한, 본 실시 형태의 배열 패턴에 따르면, Y방향의 동일 직선 상에 배치되는 분출구(88)/흡인구(90)의 개수(NA)가 X방향으로부터 보아 Y방향으로 일렬로 배열되는 분출구(88)/흡인구(90)의 개수(NS)보다도 적고, 예를 들어 도 28의 예에서는 NA/NS = 1/3(4개/12개)이다. 이 점, X방향 및 Y방향으로 분출구(88), 흡인구(90)를 매트릭스 형상 또는 격자 형상으로 배치하는 배열 패턴(도 17, 도 24)에 있어서는, Y방향의 동일 직선 상에 배치되는 분출구(88)/흡인구(90)의 개수(NA)(4개)가 X방향으로부터 보아 Y방향으로 일렬로 배열되는 분출구(88)/흡인구(90)의 개수(NS)(4개)와 동일하다.
이와 같이, 본 실시 형태에서는 기판(G)이 반송 방향(X방향)으로 이동할 때에, 기판 전단부가 동시에 폐색되는 분출구(88)/흡인구(90)의 개수, 혹은 기판 후단부가 동시에 대기에 개방되는 분출구(88)/흡인구(90)의 개수의 비율(NA/NS)을 적게 하고 있으므로, 이 점도 기판(G)이 복수의 분출구(88)/흡인구(90)로부터 동시에 받는 공격 작용의 억제에 기여하고 있다. 또한, 효과의 면에서 NA/NS의 값은 1/2 이하가 바람직하고, 실시 형태와 같이 1/3 이하가 보다 바람직하다.
이와 같이 하여, 본 실시 형태에 있어서는, 기판(G)의 전단부가 레지스트 노즐(78) 바로 아래를 통과한 직후의 레지스트 노즐(78) 바로 아래에 있어서의 기판(G)의 부상 높이는, 도 29에 나타내는 바와 같이 스텝 다운이 없는 완만한 곡선(파형)으로 안정값(최소값)(Hb)으로 안정된다. 이것에 의해, 기판(G) 상에 형성되는 레지스트 도포막(RM)에는[특히 기판(G)의 전단부와 후단부에는], 도 30C에 도시하는 바와 같이 줄무늬 형상의 도포 불균일이 거의 나오지 않게 되어 막 두께 품질은 현저하게 개선된다.
상기와 같이, 기판(G)의 전단부가 레지스트 노즐(78) 바로 아래를 통과한 직후, 기판(G)의 후단부가 레지스트 노즐(78) 바로 아래에 이르기 직전, 레지스트 노즐(78) 바로 아래에 있어서의 기판(G)의 부상 높이가 변동(감소·증대)한다. 이 기판 부상량의 변동은, 레지스트 노즐(78)의 토출구(78a)와 기판(G)과의 사이의 갭(SA)을 변동시켜, 기판(G) 상의 레지스트 도포막의 막 두께에 영향을 미친다. 그러나 기판 양단부의 막 두께 변동이며, 기판 외측 모서리의 비제품 영역이 이 막 두께 변동의 대부분을 흡수하기 때문에, 본 실시 형태에 있어서는 상기와 같은 분출구(88), 흡인구(90)의 배열 패턴 및 긴 홈(88m, 90m)의 레이아웃에 의해 제품 영역 내의 막 두께 변동을 무시할 수 있는 정도까지 억제할 수 있다.
단, 본 실시 형태에서는 스테이지 기판 부상부(145)의 압축 공기 공급 기구(122)(도 12) 및 진공 공급 기구(124)(도 12)가 압력 가변 제어 기능을 갖추고 있으므로, 그들의 기능을 이용하여 레지스트 노즐(78)의 토출구(78a)와 기판(G) 사이의 갭을 도포 개시시로부터 설정값(SA)으로 유지하도록 레지스트 노즐(78) 바로 아래에 있어서의 기판(G)의 부상 높이에 보정을 가할 수 있다.
예를 들어, 도 31의 압력 제어 파형으로 나타내는 바와 같이, 압축 공기 공급 기구(122)가 분출구(88)에 공급하는 정압의 압력(에어 토출 압력)을 시종 일정값(PA)으로 제어하면서, 진공 공급 기구(124)가 흡인구(90)에 공급하는 부압의 압력(에어 흡인 압력)을 기판(G)의 이동 위치에 따라서 가변 제어한다. 보다 상세하게는, 기판(G)의 전단부가 레지스트 노즐(78) 바로 아래의 기준 위치(XS)에 도착할 때까지는, 에어 흡인 압력을 도포 처리용의 제1 설정 압력(-PV)보다도 소정값만큼 절대값이 큰 제2 설정 압력(-PV')으로 유지해 둔다. 그리고 기판(G)의 전단부가 기준 위치(XS)의 전방(하류측)으로 이동하기 시작하면, 이 시점(ta)에서 에어 흡인 압력을 제2 설정 압력(-PV')으로부터 제1 설정 압력(-PV)까지 소정의 파형, 즉 레지스트 노즐(78) 바로 아래에 있어서의 기판(G)의 부상 높이의 변동 파형을 캔슬 파형으로 올린다. 그리고 기판(G)의 후단부가 기준 위치(XS)의 상류측의 소정 위치까지 근접해 오면, 이 시점(tb)에서 에어 흡인 압력을 제1 설정 압력(-PV)으로부터 제2 설정 압력(-PV')까지 소정의 파형, 즉 레지스트 노즐(78) 바로 아래에 있어서의 기판(G)의 부상 높이의 변동 파형을 캔슬하는 파형으로 내린다.
혹은, 진공 공급 기구(124)가 흡인 압력을 시종 일정값(-PV)으로 제어하면서, 압축 공기 공급 기구(122)가 토출 압력을 기판(G)의 이동 위치에 따라서 가변 제어하는 방법이나, 압축 공기 공급 기구(122)와 진공 공급 기구(124)가 연동하여 에어 토출 압력 및 에어 흡인 압력을 동시에 가변 제어하는 방법 등도 가능하다.
별도의 보상 방법으로서, 레지스트 노즐(78) 바로 아래에 있어서의 기판(G)의 부상 높이에 보정을 가하는 대신에, 레지스트 노즐(78)의 토출구(78a)와 기판(G)과의 사이의 갭을 도포 개시시로부터 설정값(SA)으로 유지하도록 노즐 승강 기구(75)를 통해 레지스트 노즐(78)의 높이 위치를 가변 제어하는 것도 가능하다. 즉, 도 32의 노즐 높이 제어 파형 및 도 33의 개략 측면도에 나타내는 바와 같이, 도포 처리의 개시 전에 레지스트 노즐(78)을 대기용의 상방 위치로부터 수직 하방으로 내릴 때에, 기준 위치(XS)에 있어서의 기판(G)의 부상 높이를 예상하여, 노즐 토출구(78a)의 높이 위치를 도포 처리용의 제1 설정값(Hb)보다도 소정값만큼 높은 제2 설정값(Hb')에 맞춘다. 또한, 도포 처리의 개시(ta) 직후는, 기판(G)의 부상 높이가 내려가는 것을 상쇄 또는 보상하도록 레지스트 노즐(78)의 높이 위치를 소정의 파형으로 제1 설정값(Hb)까지 내린다. 그리고 도포 처리의 종반에서, 소정의 시점(tb)으로부터 기판(G)의 부상 높이가 올라가는 데 맞추어 레지스트 노즐(78)의 높이 위치를 소정의 파형으로 제2 설정값(Hb')까지 올린다.
또한, 상술한 바와 같은 압축 공기 공급 기구(122) 및/또는 진공 공급 기 구(124)에 의해 레지스트 노즐(78) 바로 아래에 있어서의 기판(G)의 부상 높이에 보정을 가하는 방법이나, 레지스트 노즐(78) 바로 아래에 있어서의 기판(G)의 부상 높이의 변동을 보상하도록 노즐 승강 기구(75)에 의해 레지스트 노즐(78)의 높이 위치를 가변 제어하는 방법은, 본 발명의 제1 단계의 구성(도 24)이나 종래 기술의 구성(도 17)에도 적용할 수 있다.
이상 본 발명의 적합한 실시 형태에 대해 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 그 기술 사상의 범위 내에서 다양한 변형이 가능하다. 특히, 스테이지(76)의 도포 영역(M3)에 있어서의 분출구(88), 흡인구(90)의 배열 패턴 및 긴 홈(88m, 90m)의 레이아웃에 대해서는, 다양한 변형이 가능하다.
예를 들어, 상기 실시 형태에서는 분출 라인(‥ C1, C3, C5, ‥)과 흡인 라인(‥ C2, C4, C6, ‥)을 반송 방향 (X)방향과 평행하게 배치하였다(도 6, 도 28). 그러나 도 34에 도시하는 바와 같이, 반송 방향 (X)방향에 대해 예각의 각도(θ)로 비스듬히 경사진 방향(F)으로 분출 라인(‥ C1, C3, C5, ‥)과 흡인 라인(‥ C2, C4, C6, ‥)을 교대로 배치해도 좋다.
이러한 경사 배치 패턴에 따르면, 분출구(88)/흡인구(90)의 밀도를 증대시키지 않고, X방향으로부터 보아 Y방향으로 일렬로 배열되는 분출구(88)/흡인구(90)의 개수(NS)에 대한 Y방향의 동일 직선 상에 배치되는 분출구(88)/흡인구(90)의 개수(NA)의 비(NA/NS)를 각별히 작게 할 수 있어, 기판(G)의 전단부 및 후단부가 복수 의 분출구(88)/흡인구(90)로부터 동시에 받는 공격 작용을 한층 효과적으로 억제할 수 있다. 덧붙여, 기판(G)이 반송 방향(X방향)으로 이동할 때에 분출구(88) 및 흡인구(90)와 대향하는 시간의 비율을 기판 각 부(특히 Y방향의 각 부)에서 균일화하는 것도 가능하고, 이에 의해 기판(G) 상에 형성되는 레지스트 도포막(RM)에 분출구(88) 또는 흡인구(90)의 트레이스 또는 전사 흔적이 생기는 것을 방지할 수 있다고 하는 효과도 얻어진다.
도 35에 도시하는 바와 같이, 각 분출구(88)/흡인구(90)의 한쪽측에만 긴 홈(88m/90m)을 부설하는 구성도 가능하다. 이 경우, 레지스트 노즐 바로 아래의 기준 위치(XS)를 경계로 하여, 그것보다 상류측에서는 기판(G)의 후단부에 대한 공격 작용을 완화하기 위해 각 분출구(88)/흡인구(90)로부터 반송 방향(X방향)에 역행하는 방향으로 긴 홈(88m/90m)을 연장시키고, 기준 위치(XS)보다 하류측에서는 기판(G)의 전단부에 대한 공격 작용을 완화하기 위해 각 분출구(88)/흡인구(90)로부터 반송 방향(X방향)을 따르는 방향으로 긴 홈(88m/90m)을 연장시키는 구성으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 도 35에 도시하는 바와 같이, 반송 방향(X방향)에 대해 평행 또는 예각의 각도로 경사진 방향의 일직선 상에 분출구(88)와 흡인구(90)를 소정의 간격을 두고 1개씩(또는 복수개씩) 교대로 다수 배치하는 분출·흡인 라인(‥ Q1, Q3, Q5, ‥)을 평행하게 다수 배열하는 구성도 가능하다.
도시 생략하지만, 스테이지(76)의 도포 영역(M3)에 있어서, 긴 홈(88m, 90m) 을 부설한 분출구(88), 흡인구(90)와, 긴 홈(88m, 90m)을 부설하지 않는 분출구(88), 흡인구(90)를 혼재시키는 것도 가능하다. 예를 들어, 도포 영역(M3)의 양 사이드부에는 기판(G)의 양측 모서리부가 처지는 것을 방지하기 위해, 긴 홈(88m)을 부설하지 않는 분출 구멍(88)만을 비교적 높은 밀도로 반송 방향(X방향) 일렬 또는 복수열로 배치하는 구성도 가능하다.
또한, 도시 생략하지만 긴 홈(88m, 90m) 자체의 형상이나 구조도 다양하게 변형 가능하고, 예를 들어 긴 홈(88m, 90m)의 굵기(폭)가 길이 방향에서 변화하는 구성도 가능하다. 또한, 분출 라인 또는 흡인 라인 상에서 서로 인접하는 긴 홈의 선단부끼리를 연결하는 구성도 가능하다.
도 36은 각 분출구(88)/흡인구(90)에 고리 형상의 홈(88e/90e)을 부설하는 구성을 도시한다. 이러한 고리 형상의 홈(88e/90e)은 기판(G)의 부상 높이를 안정시키는 면에서, 상기 실시 형태에 있어서의 긴 홈(88m/90m) 정도의 작용 효과를 발휘할 수 없지만, 각 분출구(88)/흡인구(90)에 홈을 전혀 부설하지 않는 구성(도 17)에 비하면 일정한 개선을 도모할 수 있다.
본 발명에 있어서의 처리액으로서는, 레지스트액 이외에도, 예를 들어 층간 절연 재료, 유전체 재료, 배선 재료 등의 도포액도 가능하고, 현상액이나 린스액 등도 가능하다. 본 발명에 있어서의 피처리 기판은 LCD 기판에 한정되지 않고, 다른 플랫 패널 디스플레이용 기판, 반도체 웨이퍼, CD 기판, 포토마스크, 프린트 기판 등도 가능하다.

Claims (20)

  1. 기체를 분출하는 다수의 분출구와 기체를 흡입하는 다수의 흡인구가 혼재하여 설치된 제1 부상 영역을 갖는 스테이지와,
    피처리 기판을 상기 스테이지 상에서 띄운 상태로 소정의 반송 방향으로 상기 제1 부상 영역을 통과시키는 기판 반송부와,
    상기 제1 부상 영역의 상방에 배치되는 노즐을 갖고, 상기 기판 상에 처리액의 도포막을 형성하기 위해 상기 노즐로부터 상기 처리액을 토출시키는 처리액 공급부와,
    상기 분출구 또는 상기 흡인구의 상단부로부터 상기 반송 방향에 대해 평행 또는 예각의 각도로 경사진 제1 방향으로 연장되도록 상기 제1 부상 영역 내의 상기 스테이지 상면에 형성된 긴 홈을 갖는 도포 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 긴 홈이, 상기 제1 방향에 있어서 상기 분출구 또는 상기 흡인구의 상단부로부터 상기 반송 방향을 따르는 방향으로 연장되는 동시에 상기 반송 방향에 역행하는 방향으로 연장되는 도포 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 긴 홈이, 상기 반송 방향에 있어서 상기 노즐의 토출구보다도 상류측의 장소에서는 상기 분출구 또는 상기 흡인구의 상단부로부터 상기 반송 방향에 역행하는 방향으로 연장되고, 상기 노즐의 토출구보다도 하류측의 장 소에서는 상기 분출구 또는 상기 흡인구의 상단부로부터 상기 반송 방향을 따르는 방향으로 연장되는 도포 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 부상 영역 내의 모든 상기 분출구 및 상기 흡인구에 상기 긴 홈이 형성되어 있는 도포 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 긴 홈이, 당해 분출구 또는 흡인구와 근접하는 적어도 1개의 다른 분출구 또는 흡인구를 상기 제1 방향에 있어서 지나가는 위치까지 연장되는 도포 장치.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 긴 홈은, 상기 분출구 또는 상기 흡인구의 상단부로부터 홈 선단부를 향해 점차 얕아지는 도포 장치.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 방향의 일직선 상에 제1 간격을 두고 상기 분출구만을 다수개 배치하는 분출 라인이, 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 제1 간격을 두고 복수개 배열되고,
    상기 제1 방향의 일직선 상에 제2 간격을 두고 상기 흡인구만을 다수개 배치하는 흡인 라인이, 상기 제2 방향으로 상기 분출 라인으로부터 오프셋되고, 또한 제2 간격을 두고 복수개 배열되는 도포 장치.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 방향의 일직선 상에 제1 간격을 두고 상기 분출구와 상기 흡인구를 교대로 다수개 배치하는 분출·흡인 혼재 라인이, 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 제2 간격을 두고 복수개 배열되는 도포 장치.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스테이지 상에서 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장되는 임의의 직선 상에 위치하는 상기 분출구 및 상기 흡인구의 개수가, 상기 제1 방향으로부터 보아 그것과 직교하는 제2 방향으로 일렬로 배열되는 상기 분출구 및 상기 흡인구의 개수보다도 적은 도포 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 스테이지 상에서 상기 제2 방향으로 연장되는 임의의 직선 상에 위치하는 상기 분출구 및 상기 흡인구의 개수가, 상기 제1 방향으로부터 보아 상기 제2 방향으로 일렬로 배열되는 상기 분출구 및 상기 흡인구의 개수의 1/2 이하인 도포 장치.
  11. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 노즐의 토출구의 바로 아래에 있어서의 상기 기판의 부상 높이를 가변 제어하기 위해, 상기 분출구에 공급하는 기체의 압력 및 상기 흡인구에 공급하는 진공의 압력 중 적어도 한쪽을 제어하는 부상 압력 제어부를 갖는 도포 장치.
  12. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 직사각형이고,
    상기 기판 반송부는, 상기 기판의 한 쌍의 변이 반송 방향과 평행하고 다른 한 쌍의 변이 반송 방향과 직교하도록 하여 상기 기판을 상기 스테이지 상에서 반송하는 도포 장치.
  13. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 노즐을 연직 방향에서 승강 이동시키기 위한 노즐 승강부를 갖는 도포 장치.
  14. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스테이지가, 상기 반송 방향에 있어서 상기 제1 부상 영역의 상류측에 상기 기판을 띄우는 제2 부상 영역을 갖는 도포 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제2 부상 영역 내에, 상기 기판을 반입하기 위한 반입부가 설치되는 도포 장치.
  16. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스테이지가, 상기 반송 방향에 있어서 상기 제1 부상 영역의 하류측에 상기 기판을 띄우는 제3 부상 영역을 갖는 도포 장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제3 부상 영역 내에, 상기 기판을 반출하기 위한 반출부가 설치되는 도포 장치.
  18. 스테이지 상에 반송 방향을 따라, 피처리 기판보다도 사이즈가 큰 반입 영역 과, 상기 기판보다도 사이즈가 작은 도포 영역과, 상기 기판보다도 사이즈가 큰 반출 영역을 이 순서로 일렬로 설정하고, 상기 스테이지의 상면에 설치한 다수의 분출구로부터 분출되는 기체의 압력으로 상기 기판을 띄우고, 적어도 상기 도포 영역에서는 상기 스테이지의 상면에 상기 분출구와 혼재하는 다수의 흡인구를 설치하여, 상기 도포 영역을 통과하는 상기 기판에 대해 상기 분출구로부터 가해지는 수직 상향의 압력과 상기 흡인구로부터 가해지는 수직 하향의 압력과의 밸런스를 제어하여 상기 기판에 원하는 부상 압력을 부여하고, 상기 기판을 상기 반입 영역으로부터 상기 반출 영역까지 반송하는 도중에, 상기 도포 영역 내에서 상방에 배치한 노즐로부터 처리액을 토출시켜 상기 기판 상에 상기 처리액을 도포하는 도포 방법이며,
    상기 스테이지의 상면에, 상기 분출구 또는 상기 흡인구의 상단부로부터 상기 반송 방향에 대해 평행 또는 예각의 각도로 경사진 방향으로 연장되는 긴 홈이 형성되어 있는 도포 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 노즐의 토출구의 바로 아래 부근에 설정된 기준 위치에 상기 기판의 선단부가 도착하기 전인 제1 기간 중에는 상기 기판에 대한 부상 압력을 제1 설정 압력 부근에 유지하는 공정과,
    상기 기판의 선단부가 상기 기준 위치로부터 반송 방향의 하류측으로 제1 거리만큼 이동할 때까지인 제2 기간 중에는 상기 기판에 대한 부상 압력을 상기 제1 설정 압력으로부터 그보다도 높은 제2 설정 압력까지 소정의 파형으로 높이는 공정 과,
    상기 제2 기간의 종료시로부터 상기 기판의 후단부가 상기 기준 위치보다 제2 거리만큼 상류측의 위치를 통과할 때까지인 제3 기간 중에는 상기 기판에 대한 부상 압력을 상기 제2 설정 압력 부근으로 유지하는 공정과,
    상기 제3 기간의 종료시로부터 상기 기판의 후단부가 상기 기준 위치를 통과할 때까지인 제4 기간 중에는 상기 기판에 대한 부상 압력을 상기 제2 설정 압력 부근으로부터 그보다도 낮은 제3 설정 압력까지 소정의 파형으로 낮추는 공정을 갖는 도포 방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 노즐의 토출구의 바로 아래 부근에 설정된 기준 위치에 상기 기판의 선단부가 도착하기 전인 제1 기간 중에는 상기 스테이지에 대한 상기 노즐 토출구의 높이를 제1 레벨로 유지하는 공정과,
    상기 기판의 선단부가 상기 기준 위치로부터 제1 거리만큼 이동할 때까지인 제2 기간 중에는 상기 스테이지에 대한 상기 노즐 토출구의 높이를 상기 제1 레벨보다도 낮은 제2 레벨까지 소정의 파형으로 감소시키는 공정과,
    상기 제2 기간의 종료시로부터 상기 기판의 후단부가 상기 기준 위치보다 제2 거리만큼 앞의 위치를 통과할 때까지인 제3 기간 중에는 상기 스테이지에 대한 상기 노즐 토출구의 높이를 상기 제2 레벨 부근으로 유지하는 공정과,
    상기 제3 기간의 종료시로부터 상기 기판의 후단부가 상기 기준 위치를 통과할 때까지인 제4 기간 중에는 상기 스테이지에 대한 상기 노즐 토출구의 높이를 상 기 제2 레벨 부근으로부터 그보다도 높은 제3 레벨까지 소정의 파형으로 증대시키는 공정을 갖는 도포 방법.
KR1020097003957A 2006-07-27 2007-07-05 도포 방법 및 도포 장치 KR101023866B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2006-205053 2006-07-27
JP2006205053A JP4884871B2 (ja) 2006-07-27 2006-07-27 塗布方法及び塗布装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090035016A KR20090035016A (ko) 2009-04-08
KR101023866B1 true KR101023866B1 (ko) 2011-03-22

Family

ID=38981351

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097003957A KR101023866B1 (ko) 2006-07-27 2007-07-05 도포 방법 및 도포 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8307778B2 (ko)
JP (1) JP4884871B2 (ko)
KR (1) KR101023866B1 (ko)
CN (1) CN101495244B (ko)
TW (1) TWI349168B (ko)
WO (1) WO2008013035A1 (ko)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4884871B2 (ja) * 2006-07-27 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 塗布方法及び塗布装置
JP5443070B2 (ja) * 2009-06-19 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 インプリントシステム
JP5060517B2 (ja) * 2009-06-24 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 インプリントシステム
JP5621773B2 (ja) 2009-07-06 2014-11-12 日本電気株式会社 分類階層再作成システム、分類階層再作成方法及び分類階層再作成プログラム
KR101158267B1 (ko) * 2009-10-26 2012-06-19 주식회사 나래나노텍 기판 부상 유닛에 사용되는 부상 플레이트, 및 이를 구비한 기판 부상 유닛, 기판 이송 장치 및 코팅 장치
JP4896236B2 (ja) * 2010-01-21 2012-03-14 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板搬送方法
JP5063712B2 (ja) * 2010-01-26 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN102221784B (zh) * 2010-04-19 2013-07-24 北京京东方光电科技有限公司 胶涂覆设备及胶涂覆方法
KR101075630B1 (ko) * 2010-08-26 2011-10-21 삼성전기주식회사 인쇄 회로 기판 제조용 레지스트 도포 장치
JP5010019B2 (ja) * 2010-09-09 2012-08-29 東京エレクトロン株式会社 ステージ
KR101337368B1 (ko) * 2010-10-27 2013-12-05 엘지디스플레이 주식회사 코팅장치 및 이를 이용한 코팅막 형성방법
JP6095394B2 (ja) * 2013-02-13 2017-03-15 東レエンジニアリング株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
JP6691488B2 (ja) 2014-06-17 2020-04-28 カティーバ， インコーポレイテッド 印刷システムアセンブリおよび方法
JP6917691B2 (ja) * 2016-10-04 2021-08-11 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
JP6905830B2 (ja) * 2017-01-11 2021-07-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6860357B2 (ja) * 2017-01-20 2021-04-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 塗布装置および塗布方法
JP6860356B2 (ja) * 2017-01-20 2021-04-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 塗布装置および塗布方法
CN109574511A (zh) * 2017-09-29 2019-04-05 中外炉工业株式会社 基板的涂布方法以及基板的涂布装置
JP7034817B2 (ja) * 2018-04-19 2022-03-14 株式会社日本製鋼所 レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法
JP7101583B2 (ja) * 2018-10-04 2022-07-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7313210B2 (ja) * 2019-06-28 2023-07-24 東京エレクトロン株式会社 液滴吐出装置
KR102651505B1 (ko) * 2020-08-06 2024-03-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN113291825A (zh) * 2021-05-20 2021-08-24 哈尔滨工业大学 一种精密气浮平台

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02115069A (ja) * 1988-10-22 1990-04-27 Taikisha Ltd 塗装乾燥装置
JP2002261145A (ja) * 2001-03-02 2002-09-13 Kanayama Seiki Co Ltd ウェーハ取出・収納装置
JP2005244155A (ja) * 2004-01-30 2005-09-08 Tokyo Electron Ltd 浮上式基板搬送処理装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4275983A (en) * 1978-07-17 1981-06-30 Bergman Raymond A Air float fixture clamping system
CA2183163C (en) * 1994-12-28 2006-08-08 Yoshiyuki Kitamura Coating method and coating apparatus
US6781684B1 (en) * 2000-11-07 2004-08-24 Donald L. Ekhoff Workpiece levitation using alternating positive and negative pressure flows
TWI222423B (en) * 2001-12-27 2004-10-21 Orbotech Ltd System and methods for conveying and transporting levitated articles
JP4049751B2 (ja) * 2004-02-05 2008-02-20 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置
JP5189294B2 (ja) * 2004-02-13 2013-04-24 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド オートドーピングおよび裏面堆積を減少させるための基板支持システム
KR101195628B1 (ko) * 2004-04-14 2012-10-30 코레플로우 사이언티픽 솔루션스 리미티드 편평한 물체의 대향면상에 광학 장치를 포커싱하는 방법
JP4736388B2 (ja) 2004-09-29 2011-07-27 セントラル硝子株式会社 有機無機ハイブリッドガラス状物質とその製造方法
JP4378301B2 (ja) * 2005-02-28 2009-12-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法及び基板処理プログラム
JP4571525B2 (ja) * 2005-03-10 2010-10-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP4884871B2 (ja) * 2006-07-27 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 塗布方法及び塗布装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02115069A (ja) * 1988-10-22 1990-04-27 Taikisha Ltd 塗装乾燥装置
JP2002261145A (ja) * 2001-03-02 2002-09-13 Kanayama Seiki Co Ltd ウェーハ取出・収納装置
JP2005244155A (ja) * 2004-01-30 2005-09-08 Tokyo Electron Ltd 浮上式基板搬送処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI349168B (en) 2011-09-21
JP4884871B2 (ja) 2012-02-29
US20090311434A1 (en) 2009-12-17
TW200821759A (en) 2008-05-16
US8307778B2 (en) 2012-11-13
CN101495244A (zh) 2009-07-29
JP2008029938A (ja) 2008-02-14
CN101495244B (zh) 2011-12-14
KR20090035016A (ko) 2009-04-08
WO2008013035A1 (fr) 2008-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101023866B1 (ko) 도포 방법 및 도포 장치
KR101188077B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101384948B1 (ko) 도포 방법 및 도포 장치
JP4570545B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP4564454B2 (ja) 塗布方法及び塗布装置及び塗布処理プログラム
KR101079441B1 (ko) 스테이지 장치 및 도포 처리 장치
JP4554397B2 (ja) ステージ装置および塗布処理装置
KR101351155B1 (ko) 기판 처리 장치 및 도포 장치 및 도포 방법
KR101377766B1 (ko) 도포 방법 및 도포 장치
JP4429943B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20060095504A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 및 기판 처리 프로그램
KR101845090B1 (ko) 도포막 형성 장치 및 도포막 형성 방법
JP2007007639A (ja) 塗布方法及び塗布装置
JP5221508B2 (ja) 基板処理装置
US8443753B2 (en) Film forming apparatus and method for forming film
JP5502788B2 (ja) 浮上式塗布装置
KR101346887B1 (ko) 도포 방법, 도포 장치 및 기억 매체
JP5663297B2 (ja) 塗布装置
KR101452316B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
TW202304599A (zh) 塗佈處理裝置、塗佈處理方法及塗佈處理程式

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140220

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150224

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160219

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170221

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180302

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190305

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200302

Year of fee payment: 10